CN113900549A - 一种金属网格导电膜及其制作方法 - Google Patents

一种金属网格导电膜及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种金属网格导电膜及其制作方法，制作方法包括如下步骤：制备光刻胶组合物，光刻胶组合物包括光引发剂，光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种；在基材的至少一面上涂布光刻胶组合物；在光刻胶层上涂布催化剂溶液，得到膜片B；对膜片B进行曝光，得到膜片C；对膜片C进行显影，得到膜片D；对膜片D进行化铜，得到膜片E；对膜片E进行黑化，得到膜片F；在膜片F的表面涂布透明高分子材料，得到金属网格导电膜。本发明在曝光过程中克服氧阻聚，从而使得本申请提供的金属网格导电膜制作过程中，减少了在光刻胶或催化剂层上覆保护膜的步骤，有利于减少金属网格导电膜的制作步骤。

Description

一种金属网格导电膜及其制作方法
技术领域
本发明涉及导电膜技术领域，具体而言，涉及一种金属网格导电膜及其制作方法。
背景技术
随着互联网+与大数据5G时代的到来，可穿戴设备、可折叠设备、智能家居、教育教学等领域发展迅速，同时对中大尺寸的触控面板或柔性面板的需求越来越迫切；传统的ITO(氧化铟锡)薄膜不能实现弯曲、折叠应用，导电性也无法满足中大尺寸触控面板的要求，而且ITO属于稀缺资源，不可再生，因此，ITO的替代技术迎来机遇。
ITO的替代技术，有金属网格、纳米银线、碳纳米管以及石墨烯等材料。目前碳纳米管与石墨烯无法实现工业化量产，材料导电效果无法满足要求；金属网格与纳米银线材料相比，Metal Mesh(金属网格导电膜)技术更加成熟，得到业界广泛认可。Metal Mesh可应用于超薄、可折叠、穿戴式电子产品中，支持即将到来的可折叠柔性显示触控一体化的新型消费电子产业需求，应用前景广阔。
目前Metal Mesh的生产工艺，在涂布光刻胶后，为避免曝光过程中因氧气存在而影响光固化过程的进行，需要在光刻胶上涂布一层保护层，导致制作过程繁琐。
发明内容
本发明解决的问题是目前金属网格导电膜的制作过程繁琐。
为解决上述问题，本发明提供一种金属网格导电膜的制作方法，包括如下步骤：
S1：制备光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包括光引发剂与供氢组分，且所述光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种；
S2：在基材的至少一面上涂布所述光刻胶组合物，固化，形成光刻胶层，得到膜片A；
S3：在所述膜片A的所述光刻胶层上涂布催化剂溶液，固化，形成催化剂层，得到膜片B；
S4：对所述膜片B进行曝光，得到膜片C；
S5：对所述膜片C进行显影，形成由光刻胶与催化剂组成的网格图案，得到膜片D；
S6：对所述膜片D进行化铜，在所述网格图案上形成铜金属网格层，得到膜片E；
S7：对所述膜片E进行黑化，形成黑化层，得到膜片F；
S8：在所述膜片F的表面涂布透明高分子材料，形成保护层，得到金属网格导电膜。
可选地，所述裂解型光引发剂选自2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-(4-吗啉基)-1-丙酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉苯基)丁酮中的至少一种。
可选地，所述夺氢型光引发剂选自二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2，4，6-三甲基二苯甲酮、四甲基米蚩酮、四乙基米蚩醇、甲乙基米蚩酮中的至少一种。
可选地，所述光刻胶组合物还包括有机硼烷。
可选地，步骤S2中的固化温度为70℃～110℃，固化时间为10s～5min；所述光刻胶层的厚度为0.3μm～2μm。
可选地，步骤S3中的催化剂溶液为钯催化剂溶液；所述催化剂层的厚度为0.03μm～0.2μm。
可选地，步骤S4中曝光的波长范围为300nm～450nm。
可选地，步骤S5中的显影液选自显影液选自四甲基氢氧化铵溶液、氢氧化钠溶液、2，6-二乙基苯胺溶液、碳酸钠溶液、碳酸氢钠溶液、碳酸钾溶液、碳酸氢钾溶液以及丙二醇甲醚醋酸酯中的任意一种。
可选地，步骤S6中的化铜时间为0.5min～15min，化铜温度为30℃～45℃；所述铜金属网格层的厚度为0.2μm～2μm；步骤S7中的黑化温度25℃～40℃，黑化时间0.1min～10min；所述黑化层的厚度为0.02μm～0.05μm。
本发明的另一目的在于提供一种金属网格导电膜，通过如上所述的金属网格导电膜的制作方法制作。
与现有技术相比，本发明提供的金属网格导电膜的制作方法具有如下优势：
本发明提供的金属网格导电膜的制作方法，通过选用裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种光引发剂，并结合供氢组分提供的氢原子，以在曝光过程中克服氧阻聚，从而使得本申请提供的金属网格导电膜制作过程中，在基材上形成光刻胶层后，依次进行涂布催化剂层、曝光、显影、化铜、黑化，以及涂布透明高分子材料，即可得到金属网格导电膜；与现有的制作工艺相比，减少了在光刻胶或催化剂层上覆保护膜的步骤，不仅有利于减少金属网格导电膜的制作步骤，简化制作方法，提高制作效率，而且减少了保护膜的用材，还有利于降低成本。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为解决目前金属网格导电膜的制作过程繁琐的问题，本发明提供一种金属网格导电膜的制作方法，包括如下步骤：
S1：制备光刻胶组合物，该光刻胶组合物包括光引发剂与供氢组分，且光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种；
S2：在基材的至少一面上涂布光刻胶组合物，固化，形成光刻胶层，得到膜片A；
S3：在膜片A的光刻胶层上涂布催化剂溶液，固化，形成催化剂层，得到膜片B；
S4：对膜片B进行曝光，得到膜片C；
S5：对膜片C进行显影，形成由光刻胶与催化剂组成的网格图案，得到膜片D；
S6：对膜片D进行化铜，在网格图案上形成铜金属网格层，得到膜片E；
S7：对膜片E进行黑化，形成黑化层，得到膜片F；
S8：在膜片F的表面涂布透明高分子材料，形成保护层，得到金属网格导电膜。
本申请中的光刻胶组合物除包括光引发剂以及供氢组分外，还包括光敏成膜树脂、溶剂以及助剂等，其中光敏成膜树脂、溶剂以及助剂等组分均可选用现有技术中的常用物质；本申请优选，按照重量份数计，该光刻胶组合物包括1～6份的光引发剂、1～5重量份的供氢组分、5～40份的光敏成膜树脂、60～80份的溶剂以及2～5份的助剂；具体的，本申请中的光敏成膜树脂可以是环氧树脂类，也可以是酚醛树脂类等；并优选溶剂选自丙二醇单醋酸酯、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、二缩乙二醇甲乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、乳酸乙酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇、γ-丁内脂、乙酸乙酯、乙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚醋酸酯中的至少一种，助剂选自流平剂、增塑剂中的至少一种。
本申请中的基材为透明薄膜状基材，本申请优选该基材选自PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、PI(聚酰亚胺)、COP(环烯烃共聚物)、COC(环烯烃共聚物)、PEN(聚苯二甲酸乙二醇酯)、TAC(三醋酸纤维素)单组分薄膜中的一种，也可以是PC/PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)复合薄膜。
本申请提供的金属网格导电膜的制作方法，通过依次在基材上涂布光刻胶层以及催化剂层后，进行曝光；曝光过程中，光刻胶组合物经光照后，发生光固化反应。
现有的光固化反应过程中，由于氧阻聚作用(一般物质的基态是单线态，O2的稳定态却是三线态，有两个自旋方向相同的未成对电子。因此，O2会与自由基聚合反应，生成过氧化物，从而消耗自由基，使聚合反应不能正常进行)，若光刻胶在空气环境或氧气存在的条件下进行曝光，则会导致光刻胶无法交联固化，显影时全部脱落；因此，为避免氧阻聚的发生，现有的金属网格导电膜制作过程中，通常需要在光刻胶上覆保护膜或涂布可剥离保护层达到隔绝氧气的目的，以抑制氧阻聚的发生。
为简化金属网格导电膜的制作方法，本申请优选光刻胶组合物中的光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种，以便于在曝光过程中通过光引发剂来克服氧阻聚，从而使得该光刻胶组合物在氧气存在环境中也可以顺利进行光固化，进而使得金属网格导电膜制作过程中不需要在光刻胶上覆保护膜，有利于减少金属网格导电膜的制作步骤，简化制作方法，提高制作效率。
具体的，氧气阻止聚合反应进行的主要原理为，氧气与主引发自由基或链增长自由基反应，形成过氧自由基，阻止单体的进一步聚合。
根据上述氧阻聚机理，当光引发剂为裂解型光引发剂或夺氢型光引发剂时，利用光引发剂均能够与氧气反应形成自由基，再通过自由基进一步引发单体聚合，从而抑制氧阻聚的发生。
当光引发剂为肟酯类惰性分子光引发剂时，利用肟酯类惰性分子光引发剂高效光裂解产生自由基和二氧化碳，以利用产生的自由基来弥补氧气消耗的自由基，从而抑制氧阻聚的发生。
进一步的，本申请通过加入供氢组分，在光固化过程中，供氢组分作为氢给体，提供氢原子；而氧阻聚过程中产生的过氧自由基捕获氢给体提供的氢原子，形成新的活性自由基，重新引发单体聚合，从而使得本申请提供的金属网格导电膜的制作方法，通过光引发剂与供氢组分协同反应，共同来抑制氧阻聚的发生，从而保证该光刻胶在氧气存在的环境中也能顺利进行光聚合反应。
本发明提供的金属网格导电膜的制作方法，通过选用裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种光引发剂，并结合供氢组分提供的氢原子，以在曝光过程中克服氧阻聚，从而使得本申请提供的金属网格导电膜制作过程中，在基材上形成光刻胶层后，依次进行涂布催化剂层、曝光、显影、化铜、黑化，以及涂布透明高分子材料，即可得到金属网格导电膜；与现有的制作工艺相比，减少了在光刻胶或催化剂层上覆保护膜的步骤，不仅有利于减少金属网格导电膜的制作步骤，简化制作方法，提高制作效率，而且减少了保护膜的用材，还有利于降低成本。
具体的，本申请优选裂解型光引发剂选自2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-(4-吗啉基)-1-丙酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉苯基)丁酮中的至少一种；夺氢型光引发剂选自二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2，4，6-三甲基二苯甲酮、四甲基米蚩酮、四乙基米蚩醇、甲乙基米蚩酮中的至少一种。
为进一步抑制氧阻聚作用，本申请优选供氢组分包括有机硼烷，并进一步优选，按照重量份数计，光刻胶组合物中包括1～5重量份的有机硼烷；本申请有机硼烷包括乙硼烷。
本申请通过加入有机硼烷，在光固化过程中，作为氢给体，提供氢原子；而氧阻聚过程中产生的过氧自由基捕获氢给体提供的氢原子，形成新的活性自由基，重新引发单体聚合。
本申请提供的金属网格导电膜的制作方法，通过光引发剂与有机硼烷协同反应，共同来抑制氧阻聚的发生，从而保证该光刻胶在氧气存在的环境中也能顺利进行光聚合反应。
本申请提供的金属网格导电膜的制作方法，通过采用抑制氧阻聚的光刻胶，使得制作工艺中，涂布光刻胶后，不需要在光刻胶层的表面涂布水溶性保护层，即不需要在无氧气气氛进行曝光，缩减了工艺步骤，提高了效率，同时降低了生产成本。
本申请提供的金属网格导电膜的制作方法，步骤S2具体包括：对基材进行预处理，以去除基材表面的油污、颗粒等异物；在基材的至少一面上涂布光刻胶组合物，高温固化，形成光刻胶层，得到膜片A；其中步骤S2中的固化温度为70℃～110℃，固化时间为10s～5min；并优选光刻胶层的厚度为0.3μm～2μm。
光刻胶层固化后，步骤S3包括，配制催化剂溶液，其中催化剂溶液可选用金属网格导电膜制作过程中常用的催化剂溶液；本申请优步骤S3中的催化剂溶液为钯催化剂溶液，该钯催化剂溶液可以是硝酸钯溶液、醋酸钯溶液、氧化钯溶液、氯化钯溶液、硫酸钯溶液、碘化钯溶液、溴化钯溶液中的至少一种；进一步在光刻胶层上涂布催化剂溶液，并于70℃～110℃条件下固化，优选固化时间为10s～5min，在光刻胶层上形成催化剂层，优选催化剂层的厚度为0.03μm～0.2μm，得到膜片B。
本申请步骤S4中的曝光方式，可以采用接触式曝光，也可以采用非接触式曝光；曝光的灯源可以采用汞灯，也可以采用LED(发光二极管)灯；本申请优选曝光的波长范围为300nm～450nm，可以是314nm或365nm单波段曝光，也可以是i线(365nm)、h线(404.66nm)、g线(435.86nm)多波段同时曝光，曝光能量为0-300mj/cm2；曝光后还可增加中烘过程，温度为60℃～100℃，时间0.5min～10min。
本申请步骤S5中的显影，若光刻胶为正性光刻胶，则曝光部分和催化剂一起溶于显影液汇中，保留非光照部分；若光刻胶为负性光刻胶，则曝光部分发生交联，使其结构不溶于显影液，非光照部分和催化剂溶于显影液中；步骤S5中的显影液可以是TMAH(四甲基氢氧化铵)、NaOH、DEA(2,6-二乙基苯胺)等碱性溶液，也可以是PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯)等有机溶剂；本申请优选步骤S5中的显影液选自四甲基氢氧化铵溶液、氢氧化钠溶液、DEA、碳酸钠溶液、碳酸氢钠溶液、碳酸钾溶液、碳酸氢钾溶液以及丙二醇甲醚醋酸酯中的任意一种；显影时间为0.1min～3min；显影方法可以采用浸泡法、喷淋法等；显影后，可使用IPA(异丙醇)或纯水洗涤，洗涤时间为0.1s～60s，最终形成由光刻胶和催化剂组成的网格图案；根据需要，在显影后还可增加坚膜，以便于通过坚膜有效改善显影后表面出现的裂纹，坚膜温度为80℃～200℃，时间为3min～60min。
步骤S6的化铜过程中，镀铜液包括铜盐、络合剂、PH调节剂、还原剂、稳定剂等，具体成分及组成可根据现有技术进行选择；将步骤S5得到的图案化的膜片D浸入镀铜液中，优选步骤S6中的化铜时间为0.5min～15min，化铜温度为30℃～45℃；化铜过程中，铜离子首先在已经图案化的钯催化剂上被还原，而这些被还原的金属铜晶核本身又成为铜离子的催化层，使铜的还原反应继续在这些新的铜晶核表面上进行，最终形成铜金属网格层，优选铜金属网格层的厚度为0.2μm～2μm，得到膜片E。
步骤S7中的黑化液可以由钯催化剂水溶液、亚烷基多胺组成，由HCL调节PH值至2～5；其中钯催化剂，可以选自硝酸钯、醋酸钯、氧化钯、氯化钯、硫酸钯、碘化钯、溴化钯中的至少一种；亚烷基多胺可以选自二亚乙基三胺、二亚乙基四胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、亚氨基二丙胺中的至少一种；通过上述黑化液进行的黑化过程，使膜片E中铜的表面形成钯金属层；黑化液也可以是二氧化硒溶液，这种黑化液在铜的表面形成蓝绿色的亚硒酸铜。金属网格黑化后，形成黑化层，表面反射率降低，图案变得不明显，得到膜片F；本申请优选步骤S7中的黑化温度25℃～40℃，黑化时间0.1min～10min，黑化层的厚度为0.02μm～0.05μm。
进一步的，本申请提供的金属网格导电膜的制备方法还包括在膜片F的表面涂布透明高分子材料制备保护层；透明高分子材料可以是丙烯酸类(如PMMA)高分子材料，也可以是聚酯类(如聚氨酯)类高分子材料；涂布方式可以是slit coating(狭缝涂布)，也可以是辊涂；优选涂布后的烘烤温度为80℃～120℃，烘烤时间0.5min～10min，保护层的厚度为1μm～3μm。
本发明的另一目的在于提供一种金属网格导电膜，通过如上所述的金属网格导电膜的制作方法制作。
本发明提供的金属网格导电膜，通过选用裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种光引发剂，结合供氢组分，以在曝光过程中克服氧阻聚，从而使得制作过程中，在基材上形成光刻胶层后，与现有的制作工艺相比，减少了在光刻胶或催化剂层上覆保护膜的步骤，不仅有利于减少金属网格导电膜的制作步骤，简化制作方法，提高制作效率，而且减少了保护膜的用材，还有利于降低成本。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面对本发明的具体实施例做详细的说明。
实施例1
本实施例提供一种金属网格导电膜的制作方法，包括如下步骤：
S1：制备光刻胶组合物，按照重量份数计，该光刻胶组合物包括6份的肟酯光引发剂、3份的乙硼烷、20份的环氧丙烯酸树脂、60份的丙二醇单醋酸酯、以及2份的流平剂；
S2：通过微凹涂布，在透明PET基材的上下表面涂布步骤S1得到的负性光刻胶组合物，于80℃温度下进行固化，固化时间为15s，形成厚度为0.8μm的光刻胶层，得到膜片A；
S3：在膜片A的光刻胶层上涂布催化剂溶液，按照重量份数计，催化剂溶剂包括85份的纯水，5份的醋酸钯，5份的乙酸乙酯和5份的活氟系表面活性剂FC-4430，于80℃烘干固化，固化时间为20s，形成催化剂层，催化剂的厚度为0.06μm，得到膜片B；
S4：采用曝光机对膜片B进行双面曝光，曝光能量为5mj/cm2，光刻胶层中的光照部分交联固化，得到膜片C；
S5：对膜片C进行显影，显影液采用质量浓度为2％的DEA溶液，将膜片C在23℃下浸泡于显影液中1min后，未曝光部分的显影液和催化剂溶于显影液中，然后用纯水冲洗，去除表面残余的显影液，得到光刻胶和催化剂层形成的网格图案，得到膜片D；
S6：按照如下组成配制镀铜液：硫酸铜(10g/L)、络合剂(酒石酸钾钠45g/L)、PH调节剂(NaOH，15g/L)、还原剂(甲醛2mg/L)、稳定剂(双联吡啶，10mg/L)；将膜片D置于镀铜液中进行化学镀铜，镀铜时间为10min，镀铜液温度为30℃，在催化剂层上沉积金属铜，形成铜金属网格层，铜金属网格层的厚度为0.2μm，得到膜片E；
S7：取0.001mol/L的硫酸钯水溶液与0.01g/L的二亚乙基四胺混合，加入盐酸调节溶液pH值为2，加热至25℃，制得黑化液；将膜片E浸泡在30℃的黑化液中5min，在铜表面形成0.02μm厚的黑化层，得到膜片F；
S8：在膜片F的表面涂布透明高分子材料PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)，涂布厚度1μm，于110℃烘烤2min，形成保护层，得到金属网格导电膜。
取本实施例制备的金属网格导电膜制成试样，采用方阻测试仪对其方阻进行测试，采用万用表测试其通道阻抗，采用线性度测试仪测试其线性度，并将测试结果记录至表1。
实施例2
本实施例步骤S1中的光引发剂为2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮，其他均与实施例1相同。
实施例3
本实施例步骤S1中的光引发剂为二苯甲酮，其他均与实施例1相同。
对比例1
S1：制备光刻胶组合物，按照重量份数计，该光刻胶组合物包括6份的二芳基碘鎓盐光引发剂、20份的环氧丙烯酸树脂、60份的丙二醇单醋酸酯、以及2份的流平剂；
S2：通过微凹涂布，在透明PET基材的上下表面涂布步骤S1得到的光刻胶组合物，于80℃温度下进行固化，固化时间为15s，形成厚度为0.8μm的光刻胶层，得到膜片A；
S3：在膜片A的光刻胶层上涂布催化剂溶液，按照重量份数计，催化剂溶剂包括85份的纯水，5份的醋酸钯，5份的乙酸乙酯和5份的活氟系表面活性剂FC-4430，于80℃烘干固化，固化时间为20s，形成催化剂层，催化剂的厚度为0.06μm，得到膜片B；在催化剂层的表面涂布丙烯酰胺，烘干后形成防护层，制得膜片B-1；
S4：采用曝光机对膜片B-1进行双面曝光，曝光能量为5mj/cm2，光刻胶层中的光照部分交联固化，得到膜片C；
S5：对膜片C进行显影，显影液采用质量浓度为2％的DEA溶液，将膜片C在23℃下浸泡于显影液中1min后，未曝光部分的显影液和催化剂溶于显影液中，然后用纯水冲洗，去除表面残余的显影液，得到光刻胶和催化剂层形成的网格图案，得到膜片D；
S6：按照如下组成配制镀铜液：硫酸铜(10g/L)、络合剂(酒石酸钾钠45g/L)、PH调节剂(NaOH,15g/L)、还原剂(甲醛2mg/L)、稳定剂(双联吡啶，10mg/L)；将膜片D置于镀铜液中进行化学镀铜，镀铜时间为10min，镀铜液温度为30℃，在催化剂层上沉积金属铜，形成铜金属网格层，铜金属网格层的厚度为0.2μm，得到膜片E；
S7：取0.001mol/L的硫酸钯水溶液与0.01g/L的二亚乙基四胺混合，加入盐酸调节溶液pH值为2，加热至25℃，制得黑化液；将膜片E浸泡在30℃的黑化液中5min，在铜表面形成0.02μm厚的黑化层，得到膜片F；
S8：在膜片F的表面涂布透明高分子材料PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)，涂布厚度1μm，于110℃烘烤2min，形成保护层，得到金属网格导电膜。
取本对比例制备的金属网格导电膜制成试样，采用方阻测试仪对其方阻进行测试，采用万用表测试其通道阻抗，采用线性度测试仪测试其线性度，并将测试结果记录至表1。
表1
Figure BDA0003260956490000151
从上述表1中数据得出，本申请实施例1～实施例3与对比例相比，仅光引发剂不同；实施例1～3通过改变光引发剂，得到抑制氧阻聚的光刻胶组合物；通过采用抑制氧阻聚的光刻胶组合物，使得无需在无氧气气氛进行曝光，从而减少了在光刻胶层或催化剂层外侧涂布水溶性保护层或覆保护膜的步骤；实施例1～3相较于对比例1，减少了在催化剂层涂布保护层的步骤，但是通过将实施例1～3的测试数据与对比例1的测试数据进行比对可知，在减少涂布保护层的步骤后，对制备的金属网格导电膜的性能影响不大，本申请提供的金属网格导电膜的制作方法，在减少工艺步骤，提高制作效率的基础上，制得的金属网格导电膜的性能能够满足使用需求。
虽然本公开披露如上，但本公开的保护范围并非仅限于此。本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围的前提下，可进行各种变更与修改，这些变更与修改均将落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：制备光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包括光引发剂与供氢组分，且所述光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种；
S2：在基材的至少一面上涂布所述光刻胶组合物，固化，形成光刻胶层，得到膜片A；
S3：在所述膜片A的所述光刻胶层上涂布催化剂溶液，固化，形成催化剂层，得到膜片B；
S4：对所述膜片B进行曝光，得到膜片C；
S5：对所述膜片C进行显影，形成由光刻胶与催化剂组成的网格图案，得到膜片D；
S6：对所述膜片D进行化铜，在所述网格图案上形成铜金属网格层，得到膜片E；
S7：对所述膜片E进行黑化，形成黑化层，得到膜片F；
S8：在所述膜片F的表面涂布透明高分子材料，形成保护层，得到金属网格导电膜。
2.如权利要求1所述的金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，所述裂解型光引发剂选自2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-(4-吗啉基)-1-丙酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉苯基)丁酮中的至少一种。
3.如权利要求1所述的金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，所述夺氢型光引发剂选自二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2，4，6-三甲基二苯甲酮、四甲基米蚩酮、四乙基米蚩醇、甲乙基米蚩酮中的至少一种。
4.如权利要求1所述的金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，所述供氢组分包括有机硼烷。
5.如权利要求1～4任一项所述的金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，步骤S2中的固化温度为70℃～110℃，固化时间为10s～5min；所述光刻胶层的厚度为0.3μm～2μm。
6.如权利要求1～4任一项所述的金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，步骤S3中的催化剂溶液为钯催化剂溶液；所述催化剂层的厚度为0.03μm～0.2μm。
7.如权利要求1～4任一项所述的金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，步骤S4中曝光的波长范围为300nm～450nm。
8.如权利要求1～4任一项所述的金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，步骤S5中的显影液选自四甲基氢氧化铵溶液、氢氧化钠溶液、2，6-二乙基苯胺溶液、碳酸钠溶液、碳酸氢钠溶液、碳酸钾溶液、碳酸氢钾溶液以及丙二醇甲醚醋酸酯中的任意一种。
9.如权利要求1～4任一项所述的金属网格导电膜的制作方法，其特征在于，步骤S6中的化铜时间为0.5min～15min，化铜温度为30℃～45℃；所述铜金属网格层的厚度为0.2μm～2μm；步骤S7中的黑化温度25℃～40℃，黑化时间0.1min～10min；所述黑化层的厚度为0.02μm～0.05μm。
10.一种金属网格导电膜，其特征在于，通过如权利要求1～9任一项所述的金属网格导电膜的制作方法制作。
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