CN113897588B - 遮蔽装置和半导体工艺设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝向所述托盘的一侧，所述托盘上设置有多个校正机构，多个所述校正机构沿所述突出部的周向分布，多个所述校正机构的用于在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，在所述遮蔽盘重力的作用下夹持所述突出部，并推动所述突出部沿所述托盘的表面移动至目标位置。本发明实施例还提供了一种半导体工艺设备。本发明能够提高遮蔽盘与托盘对位的准确性。

Description

遮蔽装置和半导体工艺设备
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备中的遮蔽装置和半导体工艺设备。
背景技术
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺过程中有一种工艺是预烧靶材(Burn In)。Burn In是通过工艺的方式清除靶材的表面的氧化物和其他杂质，在BurnIn时，通常会将遮蔽盘(Shutter Disk)放置到在基座或静电卡盘表面，用于承接溅射出的粒子，避免污染基座或静电卡盘。
在PVD腔室中通常包括主腔室部以及与该主腔室部连通的遮蔽腔室部，主腔室部中设置有靶材和基座，基座用于支撑或吸附硅片。PVD腔室中设置有托盘，托盘用于支撑遮蔽盘，在进行Burn In工艺时，托盘带动遮蔽盘转动至主腔室部中，之后，主腔室部中的支撑针将遮蔽盘顶起；遮蔽盘被顶起后，托盘转动至遮蔽腔室部中；之后，基座上升，以将支撑针上的遮蔽盘托起至工艺位置，从而进行Burn In工艺。在Burn In工艺完成后，通过类似的流程，使遮蔽盘落在托盘上，再转动至遮蔽腔室部中。
通常，托盘中心设置有圆锥形凸起，遮蔽盘底部设置有相应的锥形凹槽，遮蔽盘放置在托盘上时，二者通过圆锥形凸起和锥形凹槽进行定位。但是，当遮蔽盘在托盘上的偏移量过大时，并不能对遮蔽盘的位置进行校正。
发明内容
本发明旨在至少解决上述技术问题之一，提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置和半导体工艺设备。
为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，所述遮蔽装置包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，
所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝向所述托盘的一侧，
所述托盘上设置有多个校正机构，多个所述校正机构沿所述突出部的周向分布，多个所述校正机构的用于在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，在所述遮蔽盘重力的作用下夹持所述突出部，并推动所述突出部沿所述托盘的表面移动至目标位置。
可选地，所述托盘上设置有多个第一安装孔，多个所述校正机构一一对应地安装于多个所述第一安装孔中；
所述校正机构包括：校正件和支撑件，所述校正件的第一端和所述支撑件的第一端连接，且连接处通过转轴与所述第一安装孔的侧壁连接，所述支撑件的第二端用于抵接所述遮蔽盘，在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，所述遮蔽盘下压所述支撑件的第二端，所述支撑件绕所述转轴转动，带动所述校正件绕所述转轴转动，使所述校正件的第二端朝向所述突出部的侧面移动；
所述校正机构还包括弹性件，所述弹性件的第一端与所述校正件或所述支撑件连接，所述弹性件的第二端与所述第一安装孔的侧壁连接，所述弹性件用于在所述遮蔽盘远离所述托盘的过程中，向所述校正件或所述支撑件施加作用力，使所述校正件和所述支撑件绕所述转轴转动，进而使所述支撑件的第二端上移，并使所述校正件的第二端远离所述突出部的侧面。
可选地，所述弹性件为扭转弹簧，所述扭转弹簧套设在所述转轴上。
可选地，所述校正件的第二端设置有第一辊轮，所述支撑件的第二端设置有第二辊轮。
可选地，所述突出部的侧面设置有弧形的内凹部，所述内凹部的半径为所述第一辊轮半径的1.5～2倍；和/或
所述突出部的厚度为所述第一辊轮半径的2.5～4倍。
可选地，所述校正件和所述支撑件均为板状弯折结构，二者一体成型。
可选地，所述第一安装孔的侧壁顶部形成有限位部，所述遮蔽盘远离所述托盘后，所述弹性件向所述校正件或所述支撑件施加作用力时，所述校正件抵靠在所述限位部上。
可选地，所述托盘上设置有第二安装孔，所述第二安装孔位于所述托盘与所述突出部对应的区域中，
所述遮蔽装置还包括第一压入式传感器，所述第一压入式传感器设置在所述第二安装孔中，所述第一压入式传感器的探头在自然状态下突出于所述托盘朝向所述遮蔽盘的表面，所述遮蔽盘落至所述托盘后，所述第一压入式传感器的探头的至少一部分被所述遮蔽盘压入所述第一压入式传感器。
相应地，本发明实施例还提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室、旋转驱动装置和上述的遮蔽装置，所述遮蔽装置位于所述工艺腔室内，
所述工艺腔室包括：主腔室部以及与所述主腔室部连通的遮蔽腔室部，所述遮蔽腔室部位于所述主腔室部的一侧，所述旋转驱动装置与所述遮蔽装置的托盘连接，用于驱动所述托盘绕所述旋转驱动装置的驱动轴转动，以使所述托盘所承载的遮蔽盘在所述主腔室部和所述遮蔽腔室部之间移动。
可选地，所述托盘包括承托部和连接臂，所述承托部用于承载所述遮蔽盘，所述承托部通过所述连接臂与所述旋转驱动装置连接，所述遮蔽腔室部的侧壁上设置有第二压入式传感器，所述第二压入式传感器的探头朝向所述连接臂设置，并且，当所述遮蔽装置移动至所述遮蔽腔室中的指定位置时，所述第二压入式传感器的探头的至少一部分被所述连接臂压入所述第二压入式传感器。
可选地，所述第二压入式传感器设置在所述遮蔽腔室部的外侧，并通过波纹管与所述遮蔽腔室部的侧壁密封连接，所述第二压入式传感器的探头穿过所述遮蔽腔室部的侧壁而伸入所述遮蔽腔室部的内部。
本发明实施例具有以下有益效果：
在本发明实施例提供的遮蔽装置和半导体工艺设备中，遮蔽盘上设置有突出部，托盘上设置有多个校正结构，多个校正机构能够夹持突出部，并对突出部的位置进行校正，也即，对遮蔽盘的位置进行校正，从而提高了遮蔽盘与托盘对位的准确性。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为一示例中提供的半导体工艺设备的示意图。
图2为本发明的一些实施例中提供的遮蔽装置的示意图。
图3为本发明的一些实施例中提供的校正机构的剖视图。
图4为本发明的一些实施例中提供的校正机构的俯视图。
图5为本公开的一些实施例中提供的校正机构和遮蔽盘的局部剖视图。
图6为本发明的一些实施例中提供的多个校正机构夹紧突出部的过程示意图。
图7为本发明的一些实施例中提供的多个较正机构对遮蔽盘的校正原理示意图。
图8为本公开的一些实施例中提供的半导体工艺设备的示意图。
图9为本公开的一些实施例提供的遮蔽腔室部的俯视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
这里用于描述本发明的实施例的术语并非旨在限制和/或限定本发明的范围。例如，除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。应该理解的是，本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。
图1为一示例中提供的半导体工艺设备的示意图，优选地，该半导体工艺设备可以用于进行PVD工艺，即一种PVD设备。如图1所示，该半导体工艺设备包括：主腔室部4、遮蔽腔室部6、安装部3和靶材1，遮蔽腔室部6位于主腔室部4的一侧，安装部3位于主腔室部4的顶部，安装部3用于安装工艺组件5，工艺组件5上具有镂空窗口。靶材1位于安装部3顶部，主腔室部4、遮蔽腔室部6、安装部3和靶材1组成一封闭的腔室，该封闭的腔室与真空泵连接，可以使腔室内部达到真空环境。基座18设置在主腔室部4内，用于支撑或吸附硅片，并可以进行升降运动。支撑针19穿过基座18，升降机构30用于带动支撑针19进行升降运动。托盘20用于承载遮蔽盘10，其中，托盘20上设置有圆锥形凸起11，遮蔽盘10的底部设置有对应于圆锥形凸起11的凹槽，遮蔽盘10和托盘20通过圆锥形凸起11和凹槽来进行定位。托盘20通过磁流体轴承13连接到旋转驱动装置，从而在旋转驱动装置的驱动作用下旋转。旋转驱动装置可以包括：电机16、减速机15和联轴器14。
在进行Burn In工艺时，遮蔽盘10放置在托盘20上，二者通过托盘20上的圆锥形凸起11和遮蔽盘10上的凹槽进行定位。托盘20在旋转驱动装置的驱动下带动遮蔽盘10旋转，并转动至主腔室部4中，此时，支撑针19上升，从而将遮蔽盘10顶起；之后，托盘20在旋转驱动机构的驱动下旋转回遮蔽腔室部6中。此时基座18上升，从而使遮蔽盘10落在基座18上；当基座18带动遮蔽盘10上升至工艺位(该工艺位对应于工艺组件5的镂空窗口处)时，可以进行Burn In工艺。Burn In工艺完成后，基座18下降，使得支撑针19将基座18上的遮蔽盘10顶起；之后，旋转驱动装置带动托盘20旋转至遮蔽盘10下方且位于基座18上方的位置；之后，支撑针19下降，使得遮蔽盘10落在托盘20上，托盘20再旋转回遮蔽腔室部6中。
当托盘20旋转回遮蔽腔室部6时，可以通过光学传感器检测托盘20是否旋转到位。
在图1所示的半导体工艺设备中，虽然遮蔽盘10与托盘20能够通过圆锥形凸起11和凹槽进行定位，但是，当遮蔽盘10与托盘20的偏移量较大时，则无法对遮蔽盘10的位置进行校正。另外，采用光学传感器来检测托盘20是否旋转到位，光线容易受到零件产生的漫反射影响或受到零件震动的影响，从而造成检测错误。
为了至少解决上述技术问题之一，本发明实施例提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，该遮蔽装置用于遮蔽半导体工艺设备中用于承载晶圆的基座。图2为本发明的一些实施例中提供的遮蔽装置的示意图，如图2所示，遮蔽装置包括：遮蔽盘10和用于承载所述遮蔽盘10的托盘20。其中，遮蔽盘10包括：遮蔽盘本体10a和设置在遮蔽盘本体10a上的突出部10b，该突出部10b位于遮蔽盘本体10a朝向托盘20的一侧，即，位于遮蔽盘10底部。托盘20上设置有多个校正机构40，多个校正机构40沿突出部10b的周向分布，多个校正机构40用于在遮蔽盘10落至托盘20的过程中，在遮蔽盘10的重力作用下夹持突出部10b，并推动突出部10b沿托盘20的表面移动至目标位置。例如，推动突出部10b以使突出部10b的中心位于多个校正机构40的中心。
在本发明实施例中，遮蔽盘10上设置有突出部10b，托盘20上设置有多个校正结构，多个校正机构40能够夹持突出部10b，并对突出部10b的位置进行校正，也即对遮蔽盘10的位置进行校正，从而提高了遮蔽盘10与托盘20对位的准确性。
下面结合附图对本发明实施例中的遮蔽装置进行具体介绍。
在一些实施例中，校正机构40的数量可以为6个，或者为其他数量。多个校正机构40沿突出部10b的周向均匀分布。图3为本发明的一些实施例中提供的校正机构的剖视图，图4为本发明的一些实施例中提供的校正机构的俯视图，如图3和图4所示，托盘20上设置有多个第一安装孔V1，多个校正机构40一一对应地安装于多个第一安装孔V1中。校正机构40包括：校正件41a、支撑件41b和弹性件43，校正件41a的第一端和支撑件41b的第一端连接，且连接处通过转轴42与第一安装孔V1的侧壁连接，支撑件41b的第二端用于抵接遮蔽盘10。在遮蔽盘10落至托盘20的过程中，遮蔽盘10下压支撑件41b的第二端，支撑件41b绕转轴42转动，带动校正件41a绕转轴42转动，使校正件41a的第二端朝向突出部10b的侧面移动。可选地，校正件41a和支撑件41b均为弯折结构，二者可以一体成型。当然，校正件41a和支撑件41b也可以采用其他形状，例如，弧形。
弹性件43的第一端与校正件41a或支撑件41b连接，第二端与第一安装孔V1的侧壁连接，弹性件43用于在遮蔽盘10远离托盘20的过程中，向校正件41a或支撑件41b施加作用力，使校正件41a和支撑件41b绕转轴42转动，进而使支撑件41b的第二端上移，并使校正件41a的第二端远离突出部10b的侧面。如图3和图4所示，弹性件43可以为扭转弹簧，扭转弹簧套设在转轴42上。当遮蔽盘10远离托盘20时，在扭转弹簧的弹力作用下，支撑件41b的第二端和校正件41a的第二端均从第一安装孔V1中露出，校正件41a处于打开状态(即，校正件41a的第二端和支撑件41b的第二端之间的开口朝上)。当遮蔽盘10下落而压在支撑件41b上时，支撑件41b和校正件41a绕转轴42转动，进而使校正件41a的第二端朝向突出部10b的侧面移动。
在一些实施例中，如图3所示，第一安装孔V1的侧壁顶部形成有限位部20a，遮蔽盘10远离托盘20后，弹性件43向校正件41a或支撑件41b施加作用力时，校正件41a抵靠在限位部20a上，从而可以使校正件41a维持打开状态。
图5为本公开的一些实施例中提供的校正机构和遮蔽盘的局部剖视图，如图5所示，在一些实施例中，突出部10b的侧面设置有弧形的内凹部10s，多个校正机构40对突出部10b进行夹持时，校正件41a的第二端伸入内凹部10s中，从而提高夹持的稳定性。为了使得校正件41a的第二端能够顺利进入突出部10b侧面的内凹部10s中，如图4所示，校正件41a的第二端设置有第一辊轮44，例如，校正件41a的第二端设置有第一转轴46，第一辊轮44设置在第一转轴46上，第一辊轮44与第一转轴46之间设置有轴套，以防止第一辊轮44长时间运转后发生磨损。另外，支撑件41b的第二端设置有第二辊轮45，以便于校正机构40推动突出部10b移动。例如，支撑件41b的第二端设置有第二转轴47，第二辊轮45设置在第二转轴47上，第二辊轮45与第二转轴47之间设置有轴套，以防止第二辊轮45长时间运转后发生磨损。
在一些实施例中，如图5所示，突出部10b的厚度D可以为第一辊轮44半径R1的2.5～4倍，例如3倍，内凹部10s的半径R2可以为第一辊轮44的半径R1的1.5～2倍，以便于校正件41a夹持突出部10b。突出部10b的侧面还设置有外凸部，该外凸部与内凹部10s连接，并位于内凹部10s远离遮蔽盘本体10a的一侧，外凸部与内凹部10s之间、外凸部与遮蔽盘10的底面之间均形成有平滑过渡的圆角10c，从而可以使第一辊轮44顺滑地转动至内凹部10s中。
图6为本发明的一些实施例中提供的多个校正机构夹紧突出部的过程示意图，其中，图6中的(a)图为遮蔽盘10与校正结构40刚接触时的示意图，图6中的(b)图为遮蔽盘10落在托盘20上时的示意图。如图6所示，当遮蔽盘10未落在托盘20上时，校正件41a在弹性件43的弹力作用下处于打开状态，当遮蔽盘10下落时首先接触到第二辊轮45，其中遮蔽盘10的重力远大于弹性件43的弹力，因此，遮蔽盘10会继续下压第二辊轮45，从而使弹性件43整体绕转轴42转动，此时第一辊轮44和第二辊轮45的运动方向如图6(a)中的箭头所示，第一辊轮44进入突出部10b侧面的弧形内凹部10s内，直至遮蔽盘10落在托盘20上，如图6中的(b)图所示，此时，多个较正机构40将遮蔽盘10夹紧并固定在托盘20的中心位置(即，遮蔽盘10中心与托盘20的中心)。
图7为本发明的一些实施例中提供的多个较正机构对遮蔽盘的校正原理示意图，如图7所示，遮蔽盘10下落时向左偏移(如图7中遮蔽盘10的中心O偏离目标位置O’，这种情况下，当遮蔽盘10下降接触至校正机构40的第二辊轮45时，左侧校正机构40的第一辊轮44先进入内凹部10s中，而右侧校正机构40的第一辊轮44并没有进入内凹部10s中；之后，遮蔽盘10继续下降，左侧校正机构40的第一辊轮44会将向右推动遮蔽盘10的突出部10b，右侧校正机构40的第一辊轮44逐渐进入弧形内凹部10s中。两侧的校正机构40在遮蔽盘10的重力作用下，会将遮蔽盘10固定在中心位置。校正机构40的数量为6个或更多个时，可以对遮蔽盘10在6个方向或更多方向上的偏移进行校正。
在一些实施例中，如图2所示，托盘20上设置有第二安装孔，第二安装孔位于托盘20对应于突出部10b的区域中，例如，第二安装孔位于托盘20对应于突出部10b中心的位置。遮蔽装置还包括：第一压入式传感器50，第一压入式传感器50设置在第二安装孔中，第一压入式传感器50的探头在自然状态下突出于托盘20朝向遮蔽盘10的表面，遮蔽盘10落至托盘20后，第一压入式传感器50的探头的至少一部分被压入第一压入式传感器50。例如，第一压入式传感器50可以包括第一本体51以及与第一本体51活动连接的第一探头52，第一本体51固定在第二安装孔中，第一压入式传感器50的第一探头52在自然状态下突出于托盘20朝向遮蔽盘10的表面。遮蔽盘10落至托盘20后，在遮蔽盘10的重力作用下，第一探头52在受到挤压，其一部分被压入第一本体51中。其中，第一压入式传感器50用于在第一探头52的压入量达到第一压入量时，产生触发信号。其中，第一压入量可以根据第一压入式传感器50的触发位置决定，例如，第一压入量可以为1.5mm。
在本发明实施例中，当遮蔽盘10落在托盘20上时，第一压入式传感器50的第一探头52被压入一定量，且压入量达到第一压入量时，第一压入式传感器50产生触发信号，表明遮蔽盘10落入到位。当遮蔽盘10底部未接触到托盘20或遮蔽盘10发生倾斜时，第一探头52未受到挤压或压入量未达到第一压入量，此时，第一压入式传感器50不会产生触发信号。第一压入式传感器50根据第一探头52的压入量进行检测的方式，可以准确地检测出遮蔽盘10是否落在托盘20上。
本公开实施例还提供了一种半导体工艺设备，优选地，其可以用于进行PVD工艺，即一种PVD设备。图8为本公开的一些实施例中提供的半导体工艺设备的示意图，如图8所示，该气相沉积设备包括：工艺腔室、驱动装置和上述遮蔽装置。其中，遮蔽装置位于工艺腔室内。工艺腔室包括：主腔室部4、遮蔽腔室部6、安装部3和靶材1，遮蔽腔室部6位于主腔室部4的一侧，安装部3位于主腔室部4的顶部，安装部3用于安装工艺组件5，工艺组件5上具有镂空窗口。靶材1位于安装部3顶部，主腔室部4、遮蔽腔室部6、安装部3和靶材1组成一封闭的腔室，该封闭的腔室与真空泵连接，可以使腔室内部达到真空环境。基座18设置在主腔室部4内，用于支撑或吸附硅片，并可以进行升降运动。支撑针19穿过基座18，升降机构30用于带动支撑针19进行升降运动。旋转驱动装置与遮蔽装置的托盘20连接，用于驱动托盘20绕旋转驱动装置的驱动轴转动，以使托盘20所承载的遮蔽盘10在主腔室部4和遮蔽腔室部6之间移动。
图9为本公开的一些实施例提供的遮蔽腔室部的俯视图，如图8和图9所示，托盘20上设置有多个(例如6个)校正机构40，多个校正机构40沿突出部的周向均匀分布，当遮蔽盘10落在托盘20上时，多个校正机构40位于遮蔽盘10的突出部的边缘。托盘20可以包括承托部21和连接臂22，承托部21用于承载遮蔽盘10，承托部21可以通过连接臂22与旋转驱动装置连接。其中，旋转驱动装置可以包括：电机16、减速机15和联轴器14。减速机15连接在电机16与联轴器14之间，承托部21通过连接臂22与联轴器14连接，其中，连接臂22可以通过磁流体轴承13连接到联轴器14，磁流体轴承13可以保证工艺腔室在托盘20运动过程中保持真空状态。磁流体轴承13还可以设置安装通道，信号线71设置在安装通道中，用于将托盘20上的第一压入式传感器50与外接的处理器电连接，处理器可以根据第一压入式传感器50所产生的触发信号判断出遮蔽盘10落在托盘20上。
图8中的PVD设备进行Burn In工艺的过程与上文描述的图1中的PVD设备类似，这里不再赘述。
如图9所示，遮蔽腔室部6的侧壁上设置有第二压入式传感器90，第二压入式传感器90包括：第二主体部90a以及与第二主体部90a连接的第二探头90b，第二主体部90a设置在遮蔽腔室部6的侧壁上，第二探头90b朝向连接臂70设置，并且，当遮蔽装置移动至遮蔽腔室部6中的指定位置时，第二探头90b的至少一部分被连接臂70压入第二主体部90a。其中，第二主体部90a可以设置在遮蔽腔室部6的外侧，并通过波纹管与遮蔽腔室部6的侧壁密封连接，第二探头90b穿过遮蔽腔室部6的侧壁而伸入遮蔽腔室部6的内部。
如上文所述，在进行Burn In工艺时，托盘20的承托部21将遮蔽盘10送入主腔室部4中后，会转回遮蔽腔室部6中；另外，在完成Burn In工艺后，承载有遮蔽盘10的承托部21也会转回遮蔽腔室部6中。当承托部21从主腔室部4转回遮蔽腔室部6中时，连接臂22挤压第二压入式传感器90的第二探头90b，从而将第二探头90b的一部分压入第二主体部90a中，当第二探头90b的压入量达到第二压入量时，第二压入式传感器90产生触发信号，表示托盘20已到达制定位置。与光学传感器进行检测的方式相比，利用第二压入式传感器90进行检测的方式更加准确。
需要说明的是，上述第二压入量可以根据实际需要来进行设定，例如，第二压入量可以为1.5mm。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，其特征在于，所述遮蔽装置包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，
所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝向所述托盘的一侧，
所述托盘上设置有多个校正机构，多个所述校正机构沿所述突出部的周向分布，多个所述校正机构的用于在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，在所述遮蔽盘重力的作用下夹持所述突出部，并推动所述突出部沿所述托盘的表面移动至目标位置；
所述校正机构包括：校正件和支撑件，所述校正件的第一端和所述支撑件的第一端连接，所述校正件和所述支撑件绕连接处的转轴转动，并且所述校正件和所述支撑件均为板状弯折结构。
2.根据权利要求1所述的遮蔽装置，其特征在于，所述托盘上设置有多个第一安装孔，多个所述校正机构一一对应地安装于多个所述第一安装孔中；
所述校正件的第一端和所述支撑件的第一端的连接处通过所述转轴与所述第一安装孔的侧壁连接，所述支撑件的第二端用于抵接所述遮蔽盘，在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，所述遮蔽盘下压所述支撑件的第二端，所述支撑件绕所述转轴转动，带动所述校正件绕所述转轴转动，使所述校正件的第二端朝向所述突出部的侧面移动；
所述校正机构还包括弹性件，所述弹性件的第一端与所述校正件或所述支撑件连接，所述弹性件的第二端与所述第一安装孔的侧壁连接，所述弹性件用于在所述遮蔽盘远离所述托盘的过程中，向所述校正件或所述支撑件施加作用力，使所述校正件和所述支撑件绕所述转轴转动，进而使所述支撑件的第二端上移，并使所述校正件的第二端远离所述突出部的侧面。
3.根据权利要求2所述的遮蔽装置，其特征在于，所述弹性件为扭转弹簧，所述扭转弹簧套设在所述转轴上。
4.根据权利要求2所述的遮蔽装置，其特征在于，所述校正件的第二端设置有第一辊轮，所述支撑件的第二端设置有第二辊轮。
5.根据权利要求4所述的遮蔽装置，其特征在于，所述突出部的侧面设置有弧形的内凹部，所述内凹部的半径为所述第一辊轮半径的1.5～2倍；和/或
所述突出部的厚度为所述第一辊轮半径的2.5～4倍。
6.根据权利要求2所述的遮蔽装置，其特征在于，所述校正件和所述支撑件二者一体成型。
7.根据权利要求2所述的遮蔽装置，其特征在于，所述第一安装孔的侧壁顶部形成有限位部，所述遮蔽盘远离所述托盘后，所述弹性件向所述校正件或所述支撑件施加作用力时，所述校正件抵靠在所述限位部上。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的遮蔽装置，其特征在于，所述托盘上设置有第二安装孔，所述第二安装孔位于所述托盘与所述突出部对应的区域中，
所述遮蔽装置还包括第一压入式传感器，所述第一压入式传感器设置在所述第二安装孔中，所述第一压入式传感器的探头在自然状态下突出于所述托盘朝向所述遮蔽盘的表面，所述遮蔽盘落至所述托盘后，所述第一压入式传感器的探头的至少一部分被所述遮蔽盘压入所述第一压入式传感器。
9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室、旋转驱动装置和权利要求1至8中任意一项所述的遮蔽装置，所述遮蔽装置位于所述工艺腔室内，
所述工艺腔室包括：主腔室部以及与所述主腔室部连通的遮蔽腔室部，所述遮蔽腔室部位于所述主腔室部的一侧，所述旋转驱动装置与所述遮蔽装置的托盘连接，用于驱动所述托盘绕所述旋转驱动装置的驱动轴转动，以使所述托盘所承载的遮蔽盘在所述主腔室部和所述遮蔽腔室部之间移动。
10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述托盘包括承托部和连接臂，所述承托部用于承载所述遮蔽盘，所述承托部通过所述连接臂与所述旋转驱动装置连接，所述遮蔽腔室部的侧壁上设置有第二压入式传感器，所述第二压入式传感器的探头朝向所述连接臂设置，并且，当所述遮蔽装置移动至所述遮蔽腔室中的指定位置时，所述第二压入式传感器的探头的至少一部分被所述连接臂压入所述第二压入式传感器。
11.根据权利要求10所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二压入式传感器设置在所述遮蔽腔室部的外侧，并通过波纹管与所述遮蔽腔室部的侧壁密封连接，所述第二压入式传感器的探头穿过所述遮蔽腔室部的侧壁而伸入所述遮蔽腔室部的内部。
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