CN115074692B - 半导体工艺设备及其工艺腔室 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种半导体工艺设备及其工艺腔室，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的工艺腔室包括：遮蔽盘，用于对基座进行遮挡保护；旋转动力机构，用于驱动遮蔽盘旋转，使得遮蔽盘在第一位置与第二位置之间来回切换；升降动力机构，用于驱动遮蔽盘升降，使得遮蔽盘在第三位置与第二位置之间来回切换。本申请的工艺腔室，可实现遮蔽盘的升起和降落，以在对基座进行遮挡保护的同时，避免在遮蔽盘转移过程中因相对摩擦而产生颗粒导致产品不良的问题。

Description

半导体工艺设备及其工艺腔室

技术领域

本申请属于半导体工艺技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。

背景技术

半导体工艺通常是在真空环境下进行的。例如：物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)一般是在密封腔室中进行的。一般地，在PVD腔室中会进行一些调节操作以确保工艺性能。如预烧靶材和靶材清洗等，这些调节操作均需在操作过程中利用遮蔽盘遮挡保护支撑衬底的基座，以免靶材上的工艺杂质穿过阴影环掉落污染该基座。然而，现有的工艺腔室10一般如图1所示，其遮蔽盘11承托在可在旋转机构12的驱动下来回旋转的托板13上，当需要对该基座20进行遮挡保护时，其遮蔽盘11可在托板13的带动下旋转到该基座20的上方后，再由穿过基座20设置的若干可升降顶针30顶起遮蔽盘11，使得遮蔽盘11与托板13分离，此时，托板13自行复位，若干可升降顶针30降下遮蔽盘11，以覆盖在该基座20上对其进行遮挡保护。当无需对该基座20进行遮挡保护时，只需按照相反的操作步骤使遮蔽盘11由基座20上重新回到托板13，并跟随托板13重新远离基座20的上方即可。这样一来，在可升降顶针30顶起或降下遮蔽盘11的时候，遮蔽盘11和托板30的定位结构、遮蔽盘11和可升降顶针30、遮蔽盘11和基座200等的耦合及分离过程中，会因相对摩擦而产生颗粒，且由于耦合及分离过程发生在基座20的上方，因而，这些颗粒会掉落在基座20的表面上，使得当衬底放到基座20上进行相应的半导体工艺处理时会因颗粒导致产品不良。

发明内容

本申请实施例提供一种工艺腔室与半导体工艺设备，旨在解决现有工艺腔室容易在遮蔽盘转移过程中因相对摩擦而产生颗粒导致产品不良的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种用于半导体工艺设备的工艺腔室，包括：

遮蔽盘，用于对基座进行遮挡保护；

旋转动力机构，用于驱动所述遮蔽盘旋转，使得所述遮蔽盘在第一位置与第二位置之间来回切换；

升降动力机构，用于驱动所述遮蔽盘升降，使得所述遮蔽盘在第三位置与所述第二位置之间来回切换。

可选的，在一些实施例中，所述旋转动力机构包括托板以及通过旋转轴组件驱动所述托板旋转的旋转驱动器，所述遮蔽盘固设在所述托板的上表面。

可选的，在一些实施例中，所述托板的上表面设置有台阶凸起，所述遮蔽盘固设在所述台阶凸起上。

可选的，在一些实施例中，所述旋转轴组件包括第一法兰、波纹管、第二法兰以及旋转轴，所述第一法兰的上端紧固在所述托板上，所述第二法兰套设固定在所述旋转轴的驱动端上，且所述第一法兰与所述第二法兰之间连接有所述波纹管，所述第一法兰的下端还与内置于所述旋转轴中的所述升降动力机构进行紧固连接，所述旋转驱动器驱动连接所述旋转轴的驱动端。

可选的，在一些实施例中，所述旋转轴的驱动端套设有卡环，所述旋转轴的驱动端的外侧壁设置有限制所述卡环沿着所述旋转柱的长度方向向所述第一法兰运动的限位凸起；所述第二法兰套设在所述旋转轴的驱动端上，并与所述卡环进行紧固连接。

可选的，在一些实施例中，所述第二法兰与所述旋转轴的驱动端之间还设置有第一密封圈。

可选的，在一些实施例中，所述升降动力机构包括内置于所述旋转轴中的升降轴、驱动所述升降轴伸出所述旋转轴外的压缩空气腔室以及驱动所述升降轴缩回所述旋转轴内的复位弹簧，所述第一法兰与所述升降轴的升降端进行紧固连接。

可选的，在一些实施例中，所述旋转轴的内部形成有容置所述升降轴的容置槽体，所述容置槽体包括连通设置的第一槽体与第二槽体，所述第二槽体的直径小于所述第一槽体的直径，使得所述第一槽体与所述第二槽体的连通处形成有第一限位台阶；所述升降轴包括相接设置的第一轴段与第二轴段，所述第二轴段的直径大于所述第一轴段的直径；所述第二轴段的外侧壁设置有轴肩，所述轴肩的下侧与所述第一限位台阶配合，以限制所述升降轴的下降位置。

可选的，在一些实施例中，所述第二槽体的直径与所述第二轴段的直径相适配，且所述第二轴段的外侧壁设置有密封环安装槽，所述密封环安装槽内设置有第二密封圈；所述第二槽体的底壁还开设有压缩空气进出气孔，以在所述第二轴段的底端与所述第二槽体的底壁之间形成所述压缩空气腔室。

可选的，在一些实施例中，所述容置槽体的开口处还设置有盖设所述第一槽体的端盖，所述端盖上开设有与所述第一轴段的直径相适配的升降轴出入口，所述复位弹簧套设所述升降轴，且所述复位弹簧的一端抵接所述端盖的内侧，所述复位弹簧的另一端抵接于所述轴肩上。

可选的，在一些实施例中，还包括环绕所述工艺腔室的内壁设置的环形罩，以及搭接在所述环形罩靠近所述基座的一端的阴影环，所述阴影环靠近的内周壁设置有第一定位环形斜边，所述遮蔽盘的外周壁设置有与所述第一定位环形斜边相适配的第二定位环形斜边，所述基座的外周壁设置有与所述第一定位环形斜边相适配的第三定位环形斜边。

第二方面，本申请实施例提供一种半导体工艺设备，包括上述的工艺腔室。

在本申请中，该半导体工艺设备的工艺腔室包括：遮蔽盘，用于对基座进行遮挡保护；旋转动力机构，用于驱动遮蔽盘旋转，使得遮蔽盘在第一位置和第二位置(具体可以是遮挡和非遮挡基座的两个位置)之间来回切换；升降动力机构，用于驱动遮蔽盘升降，使得遮蔽盘在第三位置和第二位置(具体可以是基座的正上方，靠近和远离基座的两个位置)之间来回切换。这样一来，本申请的工艺腔室，其遮挡盘在所有位置切换的过程中均没有与其它装置发生相对摩擦，因而，本申请的工艺腔室，可实现遮蔽盘的升起和降落，以在对基座进行遮挡保护的同时，避免在遮蔽盘转移过程中因相对摩擦而产生颗粒导致产品不良的问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。

图1是现有技术中PVD腔室的剖视结构示意图。

图2是本申请实施例提供的半导体工艺设备的剖视结构示意图。

图3是图2所示半导体工艺设备的旋转轴组件内部的剖视结构示意图。

图4是图2所示半导体工艺设备的另一状态结构示意图。

图5是图2所示半导体工艺设备的托板的另一结构示意图。

图6是图2所示半导体工艺设备的旋转轴的剖视结构示意图。

图7是图6所示半导体工艺设备的旋转轴组件内部的剖视结构示意图。

图8是图2所示半导体工艺设备的升降轴的剖视结构示意图。

图9是图2所示半导体工艺设备的遮蔽盘与阴影环的耦合状态示意图。

图10是图2所示半导体工艺设备的遮蔽盘与基座的耦合状态示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。

半导体工艺通常是在真空环境下进行的。例如：物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)一般是在密封腔室中进行的。一般地，在PVD腔室中会进行一些调节操作以确保工艺性能。如预烧靶材和靶材清洗等，这些调节操作均需在操作过程中利用遮蔽盘遮挡保护支撑衬底的基座，以免靶材上的工艺杂质穿过阴影环掉落污染该基座。然而，现有的工艺腔室10一般如图1所示，其遮蔽盘11承托在可在旋转机构12的驱动下来回旋转的托板13上，当需要对该基座20进行遮挡保护时，其遮蔽盘11可在托板13的带动下旋转到该基座20的上方后，再由穿过基座20设置的若干可升降顶针30顶起遮蔽盘11，使得遮蔽盘11与托板13分离，此时，托板13自行复位，若干可升降顶针30降下遮蔽盘11，以覆盖在该基座20上对其进行遮挡保护。当无需对该基座20进行遮挡保护时，只需按照相反的操作步骤使遮蔽盘11由基座20上重新回到托板13，并跟随托板13重新远离基座20的上方即可。这样一来，在可升降顶针30顶起或降下遮蔽盘11的时候，遮蔽盘11和托板30的定位结构、遮蔽盘11和可升降顶针30、遮蔽盘11和基座200等的耦合及分离过程中，会因相对摩擦而产生颗粒，且由于耦合及分离过程发生在基座20的上方，因而，这些颗粒会掉落在基座20的表面上，使得当衬底放到基座20上进行相应的半导体工艺处理时会因颗粒导致产品不良。

基于此，有必要提供一种新的工艺腔室的解决方案，以解决现有工艺腔室容易在遮蔽盘转移过程中因相对摩擦而产生颗粒导致产品不良的问题。

如图2及图3所示，在一个实施例中，本申请实施例提供一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备包括工艺腔室100、基座200以及半导体工艺处理组件300，工艺腔室100具有封闭空间的腔体150，基座200及半导体工艺处理组件300分别内置于该封闭空间中。该工艺腔室100具体还可包括遮蔽盘110、旋转动力机构120以及升降动力机构130，其中，遮蔽盘110具体可用于对基座200进行遮挡保护。旋转动力机构120具体可用于驱动遮蔽盘110旋转，使得遮蔽盘110在第一位置与第二位置之间来回切换。升降动力机构130用于驱动遮蔽盘110升降，使得遮蔽盘110在第三位置与第二位置之间来回切换。

需要说明的是，该半导体工艺设备具体可以是PVD设备，此时，半导体工艺处理组件300具体可包括磁控管310以及靶材320，其中，本工艺腔室还包括环绕工艺腔室100的内壁(即腔体150的内壁)设置的环形罩151以及搭接在环形罩151靠近基座200的一端的阴影环152。阴影环152通常配置成将沉积限定在衬底的通过阴影环152的环口而暴露的部分。靶材320提供在PVD工艺期间提供沉积到衬底上的材料，而磁控管310提高靶材320的均匀消耗。在PVD工艺期间，衬底放置在基座200的上表面，靶材320和基座200通过电源相对彼此加偏压，同时向腔室内通入例如氩气的气体，该气体在衬底和靶材320之间形成等离子体，等离子体中的离子朝着靶材320被加速，并且使得靶材料从靶材320中去除，去除的靶材材料被吸引至衬底并在其上沉积一层材料薄膜，进而完成整个PVD工艺过程。对于本领域技术人员而言，该半导体工艺设备亦可以是其它一些对衬底进行其它半导体工艺处理时需要遮蔽盘110对基座200上的衬底进行遮挡保护的设备，此时，只需将半导体工艺处理组件300换成可进行相应半导体工艺处理的组件即可。

上述提到旋转动力机构120驱动遮蔽盘110旋转，使得遮蔽盘110在第一位置与第二位置之间来回切换，升降动力机构130驱动遮蔽盘110升降，使得遮蔽盘110在第三位置与第二位置之间来回切换。其中，第一位置具体可以是无需使用遮蔽盘110对基座200进行遮挡保护时，对遮蔽盘110进行回收放置的位置，即图2所示遮蔽盘110所处的位置，不会遮挡基座200的位置，以免遮蔽盘110影响该半导体工艺设备对基座200上的衬底进行正常的半导体工艺处理过程。第二位置具体可以是基座200的正上方较靠近基座200的位置，可以遮挡基座200的位置，第二位置与第一位置保持同一水平高度。第三位置具体可以是基座200的正上方远离基座200的位置，进一步可以是遮挡上方工艺反应物出口(如阴影环430的环口)的位置，即如图4所示遮蔽盘110所处的位置，第三位置位于第二位置的正上方。

这样一来，本申请半导体工艺设备的工艺腔室100，其遮挡盘110在所有位置切换的过程中均没有与其它装置发生水平方向的相对摩擦，因而，本工艺腔室100，可实现遮蔽盘110的升起和降落，以在对基座200上的衬底进行遮挡保护的同时，避免在遮蔽盘110转移过程中因相对摩擦而产生颗粒导致产品不良的问题。

在一些示例中，为实现上述旋转动力机构120驱动遮蔽盘110旋转，使得遮蔽盘110在第一位置与第二位置之间来回切换，如图2、图3及图4所示，旋转动力机构120具体可包括托板121以及通过旋转轴组件122驱动托板121旋转的旋转驱动器123，遮蔽盘110固设在托板121的上表面。这样一来，当旋转驱动器123通过旋转轴组件122传动驱动托板121旋转时，可带动托板121上的遮蔽盘110同步旋转，使得遮蔽盘110在第一位置与第二位置之间来回切换。对于本领域技术人员而言，旋转驱动器123可根据实际需要，或同托板121及旋转轴组件122一起同时设置在腔体150内，或单独设置在腔体150外，此时，旋转轴组件122部分穿过腔体150的底壁，再与腔体150外的旋转驱动器123进行驱动连接，而为了不影响腔体150内的密封性的同时，确保旋转轴组件122可自由旋转，旋转轴组件122与腔体150之间的相接处设置有旋转密封结构124，旋转密封结构124是一种能够在旋转运动中实现真空密封的组件，即通过旋转密封结构124，可允许旋转轴组件122在保证腔体150内的真空完整性的条件下旋转。旋转密封结构124具体可由一个填充聚四氟乙烯制成的滑环和一个提供弹力的橡胶O型圈组成，用于密封旋转轴组件122与腔体150之间的相接处。

上述托板121的作用主要在于承托遮蔽盘110，以带动遮蔽盘110同步旋转，后续亦可带动遮蔽盘110同步升降。因而，遮蔽盘110需通过螺丝、卡扣、粘接等一些方式固定在托板121上。而为了使得托板121可更好地承托遮蔽盘110，在一些示例中，如图2及图4所示，托板121的上表面具体可设置有台阶凸起1211，遮蔽盘110固设在台阶凸起1211上，这样一来，可使得托板121与遮蔽盘110的接触面要高于托板121和旋转轴组件120的固定面，同时，这种结构亦能够防止托板121上升过程中和上述用于支撑阴影环430的环形罩320干涉。台阶凸起1211可以是图2及图4中与遮蔽盘110相接的一端中间凸起的结构，亦可是如图5所示，沿旋转轴组件122到遮蔽盘110方向阶梯上升或逐渐上升的结构。

上述旋转轴组件122的作用主要在于实现旋转驱动器123与托板121之间的旋转传动。因而，在一些示例中，如图3所示，旋转轴组件122具体可包括第一法兰1221、波纹管1222、第二法兰1223以及旋转轴1224，第一法兰1221的上端紧固在托板121上，第二法兰1223套设固定在旋转轴1224的驱动端上，且第一法兰1221与第二法兰1223之间连接有波纹管1222，第一法兰1221的下端还与内置于旋转轴1224中的升降动力机构130进行紧固连接，旋转驱动器123驱动连接旋转轴1224的驱动端。这样一来，旋转轴1224可以在旋转驱动器123的驱动下带动整个旋转轴组件120旋转，同时，由于第一法兰1221与第二法兰1223之间通过有伸缩特性的波纹管1222的连接，可实现升降动力机构130内置于旋转轴1224中，以通过第一法兰1221传动带动托板121及托板121上的遮蔽盘110同步升降。

在一些示例中，如图3及图6所示，旋转轴1224的驱动端套设有卡环1225，旋转轴1224的驱动端的外侧壁设置有限制卡环1225沿着旋转柱1224的长度方向向第一法兰1221运动的限位凸起141。第二法兰1223套设在旋转轴1224的驱动端上，并与卡环1225进行紧固连接，这样便可实现上述第二法兰1223套设固定在旋转轴1224的驱动端上，使得第一法兰1221远离旋转轴122时，仅使得波纹管1222处于拉伸状态，而不会带动第二法兰1223沿着旋转柱1224的长度方向向第一法兰1221运动。另外，第二法兰1223与旋转轴1224的驱动端之间具体还设置有第一密封圈1226，可进一步确保上述第二法兰1223套设固定在旋转轴1224的驱动端上的同时，确保两者之间的真空密封性能。

在一些示例中，如图3及图7所示，升降动力机构130包括内置于旋转轴1224中的升降轴131、驱动升降轴131伸出旋转轴1224外的压缩空气腔室132以及驱动升降轴131缩回旋转轴1224内的复位弹簧133，第一法兰1221与升降轴131的升降端进行紧固连接。这样一来，当压缩空气腔室132通过注入的压缩空气挤压驱动升降轴131伸出旋转轴1224外时，可通过第一法兰1221带动托板121及托板121上的遮蔽盘110同步升起，最终升降轴131处于图7所示状态，复位弹簧133处于被挤压状态，而遮蔽盘110处于图4所示状态。而当压缩空气腔室132将压缩空气释放后，复位弹簧133形成的弹性恢复力会驱动升降轴131缩回旋转轴1224内，同时，通过第一法兰1221传动带动托板121及托板121上的遮蔽盘110同步下降复位。

在一些示例中，如图3、图6、图7及图8所示，旋转轴1224的内部形成有容置升降轴131的容置槽体142，容置槽体142包括连通设置的第一槽体1421与第二槽体1422，第二槽体1422的直径小于第一槽体1421的直径，使得第一槽体1421与第二槽体1422的连通处形成有第一限位台阶1423。升降轴131包括相接设置的第一轴段1311与第二轴段1312，第二轴段1312的直径大于第一轴1311段的直径，使得第一轴段1311与第二轴段1312之间形成限制第二轴段1312脱离容置槽体142的第二限位台阶1313。第二轴段1312的外侧壁设置有轴肩1314，轴肩1314的下侧与第一限位台阶1423配合，以限制升降轴131的下降位置。

在一些示例中，如图3、图6、图7及图8所示，第二槽体1422的直径与第二轴段1312的直径相适配，且第二轴段1312的外侧壁设置有密封环安装槽1315，密封环安装槽1315内设置有第二密封圈136。第二槽体1422的底壁还开设有压缩空气进出气孔1424，以在第二轴段1312的底端与第二槽体1422的底壁之间形成压缩空气腔室132。由于第二密封圈136的设置，可确保压缩空气腔室132的密封性，确保经压缩空气进出气孔1424注入压缩空气腔室132内的压缩空气不会经由第二轴段1312与第二槽体1422之间泄走。

在一些示例中，如图3、图6、图7及图8所示，容置槽体142的开口处还设置有盖设第一槽体1421的端盖143，端盖143上开设有与第一轴段1311的直径相适配的升降轴出入口(图中未标示)，复位弹簧133套设升降轴131，且复位弹簧133的一端抵接端盖143的内侧，复位弹簧133的另一端抵接于轴肩1314上。由于升降轴出入口与第一轴段1311的直径相适配，因而，在升降轴131伸出旋转轴1224外时，该第二限位台阶1313可如图7所示，限制第二轴段1312脱离容置槽体142，进而保证每次升降轴131升起时的上升位置保持一致。而在升降轴131缩回旋转轴1224内时，轴肩1314的下侧与第一限位台阶1423可图3所示配合，以限制升降轴131的下降位置，进而保证每次升降轴131下降时的下降位置保持一致。

在一些示例中，如图2、图9及图10所示，阴影环152的内周壁设置有第一定位环形斜边1521，遮蔽盘110的外周壁设置有与第一定位环形斜边1521相适配的第二定位环形斜边111，基座200的外周壁设置有与第一定位环形斜边1521相适配的第三定位环形斜边210。这样一来，遮蔽盘110和阴影环152之间的耦合结构处以及基座200和阴影环152之间的耦合结构处均通过定位环形斜边配合进行定位，当下面的零件(如遮蔽盘110或基座200)向上顶上面的零件(阴影环152)时，如果两个零件没有对准，相互适配的定位环形斜边(第一定位环形斜边1521与第二定位环形斜边111、第一定位环形斜边1521与第三定位环形斜边210)能够起到校准的作用，上面零件会在斜边的推动下水平移动，保证上面零件和下面零件同心。

在一些示例中，如图2及图4所示，为在第一位置对遮蔽盘110进行回收放置的空间，腔体150的侧壁设置有遮蔽盘端口153，遮蔽盘端口153被配置到与遮蔽盘110在同一高度上，可以容纳遮蔽盘110，遮蔽盘110不工作时，至少一部分通过该遮蔽盘端口153，另外，为保证腔体150的内部真空完整性，还设置有盖住遮蔽盘端口153的端口罩体154，端口罩体154同时可提供放置遮蔽盘110的空间。端口罩体154上下表面上，可开有相对的石英窗口(未图示)，并设置相应的传感器(未图示)，以检测遮蔽盘110是否返回。另外，为便于衬底自由进出腔体150内外，腔体150的侧壁亦可设置一些衬底进出端口(未图示)，该衬底进出端口通过活动盖体(未图示)密封，来保证腔体150的内部真空完整性。

在一个实施例中，本申请实施例还单独提供一种半导体工艺设备的工艺腔室，该工艺腔室的结构与功能具体可参照上述实施例的工艺腔室，此处不在赘述。

尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本申请，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本申请包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。

即，以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

另外，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。另外，对于特性相同或相似的结构元件，本申请可采用相同或者不相同的标号进行标识。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，“示例性”一词是用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何一个实施例不一定被解释为比其它实施例更加优选或更加具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，本申请给出了以上描述。在以上描述中，为了解释的目的而列出了各个细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实施例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

Claims (12)

1.一种用于半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括：

托板；

遮蔽盘，固设在所述托板的上表面，用于对基座进行遮挡保护；

旋转动力机构，用于驱动所述托板带动所述遮蔽盘旋转，使得所述遮蔽盘在第一位置与第二位置之间来回切换；

升降动力机构，用于驱动所述托板带动所述遮蔽盘升降，使得所述遮蔽盘在第三位置与所述第二位置之间来回切换，其中，所述第二位置位于所述基座的上方，且所述第三位置位于所述第二位置的上方。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述旋转动力机构包括通过旋转轴组件驱动所述托板旋转的旋转驱动器。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述托板的上表面设置有台阶凸起，所述遮蔽盘固设在所述台阶凸起上。

4.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述旋转轴组件包括第一法兰、波纹管、第二法兰以及旋转轴，所述第一法兰的上端紧固在所述托板上，所述第二法兰套设固定在所述旋转轴的驱动端上，且所述第一法兰与所述第二法兰之间连接有所述波纹管，所述第一法兰的下端还与内置于所述旋转轴中的所述升降动力机构进行紧固连接，所述旋转驱动器驱动连接所述旋转轴的驱动端。

5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述旋转轴的驱动端套设有卡环，所述旋转轴的驱动端的外侧壁设置有限制所述卡环沿着所述旋转轴的长度方向向所述第一法兰运动的限位凸起；所述第二法兰套设在所述旋转轴的驱动端上，并与所述卡环进行紧固连接。

6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二法兰与所述旋转轴的驱动端之间还设置有第一密封圈。

7.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述升降动力机构包括内置于所述旋转轴中的升降轴、驱动所述升降轴伸出所述旋转轴外的压缩空气腔室以及驱动所述升降轴缩回所述旋转轴内的复位弹簧，所述第一法兰与所述升降轴的升降端进行紧固连接。

8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述旋转轴的内部形成有容置所述升降轴的容置槽体，所述容置槽体包括连通设置的第一槽体与第二槽体，所述第二槽体的直径小于所述第一槽体的直径，使得所述第一槽体与所述第二槽体的连通处形成有第一限位台阶；所述升降轴包括相接设置的第一轴段与第二轴段，所述第二轴段的直径大于所述第一轴段的直径；所述第二轴段的外侧壁设置有轴肩，所述轴肩的下侧与所述第一限位台阶配合，以限制所述升降轴的下降位置。

9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二槽体的直径与所述第二轴段的直径相适配，且所述第二轴段的外侧壁设置有密封环安装槽，所述密封环安装槽内设置有第二密封圈；所述第二槽体的底壁还开设有压缩空气进出气孔，以在所述第二轴段的底端与所述第二槽体的底壁之间形成所述压缩空气腔室。

10.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述容置槽体的开口处还设置有盖设所述第一槽体的端盖，所述端盖上开设有与所述第一轴段的直径相适配的升降轴出入口，所述复位弹簧套设所述升降轴，且所述复位弹簧的一端抵接所述端盖的内侧，所述复位弹簧的另一端抵接于所述轴肩上。

11.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，还包括环绕所述工艺腔室的内壁设置的环形罩以及搭接在所述环形罩靠近所述基座的一端的阴影环，所述阴影环的内周壁设置有第一定位环形斜边，所述遮蔽盘的外周壁设置有与所述第一定位环形斜边相适配的第二定位环形斜边，所述基座的外周壁设置有与所述第一定位环形斜边相适配的第三定位环形斜边。

12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的工艺腔室。