CN115896738B - 环形屏蔽件及薄膜沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种环形屏蔽件及薄膜沉积设备,所述环形屏蔽件包括环形屏蔽体,所述环形屏蔽体上设有屏蔽件限位部,所述屏蔽件限位部用于与薄膜沉积设备的加热器上的加热器限位部相配合,以限制环形屏蔽件相对于加热器偏移。在使用时,本环形屏蔽件将遮盖在位于加热器上的晶圆的边缘处,随着加热器的旋转,对晶圆进行相应的镀膜工艺处理,屏蔽件限位部将与加热器限位部相配合,从而能限制环形屏蔽件相对于加热器偏移,使得环形屏蔽件与加热器同步旋转,进而保证环形屏蔽件能保持对晶圆具有良好的遮盖作用,有效防止因环形屏蔽件相对于加热器及晶圆偏移、导致晶圆的镀膜品质受影响,提高对晶圆的加工质量。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜沉积设备技术领域,特别是涉及一种用于对晶圆的边缘进行遮蔽的环形屏蔽件及薄膜沉积设备。
背景技术
薄膜沉积设备在对晶圆进行镀膜工艺处理过程中,其加热器会进行旋转。在此过程中,容易出现遮盖在晶圆上方的屏蔽部件相对于加热器偏移,使得屏蔽部件无法对晶圆保持良好的遮蔽效果,从而导致晶圆的边缘会出现颗粒异常情况,影响对晶圆镀膜的品质,且由于屏蔽部件的偏移,容易导致屏蔽部件与晶圆产生摩擦、碰撞等,进而导致屏蔽部件及晶圆容易被损坏,存在安全隐患。且现有技术中薄膜沉积设备也无法监测屏蔽部件的偏移状况,在屏蔽部件出现偏移时也无法对其位置进行校正,影响机台作业连接性。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明要解决的技术问题在于提供一种能提高对晶圆镀膜品质的环形屏蔽件。
为实现上述目的,本发明提供一种环形屏蔽件,用于薄膜沉积设备,所述环形屏蔽件包括环形屏蔽体,所述环形屏蔽体上设有屏蔽件限位部,所述屏蔽件限位部用于与薄膜沉积设备的加热器上的加热器限位部相配合,以限制环形屏蔽件相对于加热器偏移。
进一步地,所述环形屏蔽体上设有定位针,所述屏蔽件限位部包括所述定位针,所述加热器上设有定位孔,所述加热器限位部包括所述定位孔,所述定位针用于插在定位孔中。
进一步地,所述环形屏蔽体上设有多个所述定位针,全部所述定位针沿环形屏蔽体的周向间隔分布,所述加热器上设有与所述定位针数量相等的定位孔,全部所述定位针分别与全部所述定位孔一一对应。
进一步地,所述环形屏蔽体的外侧边处设有沿上下方向延伸的环侧边,所述屏蔽件限位部包括环侧边,所述环侧边用于套设在所述加热器的外部,所述加热器限位部包括加热器的外侧壁。
进一步地,所述环形屏蔽体上设有测试部,所述薄膜沉积设备包括传感器,所述传感器能检测到所述测试部。
进一步地,所述环形屏蔽体上设有缺口,所述缺口构成所述测试部。
如上所述,本发明涉及的环形屏蔽件,具有以下有益效果:
在使用时,本环形屏蔽件将遮盖在位于加热器上的晶圆的边缘处,随着加热器的旋转,对晶圆进行相应的镀膜工艺处理,由于本环形屏蔽件上设有屏蔽件限位部,该屏蔽件限位部将与加热器限位部相配合,从而能限制环形屏蔽件相对于加热器偏移,使得环形屏蔽件与加热器同步旋转,进而保证环形屏蔽件能保持对晶圆具有良好的遮盖作用,有效防止因环形屏蔽件相对于加热器及晶圆偏移、导致晶圆的镀膜品质受影响,提高对晶圆的加工质量。
本发明要解决的另一个技术问题在于提供一种对晶圆镀膜质量更高的薄膜沉积设备。
为实现上述目的,本发明提供一种薄膜沉积设备,包括腔体、位于腔体中的加热器、能驱动加热器升降的加热器升降装置、及能驱动加热器旋转的加热器旋转装置,还包括所述环形屏蔽件,所述环形屏蔽件位于所述腔体中,所述加热器上设有加热器限位部,所述屏蔽件限位部用于与加热器限位部相配合。
进一步地,所述薄膜沉积设备,还包括多个与腔体位置相对固定的定位支撑装置,全部所述定位支撑装置沿腔体的周向间隔分布,所述定位支撑装置包括推动杆及安装在推动杆端部的台阶式矫正头,所述台阶式矫正头上设有支撑面及与支撑面相交的定位面,所述推动杆能带动台阶式矫正头沿靠近和远离环形屏蔽件方向移动。
进一步地,所述定位支撑装置包括与腔体位置相对固定的驱动缸,所述驱动缸的活塞杆能带动推动杆沿靠近和远离环形屏蔽件方向移动。
进一步地,所述驱动缸位于腔体的外部,所述推动杆穿设在腔体的通孔中,且所述推动杆装有台阶式矫正头的一端位于腔体的内部,所述腔体上且与通孔对应处安装有密封波纹管,所述密封波纹管的一端与腔体的外侧壁固接,所述密封波纹管的另一端设有密封连接板,所述推动杆的另一端延伸至密封波纹管中、并与密封连接板固接,所述驱动缸的活塞杆与密封连接板固接。
如上所述,本发明涉及的薄膜沉积设备,具有以下有益效果:
在进行镀膜工艺过程中,加热器升降装置带动加热器上升,加热器上升过程中将顶起晶圆及环形屏蔽件一起上升至设定位置,此时环形屏蔽件将晶圆的边缘处遮盖住,且屏蔽件限位部与加热器限位部相配合,加热器旋转装置再带动加热器旋转,进行相应镀膜工艺,此过程中,利用屏蔽件限位部与加热器限位部的配合作用,限制环形屏蔽件相对于加热器偏移,使得环形屏蔽件与加热器同步旋转,从而保证环形屏蔽件保持对晶圆具有良好的遮盖效果,有效防止因环形屏蔽件相对于加热器及晶圆偏移、导致对晶圆的遮盖效果受影响,进而保证对晶圆镀膜品质更高。
附图说明
图1为本发明实施例中加热器向上移动至与晶圆相接触时的结构示意图。
图2为本发明实施例中加热器处于最低位时与晶圆及环形屏蔽件的相对位置关系示意图。
图3为本发明实施例中加热器处于最高位时与晶圆及环形屏蔽件的相对位置关系示意图。
图4为本发明实施例中环形屏蔽件的立体图。
图5为本发明实施例中环形屏蔽件的俯视图。
图6为本发明实施例中薄膜沉积设备的结构示意图。
图7为本发明实施例中薄膜沉积设备去掉腔体时的结构示意图。
图8为本发明实施例中薄膜沉积设备的正视示意图。
图9为本发明实施例中薄膜沉积设备的立体示意图。
图10为本发明实施例中定位支撑装置的结构示意图。
图11为本发明实施例中薄膜沉积设备的俯视示意图。
图12为本发明实施例中传感器与环形屏蔽件的相对位置关系示意图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知,本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等用语,亦仅为便于叙述明了,而非用以限定本发明可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当亦视为本发明可实施的范畴。
如图1至图12所示,本实施例提供一种环形屏蔽件,用于薄膜沉积设备,环形屏蔽件包括环形屏蔽体1,环形屏蔽体1上设有屏蔽件限位部,屏蔽件限位部用于与薄膜沉积设备的加热器2上的加热器限位部相配合,以限制环形屏蔽件相对于加热器2偏移。在使用时,本环形屏蔽件将遮盖在位于加热器2上的晶圆8的边缘处,随着加热器2的旋转,对晶圆8进行相应的镀膜工艺处理,由于本环形屏蔽件上设有屏蔽件限位部,该屏蔽件限位部将与加热器限位部相配合,从而能限制环形屏蔽件相对于加热器2偏移,使得环形屏蔽件与加热器2同步旋转,进而保证环形屏蔽件能保持对晶圆8具有良好的遮盖作用,有效防止因环形屏蔽件相对于加热器2及晶圆8偏移、导致晶圆8的镀膜品质受影响,提高对晶圆8的加工质量。
同时,如图1至图12所示,本实施例提供一种薄膜沉积设备,包括腔体4、位于腔体4中的加热器2、能驱动加热器2升降的加热器升降装置5、及能驱动加热器2旋转的加热器旋转装置6,且本薄膜沉积设备还包括环形屏蔽件,环形屏蔽件位于腔体4中,加热器2上设有加热器限位部,屏蔽件限位部用于与加热器限位部相配合。在进行镀膜工艺过程中,加热器升降装置5带动加热器2上升,加热器2上升过程中将顶起晶圆8及环形屏蔽件一起上升至设定位置,此时环形屏蔽件将晶圆8的边缘处遮盖住,且屏蔽件限位部与加热器限位部相配合,加热器旋转装置6再带动加热器2旋转,进行相应镀膜工艺,此过程中,利用屏蔽件限位部与加热器限位部的配合作用,限制环形屏蔽件相对于加热器2偏移,使得环形屏蔽件与加热器2同步旋转,从而保证环形屏蔽件保持对晶圆8具有良好的遮盖效果,有效防止因环形屏蔽件相对于加热器2及晶圆8偏移、导致对晶圆8的遮盖效果受影响,进而保证对晶圆8镀膜品质更高。
本实施例中环形屏蔽体1上设有定位针,屏蔽件限位部包括定位针,加热器2上设有定位孔,加热器限位部包括定位孔。在加热器2顶着晶圆8上升过程中,环形屏蔽件的定位针将插入加热器2的定位孔中,实现屏蔽件限位部与加热器限位部的配合,这样利用定位针与定位孔的配合关系,在加热器2旋转过程中,将带动环形屏蔽件一起旋转,防止环形屏蔽件相对于加热器2及晶圆8产生偏移。本实施例中环形屏蔽体1上设有多个定位针,全部定位针沿环形屏蔽体1的圆周方向均匀间隔分布,同时,加热器2的上表面上设有与定位针数量相等的定位孔,全部定位针分别与全部定位孔一一对应。在加热器2带动晶圆8向上升至设定位置时,全部定位针分别插在全部定位孔中,从而增强对环形屏蔽件的定位作用,保证环形屏蔽件能稳定地随加热器2同步旋转。
如图1至图4所示,本实施例中环形屏蔽体1的外侧边处设有沿上下方向延伸的环侧边11,屏蔽件限位部包括环侧边11,环侧边11用于套设在加热器2的外部,加热器限位部包括加热器2的外侧壁。本实施例中环形屏蔽件整体呈帽状结构,在加热器2升至设定高度位置时,环形屏蔽件盖在加热器2上,环形屏蔽件的环形屏蔽体1遮盖住晶圆8的边缘,而环形屏蔽件的环侧边11套设在加热器2的外部,这样,利用环侧边11与加热器2的外侧壁的接触作用,将限制环形屏蔽件相对于加热器2沿径向、即沿水平方向偏移。此种结构设计,增强了对环形屏蔽件的限位作用,有效防止环形屏蔽件相对于加热器2产生偏移,使得环形屏蔽件更好地覆盖在晶圆8的边缘处。具体地,环形屏蔽体1的内侧壁上设有3个沿圆周方向均匀间隔分布的定位针,加热器2上设有3个定位孔,初始状态下,3个定位针分别与3个定位孔的位置对应。在加热器2顶着晶圆8及环形屏蔽件上升到镀膜高度位置时,3个定位针分别插在3个定位孔中。本实施例中定位针及定位孔均呈锥形结构,锥形结构使得定位针更容易进入定位孔完成定位。具体地,环形屏蔽体1的下表面设有向下延伸的定位针,加热器2的上表面设有定位孔。另外,在其他实施例中,可以将定位针设置在加热器2上,且将定位孔设置在环形屏蔽件上。
本实施例中环形屏蔽体1上设有测试部,薄膜沉积设备包括传感器3,传感器3能检测到测试部。正常情况下,传感器3能检测到环形屏蔽件上的侧试部,当环形屏蔽件相对于加热器2出现偏移时,传感器3则检测不到测试部。这样,本实施例通过传感器3是否能检测到测试部,得出环形屏蔽件是否出现偏移,如此实现对环形屏蔽件是否偏移的检测,以便于在环形屏蔽件偏移时,对其进行及时的纠正。如图4、图5及图12所示,本实施例中环形屏蔽体1上设有缺口12,该缺口12构成测试部。且本实施例中传感器3具体采用光电传感器31,该光电传感器31具体安装在腔体4上。缺口12供光电传感器31的光信号穿过。正常情况下,加热器2带动环形屏蔽件旋转一周,当环形屏蔽件的缺口12旋转至与光电传感器31相对应位置时,光电传感器31的发射模块发出的光线则能穿过环形屏蔽件的缺口12,并被光电传感器31的接收模块收到,如此光电传感器31则能检测到环形屏蔽件的缺口12;而当环形屏蔽件出现偏移时,加热器2旋转一周,发射模块发的光线始终无法正常穿过缺口12、并被接收模块接收,如此光电传感器31无法检测到缺口12。这样,在加热器2旋转一周过程中,若光电传感器31能检测到缺口12,则说明环形屏蔽件未出现偏移;若光电传感器31检测不到缺口12,则说明环形屏蔽件出现了偏移。本实施例中光电传感器31的发射模块和接收模块分别位于缺口12的上下方,且发射模块和接收模块分别安装在腔体4的上部和下部。初始状态下,光电传感器31与缺口12位置对应,通过校正缺口12的位置,来确定环形屏蔽件水平初始位置,从而确保初始状态下,3个定位针分别与3个定位孔相对应。
本实施例中环形屏蔽体1的材质为陶瓷,其环侧边11的下端设有向外延伸的环底边13,上述缺口12设置在环底边13上,且缺口12具体呈U型。环形屏蔽件的顶部直径为298mm~320mm,厚度为1mm~2mm,环侧边11的高度为8mm~10mm,环底边13的直径为318mm~330mm。本实施例中加热器2的直径为308mm~315mm。另外,本实施例中腔体4具体可以称作为化学气相工艺腔体。
如图6至图11所示,本实施例中薄膜沉积设备,还包括多个与腔体4位置相对固定的定位支撑装置7,全部定位支撑装置7沿腔体4的周向间隔分布,定位支撑装置7包括推动杆71及安装在推动杆71端部的台阶式矫正头72,台阶式矫正头72上设有支撑面及与支撑面相交的定位面,推动杆71能带动台阶式矫正头72沿靠近和远离环形屏蔽件方向移动。初始状态下,环形屏蔽件位于全部定位支撑装置7的支撑面上,利用全部定位支撑装置7支撑起环形屏蔽件,加热器2带动晶圆8上升过程中,将顶着环形屏蔽件上升至设定高度,以进行镀膜工艺;当环形屏蔽件出现偏移、需要对环形屏蔽件的位置进行纠正时,加热器升降装置5带动加热器2下降,环形屏蔽件随着下降,直至环形屏蔽件落在支撑面上,全部推动杆71分别带动对应的台阶式矫正头72沿靠近环形屏蔽件方向移动至设定位置,此时,全部台阶式矫正头72的定位面均与环形屏蔽件的侧壁相抵靠,且在全部台阶式矫正头72的推动作用下,使得环形屏蔽件向中部移动至设定位置,实现对环形屏蔽件的矫正。本实施例中定位支撑装置7具体有3个,3个定位支撑装置7沿腔体4的圆周方向均匀间隔分布。且3个定位支撑装置7围绕加热器2设置,待加热器2的高度低于高位位置时,环形屏蔽件落在定位支撑装置7的支撑面上,当加热器2向上运动时,将带动晶圆8及环形屏蔽件向上运动,并使得环形屏蔽件竖直向上脱离定位支撑装置7,环形屏蔽件覆盖在晶圆8的边缘,且环形屏蔽件套设在加热器2的外部,其3个定位针分别插在加热器2的3个定位孔中,这样环形屏蔽件能随着加热器2的旋转而旋转。本实施例中台阶式矫正头72的定位面沿竖向延伸,支撑面沿水平方向延伸。
同时,如图6至图10所示,本实施例中定位支撑装置7包括与腔体4位置相对固定的驱动缸73,驱动缸73的活塞杆能带动推动杆71沿靠近和远离环形屏蔽件方向移动。本实施例中驱动缸73具体采用气缸。且本实施例中驱动缸73位于腔体4的外部,推动杆71穿设在腔体4的通孔中,且推动杆71装有台阶式矫正头72的一端位于腔体4的内部,腔体4上且与通孔对应处安装有密封波纹管41,密封波纹管41的一端与腔体4的外侧壁固接,密封波纹管41的另一端设有密封连接板,推动杆71的另一端延伸至密封波纹管41中、并与密封连接板固接,驱动缸73的活塞杆与密封连接板固接。驱动缸73的活塞杆伸缩时,将带动推动杆71沿靠近和远离环形屏蔽件方向移动。这样,驱动缸73设置在腔体4的外部,不会占用腔体4内部的空间,且方便组装。同时,利用密封波纹管41将推动杆71及通孔与外界隔离开,避免外界大气对腔体4内的真空环境造成影响。每次完成镀膜工艺后,加热器2带动晶圆8及环形屏蔽件下降,使得环形屏蔽件又落在3个定位支撑装置7的支撑面上,此时定位支撑装置7可通过气缸进行伸缩动作,来驱动推动杆71移动,使得3个台阶式矫正头72的定位面沿靠近环形屏蔽件方向移动至设定位置,并分别从3个不同部位推动环形屏蔽件至设定位置,从而实现对环形屏蔽件位置的矫正。
本实施例中光电传感器31与薄膜沉积设备的控制台电性连接,且3个定位支撑装置7的驱动缸73也与控制台电性连接。当光电传感器31检测到环形屏蔽件出现偏移时,并将偏移信号传递给控制台,控制台包括显示屏和报警装置,控制台控制显示屏显示偏移提示信息、并控制报警装置发出偏移报警信号,且控制台发送信号给3个定位支撑装置7,由定位支撑装置7动作实现对环形屏蔽件位置的校正。
如图1至图3、及图7所示,本实施例中薄膜沉积设备还包括顶针机构9,顶针机构9的3个顶针91沿竖向贯穿加热器2,顶针机构9的顶针升降装置92能带动顶针91上下运动。在向腔体4转移晶圆8进行作业过程中,加热器2和顶针机构9处于取放晶圆位置,晶圆8被机械手放在顶针机构9的3个顶针91上,而此时环形屏蔽件落在定位支撑装置7的支撑面,3个定位支撑装置7的支撑面处于同一水平面上。加热器2在加热器升降装置5的带动下上升,并顶着晶圆8上升,晶圆8落在加热器2的上表面上,随着加热器2继续上升,晶圆8将顶着环形屏蔽件一起上升至设定工艺位置,此时环形屏蔽件覆盖在晶圆8的边缘处,并套设在加热器2的外部,加热器旋转装置6带动加热器2慢速旋转,从初始位置出发后,进行镀膜工艺。当镀膜工艺结束后,加热器2继续带动环形屏蔽件继续旋转至少一周,当光电传感器31的光线能及时通过环形屏蔽件的缺口12,即光电传感器31能检测到缺口12,此时加热器2立即停止旋转,对环形屏蔽件的检测结果为未发生偏移,则加热器2下降至设定最低位,此过程中环形屏蔽件回落至定位支撑装置7的支撑面上,晶圆8回落至顶针91上,以等待下一次工艺开始。如果加热器2带动环形屏蔽件旋转一周后,光电传感器31的光线未通过环形屏蔽件的缺口12,即光电传感器31未能检测到缺口12,则说明环形屏蔽件出现偏移,光电传感器31将检测结果反馈给控制台,控制台控制加热器旋转装置6停止运行,并控制加热器升降装置5带动加热器2下降,环形屏蔽件回落在3个定位支撑装置7的支撑面上,控制台给3个定位支撑装置7的驱动缸73发送指令,3个驱动缸73的活塞杆伸出,并分别带动3个推动杆71朝向环形屏蔽件方向移动,直至带动3个台阶式矫正头72移动至设定位置,此过程中3个台阶式矫正头72的定位面分别作用于环形屏蔽件的3个不同位置,并分别从3个方向推动环形屏蔽件,当3个台阶式矫正头72移动至设定位置时,同时也将环形屏蔽件矫正至设定位置,实现对环形屏蔽件的矫正;加热器2再次带动环形屏蔽件旋转一周,如果光电传感器31能检测到缺口12,则说明对环形屏蔽件矫正到位。对晶圆8完成镀膜工艺以及对环形屏蔽件校正后,晶圆8随着加热器2从实际工艺位置下降至取放晶圆位置,此过程中,环形屏蔽件落在定位支撑装置7的支撑面上,晶圆8离开加热器2的上表面,并落在顶针机构9的顶针91上,此时晶圆8由顶针机构9托起,待传送机械手取出晶圆8。
另外,在其他实施例中可设置多个光电传感器31,环形屏蔽件上的缺口12数量与光电传感器31数量相等,且初始状态下,全部缺口12分别与全部光电传感器31一一对应。全部缺口12沿环形屏蔽件的圆周方向均匀间隔或不均匀间隔分布。这样,在环形屏蔽件旋转一周过程中,若全部光电传感器31的光线能分别穿过全部缺口12,说明环形屏蔽件没有发生偏移,否则说明环形屏蔽件出现偏移,此种检测方式能提高检测准确度。或是,当离初始位置的缺口12最近的光电传感器31没有检测到光线,则说明环形屏蔽件出现偏移,控制台控制加热器2停止旋转、并控制报警装置发出提示警报。光电传感器31数量越多,或者缺口12数量越多,发现异常监测结果的时间越短。另外,在有的实施例中,可以在进行镀膜工艺过程中,利用光电传感器31对环形屏蔽件是否偏移进行检测,且当测得出现偏移时,进行报警。具体地,如果环形屏蔽件旋转超过设定时间,光电传感器31的光信号都没有穿过缺口12,则说明环形屏蔽件发生偏移,从而进行报警,同时控制台发出旋转停止及镀膜工艺停止指令,该操作通过控制台中控制单元来设定,进而对环形屏蔽件位置进行及时的纠正,保证环形屏蔽件对晶圆8具有良好的屏蔽效果,提高产品的品质。
本实施例提出的环形屏蔽件可以在工艺过程中根据实际工艺需求有效遮盖晶圆8边缘,并且能够随着加热器2及晶圆8的旋转而旋转,从而有效地屏蔽晶圆8的边缘,使得晶圆8边缘无法沉积,解决颗粒问题,满足实际工艺需求,提高产品质量,同时也避免了部件和产品损坏的安全隐患。如果环形屏蔽件存在偏移,也可以通过其光电传感器31检测到,并可以通过其定位支撑装置7对环形屏蔽件的位置进行修正,从而保证机台作业的连续性。
综上所述,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种薄膜沉积设备,包括腔体(4)、位于腔体(4)中的加热器(2)、能驱动加热器(2)升降的加热器升降装置(5)、及能驱动加热器(2)旋转的加热器旋转装置(6),所述薄膜沉积设备还包括环形屏蔽件,所述环形屏蔽件位于所述腔体(4)中,所述环形屏蔽件包括环形屏蔽体(1),所述环形屏蔽体(1)上设有屏蔽件限位部,所述加热器(2)上设有加热器限位部,所述屏蔽件限位部用于与加热器限位部相配合,以限制环形屏蔽件相对于加热器(2)偏移;所述薄膜沉积设备,还包括多个与腔体(4)位置相对固定的定位支撑装置(7),全部所述定位支撑装置(7)沿腔体(4)的周向间隔分布,所述定位支撑装置(7)包括推动杆(71)及安装在推动杆(71)端部的台阶式矫正头(72),所述台阶式矫正头(72)上设有支撑面及与支撑面相交的定位面,所述推动杆(71)能带动台阶式矫正头(72)沿靠近和远离环形屏蔽件方向移动。
2.根据权利要求1所述薄膜沉积设备,其特征在于,所述环形屏蔽体(1)上设有定位针,所述屏蔽件限位部包括所述定位针,所述加热器(2)上设有定位孔,所述加热器限位部包括所述定位孔,所述定位针用于插在定位孔中。
3.根据权利要求2所述薄膜沉积设备,其特征在于,所述环形屏蔽体(1)上设有多个所述定位针,全部所述定位针沿环形屏蔽体(1)的周向间隔分布,所述加热器(2)上设有与所述定位针数量相等的定位孔,全部所述定位针分别与全部所述定位孔一一对应。
4.根据权利要求1所述薄膜沉积设备,其特征在于,所述环形屏蔽体(1)的外侧边处设有沿上下方向延伸的环侧边(11),所述屏蔽件限位部包括环侧边(11),所述环侧边(11)用于套设在所述加热器(2)的外部,所述加热器限位部包括加热器(2)的外侧壁。
5.根据权利要求1所述薄膜沉积设备,其特征在于,所述环形屏蔽体(1)上设有测试部,所述薄膜沉积设备包括传感器(3),所述传感器(3)能检测到所述测试部。
6.根据权利要求5所述薄膜沉积设备,其特征在于,所述环形屏蔽体(1)上设有缺口(12),所述缺口(12)构成所述测试部。
7.根据权利要求1所述薄膜沉积设备,其特征在于,所述定位支撑装置(7)包括与腔体(4)位置相对固定的驱动缸(73),所述驱动缸(73)的活塞杆能带动推动杆(71)沿靠近和远离环形屏蔽件方向移动。
8.根据权利要求7所述薄膜沉积设备,其特征在于,所述驱动缸(73)位于腔体(4)的外部,所述推动杆(71)穿设在腔体(4)的通孔中,且所述推动杆(71)装有台阶式矫正头(72)的一端位于腔体(4)的内部,所述腔体(4)上且与通孔对应处安装有密封波纹管(41),所述密封波纹管(41)的一端与腔体(4)的外侧壁固接,所述密封波纹管(41)的另一端设有密封连接板,所述推动杆(71)的另一端延伸至密封波纹管(41)中、并与密封连接板固接,所述驱动缸(73)的活塞杆与密封连接板固接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310225184.0A CN115896738B (zh) | 2023-03-10 | 2023-03-10 | 环形屏蔽件及薄膜沉积设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310225184.0A CN115896738B (zh) | 2023-03-10 | 2023-03-10 | 环形屏蔽件及薄膜沉积设备 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115896738A CN115896738A (zh) | 2023-04-04 |
CN115896738B true CN115896738B (zh) | 2023-05-30 |
Family
ID=85744788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310225184.0A Active CN115896738B (zh) | 2023-03-10 | 2023-03-10 | 环形屏蔽件及薄膜沉积设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115896738B (zh) |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2023
- 2023-03-10 CN CN202310225184.0A patent/CN115896738B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN115896738A (zh) | 2023-04-04 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |