CN113880358B - 一种有机硅废水中有效去除硅氧烷和cod的方法 - Google Patents

一种有机硅废水中有效去除硅氧烷和cod的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法,包括以下步骤：先将有机硅各工序产生的高盐废水进行①高盐油水分离；②高盐芬顿氧化；③高盐固液分离；④高盐脉冲电凝处理；⑤蒸发除盐处理得到冷凝液；接着将将有机硅各工序产生的低盐废水进行⑥低盐脉冲电凝处理；再将步骤⑥处理得到低盐废水和步骤⑤得到的冷凝液进行⑦一段生化处理；然后将有机硅生产中的盐酸脱析废水进行⑧盐酸脱析微电解处理和⑨盐酸脱析芬顿氧化；最后将经步骤⑨处理后脱盐废水和经步骤⑦处理后的混合液进行⑩二段生化处理得到外排循环水。本发明不仅能够有效的控制有机硅废水的处理成本；而且在能够彻底去除有机硅废水中的硅氧烷、COD、BOD等污染物。

Description

一种有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法
技术领域
本发明属于有机硅生产工艺技术领域，具体涉及一种有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法。
背景技术
有机硅是硅产业链中重要的一环，有机硅材料因性能优异、应用广泛。有机硅生产技术路线直接法合成甲基氯硅烷工艺，即采用硅粉和氯甲烷气体在铜催化体系存在下进行反应生产甲基氯硅烷混合单体,经合成得到的混合甲基单体通过精馏分离得到二甲基二氯硅烷及其它各种精单体。二甲基二氯硅烷经水解、裂解制得二甲基硅氧烷低聚物(DMC、D4)，作为进一步加工为各种有机硅聚合产品的基础原料。在上述有机硅生产过程中会产生大量的工业废水，工业废水中主要含有AOX、COD、BOD、SS、硅氧烷等污染物，工业废水具有成分复杂，COD浓度高，含盐量高，重金属成分复杂，毒性大，可生化性差等特点，属于难处理的工业废水之一。目前，国内外有机硅废水的处理技术主要包括：1、物理法：常规物理法处理主要包括混合、絮凝、沉淀、过滤等，由于有机硅废水中污染物成分复杂，且多为难生化降解的有机物，给有机硅废水的处理带来了一定的难度。2、化学氧化法：化学氧化法可在常温常压条件下处理多种难降解有机物，解决了一些聚合物以及长链分子难以降解的问题，使得有机硅废水得到一定处理。3、气提处理技术：气提法是通过水蒸气与废水直接接触，使废水中的挥发性有机物扩散到气相中去，将污染物从废水中分离出来，在上述的处理方法中，气提处理技术及微电解处理技术处理负荷较低，满足不了有机硅产生的废水量，在物理法中，在混凝过程中还需要根据水质性质选择合适的药剂以保证混凝沉淀的效果，由于水质变化大，处理效果变化大，而在化学氧化法中，由于有机硅生产废水中BOD5与CODcr比值约在0.01~0.08之间，废水中含有大量的如聚硅氧烷（硅油）等易堵物质，硅氧烷的化学式是(R2SiO)x，是含Si-O-Si键构成主链结构的聚合物，习惯上称有机硅或聚硅醚，硅氧烷对热和化学试剂稳定，不被水润湿，突出的耐老化性能、优异的疏水性与电绝缘性，由于硅氧烷的化学稳定性强，使用化学氧化法也很难将硅氧烷去除，且还会导致后续的脱盐工艺无法正常运行，使得产生大量的危废，造成巨大的固废处置费用，同时，经过处理的废水需要达到外排或者回用的指标，处理废水的过程中去除大部分的COD是当前有机硅废水处理过程中的一大难题。因此，研制开一种工艺设计合理、容易实施、运行稳定、处理效果显著且处理效率高的机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法是客观需要的。
发明内容
为了解决背景技术中存在的问题，本发明的目的在于提供工艺设计合理、容易实施、运行稳定、处理效果显著且处理效率高的机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法。
本发明所述的有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法,包括以下步骤：
①高盐油水分离:将有机硅各工序产生的高盐废水引入分离沉淀池（1）内,初步去除悬浮固体和油污后将高盐废水引入到高盐废水接收池（4）内，高盐废水接收池（4）内高盐废水中氯硅烷的含量为6000～7000 mg/L，COD的含量为20000～25000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1500～2500mg/L，AOX的含量为250～300mg/L；
②高盐芬顿氧化:将步骤①分离得到的高盐废水分别引入到3～5个并联连接的芬顿池A（2）内，高盐废水在进入到每个芬顿池A（2）内时，需要先检测高盐废水的PH值, 当第一个芬顿池A（2）加满水后，根据测量出高盐废水的pH值向第一个芬顿池A（2）中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为3～4,接着再根据测量出高盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和 H202加入量,之后向第一个芬顿池A（2）中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应6～8h,后续每个芬顿池A（2）依次重复以上操作，每个芬顿池A（2）反应结束后，需再向池中加入NaOH溶液,调节高压废水的PH值为7～9,之后再根据测量的高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池A（2）中加入NaCO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算NaCO3溶液的加入量,去除水中的钙杂质和镁杂质；
③高盐固液分离:将经步骤②处理后的高盐废水引入板框压滤机A（3）进行压滤，压滤后大部分的氯硅烷和COD随滤渣排出，压滤得到的高盐废水进入集水池A（5），进入集水池A（5）内的高盐废水中的氯硅烷的含量为150～250 mg/L，COD的含量为3000～4000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1100～1400mg/L，AOX的含量为20～30mg/L；
④高盐脉冲电凝处理：将进入集水池A（5）内的高盐废水引入到脉冲电凝装置A（6），在设定电压为323～437V、电流为55～60A、频率为45～55Hz的工况下，进行正、反向脉冲各1～2h，通过脉冲电凝将高盐废水中的大分子有机物之间的键打断，使其变为小分子有机物，同时无机物在高电压、低电流的作用下发生电化学反应，除去高盐废水中的重金属离子；
⑤蒸发除盐处理：将经步骤④处理后的高盐废水引入过渡池（7），在过渡池（7）内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAC的添加量为150～160L/h，接着在过渡池（7）出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM的添加量为150～160L/h，经曝气反应后，高盐废水进入澄清滤器A（8），经过滤后，污泥进入浓缩池A（9），高盐废水进入MVR装置（10）内进行蒸发除盐得到冷凝液，冷凝液中氯硅烷的含量为20～40 mg/L，COD的含量为2000～2200mg/L，氯化钠的含量为40～50mg/L ，BOD的含量为600～800mg/L，AOX的含量为15～30mg/L；
⑥低盐脉冲电凝处理：将有机硅各工序产生的低盐废水引入到低盐废水接收池（17）内，接着将低盐废水引入到脉冲电凝装置B（11），在设定电压323～437V、电流55～60A、频率45～55Hz的工况下，进行正、反向脉冲各1～2h，通过脉冲电凝除去低盐废水中的有机物和重金属离子，接着将低盐废水引入到集水池B（12），并在集水池B（12）内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAC的进料量为150～160L/h，接着在集水池B（12）出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM的添加量为150～160L/h，经曝气反应后，低盐废水进入澄清滤器B（13），经过滤后，污泥进入浓缩池B（14），低盐废水进入一段生化处理；
⑦一段生化处理：将步骤⑥处理得到低盐废水和步骤⑤得到的冷凝液分别送入到调节池A（15）进行混合，得到的混合液进入循环池A（16）之后再进入深度水解池A（18）进行水解，水解反应后一部分混合液进入循环池A（16），另一部分混合液进入多级A/O池A（19），进行深度脱氮除磷并进一步去除低盐废水的有机物，接着将混合液引入二沉池A（20）进行泥水分离，沉淀后的污泥进入循环池A（13）或浓缩池B（14），而混合液进入中转池A（21）；
⑧盐酸脱析微电解处理：将有机硅生产中的盐酸脱析废水引入到盐酸脱析接收池（22），调节盐酸脱析废水的PH值为3～4，再将盐酸脱析废水引入盐酸脱析废水接收池（23），之后将盐酸脱析废水分别引入到两个并联的微电解塔A（24）和微电解塔B（25）中，电解塔A（24）和电解塔B（25）中装有铁-碳颗粒填料，利用盐酸脱析废水的酸性和铁—碳颗粒之间的电位差形成无数个细微原电池产生电化学反应并在微电场作用下使带电胶粒脱稳聚集而沉降，电解后得到的脱盐废水中溶解性固体的含量为15000～20000 mg/L，COD的含量为1500～2000mg/L，氯化钠的含量为15000～25000mg/L ，BOD的含量为400～500mg/L，悬浮物的含量为40～60mg/L；
⑨盐酸脱析芬顿氧化：将经步骤⑧处理后的脱盐废水依次引入到4～6个并联连接的芬顿池B（26）内，脱盐废水在进入到每个芬顿池B（26）内时，需要先检测脱盐废水的pH值,当第一个芬顿池B（26）加满水后，根据测量出脱盐废水的pH值向第一个芬顿池B（26）中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为3～4,接着再根据测量出脱盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和 H202加入量,之后向第一个芬顿池B（26）中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应6～8h,后续每个芬顿池B（26）依次重复以上操作，每个芬顿池B（26）反应结束后，再向池中加入NaOH溶液,调节脱盐废水的PH值为7～9,之后再根据测量的脱盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池B（26）中加入NaCO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算NaCO3溶液的加入量,去除水中的钙杂质和镁杂质；芬顿反应完成后，再将脱盐废水送入板框压滤机C（27）内进行污泥脱水；
⑩二段生化处理：将经步骤⑨处理后脱盐废水和经步骤⑦处理后的混合液依次引入到调节池B（28）、循环池B（29）、深度水解池B（30）、多级A/O池B（31）、中转池B（32）和组合滤池（33）内进行后处理后得到外排循环水，外排循环水中的氯硅烷的含量为1～4 mg/L，COD的含量为30～50mg/L，氯化钠的含量为500～1500 mg/L ，BOD的含量为2～5mg/L，AOX的含量为0～2mg/L。
本发明产生的有益效果是：一是本发明利用芬顿反应、固液分离、电絮凝和蒸发除盐等处理工艺，不仅能除浊、脱色、脱油，去除水中重金属离子，还能分解硅氧烷，改善废水性质，且经过芬顿和电凝的处理，分解后的硅氧烷经过分离后，通过污泥包裹硅氧烷外排，利用除泥的方式来去除废水中的硅氧烷，是当前最为环保、高效和经济的有效方式，避免了硅氧烷进入后续的深度处理工艺中，影响后续COD的脱除效果；二是本发明优化了后续生化处理的工艺，利用微电解和厌氧处理相结合的方式，对有机硅废水进行深度的降解和氧化，利用微电解和厌氧处理处理对污染物去除率高，抗冲击负荷能力强，适合水质成分复杂的废水，经过后续生化处理后，硅氧烷去除率可达到98%以上，COD去除率可达到97%以上。综上，本发明方法与现有技术相比，处理技术成熟、处理效果更加稳定，适合规模有机硅废水处理和技术推广，废水经过本组合工艺处理后，最终出水水质达到《污水综合排放标准》一级标准的要求。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图中：1-沉淀池，2-芬顿池A，3-板框压滤机A，4-高盐废水接受池，5-集水池A，6-脉冲电凝装置A，7-过渡池，8-澄清滤器A，9-浓缩池A，10-MVR装置，11-脉冲电凝装置B，12-集水池B，13-澄清滤器B，14-浓缩池B，15-调节池A，16-循环池A，17-低盐废水接收池，18-深度水解池A，19-多级A/O池A，20-二沉池A，21-中转池A，22-盐酸脱析接收池，23-盐酸脱析废水接收池，24-微电解塔A，25-微电解塔B，26-芬顿池B，27-板框压滤机C，28-调节池B，29-循环池B，30深度水解池B,31-多级A/O池B，32-中转池B，33-组合滤池。
具体实施方式
下面结合实施例和附图说明对本发明作进一步的说明，但不以任何方式对本发明加以限制，基于本发明教导所作的任何变换或替换，均实施例属于本发明的保护范围。
实施例1
本实施例1所述的有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法,包括以下步骤：
①高盐油水分离:将有机硅各工序产生的高盐废水引入分离沉淀池1内,初步去除悬浮固体和油污后将高盐废水引入到高盐废水接收池4内，高盐废水接收池4内高盐废水中氯硅烷的含量为6000～7000 mg/L，COD的含量为20000～25000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1500～2500mg/L，AOX的含量为250～300mg/L；
②高盐芬顿氧化:将步骤①分离得到的高盐废水分别引入到3个并联连接的芬顿池A2内，高盐废水在进入到每个芬顿池A2内时，需要先检测高盐废水的PH值, 当第一个芬顿池A2加满水后，根据测量出高盐废水的pH值向第一个芬顿池A2中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为3,接着再根据测量出高盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和 H202加入量, H202加入量为：C(COD,mg/L)：C(H2O2,100%,mg/L=0.75；FeSO4加入量：CFeSO，mg/L):C(H2O2,100%,mg/L=0.15，之后向第一个芬顿池A2中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应6h,后续每个芬顿池A2依次重复以上操作，每个芬顿池A2反应结束后，需再向池中加入NaOH溶液,调节高压废水的PH值为7,之后再根据测量的高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池A2中加入NaCO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算NaCO3溶液的加入量,去除水中的钙杂质和镁杂质，NaCO3溶液的加入量需要根据高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量动态调整添加；本发明在现有的芬顿反应的技术基础上，对FeSO4和 H202加入量更加的精确，每个芬顿池A2的加入FeSO4和 H202都是动态的，都是需要根据COD的测量值进行合理的添加，这样既能避免FeSO4和H202的浪费，而且能够提高有机物的降解效果，让有机硅废水中的硅氧烷能够彻底的被分离出来，利用芬顿反应可以将有机硅废水中大多数的有机物降解，让有机物在水中形成混凝沉淀，吸附去除废水中的悬浮物，芬顿反应的作用机理是：过氧化氢被Fe2+催化分解生成羟基自由基(・OH),并引发产生更多的其他自由基，羟基自由基具有较高的电负性或电子亲和能，比其他氧化剂具有更高的氧化电极电位 (E=2.80eV),能够夺取有机物分子中的H原子，生成游离自由基R•，R•降解为小分子有机物或者发生裂变降解为无害物，继而转化成CO2和H2O等无机物；反应化学方程式：
Fe2++H2O2→Fe3++・OH+OH-
RH+・OH→R・+H2O
R++O2→ROO+→CO2+H2O
Fe2++2OH-→Fe(OH)2
Fe3++3OH-→Fe(OH)3（胶体）
4Fe(OH)2+O2+2H2O→4Fe(OH)3（胶体）
③高盐固液分离:将经步骤②处理后的高盐废水引入板框压滤机A3进行压滤，压滤后大部分的氯硅烷和COD随滤渣排出，利用除泥的方式来去除废水中的硅氧烷，是当前最为环保、高效和经济的有效方式，避免了硅氧烷进入后续的深度处理工艺中，影响后续COD的脱除效果，压滤得到的高盐废水进入集水池A5，进入集水池A5内的高盐废水中的氯硅烷的含量为150～250 mg/L，COD的含量为3000～4000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1100～1400mg/L，AOX的含量为20～30mg/L；
④高盐脉冲电凝处理：将进入集水池A5内的高盐废水引入到脉冲电凝装置A6，，脉冲电凝装置A6采用的阴阳极板为碳含量在0.50wt％以上的铁板，极板之间的间距为25mm，在设定电压为323V、电流为55A、频率为45Hz的工况下，进行正、反向脉冲各1h，通过脉冲电凝将高盐废水中的大分子有机物之间的键打断，使其变为小分子有机物，同时无机物在高电压、低电流的作用下发生电化学反应，除去高盐废水中的重金属离子；脉冲电凝技术采用电化学原理，借助外加电压作用产生电化学反应，把电能转化为化学能，当电流经电极通过电解作用使水中的各种有机物和无机物发生分解，产生电子迁移，形成电化学反应，最终与极板析出的铁盐产生共沉析出，其反应是一个复杂的物理、化学的过程，经单一电凝设备即可对废水中的有机或无机物进行氧化还原反应，进而产生凝聚、浮除作用，将污染物从水体中去除。同时，电絮凝还具有一定的软化除硬作用，可以改善水质控制条件，并提高后续处理设施运行的稳定性。电凝技术同时具备强氧化（自产氧化剂）、强还原（自产还原剂）、絮凝（自产絮凝剂）、气浮（自产气浮超细气泡），以及脱色与脱臭等多功能于一体，较为适合处理难降解有机废水。其中高压脉冲电凝技术更为先进可靠、高效节能，是新一代的电化学水处理技术；其反应化学方程式：
阳极（氧化反应）：Fe-2e-=Fe2+
4OH--4e-=2H2O+O2↑
阴极（还原反应）：2H2O+2e-=2OH-+H2↑
絮凝沉淀反应：Fe2++2OH-=Fe(OH)2↓
Fe3++3OH-=Fe(OH)3↓
4Fe(OH)2+O2+2H2O=4Fe(OH)3（胶体）
通过脉冲电凝装置A6处理后，有机硅废水中部分难降解的有机物被氧化还原反应分解，絮凝沉淀反应产生的沉淀从脉冲电凝装置A6底部排出；
⑤蒸发除盐处理：将经步骤④处理后的高盐废水引入过渡池7，在过渡池7内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAV属于混凝剂，PAC的添加量为150L/h，接着在过渡池7出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM属于絮凝剂，阴离子型PAM的添加量为150L/h，经曝气反应后，高盐废水进入澄清滤器A8，经过滤后，污泥进入浓缩池A9，高盐废水进入MVR装置10内进行蒸发除盐得到冷凝液，冷凝液中氯硅烷的含量为20～40 mg/L，COD的含量为2000～2200mg/L，氯化钠的含量为40～50mg/L ，BOD的含量为600～800mg/L，AOX的含量为15～30mg/L；
⑥低盐脉冲电凝处理：将有机硅各工序产生的低盐废水引入到低盐废水接收池17内，接着将低盐废水引入到脉冲电凝装置B11，脉冲电凝装置B11所采用的阴阳极板为碳含量在0.50wt％以上的铁板，极板之间的间距为25mm，在设定电压323V、电流55A、频率45Hz的工况下，进行正、反向脉冲各1h，通过脉冲电凝除去低盐废水中的有机物和重金属离子，接着将低盐废水引入到集水池B12，并在集水池B12内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAC为混凝剂，PAC的进料量为150L/h，接着在集水池B12出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM为絮凝剂，阴离子型PAM的添加量为150L/h，经曝气反应后，低盐废水进入澄清滤器B13，经过滤后，污泥进入浓缩池B14，低盐废水进入一段生化处理；脉冲电凝处理的技术已经在步骤④中进行了详细的阐述，在此不再进行阐述；
⑦一段生化处理：将步骤⑥处理得到低盐废水和步骤⑤得到的冷凝液分别送入到调节池A15进行混合，得到的混合液进入循环池A16之后再进入深度水解池A18进行水解，水解反应后一部分混合液进入循环池A16，另一部分混合液进入多级A/O池A19，进行深度脱氮除磷并进一步去除低盐废水的有机物，多级A/O池A19能够延长有机硅废水的滞留时间，丰富菌群种类，可实现同步硝化与反硝化，降低回流量，同时对色度具有较好的脱除效果，多级A/O池A19的微生物耐冲击负荷能力、快速恢复能力相比一般的生化系统均有较大幅度的提升，系统运行稳定可靠，接着将混合液引入二沉池A20进行泥水分离，沉淀后的污泥进入循环池A13或浓缩池B14，而混合液进入中转池A21；
⑧盐酸脱析微电解处理：将有机硅生产中的盐酸脱析废水引入到盐酸脱析接收池22，调节盐酸脱析废水的PH值为3，再将盐酸脱析废水引入盐酸脱析废水接收池23，之后将盐酸脱析废水分别引入到两个并联的微电解塔A24和微电解塔B25中，电解塔A24和电解塔B25中装有铁-碳颗粒填料，利用盐酸脱析废水的酸性和铁—碳颗粒之间的电位差形成无数个细微原电池产生电化学反应并在微电场作用下使带电胶粒脱稳聚集而沉降，电解后得到的脱盐废水中溶解性固体的含量为15000～20000 mg/L，COD的含量为1500～2000mg/L，氯化钠的含量为15000～25000mg/L ，BOD的含量为400～500mg/L，悬浮物的含量为40～60mg/L；微电解法的作用机理是利用铁-碳粒料在电解质溶液中腐蚀形成的微电池电解过程来处理废水的一种电化学技术，又称腐蚀电池法，其基本原理是，两种电位不同的物质(如铁-碳，铝-碳等)在电解质溶液中接触浸泡就会形成原电池，并在周围空间形成电场，在电场力作用下，水中带电的污染物分子移向相反电荷的电极，并吸附在电极表面上发生氧化还原反应，降解成小分子物质或使胶体电中和脱稳。同时，电极反应生成的产物也能与溶液中的污染物发生氧化还原反应，微电解系统中也可发生一系列化学物理过程，并产生络合、置换、吸附、絮凝沉淀等作用，达到进一步去除污染物的目的，其反应化学方程式：
当废水与铁碳接触发生反应：
阳极：Fe-2e-→Fe2+
阴极：2H++2e-→H2↑
当有氧存在时，发生反应：
阳极：Fe-2e-→Fe2+
阴极：O2+4H++4e-→2H2O
O2+2H2O+4e-→4OH-
⑨盐酸脱析芬顿氧化：将经步骤⑧处理后的脱盐废水依次引入到4个并联连接的芬顿池B26内，脱盐废水在进入到每个芬顿池B26内时，需要先检测脱盐废水的pH值,当第一个芬顿池B26加满水后，根据测量出脱盐废水的pH值向第一个芬顿池B26中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为3～4,接着再根据测量出脱盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和 H202加入量, H202加入量为：C(COD,mg/L)：C(H2O2,100%,mg/L=0.75；FeSO4加入量：CFeSO，mg/L):C(H2O2,100%,mg/L=0.15，之后向第一个芬顿池B26中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应6～8h,后续每个芬顿池B26依次重复以上操作，每个芬顿池B26反应结束后，再向池中加入NaOH溶液,调节脱盐废水的PH值为7,之后再根据测量的脱盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池B26中加入NaCO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算NaCO3溶液的加入量,NaCO3溶液的加入量需要根据高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量动态调整添加，去除水中的钙杂质和镁杂质；芬顿反应完成后，再将脱盐废水送入板框压滤机C27内进行污泥脱水；本发明在现有的芬顿反应的技术基础上，对FeSO4和 H202加入量更加的精确，每个芬顿池B26的加入FeSO4和 H202都是动态的，都是需要根据COD的测量值进行合理的添加，这样既能避免FeSO4和 H202的浪费，而且能够提高有机物的降解效果，芬顿反应的作用机理在②中已经做了详细的阐述；
⑩二段生化处理：将经步骤⑨处理后脱盐废水和经步骤⑦处理后的混合液依次引入到调节池B28、循环池B29、深度水解池B30、多级A/O池B31、中转池B32和组合滤池33内进行后处理后得到外排循环水，外排循环水中的氯硅烷的含量为1～4 mg/L，COD的含量为30～50mg/L，氯化钠的含量为500～1500 mg/L ，BOD的含量为2～5mg/L，AOX的含量为0～2mg/L。
本实施例1的处理方法科学合理，通过对处理工艺进行合理的优化，不仅能够有效的控制和节约化学反应剂的用量，有效的控制有机硅废水的处理成本；而且在能够彻底去除有机硅废水中的硅氧烷、COD、BOD等污染物，还能有效的改善有机硅废水的出水水质，利用本实施1处理后的有机硅废水，其硅氧烷去除率可达到98.65%，COD去除率可达到97.35，本发明与现有技术相比，处理技术更成熟、处理效果更加稳定、处理效率更好，比较适合规模有机硅废水处理和技术推广，废水经过本组合工艺处理后，最终出水水质达到《污水综合排放标准》一级标准的要求。
实施例2
本实施例2所述的有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法,包括以下步骤：
①高盐油水分离:将有机硅各工序产生的高盐废水引入分离沉淀池1内,初步去除悬浮固体和油污后将高盐废水引入到高盐废水接收池4内，高盐废水接收池4内高盐废水中氯硅烷的含量为6000～7000 mg/L，COD的含量为20000～25000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1500～2500mg/L，AOX的含量为250～300mg/L；
②高盐芬顿氧化:将步骤①分离得到的高盐废水分别引入到4个并联连接的芬顿池A2内，高盐废水在进入到每个芬顿池A2内时，需要先检测高盐废水的PH值, 当第一个芬顿池A2加满水后，根据测量出高盐废水的pH值向第一个芬顿池A2中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为3.5,接着再根据测量出高盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和 H202加入量, H202加入量为：C(COD,mg/L)：C(H2O2,100%,mg/L=1；FeSO4加入量： CFeSO，mg/L):C(H2O2,100%,mg/L=0.18，之后向第一个芬顿池A2中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应7h,后续每个芬顿池A2依次重复以上操作，每个芬顿池A2反应结束后，需再向池中加入NaOH溶液,调节高压废水的PH值为8,之后再根据测量的高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池A2中加入NaCO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算NaCO3溶液的加入量, NaCO3溶液的加入量需要根据高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量动态调整添加，去除水中的钙杂质和镁杂质；本发明在现有的芬顿反应的技术基础上，对FeSO4和 H202加入量更加的精确，每个芬顿池A2的加入FeSO4和 H202都是动态的，都是需要根据COD的测量值进行合理的添加，这样既能避免FeSO4和 H202的浪费，而且能够提高有机物的降解效果，让有机硅废水中的硅氧烷能够彻底的被分离出来，利用芬顿反应可以将有机硅废水中大多数的有机物降解，让有机物在水中形成混凝沉淀，吸附去除废水中的悬浮物，芬顿反应的作用机理是：过氧化氢被Fe2+催化分解生成羟基自由基(・OH),并引发产生更多的其他自由基，羟基自由基具有较高的电负性或电子亲和能，比其他氧化剂具有更高的氧化电极电位 (E=2.80eV),能够夺取有机物分子中的H原子，生成游离自由基R•，R•降解为小分子有机物或者发生裂变降解为无害物，继而转化成CO2和H2O等无机物；反应化学方程式：
Fe2++H2O2→Fe3++・OH+OH-
RH+・OH→R・+H2O
R++O2→ROO+→CO2+H2O
Fe2++2OH-→Fe(OH)2
Fe3++3OH-→Fe(OH)3（胶体）
4Fe(OH)2+O2+2H2O→4Fe(OH)3（胶体）
③高盐固液分离:将经步骤②处理后的高盐废水引入板框压滤机A3进行压滤，压滤后大部分的氯硅烷和COD随滤渣排出，利用除泥的方式来去除废水中的硅氧烷，是当前最为环保、高效和经济的有效方式，避免了硅氧烷进入后续的深度处理工艺中，影响后续COD的脱除效果，压滤得到的高盐废水进入集水池A5，进入集水池A5内的高盐废水中的氯硅烷的含量为150～250 mg/L，COD的含量为3000～4000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1100～1400mg/L，AOX的含量为20～30mg/L；
④高盐脉冲电凝处理：将进入集水池A5内的高盐废水引入到脉冲电凝装置A6，，脉冲电凝装置A6采用的阴阳极板为碳含量在0.50wt％以上的铁板，极板之间的间距为30mm，在设定电压为400V、电流为58A、频率为50Hz的工况下，进行正、反向脉冲各1.5h，通过脉冲电凝将高盐废水中的大分子有机物之间的键打断，使其变为小分子有机物，同时无机物在高电压、低电流的作用下发生电化学反应，除去高盐废水中的重金属离子；脉冲电凝技术采用电化学原理，借助外加电压作用产生电化学反应，把电能转化为化学能，当电流经电极通过电解作用使水中的各种有机物和无机物发生分解，产生电子迁移，形成电化学反应，最终与极板析出的铁盐产生共沉析出，其反应是一个复杂的物理、化学的过程，经单一电凝设备即可对废水中的有机或无机物进行氧化还原反应，进而产生凝聚、浮除作用，将污染物从水体中去除。同时，电絮凝还具有一定的软化除硬作用，可以改善水质控制条件，并提高后续处理设施运行的稳定性。电凝技术同时具备强氧化（自产氧化剂）、强还原（自产还原剂）、絮凝（自产絮凝剂）、气浮（自产气浮超细气泡），以及脱色与脱臭等多功能于一体，较为适合处理难降解有机废水。其中高压脉冲电凝技术更为先进可靠、高效节能，是新一代的电化学水处理技术；其反应化学方程式：
阳极（氧化反应）：Fe-2e-=Fe2+
4OH--4e-=2H2O+O2↑
阴极（还原反应）：2H2O+2e-=2OH-+H2↑
絮凝沉淀反应：Fe2++2OH-=Fe(OH)2↓
Fe3++3OH-=Fe(OH)3↓
4Fe(OH)2+O2+2H2O=4Fe(OH)3（胶体）
通过脉冲电凝装置A6处理后，有机硅废水中部分难降解的有机物被氧化还原反应分解，絮凝沉淀反应产生的沉淀从脉冲电凝装置A6底部排出；
⑤蒸发除盐处理：将经步骤④处理后的高盐废水引入过渡池7，在过渡池7内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAV属于混凝剂，PAC的添加量为155L/h，接着在过渡池7出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM属于絮凝剂，阴离子型PAM的添加量为155L/h，经曝气反应后，高盐废水进入澄清滤器A8，经过滤后，污泥进入浓缩池A9，高盐废水进入MVR装置10内进行蒸发除盐得到冷凝液，冷凝液中氯硅烷的含量为20～40 mg/L，COD的含量为2000～2200mg/L，氯化钠的含量为40～50mg/L ，BOD的含量为600～800mg/L，AOX的含量为15～30mg/L；
⑥低盐脉冲电凝处理：将有机硅各工序产生的低盐废水引入到低盐废水接收池17内，接着将低盐废水引入到脉冲电凝装置B11，脉冲电凝装置B11所采用的阴阳极板为碳含量在0.50wt％以上的铁板，极板之间的间距为30mm，在设定电压400V、电流58A、频率50Hz的工况下，进行正、反向脉冲各1.5h，通过脉冲电凝除去低盐废水中的有机物和重金属离子，接着将低盐废水引入到集水池B12，并在集水池B12内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAC为混凝剂，PAC的进料量为155L/h，接着在集水池B12出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM为絮凝剂，阴离子型PAM的添加量为155L/h，经曝气反应后，低盐废水进入澄清滤器B13，经过滤后，污泥进入浓缩池B14，低盐废水进入一段生化处理；脉冲电凝处理的技术已经在步骤④中进行了详细的阐述，在此不再进行阐述；
⑦一段生化处理：将步骤⑥处理得到低盐废水和步骤⑤得到的冷凝液分别送入到调节池A15进行混合，得到的混合液进入循环池A16之后再进入深度水解池A18进行水解，水解反应后一部分混合液进入循环池A16，另一部分混合液进入多级A/O池A19，进行深度脱氮除磷并进一步去除低盐废水的有机物，多级A/O池A19能够延长有机硅废水的滞留时间，丰富菌群种类，可实现同步硝化与反硝化，降低回流量，同时对色度具有较好的脱除效果，多级A/O池A19的微生物耐冲击负荷能力、快速恢复能力相比一般的生化系统均有较大幅度的提升，系统运行稳定可靠，接着将混合液引入二沉池A20进行泥水分离，沉淀后的污泥进入循环池A13或浓缩池B14，而混合液进入中转池A21；
⑧盐酸脱析微电解处理：将有机硅生产中的盐酸脱析废水引入到盐酸脱析接收池22，调节盐酸脱析废水的PH值为3.5，再将盐酸脱析废水引入盐酸脱析废水接收池23，之后将盐酸脱析废水分别引入到两个并联的微电解塔A24和微电解塔B25中，电解塔A24和电解塔B25中装有铁-碳颗粒填料，利用盐酸脱析废水的酸性和铁—碳颗粒之间的电位差形成无数个细微原电池产生电化学反应并在微电场作用下使带电胶粒脱稳聚集而沉降，电解后得到的脱盐废水中溶解性固体的含量为15000～20000 mg/L，COD的含量为1500～2000mg/L，氯化钠的含量为15000～25000mg/L ，BOD的含量为400～500mg/L，悬浮物的含量为40～60mg/L；微电解法的作用机理是利用铁-碳粒料在电解质溶液中腐蚀形成的微电池电解过程来处理废水的一种电化学技术，又称腐蚀电池法，其基本原理是，两种电位不同的物质(如铁-碳，铝-碳等)在电解质溶液中接触浸泡就会形成原电池，并在周围空间形成电场，在电场力作用下，水中带电的污染物分子移向相反电荷的电极，并吸附在电极表面上发生氧化还原反应，降解成小分子物质或使胶体电中和脱稳。同时，电极反应生成的产物也能与溶液中的污染物发生氧化还原反应，微电解系统中也可发生一系列化学物理过程，并产生络合、置换、吸附、絮凝沉淀等作用，达到进一步去除污染物的目的，其反应化学方程式：
当废水与铁碳接触发生反应：
阳极：Fe-2e-→Fe2+
阴极：2H++2e-→H2↑
当有氧存在时，发生反应：
阳极：Fe-2e-→Fe2+
阴极：O2+4H++4e-→2H2O
O2+2H2O+4e-→4OH-
⑨盐酸脱析芬顿氧化：将经步骤⑧处理后的脱盐废水依次引入到5个并联连接的芬顿池B26内，脱盐废水在进入到每个芬顿池B26内时，需要先检测脱盐废水的pH值,当第一个芬顿池B26加满水后，根据测量出脱盐废水的pH值向第一个芬顿池B26中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为3.5,接着再根据测量出脱盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和H202加入量, H202加入量为：C(COD,mg/L)：C(H2O2,100%,mg/L=1；FeSO4加入量： CFeSO，mg/L):C(H2O2,100%,mg/L=0.18，之后向第一个芬顿池B26中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应6～8h,后续每个芬顿池B26依次重复以上操作，每个芬顿池B26反应结束后，再向池中加入NaOH溶液,调节脱盐废水的PH值为8,之后再根据测量的脱盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池B26中加入NaCO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算NaCO3溶液的加入量, NaCO3溶液的加入量需要根据高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量动态调整添加，去除水中的钙杂质和镁杂质；芬顿反应完成后，再将脱盐废水送入板框压滤机C27内进行污泥脱水；本发明在现有的芬顿反应的技术基础上，对FeSO4和 H202加入量更加的精确，每个芬顿池B26的加入FeSO4和 H202都是动态的，都是需要根据COD的测量值进行合理的添加，这样既能避免FeSO4和 H202的浪费，而且能够提高有机物的降解效果，芬顿反应的作用机理在②中已经做了详细的阐述；
⑩二段生化处理：将经步骤⑨处理后脱盐废水和经步骤⑦处理后的混合液依次引入到调节池B28、循环池B29、深度水解池B30、多级A/O池B31、中转池B32和组合滤池33内进行后处理后得到外排循环水，外排循环水中的氯硅烷的含量为1～4 mg/L，COD的含量为30～50mg/L，氯化钠的含量为500～1500 mg/L ，BOD的含量为2～5mg/L，AOX的含量为0～2mg/L。
本实施例2的处理方法科学合理，通过对处理工艺进行合理的优化，不仅能够有效的控制和节约化学反应剂的用量，有效的控制有机硅废水的处理成本；而且在能够彻底去除有机硅废水中的硅氧烷、COD、BOD等污染物，还能有效的改善有机硅废水的出水水质，利用本实施1处理后的有机硅废水，其硅氧烷去除率可达到99.05%，COD去除率可达到98.3%，本发明与现有技术相比，处理技术更成熟、处理效果更加稳定、处理效率更好，比较适合规模有机硅废水处理和技术推广，废水经过本组合工艺处理后，最终出水水质达到《污水综合排放标准》一级标准的要求。
实施例3
本实施例3所述的有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法,包括以下步骤：
①高盐油水分离:将有机硅各工序产生的高盐废水引入分离沉淀池1内,初步去除悬浮固体和油污后将高盐废水引入到高盐废水接收池4内，高盐废水接收池4内高盐废水中氯硅烷的含量为6000～7000 mg/L，COD的含量为20000～25000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1500～2500mg/L，AOX的含量为250～300mg/L；
②高盐芬顿氧化:将步骤①分离得到的高盐废水分别引入到5个并联连接的芬顿池A2内，高盐废水在进入到每个芬顿池A2内时，需要先检测高盐废水的PH值, 当第一个芬顿池A2加满水后，根据测量出高盐废水的pH值向第一个芬顿池A2中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为4,接着再根据测量出高盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和 H202加入量, H202加入量为：C(COD,mg/L)：C(H2O2,100%,mg/L=1.25；FeSO4加入量： CFeSO，mg/L):C(H2O2,100%,mg/L=0.2，之后向第一个芬顿池A2中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应6～8h,后续每个芬顿池A2依次重复以上操作，每个芬顿池A2反应结束后，需再向池中加入NaOH溶液,调节高压废水的PH值为9,之后再根据测量的高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池A2中加入NaCO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算NaCO3溶液的加入量, NaCO3溶液的加入量需要根据高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量动态调整添加，去除水中的钙杂质和镁杂质；本发明在现有的芬顿反应的技术基础上，对FeSO4和 H202加入量更加的精确，每个芬顿池A2的加入FeSO4和 H202都是动态的，都是需要根据COD的测量值进行合理的添加，这样既能避免FeSO4和 H202的浪费，而且能够提高有机物的降解效果，让有机硅废水中的硅氧烷能够彻底的被分离出来，利用芬顿反应可以将有机硅废水中大多数的有机物降解，让有机物在水中形成混凝沉淀，吸附去除废水中的悬浮物，芬顿反应的作用机理是：过氧化氢被Fe2+催化分解生成羟基自由基(・OH),并引发产生更多的其他自由基，羟基自由基具有较高的电负性或电子亲和能，比其他氧化剂具有更高的氧化电极电位 (E=2.80eV),能够夺取有机物分子中的H原子，生成游离自由基R•，R•降解为小分子有机物或者发生裂变降解为无害物，继而转化成CO2和H2O等无机物；反应化学方程式：
Fe2++H2O2→Fe3++・OH+OH-
RH+・OH→R・+H2O
R++O2→ROO+→CO2+H2O
Fe2++2OH-→Fe(OH)2
Fe3++3OH-→Fe(OH)3（胶体）
4Fe(OH)2+O2+2H2O→4Fe(OH)3（胶体）
③高盐固液分离:将经步骤②处理后的高盐废水引入板框压滤机A3进行压滤，压滤后大部分的氯硅烷和COD随滤渣排出，利用除泥的方式来去除废水中的硅氧烷，是当前最为环保、高效和经济的有效方式，避免了硅氧烷进入后续的深度处理工艺中，影响后续COD的脱除效果，压滤得到的高盐废水进入集水池A5，进入集水池A5内的高盐废水中的氯硅烷的含量为150～250 mg/L，COD的含量为3000～4000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1100～1400mg/L，AOX的含量为20～30mg/L；
④高盐脉冲电凝处理：将进入集水池A5内的高盐废水引入到脉冲电凝装置A6，，脉冲电凝装置A6采用的阴阳极板为碳含量在0.50wt％以上的铁板，极板之间的间距为35mm，在设定电压为437V、电流为60A、频率为55Hz的工况下，进行正、反向脉冲各2h，通过脉冲电凝将高盐废水中的大分子有机物之间的键打断，使其变为小分子有机物，同时无机物在高电压、低电流的作用下发生电化学反应，除去高盐废水中的重金属离子；脉冲电凝技术采用电化学原理，借助外加电压作用产生电化学反应，把电能转化为化学能，当电流经电极通过电解作用使水中的各种有机物和无机物发生分解，产生电子迁移，形成电化学反应，最终与极板析出的铁盐产生共沉析出，其反应是一个复杂的物理、化学的过程，经单一电凝设备即可对废水中的有机或无机物进行氧化还原反应，进而产生凝聚、浮除作用，将污染物从水体中去除。同时，电絮凝还具有一定的软化除硬作用，可以改善水质控制条件，并提高后续处理设施运行的稳定性。电凝技术同时具备强氧化（自产氧化剂）、强还原（自产还原剂）、絮凝（自产絮凝剂）、气浮（自产气浮超细气泡），以及脱色与脱臭等多功能于一体，较为适合处理难降解有机废水。其中高压脉冲电凝技术更为先进可靠、高效节能，是新一代的电化学水处理技术；其反应化学方程式：
阳极（氧化反应）：Fe-2e-=Fe2+
4OH--4e-=2H2O+O2↑
阴极（还原反应）：2H2O+2e-=2OH-+H2↑
絮凝沉淀反应：Fe2++2OH-=Fe(OH)2↓
Fe3++3OH-=Fe(OH)3↓
4Fe(OH)2+O2+2H2O=4Fe(OH)3（胶体）
通过脉冲电凝装置A6处理后，有机硅废水中部分难降解的有机物被氧化还原反应分解，絮凝沉淀反应产生的沉淀从脉冲电凝装置A6底部排出；
⑤蒸发除盐处理：将经步骤④处理后的高盐废水引入过渡池7，在过渡池7内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAV属于混凝剂，PAC的添加量为160L/h，接着在过渡池7出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM属于絮凝剂，阴离子型PAM的添加量为160L/h，经曝气反应后，高盐废水进入澄清滤器A8，经过滤后，污泥进入浓缩池A9，高盐废水进入MVR装置10内进行蒸发除盐得到冷凝液，冷凝液中氯硅烷的含量为20～40 mg/L，COD的含量为2000～2200mg/L，氯化钠的含量为40～50mg/L ，BOD的含量为600～800mg/L，AOX的含量为15～30mg/L；
⑥低盐脉冲电凝处理：将有机硅各工序产生的低盐废水引入到低盐废水接收池17内，接着将低盐废水引入到脉冲电凝装置B11，脉冲电凝装置B11所采用的阴阳极板为碳含量在0.50wt％以上的铁板，极板之间的间距为35mm，在设定电压437V、电流60A、频率55Hz的工况下，进行正、反向脉冲各2h，通过脉冲电凝除去低盐废水中的有机物和重金属离子，接着将低盐废水引入到集水池B12，并在集水池B12内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAC为混凝剂，PAC的进料量为160L/h，接着在集水池B12出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM为絮凝剂，阴离子型PAM的添加量为160L/h，经曝气反应后，低盐废水进入澄清滤器B13，经过滤后，污泥进入浓缩池B14，低盐废水进入一段生化处理；脉冲电凝处理的技术已经在步骤④中进行了详细的阐述，在此不再进行阐述；
⑦一段生化处理：将步骤⑥处理得到低盐废水和步骤⑤得到的冷凝液分别送入到调节池A15进行混合，得到的混合液进入循环池A16之后再进入深度水解池A18进行水解，水解反应后一部分混合液进入循环池A16，另一部分混合液进入多级A/O池A19，进行深度脱氮除磷并进一步去除低盐废水的有机物，多级A/O池A19能够延长有机硅废水的滞留时间，丰富菌群种类，可实现同步硝化与反硝化，降低回流量，同时对色度具有较好的脱除效果，多级A/O池A19的微生物耐冲击负荷能力、快速恢复能力相比一般的生化系统均有较大幅度的提升，系统运行稳定可靠，接着将混合液引入二沉池A20进行泥水分离，沉淀后的污泥进入循环池A13或浓缩池B14，而混合液进入中转池A21；
⑧盐酸脱析微电解处理：将有机硅生产中的盐酸脱析废水引入到盐酸脱析接收池22，调节盐酸脱析废水的PH值为4，再将盐酸脱析废水引入盐酸脱析废水接收池23，之后将盐酸脱析废水分别引入到两个并联的微电解塔A24和微电解塔B25中，电解塔A24和电解塔B25中装有铁-碳颗粒填料，利用盐酸脱析废水的酸性和铁—碳颗粒之间的电位差形成无数个细微原电池产生电化学反应并在微电场作用下使带电胶粒脱稳聚集而沉降，电解后得到的脱盐废水中溶解性固体的含量为15000～20000 mg/L，COD的含量为1500～2000mg/L，氯化钠的含量为15000～25000mg/L ，BOD的含量为400～500mg/L，悬浮物的含量为40～60mg/L；微电解法的作用机理是利用铁-碳粒料在电解质溶液中腐蚀形成的微电池电解过程来处理废水的一种电化学技术，又称腐蚀电池法，其基本原理是，两种电位不同的物质(如铁-碳，铝-碳等)在电解质溶液中接触浸泡就会形成原电池，并在周围空间形成电场，在电场力作用下，水中带电的污染物分子移向相反电荷的电极，并吸附在电极表面上发生氧化还原反应，降解成小分子物质或使胶体电中和脱稳。同时，电极反应生成的产物也能与溶液中的污染物发生氧化还原反应，微电解系统中也可发生一系列化学物理过程，并产生络合、置换、吸附、絮凝沉淀等作用，达到进一步去除污染物的目的，其反应化学方程式：
当废水与铁碳接触发生反应：
阳极：Fe-2e-→Fe2+
阴极：2H++2e-→H2↑
当有氧存在时，发生反应：
阳极：Fe-2e-→Fe2+
阴极：O2+4H++4e-→2H2O
O2+2H2O+4e-→4OH-
⑨盐酸脱析芬顿氧化：将经步骤⑧处理后的脱盐废水依次引入到6个并联连接的芬顿池B26内，脱盐废水在进入到每个芬顿池B26内时，需要先检测脱盐废水的pH值,当第一个芬顿池B26加满水后，根据测量出脱盐废水的pH值向第一个芬顿池B26中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为4,接着再根据测量出脱盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和H202加入量, H202加入量为：C(COD,mg/L)：C(H2O2,100%,mg/L=1.25；FeSO4加入量： CFeSO，mg/L):C(H2O2,100%,mg/L=0.2，之后向第一个芬顿池B26中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应8h,后续每个芬顿池B26依次重复以上操作，每个芬顿池B26反应结束后，再向池中加入NaOH溶液,调节脱盐废水的PH值为9,之后再根据测量的脱盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池B26中加入NaCO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算NaCO3溶液的加入量, NaCO3溶液的加入量需要根据高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量动态调整添加，去除水中的钙杂质和镁杂质；芬顿反应完成后，再将脱盐废水送入板框压滤机C27内进行污泥脱水；本发明在现有的芬顿反应的技术基础上，对FeSO4和 H202加入量更加的精确，每个芬顿池B26的加入FeSO4和 H202都是动态的，都是需要根据COD的测量值进行合理的添加，这样既能避免FeSO4和 H202的浪费，而且能够提高有机物的降解效果，芬顿反应的作用机理在②中已经做了详细的阐述；
⑩二段生化处理：将经步骤⑨处理后脱盐废水和经步骤⑦处理后的混合液依次引入到调节池B28、循环池B29、深度水解池B30、多级A/O池B31、中转池B32和组合滤池33内进行后处理后得到外排循环水，外排循环水中的氯硅烷的含量为1～4 mg/L，COD的含量为30～50mg/L，氯化钠的含量为500～1500 mg/L ，BOD的含量为2～5mg/L，AOX的含量为0～2mg/L。
本实施例3的处理方法科学合理，通过对处理工艺进行合理的优化，不仅能够有效的控制和节约化学反应剂的用量，有效的控制有机硅废水的处理成本；而且在能够彻底去除有机硅废水中的硅氧烷、COD、BOD等污染物，还能有效的改善有机硅废水的出水水质，利用本实施1处理后的有机硅废水，其硅氧烷去除率可达到98.79%，COD去除率可达到98.46%，本发明与现有技术相比，处理技术更成熟、处理效果更加稳定、处理效率更好，比较适合规模有机硅废水处理和技术推广，废水经过本组合工艺处理后，最终出水水质达到《污水综合排放标准》一级标准的要求。

Claims (2)

1.一种有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法,其特征在于,包括以下步骤：
①高盐油水分离:将有机硅各工序产生的高盐废水引入分离沉淀池（1）内,初步去除悬浮固体和油污后将高盐废水引入到高盐废水接收池（4）内，高盐废水接收池（4）内高盐废水中氯硅烷的含量为6000～7000 mg/L，COD的含量为20000～25000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1500～2500mg/L，AOX的含量为250～300mg/L；
②高盐芬顿氧化:将步骤①分离得到的高盐废水分别引入到3～5个并联连接的芬顿池A（2）内，高盐废水在进入到每个芬顿池A（2）内时，需要先检测高盐废水的pH值, 当第一个芬顿池A（2）加满水后，根据测量出高盐废水的pH值向第一个芬顿池A（2）中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为3～4,接着再根据测量出高盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和 H202加入量,之后向第一个芬顿池A（2）中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应6～8h,后续每个芬顿池A（2）依次重复以上操作，每个芬顿池A（2）反应结束后，需再向池中加入NaOH溶液,调节高盐废水的pH值为7～9,之后再根据测量的高盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池A（2）中加入Na2CO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算Na2CO3溶液的加入量,去除水中的钙杂质和镁杂质；
③高盐固液分离:将经步骤②处理后的高盐废水引入板框压滤机A（3）进行压滤，压滤后大部分的氯硅烷和COD随滤渣排出，压滤得到的高盐废水进入集水池A（5），进入集水池A（5）内的高盐废水中的氯硅烷的含量为150～250 mg/L，COD的含量为3000～4000mg/L，氯化钠的含量为40000～50000mg/L ，BOD的含量为1100～1400mg/L，AOX的含量为20～30mg/L；
④高盐脉冲电凝处理：将进入集水池A（5）内的高盐废水引入到脉冲电凝装置A（6），通过脉冲电凝将高盐废水中的大分子有机物之间的键打断，使其变为小分子有机物，同时无机物在高电压、低电流的作用下发生电化学反应，除去高盐废水中的重金属离子；
⑤蒸发除盐处理：将经步骤④处理后的高盐废水引入过渡池（7），在过渡池（7）内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAC的添加量为150～160L/h，接着在过渡池（7）出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM的添加量为150～160L/h，经曝气反应后，高盐废水进入澄清滤器A（8），经过滤后，污泥进入浓缩池A（9），高盐废水进入MVR装置（10）内进行蒸发除盐得到冷凝液，冷凝液中氯硅烷的含量为20～40 mg/L，COD的含量为2000～2200mg/L，氯化钠的含量为40～50mg/L ，BOD的含量为600～800mg/L，AOX的含量为15～30mg/L；
⑥低盐脉冲电凝处理：将有机硅各工序产生的低盐废水引入到低盐废水接收池（17）内，接着将低盐废水引入到脉冲电凝装置B（11），在设定电压323～437V、电流55～60A、频率45～55Hz的工况下，进行正、反向脉冲各1～2h，通过脉冲电凝除去低盐废水中的有机物和重金属离子，接着将低盐废水引入到集水池B（12），并在集水池B（12）内加入PAC，PAC为聚合氯化铝，PAC的进料量为150～160L/h，接着在集水池B（12）出口管上加入阴离子型PAM，阴离子型PAM为聚丙烯酰胺，阴离子型PAM的添加量为150～160L/h，经曝气反应后，低盐废水进入澄清滤器B（13），经过滤后，污泥进入浓缩池B（14），低盐废水进入一段生化处理；
⑦一段生化处理：将步骤⑥处理得到低盐废水和步骤⑤得到的冷凝液分别送入到调节池A（15）进行混合，得到的混合液进入循环池A（16）之后再进入深度水解池A（18）进行水解，水解反应后一部分混合液进入循环池A（16），另一部分混合液进入多级A/O池A（19），进行深度脱氮除磷并进一步去除低盐废水的有机物，接着将混合液引入二沉池A（20）进行泥水分离，沉淀后的污泥进入循环池A（13）或浓缩池B（14），而混合液进入中转池A（21）；
⑧盐酸脱析微电解处理：将有机硅生产中的盐酸脱析废水引入到盐酸脱析接收池（22），调节盐酸脱析废水的pH值为3～4，再将盐酸脱析废水引入盐酸脱析废水接收池（23），之后将盐酸脱析废水分别引入到两个并联的微电解塔A（24）和微电解塔B（25）中，电解塔A（24）和电解塔B（25）中装有铁-碳颗粒填料，利用盐酸脱析废水的酸性和铁—碳颗粒之间的电位差形成无数个细微原电池产生电化学反应并在微电场作用下使带电胶粒脱稳聚集而沉降，电解后得到的脱盐废水中溶解性固体的含量为15000～20000 mg/L，COD的含量为1500～2000mg/L，氯化钠的含量为15000～25000mg/L ，BOD的含量为400～500mg/L，悬浮物的含量为40～60mg/L；
⑨盐酸脱析芬顿氧化：将经步骤⑧处理后的脱盐废水依次引入到4～6个并联连接的芬顿池B（26）内，脱盐废水在进入到每个芬顿池B（26）内时，需要先检测脱盐废水的pH值,当第一个芬顿池B（26）加满水后，根据测量出脱盐废水的pH值向第一个芬顿池B（26）中加入HCl溶液或NaOH溶液,调节pH值为3～4,接着再根据测量出脱盐废水中的COD值,根据COD值计算FeSO4和 H202加入量,之后向第一个芬顿池B（26）中先后加入FeSO4和H202,搅拌反应6～8h,后续每个芬顿池B（26）依次重复以上操作，每个芬顿池B（26）反应结束后，再向池中加入NaOH溶液,调节脱盐废水的pH值为7～9,之后再根据测量的脱盐废水中的Ca2+和Mg2+含量,在每一个芬顿池B（26）中加入Na2CO3溶液, 根据Ca2+和Mg2+值计算Na2CO3溶液的加入量,去除水中的钙杂质和镁杂质；芬顿反应完成后，再将脱盐废水送入板框压滤机C（27）内进行污泥脱水；
⑩二段生化处理：将经步骤⑨处理后脱盐废水和经步骤⑦处理后的混合液依次引入到调节池B（28）、循环池B（29）、深度水解池B（30）、多级A/O池B（31）、中转池B（32）和组合滤池（33）内进行后处理后得到外排循环水，外排循环水中的氯硅烷的含量为1～4 mg/L，COD的含量为30～50mg/L，氯化钠的含量为500～1500 mg/L ，BOD的含量为2～5mg/L，AOX的含量为0～2mg/L。
2. 根据权利要求1所述的一种有机硅废水中有效去除硅氧烷和COD的方法,在步骤②和步骤⑨中，H202加入量为：C(COD,mg/L)：C(H2O2,100%,mg/L）=0.75～1.25；FeSO4加入量： C（FeSO4，mg/L):C(H2O2,100%,mg/L）=0.15～0.2。
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