CN113843705A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113843705A
CN113843705A CN202110704659.5A CN202110704659A CN113843705A CN 113843705 A CN113843705 A CN 113843705A CN 202110704659 A CN202110704659 A CN 202110704659A CN 113843705 A CN113843705 A CN 113843705A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing head
cleaning liquid
head
substrate processing
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110704659.5A
Other languages
English (en)
Inventor
山野边北斗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN113843705A publication Critical patent/CN113843705A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B24B1/04—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/002—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding edges or bevels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/004—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor using abrasive rolled strips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/18—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/003—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces using at least two conditioning tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/06—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines
    • B24B55/08—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines specially designed for belt grinding machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够可靠地防止含有异物的清洗液从研磨头向晶片上落下的基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置具备：旋转保持机构(10)、研磨头(50)以及头清洗装置(200)，在基板(W)的研磨中及/或研磨后，该头清洗装置向研磨头(50)供给研磨液，从而清洗研磨头(50)。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种处理晶片等基板的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在晶片的表面(器件面)形成有半导体器件。当研磨屑等异物(颗粒)附着于这样的晶片时，晶片被污染，作为结果，半导体制造中的成品率降低。因此，从提高成品率的观点出发，晶片的对于异物的表面状态的管理很重要。
存在用臂仅保持晶片的周缘部来输送晶片的方法。在这样的方法中，存在残存于晶片的周缘部的不需要的膜在经历各种工序的期间剥离而附着于晶片表面的情况，作为结果，成品率降低。因此，从提高成品率的观点出发，去除形成于晶片的周缘部的不需要的膜很重要。为此，基板处理装置可能具备研磨晶片的周缘部而去除不需要的膜的斜面研磨装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-161721号公报
专利文献2：日本特开2019-216207号公报
专利文献3：日本特开2016-28845号公报
专利文献4：日本特开2017-132034号公报
发明所要解决的技术问题
但是，当研磨晶片的周缘部时，产生研磨屑等异物，该异物可能附着于斜面研磨装置的研磨头。在该状态下，当继续晶片的周缘部的研磨时，用于清洗晶片的液体可能附着于研磨头，且含有异物的液体从研磨头向晶片上落下。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种能够可靠地防止含有异物的液体从研磨头向晶片上落下的基板处理装置及基板处理方法。
用于解决技术问题的技术手段
在一方式中，提供一种基板处理装置，具备：旋转保持机构，该旋转保持机构保持基板并使该基板旋转；研磨头，该研磨头将研磨器具按压于所述基板的周缘部，从而研磨所述基板的周缘部；以及头清洗装置，在所述基板的研磨中及/或研磨后，该头清洗装置向所述研磨头供给清洗液，从而清洗所述研磨头。
在一方式中，所述基板处理装置具备倾斜机构，该倾斜机构使所述研磨头倾斜，在通过所述倾斜机构将所述研磨头配置于所述基板的下方时，所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液。
在一方式中，所述基板处理装置具备倾斜机构，该倾斜机构使所述研磨头倾斜，在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述倾斜机构使所述研磨头的倾斜角度连续地变化，从而去除所述清洗液。
在一方式中，所述头清洗装置在每次研磨一片基板时向所述研磨头供给所述清洗液。
在一方式中，所述头清洗装置配置于所述研磨头的上方，并从所述研磨头的正上方向所述研磨头供给所述清洗液。
在一方式中，所述清洗液是纯水、导电性水及表面活性剂溶液中的任一个。
在一方式中，所述基板处理装置具备振动装置，该振动装置使所述研磨头振动，在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述振动装置使所述研磨头振动，从而去除所述清洗液。
在一方式中，所述基板处理装置具备气体喷射装置，该气体喷射装置向所述研磨头喷射加压气体，在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述气体喷射装置向所述研磨头喷射加压气体，从而去除所述清洗液。
在一方式中，所述基板处理装置具备吸引装置，该吸引装置吸引附着于所述研磨头的清洗液，在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述吸引装置吸引附着于所述研磨头的清洗液，从而去除所述清洗液。
在一方式中，所述基板处理装置具备圆运动机构，该圆运动机构使所述研磨头进行圆运动，在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述圆运动机构使所述研磨头进行圆运动，从而去除所述清洗液。
在一方式中，提供一种基板处理方法，具备：基板旋转工序，在保持基板的状态下使所述基板旋转，研磨工序，将研磨器具按压于所述基板的周缘部，从而研磨所述基板的周缘部；以及头清洗工序，在所述基板的研磨中及/或研磨后，向所述研磨头供给清洗液，从而清洗所述研磨头。
在一方式中，所述头清洗工序包含如下工序：在所述研磨头被配置于所述基板的下方时，向所述研磨头供给所述清洗液。
在一方式中，所述基板处理方法包含倾斜工序，在该倾斜工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，使所述研磨头的倾斜角度连续地变化，从而去除所述清洗液。
在一方式中，所述头清洗工序在每次研磨一片基板时进行。
在一方式中，所述头清洗工序包含如下工序，从所述研磨头的正上方向所述研磨头供给所述清洗液。
在一方式中，所述清洗液是纯水、导电性水及表面活性剂溶液中的任一个。
在一方式中，所述基板处理方法包含振动工序，在该振动工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，使所述研磨头振动，从而去除所述清洗液。
在一方式中，所述基板处理方法包含喷射工序，在该喷射工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，向所述研磨头喷射加压气体，从而去除所述清洗液。
在一方式中，所述基板处理方法包含吸引工序，在该吸引工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，吸引附着于所述研磨头的清洗液，从而去除所述清洗液。
在一方式中，所述基板处理方法包含圆运动工序，在该圆运动工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，使所述研磨头进行圆运动，从而去除所述清洗液。
发明的效果
基板处理装置具备清洗研磨头的头清洗装置。因此，头清洗装置能够防止异物(含有异物的液体)附着于研磨头，或者能够去除附着于研磨头的异物。
附图说明
图1中，图1的(a)和图1的(b)是表示基板的周缘部的放大剖视图。
图2是表示基板处理装置的一实施方式的示意图。
图3是从上方观察图2所示的基板处理装置的示意图。
图4是表示通过倾斜机构使研磨头和圆运动机构向下方倾斜的状态的示意图。
图5是表示通过倾斜机构使研磨头和圆运动机构向上方倾斜的状态的示意图。
图6是表示用于使研磨器具支承结构体进行圆运动的圆运动机构的一实施方式的示意图。
图7是表示使研磨头振动的振动装置的图。
图8是表示向研磨头喷射加压气体的气体喷射装置的图。
图9是表示吸引附着于研磨头的清洗液的吸引装置的图。
符号说明
4 保持台
5 轴
7 保持台驱动机构
10 旋转保持机构
28 液体供给喷嘴
31 研磨带
41 研磨器具供给回收机构
43 供给卷筒
44 回收卷筒
50 研磨头
52 按压机构
52a 按压衬垫
52b 气缸
53a～53h 导辊
61 圆运动机构
62 电机
63 旋转轴
63a 轴心
65 偏心旋转体
67 轴承
69 台
70 曲柄
71 基台
72 第一轴体
72a 轴心
73 第二轴体
73a 轴心
75 轴承
77 轴承
79 支承部件
81 倾斜机构
82 旋转驱动装置
85 曲柄臂
89 保持部件
100 隔壁
105 研磨头移动机构
180 动作控制部
180a 存储装置
180b 处理装置
200 头清洗装置
201 清洗臂
201a 清洗液线路
202 清洗喷嘴
205 开闭阀
210 振动装置
215 气体喷射装置
216 喷射臂
217 喷射喷嘴
218 开闭阀
219 气体流路
220 吸引装置
221 头罩
221a 槽
221b 吸引孔
222 吸引线路
223 开闭阀
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
在本说明书中，将基板的周缘部定义为如下区域，即，包含：位于基板的最外周的斜面部、位于该斜面部的半径方向内侧的顶缘部和底缘部以及为了确定结晶方位而形成于基板的周缘部的缺口部。
图1的(a)和图1的(b)是表示基板的周缘部的放大剖视图。更详细地说，图1的(a)是所谓的直型的基板的剖视图，图1的(b)是所谓的圆弧型的基板的剖视图。在图1的(a)的晶片W(基板的一例)中，斜面部是由上侧倾斜部(上侧斜面部)P、下侧倾斜部(下侧斜面部)Q以及侧部(顶部)R构成的晶片W的最外周面(由符号B表示)。在图1的(b)的晶片W中，斜面部构成晶片W的最外周面，是具有弯曲的截面的部分(由符号B表示)。顶缘部是与斜面部B相比位于半径方向内侧的平坦部E1。底缘部位于与顶缘部相反的一侧，是与斜面部B相比位于半径方向内侧的平坦部E2。顶缘部E1包含形成有器件的区域。
图2是表示基板处理装置的一实施方式的示意图。图2所示的基板处理装置适合用于对作为基板的周缘部的斜面部进行研磨的斜面研磨装置。如图2所示，研磨装置具备：保持作为研磨对象物的晶片W，并使该晶片W旋转的旋转保持机构10；以及研磨保持于旋转保持机构10的晶片W的斜面部而从晶片W的斜面部去除异物、伤痕的研磨头50。
图2表示旋转保持机构10正保持晶片W的状态。旋转保持机构10具备：通过真空吸附来保持晶片W的保持台4、与保持台4的中央部连结的轴5以及与该轴5的下端连结的保持台驱动机构7。
保持台驱动机构7具备用于使保持台4旋转且上下移动的未图示的电机和气缸。即，保持台驱动机构7构成为：能够使保持台4以其轴心Cr为中心旋转，并沿着轴心Cr在上下方向上移动。
晶片W由未图示的输送机构以晶片W的中心O1位于保持台4的轴心Cr上的方式载置于保持台4的上表面。晶片W以其表面(器件面)向上的状态被保持于保持台4的上表面。通过这样的结构，旋转保持机构10能够使晶片W以保持台4的轴心Cr(即晶片W的轴心)为中心旋转，且使晶片W沿着保持台4的轴心Cr上升下降。
如图2所示，基板处理装置还具备：隔壁100、向研磨头50供给研磨带31，且从研磨头50回收该研磨带31的研磨器具供给回收机构41以及向晶片W的表面供给液体的液体供给喷嘴28。旋转保持机构10、研磨头50、液体供给喷嘴28配置于隔壁100的内部，研磨器具供给回收机构41配置于隔壁100的外部。
研磨器具供给回收机构41具备：向研磨头50供给研磨带31的供给卷筒43和回收已用于晶片W的研磨的研磨带31的回收卷筒44。在供给卷筒43和回收卷筒44分别连结有未图示的张紧电机。各张紧电机向供给卷筒43和回收卷筒44施加规定的转矩而能够对研磨带31施加规定的张力。
研磨带31以研磨带31的研磨面朝向晶片W的斜面部的被研磨面的方式被供给至研磨头50。研磨带31通过设置于隔壁100的开口部(未图示)而从供给卷筒43向研磨头50供给，使用后的研磨带31通过开口部而被回收卷筒44回收。
研磨头50具备将研磨带31向晶片W的斜面部按压的按压机构52。研磨带31以通过按压机构52的端面的方式被供给。在本实施方式中，按压机构52具备：支承研磨带31的背面的按压衬垫52a和与按压衬垫52a连结的气缸52b。在一实施方式中，研磨器具也可以使用磨石来代替研磨带31。在该情况下，磨石被构成按压机构52的气缸52b保持，能够省略研磨器具供给回收机构41和按压衬垫52a。
按压机构52从研磨带31的背侧按压该研磨带31，通过使研磨带31的研磨面与晶片W的斜面部接触来研磨晶片W的斜面部。研磨头50还具备用于支承研磨带31的多个导辊53a、53b、53c、53d、53e、53f。研磨器具供给回收机构41还具备用于支承研磨带31的多个导辊53g、53h。研磨带31的行进方向被导辊53a、53b、53c、53d、53e、53f、53g、53h引导。特别是，配置于研磨头50的顶端的导辊53a、53c以研磨带31向与晶片W的斜面部的被研磨面平行的方向行进的方式引导研磨带31。
液体供给喷嘴28配置于被旋转保持机构10保持的晶片W的上方。液体供给喷嘴28与未图示的液体供给源连接。液体供给喷嘴28朝向晶片W的中心O1配置，液体从液体供给喷嘴28向晶片W的表面供给。被供给至晶片W的表面的液体因离心力而扩散至晶片W的表面整体，从而在晶片W的斜面部上形成液体流。晶片W的斜面部在液体的存在下被研磨。液体从晶片W的周缘部向下方流落，由此，能够从晶片W的斜面部去除研磨屑。另外，上述的液体防止含有在晶片W的研磨过程中产生的研磨屑等异物的液体附着于晶片W的表面。其结果是，能够将晶片W的表面保持洁净。在本实施方式中，作为上述的液体，使用纯水或碱性水。
如上所述，当研磨晶片W的周缘部时，产生研磨屑等异物，该异物可能附着于研磨头50。在该状态下，当继续晶片W的周缘部的研磨时，从液体供给喷嘴28供给的液体附着于研磨头50，含有异物的液体可能从研磨头50向晶片W上落下。
因此，在以下示出的实施方式中，对能够可靠地防止含有异物的清洗液从研磨头50向晶片W上落下的基板处理装置进行说明。
如图2所示，基板处理装置具备：将作为研磨器具的一例的研磨带31按压于晶片W的周缘部，从而研磨晶片W的周缘部的研磨头50；以及在晶片W的研磨中及/或研磨后，向研磨头50供给清洗液，从而清洗研磨头50的头清洗装置200。
头清洗装置200在隔壁100的内部配置于研磨头50的上方(更具体而言，正上方)。头清洗装置200可以配置为不能移动或能够移动。
头清洗装置200具备：清洗臂201和朝向研磨头50配置的清洗喷嘴202。清洗臂201在其内部具备供用于清洗研磨头50的清洗液通过的清洗液线路201a。清洗喷嘴202安装于清洗臂201的端部，并与清洗液线路201a连接。
头清洗装置200具备对清洗液线路201a进行开闭的开闭阀205，该开闭阀205与动作控制部180电连接。因此，动作控制部180能够控制开闭阀205的动作。
清洗喷嘴202是向研磨头50喷射清洗液的广角喷嘴。更具体而言，头清洗装置200通过清洗喷嘴202圆锥状地喷射清洗液来向研磨头50的整体供给清洗液。清洗液从研磨头50的正上方朝向研磨头50供给。在本实施方式中，清洗液是纯水、导电性水及表面活性剂溶液中的任一个。
头清洗装置200可以在晶片W的研磨中向研磨头50供给清洗液。通过这样的结构，头清洗装置200能够防止异物附着于研磨头50。在本实施方式中，能够在晶片W的研磨中清洗研磨头50，因此，基板处理装置能够不延长晶片W的处理所需的时间，而一边处理晶片W一边清洗研磨头50。在一实施方式中，头清洗装置200也可以在每次研磨一片晶片W时向研磨头50供给清洗液。
在一实施方式中，头清洗装置200可以在液体供给喷嘴28向晶片W供给液体的同时供给清洗液。在其他实施方式中，头清洗装置200可以在研磨头50开始晶片W的周缘部的研磨的同时供给清洗液。
在一实施方式中，研磨头50可以在其整体具有被实施了疏水加工的表面。通过对研磨头50的整体实施疏水加工，能够有效地防止含有异物的液体的附着，因此，能够进一步提高基于头清洗装置200的清洗效果。
图3是从上方观察图2所示的基板处理装置的示意图。在图3中，为了方便看图，省略了头清洗装置200的图示。如图3所示，基板处理装置还具备倾斜机构81，该倾斜机构81使研磨头50相对于旋转保持机构10上的晶片W的表面倾斜。
倾斜机构81具备：旋转驱动装置82和曲柄臂85。旋转驱动装置82具备：未图示的电机、滑轮、带等。曲柄臂85的一端与圆运动机构61连结，曲柄臂85的另一端与旋转驱动装置82连结。曲柄臂85以旋转驱动装置82的旋转轴线Ct为中心旋转。旋转轴线Ct在旋转保持机构10上的晶片W的切线方向上延伸。当旋转驱动装置82以旋转轴心Ct为中心使曲柄臂85顺时针和逆时针旋转规定的角度时，与曲柄臂85连结的圆运动机构61和研磨头50也以旋转轴线Ct为中心顺时针和逆时针旋转规定的角度。
被研磨头50支承的研磨带31的研磨面位于旋转驱动装置82的旋转轴线Ct的延长线上。因此，当驱动旋转驱动装置82时，研磨头50以研磨带31的研磨面为中心顺时针和逆时针旋转规定的角度。
这样，通过使研磨头50以旋转轴线Ct为中心旋转，能够变更研磨头50相对于晶片W的斜面部的角度。旋转驱动装置82采用伺服电机、步进电机等能够精密地控制位置、速度的电机，构成为：研磨头50能够向被程序设定的希望的角度以希望的速度旋转。
图4是表示通过倾斜机构81使研磨头50和圆运动机构61向下方倾斜的状态的示意图，图5是通过倾斜机构81使研磨头50和圆运动机构61向上方倾斜的状态的示意图。在图4中，研磨带31与晶片W的斜面部的下侧区域接触，在图5中，研磨带31与晶片W的斜面部的上侧区域接触。这样，通过沿着晶片W的斜面部变更研磨头50的角度，能够研磨晶片W的斜面部的整体。
如图3所示，研磨头50与研磨头移动机构105连结。研磨头移动机构105固定于倾斜机构81的旋转驱动装置82，研磨头50经由倾斜机构81和圆运动机构61(后述)而与研磨头移动机构105连结。研磨头移动机构105构成为能够使研磨头50向晶片W的半径方向移动。研磨头移动机构105能够由气缸等线性致动器构成。研磨头移动机构105与图2所示的动作控制部180电连接，其动作由动作控制部180控制。
在晶片W被输送到旋转保持机构10的保持台4上时，以及晶片W被从旋转保持机构10的保持台4取出时，研磨头移动机构105使研磨头50向离开保持台4的方向移动。在研磨被保持台4保持的晶片W的斜面部时，研磨头移动机构105使研磨头50朝向晶片W移动。
在本实施方式中，基板处理装置具备一组研磨头50和研磨器具供给回收机构41，但在一实施方式中，也可以具备二组或更多的研磨头50和研磨器具供给回收机构41。头清洗装置200的数量与研磨头50的数量对应。
头清洗装置200可以构成为：在通过倾斜机构81将研磨头50配置于晶片W的下方时，向研磨头50供给清洗液(参照图4)。通过这样的结构，能够可靠地防止清洗研磨头50后的清洗液附着于晶片W。
头清洗装置200可以在晶片W的研磨结束后，更具体而言，在晶片W被从旋转保持机构10输送之后，向研磨头50供给清洗液。通过这样的结构，能够更可靠地防止清洗研磨头50后的清洗液附着于晶片W。
可以是，在头清洗装置200向研磨头50供给清洗液之后，倾斜机构81使研磨头50的倾斜角度连续地变化，从而去除清洗液。即，倾斜机构81通过如图4和图5所示那样以晶片W的周缘部为中心使研磨头50的角度在铅垂方向上变化，倾斜机构81能够甩掉附着于研磨头50的液体(例如，清洗液)。
研磨头50还具备圆运动机构61，该圆运动机构61使研磨器具支承结构体相对于晶片W相对地圆运动。在本说明书中，研磨器具支承结构体被定义为支承研磨器具，并构成研磨头50的至少一部分的结构体。在本实施方式中，研磨器具支承结构体是研磨头50的整体。在晶片W被保持于旋转保持机构10时，研磨头50朝向晶片W的周缘部。
图6是表示用于使研磨器具支承结构体进行圆运动的圆运动机构61的一实施方式的示意图。图6所示的圆运动机构61具备：电机62、固定于电机62的旋转轴63的偏心旋转体65、经由轴承67而与偏心旋转体65连结的台69以及支承台69的多个曲柄70。在图6中，仅示出了一个曲柄70，但至少三个曲柄70绕偏心旋转体65配列。电机62固定于基台71。
偏心旋转体65的轴心65a与电机62的旋转轴63的轴心63a分离距离e。由此，当电机62工作时，偏心旋转体65进行半径e的圆运动。曲柄70具有彼此固定的第一轴体72和第二轴体73。第一轴体72的轴心72a与第二轴体73的轴心73a也同样的分离距离e。第一轴体72被保持于台69的轴承75支承为能够旋转，第二轴体73被轴承77支承为能够旋转。轴承77固定于支承部件79，该支承部件79固定于基台71。
根据上述结构，当电机62旋转时，偏心旋转体65进行半径e的圆运动，经由轴承67而与偏心旋转体65连结的台69也进行半径e的圆运动。在本说明书中，圆运动被定义为对象物在圆轨道上移动的运动。
台69被多个曲柄70支承，因此，在台69进行圆运动时，台69自身不旋转。像这样的台69的运动被称作平移旋转运动。在本说明书中，对象物自身不旋转，而使对象物在圆轨道上移动的运动被定义为平移旋转运动。该平移旋转运动是圆运动的一个具体例。在本实施方式中，研磨头50经由保持部件89而固定于台69。由此，研磨头50与台69一起进行圆运动(平移旋转运动)。在本实施方式中，圆运动机构61是使研磨器具支承结构体(研磨头50整体)进行平移旋转运动的平移旋转机构。本实施方式的圆运动(平移旋转运动是将研磨头50的朝向设为法线方向的平面内的圆运动(平移旋转运动)。
在头清洗装置200向研磨头50供给清洗液之后，圆运动机构61可以使研磨头50进行圆运动，从而去除清洗液。通过这样的结构，圆运动机构61能够甩落附着于研磨头50的液体(例如，清洗液)。
图7是表示使研磨头50振动的振动装置的图。如图7所示，基板处理装置具备使研磨头50振动的振动装置210。振动装置210安装于研磨头50，并与动作控制部180电连接。振动装置210按照动作控制部180的指令而振动，研磨头50和振动装置210一起振动。在头清洗装置200向研磨头50供给清洗液之后，振动装置210使研磨头50振动，从而去除清洗液。
图8是表示向研磨头50喷射加压气体的气体喷射装置的图。如图8所示，基板处理装置具备向研磨头50喷射加压气体的气体喷射装置215。气体喷射装置215具备：安装于研磨头50的喷射臂216和朝向研磨头50配置的喷射喷嘴217。喷射喷嘴217安装于喷射臂216的端部，与喷射喷嘴217连接的气体流路219能够通过开闭阀218进行开闭。
动作控制部180与开闭阀218电连接，从而能够使开闭阀218进行开闭。当动作控制部180打开开闭阀217时，加压气体通过喷射喷嘴217向研磨头50喷射。在头清洗装置200向研磨头50供给清洗液之后，气体喷射装置215向研磨头50喷射加压气体，从而去除清洗液。
图9是表示吸引附着于研磨头50的清洗液的吸引装置的图。如图9所示，基板处理装置具备吸引附着于研磨头50的清洗液的吸引装置220。研磨头50具备安装于其表面的头罩221。吸引装置220具备：与研磨头50的头罩221连接的吸引线路222以及安装于吸引线路222且对吸引线路222进行开闭的开闭阀223。
在头罩221的表面形成有多个槽221a，在这些多个槽221a的每一个形成有多个吸引孔221b。吸引线路222与多个吸引孔221b的每一个连接。
动作控制部180与开闭阀223电连接，从而能够对开闭阀223进行开闭。当动作控制部180打开开闭阀223时，附着于研磨头50(更具体而言，头罩221)的液体被吸入吸引孔221b而被从研磨头50去除。在头清洗装置200向研磨头50供给清洗液之后，吸引装置220吸引附着于研磨头50的清洗液，从而去除清洗液。
对基板处理装置的动作进行说明。以下说明的基板处理装置的动作由图2所示的动作控制部180控制。动作控制部180由专用的计算机或通用的计算机构成。动作控制部180具备：存储有程序的存储装置180a和按照程序执行运算的处理装置180b。
由计算机构成的动作控制部180按照电存储于存储装置180a的程序来动作。程序包含如下指令：使处理装置180b执行使旋转保持机构10执行基板旋转工序的动作的指令，该基板旋转工序在将晶片W保持的状态下使晶片W旋转；使处理装置180b执行使研磨头50执行研磨工序的动作的指令，该研磨工序将研磨器具(在本实施方式中，研磨带31)按压于晶片W的周缘部，从而研磨晶片W的周缘部；以及使处理装置180b执行使头清洗装置200执行头清洗工序的动作的指令，该头清洗工序在晶片W的研磨中及/或研磨后向研磨头50供给清洗液，从而清洗研磨头50。
换言之，动作控制部180执行：使旋转保持机构10执行基板旋转工序的步骤、使研磨头50执行研磨工序的步骤以及使头清洗装置200执行头清洗工序的步骤。
用于使动作控制部180执行这些步骤的程序存储于作为非暂时性的有形物的能够由计算机读取的存储介质，并经由存储介质向动作控制部180提供。或者，程序可以经由互联网或局域网等通信网络而从通信装置(未图示)向动作控制部180输入。存储装置180a具备：RAM等主存储装置、硬盘驱动器(HDD)、固态硬盘(SSD)等補助存储装置。作为处理装置180b的例子，能够例举出CPU(中央处理装置)、GPU(图形处理单元)。
被研磨的晶片W通过未图示的输送机构在表面(器件面)朝向上方的状态下，且以晶片W的中心O1位于保持台4的轴心Cr上的方式被保持于保持台4。并且，晶片W以保持台4的轴心Cr(即晶片W的轴心)为中心旋转。接着，从液体供给喷嘴28向晶片W的表面供给液体。被供给到晶片W的表面的液体因离心力而扩散至晶片W的表面整体，从而在晶片W的斜面部上形成液体流。
研磨带31被预先向研磨头50供给。动作控制部180驱动研磨器具供给回收机构41，从而对研磨带31施加规定的张力，并且使研磨带31向与按压机构52的端面平行的方向行进。
一边向晶片W的表面供给液体，且使研磨带31与旋转的晶片W的斜面部接触，一边研磨晶片W的斜面部。头清洗装置200也可以在晶片W的研磨中向研磨头50供给清洗液。
在一边通过倾斜机构81使研磨头50相对于晶片W的角度变化，一边研磨晶片W的周缘部的情况下，在研磨头50配置于晶片W的下方时，动作控制部180可以打开开闭阀205，从而向研磨头50供给清洗液，在研磨头50配置于晶片W的上方时，动作控制部180也可以关闭开闭阀205。
在经过预先设定的时间后，动作控制部180使旋转保持机构10、研磨头50以及研磨器具供给回收机构41的动作停止，从而结束研磨。头清洗装置200也可以在晶片W的研磨后向研磨头50供给清洗液。动作控制部180也可以在向研磨头50供给清洗液之后使倾斜机构81执行倾斜工序，该倾斜工序使研磨头50的倾斜角度连续地变化，从而去除清洗液。
动作控制部180也可以在向研磨头50供给清洗液之后使振动装置210执行振动工序，该振动工序使研磨头50振动，从而去除清洗液。动作控制部180也可以在向研磨头50供给清洗液之后使气体喷射装置215执行喷射工序，该喷射工序向研磨头50喷射加压气体，从而去除清洗液。动作控制部180也可以在向研磨头50供给清洗液之后使吸引装置220执行吸引工序，该吸引工序吸引附着于研磨头50的清洗液，从而去除清洗液。动作控制部180也可以在向研磨头50供给清洗液之后使圆运动机构61执行圆运动工序，该圆运动工序使研磨头50进行圆运动，从而去除清洗液。
上述的多个实施方式可以适当组合。特别是，在上述的实施方式中，对用于去除附着于研磨头50的清洗液的多个工序进行了说明，但这些多个工序可以尽可能地组合。
上述的实施方式是以具有本发明所属的技术领域中的通常的知识的人能够实施本发明为目的而记载的。上述实施方式的各种变形例，只要是本领域技术人当然就能够实施，本发明的技术思想也能够应用于其他实施方式。因此，本发明不限于记载的实施方式，而是根据本发明所要求保护的范围定义的技术思想的最大的范围。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
旋转保持机构，该旋转保持机构保持基板并使该基板旋转；
研磨头，该研磨头将研磨器具按压于所述基板的周缘部，从而研磨所述基板的周缘部；以及
头清洗装置，在所述基板的研磨中及/或研磨后，该头清洗装置向所述研磨头供给清洗液，从而清洗所述研磨头。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具备倾斜机构，该倾斜机构使所述研磨头倾斜，
在通过所述倾斜机构将所述研磨头配置于所述基板的下方时，所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具备倾斜机构，该倾斜机构使所述研磨头倾斜，
在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述倾斜机构使所述研磨头的倾斜角度连续地变化，从而去除所述清洗液。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述头清洗装置在每次研磨一片基板时向所述研磨头供给所述清洗液。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述头清洗装置配置于所述研磨头的上方，并从所述研磨头的正上方向所述研磨头供给所述清洗液。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述清洗液是纯水、导电性水及表面活性剂溶液中的任一个。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具备振动装置，该振动装置使所述研磨头振动，
在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述振动装置使所述研磨头振动，从而去除所述清洗液。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具备气体喷射装置，该气体喷射装置向所述研磨头喷射加压气体，
在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述气体喷射装置向所述研磨头喷射加压气体，从而去除所述清洗液。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具备吸引装置，该吸引装置吸引附着于所述研磨头的清洗液，
在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述吸引装置吸引附着于所述研磨头的清洗液，从而去除所述清洗液。
10.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具备圆运动机构，该圆运动机构使所述研磨头进行圆运动，
在所述头清洗装置向所述研磨头供给所述清洗液之后，所述圆运动机构使所述研磨头进行圆运动，从而去除所述清洗液。
11.一种基板处理方法，其特征在于，具备：
基板旋转工序，在保持基板的状态下使所述基板旋转，
研磨工序，将研磨器具按压于所述基板的周缘部，从而研磨所述基板的周缘部；以及
头清洗工序，在所述基板的研磨中及/或研磨后，向所述研磨头供给清洗液，从而清洗所述研磨头。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
所述头清洗工序包含如下工序：在所述研磨头被配置于所述基板的下方时，向所述研磨头供给所述清洗液。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法包含倾斜工序，在该倾斜工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，使所述研磨头的倾斜角度连续地变化，从而去除所述清洗液。
14.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述头清洗工序在每次研磨一片基板时进行。
15.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述头清洗工序包含如下工序：从所述研磨头的正上方向所述研磨头供给所述清洗液。
16.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述清洗液是纯水、导电性水及表面活性剂溶液中的任一个。
17.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法包含振动工序，在该振动工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，使所述研磨头振动，从而去除所述清洗液。
18.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法包含喷射工序，在该喷射工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，向所述研磨头喷射加压气体，从而去除所述清洗液。
19.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法包含吸引工序，在该吸引工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，吸引附着于所述研磨头的清洗液，从而去除所述清洗液。
20.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法包含圆运动工序，在该圆运动工序中，在向所述研磨头供给所述清洗液之后，使所述研磨头进行圆运动，从而去除所述清洗液。
CN202110704659.5A 2020-06-26 2021-06-24 基板处理装置及基板处理方法 Pending CN113843705A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-110491 2020-06-26
JP2020110491A JP7451324B2 (ja) 2020-06-26 2020-06-26 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113843705A true CN113843705A (zh) 2021-12-28

Family

ID=76483158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110704659.5A Pending CN113843705A (zh) 2020-06-26 2021-06-24 基板处理装置及基板处理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11667008B2 (zh)
EP (1) EP3928882B1 (zh)
JP (1) JP7451324B2 (zh)
KR (1) KR20220000830A (zh)
CN (1) CN113843705A (zh)
TW (1) TW202210229A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023137069A (ja) * 2022-03-17 2023-09-29 キオクシア株式会社 研磨装置および研磨方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005043611A1 (ja) 2003-10-30 2005-05-12 Ebara Corporation 基板処理装置及び基板処理方法
JP4772679B2 (ja) 2004-02-25 2011-09-14 株式会社荏原製作所 研磨装置及び基板処理装置
KR101203505B1 (ko) * 2005-04-19 2012-11-21 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2008288599A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials Inc 研磨パッドを使用して基板のノッチを研磨する方法及び装置
JP5274993B2 (ja) 2007-12-03 2013-08-28 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP2011177842A (ja) 2010-03-02 2011-09-15 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP5886602B2 (ja) 2011-03-25 2016-03-16 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6101378B2 (ja) 2011-03-25 2017-03-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP6239354B2 (ja) * 2012-12-04 2017-11-29 不二越機械工業株式会社 ウェーハ研磨装置
JP6367763B2 (ja) 2015-06-22 2018-08-01 株式会社荏原製作所 ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法
JP6920849B2 (ja) 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
JP2018176317A (ja) * 2017-04-06 2018-11-15 株式会社荏原製作所 研磨装置および方法
JP2019216207A (ja) 2018-06-14 2019-12-19 株式会社荏原製作所 基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11667008B2 (en) 2023-06-06
KR20220000830A (ko) 2022-01-04
JP7451324B2 (ja) 2024-03-18
TW202210229A (zh) 2022-03-16
EP3928882B1 (en) 2023-09-13
JP2022007481A (ja) 2022-01-13
EP3928882A1 (en) 2021-12-29
US20210402562A1 (en) 2021-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9199352B2 (en) Polishing apparatus, polishing method and pressing member for pressing a polishing tool
KR101872903B1 (ko) 연마 장치 및 연마 방법
KR100687115B1 (ko) 연마 장치 및 연마 방법
JP4806282B2 (ja) ウエーハの処理装置
CN109397036B (zh) 研磨基板的方法及装置、和处理基板的方法
JP6908496B2 (ja) 研磨装置
JP2006310395A (ja) ダイシング装置のウェーハ洗浄方法
CN113843705A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN110340800B (zh) 研磨装置
JP7045212B2 (ja) 研削装置
JP6941008B2 (ja) 基板を研磨する方法および装置
WO2021044694A1 (ja) 研磨装置、研磨方法、および基板処理装置
JP2001277095A (ja) パッドコンディショニング装置及びパッドコンディショニング方法
JP7222721B2 (ja) 洗浄機構
JP5224876B2 (ja) 基板の処理装置
KR102678971B1 (ko) 연마 장치
JP7350544B2 (ja) 研磨装置および研磨方法
WO2023112680A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2021088005A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2023008104A (ja) 板状ワークを吸引保持するチャックテーブル、チャックテーブルを備える加工装置、及び加工装置を用いた板状ワークの加工方法
CN118338989A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN116494124A (zh) 卡盘工作台和磨削装置
JP2023097533A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2022032334A (ja) 洗浄装置
JP2021010993A (ja) 研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination