CN113690399A - 一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法，制备方法为：将高镍三元前驱体、锂源、金属氟化物和含锆化合物按比例混合均匀，得到混合物；将得到的混合物在氧气气氛中先低温预烧再高温煅烧，得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；将得到的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体经过破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；将得到的单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体和含硼化合物、含钨化合物混合均匀，在氧气条件下进行煅烧，得到阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。使高镍单晶三元材料放电容量、循环性能、内阻得到了明显的改善。
Description
技术领域
本发明属于电池正极材料技术领域，特别是涉及一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法。
背景技术
锂离子电池具有体积小、能量密度高、循环寿命长、自放电率小、无记忆效应等优点，被广泛应用于便携式电子设备以及电动汽车等领域。目前常用的锂离子电池正极材料包括钴酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂和镍钴锰三元材料，其中镍钴锰三元材料结合了镍、钴、锰的优点，被认为是最具应用前景的正极材料之一。
对于镍钴锰三元材料而言，随着镍含量的增加，材料的比容量增加，可以更好地满足当前电动汽车对电池能量密度日益增长的需求。但与此同时，随着镍含量增加，材料会吸收空气中的水分和二氧化碳，与材料表面的残余锂以及迁移到材料表面的锂离子发生反应生成碳酸锂和氢氧化锂，增大了电池内阻并使电池容易出现胀气现象。另外，三元材料在脱锂状态下Ni4+非常不稳定，反应性很强，材料易于与电解液发生反应，从而产生高的界面内阻，导致材料容量迅速衰减，循环性能变差、内阻变大。三元材料的循环性能和内阻变差，极大的限制了材料的实际应用。
另外，对于高镍材料来说，由于表面的残余Li较多，残余Li过多会导致材料吸水，从而影响材料的加工以及存储性能。因此国内一般厂家采用水洗或在材料的表面包覆氧化物以降低高镍材料表面的残余Li，但是水洗会导致材料的容量以及循环性能降低，而在材料表面包覆氧化物，由于这些包覆物不含锂离子，在锂离子的脱嵌过程中会起到阻碍作用，不利于锂离子的传输。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法，采用Zr/F阴阳离子共同掺杂制备高镍单晶三元材料基体，然后通过包覆含硼化合物和含钨化合物，其与高镍单晶三元材料基体表面的残余Li反应，形成Li2O-B2O3和Li2WO4复合包覆的高镍单晶三元材料。通过Zr/F阴阳离子共同掺杂可以提高材料的容量和循环稳定性，表面包覆含B和W的化合物可以与高镍单晶三元材料基体表面的残余Li反应，形成Li2O-B2O3和Li2WO4快离子导体复合包覆层，从而提高材料的导电性，这样不仅可以去除水洗的过程，同时可以改善材料的内阻。另外，表面包覆可以有效的减少电极与电解液之间的副反应，改善材料的放电容量、倍率性能、循环性能，提高材料的电化学性能。
本发明是这样实现的，一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、将高镍三元前驱体、锂源、金属氟化物和含锆化合物按照一定的比例混合均匀，得到混合物；
步骤2、将步骤1中得到的混合物，在氧气气氛中先低温预烧再高温煅烧，得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；
步骤3、将步骤2中得到的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体经过破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；
步骤4、将步骤3中得到的单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体和含硼化合物、含钨化合物混合均匀，然后在氧气条件下进行煅烧，得到阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。
在上述技术方案中，优选的，所述步骤1中，所述锂源与高镍三元前驱体的摩尔比为0.9～1.1；
所述含锆化合物与高镍三元前驱体的质量比为0.1％～0.5％；
按F来计算，所述金属氟化物与高镍三元前驱体的摩尔比为0.01％～0.3％。
在上述技术方案中，优选的，所述步骤1中，所述高镍三元前驱体为镍钴锰氢氧化物，分子式为NixCoyMn(1-x-y)(OH)2，其中，x＝0.80～0.97mol，y＝0.01～0.2mol；
所述锂源选自氢氧化锂、碳酸锂、硝酸锂、氯化锂中的一种或多种；
所述金属氟化物选自YF3、LaF3、ALF3中的一种或多种。
所述含锆化合物选自ZrO2、Li2ZrO3、Zr(OH)2、ZrCL4中的一种或多种。
在上述技术方案中，优选的，所述步骤1中，所述混合转速为500r/min～1100r/min，所述混合时间为5min～20min。
在上述技术方案中，优选的，所述步骤2中，所述氧气气氛中的氧浓度≥90％。
在上述技术方案中，优选的，所述步骤2中，所述低温预烧温度为450℃～750℃，低温预烧时间为3h～8h；
所述高温煅烧温度为800℃～880℃；所述高温煅烧时间为8h～18h。
在上述技术方案中，优选的，所述步骤3中，所述破碎后的单晶的粒度为3.5um～6.0um；
所述过筛筛网为300-500目。
在上述技术方案中，优选的，所述步骤4中，所述含硼化合物的加入量为单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体质量的0.01％～5％；
所述含钨化合物的加入量为单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体质量的0.1％～5％；
所述煅烧温度为230～700℃，所述煅烧时间为4～15h。
在上述技术方案中，优选的，所述步骤4中，所述含硼化合物为硼酸、偏硼酸、三氧化二硼中的一种或多种；
所述含钨化合物为钨酸、偏钨酸、钨酸铵中的一种或多种。
一种采用上述的制备方法制备得到的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。
上述阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料作为锂离子电池正极材料使用。
本发明具有的优点和积极效果是：
(1)本发明中的Zr/F阴阳离子共同掺杂，可以兼带阴阳离子掺杂带来的协同效应，降低材料的阳离子混排程度，提高材料的放电比容量，提高材料的循环稳定性。
(2)表面包覆含B和W的改性高镍单晶三元材料是含B和含W化合物与高镍单晶三元材料基体表面的残余Li反应，形成Li2O-B2O3和Li2WO4复合包覆的高镍单晶三元材料，这样不仅可以去除高镍材料的水洗过程，而且形成的复合包覆层可以减少材料与电解液之间的接触，进而减少副反应，从而达到改善材料循环性能，提高材料的放电容量，同时也改善材料的内阻，该材料在动力电池领域具有良好的发展前景。
(3)本发明通过掺杂和包覆的协同作用提高了材料的电性能，所提供的Zr/F阴阳离子共同掺杂和表面包覆Li2O-B2O3和Li2WO4复合包覆层的高镍单晶三元材料的制备方法，工艺方法简单可靠，成本低廉，获得的高镍单晶三元材料放电容量、循环性能、内阻得到了明显的改善，适合工业化生产。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明的实施例提供一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、将高镍三元前驱体、锂源、金属氟化物和含锆化合物按照一定的比例混合均匀，得到混合物。
其中，所述锂源与高镍三元前驱体的摩尔比为0.9～1.1，优选为1.04～1.08，更优选为1.06。
所述含锆化合物与高镍三元前驱体的质量比为0.1％～0.5％，优选为0.2％～0.4％，更优选为0.3％。
所述金属氟化物(按F来计算)与高镍三元前驱体的摩尔比为0.01％～0.3％，优选为0.04％～0.2％，更优选为0.1％。
所述高镍三元前驱体为镍钴锰氢氧化物，分子式为NixCoyMn(1-x-y)(OH)2，其中，x＝0.80～0.97mol，y＝0.01～0.2mol。如Ni0.8Co0.1Mn0.1(OH)2、Ni0.83Co0.12Mn00.05(OH)2、Ni0.88Co0.09Mn0.3(OH)2、Ni0.88Co0.08Mn0.04(OH)2、Ni0.9Co0.08Mn0.01(OH)2。
所述锂源选自氢氧化锂、碳酸锂、硝酸锂、氯化锂中的一种或多种，优选选自氢氧化锂和/或碳酸锂，更优选为氢氧化锂。
所述金属氟化物选自YF3、LaF3、ALF3中的一种或多种，优选选自YF3和/或LaF3，更优选为YF3。
所述含锆化合物选自ZrO2、Li2ZrO3、Zr(OH)2、ZrCL4中的一种或多种，优选选自ZrO2和/或Li2ZrO3，更优选为ZrO2。
所述混合转速为500r/min～1100r/min，优选为600r/min～1000r/min，更优选为700r/min-900r/min。
所述混合时间为5min～20min，优选为8min～16min，更优选为10min～12min。
步骤2、将步骤1中得到的混合物，在氧气气氛中先低温预烧再高温煅烧，得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体。
其中，所述氧气气氛中的氧浓度≥90％，优选为≥95％，更优选为≥98％。
所述低温预烧温度为450℃～750℃，优选为500℃～700℃，更优选为550℃～700℃；低温预烧时间为3h～8h，优选为3h～6h，更优选为4h～6h。
所述高温煅烧温度为800℃～880℃，优选为820℃～860℃，更优选为830℃～860℃；所述高温煅烧时间为8h～18h，优选为9h～16h，更优选为10h～14h。
步骤3、将步骤2中得到的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体经过破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；
其中，所述破碎后的单晶的粒度为3.5um～6.0um，优选为4.0um～5.5um，更优选为4.5um～5.5um。
所述过筛筛网为300-500目，如300目。
步骤4、将步骤3中得到的单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体和含硼化合物、含钨化合物混合均匀，然后在氧气条件下进行煅烧，得到阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。
其中，所述含硼化合物的加入量为单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体质量的0.01％～5％，优选为0.02％～3％，更优选为0.03％～2％。
所述含钨化合物的加入量为单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体质量的0.1％～5％，优选为0.15％～3％，更优选为0.2％～2％。
所述含硼化合物为硼酸、偏硼酸、三氧化二硼中的一种或多种，优选为硼酸和/或偏硼酸，最优选为硼酸；
所述含钨化合物为钨酸、偏钨酸、钨酸铵中的一种或多种，优选为钨酸和/或钨酸铵，最优选为钨酸铵；
其中，含硼化合物和含钨化合物可以与材料表面的氢氧化锂或碳酸锂发生反应，生成离子电导率高的Li2O-B2O3和Li2WO4复合包覆层，它能够促进正极材料中的锂离子在电极材料和电解液之间的传递，从而提高材料的比容量、倍率性能以及降低材料的内阻。
所述煅烧温度为230～700℃，优选为250～600℃，更优选为300～500℃。所述煅烧时间为4～15h，优选为6～12h，更优选为6～10h。
本发明中提供的Zr/F阴阳离子共掺杂和表面双包覆改性的高镍单晶三元材料，是通过高镍三元前驱体、锂源、含锆化合物和金属氟化物经过一次煅烧得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体，然后破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的高镍单晶三元材料基体，再将含硼化合物和含钨化合物包覆到单晶颗粒分散均匀的高镍单晶三元材料基体表面二次煅烧得到。材料的放电容量、倍率性能、循环性能和内阻均得到改善，工艺方法简单，成本低廉，利于工业化生产。
以下实施例是为了举例说明的目的提供的，而无意于以任何方式限制本发明。本领域技术人员会容易地识别出可以变化或改变以产生基本上相同的结果的各种非关键性参数。
实施例1
(1)称取200g的Ni0.83Co0.12Mn0.05(OH)2，然后按Li/M的摩尔比为1.06称取氢氧化锂，其中，M为高镍三元前驱体Ni0.83Co0.12Mn0.05(OH)2摩尔数，再加入0.3wt％的ZrO2和0.1mol％YF3，然后将其混合均匀，放入通氧的气氛炉中，先550℃烧结6h，然后860℃烧结10h，得到Zr/F阴阳离子共掺杂的高镍三元材料基体。
(2)将Zr/F阴阳离子共掺杂的高镍三元材料基体进行破碎，然后过300目筛，得到单晶颗粒分散均匀的Zr/F阴阳离子共掺杂的高镍三元材料基体。
(3)称100g的单晶颗粒分散均匀的Zr/F阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体，称取0.05％的硼酸和0.2％的钨酸铵，先将硼酸和钨酸铵混合均匀，然后加入到单晶颗粒分散均匀的Zr/F阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体中，再经过高混机混合均匀，得到混合料。
(4)将上述混合料在氧气气氛下300℃烧结8h，自然降温后，过400目筛，得到Zr/F阴阳离子共掺杂和表面硼、钨双包覆的镍钴锰三元材料。
实施例2
与实施例1相比，只改变了步骤(3)中硼酸的加入量，改为0.01％，其余条件都不变。
实施例3
与实施例1相比，只改变了步骤(3)中硼酸的加入量，改为5％，其余条件都不变。
实施例4
与实施例1相比，只改变了步骤(3)中钨酸铵的加入量，改为0.1％，其余条件都不变。
实施例5
与实施例1相比，只改变了步骤(3)中钨酸铵的加入量，改为5％，其余条件都不变。
实施例6
与实施例1相比，只改变了步骤(4)中的烧结温度，烧结温度为230℃。
实施例7
与实施例1相比，只改变了步骤(4)中的烧结温度，烧结温度为700℃。
对比例1
(1)称取200g的Ni0.83Co0.12Mn0.05(OH)2，然后按Li/M的摩尔比为1.06称取氢氧化锂，其中，M为高镍三元前驱体Ni0.83Co0.12Mn0.05(OH)2的摩尔数，再加入0.3wt％的含ZrO2，然后将其混合均匀，放入通氧的气氛炉中，先550℃烧结6h，然后860℃烧结10h，得到Zr掺杂的高镍单晶三元材料基体。
(2)将Zr掺杂的高镍单晶三元材料基体进行破碎，然后过300目筛，得到单晶颗粒分散均匀的Zr掺杂的高镍单晶三元材料基体。
(3)称100g的单晶颗粒分散均匀的Zr掺杂的高镍单晶三元材料基体，然后加入0.05％的硼酸和0.2％的钨酸铵，先将硼酸和钨酸铵混合均匀，然后经过高混机混合均匀，得到混合料。
(4)将上述混合料在氧气气氛下300℃烧结8h，自然降温后，过400目筛，得到Zr掺杂和表面硼、钨双包覆的高镍单晶三元材料。
对比例2
(1)称取200g的Ni0.83Co0.12Mn0.05(OH)2，然后按Li/M的摩尔比为1.06称取氢氧化锂，其中，M为高镍三元前驱体Ni0.83Co0.12Mn0.05(OH)2的摩尔数，再加入0.1mol％的YF3，然后将其混合均匀，放入通氧的气氛炉中，先550℃烧结6h，然后860℃烧结10h，得到F掺杂的高镍单晶三元材料基体。
(2)将F掺杂的高镍单晶三元材料基体进行破碎，然后过300目筛，得到单晶颗粒分布均匀的F掺杂的高镍单晶三元材料基体。
(3)称100g的单晶颗粒分布均匀的F掺杂的高镍单晶三元材料基体，然后加入0.05％的硼酸和0.2％的钨酸铵，先将硼酸和钨酸铵混合均匀，然后经过高混机混合均匀，得到混合料。
(4)将上述混合料在氧气气氛下300℃烧结8h，自然降温后，过400目筛，得到F掺杂和表面硼、钨双包覆的高镍单晶三元材料。
对比例3
取实施例1中的单晶颗粒分散均匀的Zr/F阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体，不对其进行任何包覆处理。
对比例4
取100g实施例1中的单晶颗粒分散均匀的Zr/F阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体，只加硼酸，包覆硼酸量、烧结条件与实施例1相同。
对比例5
取100g实施例1中的单晶颗粒分散均匀的Zr/F阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体，只加钨酸铵，包覆钨酸铵的量、烧结条件与实施例1相同。
性能测试1
以锂片为负极，分别以实施例1～实施例7制备的阴阳离子共掺杂和表面硼、钨双包覆的镍钴锰三元材料和对比例1～对比例5制备的高镍单晶三元材料为正极，在充满氩气的手套箱中制作扣式电池。电池制作方法为：采用锂片为负极，将实施例1～实施例7制备的Zr/F阴阳离子共掺杂和表面硼、钨双包覆的镍钴锰三元材料和对比例1～对比例5制备的高镍单晶三元材料分别作为正极材料，分别与PVDF、乙炔黑以质量比8：1：1混匀，然后加入N-甲基吡咯烷酮溶剂混匀，得到浆料，其固含量为58％，随后将其均匀涂布在铝箔集流体上，然后烘干，切片，组装电池，分别进行电性能测试。测试结果如表1所示。
其中，分别在0.2C和1C测试放电容量，测试条件为：常温25℃，电压范围是3.0～4.3V。循环性能测试条件为：电压范围是3.0～4.3V，25℃下循环50周。
表1放电容量及循环性能测试数据
从表1中的数据可以看出，与对比例1和对比例2相比，实施例1～实施例7的放电容量和循环性能都更好，这是由于Zr/F阴阳离子共掺杂起到了协同作用，提高了材料的放电容量和循环性能。与对比例3相比，实施例1～实施例7的放电容量和循环性能都更好，这是由于B和W在材料表面形成Li2O-B2O3和Li2WO4等快离子导体的复合包覆层，可以减少材料与电解液之间的副反应，从而改善了材料的放电容量和循环性能；与对比例4相比，双包覆B和W比单包覆B有助于提升材料的放电容量和循环性能；与对比例5相比，双包覆B和W比单包覆W有助于提升材料的放电容量和循环性能。从实施例1、6、7可以看出，随着包覆烧结温度的提高，放电容量降低，但是循环性能得到提升。
最后，与对比例1和对比例2相比，实施例1～实施例7的1C/0.2C的比值较高，这是由于Zr/F阴阳离子共掺杂起到了协同作用，提升了材料的倍率性能；与对比例3相比，实施例1～实施例7的1C/0.2C的比值较高，这是由于B和W在材料表面形成Li2O-B2O3和Li2WO4等快离子导体增加了材料的导电性，从而提高了材料的倍率性能。
因此，阴阳离子共掺杂和表面包覆可以有效提高材料的放电容量、提升材料的倍率性能，同时可以改进材料的循环性能，使材料的电化学性能得到提高。另外，由于该工艺不需要水洗工序，操作简单，价格低廉，可用于工业生产。
性能测试2
以锂片为负极，分别以实施例1～实施例7制备的Zr/F阴阳离子共掺杂和表面硼、钨双包覆的镍钴锰三元材料和对比例1～对比例5制备的高镍单晶三元材料为正极制备扣式电池，进行内阻测试。
表2内阻测试数据
从表2中的数据可以看出，与对比例1和对比例2相比，实施例1～5的内阻明显较小，说明阴阳离子共掺杂，在一定程度上可以降低材料的内阻。
与对比例3相比，实施例1～7的内阻明显比较小，这是由于表面包覆B和W形成了Li2O-B2O3和Li2WO4快离子导体的复合包覆层，提高了材料的导电性，从而减小了材料的内阻。
与对比例4和5相比，可以看出：实施例1～实施例7双包覆的内阻均比只包覆B和只包覆W的内阻小，说明同时复合包覆B和W更有助于减小材料的内阻。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1、将高镍三元前驱体、锂源、金属氟化物和含锆化合物按照一定的比例混合均匀，得到混合物；
步骤2、将步骤1中得到的混合物，在氧气气氛中先低温预烧再高温煅烧，得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；
步骤3、将步骤2中得到的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体经过破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；
步骤4、将步骤3中得到的单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体和含硼化合物、含钨化合物混合均匀，然后在氧气条件下进行煅烧，得到阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。
2.根据权利要求1所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，所述锂源与高镍三元前驱体的摩尔比为0.9～1.1；
所述含锆化合物与高镍三元前驱体的质量比为0.1％～0.5％；
按F来计算，所述金属氟化物与高镍三元前驱体的摩尔比为0.01％～0.3％。
3.根据权利要求1所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，所述高镍三元前驱体为镍钴锰氢氧化物，分子式为NixCoyMn(1-x-y)(OH)2，其中，x＝0.80～0.97mol，y＝0.01～0.2mol；
所述锂源选自氢氧化锂、碳酸锂、硝酸锂、氯化锂中的一种或多种；
所述金属氟化物选自YF3、LaF3、ALF3中的一种或多种。
所述含锆化合物选自ZrO2、Li2ZrO3、Zr(OH)2、ZrCL4中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，所述混合转速为500r/min～1100r/min，所述混合时间为5min～20min。
5.根据权利要求1所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，所述氧气气氛中的氧浓度≥90％；
所述低温预烧温度为450℃～750℃，低温预烧时间为3h～8h；
所述高温煅烧温度为800℃～880℃；所述高温煅烧时间为8h～18h。
6.根据权利要求1所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，所述破碎后的单晶的粒度为3.5um～6.0um；
所述过筛筛网为300-500目。
7.根据权利要求1所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，其特征在于：所述步骤4中，所述含硼化合物的加入量为单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体质量的0.01％～5％；
所述含钨化合物的加入量为单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体质量的0.1％～5％；
所述煅烧温度为230～700℃，所述煅烧时间为4～15h。
8.根据权利要求1所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法，其特征在于：所述步骤4中，所述含硼化合物为硼酸、偏硼酸、三氧化二硼中的一种或多种；
所述含钨化合物为钨酸、偏钨酸、钨酸铵中的一种或多种。
9.一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料，其特征在于：采用权利要求1～8任一项所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料的制备方法制备得到。
10.一种锂离子电池正极材料，其特征在于：包含权利要求9所述的阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。
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