CN113675149A - 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 - Google Patents
一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113675149A CN113675149A CN202110911975.XA CN202110911975A CN113675149A CN 113675149 A CN113675149 A CN 113675149A CN 202110911975 A CN202110911975 A CN 202110911975A CN 113675149 A CN113675149 A CN 113675149A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- material sheet
- packaging material
- lead frame
- chip
- compounded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，包括：下封装料片；定位组件，复合于所述下封装料片顶部；引线框架，设置于所述定位组件顶部；芯片，焊接于所述引线框架顶部中心位置；高分子高弹膜，复合于所述定位组件顶部；上封装料片，复合于所述高分子高弹膜顶部，所述上封装料片与下封装料片复合对引线框架和芯片封闭。本发明在实际使用时，可为上封装料片释放内应力提供释放空间，避免引起集成电路变形或表面开裂，绝缘性得到保证，对引起芯片与引线框架实施定位，保证了引线框架与芯片的电性连接，延长了集成电路的使用寿命，扩大上封装料片的表面积，使散热性得到提高。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，具体为一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片。
背景技术
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。集成电路主要由引线框架、芯片和封装料片组成；
封装料片作为引线框架和芯片的外包体，主要是由环氧树脂原料构成，具有耐化学品性优良，尤其是耐碱性，具有较好的耐热性和电绝缘性，漆膜保色性较好等优点。但是，同样也存在着一定弊端，封装料片属于高分子塑料，在成型后，内部具有较大的内应力，在释放的过程中，容易引起集成电路变形或表面开裂，绝缘性难以保证，易引起芯片与引线框架的错位，缩短了集成电路的使用寿命，尤其影响大型的集成电路，另外，封装料片的表面积有限，散热性无法进一步提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，以至少解决现有技术封装料片释放内应力时容易出现变形或开裂的现象，芯片与引线框架连接不够稳定，缩短集成电路使用寿命，以及散热性差的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，包括：下封装料片；定位组件，复合于所述下封装料片顶部；引线框架，设置于所述定位组件顶部；芯片，焊接于所述引线框架顶部中心位置；高分子高弹膜，复合于所述定位组件顶部；上封装料片，复合于所述高分子高弹膜顶部，所述上封装料片与下封装料片复合对引线框架和芯片封闭；
所述定位组件包括：底座，复合于所述下封装料片的顶部，所述底座的上表面开设有引线框架槽，所述引线框架内嵌于引线框架槽的内腔；支撑杆，数量为两个，一端分别固定连接于底座的上表面前后两侧中心位置；定位框，固定连接于所述支撑杆的另一端，所述芯片可插接于定位框的内腔。
优选的，所述上封装料片的上表面呈波浪形。
优选的，所述底座和定位框的外壁四角均呈弧形。
优选的，所述定位框与底座之间的间距大于引线框架的厚度。
优选的，所述高分子高弹膜的上表面固定连接有呈环形排布的第一高分子高弹条。
优选的，所述高分子高弹膜的上表面四周等距安装有第二高分子高弹条。
本发明提出的一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，有益效果在于：集成电路生产时，引线框架存放于引线框架槽内，芯片存放在定位框内，防止引线框架与芯片之间错位，保证引线框架与芯片引脚连接的稳定性，高分子高弹膜具有高弹特性，在上封装料片释放内应力时，高分子高弹膜能为上封装料片提供释放空间，避免上封装料片释放内应力时直接压迫引线框架和芯片，防止上封装料片开裂，由于底座和定位框的边角为弧形，不具有尖角，可防止上封装料片的内应力集中，上封装料片上表面为波浪形，扩大上表面表面积，进而提升散热性能，因此，在实际使用时，可为上封装料片释放内应力提供释放空间，避免引起集成电路变形或表面开裂，绝缘性得到保证，对引起芯片与引线框架实施定位，保证了引线框架与芯片的电性连接，延长了集成电路的使用寿命，扩大上封装料片的表面积，使散热性得到提高。
附图说明
图1为本发明爆炸图；
图2为本发明定位组件结构示意图；
图3为本发明实施例1的高分子高弹膜图；
图4为本发明实施例2的高分子高弹膜图。
图中：1、下封装料片，2、定位组件，21、底座，22、引线框架槽，23、支撑杆，24、定位框，3、引线框架，4、芯片，5、高分子高弹膜，6、上封装料片，7、第一高分子高弹条，8、第二高分子高弹条。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，包括下封装料片1、定位组件2、引线框架3、芯片4、高分子高弹膜5和上封装料片6，定位组件2复合于下封装料片1顶部，引线框架3设置于定位组件2顶部，芯片4焊接于引线框架3顶部中心位置，高分子高弹膜5复合于定位组件2顶部，高分子高弹膜5由高弹合成橡胶制成，通过其高弹特性，为上封装料片6提供内应力释放空间，上封装料片6复合于高分子高弹膜5顶部，通过上封装料片6与下封装料片1的配合对引线框架3和芯片4封闭，对其实施保护，上封装料片6与下封装料片1复合对引线框架3和芯片4封闭，上封装料片6的上表面呈波浪形，扩大其表面积，提高散热效果；
定位组件2包括底座21、引线框架槽22、支撑杆23和定位框24，底座21复合于下封装料片1的顶部，底座21的上表面开设有引线框架槽22，对引线框架3实施定位，引线框架3内嵌于引线框架槽22的内腔，支撑杆23数量为两个，一端分别固定连接于底座21的上表面前后两侧中心位置，定位框24固定连接于支撑杆23的另一端，对芯片4实施定位，防止芯片4与引线框架3之间出现错位，芯片4可插接于定位框24的内腔。
作为优选方案，更进一步的，底座21和定位框24的外壁四角均呈弧形，防止底座21和定位框24存在尖锐部分而引起上封装料片6的内应力集中，使上封装料片6的内应力均匀释放。
作为优选方案，更进一步的，定位框24与底座21之间的间距大于引线框架3的厚度，为引线框架3放入引线框架槽22内提供足够的空间。
作为优选方案，更进一步的，高分子高弹膜5的上表面固定连接有呈环形排布的第一高分子高弹条7，通过第一高分子高弹条7增大上封装料片6实心部分的释放空间，适用于小型集成电路使用。
实施例2请参阅图1、2和4，本发明提供一种技术方案：一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，包括下封装料片1、定位组件2、引线框架3、芯片4、高分子高弹膜5和上封装料片6，定位组件2复合于下封装料片1顶部，引线框架3设置于定位组件2顶部，芯片4焊接于引线框架3顶部中心位置，高分子高弹膜5复合于定位组件2顶部，高分子高弹膜5由高弹合成橡胶制成，通过其高弹特性，为上封装料片6提供内应力释放空间，上封装料片6复合于高分子高弹膜5顶部，通过上封装料片6与下封装料片1的配合对引线框架3和芯片4封闭，对其实施保护，上封装料片6与下封装料片1复合对引线框架3和芯片4封闭，上封装料片6的上表面呈波浪形，扩大其表面积，提高散热效果；
定位组件2包括底座21、引线框架槽22、支撑杆23和定位框24，底座21复合于下封装料片1的顶部，底座21的上表面开设有引线框架槽22，对引线框架3实施定位，引线框架3内嵌于引线框架槽22的内腔，支撑杆23数量为两个，一端分别固定连接于底座21的上表面前后两侧中心位置，定位框24固定连接于支撑杆23的另一端，对芯片4实施定位，防止芯片4与引线框架3之间出现错位，芯片4可插接于定位框24的内腔。
作为优选方案，更进一步的，底座21和定位框24的外壁四角均呈弧形，防止底座21和定位框24存在尖锐部分而引起上封装料片6的内应力集中，使上封装料片6的内应力均匀释放。
作为优选方案，更进一步的，定位框24与底座21之间的间距大于引线框架3的厚度，为引线框架3放入引线框架槽22内提供足够的空间。
作为优选方案，更进一步的，高分子高弹膜5的上表面四周等距安装有第二高分子高弹条8，通过第二高分子高弹条8全面提升高分子高弹膜5的表面积，确保大型集成电路中的上封装料片6实心部分释放内应力具有足够的空间。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，其特征在于，包括：
下封装料片(1)；
定位组件(2)，复合于所述下封装料片(1)顶部；
引线框架(3)，设置于所述定位组件(2)顶部；
芯片(4)，焊接于所述引线框架(3)顶部中心位置；
高分子高弹膜(5)，复合于所述定位组件(2)顶部；
上封装料片(6)，复合于所述高分子高弹膜(5)顶部，所述上封装料片(6)与下封装料片(1)复合对引线框架(3)和芯片(4)封闭；
所述定位组件(2)包括：
底座(21)，复合于所述下封装料片(1)的顶部，所述底座(21)的上表面开设有引线框架槽(22)，所述引线框架(3)内嵌于引线框架槽(22)的内腔；
支撑杆(23)，数量为两个，一端分别固定连接于底座(21)的上表面前后两侧中心位置；
定位框(24)，固定连接于所述支撑杆(23)的另一端，所述芯片(4)可插接于定位框(24)的内腔。
2.根据权利要求1所述的一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，其特征在于：所述上封装料片(6)的上表面呈波浪形。
3.根据权利要求1所述的一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，其特征在于：所述底座(21)和定位框(24)的外壁四角均呈弧形。
4.根据权利要求1所述的一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，其特征在于：所述定位框(24)与底座(21)之间的间距大于引线框架(3)的厚度。
5.根据权利要求1所述的一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，其特征在于：所述高分子高弹膜(5)的上表面固定连接有呈环形排布的第一高分子高弹条(7)。
6.根据权利要求1所述的一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，其特征在于：所述高分子高弹膜(5)的上表面四周等距安装有第二高分子高弹条(8)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110911975.XA CN113675149B (zh) | 2021-08-09 | 2021-08-09 | 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110911975.XA CN113675149B (zh) | 2021-08-09 | 2021-08-09 | 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113675149A true CN113675149A (zh) | 2021-11-19 |
| CN113675149B CN113675149B (zh) | 2024-04-02 |
Family
ID=78542047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110911975.XA Active CN113675149B (zh) | 2021-08-09 | 2021-08-09 | 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113675149B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117153804A (zh) * | 2023-10-25 | 2023-12-01 | 广州市番禺申宁五金电子有限公司 | 一种具有定位机构利于使用的引线框架 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100072585A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Alpha & Omega Semiconductor Incorporated | Top exposed clip with window array |
| CN112216669A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-01-12 | 安徽龙芯微科技有限公司 | 一种高稳定性的封装引线框架及封装件生产方法 |
| CN213401186U (zh) * | 2020-11-18 | 2021-06-08 | 东莞市佳骏电子科技有限公司 | 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 |
-
2021
- 2021-08-09 CN CN202110911975.XA patent/CN113675149B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100072585A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Alpha & Omega Semiconductor Incorporated | Top exposed clip with window array |
| CN112216669A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-01-12 | 安徽龙芯微科技有限公司 | 一种高稳定性的封装引线框架及封装件生产方法 |
| CN213401186U (zh) * | 2020-11-18 | 2021-06-08 | 东莞市佳骏电子科技有限公司 | 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117153804A (zh) * | 2023-10-25 | 2023-12-01 | 广州市番禺申宁五金电子有限公司 | 一种具有定位机构利于使用的引线框架 |
| CN117153804B (zh) * | 2023-10-25 | 2024-01-05 | 广州市番禺申宁五金电子有限公司 | 一种具有定位机构利于使用的引线框架 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113675149B (zh) | 2024-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100378972C (zh) | 散热器及使用该散热器的封装体 | |
| KR101398404B1 (ko) | 기계적으로 분리된 리드 부착물을 갖는 플라스틱오버몰딩된 패키지들 | |
| CN102420217A (zh) | 多芯片半导体封装体及其组装 | |
| US9147600B2 (en) | Packages for multiple semiconductor chips | |
| US20070164411A1 (en) | Semiconductor package structure and fabrication method thereof | |
| US20120306064A1 (en) | Chip package | |
| CN113675149A (zh) | 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 | |
| CN103531560A (zh) | 芯片的封装结构及其制造方法 | |
| CN101471307A (zh) | 半导体封装体及其制造方法 | |
| CN201490179U (zh) | 电路板结构 | |
| CN215911397U (zh) | 包封针翅型功率模块的模具 | |
| CN114121680A (zh) | 一种多芯片立体化封装结构及封装方法 | |
| CN101499444B (zh) | 散热型多穿孔半导体封装构造 | |
| CN112420532B (zh) | 无引脚dfn封装器件的封装工艺 | |
| CN208706626U (zh) | 一种半导体晶圆封装结构 | |
| CN107492527B (zh) | 具有顺应性角的堆叠半导体封装体 | |
| CN1303675C (zh) | 四方形平面无管脚式半导体封装结构及制造方法 | |
| CN213242543U (zh) | 一种增加芯片面积的引线框架封装结构 | |
| CN220358072U (zh) | 封装结构 | |
| US20230275008A1 (en) | Semiconductor package with overlapping leads and die pad | |
| CN220420571U (zh) | 功率模块 | |
| CN218333789U (zh) | 衬底和半导体器件 | |
| CN219226284U (zh) | 引线框架 | |
| CN217822784U (zh) | 芯片封装结构及功率芯片 | |
| JPH08505266A (ja) | 配置可能接着剤によりシールされた電子パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |