CN113463073A - 降低可见度的导电微网格触摸传感器 - Google Patents

降低可见度的导电微网格触摸传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN113463073A
CN113463073A CN202010933396.0A CN202010933396A CN113463073A CN 113463073 A CN113463073 A CN 113463073A CN 202010933396 A CN202010933396 A CN 202010933396A CN 113463073 A CN113463073 A CN 113463073A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
catalytic
layer
copper layer
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010933396.0A
Other languages
English (en)
Inventor
R·劳思
M·莫里欧尼
J·霍索恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Future Technology Fund Co Ltd
Original Assignee
Future Technology Fund Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Future Technology Fund Co Ltd filed Critical Future Technology Fund Co Ltd
Publication of CN113463073A publication Critical patent/CN113463073A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper
    • C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
    • C23C18/405—Formaldehyde
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1689—After-treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G03F7/0957—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer with sensitive layers on both sides of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B31—MAKING ARTICLES OF PAPER, CARDBOARD OR MATERIAL WORKED IN A MANNER ANALOGOUS TO PAPER; WORKING PAPER, CARDBOARD OR MATERIAL WORKED IN A MANNER ANALOGOUS TO PAPER
    • B31F—MECHANICAL WORKING OR DEFORMATION OF PAPER, CARDBOARD OR MATERIAL WORKED IN A MANNER ANALOGOUS TO PAPER
    • B31F1/00—Mechanical deformation without removing material, e.g. in combination with laminating
    • B31F1/07—Embossing, i.e. producing impressions formed by locally deep-drawing, e.g. using rolls provided with complementary profiles
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

一种用于制造具有降低的可见度的金属导线网格触摸传感器的方法。在透明衬底上形成金属导线网格，使得金属导线的表面被粗糙化或纹理化，从而引起入射光的高散射，由此最小化朝向用户的镜面反射光。金属线形成在图案化的催化光致抗蚀剂之上。通过使催化光致抗蚀剂粗糙化或纹理化、通过选择铜的化学镀的参数、或通过两者来实现金属导线的粗糙化或纹理化的表面。约50nm的RMS表面粗糙度将散射在30°入射的入射青色光的大约70％。

Description

降低可见度的导电微网格触摸传感器
技术领域
本公开一般地涉及触摸传感器领域。更特别地，本公开涉及用于触摸屏的金属微网格触摸传感器。
背景技术
触摸屏使能系统允许用户通过屏幕上的手指触摸或触摸笔运动来控制系统的各个方面。用户可以通过由触摸传感器感测的手指或触摸笔与显示器设备上描绘的一个或多个对象直接交互。触摸传感器通常包括设置在衬底上的导电图案，导电图案被配置成感测手指或触摸笔的精确位置。触摸屏通常用于消费者、商业和工业系统。
触摸屏的导电图案传统上由诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料制成。然而，随着多点触摸屏系统和大型显示器的出现，有利的是具有高导电微网格系统，例如，使用铜细线的导电微网格系统。铜是比ITO好得多的导体。然而，包括金属网格触摸传感器的高导电微网格系统面临着许多挑战。例如，金属网格触摸传感器的一个大挑战是对终端用户的眼睛的可见度。在某些角度，特别是在强光或户外，导电网格触摸传感器的金属线可能是高度反射的并且分散终端用户的注意力。
通常希望降低金属网格触摸传感器应用中的导电图案的可见度。可见度涉及在正常操作条件下导电图案本身对终端用户的可见度，其可以包括当下层显示器设备开启时和当下层显示器设备关闭时的评估。可见度可以根据环境照明的类型而改变。
环境光源可以具有各种强度和角度光分布。阴天或具有漫射器的荧光灯是低强度、广角度光分布的示例。窄角度、高强度光源包括基本上为准直光的太阳、以及封装在抛物面反射器中的各种卤素和LED光源。称为MR16和PAR30的LED和卤素灯可以具有从15度至45度范围内的光分布角度，并且提供不同温度(频率)的光。
在显示器关闭的情况下，照射触摸屏的窄角度、高强度光源将产生最苛刻的条件。鉴于从面向终端用户的导电图案金属网格迹线的平坦顶表面离开的光主要为镜面反射，金属网格线变得更加可见。此外，形成金属网格的一般工艺自然导致具有平滑表面光洁度的金属线，其产生入射光的镜面反射。
由于导体的特征尺寸和几何形状、所反射的颜色、导体反射率、和/或导电图案或施加到导电图案的钝化层的光学散射现象，可以使得导电图案对于最终用户更可见。
铜和铜合金提供高电导率、高柔性、低材料成本以及易于化学镀和电镀。因此，在金属导电图案中使用铜或铜合金作为基底金属可能是理想的。然而，在导电图案中使用铜或铜合金存在许多挑战。例如，从铜或铜合金反射的光呈现铜颜色，使得在正常操作条件下导电图案对于终端用户更可见。此外，铜或铜合金在暴露于环境条件时易于表面氧化，并且在某些环境条件下易于腐蚀。
关于可靠性和环境性能度量，导电图案随着时间的推移易于因使用和其他原因而劣化。取决于劣化的类型，可靠性可能受到在连续操作时电开路或电短路的发展的影响。因此，导电图案或其中可以设置导电图案的触摸传感器的可靠性、功能性和可使用寿命可能显著降低。劣化可能由于氧化、日常使用、电迁移、空气传播、基于溶液或基于液体的暴露于环境和/或暴露于腐蚀剂(诸如软饮料、咖啡、油、体液、酸、腐蚀剂、大气污染物、环境污染物、盐水或具有诸如盐、矿物质或离子的污染物的水)而发生。
为了解决铜的可见度和可靠性的问题，可以在铜或铜合金上沉积氧化物或硫化物层。氧化物或硫化物层将颜色改变为更暗的颜色，从而降低铜导体的反射率和颜色。这个过程也可以被称为黑化。可以通过化学反应的引发和停止形成氧化物层(也可以称为处理层或反应层)。该化学反应可以由硒化合物、硫酸盐化合物或三唑化合物引发。用于施加反应物的机制可以是喷雾或浸渍工艺，其中任何一种都可以与上述化合物一起使用。施加反应物，并且反应可以继续，直到通过清洗工艺去除反应物而停止。
然而，这些层在工艺中消耗铜或铜合金的大部分，潜在地减少了电导率并且增加了电阻率，并且潜在地变成绝缘体。因此，铜或铜合金必须较厚(例如，大于5微米)才能开始，因为大量的铜或铜合金被消耗。然而，尤其是当通过化学镀工艺沉积铜或铜合金时，具有这种厚度的铜或铜合金可能导致应力、差的粘附性和其他失效模式。此外，铜或铜合金可能易于电迁移。因此，在由铜或铜合金构成的导电图案中难以实现微米精细特征尺寸。该方法的另一个缺点是控制氧化物或硫化物层的厚度均匀性，这进而影响反射光的反射率和颜色。不均匀反射的导体图案对于终端用户来说可能是令人反感的。
降低铜导体的可见度并且提高其可靠性的替代方法是在铜的顶部镀覆第二金属，通常是钯或镍。10至50纳米厚的第二金属层足以消除铜颜色反射。来自钯或镍涂层的反射光颜色是中性灰色。通过化学镀工艺形成钯或镍层消耗较少的下层铜，从而允许使用较薄的初始铜层。只要沉积10纳米的最小厚度，第二金属的反射颜色的均匀性对厚度变化不太敏感。另外，钯或镍是反应性较低的金属，并且为下层铜提供钝化层。
钯或镍涂覆消除了铜颜色反射，并且产生了较不可见的灰色均匀反射。然而，钯或镍具有大于百分之80的高反射率值，并且不能消除或降低在高环境光下的整体镜面反射。金属涂覆的导体通常具有面向最终用户的具有高光泽表面光洁度的平坦表面。结果，入射光的大部分从导体表面镜面反射。鉴于从导体表面镜面反射的光的高百分比，特别是在窄角度、高环境光和显示器关闭条件下，金属网格导体将对终端用户可见。
因此，在本领域中需要一种改进的金属网格触摸传感器，其在任何照明情况下对于用户来说都是尽可能不可见的。
发明内容
包括了本公开的以下发明内容以提供对本发明的一些方面和特征的基本理解。该发明内容不是本发明的详尽综述，因此它并不旨在特别地标识本发明的关键或重要要素或描绘本发明的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本发明的一些概念，作为以下呈现的更详细描述的序言。
所公开的实施例通过导体平坦表面的纳米级粗糙化或纹理化来显著地降低镜面反射光的百分比。纳米粗糙化或纹理化将增加入射光的散射量，从而降低朝向用户镜面反射的光的量。
在一些实施例中，提供了一种用于制造具有降低的可见度的金属导线网格触摸传感器的方法。在透明衬底上形成金属导线网格，使得金属导线的表面被粗糙化或纹理化，从而引起入射光的高度散射，由此最小化朝向用户的镜面反射光。金属线形成在图案化的催化光致抗蚀剂之上。通过粗糙化或纹理化催化光致抗蚀剂、通过选择铜的化学镀的参数以控制镀敷的铜的表面粗糙度、或通过这两者的组合来实现金属导线的粗糙或纹理化的表面。约50nm的RMS表面粗糙度将散射在30°入射的入射青色光的大约70％。
在一些实施例中，提供了一种触摸传感器，包括：透明衬底；衬底的第一表面之上的第一催化光致抗蚀剂图案；衬底的第二表面之上的第二催化光致抗蚀剂图案；第一催化光致抗蚀剂图案之上的第一铜层，第一铜层具有至少20nm的RMS表面粗糙度；第二催化光致抗蚀剂图案之上的第二铜层，第二铜层具有至少20nm的RMS表面粗糙度；第一铜层之上的第一钝化层；以及，第二铜层之上的第二钝化层。
在所公开的实施例中，提供了一种触摸屏，包括显示屏、显示屏之上的触摸传感器以及盖玻璃，其中，触摸屏包括：透明衬底；衬底的第一表面之上的第一催化光致抗蚀剂图案；衬底的第二表面之上的第二催化光致抗蚀剂图案；第一催化光致抗蚀剂图案之上的第一铜层，第一铜层具有至少20nm的RMS表面粗糙度；第二催化光致抗蚀剂图案之上的第二铜层，第二铜层具有至少20nm的RMS表面粗糙度；第一铜层之上的第一钝化层；以及，第二铜层之上的第二钝化层。
根据另外的实施例，提供了一种用于制造触摸传感器的系统，该系统包括：支撑衬底膜的卷的供应辊；沉积站，沉积站在衬底膜的第一表面和第二表面之上形成催化光致抗蚀剂层，其中，催化光致抗蚀剂包括光致抗蚀剂和催化纳米颗粒的组合物；第一压花站，第一压花站具有第一压花辊和第一支承辊，第一压花辊具有粗糙化或纹理化的表面并且位于衬底膜的第一表面之上；第二压花站，第二压花站具有第二压花辊和第二支承辊，第二压花辊具有粗糙化或纹理化的表面并且位于衬底膜的第二表面之上；曝光站，曝光站具有产生UV光束的UV光源、将UV光束分成两个子束并且将一个子束引导朝向第一表面并且将第二子束引导朝向第二表面的光学元件。
根据所公开的方面，提供了一种用于制造金属网格触摸传感器的方法，该方法包括：提供柔性衬底膜的卷；使衬底膜通过沉积站并且在衬底膜的第一表面和第二表面之上形成催化光致抗蚀剂层，其中，催化光致抗蚀剂包括光致抗蚀剂和催化纳米颗粒的组合物；使衬底膜通过具有第一压花辊和第一支承辊的第一压花站，第一压花辊具有粗糙化或纹理化的表面，由此使第一表面上的催化光致抗蚀剂层粗糙化或纹理化；使衬底膜通过具有第二压花辊和第二支承辊的第二压花站，第二压花辊具有粗糙化或纹理化的表面，由此使第二表面上的催化光致抗蚀剂层粗糙化或纹理化；使衬底膜通过曝光站，并且通过使催化光致抗蚀剂层通过图案化掩模暴露于UV光，而将图案转移到催化光致抗蚀剂层上；对催化光致抗蚀剂进行显影以形成图案化的光致抗蚀剂；通过化学镀在图案化的光致抗蚀剂之上形成铜层；以及在铜层之上形成钝化层。
附图说明
从参考以下附图所作的详细描述中，本发明的其他方面和特征将变得显而易见。应当理解，详细描述和附图提供了本发明的各种实施例的各种非限制性示例，本发明的各种实施例由所附权利要求限定。
并入本说明书并构成本说明书的一部分的附图例示了本发明的实施例，并且与描述一起用于解释和示出本发明的原理。附图旨在以图解的方式示出示例性实施例的主要特征。附图并非旨在描绘实际实施例的每个特征，也并非旨在描绘所描绘的元件的相对尺寸，并且并非按比例绘制的。
图1是示出了显示算术平均差和RMS表面粗糙度的粗糙度测量的图。
图2示出了在30°入射的青色光的入射光散射的曲线图。
图3A-3E示出了根据实施例的用于制造用于触摸传感器的金属导线网格的工艺。
图4示出了根据实施例的膜厚度相对于镀覆时间的曲线图。
图5是示出了根据实施例的表面粗糙度相对于沉积时间的表格。
图6示出了根据实施例的用于制造触摸传感器的工艺流程，而图6A示出了通过图6的工艺获得的结构的示例。
图7示出了根据实施例的用于在衬底的两侧上制造纹理化或粗糙化的催化光致抗蚀剂的布置。
图8是根据实施例的触摸屏的截面。
具体实施方式
现在将参考附图描述本发明的金属网格触摸传感器的实施例。不同的实施例或它们的组合可以用于不同的应用或实现不同的益处。根据寻求实现的结果，本文公开的不同特征可以单独或与其他特征组合而部分地或完全地利用，从而平衡优点与要求和约束。因此，将参考不同的实施例突出某些益处，但并不限于所公开的实施例。也就是说，本文公开的特征不限于在其中描述它们的实施例，而是可以与其他特征“混合和匹配”并且并入其他实施例中。
所公开的实施例利用粗糙化或纳米纹理化以将将入射光散射，从而避免朝向用户的反射。表面光洁度和结构的类型将确定散射是均匀的(朗伯)还是具有方向偏好(非朗伯)。为了降低导电图案对终端用户的可见度，优选朗伯散射表面。较少量的入射光将被反射到终端用户，并且不管入射光的角度或终端用户观看导电图案的角度如何，反射光的量将保持恒定。
朗伯反射器表面可以使用具有随机定位以及高度变化的峰和谷的粗糙表面来近似。表面粗糙度通常被指定为所评估的轮廓(Ra)的算术平均差。如图1所示，RMS表面粗糙度(Rq)与Rq＝1.41*Ra的平均差有关。随机粗糙表面散射的光的总量近似为：
Figure BDA0002671049220000061
其中，TIS是总积分散射，Rq是RMS表面粗糙度[nm]，Ro是表面的理论反射率，θ是入射光的角度(从表面的法线测量，即从传感器的表面的法线测量，角度是90°-θ)，并且λ是光的波长[nm]。
图2示出了在θ＝30°入射的青色光(λ＝500nm，即在绿色和蓝色之间的中间)的入射光散射的曲线图。对于50nm的RMS表面粗糙度，入射光的大约70％被散射，这是Ra＝35.5。因此，本公开的方面包括形成用于触摸传感器的金属导线网格，其中金属导线的表面被粗糙化或纹理化。可以通过粗糙化金属导线下方的层、在形成金属导线的同时产生粗糙表面、或两者来建立粗糙表面。以下是用于触摸传感器的金属导线网格的制造的示例，其中，金属导线的表面被粗糙化或纹理化。
图3A-图3E示出了根据实施例的金属导线网格触摸传感器的制造。应当理解，图3A-图3E的截面是传感器的一小部分的放大视图。在图3A中，透明衬底300可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、乙酸纤维素(“TAC”)、脂环族烃(“COP”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)、聚酰亚胺(“PI”)、双轴取向聚丙烯(“BOPP”)、聚酯、聚碳酸酯、玻璃、它们的共聚物、共混物或组合。在其他实施例中，透明衬底300可以是适合用作触摸传感器衬底的任何其他透明材料，例如鹰玻璃、柔性玻璃和石英。透明衬底300的成分可以基于应用或设计而变化。
光致抗蚀剂层305沉积在衬底300上。为了简单起见，在图3中，仅在衬底的一侧上示出处理，但是可以处理两侧以在衬底的两侧上产生金属导线网格。光致抗蚀剂层305由催化光致抗蚀剂组合物制成，其可以包括正性或负性光致抗蚀剂组分和可以包括催化纳米颗粒的催化组分。在一些实施例中，负性光致抗蚀剂可以是有利的。在一些实施例中，负性光致抗蚀剂可以是丙烯酸酚醛聚合物。在其他示例中，负性光致抗蚀剂可以是丙烯酸、环氧树脂、聚氨酯或一种或多种上述成分的组合。负性光致抗蚀剂可以根据本公开的一些实施例而变化。
催化纳米颗粒嵌入光致抗蚀剂中，以形成用于金属(例如，铜)的化学镀沉积的成核位点。通过在光致抗蚀剂组合物中具有催化纳米颗粒，并且然后使光致抗蚀剂图案化，催化纳米颗粒将仅在显影的光致抗蚀剂之上形成成核位点，以便形成网格设计。催化纳米颗粒可以由例如银纳米颗粒制成。
在某些实施例中，催化光致抗蚀剂组合物220可以包括在大约30重量百分比与大约95重量百分比之间的范围内的负性光致抗蚀剂组分含量和在大约5重量百分比与大约70重量百分比之间的范围内的催化剂组分含量。在其他实施例中，催化光致抗蚀剂组合物220可以包括在大约50重量百分比与大约70重量百分比之间的范围内的负性光致抗蚀剂组分含量和在大约30重量百分比与大约50重量百分比之间的范围内的催化剂组分含量。
在一些实施例中，催化纳米颗粒的尺寸可以为从5至250纳米的范围，例如，催化纳米颗粒可以具有15至25纳米的尺寸。纳米颗粒可以是诸如银的金属。例如，光致抗蚀剂可以是注入有银纳米颗粒的基于环氧树脂的负性抗蚀剂SU8。
催化纳米颗粒组合物可以通过诸如凹版印刷、反向凹版印刷、狭缝模头、喷涂、柔性版印刷或迈耶棒技术的许多技术施加到衬底上。干燥和烘烤后的催化纳米颗粒组合物的厚度可以在从1至100微米的范围内。例如，催化纳米颗粒组合物可以具有5至25微米的厚度。
当沉积时，催化光致抗蚀剂呈现RMS粗糙度小于1nm并且总高度变化仅为2nm的非常平滑的表面。根据以上公开的TIS模型，具有该RMS粗糙度的反射表面将散射小于5％的入射光。入射光的大部分将被镜面反射，从而增强金属导线网格的可见度。可以采用各种表面处理来增加光致抗蚀剂的RMS粗糙度。在图3B中，催化光致抗蚀剂305可以经历软烘烤以去除在光致抗蚀剂涂覆工艺期间使用的大部分溶剂。然后，通过化学刻蚀、电弧等离子体或压花来使催化光致抗蚀剂的表面粗糙化，如以下将详细描述的。
在一个实施例中，采用湿法化学刻蚀来使光致抗蚀剂305的表面粗糙化。在一个实施例中，将具有光致抗蚀剂的衬底在50℃下浸没在硝酸铈铵刻蚀溶液中一小时。这种湿法刻蚀产生1nm至3nm的RMS粗糙度。
根据另一实施例，使用等离子体干法刻蚀来使光致抗蚀剂的表面粗糙化。在一个实施例中，使用低频(40kHz)RF-等离子体室和0.4毫巴的氧压力，将光致抗蚀剂暴露于氧等离子体处理。在约八分钟的等离子体刻蚀时间的处理中，可以实现3nm到6nm的RMS粗糙度。
根据又一实施例，采用低温、大气氩等离子体处理。然而，应当注意，氩等离子体刻蚀不如氧等离子体刻蚀有效，因为氩等离子体工艺是物理溅射工艺，而氧等离子体刻蚀还涉及化学反应。
根据再一实施例，使用压花来使光致抗蚀剂的表面粗糙化或纹理化。根据实施例，使用热转移辊将辊的表面形貌转移到光致抗蚀剂，同时还控制整个辊表面上的温度。可以设计热转移辊以将整个辊面上的温度控制在+/-1℉内。
在实施例中，通过使热转移辊的表面粗糙化来制备热转移辊。在实施例中，通过受控喷砂进入镀硬铬的沉积物中，产生热转移辊的RMS表面粗糙度，从而产生无光泽光洁度。一般而言，无光泽光洁度可以分为3种粗糙度类别：
轻微无光泽：20～40Ra；
中等无光泽：40～60Ra；以及
粗糙无光泽：超过60Ra。
在实施例中，通过调节热转移辊温度，使得光致抗蚀剂高于其非交联熔点55℃，并且在热转移辊与支承辊之间用例如10PSI的辊压力热压花，从而实现压花工艺。与化学刻蚀或电弧等离子体纹理化方法相比，压花方法可以实现较高的RMS粗糙度。顺便提及，支承辊可以具有平滑的表面。
在实施例中，图3A和图3B中所示的步骤在卷到卷处理系统中执行。在实施例中，使用卷到卷涂覆系统在聚合物膜衬底上沉积光致抗蚀剂层，并且使用卷到卷干燥炉软烘烤光致抗蚀剂。此外，可以在干燥炉之后增加加热的压花辊和支承辊站。应当使用50至60nm的最小RMS表面粗糙度以确保入射光的大部分将被散射并且补偿由于铜层的厚度而引起的一些平滑。化学镀的铜层将为400至800nm厚。镀铜层将遵循纹理化的光致抗蚀剂层的轮廓；但是将使更尖锐的峰和谷变得平滑。第二金属(或钝化)层小于50nm并且基本上不改变RMS表面粗糙度。
如上所述，在实施例中，可以制造衬底的两侧以在衬底的两侧上提供金属导线网格。因此，可以使用单独加热的压花辊和支承辊站来对相对侧的光致抗蚀剂层进行压花。在实施例中，在压花站之间提供间隔，以允许在压花第一表面之后并且在压花相对表面之前冷却第一表面。该间隔将取决于所需的冷却时间和涂覆系统的卷材速度。
在图3C中，该工艺进行到使光致抗蚀剂图案化。通过将光致抗蚀剂通过掩模选择性地暴露于UV光，使压花表面光致抗蚀剂涂覆膜图案化。然后使用标准光致抗蚀剂显影工艺对暴露的光致抗蚀剂显影。在一些实施例中，显影剂可以包括水基碱性溶液。在其他实施例中，例如，显影剂可以包括诸如CarbitolTM或DowanolTM的有机溶剂。根据本公开的一些实施例，显影剂的组成可以随着催化光致抗蚀剂组合物而变化。
在图3D中，该工艺进行到形成金属网格310。在实施例中，金属网格310由铜或铜合金制成。在实施例中，铜或铜合金被化学镀在催化光致抗蚀剂305之上。如上所述，光致抗蚀剂305内的催化纳米颗粒形成用于化学镀的成核位点，使得铜仅镀覆在催化光致抗蚀剂之上，由此形成网格的图案。
形成网格310的铜是反射性的，并且呈微红色。而且，铜可能容易氧化并且也容易迁移。因此，在图3E中，该工艺进行到一次镀覆第二金属层315，第二金属层315可以用作钝化层、保护层和反射降低层。在实施例中，钯或镍的第二金属被化学镀在铜层上，以将反射光颜色改变为中性灰色并且钝化铜层。
因此，提供了一种用于制造用于触摸传感器的金属网格的方法，该方法包括：提供透明衬底，在衬底的至少一个表面上形成催化光致抗蚀剂层，使光致抗蚀剂的表面粗糙化或纹理化，图案化光致抗蚀剂以产生图案化光致抗蚀剂，用第一金属层镀覆光致抗蚀剂，并且用第二金属层镀覆第一金属层。催化光致抗蚀剂可以是光致抗蚀剂和催化纳米颗粒的组合物。可以通过湿法刻蚀、干法等离子体刻蚀或压花来执行使光致抗蚀剂的表面粗糙化或纹理化。而且，对于纹理化，可以使用纳米压印光刻(NIL)来将纹理设计转移到光致抗蚀剂上。
如上所述，另一种用于使金属表面粗糙化的方法是通过适当控制沉积工艺。例如，化学镀铜的表面粗糙度可能受到镀覆速率和膜厚度的影响。较高的镀覆速率和较厚的膜将具有较高的RMS表面粗糙度。与更快的镀覆速率和更厚的膜的主要折衷是它们可以产生更容易破裂和粘附失效的高应力膜。
高速率化学镀铜镀覆制剂的示例包括
Figure BDA0002671049220000101
(BASF公司，特拉华州)和乙二胺四乙酸(EDTA)作为螯合剂。Quadrol多元醇是N，N，N’，N’-四(2-羟丙基)乙二胺。使用Quadrol作为交联剂和催化剂。Quadrol中的四个羟基给出多个交联位点，并且两个叔氮原子为反应提供催化作用。在一个示例中，基于Quadrol的化学镀溶液由2.2克/升铜盐(作为Cu2+的来源)、13g/L Quadrol、3g/L甲醛、8g/L NaOH和小于2g/L的添加剂(例如，2-巯基苯并噻唑、二乙基二硫代氨基甲酸酯、2，2’-联吡啶、亚铁氰化钾、五氧化二钒、氯化镍和聚乙二醇)制成。在约430℃的温度下，镀覆速率为约2.5μm/20分钟。
在一个示例中，基于EDTA的化学镀溶液由2.0克/升铜盐、30g/L EDTA二钠、3g/L甲醛、7g/L NaOH和小于2g/L的添加剂(例如2-巯基苯并噻唑、二乙基二硫代氨基甲酸酯、2，2’-联吡啶、亚铁氰化钾、五氧化二钒、氯化镍和聚乙二醇)制成。在约450℃的温度下，镀覆速率为约2.0μm/20分钟。
可以看出，高(重)累积化学镀在约20分钟内沉积两至三微米。这些方法通常在高温(例如，35℃至55℃)下操作，但室温制剂也是可能的。这些镀液通常基于EDTA或Quadrol化学成分，并且倾向于产生粗粒沉积物及产生稍微高应力的沉积物，尤其是在较高的沉积厚度限制下。
在所公开的实施例中，包括有机添加剂以用作稳定剂。然而，稳定剂也可以对晶粒尺寸和表面光洁度有影响。在一个示例中，已经检验了具有添加剂的EDTA制剂的表面粗糙度相对于膜厚度。图4示出了铜膜厚度随时间生长的数据点。用于铜的化学镀沉积的溶液是：使用CuSO4·5H2O作为Cu2+的来源，EDTA作为络合剂，甲醛作为还原剂，2，2’-联吡啶作为稳定剂，并且KOH用于调节pH。镀液温度为65℃并且其pH为12至12.2。图5示出了对于各种镀覆时间的铜表面粗糙度的原子力显微镜(AFM)测量。如图5所示，表面粗糙度随着沉积时间(即铜层的厚度)的增加而增加。
为了显著地降低导体可见度，目标RMS表面粗糙度应当为40至60nm。为了实现这种表面粗糙度，仅通过控制铜镀覆将需要2至4μm的膜厚度和30至60分钟的镀覆时间。然而，这种膜可能具有太多的应力。因此，在实施例中，通过约9至12分钟的镀覆工艺形成600至800nm的铜厚度。据信，这种折衷将导致良好粘附的铜网格，其具有粗糙化的表面以散射至少一些光，从而降低其可见度。
因此，提供了一种用于制造用于触摸传感器的金属网格的方法，该方法包括：提供透明衬底，在衬底的至少一侧上形成催化光致抗蚀剂层，使光致抗蚀剂图案化以产生图案化的光致抗蚀剂，通过产生第一金属层的粗糙表面的工艺，用第一金属层镀覆图案化的光致抗蚀剂，以及用第二金属层镀覆第一金属层。该镀覆工艺被配置为用于在9至12分钟的时间段内进行化学镀，并且产生厚度为600至800nm的层。该镀覆工艺被配置为用于在铜层表面上产生约15至21nm RMS的粗糙度的化学镀。镀覆溶液包括EDTA或Quadrol中的至少一种。
在实施例中，两种粗糙化方法可以组合。例如，在铜的化学镀之前，使用对光致抗蚀剂表面进行轻微纹理化的组合，可以实现较高的RMS表面粗糙度。然后，使用高累计速率化学镀铜镀覆制剂，镀覆具有粗糙表面的铜。在一个示例中，在软烘烤之前，将具有20至30nm的RMS表面粗糙度的辊施加到光致抗蚀剂表面上。这通过消除对温度控制的热辊压花步骤的需要而简化了涂覆工艺。铜镀覆形成到600至800nm的厚度，从而生成20nm的固有RMS表面粗糙度。化学镀铜镀覆的光致抗蚀剂的所得组合RMS表面粗糙度为40至50nm。
如图3E中的虚线箭头所示，光可以从铜线的边缘反射。为了避免这个问题，在沉积催化光致抗蚀剂之前，可以沉积没有催化剂的标准抗蚀剂层。以这种方式，铜涂覆将仅粘附到催化光致抗蚀剂，因此不能到达衬底300的表面。然后，钝化金属的第二涂覆将覆盖铜线的底部边缘，从而防止入射光从铜线的边缘反射。
图6是示出了根据一个实施例的结合了以上公开的几个特征的工艺的流程图。在该示例中，使用聚合物膜作为衬底，并且使用负性光致抗蚀剂。如上所述，可以使用其他材料作为衬底，并且还可以使用正性光致抗蚀剂。此外，可以执行不同的步骤，并且可以利用不同的步骤顺序，但混合本文公开的工艺和特征。
在步骤600中，用光致抗蚀剂层涂覆衬底。该层使用标准光致抗蚀剂，由于缺少成核位点，铜不会镀覆到标准光致抗蚀剂上。可选地(由虚线例示)，在步骤605处，使光致抗蚀剂的表面粗糙化或纹理化。在该示例中，其被纹理化到轻微无光泽水平，即40-60Ra。此后，或紧接在步骤600之后，在步骤610处，在标准光致抗蚀剂之上沉积催化光致抗蚀剂层。在步骤615处，使催化光致抗蚀剂的表面粗糙化或纹理化，在此至轻微无光泽水平，即40-60Ra。在步骤620处，该结构经历软烘烤以去除在光致抗蚀剂涂覆工艺期间使用的溶剂。在图案曝光的步骤625之前执行软烘烤是有益的，以具有可重复的曝光工艺和网格设计的特征的尺寸稳定性。
在步骤625处，将光致抗蚀剂层和催化光致抗蚀剂层通过图案化掩模暴露于UV辐射，以将图案转移到光致抗蚀剂和催化光致抗蚀剂。在步骤630处，显影抗蚀剂层的组合，使得仅图案化的抗蚀剂保留在衬底上。
在步骤635处，在图案化的光致抗蚀剂之上镀覆导电金属(例如，铜)层。在该示例中，使用高累计化学镀制剂，例如使用EDTA或Quadrol制剂。该工艺执行9至12分钟的时间段，以生长铜至600至800nm的厚度。在步骤640处，在第一金属层之上沉积第二较暗金属层。在该示例中，钯被化学镀在铜之上。由于铜不能一直到达衬底，因此钯也镀覆在铜的边缘之上。
图6A示出了通过图6的工艺获得的结构的示例。如图所示，光致抗蚀剂602沉积在衬底600之上。然后，催化光致抗蚀剂605沉积在光致抗蚀剂602之上。催化光致抗蚀剂605具有纹理化的上表面，但是在该示例中，标准光致抗蚀剂602不是粗糙化的或纹理化的。第一金属层610(例如，铜)沉积在催化光致抗蚀剂之上。然而，由于催化光致抗蚀剂605通过标准光致抗蚀剂602偏离衬底，因此当铜镀覆催化光致抗蚀剂时，形成间隙607。当第二金属615镀覆在第一金属之上时，它可以到达间隙607中以镀覆第一金属610的边缘。因此，如虚线箭头所示，入射光射到钝的第二金属(例如，钯)，使得光反射被大大衰减。
在实施例中，在卷到卷系统上制造触摸传感器，同时在衬底的两侧上形成金属导线网格。该系统的相关部分在图7中示出。具体地，衬底700是在从供应辊700’转移到接收辊(未示出)的同时制造的连续卷，并且此后被切割以分离制造的多个传感器。如第一级插图所示，标准光致抗蚀剂702沉积在衬底的一侧上，此处是底侧。在相对侧上，首先沉积UV阻挡层703，并且然后在UV阻挡层703之上沉积标准光致抗蚀剂704。
提供UV阻挡层703以使任一侧上的光致抗蚀剂堆叠层能够进行UV光曝光而不影响另一侧上的光致抗蚀剂堆叠层。这是因为衬底和光致抗蚀剂堆叠层对UV光透明，使得入射在衬底一侧上的UV光也将暴露相对侧。然而，由于在衬底的任一侧上的网格的图案是不同的，在每一侧上的UV曝光必须通过不同的掩模，由此在衬底的每一侧上产生不同的图案。值得注意的是，当在衬底的两侧上形成网格时，UV阻挡层可以用于本文公开的任何实施例中。
催化光致抗蚀剂层705和706分别形成在标准光致抗蚀剂704和702之上。如果需要，可以包括软烘烤站720，以蒸发在光致抗蚀剂沉积工艺期间使用的溶剂。虽然在图7中软烘烤站被图示为在压花辊之前，但是如本文所述，可以在压花之后执行软烘烤。
使衬底通过具有热压花辊730和支承辊732的第一辊对。如插图所示，热压花辊730的表面被粗糙化，并且该粗糙化的纹理被压花到催化光致抗蚀剂705上，如第二级插图所示。具有热压花辊740和支承辊742的第二辊对被放置在与第一辊对相隔足够的距离处，以允许冷却由第一辊对压花的表面。第二辊对压花相对侧(即，催化光致抗蚀剂706)。
在图7所示的实施例中，两种催化光致抗蚀剂在曝光站770中同时曝光于UV光。为简单起见，曝光站770被示出为从相同的源辊700’接收衬底膜700；然而，通常曝光站770是分离的，并且衬底膜被转移到曝光站，并且可以被滚动到不同的源辊700’上。在任一情况下，在曝光站770中，UV光源750产生UV光束。光学元件752(例如，半反射镜)将UV光束分成两束，一束被引导朝向衬底的顶部，并且另一束被引导朝向衬底的底部。束中的一束通过图案化掩模760并将图案转移到顶部光致抗蚀剂堆叠层704和705上，而另一束通过第二图案化掩模762并将图案转移到底部光致抗蚀剂堆叠层702和706上。
因此，提供了一种用于制造触摸传感器的系统，包括：支撑柔性衬底膜的卷700的供应辊700’；第一沉积站703’，其在衬底700的第一表面之上沉积UV阻挡层703；第二沉积站705’，其在衬底的第一侧上沉积催化光致抗蚀剂705；第三沉积站706’，其在衬底700的第二表面上沉积催化光致抗蚀剂706；软烘烤站720；具有一个压花辊730和一个支承辊732的第一辊对，压花辊730具有粗糙化的表面，并且被定位为对衬底700的第一侧上的催化光致抗蚀剂705进行压花；具有一个压花辊740和一个支承辊742的第二辊对，压花辊740具有粗糙化的表面，并且被定位为对衬底700的第二侧上的催化光致抗蚀剂706进行压花。
该系统还可以包括在UV阻挡层的表面上沉积光致抗蚀剂的第一标准抗蚀剂沉积系统和在衬底的第二表面上沉积光致抗蚀剂的第二标准抗蚀剂沉积系统。
该系统还可以包括：UV曝光站，UV曝光站包括UV光源750、将来自UV光源750的UV束分成两束的分光器752；第一图案化掩模760和第二图案化掩模762，其中两束中的一束通过第一图案化掩模760并且将图案转移到衬底700的第一侧上的催化光致抗蚀剂705上，并且两束中的另一束通过第二图案化掩模762并且将图案转移到衬底700的第二侧上的催化光致抗蚀剂706上。
任何所公开的实施例都可以用于制造如图8所示的触摸屏。触摸屏包括显示屏800，例如LCD、OLED等。光学透明粘附剂层805用于将触摸传感器810粘附在显示屏800之上。在其他实施例中，显示屏800与触摸传感器810之间的空间可以被隔离层(例如，树脂)或气隙占据。触摸传感器810可以根据本文所公开的实施例中的任何一个来制造。第二光学透明粘附剂层815可以用于将盖玻璃820粘附到触摸传感器。
应当理解，本文描述的工艺和技术不是固有地与任何特定装置相关，并且可以通过部件的任何合适的组合来实施。此外，根据本文所述的教导，可以使用各种类型的通用设备。已经结合特定的示例描述了本发明，这些示例在所有方面都旨在是说明性的而不是限制性的。本领域的技术人员将理解，许多不同的组合将适于实践本发明。
此外，考虑到本文所公开的本发明的说明书和实践，本发明的其他实施方式对于本领域技术人员将是显而易见的。所描述的实施例的各个方面和/或部件可以单独地或以任何组合来使用。说明书和示例旨在仅被认为是示例性的，本发明的真实范围和精神由所附权利要求书限定。

Claims (20)

1.一种用于制造金属网格触摸传感器的方法，包括：
提供透明衬底；
在所述透明衬底的至少一个表面上形成催化光致抗蚀剂层，其中，所述催化光致抗蚀剂包括光致抗蚀剂和催化纳米颗粒的组合物；
通过使所述催化光致抗蚀剂层通过图案化掩模暴露于UV光，将图案转移到所述催化光致抗蚀剂层上；
显影所述催化光致抗蚀剂以形成图案化的光致抗蚀剂；
通过化学镀在所述图案化的光致抗蚀剂之上形成铜层；
在所述铜层之上形成钝化层；以及，
使所述铜层的上表面粗糙化或纹理化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，粗糙化或纹理化包括将所述上表面形成为具有从40nm至60nm的RMS表面粗糙度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成铜层包括在化学镀溶液中进行镀覆以实现600nm至800nm的铜层厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，粗糙化或纹理化包括将所述催化光致抗蚀剂浸渍在湿法刻蚀溶液中。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，粗糙化或纹理化包括使用氧等离子体刻蚀来刻蚀所述催化光致抗蚀剂。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，粗糙化或纹理化包括用压花辊对所述催化光致抗蚀剂进行压花。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，粗糙化或纹理化还包括通过在包括Quadrol或乙二胺四乙酸(EDTA)中的一种作为螯合剂的化学镀溶液中进行化学镀来形成铜层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述化学镀以产生600nm至800nm的铜层厚度。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述压花以产生所述催化光致抗蚀剂的20nm至30nm的RMS表面粗糙度，并且执行所述化学镀以产生所述铜层的20nm的RMS表面粗糙度，由此累积地生成所述铜层的40nm至50nm的RMS表面粗糙度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，粗糙化或纹理化包括通过在包括Quadrol或乙二胺四乙酸(EDTA)中的一种作为螯合剂的化学镀溶液中进行化学镀来形成铜层，以产生从20nm至40nm的铜RMS表面粗糙度。
11.一种用于制造金属网格触摸传感器的方法，包括：
提供柔性衬底膜的卷；
使所述衬底膜通过沉积站并且在所述衬底膜的第一表面和第二表面之上形成催化光致抗蚀剂层，其中，所述催化光致抗蚀剂包括光致抗蚀剂和催化纳米颗粒的组合物；
使所述衬底膜通过具有第一压花辊和第一支承辊的第一压花站，所述第一压花辊具有粗糙化或纹理化的表面，由此使所述第一表面上的所述催化光致抗蚀剂层粗糙化或纹理化；
使所述衬底膜通过具有第二压花辊和第二支承辊的第二压花站，所述第二压花辊具有粗糙化或纹理化的表面，由此使所述第二表面上的所述催化光致抗蚀剂层粗糙化或纹理化；
使所述衬底膜通过曝光站，并且通过使所述催化光致抗蚀剂层通过图案化掩模暴露于UV光，而将图案转移到所述催化光致抗蚀剂层上；
显影所述催化光致抗蚀剂以形成图案化的光致抗蚀剂；
通过化学镀在所述图案化的光致抗蚀剂之上形成铜层；以及，
在所述铜层之上形成钝化层。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述衬底的所述第一表面上沉积UV阻挡层。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括在所述衬底膜的所述第一表面和所述第二表面之上的所述催化光致抗蚀剂层下方沉积光致抗蚀剂层。
14.根据权利要求11所述的方法，还包括使所述衬底膜通过烘烤站，以从所述催化光致抗蚀剂层蒸发溶剂。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，形成铜层包括在包括Quadrol或乙二胺四乙酸(EDTA)中的一种作为螯合剂的化学镀溶液中进行化学镀，以产生20nm至40nm的铜RMS表面粗糙度。
16.根据权利要求11所述的方法，还包括将所述第一压花辊和所述第二压花辊保持在高于55℃的温度。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一压花辊和所述第二压花辊具有20nm至30nm的RMS表面粗糙度。
18.一种触摸传感器，包括：
透明衬底；
所述衬底的第一表面之上的第一催化光致抗蚀剂图案；
所述衬底的第二表面之上的第二催化光致抗蚀剂图案；
所述第一催化光致抗蚀剂图案之上的第一铜层，所述第一铜层具有至少20nm的RMS表面粗糙度；
所述第二催化光致抗蚀剂图案之上的第二铜层，所述第二铜层具有至少20nm的RMS表面粗糙度；
所述第一铜层之上的第一钝化层；以及，
所述第二铜层之上的第二钝化层。
19.一种触摸屏，包括：
显示屏；
所述显示屏之上的触摸传感器；以及。
盖玻璃；
其中，所述触摸屏包括：透明衬底；所述衬底的第一表面之上的第一催化光致抗蚀剂图案；所述衬底的第二表面之上的第二催化光致抗蚀剂图案；所述第一催化光致抗蚀剂图案之上的第一铜层，所述第一铜层具有至少20nm的RMS表面粗糙度；所述第二催化光致抗蚀剂图案之上的第二铜层，所述第二铜层具有至少20nm的RMS表面粗糙度；所述第一铜层之上的第一钝化层；以及所述第二铜层之上的第二钝化层。
20.一种用于制造触摸传感器的系统，包括：
支撑衬底膜的卷的供应辊；
沉积站，所述沉积站在所述衬底膜的第一表面和第二表面之上形成催化光致抗蚀剂层，其中，所述催化光致抗蚀剂包括光致抗蚀剂和催化纳米颗粒的组合物；
第一压花站，所述第一压花站具有第一压花辊和第一支承辊，所述第一压花辊具有粗糙化或纹理化的表面，并且位于所述衬底膜的所述第一表面之上；
第二压花站，所述第二压花站具有第二压花辊和第二支承辊，所述第二压花辊具有粗糙化或纹理化的表面，并且位于所述衬底膜的所述第二表面之上。
CN202010933396.0A 2020-03-31 2020-09-08 降低可见度的导电微网格触摸传感器 Pending CN113463073A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/836,219 2020-03-31
US16/836,219 US11261529B2 (en) 2020-03-31 2020-03-31 Reduced visibility conductive micro mesh touch sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113463073A true CN113463073A (zh) 2021-10-01

Family

ID=77855578

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010933396.0A Pending CN113463073A (zh) 2020-03-31 2020-09-08 降低可见度的导电微网格触摸传感器
CN202180002047.XA Pending CN113678093A (zh) 2020-03-31 2021-03-31 降低可见度的导电微网触摸传感器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180002047.XA Pending CN113678093A (zh) 2020-03-31 2021-03-31 降低可见度的导电微网触摸传感器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11261529B2 (zh)
CN (2) CN113463073A (zh)
WO (1) WO2021197384A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220030438A (ko) * 2020-08-31 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조 방법
US11829539B1 (en) * 2022-05-16 2023-11-28 Tpk Advanced Solutions Inc. Touch sensor and manufacturing method thereof

Citations (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040021810A1 (en) * 2000-07-28 2004-02-05 Mariko Kawaguri Reflection sheet and production method therefor and display unit using it
DE202005013430U1 (de) * 2004-10-28 2005-10-27 Alfred Kärcher Gmbh & Co. Kg Flammrohr für einen Brenner zur Heißgaserzeugung
US20100224317A1 (en) * 2005-07-29 2010-09-09 Fujifilm Corporation Method for forming graft polymer pattern and method for forming electrically conductive pattern
US20110183088A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Fujifilm Corporation Printing sheet and method for producing the same
JP2011154380A (ja) * 2003-03-20 2011-08-11 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置の形成方法
US20130314648A1 (en) * 2012-05-25 2013-11-28 Benjamin M. Rappoport Display With Broadband Antireflection Film
WO2014043325A1 (en) * 2012-09-14 2014-03-20 Unipixel Displays, Inc. Foldable multi-touch surface
US20140085551A1 (en) * 2011-05-20 2014-03-27 Lg Chem, Ltd. Conductive substrate and touch panel comprising same
US20150009432A1 (en) * 2012-03-23 2015-01-08 Fujifilm Corporation Method for manufacturing conductive member, conductive member, and touch panel using same
US20150158263A1 (en) * 2013-12-06 2015-06-11 Alcoa Inc. Embossing apparatus and methods using texture features digitally applied to a work roll or sheet for subsequent roll embossing
CN104820533A (zh) * 2015-05-22 2015-08-05 京东方科技集团股份有限公司 触摸基板及其制备方法、显示装置
US20150316955A1 (en) * 2012-12-07 2015-11-05 3M Innovative Properties Company Method of making transparent conductors on a substrate
US20150378464A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Tpk Universal Solutions Limited Touch sensor unit and touch sensor device
US20160029147A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Hannstar Display (Nanjing) Corporation Smart monitor system and hand-held electronic device
US20160143153A1 (en) * 2013-07-31 2016-05-19 3M Innovative Properties Company Bonding electronic components to patterned nanowire transparent conductors
JP2016130913A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 大日本印刷株式会社 導電性パターンシートの製造方法、導電性パターンシート、導電性パターンシートを備えたタッチパネルセンサおよびフォトマスク
US20160273112A1 (en) * 2013-03-27 2016-09-22 Atotech Deutschland Gmbh Electroless copper plating solution
US20160291478A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Uni-Pixel Displays, Inc. Catalytic photoresist for photolithographic metal mesh touch sensor fabrication
CN106664815A (zh) * 2014-08-01 2017-05-10 华为技术有限公司 一种电磁屏蔽材料及封装光模块的方法
US20170142841A1 (en) * 2014-06-30 2017-05-18 3M Innovative Properties Company Metallic microstructures with reduced-visibility and methods for producing same
JP2017114013A (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 大日本印刷株式会社 導電性基材および導電性基材の製造方法
JP2017211826A (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 凸版印刷株式会社 配線基板、タッチパネル、カラーフィルタ基板、及び表示装置
US20180018041A1 (en) * 2015-05-29 2018-01-18 Nissha Printing Co., Ltd. Method for manufacturing touch sensor
CN107710119A (zh) * 2015-06-19 2018-02-16 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 带圆偏光板的触摸传感器及图像显示装置
CN109427435A (zh) * 2017-10-20 2019-03-05 佳陞科技有限公司 导电网线图案结构及其制造方法
US20190263048A1 (en) * 2018-02-27 2019-08-29 Terrella Energy Systems Ltd. Graphite Materials And Devices With Surface Micro-Texturing

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653572B2 (en) * 2001-02-07 2003-11-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Multilayer circuit board
DE20313976U1 (de) * 2003-09-09 2003-12-11 Saueressig Gmbh + Co. Walzenanordnung für das Prägen von bahnförmigen Materialien
JP5209938B2 (ja) * 2007-11-01 2013-06-12 上村工業株式会社 回路形成方法
US20120105354A1 (en) * 2010-10-31 2012-05-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Tactile Feedback Cover Lens for a Capacitive Touchscreen System
FR2993200B1 (fr) * 2012-07-13 2014-07-18 Saint Gobain Element transparent a reflexion diffuse comprenant une couche sol-gel

Patent Citations (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040021810A1 (en) * 2000-07-28 2004-02-05 Mariko Kawaguri Reflection sheet and production method therefor and display unit using it
JP2011154380A (ja) * 2003-03-20 2011-08-11 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置の形成方法
DE202005013430U1 (de) * 2004-10-28 2005-10-27 Alfred Kärcher Gmbh & Co. Kg Flammrohr für einen Brenner zur Heißgaserzeugung
US20100224317A1 (en) * 2005-07-29 2010-09-09 Fujifilm Corporation Method for forming graft polymer pattern and method for forming electrically conductive pattern
US20110183088A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Fujifilm Corporation Printing sheet and method for producing the same
US20140085551A1 (en) * 2011-05-20 2014-03-27 Lg Chem, Ltd. Conductive substrate and touch panel comprising same
US20150009432A1 (en) * 2012-03-23 2015-01-08 Fujifilm Corporation Method for manufacturing conductive member, conductive member, and touch panel using same
US20130314648A1 (en) * 2012-05-25 2013-11-28 Benjamin M. Rappoport Display With Broadband Antireflection Film
WO2014043325A1 (en) * 2012-09-14 2014-03-20 Unipixel Displays, Inc. Foldable multi-touch surface
US20150316955A1 (en) * 2012-12-07 2015-11-05 3M Innovative Properties Company Method of making transparent conductors on a substrate
US20160273112A1 (en) * 2013-03-27 2016-09-22 Atotech Deutschland Gmbh Electroless copper plating solution
US20160143153A1 (en) * 2013-07-31 2016-05-19 3M Innovative Properties Company Bonding electronic components to patterned nanowire transparent conductors
US20150158263A1 (en) * 2013-12-06 2015-06-11 Alcoa Inc. Embossing apparatus and methods using texture features digitally applied to a work roll or sheet for subsequent roll embossing
US20150378464A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Tpk Universal Solutions Limited Touch sensor unit and touch sensor device
US20170142841A1 (en) * 2014-06-30 2017-05-18 3M Innovative Properties Company Metallic microstructures with reduced-visibility and methods for producing same
US20160029147A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Hannstar Display (Nanjing) Corporation Smart monitor system and hand-held electronic device
CN106664815A (zh) * 2014-08-01 2017-05-10 华为技术有限公司 一种电磁屏蔽材料及封装光模块的方法
JP2016130913A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 大日本印刷株式会社 導電性パターンシートの製造方法、導電性パターンシート、導電性パターンシートを備えたタッチパネルセンサおよびフォトマスク
US20160291478A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Uni-Pixel Displays, Inc. Catalytic photoresist for photolithographic metal mesh touch sensor fabrication
CN104820533A (zh) * 2015-05-22 2015-08-05 京东方科技集团股份有限公司 触摸基板及其制备方法、显示装置
US20180018041A1 (en) * 2015-05-29 2018-01-18 Nissha Printing Co., Ltd. Method for manufacturing touch sensor
CN107710119A (zh) * 2015-06-19 2018-02-16 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 带圆偏光板的触摸传感器及图像显示装置
JP2017114013A (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 大日本印刷株式会社 導電性基材および導電性基材の製造方法
JP2017211826A (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 凸版印刷株式会社 配線基板、タッチパネル、カラーフィルタ基板、及び表示装置
CN109427435A (zh) * 2017-10-20 2019-03-05 佳陞科技有限公司 导电网线图案结构及其制造方法
US20190263048A1 (en) * 2018-02-27 2019-08-29 Terrella Energy Systems Ltd. Graphite Materials And Devices With Surface Micro-Texturing

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021197384A1 (en) 2021-10-07
US11261529B2 (en) 2022-03-01
CN113678093A (zh) 2021-11-19
US20210301403A1 (en) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021197384A1 (en) Reduced visibility conductive micro mesh touch sensor
TWI441944B (zh) A light reflecting plate, a manufacturing method thereof, and a light reflecting device
CN107393979B (zh) 一种基于超薄金属膜的透明电极及其制备方法和应用
US7849424B2 (en) Systems, devices, and methods for controlling electrical and optical properties of transparent conductors
TWI552057B (zh) 觸控面板
TW201445586A (zh) 透明導電膜及其製造方法
CN103329643A (zh) 具有变暗的多层导体迹线的图案化基底
JP2006330521A (ja) グリッド偏光フィルム、グリッド偏光フィルムの製造方法、光学積層体、光学積層体の製造方法、および液晶表示装置
TWI732892B (zh) 透視型電極用積層板、透視型電極素材、組件及透視型電極用積層板之製造方法
WO2021208738A1 (en) Method for photolithography to manufacture two-sided touch sensor
WO2014024819A1 (ja) 光透過性導電性フィルム及び光透過性導電性フィルムを含有するタッチパネル
US20150173179A1 (en) Transparent Components
KR101351619B1 (ko) 소프트 몰드 및 그 제조방법
TWI669211B (zh) 片材、金屬網格、及其等之製造方法
JP6670368B2 (ja) 多層薄膜
JP5678941B2 (ja) 反射防止性透明導電フィルム、タッチパネル及び画像表示装置
TW201814730A (zh) 導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法
TWI707255B (zh) 導電性基板
JP2006191011A (ja) 光透過性電磁波シールド性フィルムの製造方法、光透過性電磁波シールド性フィルム、及びディスプレイ用フィルタ
CN205139007U (zh) 一种可见光折射率传感器
CN111708227B (zh) 一种降低导光板磨损的反射片、其制备方法及背光模组
CN115185164A (zh) 一种彩虹膜制作方法
CN113363303A (zh) 一种透明导电基板及其制备方法
CN117631118A (zh) 一种利用偏振涂层制备偏振片的方法
JP2001350004A (ja) 反射シート

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination