CN104820533A - 触摸基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种触摸基板及其制备方法、显示装置，所述触摸基板，包括用于实现触控的触控电极，所述触控电极的反光区设置有漫反射结构。所述触摸基板，其触控电极的反光区设置有漫反射结构，所述漫反射结构可以将来自外界的射向触控电极的反光区的光线向不同的方向散射，从而可以改善反光，甚至避免出现反光，进而可以提高触摸显示装置的显示效果和显示品质。

Description

触摸基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，具体地，涉及一种触摸基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
触摸显示屏广泛地应用在智能手机、平板电脑等智能终端设备上，其包括显示面板和触摸屏。按照实现触摸的原理，触摸屏主要分为电阻式触摸屏、电容式触摸屏、表面声波触摸屏等；其中，电容式触摸屏通过其内部的触控电极与人的手指产生耦合电容实现对触摸动作的识别。
在触摸显示屏中，由于至少部分区域采用金属制备的触控电极会导致以下问题，即：由于金属具有较高的反射率，来自外界的光线照射在触控电极的金属区域上时会形成反光，在采用上述触摸屏的触摸显示屏中，上述触控电极的金属区域的反光会影响触摸显示屏的显示效果和显示品质。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种触摸基板及其制备方法、显示装置，所述触摸基板可以降低，甚至避免反光，从而提高触摸显示装置的显示效果和显示品质。
为实现本发明的目的而提供一种触摸基板，包括用于实现触控的触控电极，所述触控电极的反光区设置有漫反射结构。
其中，所述漫反射结构包括一个或多个漫反射单元，每个漫反射单元的形状为半球、圆锥、圆台、棱锥、棱台中的至少一种。
其中，所述漫反射结构包括一个或多个漫反射单元，每个漫反射单元为截面为梯形、半圆形或三角形的柱体。
其中，所述漫反射结构的反射率小于40％。
其中，所述漫反射结构的材料为钼、钼合金或钼合金氧化物。
其中，所述触控电极包括多条相互平行的第一电极和多条相互平行的第二电极，所述第一电极和第二电极交错设置，所述第一电极和所述第二电极之间电绝缘。
在触控电极的第一种具体结构中，所述第一电极和第二电极由金属材料构成。
优选地，所述漫反射结构与第二电极的材料不同。
在触控电极的第二种具体结构中，所述第一电极为透明电极，每条第二电极包括被多条第一电极隔断的透明电极部以及将相邻的透明电极部桥接在一起的桥接部，所述桥接部由金属材料制成；所述漫反射结构与桥接部的材料不同。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种触摸基板的制备方法，用于制备本发明提供的上述触摸基板，所述触摸基板的制备方法包括：
制备触控电极的步骤；
在触控电极的与所述反光区对应的区域制备漫反射结构的步骤。
其中，所述触摸基板中的触控电极为其第一种具体结构的上述优选方案，制备触控电极的步骤包括：
通过构图工艺形成第一电极的图形；
通过构图工艺形成第二电极的图形；
所述漫反射结构在形成所述第二电极的图形的构图工艺中形成。
其中，制备第二电极和漫反射结构的构图工艺包括：
依次沉积金属薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层；
使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成第二电极、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除；
通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的金属薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
通过刻蚀，将第三区域内的金属薄膜去除，获得第二电极的图形；
对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，使第二区域内的金属薄膜暴露，获得与第二电极对应的漫反射结构的图形；
将第一区域保留的光刻胶剥离。
其中，制备第二电极和漫反射结构的构图工艺包括：
依次沉积金属薄膜、保护层薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层；
使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成第二电极、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除；
通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的保护层薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
通过依次刻蚀，将第三区域内的保护层薄膜、金属薄膜去除，获得第二电极的图形；
对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并至少通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，获得与第二电极对应的漫反射结构的图形；
将第一区域保留的光刻胶剥离。
其中，所述触摸基板中的触控电极为其第二种具体结构，制备触控电极的步骤包括：
通过构图工艺形成第一电极，以及第二电极的透明电极部的图形；
通过构图工艺形成第二电极的桥接部的图形；
所述漫反射结构在形成所述第二电极的桥接部的图形的构图工艺中形成。
其中，制备第二电极的桥接部和漫反射结构的构图工艺包括：
依次沉积金属薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层；
使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成桥接部、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除；
通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的金属薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
通过刻蚀，将第三区域内的金属薄膜去除，获得桥接部的图形；
对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，使第二区域内的金属薄膜暴露，获得与桥接部对应的漫反射结构的图形；
将第一区域保留的光刻胶剥离。
其中，制备第二电极的桥接部和漫反射结构的构图工艺包括：
依次沉积金属薄膜、保护层薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层；
使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成桥接部、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除；
通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的保护层薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
通过依次刻蚀，将第三区域内的保护层薄膜、金属薄膜去除，获得桥接部的图形；
对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并至少通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，获得与桥接部对应的漫反射结构的图形；
将第一区域保留的光刻胶剥离。
其中，对漫反射薄膜的刻蚀采用干法刻蚀，对金属薄膜的刻蚀采用湿法刻蚀；或者
对漫反射薄膜的刻蚀采用湿法刻蚀，对金属薄膜的刻蚀采用干法刻蚀。
其中，对漫反射薄膜和保护层薄膜的刻蚀均采用湿法刻蚀，且能刻蚀漫反射层的刻蚀液的集合，与能刻蚀保护层的刻蚀液的集合的差集至少包括一种刻蚀液。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种显示装置，包括触摸基板，所述触摸基板采用本发明提供的上述触摸基板。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的触摸基板，其触控电极的反光区设置有漫反射结构，所述漫反射结构可以将来自外界的射向触控电极的反光区的光线向不同的方向散射，从而可以改善反光，甚至避免出现反光，进而可以提高触摸基板的显示效果和显示品质。
本发明提供的触摸基板的制备方法，其在触控电极的反光区制备漫反射结构，所述漫反射结构可以将来自外界的射向触控电极的反光区的光线向不同的方向散射，从而可以改善反光，甚至避免出现反光，进而可以提高制备出的触摸基板的显示效果和显示品质。
本发明提供的显示装置，其采用本发明提供的上述触摸基板，可以改善，甚至避免出现反光，进而可以提高制备出的触摸基板的显示效果和显示品质。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明提供的触摸基板的优选实施方式的示意图；
图2为图1所示触控电极的一种替代实施例的示意图；
图3为本发明实施方式提供的触摸基板的制备方法的流程图；
图4为第一种制备漫反射结构和第二电极的构图工艺的流程图；
图5为步骤S110的示意图；
图6为步骤S111的示意图；
图7为步骤S113的示意图；
图8为步骤S114的示意图；
图9为步骤S115的示意图；
图10为第二种制备漫反射结构和第二电极的构图工艺的流程图。
其中，附图标记：
1：触控电极；2：漫反射结构；10：第一电极；11：第二电极；12：绝缘层；20：漫反射单元；30：金属薄膜；31：漫反射薄膜；32：光刻胶层；110：透明电极部；111：桥接部。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
请参看图1，图1为本发明提供的触摸基板的优选实施方式的示意图。在本实施方式中，触摸基板包括用于实现触控的触控电极1，所述触控电极1的至少部分区域反光，所述触控电极1的反光区设置有漫反射结构2。
在触控电极1的反光区所在一侧，且与所述反光区对应的区域设置漫反射结构2，可以将来自外界的射向反光区的光线向不同的方向散射，从而可以改善反光，甚至避免出现反光，进而可以提高触摸显示装置的显示效果和显示品质。
漫反射结构2包括可以一个或多个漫反射单元20，每个漫反射单元20的表面包括多个分别朝向不同方向的区域，该多个区域将射向漫反射单元20的光线反射向不同的方向，即形成漫反射。具体地，每个漫反射单元20可以为半球、圆锥、圆台、棱锥、棱台中的至少一种，即：每个漫反射单元20为一个“反射点”。此外，每个漫反射单元20还可以为截面是梯形、半圆形或三角形的柱体，即：每个漫反射单元20为一个“反射条”。
一般地，触控电极1的反光区域由金属制成，而金属材料的反光率通常不小于30％。在本实施方式中，优选地，所述触控电极1的反光区和漫反射结构2的反射率小于40％；这样设置使触控电极1的反光区和漫反射结构2具有较低的反射率，可以降低由触控电极1的反光区，以及漫反射结构2向外反射的光线的亮度，从而在产生漫反射的基础上，进一步降低反光。具体地，触控电极1的反光区和漫反射结构2采用钼(Mo)、钼合金(如MoTi等)及钼合金氧化物(如MoO、MoTaO、MoNbO等)制成，以使其具有较小的反射率。
触控电极1包括多条相互平行的第一电极10和多条相互平行的第二电极11，所述第一电极10和第二电极11交错设置，且其交接处设有绝缘层12，使第一电极10和第二电极11之间电绝缘。具体地，如图1所示，第一电极10和第二电极11可以由金属材料制成，在此情况下，所述第一电极10和第二电极11均为反光区；此外，优选所述漫反射结构2与第二电极11的材料不同。
除图1所示实施例外，在本实施方式的另一实施例中，如图2所示，所述第一电极10还可以为透明电极，每条第二电极11可以包括被多条第一电极10隔断的透明电极部110以及将相邻的透明电极部110桥接在一起的桥接部111，其中，所述桥接部111由金属材料制成，在此情况下，所述桥接部111即为所述反光区。此外，所述漫反射结构2与桥接部111的材料不同。
本实施方式提供的触摸基板，其触控电极1的反光区所在一侧，且与所述反光区对应的区域设置有漫反射结构2，所述漫反射结构2可以将来自外界的射向触控电极1的反光区的光线向不同的方向散射，从而可以改善反光，甚至避免出现反光，进而可以提高触摸显示装置的显示效果和显示品质。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种触摸基板的制备方法的实施方式，图3为本发明实施方式提供的触摸基板的制备方法的流程图。在本实施方式中，所述触摸基板的制备方法用于制备上述实施方式所提供的触摸基板，其包括以下步骤S1～S2：
S1，制备触控电极；其中，所制备出的触控电极的至少部分区域反光，该区域一般由金属材料制成。
S2，在与触控电极的反光区对应的区域制备漫反射结构。
需要说明的是，上述两个步骤的标号S1、S2，仅表示步骤S1开始的时间早于步骤S2开始的时间，并不意味着，在步骤S1完成之后再进行步骤S2。
具体地，触控电极可以包括图1所示，及图1所代表的实施例所述的第一电极10和第二电极11，因此，制备触控电极的步骤S1可以包括以下步骤S10～S11：
S10，通过构图工艺形成第一电极10的图形。
其中，所述构图工艺具体可以包括沉积薄膜→在薄膜的表面涂覆光刻胶→对所述光刻胶进行曝光→对曝光后的光刻胶进行显影→对所沉积薄膜的露出区域进行刻蚀→剥离薄膜表面剩余的光刻胶等步骤。
S11，通过构图工艺形成第二电极11的图形。
具体地，步骤S11中可以仅形成第二电极11，也可以在形成第二电极11的过程中，同时形成漫反射结构，即步骤S11和步骤S2在一次构图工艺中完成。
若步骤S11中仅形成第二电极11，则步骤S11中的所述构图工艺与步骤S10中的构图工艺类似，在此不再赘述。若步骤S11中同时形成第二电极11和漫反射结构，则如图4所示，上述步骤S11中的所述构图工艺可以包括以下步骤S110～S115：
S110，依次沉积金属薄膜30和漫反射薄膜31，以及在漫反射薄膜31的表面涂覆光刻胶层32，如图5所示；
S111，使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层32进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度A大于对应用于形成第二电极、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度a，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除，如图6所示；
S112，通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的金属薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
S113，通过刻蚀，将第三区域内的金属薄膜去除，获得第二电极11的图形，如图7所示；
S114，对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，使第二区域内的金属薄膜暴露，获得与第二电极对应的漫反射结构的图形，如图8所示；
S115，将第一区域保留的光刻胶剥离，如图9所示。
优选地，在上述步骤S112～S114中，对漫反射薄膜31的刻蚀采用干法刻蚀，对金属薄膜30的刻蚀采用湿法刻蚀；这样设置可以采用易于被干法刻蚀的材料，如钼，制备漫反射薄膜31，采用难以被干法刻蚀，而易于被湿法刻蚀的材料，如铝，制备金属薄膜30，从而在刻蚀漫反射薄膜31时，使金属薄膜30不会被刻蚀而损坏，在刻蚀金属薄膜30时，使漫反射薄膜31不会被刻蚀而损坏。可替代地，对漫反射薄膜31的刻蚀可以采用湿法刻蚀，而对金属薄膜30的刻蚀采用干法刻蚀。
除上述步骤S110～S115外，作为另一个实施例，如图10所示，步骤S11中的所述构图工艺还可以包括以下步骤S110’～S115’：
S110’，依次沉积金属薄膜、保护层薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层。
S111’，使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成第二电极、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除。
S112’，通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的保护层薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形。
S113’，通过依次刻蚀，将第三区域内的保护层薄膜、金属薄膜去除，获得第二电极的图形。
S114’，对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并至少通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，获得与第二电极对应的漫反射结构的图形。具体地，在本步骤中，还可以通过依次进行的两次刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜和保护层薄膜去除。
S115’，将第一区域保留的光刻胶剥离。
在本实施例中，在金属薄膜与漫反射薄膜之间设置保护层薄膜，可以保护金属薄膜，使其在对漫反射薄膜的刻蚀过程中不会被刻蚀而损坏。
对漫反射薄膜和保护层薄膜的刻蚀可以均采用湿法刻蚀；在此情况下，优选地，所述漫反射薄膜和保护层薄膜采用不同的材料制备，且能刻蚀漫反射层的刻蚀液的集合，与能刻蚀保护层的刻蚀液的集合的差集至少包括一种刻蚀液；这样设置可以在刻蚀漫反射薄膜时，选择一种可以刻蚀漫反射薄膜，且难以刻蚀保护层薄膜的刻蚀液，从而使得保护层薄膜在刻蚀漫反射薄膜的过程中不会被刻蚀而损坏，进一步增强保护层薄膜对金属薄膜的保护作用；例如，漫反射薄膜采用铜或其合金制备，保护层采用钼及其合金、铌或其合金制备，这样在刻蚀漫反射薄膜时可以采用非酸系刻蚀液(如双氧水系)，非酸系刻蚀液难以刻蚀钼及其合金、铌或其合金，从而在刻蚀漫反射薄膜的过程中，保护层薄膜不会被刻蚀而损坏。
作为另一种实施例，触控电极还可以包括图2所示，及图2所代表的实施例所述的第一电极10和第二电极11，因此，制备触控电极的步骤S1还可以包括以下步骤S10’～S11’：
S10’，通过构图工艺形成第一电极，以及第二电极的透明电极部的图形。
与步骤S10中的构图工艺类似，步骤S10’中的构图工艺同样包括沉积→涂胶→曝光→显影→刻蚀→剥离等步骤。
S11’，通过构图工艺形成第二电极的桥接部的图形。
具体地，步骤S11’中可以仅形成第二电极11的桥接部111，也可以在形成桥接部111的过程中，同时形成漫反射结构，即步骤S11’和步骤S2在一次构图工艺中完成。
若步骤S11’中仅形成桥接部111，则步骤S11’中的所述构图工艺与步骤S10中的构图工艺类似，在此不再赘述。若步骤S11’中同时形成桥接部111和漫反射结构，则上述步骤S11’中的所述构图工艺可以包括类似于S110～S115，以及S110’～S115’的多个步骤，其区别仅在于其中的第二电极11变为第二电极11的桥接部111。
综上所述，本实施方式提供的触摸基板的制备方法，其在与触控电极的反光区对应的区域制备漫反射结构，所述漫反射结构可以将来自外界的射向触控电极的反光区的光线向不同的方向散射，从而可以改善，甚至避免出现反光，进而可以提高制备出的触摸显示装置的显示效果和显示品质。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种显示装置的实施方式，在本实施方式中，显示装置包括触摸基板，所述触摸基板采用本发明上述实施方式所提供的触摸基板。
本发明实施方式提供的显示装置，其采用本发明上述实施方式提供的触摸基板，可以改善反光，甚至避免出现反光，进而可以提高制备出的触摸显示装置的显示效果和显示品质。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (19)

1.一种触摸基板，包括用于实现触控的触控电极，其特征在于，所述触控电极的反光区设置有漫反射结构。
2.根据权利要求1所述的触摸基板，其特征在于，所述漫反射结构包括一个或多个漫反射单元，每个漫反射单元的形状为半球、圆锥、圆台、棱锥、棱台中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的触摸基板，其特征在于，所述漫反射结构包括一个或多个漫反射单元，每个漫反射单元为截面为梯形、半圆形或三角形的柱体。
4.根据权利要求1所述的触摸基板，其特征在于，所述漫反射结构的反射率小于40％。
5.根据权利要求1～4任意一项所述的触摸基板，其特征在于，所述漫反射结构的材料为钼、钼合金或钼合金氧化物。
6.根据权利要求1所述的触摸基板，其特征在于，所述触控电极包括多条相互平行的第一电极和多条相互平行的第二电极，所述第一电极和第二电极交错设置，所述第一电极和所述第二电极之间电绝缘。
7.根据权利要求6所述的触摸基板，其特征在于，所述第一电极和第二电极由金属材料构成。
8.根据权利要求7所述的触摸基板，其特征在于，所述漫反射结构与第二电极的材料不同。
9.根据权利要求6所述的触摸基板，其特征在于，所述第一电极为透明电极，每条第二电极包括被多条第一电极隔断的透明电极部以及将相邻的透明电极部桥接在一起的桥接部，所述桥接部由金属材料制成，所述漫反射结构设置于与所述桥接部对应的区域。
10.一种触摸基板的制备方法，用于制备权利要求1～9任意一项所述的触摸基板，其特征在于，所述触摸基板的制备方法包括：
制备触控电极的步骤；
在与触控电极的反光区对应的区域制备漫反射结构的步骤。
11.根据权利要求10所述的触摸基板的制备方法，其特征在于，所述触摸基板为权利要求8所述触摸基板，制备触控电极的步骤包括：
通过构图工艺形成第一电极的图形；
通过构图工艺形成第二电极的图形；
所述漫反射结构在形成所述第二电极的图形的构图工艺中形成。
12.根据权利要求11所述的触摸基板的制备方法，其特征在于，制备第二电极和漫反射结构的构图工艺包括：
依次沉积金属薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层；
使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成第二电极、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除；
通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的金属薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
通过刻蚀，将第三区域内的金属薄膜去除，获得第二电极的图形；
对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，使第二区域内的金属薄膜暴露，获得与第二电极对应的漫反射结构的图形；
将第一区域保留的光刻胶剥离。
13.根据权利要求11所述的触摸基板的制备方法，其特征在于，制备第二电极和漫反射结构的构图工艺包括：
依次沉积金属薄膜、保护层薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层；
使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成第二电极、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除；
通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的保护层薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
通过依次刻蚀，将第三区域内的保护层薄膜、金属薄膜去除，获得第二电极的图形；
对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并至少通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，获得与第二电极对应的漫反射结构的图形；
将第一区域保留的光刻胶剥离。
14.根据权利要求10所述的触摸基板的制备方法，其特征在于，所述触摸基板为权利要求9所述的触摸基板，制备触控电极的步骤包括：
通过构图工艺形成第一电极，以及第二电极的透明电极部的图形；
通过构图工艺形成第二电极的桥接部的图形；
所述漫反射结构在形成所述第二电极的桥接部的图形的构图工艺中形成。
15.根据权利要求14所述的触摸基板的制备方法，其特征在于，制备第二电极的桥接部和漫反射结构的构图工艺包括：
依次沉积金属薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层；
使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成桥接部、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除；
通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的金属薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
通过刻蚀，将第三区域内的金属薄膜去除，获得桥接部的图形；
对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，使第二区域内的金属薄膜暴露，获得与桥接部对应的漫反射结构的图形；
将第一区域保留的光刻胶剥离。
16.根据权利要求14所述的触摸基板的制备方法，其特征在于，制备第二电极的桥接部和漫反射结构的构图工艺包括：
依次沉积金属薄膜、保护层薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻胶层；
使用灰阶掩模板/半色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并显影，使对应用于形成漫反射结构的第一区域的光刻胶的厚度大于对应用于形成桥接部、且位于第一区域之外的第二区域的光刻胶的厚度，以及使第一区域、第二区域外的第三区域的光刻胶完全去除；
通过刻蚀，将第三区域内的漫反射薄膜去除，使第三区域内的保护层薄膜暴露，获得与第一电极对应的漫反射结构的图形；
通过依次刻蚀，将第三区域内的保护层薄膜、金属薄膜去除，获得桥接部的图形；
对光刻胶区域进行灰化，使第二区域的光刻胶完全去除，以及使第一区域保留光刻胶，并至少通过刻蚀，将第二区域内的漫反射薄膜去除，获得与桥接部对应的漫反射结构的图形；
将第一区域保留的光刻胶剥离。
17.根据权利要求12或15所述的触摸基板的制备方法，其特征在于，对漫反射薄膜的刻蚀采用干法刻蚀，对金属薄膜的刻蚀采用湿法刻蚀；或者
对漫反射薄膜的刻蚀采用湿法刻蚀，对金属薄膜的刻蚀采用干法刻蚀。
18.根据权利要求13或16所述的触摸基板的制备方法，其特征在于，对漫反射薄膜和保护层薄膜的刻蚀均采用湿法刻蚀，且能刻蚀漫反射层的刻蚀液的集合，与能刻蚀保护层的刻蚀液的集合的差集至少包括一种刻蚀液。
19.一种显示装置，包括触摸基板，其特征在于，所述触摸基板采用权利要求1～9任意一项所述的触摸基板。
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