CN113316743A - 导电性转印材料、附有图案的基板的制造方法、电路基板的制造方法、层叠体及触控面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及厚度为1nm～250nm的密合层的导电性转印材料；依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及接触电阻为1Ω～300Ω的密合层的导电性转印材料；以及其应用。

Description

导电性转印材料、附有图案的基板的制造方法、电路基板的制 造方法、层叠体及触控面板

技术领域

本发明涉及一种导电性转印材料、附有图案的基板的制造方法、电路基板的制造方法、层叠体及触控面板。

背景技术

近年来，正在广泛使用通过手指、触控笔等来触摸而进行与指示图像对应的信息的输入的装置(以下，还称为“触控面板”。)。在上述输入装置中，通常使用由ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)等材料构成的导电膜。并且，近年来，对作为代替ITO等材料使用导电性纤维形成导电膜的各种技术进行了探讨。

例如，国际公开第2010/021224号中公开了一种感光性导电膜，该感光性导电膜具备支承膜、设置于支承膜上且含有导电性纤维的导电层及设置于导电层上的感光性树脂层。

发明内容

发明要解决的技术课题

然而，通过将国际公开第2010/021224号中所记载的感光性导电膜与基板贴合使感光性树脂层与基板密合的情况下，在含有导电性纤维的导电层(以下，在本段中简称为“导电层”。)与基板之间存在感光性树脂层，因此只要不另行设置直接电性连接导电层与基板的机构，则导电层与基板之间的导电性会变低。例如，在以往技术中，认为不易电连接导电层与基板之间来形成电路。另一方面，若不经由感光性树脂层直接密合导电层与基板，则有时导电层与基板之间的密合性会降低。因此，要求能够兼顾导电层与基板之间的密合性及导电性的转印材料。

本发明是鉴于上述情况而完成的。

本发明的一方式的目的在于提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的导电性转印材料。

本发明的另一方式的目的在于提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的附有图案的基板的制造方法。

本发明的另一方式的目的还在于提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的电路基板的制造方法。

本发明的另一方式的目的还在于提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的层叠体。

本发明的另一方式的目的还在于提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的触控面板。

用于解决技术课题的手段

用于解决上述课题的方法中包含以下方式。

<1>一种导电性转印材料，其依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及厚度为1nm～250nm的密合层。

<2>一种导电性转印材料，其依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及接触电阻为1Ω～300Ω的密合层。

<3>根据<1>或<2>所述的导电性转印材料，其中，

上述密合层含有碱可溶性树脂。

<4>根据<1>至<3>中任一项所述的导电性转印材料，其中，

在上述临时支承体与包含上述银纳米线的层之间具有至少一个树脂层。

<5>根据<4>所述的导电性转印材料，其中，

选自由包含上述银纳米线的层、上述密合层及上述树脂层组成的组中的至少一个含有防腐蚀剂。

<6>根据<4>或<5>所述的导电性转印材料，其中，

上述树脂层为感光性树脂层。

<7>根据<6>所述的导电性转印材料，其中，

上述感光性树脂层为正型感光性树脂层。

<8>一种附有图案的基板的制造方法，其依次包括：

使<6>或<7>所述的导电性转印材料及基板进行贴合的工序；对上述导电性转印材料中的感光性树脂层进行图案曝光的工序；及对经上述图案曝光的导电性转印材料进行显影来形成图案的工序。

<9>一种电路基板的制造方法，其依次包括：

使<6>或<7>所述的导电性转印材料及基板进行贴合的工序；对上述导电性转印材料中的感光性树脂层进行图案曝光的工序；对经上述图案曝光的导电性转印材料进行显影来形成图案的工序；及去除上述图案中的感光性树脂层或感光性树脂层的固化物的工序。

<10>一种层叠体，其依次具有基板、厚度为1nm～250nm的密合层及包含银纳米线的层。

<11>一种层叠体，其依次具有基板、接触电阻为1Ω～300Ω的密合层及包含银纳米线的层。

<12>根据<10>或<11>所述的层叠体，其中，

上述密合层及包含上述银纳米线的层为转印层。

<13>一种触控面板，其具有<10>至<12>中任一项所述的层叠体。

发明效果

根据本发明的一方式，能够提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的导电性转印材料。

根据本发明的另一方式，能够提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的附有图案的基板的制造方法。

根据本发明的另一方式，还能够提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的电路基板的制造方法。

根据本发明的另一方式，还能够提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的层叠体。

根据本发明的另一方式，还能够提供一种包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的触控面板。

附图说明

图1是表示本发明的导电性转印材料的层结构的一例的概略图。

图2是表示本发明的导电性转印材料的层结构的一例的概略图。

图3是表示本发明的层叠体的层结构的一例的概略图。

图4是表示图案A的概略图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本发明不受以下实施方式的任何限制，在本发明的目的的范围内能够适当地加以变更来实施。

本发明中，使用“～”表示的数值范围是指将“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。在本发明中分阶段记载的数值范围中，以某个数值范围记载的上限值或下限值可取代为其他分阶段记载的数值范围的上限值或下限值。并且，本发明中所记载的数值范围中，某个数值范围中所记载的上限值或下限值可取代为实施例中所示的值。

本发明中，“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸该两者或任一个，“(甲基)丙烯酸酯”是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯该两者或任一个，“(甲基)丙烯酰氧基”是指丙烯酰氧基及甲基丙烯酰氧基该两者或任一个。

本发明中，在组合物中存在多个相当于各成分的物质的情况下，只要没有特别说明，组合物中的各成分的量是指存在于组合物中的多个物质的合计量。

本发明中，“工序”的术语不仅为独立的工序，而且即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要实现工序的所期望的目的，则也包含在本术语中。

本发明中的基团(原子团)的标记中，未记述经取代或未经取代的标记系同时包含不具有取代基者和具有取代基者。例如“烷基”不仪包含不具有取代基的烷基(未经取代的烷基)，还包含具有取代基的烷基(经取代的烷基)。

本发明中，“质量％”的含义与“重量％”的含义相同，“质量份”的含义与“重量份”的含义相同。

在本发明中，两个以上的优选方式的组合是更优选的方式。

本发明中，有时以省略氢原子的简略结构式记载化学结构式。

本发明中，只要没有特别说明，树脂中的构成单元的比例表示摩尔比例。

在本发明中，只要没有特别说明，有分子量分布时的分子量表示重均分子量(Mw)。

<导电性转印材料>

[实施方式1A]

本发明的一实施方式的导电性转印材料依次具有临时支承体、包含银纳米线的层(以下，还称为“银纳米线层”。)及厚度为1nm～250nm的密合层。上述实施方式(以下，还称为“实施方式1A”。)的导电性转印材料依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及厚度为1nm～250nm的密合层，因此将上述导电性转印材料与基板贴合时，包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异。

[实施方式1B]

本发明的一实施方式的导电性转印材料依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及接触电阻为1Ω～300Ω的密合层。上述实施方式(以下，还称为“实施方式1B”。)的导电性转印材料依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及接触电阻为1Ω～300Ω的密合层，因此将上述导电性转印材料与基板贴合时，包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异。

图1示意性地示出本发明的导电性转印材料的层结构的一例。图1所示的导电性转印材料100依次具有临时支承体10、包含银纳米线的层20及密合层30。另外，本发明的附图中示出的各要件的比例尺不一定准确。

以下，对实施方式1A及实施方式1B的导电性转印材料的各结构进行说明。其中，将实施方式1A的导电性转印材料中的“厚度为1nm～250nm的密合层”代替为“接触电阻为1Ω～300Ω的密合层”，除此以外，实施方式1B的导电性转印材料的结构的含义与实施方式1A的导电性转印材料的结构的含义相同。因此，以下所说明的实施方式只要没有特别说明，则是指上述实施方式1A及上述实施方式1B该两个实施方式，优选的范围也相同。

〔临时支承体〕

本发明的导电性转印材料具有临时支承体。

临时支承体为至少支承包含银纳米线的层及密合层并且能够从粘附体(例如包含银纳米线的层)剥离的支承体。

从能够隔着临时支承体进行图案曝光的观点考虑，临时支承体优选具有透光性。本发明中，“具有透光性”是指用于图案曝光的光的主波长的透射率为50％以上。从提高曝光灵敏度的观点考虑，图案曝光中所使用的光的主波长的透射率优选60％以上，更优选70％以上。作为透射率的测量方法，可举出使用分光光度计(例如，Otsuka ElectronicsCo.，Ltd.制MCPD-6800)来进行测量的方法。

作为临时支承体，例如可举出玻璃基材、树脂薄膜、纸等。从强度及可挠性等的观点考虑，临时支承体优选为树脂薄膜。作为树脂薄膜，例如可举出环烯烃聚合物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、三乙酸纤维素薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等。上述之中，从光学特性的观点考虑，优选临时支承体为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。

临时支承体的厚度并无限制，能够根据材质适当设定。从操作容易性、通用性等的观点考虑，临时支承体的厚度优选5μm～200μm，更优选10μm～150μm。

并且，关于临时支承体的优选的方式，例如，日本特开2014-085643号公报的0017段～0018段中有记载。这些记载通过参考被编入到本说明书中。

〔密合层〕

实施方式1A中，导电性转印材料具有厚度为1nm～250nm的密合层。实施方式1A中的导电性转印材料具有厚度为1nm～250nm的密合层，因此相对于基板的密合性较高并且提高银纳米线层与基板之间的导电性。

实施方式1A中，从密合性及导电性的观点考虑，密合层的厚度为1nm～250nm，优选为1nm～150nm，更优选为1nm～100nm。出于相同的理由，密合层的厚度可以为1nm～70nm，也可以为1nm～20nm。

实施方式1A中，通过以下方法测量密合层的厚度。

密合层的厚度方向的截面观察图像中，求出在随机选择的10个部位进行测量的密合层的厚度的算术平均值，将所得到的值设为密合层的厚度。密合层的厚度方向的截面观察图像能够使用扫描型电子显微镜(SEM)或透射型电子显微镜(TEM)来得到。

实施方式1B中，导电性转印材料具有接触电阻为1Ω～300Ω的密合层。实施方式1B中的导电性转印材料具有接触电阻为1Ω～300Ω的密合层，因此相对于基板的密合性较高并且提高银纳米线层与基板之间的导电性。

实施方式1B中，从密合性及导电性的观点考虑，密合层的接触电阻优选为1Ω～100Ω，更优选为1Ω～50Ω。出于相同的理由，实施方式1B中，密合层的接触电阻可以为1Ω～25Ω，也可以为1Ω～20Ω。

实施方式1B中，通过TLM(Transmission Line Model，传输线模型)法测量密合层的接触电阻。具体的测量方法如下。

在基材(例如环烯烃聚合物薄膜)上以2mm、4mm、6mm、8mm、12mm及20mm的间隔形成彼此平行且独立地配置的7个铜电极(厚度300nm、宽度500μm)。接着，在7个铜电极上贴合一个导电性转印材料，由此制作具有在铜电极上隔着密合层层叠有银纳米线层的结构的试验体。在上述试验体的俯视图中，银纳米线层以横穿7个铜电极的方式配置，各铜电极与银纳米线层所成的角度为90°。测量相邻的铜电极之间的电阻之后，标绘铜电极之间的电阻(纵轴)与距离(横轴)之间的关系，由此能够求出密合层的接触电阻。测量铜电极之间的电阻的装置并无限制，能够使用电阻率计(例如，Loresta-GP、Mitsubishi Chemical AnalytechCo.，Ltd.制)。

从密合性的观点考虑，优选密合层为含有有机材料(例如有机树脂)的密合层(以下，还称为“有机层”。)。从图案形成中去除残渣的观点考虑，更优选密合层含有碱可溶性树脂。

本发明中，“碱溶性”是指在25℃下可溶于1mol/L氢氧化钠溶液中。并且，“可溶”是指在100mL的溶剂中溶解0.1g以上。

作为碱可溶性树脂，从图案形成中去除残渣的观点考虑，优选为酸值20mgKOH/g以上的树脂，更优选为酸值20mgKOH/g以上的具有羧基的(甲基)丙烯酸树脂。

本发明中，“(甲基)丙烯酸树脂”是指包含源自(甲基)丙烯酸的构成单元及源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元中的至少一个的树脂。

(甲基)丙烯酸树脂中的源自(甲基)丙烯酸的构成单元及源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的合计比例相对于(甲基)丙烯酸树脂的总构成单元优选为30摩尔％以上，更优选为50摩尔％以上。源自(甲基)丙烯酸的构成单元及源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的合计比例的上限并无限制。相对于(甲基)丙烯酸树脂的总构成单元，源自(甲基)丙烯酸的构成单元及源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的合计比例例如能够在100摩尔％以下的范围内适当设定。

本发明中，“酸值”是指按照JIS K0070：1992中所记载的方法来进行测量的值。

从图案形成中去除残渣的观点考虑，碱可溶性树脂的酸值优选为20mgKOH/g以上，更优选为45mgKOH/g～200mgKOH/g，尤其优选为50mgKOH/g以上～150mgKOH/g。出于相同的理由，碱可溶性树脂的酸值可以为60mgKOH/g以上，也可以为80mgKOH/g以上。

具有羧基的(甲基)丙烯酸树脂包含具有羧基的构成单元。上述(甲基)丙烯酸树脂中所包含的具有羧基的构成单元可以为一种，也可以为两种以上。

从显影性的观点考虑，具有羧基的(甲基)丙烯酸树脂中的具有羧基的构成单元的含有比率相对于具有羧基的(甲基)丙烯酸树脂的总构成单元优选为3摩尔％～80摩尔％，更优选为3摩尔％～40摩尔％，尤其优选为3摩尔％～35摩尔％。

碱可溶性树脂可以包含具有芳香环的构成单元。作为形成具有芳香环的构成单元的单体，例如可举出苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯化合物、(甲基)丙烯酸苄酯等。作为具有芳香环的构成单元，优选为源自苯乙烯化合物的构成单元。

碱可溶性树脂可以包含具有烯属不饱和基的构成单元。碱可溶性树脂优选包含在侧链上具有烯属不饱和基的构成单元。本发明中，“主链”表示在构成树脂的高分子化合物的分子中相对最长的键结键，“侧链”表示从主链枝化的原子团。作为烯属不饱和基，优选(甲基)丙烯酸基，更优选(甲基)丙烯酰氧基。

碱可溶性树脂的重均分子量(Mw)优选大于3,000，更优选大于3,000且为60,000以下，尤其优选为5,000～50,000。碱可溶性树脂的重均分子量为通过以下方法测量的聚苯乙烯换算的重均分子量。

重均分子量能够通过凝胶渗透色谱法(GPC)来进行测量。作为测量装置，能够使用各种市售的装置，装置的内容及测量技术对本技术领域人员来讲是公知的。关于基于GPC的重均分子量的测量，作为测量装置，使用HLC(注册商标)-8220GPC(TOSOH CORPORATION制)，作为管柱，使用将TSKgel(注册商标)Super HZM-M(4.6mmID×15cm、TOSOH CORPORATION制)、Super HZ4000(4.6mmID×15cm、TOSOH CORPORATION制)、Super HZ3000(4.6mmID×15cm、TOSOH CORPORATION制)、Super HZ2000(4.6mmID×15cm、TOSOH CORPORATION制)的各一个串联连接的装置，作为溶析液，能够使用THF(四氢呋喃)。并且，作为测量条件，能够将试样浓度设为0.2质量％、流速设为0.35mL/分钟、样品注入量设为10μL及测量温度设为40℃，并使用示差折射率(RI)检测器来进行测量。校准曲线能够使用TOSOH Corporation制的“标准试样TSK standard，polystyrene”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”及“A-1000”这7个样品中的任一个来制作。

作为碱可溶性树脂，也能够应用后述的“负型感光性树脂层”的项中所说明的碱可溶性树脂。

密合层可以含有一种碱可溶性树脂，也可以含有两种以上的碱可溶性树脂。

从密合性及显影性的观点考虑，密合层中的碱可溶性树脂的含量相对于密合层的总质量优选为50质量％以上，更优选为60质量％以上，尤其优选为80质量％以上。密合层中的碱可溶性树脂的含量的上限并无限制。相对于密合层的总质量，密合层中的碱可溶性树脂的含量例如能够在100质量％以下的范围内适当设定。

密合层中的碱可溶性树脂可以为热固性树脂。热固性树脂并无限制，能够应用公知的热固性树脂。

并且，密合层除了上述成分以外，还可以含有后述的树脂层(优选负型感光性树脂层)中能够含有的成分(例如聚合性化合物、聚合引发剂)。

波长400nm～700nm下的密合层的最低透射率优选为80％以上，更优选为90％以上。透射率通过与上述临时支承体的透射率的测量方法相同的方法来进行测量。

密合层可以为有机层，也可以为碱溶性的密合层，也可以为热固性的密合层，也可以为感光性的密合层。碱溶性的密合层作为密合层的成分至少由碱可溶性树脂构成。热固性的层作为密合层的成分至少由热固性树脂构成。作为感光性的密合层，例如可举出负型感光性的密合层及正型感光性的密合层。热固性的密合层或感光性的密合层还可以具有碱溶性。

(密合层的形成方法)

密合层的形成方法并无限制，能够应用公知的方法。作为密合层的形成方法，例如可举出将包含上述各成分的密合层形成用涂布液涂布于被涂布物上并使其干燥的方法。

作为涂布方法，例如可举出狭缝涂布、旋转涂布、帘幕涂布、喷墨涂布等。

干燥温度能够根据溶剂等挥发性成分的种类适当设定。干燥温度例如能够在60℃～120℃的范围内设定。

关于密合层形成用涂布液，能够以任意比例混合上述各成分及溶剂来制备。

溶剂并无限制，能够应用公知的溶剂。作为溶剂，例如可举出乙二醇单烷基醚系溶剂、乙二醇二烷基醚系溶剂、乙二醇单烷基醚乙酸酯系溶剂、丙二醇单烷基醚系溶剂、丙二醇二烷基醚系溶剂、丙二醇单烷基醚乙酸酯系溶剂、二乙二醇二烷基醚系溶剂、二乙二醇单烷基醚乙酸酯系溶剂、二丙二醇单烷基醚系溶剂、二丙二醇二烷基醚系溶剂、二丙二醇单烷基醚乙酸酯系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂、酰胺系溶剂、内酯系溶剂等。

并且，作为溶剂的优选的例，可举出以下所记载的酯系溶剂、醚系溶剂、酮系溶剂等。

作为酯系溶剂，可举出乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸异丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸叔丁酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、1-甲氧基-2-乙酸丙酯等。

作为醚系溶剂，可举出二异丙基醚、1，4-二噁烷、1，2-二甲氧基乙烷、1，3-二氧戊环、丙二醇二甲醚、丙二醇单乙基醚等。

作为酮系溶剂，可举出甲基正丁基酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、二乙基酮、甲基正丙基酮、甲基异丙基酮等。

密合层形成用涂布液中的固体成分浓度并无限制，例如能够在0.5质量％～10质量％的范围内适当设定。

〔包含银纳米线的层〕

本发明的导电性转印材料具有包含银纳米线的层。

(银纳米线)

从透明性的观点考虑，银纳米线的直径(即短轴长度)优选为50nm以下，更优选为35nm以下，尤其优选为20nm以下。从耐氧化性及耐久性的观点考虑，银纳米线的直径优选为5nm以上。

从导电性的观点考虑，银纳米线的长度(即长轴长度)优选为5μm以上，更优选为10μm以上，尤其优选30μm以上。从在制造过程中产生凝聚物等的观点考虑，银纳米线的长度(长轴长度)优选为1mm以下。

银纳米线的直径及长度例如能够使用透射型电子显微镜(TEM)或光学显微镜来进行测量。具体而言，分别对通过使用透射型电子显微镜或光学显微镜观察300个银纳米线来进行测量的各银纳米线的直径及长度进行算术平均，并且将所得到的值作为银纳米线的直径及长度。

作为银纳米线的形状，例如可举出圆柱状、长方体状、截面呈多边形的柱状等。在要求高透明性的用途中，银纳米线的形状优选为圆柱状及截面的多边形的角为圆的截面形状中的至少一种。银纳米线的截面形状能够使用透射型电子显微镜(TEM)来进行观察。

从透明性及导电性的观点考虑，包含银纳米线的层中的银纳米线的含量相对于包含银纳米线的层的总质量优选为1质量％～99质量％，更优选为10质量％～95质量％。

(粘合剂)

包含银纳米线的层根据需要可以包含粘合剂(还称为基质。)。粘合剂为分散或嵌入有银纳米线的固体材料。粘合剂能够从腐蚀、磨耗等有害环境因素保护银纳米线。

作为粘合剂，例如可举出高分子材料、无机材料等，优选具有透光性的材料。

作为高分子材料，例如，可举出(甲基)丙烯酸树脂(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯))、聚酯(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET))、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚烯烃(例如，聚丙烯)、聚降冰片烯、纤维素化合物、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮等。作为纤维素化合物，例如可举出羟丙基甲基纤维素(HPMC)、羟乙基纤维素(HEC)、甲基纤维素(MC)、羟丙基纤维素(HPC)、羧甲基纤维素(CMC)等。并且，高分子材料可以为导电性高分子材料。作为导电性的高分子材料，例如可举出聚苯胺、聚噻吩等。

作为无机材料，例如可举出二氧化硅、莫来石、氧化铝等。

并且，作为粘合剂，能够使用日本特开2014-212117号公报的0051段～0052段中所记载的材料。这些记载通过参考被编入到本说明书中。

包含银纳米线的层可以含有一种粘合剂，也可以含有两种以上的粘合剂。

包含银纳米线的层含有粘合剂时，包含银纳米线的层中的粘合剂的含量相对于包含银纳米线的层的总质量优选为1质量％～99质量％，更优选为5质量％～80质量％。

从透明性及导电性的观点考虑，包含银纳米线的层的厚度优选为1nm～400nm，更优选为10nm～200nm。包含银纳米线的层的厚度通过在上述“密合层”的项中所说明的方法来进行测量。

波长400nm～700nm下的含银纳米线层的最低透射率优选为80％以上，更优选为90％以上。透射率通过与上述临时支承体的透射率的测量方法相同的方法来进行测量。

(银纳米线的制造方法)

银纳米线的制造方法并无限制，能够应用公知的方法。作为银纳米线的制造方法，例如可举出至少具有在包含卤化合物及还原剂的水溶剂中添加银络合物溶液并在150℃以下的温度下进行加热的工序及根据需要进行脱盐处理的工序的方法。

卤化合物为含有溴、氯或碘的化合物，则并无限制。作为卤化合物，例如可举出溴化钠、氯化钠、碘化钠、碘化钾、溴化钾、氯化钾等碱金属卤化物等。并且，作为卤化合物，可以使用HTAB(十六烷基三甲基溴化铵)、HTAC(十六烷基三甲基氯化铵)等。

作为还原剂，例如可举出硼氢化钠、硼氢化钾等硼氢化金属盐；氢化铝锂、氢化铝钾、氢化铝铯、氢化铝铍、氢化铝镁、氢化铝钙等氢化铝盐；亚硫酸钠、肼化合物、糊精、对苯二酚、羟胺、柠檬酸或其盐、琥珀酸或其盐、抗坏血酸或其盐等；二乙基氨基乙醇、乙醇胺、丙醇胺、三乙醇胺、二甲基氨基丙醇等烷醇胺；丙基胺、丁基胺、二丙烯胺、乙二胺、三亚乙基五胺等脂肪族胺；哌啶、吡咯烷、N-甲基吡咯烷、吗啉等杂环式胺；苯胺、N-甲基苯胺、甲苯胺、茴香胺、苯乙定等芳香族胺；苄基胺、二甲苯二胺、N-甲基苄基胺等芳烷基胺；甲醇、乙醇、2-丙醇等醇；乙二醇、谷胱甘肽、有机酸(柠檬酸、苹果酸、酒石酸等)、还元糖(葡萄糖、半乳糖、甘露糖、果糖、蔗糖、麦芽糖、棉子糖、水苏糖等)、糖醇(山梨糖醇等)等。

作为银络合物的配体，例如可举出CN^-、SCN^-、S0₃ ^2-、硫脲、氨等。作为银络合物，优选银氨络合物。

加热温度优选为150℃以下，更优选为20℃～130℃，进一步优选为30℃～100℃，尤其优选为40℃～90℃。

在形成银纳米线之后，能够通过超滤、透析、凝胶过滤、倾析、离心分离等方法米进行脱盐处理。

并且，作为银纳米线的制造方法，还能够应用日本特开2013-167021号公报的0020段～0031段中所记载的方法。这些记载通过参考被编入到本说明书中。

(包含银纳米线的层的形成方法)

包含银纳米线的层的形成方法并无限制，能够应用公知的方法。作为包含银纳米线的层的形成方法，例如可举出将含有上述各成分的银纳米线层形成用涂布液涂布于被涂布物上并使其干燥的方法。

关于银纳米线层形成用涂布液，例如能够通过以任意比例混合上述各成分及溶剂来制备。作为溶剂，主要使用水，并且能够相对于溶剂的总量以80体积％以下的比例并用与水混合的有机溶剂。

作为有机溶剂，例如优选沸点为50℃～250℃、更优选55℃～200℃的醇化合物。作为醇化合物，例如可举出甲醇、乙醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇200、聚乙二醇300、甘油、丙二醇、二丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，4-丁二醇、1，5-戊烷二醇、1-乙氧基-2-丙醇、乙醇胺、二乙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-二甲基氨基异丙醇等。

银纳米线层形成用涂布液中的银纳米线的含量相对于银纳米线层形成用涂布液的总质量优选为0.01质量％～99质量％，更优选为0.05质量％～95质量％。

作为涂布方法，例如可举出狭缝涂布、旋转涂布、帘幕涂布、喷墨涂布等。

干燥温度能够根据溶剂等挥发性成分的种类适当设定。干燥温度例如能够在60℃～120℃的范围内设定。

〔树脂层〕

本发明的导电性转印材料优选在上述临时支承体与包含上述银纳米线的层之间具有至少一个树脂层。导电性转印材料通过在临时支承体与包含银纳米线的层之间具有至少一个树脂层，能够对导电性转印材料赋予缓冲性，因此能够提高导电性转印材料在基板上的转印性。

图2示意性地示出本发明的导电性转印材料的层结构的一例。图2所示的导电性转印材料110依次具有临时支承体10、树脂层40、包含银纳米线的层20及密合层30。

从图案化性的观点考虑，树脂层优选为感光性树脂层。作为感光性树脂层，例如可举出正型感光性树脂层及负型感光性树脂层。上述之中，从抗蚀剂剥离性的观点考虑，树脂层优选为正型感光性树脂层。

树脂层的厚度并无限制，能够根据材质适当设定。树脂层的厚度例如能够设在1nm～100μm的范围内，从兼具层叠性及图案化的观点考虑，优选为1μm～20μm，更优选为2～15μm。树脂层的厚度通过在上述“密合层”的项中所说明的方法进行测量。

波长400nm～700nm下的树脂层的最低透射率优选为80％以上，更优选为90％以上。透射率通过与上述临时支承体的透射率的测量方法相同的方法来进行测量。

树脂层的数量并无限制，能够根据应用导电性转印材料的工序等适当设定。

(正型感光性树脂层)

正型感光性树脂层并无限制，能够应用公知的正型感光性树脂层。从灵敏度、解析度及去除性的观点考虑，正型感光性树脂层优选含有聚合物及光产酸剂，该聚合物包含具有被酸分解性基保护的酸基的构成单元。

关于正型感光性树脂层，在国际公开第2018/179640号的0033段～0130段中有记载。这些记载通过参考被编入到本说明书中。

-含有具有被酸分解性基保护的酸基的构成单元的聚合物-

正型感光性树脂层优选含有聚合物(以下，还称为“聚合物A”。)，该聚合物包含具有被酸分解性保护的酸基的构成单元(以下，还称为“构成单元A”。)。聚合物A中的被酸分解性基保护的酸基通过因曝光而产生的催化剂量的酸的作用(即脱保护反应)而成为酸基。通过因脱保护反应而产生的酸基，能够使正型感光性树脂层溶解于显影液中。

聚合物A优选为加成聚合型聚合物，更优选为包含源自(甲基)丙烯酸或该酯的构成单元的聚合物。另外，也可以具有除了源自(甲基)丙烯酸或该酯的构成单元以外的构成单元，例如源自苯乙烯化合物的构成单元、源自乙烯基化合物的构成单元等。

构成单元A中的酸基并无限制，能够应用公知的酸基。酸基优选为羧基或酚性羟基(还称为“苯酚性羟基”。)。

构成单元A中的酸分解性基并无限制，能够应用公知的酸分解性基。作为酸分解性基，例如可举出相对容易被酸分解的基团(例如，1-烷氧基烷基、四氢吡喃基、四氢呋喃基等缩醛型官能团)、相对不易被酸分解的基团(例如，叔丁基等叔烷基)。上述之中，酸分解性基优选为具有以缩醛的形式保护酸基的结构的基团。并且，从抑制应用于导电图案的形成时的导电配线的线宽变化的观点考虑，酸分解性基优选为分子量为300以下的酸分解性基。

从抑制图案形状的变形、显影液中的溶解性及转印性的观点考虑，具有被酸分解性基保护的酸基的构成单元优选为选自由下述式A1表示的构成单元、由下述式A2表示的构成单元及由下述式A3表示的构成单元中的至少一种构成单元，优选为由下述式A3表示的构成单元，尤其优选由后述的式A3-3表示的构成单元。由下述式A1表示的构成单元及由下述式A2表示的构成单元为具有被酸分解性基保护的酚性羟基的构成单元。由下述式A3表示的构成单元为具有被酸分解性基保护的羧基的构成单元。

[化学式1]

式A1中，R¹¹及R¹²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，R¹¹及R¹²中的至少一个为烷基或芳基，R¹³表示烷基或芳基，R¹¹或R¹²与R¹³可以连接而形成环状醚，R¹⁴表示氢原子或甲基，X¹表示单键或二价的连接基，R¹⁵表示取代基，n表示0～4的整数。

式A2中，R²¹及R²²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，R²¹及R²²中的至少一个为烷基或芳基，R²³表示烷基或芳基，R²¹或R²²与R²³可以连接而形成环状醚，R²⁴分别独立地表示羟基、卤素原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧基羰基、羟基烷基、芳基羰基、芳氧羰基或环烷基，m表示0～3的整数。

式A3中，R³¹及R³²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，R³¹及R³²中的至少一个为烷基或芳基，R³³表示烷基或芳基，R³¹或R³²与R³³可以连接而形成环状醚，R³⁴表示氢原子或甲基，X⁰表示单键或连接基，Y表示硫原子或氧原子。

式A3中，R³¹或R³²为烷基时，烷基优选为碳原子数1～10的烷基。R³¹或R³²为芳基时，芳基优选为苯基。R³¹及R³²分别独立地为氧原子或碳原子数1～4的烷基，优选R³¹及R³²中的至少一个为碳原子数1～4的烷基。

式A3中，R³³优选为碳原子数1～10的烷基，更优选为碳原子数1～6的烷基。

式A3中，R³¹～R³³中的烷基及芳基也可以具有取代基。

式A3中，优选R³¹或R³²与R³³连接而形成环状醚。环状醚的环员数并无限制，但是优选为5或6，更优选为5。

式A3中，X⁰优选为单键或亚芳基，优选为单键。亚芳基也可以具有取代基。

式A3中，从曝光灵敏度的观点考虑，Y优选为氧原子。

式A3中，R³⁴表示氢原子或甲基，从能够进一步降低聚合物A的玻璃化转变温度(Tg)的观点考虑，优选为氢原子。更具体而言，式A3中的R³⁴为氢原子的构成单元的含有比率相对于聚合物A中所包含的由式A3表示的总构成单元优选为20摩尔％以上。另外，关于由式A3表示的构成单元中的式A3中的R³⁴为氢原子的构成单元的含有比率(摩尔％)，根据从¹³C-核磁共振光谱(NMR)测量并通过常规方法算出的峰值强度的强度比来进行确认。

由式A3表示的构成单元中，从进一步提高图案形成时的灵敏度的观点考虑，更优选由下述式A3-3表示的构成单元。

[化学式2]

式A3-3中，R³⁴表示氢原子或甲基，R³⁵～R⁴¹分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。式A3-3中，R³⁴优选为氢原子。式A3-3中，R³⁵～R⁴¹优选为氢原子。

作为由式A3表示的构成单元的优选的具体例，能够例示下述构成单元。另外，下述构成单元中的R³⁴表示氢原子或甲基。

[化学式3]

聚合物A可以具有一种构成单元A，也可以具有两种以上的构成单元A。

聚合物A中的构成单元A的含有比率相对于聚合物A的总构成单元优选为10摩尔％以上，更优选为10摩尔％～90摩尔％，尤其优选为20摩尔％～70摩尔％。关于聚合物A中的构成单元A的含有比率，根据从¹³C-NMR测量并通过常规方法算出的峰值强度的强度比来进行确认。

聚合物A优选包含具有酸基的构成单元(以下，还称为“构成单元B”。)。通过聚合物A包含构成单元B，形成图案时的灵敏度变得良好，在图案曝光后的显影工序中容易溶解于碱性的显影液，进而能够实现显影时间的缩短化。

构成单元B中的酸基是指pKa为12以下的质子解离性基。从提高灵敏度的观点考虑，酸基的pKa优选为10以下，更优选为6以下。并且，酸基的pKa优选为-5以上。

作为构成单元B中的酸基，例如可举出羧基、磺酰胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羟基、磺酰亚胺基等。上述之中，优选酸基为羧基或酚性羟基。

对聚合物A的具有酸基的构成单元的导入能够通过使具有酸基的单体共聚合来进行。

构成单元B更优选为对源自苯乙烯化合物的构成单元或源自乙烯基化合物的构成单元取代了酸基的构成单元或源自(甲基)丙烯酸的构成单元。

从图案形成时的灵敏度变得更良好的观点考虑，构成单元B优选为选自由具有羧基的构成单元及具有酚性羟基的构成单元组成的组中的至少一种构成单元。

聚合物A可以包含一种构成单元B，也可以包含两种以上的构成单元B。

从图案形成性的观点考虑，聚合物A中的构成单元B的含有比率相对于聚合物A的总构成单元优选为0.1摩尔％～20摩尔％，更优选为0.5摩尔％～15摩尔％，尤其优选为1摩尔％～10摩尔％。关于聚合物A中的构成单元B的含有比率，根据从¹³C-NMR测量并通过常规方法算出的峰值强度的强度比米进行确认。

聚合物A在不损害本发明的导电性转印材料的效果的范围内可以包含除了上述的构成单元A及构成单元B以外的其他构成单元(以下，还称为“构成单元C”。)。

作为形成构成单元C的单体，例如可举出苯乙烯化合物、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环状烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不饱和二羧酸二酯、双环不饱和化合物、马来酰亚胺化合物、不饱和芳香族化合物、共轭二烯系化合物、不饱和单羧酸、不饱和二羧酸、不饱和二羧酸酐、具有脂肪族环式骨架的不饱和化合物、其他不饱和化合物等。

作为构成单元C，具体而言可举出将苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯苯甲酸甲酯、乙烯苯甲酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯异丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、丙烯腈、乙二醇单乙酰乙酸酯单(甲基)丙烯酸酯等进行聚合而形的构成单元。此外，能够举出将日本特开2004-264623号公报的0021段～0024段中所记载的化合物进行聚合来形成的构成单元。

从提高所得到的导电性转印材料的电特性的观点考虑，作为构成单元C，优选为选自由具有芳香环的构成单元及具有脂肪族环式骨架的构成单元组成的组中的至少一种构成单元。作为形成上述构成单元的单体，例如可举出苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、异冰片(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。上述之中，构成单元C优选为源自(甲基)丙烯酸环己酯的构成单元。

并且，作为形成构成单元C的单体，从密合性的观点考虑，例如优选(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选具有碳原子数4～12的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。具体而言，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。

聚合物A可以包含一种构成单元C，也可以包含两种以上的构成单元C。

聚合物A中的构成单元C的含有比率相对于聚合物A的总构成单元优选70摩尔％以下，更优选60质量％以下，尤其优选50质量％以下。聚合物A中的构成单元C的含有比率的下限值可以为0摩尔％。聚合物A中的构成单元C的含有比率相对于聚合物A的总构成单元优选为1摩尔％以上，更优选为5摩尔％以上。若在上述范围内，则更提高解析度及密合性。

聚合物A的重均分子量优选为60,000以下。通过聚合物A的重均分子量为60,000以下，能够将感光性树脂层的熔融粘度抑制为较低，并且能够实现在与基板贴合时在低温(例如130℃以下)下的贴合。并且，聚合物A的重均分子量优选为2,000～60,000，更优选为3,000～50,000。聚合物A的重均分子量为通过上述的方法(即凝胶渗透色谱法)来测量的聚苯乙烯换算的重均分子量。

正型感光性树脂层可以含有一种聚合物A，也可以含有两种以上的聚合物A。

从对基板显现良好的密合性的观点考虑，正型感光性树脂层中的聚合物A的含量相对于正型感光性树脂层的总质量优选为50质量％～99.9质量％，更优选为70质量％～98质量％。

聚合物A的制造方法(合成法)并无限制，能够应用公知的方法。作为聚合物A的制造方法，例如可举出在有机溶剂中使用聚合引发剂将用于形成构成单元A的聚合性单体、进而根据需要将用于形成具有酸基的构成单元B的聚合性单体及用于形成构成单元C的聚合性单体进行聚合的方法。

-光产酸剂-

正型感光性树脂层优选含有光产酸剂。

光产酸剂为能够通过照射紫外线、远紫外线、X射线、带电粒子束等放射线来产生酸的化合物。作为光产酸剂，优选与波长300nm以上、优选波长300nm～450nm的光化射线感应而产生酸的化合物。并且，即便是不直接与波长300nm以上的光化射线感应的光产酸剂，只要是通过与增感剂并用来与波长300nm以上的光化射线感应而产生酸的化合物，则能够与增感剂组合来适当地使用。

作为光产酸剂，优选产生pKa为4以下的酸的光产酸剂，更优选产生pKa为3以下的酸的光产酸剂，尤其优选产生pKa为2以下的酸的光产酸剂。pKa的下限值并无特别限定。pKa例如优选为-10.0以上。

作为光产酸剂，例如可举出离子性光产酸剂及非离子性光产酸剂。从灵敏度及解析度的观点考虑，光产酸剂优选包含选自由后述的鎓盐化合物及后述的肟磺酸盐化合物组成的组中的至少一种化合物，更优选包含肟磺酸盐化合物。

作为离子性光产酸剂，例如可举出二芳基碘盐化合物及三芳基锍盐化合物等鎓盐化合物、季铵盐化合物等。上述之中，离子性光产酸剂优选为鎓盐化合物，更优选为三芳基锍盐化合物及二芳基碘盐化合物中的至少一种。

作为离子性光产酸剂，也能够优选地使用日本特开2014-085643号公报的0114段～0133段中所记载的离子性光产酸剂。

作为非离子性光产酸剂，例如能够举出三氯甲基均三嗪化合物、重氮甲烷化合物、酰亚胺磺酸盐化合物、肟磺酸盐化合物等。上述之中，从灵敏度、解析度及密合性的观点考虑，非离子性光产酸剂优选为肟磺酸盐化合物。作为三氯甲基均三嗪化合物及重氮甲烷化合物的具体例，能够例示日本特开2011-221494号公报的0083段～0088段中所记载的化合物。

作为肟磺酸盐化合物即具有肟磺酸盐结构的化合物，优选具有由下述式(B1)表示的肟磺酸盐结构的化合物。

[化学式4]

式(B1)中，R²¹表示烷基或芳基，*表示与其他原子或其他基团的键结部位。

具有由式(B1)表示的肟磺酸盐结构的化合物中的任一基团均可以被取代，R²¹中的烷基可以为直链状，也可以具有支链结构，也可以具有环结构。下面对可允许的取代基进行说明。

作为由R²¹表示的烷基，优选碳原子数1～10的直链状或支链状烷基。由R²¹表示的烷基可以被碳原子数6～11的芳基、碳原子数1～10的烷氧基、环烷基或卤素原子取代。

作为由R²¹表示的芳基，优选碳原子数6～18的芳基，更优选苯基或萘基。由R²¹表示的芳基可以被选自由碳原子数1～4的烷基、烷氧基及卤素原子组成的组中的一个以上的基团取代。

正型感光性树脂层可以含有一种光产酸剂，也可以含有两种以上的光产酸剂。

从灵敏度及解析度的观点考虑，正型感光性树脂层中的光产酸剂的含量相对于正型感光性树脂层的总质量优选为0.1质量％～10质量％，更优选为0.5质量％～5质量％。

-其他成分A-

正型感光性树脂层可以含有除了上述成分以外的成分(以下，还称为“其他成分A”。)。其他成分A并无限制，能够根据目的等适当选择。作为其他成分，例如可举出表面活性剂、后述的防腐蚀剂等。

作为表面活性剂，例如可举出阴离子系表面活性剂、阳离子系表面活性剂、非离子系(Nonionic)表面活性剂及两性表面活性剂。通过正型感光性树脂层含有表面活性剂，能够提高膜厚的均匀性。上述之中，表面活性剂优选为非离子系表面活性剂。

作为非离子系表面活性剂，例如可举出聚氧乙烯高级烷基醚系表面活性剂、聚氧乙烯高级烷基苯基醚系表面活性剂、聚氧乙二醇的高级脂肪酸二酯系表面活性剂、硅酮系表面活性剂、氟系表面活性剂等。作为非离子系表面活性剂的具体例，可举出KP(Shin-EtsuChemical Co.，Ltd.制)、POLYFLOW(KYOEISHA CHEMICAL CO.，LTD.制)、EFTOP(JEMCOCORPORATION制)、MEGAFACE(注册商标，例如MEGAFACE F551A、DIC Corporation制)、FLUORAD(Sumitomo 3M Limited制)、ASAHI GUARD(注册商标，AGC Inc.制)、SURFLON(注册商标，AGC SEIMI CHEMICAL CO.，LTD.制)、PolyFox(OMNOVA SOLUTIONS INC.制)、SURFYNOL(Nissin Chemical Co.，Ltd.制)及、SH-8400(Dow Corning Toray Co.，Ltd.制)等各系列。

正型感光性树脂层可以含有一种表面活性剂，也可以含有两种以上的表面活性剂。

从膜厚的均匀性的观点考虑，正型感光性树脂层中的表面活性剂的含量相对于正型感光性树脂层的总质量优选为0.05质量％～10质量％，更优选为0.05质量％～5质量％。

(负型感光性树脂层)

负型感光性树脂层并无限制，能够应用公知的负型感光性树脂层。从图案形成性的观点考虑，负型感光性树脂层优选含有聚合性化合物、聚合引发剂及粘合剂聚合物。

-聚合性化合物-

从图案形成性的观点考虑，负型感光性树脂层优选含有聚合性化合物。

作为聚合性化合物，可举出能够聚合的化合物，例如自由基聚合性化合物、阳离子聚合性化合物等。上述之中，聚合性化合物优选为光聚合性化合物，更优选为烯属不饱和化合物。烯属不饱和化合物为具有一个以上的烯属不饱和基的化合物。作为烯属不饱和基，更优选(甲基)丙烯酰基。作为烯属不饱和化合物，优选(甲基)丙烯酸酯化合物。

作为烯属不饱和化合物，优选包含2官能以上的烯属不饱和化合物。在此，2官能以上的烯属不饱和化合物是指在一分子中具有两个以上的烯属不饱和基的化合物。

作为2官能的烯属不饱和化合物，例如可举出三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1，9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等。

作为2官能的烯属不饱和化合物，更具体而言，可举出三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(A-DCP、Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制)、三环癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯(DCP、Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制)、1，9-壬二醇二丙烯酸酯(A-NOD-N、Shin-NakamuraChemical Co.，Ltd.制)、1，6-己二醇二丙烯酸酯(A-HD-N、Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制)、聚亚丁二醇#650二丙烯酸酯(A-PTMG-65、Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制)、乙氧基化双酚A二甲基丙烯酸酯(BPE-500、Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制)等。

作为3官能以上的烯属不饱和化合物，例如可举出二季戊四醇(三/四/五/六)(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(三/四)(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、异三聚氰酸(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物等。在此，“(三/四/五/六)(甲基)丙烯酸酯”的用语为包含三(甲基)丙烯酸酯、四(甲基)丙烯酸酯、五(甲基)丙烯酸酯及六(甲基)丙烯酸酯的概念。并且，“(三/四)(甲基)丙烯酸酯”的用语为包含三(甲基)丙烯酸酯及四(甲基)丙烯酸酯的概念。

从提高显影性的观点考虑，烯属不饱和化合物优选包含具有酸基的烯属不饱和化合物。作为酸基，例如可举出磷酸基、磺酸基、羧基等，优选羧基。

作为具有酸基的烯属不饱和化合物，例如可举出具有酸基的3～4官能的烯属不饱和化合物、具有酸基的5～6官能的烯属不饱和化合物等。

作为具有羧基的2官能以上的烯属不饱和化合物，优选ARONIX(注册商标)TO-2349(TOAGOSEI CO.，LTD.制)、ARONIX M-520(TOAGOSEI CO.，LTD.制)及ARONIX M-510(TOAGOSEI CO.，LTD.制)。

具有酸基的烯属不饱和化合物也优选日本特开2004-239942号公报的0025段～0030段中所记载的具有酸基的聚合性化合物。这些记载通过参考被编入到本说明书中。

负型感光性树脂层可以含有一种聚合性化合物，也可以含有两种以上的聚合性化合物。

作为聚合性化合物，优选含有2官能的烯属不饱和化合物及3官能以上的烯属不饱和化合物。该情况下，2官能的烯属不饱和化合物与3官能以上的烯属不饱和化合物的含量的质量比优选为1∶10～10∶1。

从感光性的观点考虑，负型感光性树脂层中的聚合性化合物的含量相对于负型感光性树脂层的总质量优选为1质量％～70质量％，更优选为10质量％～70质量％，进一步优选为20质量％～60质量％，尤其优选为20质量％～50质量％。

-聚合引发剂-

从图案形成性的观点考虑，负型感光性树脂层优选含有聚合引发剂。

作为聚合引发剂，优选光聚合引发剂及热聚合引发剂中的至少一个，更优选光聚合引发剂。

作为光聚合引发剂，例如可举出具有肟酯结构的光聚合引发剂(以下，还称为“肟系光聚合引发剂”。)、具有α-氨基烷基苯酮结构的光聚合引发剂(以下，还称为“α-氨基烷基苯酮系光聚合引发剂”。)、具有α-羟基烷基苯酮结构的光聚合引发剂(以下，还称为“α-羟基烷基苯酮系聚合引发剂”。)、具有酰基氧化膦结构的光聚合引发剂(以下，还称为“酰基氧化膦系光聚合引发剂”。)、具有N-苯基甘氨酸结构的光聚合引发剂(以下，还称为“N-苯基甘氨酸系光聚合引发剂”。)等。

光聚合引发剂优选包含选自肟系光聚合引发剂、α-氨基烷基苯酮系光聚合引发剂、α-羟基烷基苯酮系聚合引发剂及N-苯基甘氨酸系光聚合引发剂中的至少一种，更优选包含选自由肟系光聚合引发剂、α-氨基烷基苯酮系光聚合引发剂及N-苯基甘氨酸系光聚合引发剂组成的组中的至少一种。

并且，作为光聚合引发剂，例如也可以使用日本特开2011-095716号公报的0031～0042段、日本特开2015-014783号公报的0064段～0081段中所记载的光聚合引发剂。

作为光聚合引发剂的市售品，例如可举出1-[4-(苯硫基)苯基]-1，2-辛烷二酮-2-(O-苯甲酰肟)(产品名：IRGACURE(注册商标)OXE-01、BASF公司制)、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮-1-(O-乙酰基肟)(产品名：IRGACURE OXE-02、BASF公司制)、2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮(产品名：IRGACURE 379EG、BASF公司制)、2-甲基-1-(4-甲基硫代苯基)-2-吗啉代丙烷-1-酮(产品名：IRGACURE 907、BASF公司制)、2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮(产品名：IRGACURE 127、BASF公司制)、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基)-1-丁酮(产品名：IRGACURE 369、BASF公司制)、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(产品名：IRGACURE 1173、BASF公司制)、1-羟基环己基苯基酮(产品名：IRGACURE 184、BASF公司制)、2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮(产品名：IRGACURE 651、BASF公司制)等。

负型感光性树脂层可以含有一种聚合引发剂，也可以含有两种以上的聚合引发剂。

作为聚合引发剂，优选含有肟系光聚合引发剂及α-氨基烷基苯酮系光聚合引发剂或α-羟基烷基苯酮系聚合引发剂。

负型感光性树脂层中的聚合引发剂的含量相对于负型感光性树脂层的总质量优选0.1质量％以上，更优选0.2质量％以上，尤其优选0.3质量％以上。并且，负型感光性树脂层中的聚合引发剂的含量相对于负型感光性树脂层的总质量优选10质量％以下，更优选5质量％以下。

-粘合剂聚合物-

负型感光性树脂层优选含有粘合剂聚合物。

从显影性的观点考虑，粘合剂聚合物优选为碱可溶性树脂。作为碱可溶性树脂酸值优选为40mgKOH/g以上的树脂，更优选为酸值40mgKOH/g以上的具有羧基的(甲基)丙烯酸树脂(以下，还称为“聚合物B”。)。酸值的测量方法如上所述。

聚合物B中的源自(甲基)丙烯酸的构成单元及源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的合计比例相对于聚合物B的总构成单元优选为20摩尔％以上，更优选为50摩尔％以上。

聚合物B包含具有羧基的构成单元。上述聚合物B中所包含的具有羧基的构成单元可以为一种，也可以为两种以上。

从显影性的观点考虑，聚合物B中的具有羧基的构成单元的含有比率相对于聚合物B的总构成单元优选为5摩尔％～60摩尔％，更优选为5摩尔％～40摩尔％，进一步优选为10摩尔％～40摩尔％，尤其优选为10摩尔％～30摩尔％。

从固化后的透湿度及强度的观点考虑，粘合剂聚合物(尤其聚合物B)优选包含具有芳香环的构成单元。作为形成具有芳香环的构成单元的单体，可举出苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯化合物、(甲基)丙烯酸苄酯等。作为具有芳香环的构成单元，优选为源自苯乙烯化合物的构成单元。

从固化后的强度的观点考虑，粘合剂聚合物(尤其聚合物B)优选包含具有烯属不饱和基的构成单元。碱可溶性树脂优选包含在侧链上具有烯属不饱和基的构成单元。作为烯属不饱和基，优选(甲基)丙烯酸基，更优选(甲基)丙烯酰氧基。

粘合剂聚合物的酸值优选为40mgKOH/g以上，更优选为40mgKOH/g～200mgKOH/g，进一步优选为60mgKOH/g～150mgKOH/g，尤其优选为60mgKOH/g～130mgKOH/g。

粘合剂聚合物的重均分子量优选大于3,000，更优选大于3,000且为60,000以下，尤其优选为5,000～50,000。粘合剂聚合物的重均分子量为通过上述的方法(即凝胶渗透色谱法)来测量的聚苯乙烯换算的重均分子量。

负型感光性树脂层可以含有一种粘合剂聚合物，也可以含有两种以上的粘合剂聚合物。

负型感光性树脂层中的粘合剂聚合物的含量相对于负型感光性树脂层的总质量优选为10质量％～90质量％，更优选为20质量％～80质量％，尤其优选为30质量％～70质量％。

-其他成分B-

负型感光性树脂层可以含有除了上述成分以外的成分(以下，还称为“其他成分B”。)。其他成分B并无限制，能够根据目的等适当选择。作为其他成分B，例如可举出热交联性化合物、增感剂、后述的防腐蚀剂等。

作为热交联性化合物，例如可举出嵌段异氰酸酯化合物、双酚A型环氧化合物、甲酚酚醛清漆型环氧化合物、联苯型环氧化合物、脂环式环氧化合物、三聚氰胺化合物等。在此，“热交联性化合物”是指在1分子中具有一个以上能够通过热引起交联反应的官能团(即热交联性基)的化合物。

上述之中，作为热交联性化合物，优选嵌段异氰酸酯化合物。在此，“嵌段异氰酸酯化合物”是指具有用封端剂保护异氰酸酯的异氰酸酯基的结构的化合物。

嵌段异氰酸酯化合物的解离温度优选为100℃～160℃，更优选为130℃～150℃。在此，“嵌段异氰酸酯化合物的解离温度”是指使用示差扫描量热仪(例如，SeikoInstruments Inc.制、DSC6200)通过DSC(Differential scanning calorimetry，示差扫描量热法)分析进行了测量的情况下，伴随嵌段异氰酸酯化合物的脱保护反应的吸热峰值的温度。

作为解离温度为100℃～160℃的封端剂，例如可举出吡唑化合物(例如3，5-二甲基吡唑、3-甲基吡唑、4-溴-3，5-二甲基吡唑及4-硝基-3，5-二甲基吡唑)、活性亚甲基化合物(例如丙二酸二酯(例如，丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、丙二酸二正丁酯及丙二酸二2-乙基己酯))、三唑化合物(例如1，2，4-三唑)、肟化合物(例如甲醛肟、乙醛肟、丙酮肟、甲基乙基酮肟、环己酮肟等在分子内具有由-C(＝N-OH)-表示的结构的化合物)等。上述之中，从保存稳定性的观点考虑，优选肟化合物或吡唑化合物，尤其优选肟化合物。

嵌段异氰酸酯化合物可以为市售品。例如可举出Karenz AOI-BM、Karenz MOI-BM、Karenz MOI-BP(均为SHOWA DENKO K.K.制)、嵌段型Duranate系列(Asahi KaseiCorporation.制)等。

嵌段异氰酸酯化合物的分子量优选为200～3,000，更优选为250～2,600，尤其优选为280～2,200。

负型感光性树脂层可以含有一种热交联性化合物，也可以含有两种以上的热交联性化合物。

从所得到的固化膜(即负型感光性树脂层的固化物)的强度的观点考虑，负型感光性树脂层中的热交联性化合物的含量相对于负型感光性树脂层的总质量优选为1质量％～50质量％，更优选为5质量％～30质量％。

作为增感剂，例如可举出N-苯基甘氨酸等。

负型感光性树脂层可以含有一种增感剂，也可以含有两种以上的增感剂。

负型感光性树脂层中的增感剂的含量相对于负型感光性树脂层的总质量优选为0.01质量％～5质量％。

并且，负型感光性树脂层根据需要可以含有在上述“正型感光性树脂层”的项中所说明的其他成分A。

作为密合层与树脂层的组合，优选分别记载于下述(a)～(f)的组合，更优选分别记载于下述(a)～(e)的组合。

(a)密合层为碱溶性的密合层，树脂层为正型感光性树脂层。

(b)密合层为碱溶性的密合层，树脂层为负型感光性树脂层。

(c)密合层为热固性的密合层，树脂层为正型感光性树脂层。

(d)密合层为热固性的密合层，树脂层为负型感光性树脂层。

(e)密合层为负型感光性的密合层，树脂层为负型感光性树脂层。

(f)密合层为正型感光性的密合层，树脂层为正型感光性树脂层。

(树脂层的形成方法)

树脂层的形成方法并无限制，能够应用公知的方法。作为树脂层的形成方法，例如可举出将包含上述各成分的树脂层形成用涂布液涂布于被涂布物上并使其干燥的方法。

作为涂布方法，例如可举出狭缝涂布、旋转涂布、帘幕涂布、喷墨涂布等。

树脂层形成用涂布液能够通过以任意比例混合上述各成分及溶剂来制备。

作为溶剂并无限制，例如可举出在上述“密合层”的项中所说明的溶剂。

树脂层形成用涂布液中的固体成分浓度并无限制，例如能够在0.5质量％～40质量％的范围内适当设定。

〔防腐蚀剂〕

本发明的导电性转印材料中，优选选自由上述包含银纳米线的层、上述密合层及上述树脂层组成的组中的至少一个含有防腐蚀剂。通过选自由包含银纳米线的层、密合层及树脂层组成的组中的至少一个包含防腐蚀剂，能够防止银纳米线等的腐蚀，因此能够提高耐久性。

防腐蚀剂并无限制，能够应用公知的防腐蚀剂。作为防腐蚀剂，例如可举出含有氮原子及硫原子中的至少一个的化合物等。从耐久性的观点考虑，防腐蚀剂优选为含有氮原子及硫原子中的至少一个的杂环式化合物，更优选为包含含有一个以上的氮原子的5元环结构的化合物，尤其优选为选自由包含三唑结构的化合物、包含苯并咪唑结构的化合物及包含噻二唑结构的化合物组成的组中的至少一种化合物。含有一个以上的氮原子的5元环结构可以为单环的结构，也可以为构成稠环的部分结构。

作为防腐蚀剂的具体例，可举出苯并咪唑、1，2，4-三唑、苯并三唑、甲苯基三唑、丁基苄基三唑、烷基二硫噻二唑、烷基硫醇、2-氨基嘧啶、5，6-二甲基苯并咪唑、2-氨基-5-巯基-1，3，4-噻二唑、2，5-二巯基-1，3，4-噻二唑、2-巯基嘧啶、2-巯基苯并噁唑、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并咪唑等。上述之中，防腐蚀剂优选为选自由苯并咪唑、1，2，4-三唑及2，5-二巯基-1，3，4-噻二唑组成的组中的至少一种防腐蚀剂。

包含银纳米线的层、密合层及树脂层可以分别含有一种防腐蚀剂，也可以含有两种以上的防腐蚀剂。

防腐蚀剂的含量相对于包含银纳米线的层、密合层及树脂层中的含有防腐蚀剂的层的总质量优选为0.01质量％～8质量％。

〔光稳定剂〕

本发明的导电性转印材料中，选自由上述包含银纳米线的层、上述密合层及上述树脂层组成的组中的至少一个优选含有光稳定剂。通过选自由包含银纳米线的层、密合层及树脂层组成的组中的至少一个包含光稳定剂，能够提高银纳米线等的耐光性。

光稳定剂并无限制，能够应用公知的光稳定剂。作为光稳定剂，例如能够使用美国专利申请公开第2015/0270024号说明书的0032段～0043段中所记载的化合物。

作为光稳定剂的具体例，可举出Fe、Co、Mn、V等过渡金属化合物。作为过渡金属化合物中所包含的配体，例如可举出乙酰丙酮(以下，还称为“acac”。)、环戊二烯、联吡啶、菲咯啉、SO₄ ^2-、NO₃ ^-等。作为过渡金属化合物的具体例，可举出二茂铁、Fe(acac)₃、Co(acac)₃、Mn(acac)₃、VO(acac)₃、抗坏血酸铁、硫酸铁、三(2，2’-联吡啶)硫酸铁等。

包含银纳米线的层、密合层及树脂层可以分别含有一种光稳定剂，也可以含有两种以上的光稳定剂。

光稳定剂的含量相对于包含银纳米线的层、密合层及树脂层中的含有光稳定剂的层的总质量优选为0.01质量％～10质量％。

〔杂质〕

本发明的导电性转印材料中，优选包含上述银纳米线的层、上述密合层及上述树脂层的杂质的含量少。

作为杂质的具体例，可举出钠、钾、镁、钙、铁、锰、铜、铝、钛、铬、钴、镍、锌、锡及这些的离子以及游离卤素、卤化物离子(氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子等)等。

各层中的杂质的含量以质量基准计优选1000ppm以下，更优选200ppm以下，进一步优选40ppm以下。下限并无特别规定，但是从实际降低的极限及测量极限的观点考虑，以质量基准计，能够设为10ppb以上以及能够设为100ppb以上。

作为将杂质降低到上述范围的方法，可举出选择在各层的原料中不含杂质者及形成层时防止杂质的混入等。通过这些方法，能够将杂质量设在上述范围内。

杂质例如能够用ICP(Inductively Coupled Plasma，电感耦合等离子体)发光分光分析法、原子吸光分光法等公知的方法来定量。

并且，优选各层中的苯、甲醛、三氯乙烯、1，3-丁二烯、四氯化碳、氯仿、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、己烷等化合物的含量少。作为这些化合物在各层中的含量，以质量基准计优选1000ppm以下，更优选200ppm以下，进一步优选40ppm以下。下限并无特别规定，但是从实际降低的极限及测量极限的观点考虑，以质量基准计，能够设为10ppb以上以及能够设为100ppb以上。

化合物的杂质能够通过与上述金属的杂质相同的方法来抑制含量。并且，能够通过公知的测量法来定量。

〔保护膜〕

本发明的导电性转印材料可以在与配置有临时支承体的一侧相反的一侧的最外层的位置具有保护膜。

<附有图案的基板的制造方法>

本发明的附有图案的基板的制造方法依次包括：贴合上述导电性转印材料及基板的工序(以下，还称为“贴合工序”。)；对上述导电性转印材料中的感光性树脂层进行图案曝光的工序(以下，还称为“曝光工序”。)；及对经上述图案曝光的导电性转印材料进行显影来形成图案的工序(以下，还称为“显影工序”。)。本发明的附有图案的基板的制造方法包括上述工序，因此能够得到包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的附有图案的基板。

[贴合工序]

本发明的附有图案的基板的制造方法包括贴合上述导电性转印材料及基板的工序。

作为导电性转印材料，能够应用上述实施方式1A的导电性转印材料及上述实施方式1B的导电性转印材料中的具有感光性树脂层的导电性转印材料。感光性树脂层如在上述“导电性转印材料”的项中所说明，优选的范围也相同。

作为能够应用于贴合工序的导电性转印材料的具体例，可举出(1)依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及厚度为1nm～250nm的密合层并且在临时支承体与包含银纳米线的层之间具有至少一个感光性树脂层的导电性转印材料、(2)依次具有临时支承体、包含银纳米线的层及接触电阻为1Ω～300Ω的密合层并且在临时支承体与包含银纳米线的层之间具有至少一个感光性树脂层的导电性转印材料等。从解析性的观点考虑，能够应用于贴合工序的导电性转印材料中的感光性树脂层优选为正型感光性树脂层。

基板可以为玻璃、硅、薄膜等基材本身为基板，也可以为在玻璃、硅、薄膜等基材上根据需要设置有导电层等任意层的基板。基板还具有导电层时，基板优选在基材上具有导电层。

基材优选为玻璃基材或薄膜基材，更优选为薄膜基材，尤其优选为树脂薄膜。

基材优选为透明。作为透明的基材，能够优选地使用日本特开2010-086684号公报、日本特开2010-152809号公报及日本特开2010-257492号公报中所使用的材料。并且，基材的折射率优选为1.50～1.52。

基材可以由玻璃基材等透光性基材构成，能够使用以Corning Incorporated的GORILLA玻璃为代表的强化玻璃等。

作为基材使用薄膜基材时，更优选使用光失真较小的基材及透明度高的基材，尤其优选使用树脂薄膜。

作为构成树脂薄膜的树脂，例如可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚茶二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、三乙酰基纤维素、环烯烃聚合物等。

作为导电层，例如可举出金属层、导电性金属氧化物层等。在此，“导电性”是指体积电阻率小于1×10⁶Ωcm。体积电阻率优选小于1×10⁴Ωcm。

作为构成金属层的金属，例如可举出Al(铝)、Zn(锌)、Cu(铜)、Fe(铁)、Ni(镍)、Cr(铬)、Mo(钼)等。构成金属层的金属可以为由一种金属元素构成的单体的金属，也可以为包含两种以上的金属元素的金属，也可以为包含至少一种金属元素的合金。

作为构成导电性金属氧化物层的导电性金属氧化物，例如可举出ITO(Indium TinOxide，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)、SiO₂等。

从导电性及细线形成性的观点考虑，导电层优选为选自由金属层及导电性金属氧化物层组成的组中的至少一种的层，更优选为金属层，尤其优选为铜层。

作为导电层，优选为相当于在静电电容型触控面板中使用的可见部的传感器的电极图案或边缘引出部的配线。

贴合工序中，通过使导电性转印材料及基板与导电性转印材料中的密合层及基板接触来进行贴合。

导电性转印材料及基板的贴合(以下，还称为“层叠”。)能够使用真空层压机、自动切割层压机等公知的层压机来进行。

层叠温度优选为80℃～150℃，更优选为90℃～150℃，尤其优选为100℃～150℃。使用具备橡胶辊的层压机时，层叠温度是指橡胶辊温度。

作为层叠时的基板温度，例如可举出10℃～150℃，优选20℃～150℃，更优选30℃～150℃。作为基板使用树脂基板时，层叠时的基板温度优选10℃～80℃，更优选20℃～60℃，尤其优选30℃～50℃。

层叠时的线压优选为0.5N/cm～20N/cm，更优选为1N/cm～10N/cm，尤其优选为1N/cm～5N/cm。

层叠时的输送速度(层叠速度)优选为0.5m/分钟～5m/分钟，更优选为1.5m/分钟～3m/分钟。

[曝光工序]

本发明的附有图案的基板的制造方法包括对上述导电性转印材料中的感光性树脂层进行图案曝光的工序。图案曝光工序中，通过对导电性转印材料中的感光性树脂层进行图案曝光，在感光性树脂层上形成曝光部及非曝光部。

曝光工序中，导电性转印材料中的感光性树脂层为正型时，经曝光的感光性树脂层(即曝光部)通过极性变化而在显影液中的溶解性增大。导电性转印材料中的感光性树脂层为负型时，经曝光的感光性树脂层(即曝光部)被固化。

图案曝光的方法可以为隔着掩模(“光掩模”。)的曝光，也可以为使用激光等的数字曝光。

曝光的光源并无限制，能够根据感光性树脂层的成分适当选择。例如，感光性树脂层为正型时，作为光源，可举出能够照射曝光部可溶解于显影液的波长区域的光(例如为365nm、405nm等)的光源。并且，例如，感光性树脂层为负型时，作为光源，可举出能够照射可固化曝光部的波长区域的光(例如为365nm或405nm)的光源。作为光源的具体例，可举出各种激光、发光二极管(LED)、超高压汞灯、高压汞灯、金属卤化物灯等。

曝光量优选为5mJ/cm²～200mJ/cm²，更优选为10mJ/cm²～200mJ/cm²。

曝光工序中，可以从与基板贴合的导电性转印材料剥离临时支承体之后对感光性树脂层进行图案曝光，也可以在残留临时支承体的状态下对感光性树脂层进行图案曝光。

[显影工序]

本发明的附有图案的基板的制造方法包括对经上述图案曝光的导电性转印材料进行显影来形成图案的工序。

显影工序中，导电性转印材料中的感光性树脂层为正型时，通过显影液去除导电性转印材料的曝光部，由此能够形成图案。并且，导电性转印材料中的导电性树脂层为负型时，通过显影液去除感光性转印材料的非曝光部，由此能够形成图案。

显影液并无限制，能够应用日本特开平5-072724号公报中所记载的显影液等公知的显影液。

显影液优选为碱性水溶液。作为能够在碱性水溶液中所含有的碱性化合物，例如可举出氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵、胆碱(2-羟乙基三甲基氢氧化铵)等。

作为碱性水溶液在25℃中的pH，优选8～13，更优选9～12，尤其优选10～12。

碱性水溶液中的碱性化合物的含量相对于碱性水溶液总量优选0.1质量％～5质量％，更优选0.1质量％～3质量％。

显影液的液温优选20℃～40℃。

作为显影的方式，例如可举出旋覆浸没显影、喷淋显影、喷淋及旋转显影、浸渍显影等。

<电路基板的制造方法>

本发明的电路基板的制造方法依次包括：贴合上述导电性转印材料及基板的工序(贴合工序)；对上述导电性转印材料中的感光性树脂层进行图案曝光的工序(曝光工序)；对经上述图案曝光的导电性转印材料进行显影来形成图案的工序(显影工序)；及去除上述图案中的感光性树脂层或感光性树脂层的固化物的工序(以下，还称为“去除工序”。)。本发明的电路基板的制造方法包括上述工序，因此能够得到包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异的电路基板。

本发明的电路基板的制造方法中的贴合工序、曝光工序及显影工序的含义分别与在上述“附有图案的基板”的项中所说明的贴合工序、曝光工序及显影工序的含义相同，优选的范围也相同。

[去除工序]

本发明的电路基板的制造方法包括去除上述图案中的感光性树脂层或感光性树脂层的固化物(以下总称为“被去除层”。)的工序。

显影工序中，图案中的感光性树脂层或感光性树脂层的固化物通常配置于上述图案的最外层(即，在构成图案的各层中，配置于离基板最远的位置的层)。

作为感光性树脂层的固化物，例如可举出负型感光性树脂层的固化物。负型感光性树脂层的固化物例如在上述曝光工序中通过对负型感光性树脂层进行曝光来形成。

作为去除被去除层的方法，例如可举出通过药品处理去除被去除层的方法等，优选使用去除液的方法。

作为去除被去除层的方法，例如可举出，将具有被去除层的基板优选在30℃～80℃、更优选在50℃～80℃下搅拌中的去除液中浸渍1分钟～30分钟的方法。

从去除性的观点考虑，在去除工序中，优选使用含有30质量％以上水的去除液，更优选使用含有50质量％以上水的去除液，尤其优选使用含有70质量％以上水的去除液。

去除液优选含有氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠等无机碱成分或伯胺化合物、仲胺化合物、叔胺化合物、季铵盐化合物等有机碱成分。

从去除性的观点考虑，碱成分的含量相对于去除液的总质量优选为0.01质量％～20质量％，更优选为0.1质量％～10质量％。

去除工序可以根据需要在后述的整面曝光工序之后进行。

[整面曝光工序]

本发明的电路基板的制造方法可以包括在上述去除工序之前对经上述显影工序而形成的图案进行整面曝光的工序(以下，还称为“整面曝光工序”。)。例如，图案中的感光性树脂层为正型时，能够提高感光性树脂层在去除液中的溶解性。

从去除性的观点考虑，整面曝光工序中优选使用包含与上述曝光工序相同的波长的光的光源。

作为整面曝光工序中的曝光量，从去除性的观点考虑，优选为5mJ/cm²～1,000mJ/cm²，更优选为10mJ/cm²～800mJ/cm²，尤其优选为100mJ/cm²～500mJ/cm²。

<层叠体>

[实施方式2A]

本发明的一实施方式的层叠体依次具有基板、厚度为1nm～250nm的密合层及包含银纳米线的层(银纳米线层)。上述实施方式(以下，还称为“实施方式2A”。)的层叠体依次具有基板、厚度为1nm～250nm的密合层及包含银纳米线的层，因此包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异。

[实施方式2B]

本发明的一实施方式的层叠体依次具有基板、接触电阻为1Ω～300Ω的密合层及包含银纳米线的层(银纳米线层)。上述实施方式(以下，还称为“实施方式2B”。)的层叠体依次具有基板、接触电阻为1Ω～300Ω的密合层及包含银纳米线的层，因此包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异。

图3示意性地示出本发明的层叠体的层结构的一例。图3所示的层叠体200依次具有基板50、密合层30及包含银纳米线的层20。

作为俯视图观察上述层叠体时，本发明的层叠体可以在基板的整面配置有密合层及银纳米线层，也可以在基板的一部分配置有密合层及银纳米线层。例如，本发明的层叠体中，配置于基板上的密合层及银纳米线层可以具有图案状的形状。作为具有图案状的形状的层叠体的具体例，可举出电路基板等。

本发明的优选的实施方式中，上述密合层及包含上述银纳米线的层为转印层。本发明中，“转印层”是指通过转印形成的层。

以下，对实施方式2A及实施方式2B的层叠体的各结构进行说明。其中，将实施方式2A的层叠体中的“厚度为1nm～250nm的密合层”代替为“接触电阻为1Ω～300Ω的密合层”，除此以外，实施方式2B的层叠体的结构的含义与实施方式2A的层叠体的结构的含义相同。因此，以下所说明的实施方式只要没有特别说明，则是指上述实施方式2A及上述实施方式2B该两个实施方式，优选的范围也相同。

〔基板〕

本发明的层叠体具有基板。基板的含义与在上述“附有图案的基板的制造方法”的项中所说明的基板的含义相同，优选的范围也相同。基板优选在基材上具有导电层。

〔密合层〕

实施方式2A中，层叠体具有厚度为1nm～250nm的密合层。实施方式2A中的层叠体具有厚度为1nm～250nm的密合层，因此包含银纳米线的层与基板的密合性较高并且提高银纳米线层与基板之间的导电性。实施方式2A中，密合层的厚度通过上述的方法进行测量。实施方式2A中，密合层可以为在上述“导电性转印材料”的项中所说明的实施方式1A中的密合层，也可以为固化上述实施方式1A中的密合层而成的层。固化上述密合层而成的层例如通过层中的固化性(例如光固化性及热固性)的成分通过曝光或加热进行固化来形成。

实施方式2B中，层叠体具有接触电阻为1Ω～300Ω的密合层。实施方式2B中的层叠体具有接触电阻为1Ω～300Ω的密合层，因此包含银纳米线的层与基板的密合性较高并且提高银纳米线层与基板之间的导电性。实施方式2B中，密合层的厚度通过上述的方法来进行测量。实施方式2B中，密合层可以为在上述“导电性转印材料”的项中所说明的实施方式1B中的密合层，也可以为固化上述实施方式1B中的密合层而成的层。固化上述密合层而成的层例如通过层中的固化性(例如，光固化性及热固性)的成分通过曝光或加热进行固化来形成。

实施方式2B中，密合层的接触电阻通过TLM(Transmission Line Model，传输线模型)法来进行测量。

例如，层叠体中的基板具有导电层的情况下(即层叠体依次具有基材、导电层、密合层及银纳米线层的情况下)，选择5个彼此独立地配置的导电层。测量导电层之间的电阻，并且标绘导电层之间的电阻(纵轴)与距离(横轴)之间的关系，由此能够求出密合层的接触电阻。其中，所选择的5个导电层均限制于在导电层上隔着密合层配置有一个银纳米线层。

层叠体中的基板不具有导电层的情况下，从基板剥离具有密合层及银纳米线层的试验用层叠体。将使用上述试验用层叠体并且通过在上述“导电性转印材料”的项中所说明的密合层的接触电阻的测量方法得到的接触电阻设为层叠体的密合层的接触电阻。

密合层的组成如在上述“导电性转印材料”的项中所说明，优选的范围也相同。

〔包含银纳米线的层〕

本发明的层叠体具有包含银纳米线的层。本发明的层叠体中的包含银纳米线的层的含义与在上述“导电性转印材料”的项中所说明的包含银纳米线的层的含义相同，优选的范围也相同。

〔防腐蚀剂〕

本发明的层叠体中，选自由上述包含银纳米线的层及上述密合层组成的组中的至少一个优选具有防腐蚀剂。通过包含银纳米线的层及密合层中的至少一个包含防腐蚀剂，能够防止银纳米线等的腐蚀，因此能够提高耐久性。本发明的层叠体中的防腐蚀剂的含义与在上述“导电性转印材料”的项中所说明的防腐蚀剂的含义相同，优选的范围也相同。

〔光稳定剂〕

本发明的层叠体中，选自由上述包含银纳米线的层及上述密合层组成的组中的至少一个优选含有光稳定剂。通过选自由包含银纳米线的层及密合层组成的组中的至少一个包含光稳定剂，由此能够提高银纳米线等的耐光性。本发明的层叠体中的光稳定剂的含义与在上述“导电性转印材料”的项中所说明的光稳定剂的含义相同，优选的范围也相同。

〔杂质〕

本发明的层叠体中，优选含上述银纳米线的层及上述密合层的杂质的含量少。本发明的层叠体中的杂质的含义与在上述“导电性转印材料”的项中所说明的杂质的含义相同，上述各层中的杂质的含量的优选的范围也相同。

[层叠体的制造方法]

作为层叠体的制造方法并无限制，例如能够应用在上述“附有图案的基板”及“电路基板”的项中所说明的方法。

<触控面板>

本发明的触控面板具有上述层叠体。本发明的触控面板具有上述层叠体，因此包含银纳米线的层与基板之间的密合性及导电性优异。

本发明的触控面板中的层叠体的含义与在上述“层叠体”的项中所说明的层叠体的含义相同，优选的范围也相同。并且，本发明的触控面板中，层叠体用作电路基板的情况下，层叠体中的包含密合层及银纳米线层的区域的一部分优选为图案状。

作为本发明的触控面板中的检测方法，例如可举出电阻膜方式、静电电容方式、超声波方式、电磁感应方式、光学方式等。上述之中，作为检测方法，优选静电电容方式。

作为触控面板型，能够举出所谓内嵌型(例如，日本特表2012-517051号公报的图5、图6、图7、图8中所记载的类型)、所谓外嵌型(例如，日本特开2013-168125号公报的图19中所记载的类型、口本特开2012-089102号公报的图1或图5中所记载的类型)、OGS(OneGlass Solution，单片式玻璃触控面板)型、TOL(Touch-on-Lens，覆盖层触摸)型(例如，日本特开2013-054727号公报的图2中所记载的类型)、其他配置(例如，日本特开2013-164871号公报的图6中所记载的类型)、各种外挂型(所谓GG、G1·G2、GFF、GF2、GF1、G1F等)。

作为本发明的触控面板，能够应用“最新触控面板技术”(2009年7月6日、TechnoTimes Co.，Ltd.发行)、三谷雄二监修、“触控面板的技术与开发”、CMC出版(2004，12)、FPDInternational 2009Forum T-11演讲课本、Cypress Semiconductor Corporation应用笔记AN2292等中所公开的配置。

触控面板的制造方法并无限制，能够应用公知的方法。触控面板的制造方法中，例如能够应用上述电路基板的制造方法。

将本发明的触控面板的制造方法中所使用的掩模的图案的一例示于图4中。图4所示的图案A能够在对正型感光性树脂层进行图案曝光时使用。图4所示的图案A中，实线部SL及灰色部G为遮光部，虚线部DL为虚拟地示出对准位置的框架。本发明的触控面板的制造方法中，例如隔着具有图4所示的图案A的掩模对正型感光性树脂层进行曝光，由此能够制造形成有具有与实线部SL及灰色部G对应的图案的电路配线的触控面板。

实施例

以下，通过实施例对本发明进行详细说明，但是本发明并不限定于这些。即，以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理步骤等，只要不脱离本发明的宗旨，则能够适当进行变更。

以下的实施例中，树脂的重均分子量为以基于凝胶渗透色谱法(GPC)的聚苯乙烯换算求出的重均分子量。酸值使用了理论酸值。

<银纳米线的直径及长轴长度>

使用透射型电子显微镜(TEM；JEOL Ltd.制、JEM-2000FX)观察300个银纳米线，求出了各银纳米线的直径及长轴长度。通过对测量值进行算术平均，求出了金属纳米线的直径及长轴长度。

<添加液A的制备>

将硝酸银粉术0.51g溶解于纯水50mL中。向所得到的溶液中添加1mol/L的氨水直至溶液透明。之后，向所得到的溶液添加纯水，以使溶液的总量达到100mL，从而制备了添加液A。

<添加液G的制备>

将葡萄糖粉末0.5g溶解于140mL的纯水中，从而制备了添加液G。

<添加液H的制备>

将HTAB(十六烷基-三甲基溴化铵)粉末0.5g溶解于27.5mL的纯水中，从而制备了添加液H。

<银纳米线层形成用涂布液的制备>

向三口烧瓶内添加纯水(410mL)之后，在20℃下进行搅拌，并且使用漏斗添加了添加液H(82.5mL)及添加液G(206mL)。以流量2.0mL/分钟、搅拌转速800rpm(revolutions perminute，每分钟转数。以下相同。)向所得到的溶液添加了添加液A(206mL)。10分钟之后，向所得到的溶液添加了82.5mL添加液H。之后，以3℃/分钟将所得到的溶液升温至内温75℃。之后，将搅拌转速降低至200rpm并且加热了5小时。对所得到的溶液进行冷却之后，加入到不锈钢杯，使用利用硅软管连接有超滤模块S IP1013(Asahi Kasei Corporation.制、截留分子量6,000)、磁力泵及不锈钢杯而成的超滤装置进行了超滤。来自模块的滤液达到50mL的时刻，向不锈钢杯加入950mL的蒸馏水，进行了清洗。反复10次上述清洗之后，进行了浓缩直至溶液的量达到50mL。另外，通过上述方法反复制作添加液A、添加液G、添加液H，用于银纳米线层形成用涂布液的制备。

用纯水及甲醇(纯水及甲醇的体积比例(纯水/甲醇)：60/40)对所得到的浓缩液进行稀释，由此得到了银纳米线层形成用涂布液。接着，将银纳米线层形成用涂布液涂布于环烯烃聚合物薄膜。银纳米线层形成用涂布液的涂布量为湿膜厚度达到20μm的量。干燥后的包含银纳米线的层的薄片电阻为60Ω/□。薄片电阻的测量中使用了非接触式涡电流方式的电阻测量器EC-80P(NAPSON CORPORATION制)。并且，银纳米线的直径为17nm，长轴长度为35μm。

<密合层形成用涂布液的制备>

按照下述表1的记载，分别制备了作为密合层形成用涂布液的材料A-1～A-4。后述的化合物A～化合物C中，一并记载于各构成单元中的数值表示构成单元的含有比率(摩尔比)。

[表1]

TO-2349：具有羧基的单体〔TOAGOSEI CO.，LTD.制ARONIX(注册商标)TO-2349，5官能烯属不饱和化合物与6官能烯属不饱和化合物的混合物〕

化合物A：具有下述构成单元的化合物

[化学式5]

化合物B：具有下述构成单元的化合物(Mw：20000)

[化学式6]

化合物C：具有下述构成单元的化合物(Mw：5500)

[化学式7]

<正型感光性树脂层形成用涂布液的制备>

按照下述表2的记载，制备了作为正型感光性树脂层形成用涂布液的材料BP-1。后述的化合物D中，一并记载于各构成单元中的数值表示构成单元的含有比率(摩尔比)。并且，材料BP-1也用作密合层形成用涂布液。

[表2]

化合物D：具有下述构成单元的化合物(Mw：25000)

[化学式8]

化合物E：具有下述结构的化合物

[化学式9]

<负型感光性树脂层形成用涂布液的制备>

按照下述表3的记载，制备了作为负型感光性树脂层形成用涂布液的材料BN-1。

[表3]

<实施例1～5、7及10以及比较例1～2的导电性转印材料的制作>

使用狭缝状喷嘴，将作为正型感光性树脂层形成用涂布液的材料BP-1涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(临时支承体、Lumirror16KS40(TORAY INDUSTRIES，INC.制))上，从而形成了正型感光性树脂层。将材料BP-1的涂布量调整为干燥后的厚度达到表4中所记载的厚度的量。

在100℃下使溶剂挥发之后，使用狭缝状喷嘴，以湿膜厚20μm将银纳米线层形成用涂布液涂布于正型感光性树脂层上，接着，在100℃的干燥温度下使其干燥，由此形成了银纳米线层(即包含银纳米线的层)。银纳米线层的膜厚为100nm。

将按照下述表4的记载选择的作为密合层形成用涂布液的材料A-1～A-4中的任一个涂布于银纳米线层上。将材料A-1～A-4的涂布量调整为干燥后的厚度达到表4中所记载的厚度的量。涂布材料A-1～A-4之后，在100℃的干燥温度下使其干燥，从而形成了密合层。

接着，将厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(保护膜、Lumirror16KS40(TORAYINDUSTRIES，INC.制))压接到密合层上，从而分别制作了实施例1～5、7及10以及比较例1～2的导电性转印材料。

<实施例11的导电性转印材料的制作>

实施例11中，将材料BP-1涂布于银纳米线层上，从而形成了正型密合层，除此以外，通过与实施例1相同的顺序制作了实施例11的导电性转印材料。另外，将材料BP-1的涂布量调整为干燥后的厚度达到表4中所记载的厚度的量。

<实施例6、8及9的导电性转印材料的制作>

使用狭缝状喷嘴，将作为密合层形成用涂布液的材料A-1、A-3或A-4涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(保护膜、Lumirror16KS40(TORAY INDUSTRIES，INC.制))上，从而形成了密合层。将材料A-1、A-3或A-4的涂布量调整为干燥后的厚度达到表4中所记载的厚度的量。

在100℃下使溶剂挥发之后，使用狭缝状喷嘴，以湿涂布厚度20μm将银纳米线层形成用涂布液涂布于密合层上，接着，在100℃的干燥温度下使其干燥，由此形成了银纳米线层(即包含银纳米线的层)。银纳米线层的膜厚为100nm。

将作为负型感光性树脂层形成用涂布液的材料BN-1涂布于银纳米线层上。将材料BN-1的涂布量调整为干燥后的厚度达到表4中所记载的厚度的量。涂布材料BN-1之后，在100℃的干燥温度下使其干燥，从而形成了负型感光性树脂层。

接着，将厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(临时支承体、Lumirror16KS40(TORAY INDUSTRIES，INC.制))压接到负型感光性树脂层上，从而分别制作了实施例6、8及9的导电性转印材料。

<比较例3的导电性转印材料的制作>

未形成密合层，除此以外，通过与实施例1相同的顺序制作了比较例3的导电性转印材料。

<透明电极图案薄膜的制作>

将剥离了保护膜的实施例1～5、10及11以及比较例1～3的各导电性转印材料贴合到厚度38μm、折射率1.53的环烯烃聚合物薄膜上(以下，在本段中称为“层叠加工”。)，由此得到了图案形成用层叠体。使用MCK公司制真空层压机，在环烯烃聚合物薄膜温度40℃、橡胶辊温度100℃、线压3N/cm、输送速度2m/分钟的条件下进行了层叠加工。并且，层叠加工中，使通过从导电性转印材料剥离保护膜而露出的表面与环烯烃聚合物薄膜表面接触。

接着，使用具有超高压汞灯的接近型曝光机(Hitachi high-tech electronicengineering制)，使曝光掩模(具有透明电极形成用图案的石英曝光掩模)表面与临时支承体密合，隔着临时支承体并以曝光量100mJ/cm²(i射线)对正型感光性树脂层进行了图案曝光。

剥离临时支承体之后，使用碳酸钠1质量％水溶液，在32℃下实施了60秒钟显影处理。显影处理后，通过从超高压清洗喷嘴将超纯水喷射到附有图案的基板来去除了残渣。由此，对密合层、银纳米线层及感光性树脂层进行了图案化。

之后，喷吹空气而去除了附有图案的基板上的水分。

接着，使用具有高压汞灯的接近型曝光机(Hitachi high-tech electronicengineering制)，以曝光量400mJ/cm²(i射线)，对残留的正型感光性树脂层进行曝光之后，使用碳酸钠1质量％水溶液，在32℃下进行60秒钟的处理，由此去除正型感光性树脂层，从而制作了具有经图案化的银纳米线层的透明电极图案薄膜(电路基板)。

使用了实施例7的导电性转印材料的透明电极图案薄膜的制作中，在显影处理之后且在曝光之前，在145℃下进行了10分钟的加热处理，除此以外，通过与实施例1相同的顺序制作了透明电极图案薄膜(电路基板)。

使用了实施例6及8的导电性转印材料的透明电极图案薄膜的制作中，在显影处理之后末进行曝光处理，使用负型感光性树脂层用去除液SH-303(KANTO CHEMICAL CO.，INC.制)，在30℃下进行60秒钟处理，由此去除了负型感光性树脂层的固化物，除此以外，通过与实施例1相同的顺序制作了透明电极图案薄膜(电路基板)。

使用了实施例9的导电性转印材料的透明电极图案薄膜的制作中，在显影处理之后且通过SH-303(KANTO CHEMICAL CO.，INC.制)进行处理之前，在145℃下进行了10分钟的加热处理，除此以外，通过与实施例6相同的顺序制作了透明电极图案薄膜(电路基板)。

<评价>

[雾度]

通过雾度计NDH4000(NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO.，LTD制)测量了在上述中制作的透明电极图案薄膜的雾度。将评价结果示于表4中。

[密合性]

使用在上述中制作的图案形成用层叠体，参考JIS K5400实施了100个方格的横切试验。使用切割机刀片，在剥离了临时支承体的作为图案形成用层叠体的试验面的感光性树脂层切入1mm四方的格子状的切口，使透明粘合带#600(3M Japan Limited制)牢固地压接。将透明粘合带沿180°方向剥离之后，用显微镜观察感光性树脂层的状态，算出剥离后残存的感光性树脂层的面积与剥离前的感光性树脂层的面积的比例，按照以下基准评价了密合性。A、B或C为实用上允许的等级，优选A或B，更优选A。将评价结果示于表4中。

(基准)

A：100％

B：95％以上且小于100％

C：65％以上且小于95％

D：35％以上且小于65％

E：小于35％

[显影残渣]

上述透明电极图案薄膜的制作中，肉眼观察及用显微镜(物镜的倍率：50倍)观察显影处理后的附有图案的基板，观察了是否附着有残渣成分。按照以下基准评价了显影残渣。将评价结果示于表4中。

(基准)

A：肉眼观察及显微镜观察中，末看到残渣成分的附着。

B：在肉眼观察中无法视觉辨认，但是在显微镜观察中看到残渣成分的附着。

C：在肉眼观察中清楚地看到残渣成分的附着。

[接触电阻]

通过TLM(Transmission Line Model，传输线模型)法测量了密合层的接触电阻。具体的测量方法如下。

在环烯烃聚合物薄膜(厚度38μm、折射率1.53)上以2mm、4mm、6mm、8mm、12mm及20mm的间隔形成了彼此平行且独立地配置的7个铜电极(厚度300nm、宽度500μm)。接着，在7个铜电极上分别贴合了已剥离保护膜的实施例1～11及比较例1～3的导电性转印材料，由此制作了具有在铜电极上隔着密合层层叠有银纳米线层的结构的试验体(比较例3中，具有在铜电极上层叠有银纳米线层的结构的试验体)。在上述各试验体的俯视图中，银纳米线层以横穿7个铜电极的方式配置，各铜电极与银纳米线层所成的角度为90°。测量相邻的铜电极之间的电阻，并标绘铜电极之间的电阻(纵轴)与距离(横轴)之间的关系，由此求出了密合层的接触电阻。铜电极之间的电阻的测量中，使用了电阻率计(Loresta-GP、MitsubishiChemical Analytech Co.，Ltd.制)。将评价结果示于表4中。

[薄片电阻]

使用非接触式涡电流方式的电阻测量器EC-80P(NAPSON CORPORATION制)，测量了在上述中制作的透明电极图案薄膜的薄片电阻。将评价结果示于表4中。

[传感器工作的确认]

使用实施例1～11及比较例1～3的导电性转印材料，按照上述的方法，在表面具有作为取出配线的铜电极的环烯烃聚合物薄膜(厚度38μm、折射率1.53)上形成透明电极图案，由此制作了静电电容方式的触控传感器。关于触控传感器，利用与日本专利第6173831号公报中所记载的方法类似的方法进行了制作。按照以下基准，评价了所得到的静电电容方式的触控传感器的传感器工作。将评价结果示于表4中。

(基准)

A：正常工作。

B：未正常工作。

[表4]

从表4可知，实施例1～11的导电性转印材料的密合性优异。另外，实施例1～11的导电性转印材料中的密合层的接触电阻较低，因此使用实施例1～11的导电性转印材料来制作的触控传感器正常工作。从而，可知通过使用实施例1～11的导电性转印材料，包含银纳米线的层与基板之间的导电性优异。另一方面，使用比较例1～3的导电性转印材料来制作的触控传感器未正常工作。并且，可知与实施例1～11的导电性转印材料相比，比较例3的导电性转印材料的密合性较差。

于2018年12月27日申请的日本专利申请2018-246220号的发明的所有内容通过参考被编入本说明书中。本说明书中所记载的全部文献、专利申请及技术标准，与具体且分别地记载将各个文献、专利申请及技术标准通过参考而引入的情况相同程度地，通过参考被编入到本说明书中。

Claims (13)

1.一种导电性转印材料，其依次具有：

临时支承体；

包含银纳米线的层；

厚度为1nm～250nm的密合层。

2.一种导电性转印材料，其依次具有：

临时支承体；

包含银纳米线的层；及

接触电阻为1Ω～300Ω的密合层。

3.根据权利要求1或2所述的导电性转印材料，其中，

所述密合层含有碱可溶性树脂。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性转印材料，其中，

在所述临时支承体与所述包含银纳米线的层之间具有至少一个树脂层。

5.根据权利要求4所述的导电性转印材料，其中，

选自由所述包含银纳米线的层、所述密合层及所述树脂层组成的组中的至少一个含有防腐蚀剂。

6.根据权利要求4或5所述的导电性转印材料，其中，

所述树脂层为感光性树脂层。

7.根据权利要求6所述的导电性转印材料，其中，

所述感光性树脂层为正型感光性树脂层。

8.一种附有图案的基板的制造方法，其依次包括：

使权利要求6或7所述的导电性转印材料及基板进行贴合的工序；

对所述导电性转印材料中的感光性树脂层进行图案曝光的工序；及

对经所述图案曝光的导电性转印材料进行显影来形成图案的工序。

9.一种电路基板的制造方法，其依次包括：

使权利要求6或7所述的导电性转印材料及基板进行贴合的工序；

对所述导电性转印材料中的感光性树脂层进行图案曝光的工序；

对经所述图案曝光的导电性转印材料进行显影来形成图案的工序；及

去除所述图案中的感光性树脂层或感光性树脂层的固化物的工序。

10.一种层叠体，其依次具有：

基板；

厚度为1nm～250nm的密合层；及

包含银纳米线的层。

11.一种层叠体，其依次具有：

基板；

接触电阻为1Ω～300Ω的密合层；及

包含银纳米线的层。

12.根据权利要求10或11所述的层叠体，其中，

所述密合层及所述包含银纳米线的层为转印层。

13.一种触控面板，其具有权利要求10至12中任一项所述的层叠体。

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