CN113314426B - 一种半导体封装工艺 - Google Patents
一种半导体封装工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113314426B CN113314426B CN202110578627.5A CN202110578627A CN113314426B CN 113314426 B CN113314426 B CN 113314426B CN 202110578627 A CN202110578627 A CN 202110578627A CN 113314426 B CN113314426 B CN 113314426B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead frame
- wafer
- upper die
- semiconductor packaging
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 44
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 17
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 22
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 gold tin copper aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种半导体封装工艺,本发明涉及半导体封装技术领域。该半导体封装工艺,通过启动转动电机将支架转动,让转动电机以200‑300r/min的转速转动20‑30s,验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内,以送至下一个制程进行焊线这样通过转动电机转动支架,可以让晶粒和Pad在L/F的内部没有固化的晶粒和Pad分开,使后续的制程不会出现晶粒和Pad脱离事故,通过将上模具移动到L/F的顶部,再将上模具底部的防溢罩缩回,并将上模具贴在L/F的顶部,上模具内部设置加热棒,加热棒保证在170‑190℃,并保温1‑2h,让上模具顶部的挤压杆向下移动,向下移动的压力为30‑50N,使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部,把芯片覆盖,不需要回温,便将塑封块熔化。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,具体为一种半导体封装工艺。
背景技术
半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片,然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板架的小岛上,再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板的相应引脚,并构成所要求的电路;然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护,塑封之后还要进行一系列操作,封装完成后进行成品测试,通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序,最后入库出货。
目前半导体封装工艺,在使用时,大部分的半导体封装工艺在黏晶固化后没有验证工序,让后续的工序会出现晶粒和垫板脱离事故,再封胶步骤启动时,塑封块在使用时需要大量的时间回温,增加工作时间,降低工作效率,或者电镀步骤中的电镀将引脚的外部包裹隔绝膜,使引脚与外界电路板连接时出现接触不良现象,为此,本领域的技术人员提出了一种半导体封装工艺。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种半导体封装工艺,解决了黏晶固化后没有验证工序,让后续的制程会出现晶粒和垫板脱离事故的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种半导体封装工艺:包括以下步骤:
S1、材料准备:把晶片的正面粘在蓝膜上,并将放晶片入研磨机上,打磨晶片背面,让晶片的厚度在8mils-10mils之间,晶片的原材料应放置在零下5℃的环境中,常温下需放置时,在需要使用前应放入零下5℃回温24h;
S2、晶片切割:将步骤S1加工完成的晶片,放入晶片切割机上,让切割刀片以切割速度:30-50Krpm将晶片切割成若干晶粒,进行晶片切割,首先进行晶圆黏片,然后再送至晶片切割机上进行切割,切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上;
S3、黏晶过程:
A、将步骤S2中蓝膜上的晶粒,通过银浆导线架点在垫板上,并将晶粒和垫板放入固化箱的内部;
B、固化箱内部的温度应保证在170-180℃,并保温1-1.2h;
C、通入氮气固化环境;
S4、固化验证:将步骤S3中的导线架放在验证支架上,并启动转动电机,带动支架转动,让转动电机以200-300r/min的转速转动20-30s,验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内,以送至下一个制程进行焊线;
S5、焊线:利用高纯度的金线把垫板和导线通过焊接的方法连接起来;
S6、封胶:将上模具移动到导线架的顶部,再将上模具底部的防溢罩缩回,并将上模具贴在导线架的顶部,启动上模具内部设置的加热棒,且加热棒应保证在170-190℃,并保温1-2h,让上模具顶部的挤压杆向下移动,向下移动的压力为30-50N,使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部,把芯片覆盖,封胶是为了制造出所生产电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或者高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架,与外界电路板连接所用,主要目的为以结构方式支撑导线,防止湿气由外部侵入;
S7、电镀:将完成构装的导线架放入弱酸的液体中,采用不小于99.95%的高纯的锡,并用无铅电镀,把晶须消除,无铅电镀后的导线架在140-150℃高温下烘烤2h,目的在于消除电镀层潜在的晶须;
S8、抛光打磨:在把步骤S7中构装的导线架放在打磨架上打磨引脚的顶部和底部,使导线架的厚度为1-3mm;
S9、剪切/成形:将步骤S8中的构装导线架放在冲压机的固定模上,向下移动冲压机的冲模以改变引脚的形状,并将构装外部的晶粒分开,剪切的目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开,向下移动的压力为3000-4000N,并把不需要的连接材料切除,成形的目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状,以便于装置于电路板上使用;
S10、成品检验:将步骤S9中的构装成品放在引线导通平台上,通过万能用表测量半导体的阻值时,观察外引脚之平整性、共面度、脚距及胶体是否有损伤以进行外观检验。
(三)有益效果
本发明提供了一种半导体封装工艺。具备以下有益效果:
(1)该半导体封装工艺,通过将步骤S3中的导线架放在验证支架上,并启动转动电机,带动支架转动,让转动电机以200-300r/min的转速转动20-30s,验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内,以送至下一个制程进行焊线这样通过转动电机转动支架,可以让晶粒和垫板在导线架的内部没有固化的晶粒和垫板分开,使后续的制程不会出现晶粒和垫板脱离事故。
(2)该半导体封装工艺,通过将上模具移动到导线架的顶部,再将上模具底部的防溢罩缩回,并将上模具贴在导线架的顶部,上模具内部设置加热棒,且加热棒应保证在170-190℃,并保温1-2h,让上模具顶部的挤压杆向下移动,向下移动的压力为30-50N,使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部,把芯片覆盖,为了制造出所生产电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或者高温破坏,最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架,与外界电路板连接所用,主要目的为以结构方式支撑导线,防止湿气由外部侵入、内部产生热量之去除及提供能够手持之形体,这样可以让塑封块不需要回温,便可以快速地将塑封块熔化,提高工作效率。
(3)该半导体封装工艺,通过在把步骤S6中构装的导线架放在打磨架上打磨引脚的顶部和底部,使导线架的厚度为1-3mm,这样可以让引脚不会因为步骤S6中的电镀将引脚的外部包裹隔绝膜,使引脚与外界电路板连接时出现接触不良现象。
附图说明
图1为本发明的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供三种技术方案:
实施例一
一种半导体封装工艺,包括以下步骤:
S1、材料准备:把晶片的正面粘在蓝膜上,并将放晶片入研磨机上,打磨晶片背面,让晶片的厚度在9mils之间,晶片的原材料应放置在零下5℃的环境中,常温下需放置时,在需要使用前应放入零下5℃回温24h;
S2、晶片切割:将步骤S1加工完成的晶片,放入晶片切割机上,让切割刀片以使用寿命:900-1500M、切割速度:40Krpm、将晶片切割成若干晶粒,进行晶片切割,首先进行晶圆黏片,然后再送至晶片切割机上进行切割,切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上;
S3、黏晶过程;
A、将步骤S2中蓝膜上的晶粒,通过银浆导线架点在垫板上,并将晶粒和垫板放入固化箱的内部;
B、固化箱内部的温度应保证在175℃保温1h;
C、通入氮气固化环境;
S4、固化验证:将步骤S3中的导线架放在验证支架上,并启动转动电机,带动支架转动,让转动电机以200r/min,转动时间为20s,验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内,以送至下一个制程进行焊线;
S5、焊线:利用高纯度的金线把垫板和导线通过焊接的方法连接起来;
S6、封胶:将上模具移动到导线架的顶部,再将上模具底部的防溢罩缩回,并将上模具贴在导线架的顶部,上模具内部设置加热棒,且加热棒应保证在170-190℃,并保温1-2h,让上模具顶部的挤压杆向下移动,向下移动的压力为30N,使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部,把芯片覆盖,封胶是为了制造出所生产电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或者高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架,与外界电路板连接所用,主要目的为以结构方式支撑导线,防止湿气由外部侵入、内部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热,再将框置于压模机上的构装模上再以树脂充填并待硬化;
S7、电镀:将完成构装的导线架放入弱酸的液体中,采用不小于99.95%的高纯的锡,无铅电镀,把晶须消除,无铅电镀后的导线架在140-150℃高温下烘烤2h,目的在于消除电镀层潜在的晶须;
S8、抛光打磨:在把步骤S7中构装的导线架放在打磨架上打磨引脚的顶部和底部,使导线架的厚度为1-3mm;
S9、剪切/成形:将步骤S8中的构装导线架放在冲压机的固定模上,向下移动冲压机的冲模以改变引脚的形状,向下移动的压力为3000-4000N,并将构装外部的晶粒分开,剪切的目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开,并把不需要的连接材料切除,成形的目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状,以便于装置于电路板上使用;
S10、成品检验:将步骤S9中的构装成品放在引线导通平台上,通过万能用表测量半导体的阻值时,观察外引脚之平整性、共面度、脚距及胶体是否有损伤以进行外观检验。
实施例二
一种半导体封装工艺,包括以下步骤:
S1、材料准备:把晶片的正面粘在蓝膜上,并将放晶片入研磨机上,打磨晶片背面,让晶片的厚度在8mils之间,晶片的原材料应放置在零下5℃的环境中,常温下需放置时,在需要使用前应放入零下5℃回温24h;
S2、晶片切割:将步骤S1加工完成的晶片,放入晶片切割机上,让切割刀片以使用寿命:900-1500M、切割速度:40Krpm、将晶片切割成若干晶粒,进行晶片切割,首先进行晶圆黏片,然后再送至晶片切割机上进行切割,切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上;
S3、黏晶过程;
A、将步骤S2中蓝膜上的晶粒,通过银浆导线架点在垫板上,并将晶粒和垫板放入固化箱的内部;
B、固化箱内部的温度应保证在170-180℃,并保温1-1.2h;
C、通入氮气固化环境;
S4、固化验证:将步骤S3中的导线架放在验证支架上,并启动转动电机,带动支架转动,让转动电机以250r/min,转动时间为25s,验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内,以送至下一个制程进行焊线;
S5、焊线:利用高纯度的金线把垫板和导线通过焊接的方法连接起来;
S6、封胶:将上模具移动到导线架的顶部,再将上模具底部的防溢罩缩回,并将上模具贴在导线架的顶部,上模具内部设置加热棒,且加热棒应保证在170-190℃,并保温1-2h,让上模具顶部的挤压杆向下移动,向下移动的压力为30-50N,使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部,把芯片覆盖,封胶是为了制造出所生产电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或者高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架,与外界电路板连接所用,主要目的为以结构方式支撑导线,防止湿气由外部侵入、内部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热,再将框置于压模机上的构装模上再以树脂充填并待硬化;
S7、电镀:将完成构装的导线架放入弱酸的液体中,采用不小于99.95%的高纯的锡,无铅电镀,把晶须消除,无铅电镀后的导线架在140-150℃高温下烘烤2h,目的在于消除电镀层潜在的晶须;
S8、抛光打磨:在把步骤S7中构装的导线架放在打磨架上打磨引脚的顶部和底部,使导线架的厚度为1-3mm;
S9、剪切/成形:将步骤S8中的构装导线架放在冲压机的固定模上,向下移动冲压机的冲模以改变引脚的形状,向下移动的压力为3000-4000N,并将构装外部的晶粒分开,剪切的目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开,并把不需要的连接材料切除,成形的目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状,以便于装置于电路板上使用;
S10、成品检验:将步骤S9中的构装成品放在引线导通平台上,通过万能用表测量半导体的阻值时,观察外引脚之平整性、共面度、脚距及胶体是否有损伤以进行外观检验。
实施例三
一种半导体封装工艺,包括以下步骤:
S1、材料准备:把晶片的正面粘在蓝膜上,并将放晶片入研磨机上,打磨晶片背面,让晶片的厚度在9mils之间,晶片的原材料应放置在零下5℃的环境中,常温下需放置时,在需要使用前应放入零下5℃回温24h;
S2、晶片切割:将步骤S1加工完成的晶片,放入晶片切割机上,让切割刀片以使用寿命:900-1500M、切割速度:40Krpm将晶片切割成若干晶粒,进行晶片切割,首先进行晶圆黏片,然后再送至晶片切割机上进行切割,切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上;
S3、黏晶过程;
A、将步骤S2中蓝膜上的晶粒,通过银浆导线架点在垫板上,并将晶粒和垫板放入固化箱的内部;
B、固化箱内部的温度应保证在170-180℃,并保温1-1.2h;
C、通入氮气固化环境;
S4、固化验证:将步骤S3中的导线架放在验证支架上,并启动转动电机,带动支架转动,让转动电机以300r/min,转动时间为30s,验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内,以送至下一个制程进行焊线;
S5、焊线:利用高纯度的金线把垫板和导线通过焊接的方法连接起来;
S6、封胶:将上模具移动到导线架的顶部,再将上模具底部的防溢罩缩回,并将上模具贴在导线架的顶部,上模具内部设置加热棒,且加热棒应保证在190℃保温2小时,让上模具顶部的挤压杆向下移动,向下移动的压力为30-50N,使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部,把芯片覆盖,封胶是为了制造出所生产电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或者高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架,与外界电路板连接所用,主要目的为以结构方式支撑导线,防止湿气由外部侵入、内部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热,再将框置于压模机上的构装模上再以树脂充填并待硬化;
S7、电镀:将完成构装的导线架放入弱酸的液体中,采用不小于99.95%的高纯的锡,无铅电镀,把晶须消除,无铅电镀后的导线架在140-150℃高温下烘烤2h,目的在于消除电镀层潜在的晶须;
S8、抛光打磨:在把步骤S7中构装的导线架放在打磨架上打磨引脚的顶部和底部,使导线架的厚度为1-3mm;
S9、剪切/成形:将步骤S8中的构装导线架放在冲压机的固定模上,向下移动冲压机的冲模以改变引脚的形状,向下移动的压力为3000-4000N,并将构装外部的晶粒分开,剪切的目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开,并把不需要的连接材料切除,成形的目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状,以便于装置于电路板上使用;
S10、成品检验:将步骤S9中的构装成品放在引线导通平台上,通过万能用表测量半导体的阻值时,观察外引脚之平整性、共面度、脚距及胶体是否有损伤以进行外观检验。
实施例一中,转动电机以200r/min,转动时间为20s,将未固化在一起的晶粒和垫板脱离,实施例二中,转动电机以250r/min,转动时间为25s,将固化连接处面积小的晶粒和垫板脱离,实施例三中,转动电机以300r/min,转动时间为30s,将固化连接处有裂痕的晶粒和垫板脱离,综上所述,实施例三中的数值可以最有效果地将固化连接不完整的晶粒和垫板脱离,提高产品质量。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下。由语句“包括一个......限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素”。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种半导体封装工艺,其特征在于:包括以下步骤:
S1、材料准备:把晶片的正面粘在蓝膜上,并将放晶片入研磨机上,打磨晶片背面,让晶片的厚度在8mils-10mils之间;
S2、晶片切割:将步骤S1加工完成的晶片,放入晶片切割机上,让切割刀片以切割速度:30-50Krpm将晶片切割成若干晶粒;
S3、黏晶过程:
将步骤S2中蓝膜上的晶粒,通过银浆点在导线架的垫板上,并将晶粒和垫板放入固化箱的内部;
固化箱内部的温度应保证在170-180℃,并保温1-1.2h;
通入氮气固化环境;
S4、固化验证:将步骤S3中的导线架放在验证支架上,并启动转动电机,带动支架转动,让转动电机以200-300r/min的转速转动20-30s;
S5、焊线:利用高纯度的金线把垫板和导线通过焊接的方法连接起来;
S6、封胶:将上模具移动到导线架的顶部,再将上模具底部的防溢罩缩回,并将上模具贴在导线架的顶部,启动上模具内部设置的加热棒,且加热棒应保证在170-190℃,并保温1-2h,让上模具顶部的挤压杆向下移动,向下移动的压力为30-50N,使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部,把芯片覆盖;
S7、电镀:将完成构装的导线架放入弱酸的液体中,采用不小于99.95%的高纯的锡,并用无铅电镀,把晶须消除;
S8、抛光打磨:在把步骤S7中构装的导线架放在打磨架上打磨引脚的顶部和底部,使导线架的厚度为1-3mm;
S9、剪切/成形:将步骤S8中的构装导线架放在冲压机的固定模上,向下移动冲压机的冲模以改变引脚的形状,向下移动的压力为3000-4000N,并将构装外部的晶粒分开;
S10、成品检验:将步骤S9中的构装成品放在引线导通平台上,通过万能用表测定引脚之间的阻值。
2.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺,其特征在于:所述步骤S1中晶片的原材料应放置在零下5℃的环境中,常温下需放置时,在需要使用前应放入零下5℃回温24h。
3.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺,其特征在于:步骤S2进行晶片切割,首先进行晶圆黏片,然后再送至晶片切割机上进行切割,让切割完后的晶粒井然有序排列于胶带上。
4.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺,其特征在于:所述步骤S4验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内,以送至下一个制程进行焊线。
5.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺,其特征在于:所述步骤S7让无铅电镀后的导线架在140-150℃高温下烘烤2h,消除电镀层潜在的晶须。
6.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺,其特征在于:所述步骤S6目的是为了制造出所生产电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或者高温破坏,最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架,与外界电路板连接所用,以结构方式支撑导线,防止湿气由外部侵入。
7.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺,其特征在于:所述步骤S9中剪切的目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开,并把不需要的连接材料切除,成形的目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状,以便于装置于电路板上使用。
8.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺,其特征在于:在所述步骤S10中测量半导体的阻值时,观察外引脚之平整性、共面度、脚距及胶体是否有损伤以进行外观检验。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110578627.5A CN113314426B (zh) | 2021-05-26 | 2021-05-26 | 一种半导体封装工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110578627.5A CN113314426B (zh) | 2021-05-26 | 2021-05-26 | 一种半导体封装工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113314426A CN113314426A (zh) | 2021-08-27 |
CN113314426B true CN113314426B (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=77375035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110578627.5A Active CN113314426B (zh) | 2021-05-26 | 2021-05-26 | 一种半导体封装工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113314426B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105097727A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-11-25 | 苏州日月新半导体有限公司 | 半导体封装结构及其封装方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09153522A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | ボンディング装置およびボンディング方法 |
JP3970135B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2007-09-05 | キヤノンマシナリー株式会社 | ダイボンダ |
CN1697149A (zh) * | 2004-05-12 | 2005-11-16 | 宏连国际科技股份有限公司 | 集成电路封装方法 |
KR20070079267A (ko) * | 2006-02-01 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 고정핀이 구비된 스핀 린스 드라이 척 |
JP5947107B2 (ja) * | 2012-05-23 | 2016-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN104022020A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-09-03 | 联想(北京)有限公司 | 弧形芯片的制造方法、电子设备的电路板和电子设备 |
CN110190168A (zh) * | 2019-02-04 | 2019-08-30 | 深圳市长方集团股份有限公司 | 一种led具有提升硫化效果及改善光斑的离心沉降封装工艺 |
CN111430275B (zh) * | 2020-04-22 | 2022-12-27 | 上海旌准自动化设备有限公司 | 一种半导体mgp封装自动排胶机 |
-
2021
- 2021-05-26 CN CN202110578627.5A patent/CN113314426B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105097727A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-11-25 | 苏州日月新半导体有限公司 | 半导体封装结构及其封装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113314426A (zh) | 2021-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101697348B (zh) | 一种小载体四面扁平无引脚封装件及其制备方法 | |
US7741161B2 (en) | Method of making integrated circuit package with transparent encapsulant | |
TWI520234B (zh) | Manufacturing method of semiconductor device | |
TW201232674A (en) | Method and apparatus of compression molding for reducing viods in molding compound | |
CN103337483B (zh) | 一种超薄型vsop封装件及其生产方法 | |
CN104124216A (zh) | 一种基板片式载体csp封装件及其制造方法 | |
US8169089B2 (en) | Semiconductor device including semiconductor chip and sealing material | |
CN110690189A (zh) | 一种大功率驱动电路的eHSOP5L引线框架及其封装件和生产方法 | |
CN111640725A (zh) | 一种芯片安装结构及半导体产品及其加工工艺 | |
CN113314426B (zh) | 一种半导体封装工艺 | |
CN102231376B (zh) | 多圈排列无载体双ic芯片封装件及其生产方法 | |
CN103700596A (zh) | 减少模封胶体内气泡的压缩模封方法与装置 | |
CN204067330U (zh) | 一种基板片式载体csp封装件 | |
CN104091791A (zh) | 一种引线框架的宝塔式ic芯片堆叠封装件及其生产方法 | |
CN116403919B (zh) | 一种qfn指纹识别芯片的封装方法 | |
CN102074542B (zh) | 一种双扁平短引脚ic芯片封装件及其生产方法 | |
CN100411121C (zh) | 散热型封装结构及其制法 | |
CN106469767B (zh) | 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的装备系统 | |
CN106469780B (zh) | 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法 | |
CN204885133U (zh) | 多侧包覆的晶圆级半导体封装构造 | |
JP2011040625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN210092117U (zh) | 3d封装支架及玻璃透镜大功率uvled灯珠 | |
CN102263081A (zh) | 带双凸点的四边扁平无引脚双ic芯片封装件及其生产方法 | |
CN100433278C (zh) | 散热型封装结构及其制造方法 | |
CN111668117B (zh) | 一种半导体模块的封装方法及其封装过程中的两种结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |