CN113109990B - 掩膜版版图的修正方法 - Google Patents

掩膜版版图的修正方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113109990B
CN113109990B CN202010022648.4A CN202010022648A CN113109990B CN 113109990 B CN113109990 B CN 113109990B CN 202010022648 A CN202010022648 A CN 202010022648A CN 113109990 B CN113109990 B CN 113109990B
Authority
CN
China
Prior art keywords
auxiliary
pattern
main
graph
position information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010022648.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113109990A (zh
Inventor
杜杳隽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp, Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN202010022648.4A priority Critical patent/CN113109990B/zh
Priority to US17/037,613 priority patent/US11624977B2/en
Publication of CN113109990A publication Critical patent/CN113109990A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113109990B publication Critical patent/CN113109990B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/392—Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种掩膜版版图的修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；获取每个所述主图形的位置信息；根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息；根据与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，在每个所述主图形周围设置与所述主图形相邻的辅助图形。从而，提高形成的光刻图形的精度。

Description

掩膜版版图的修正方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩膜版版图的修正方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光或反光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图形，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的光刻图形对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。
在先进光刻工艺中，可以使用极紫外(EUV)光作为光源，极紫外光的波长短，因此能够形成关键尺寸更小的光刻图形。
然而，采用极紫外光作为光源的光刻工艺，在将所述掩膜版的图形转移至硅片的光刻胶层时，形成的光刻图形的精度较低。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种掩膜版版图的修正方法，以提高转移至硅片的光刻胶层的光刻图形的精度。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种掩膜版版图的修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形，每个所述主图形包括相对的第一边和第二边，所述第一边和第二边的延伸方向与第一方向垂直，并且，在所述第一方向上，所述第一边与所述目标版图的中心的间距小于所述第二边与所述目标版图的中心的间距，每个所述主图形还包括相对的第三边和第四边，所述第三边和第四边的延伸方向与第二方向垂直，并且，所述第三边的中点指向所述第四边的中点的方向与所述第二方向相同，所述第二方向与所述第一方向互相垂直；根据所述第一边和所述第二边，获取每个所述主图形的位置信息；根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息；根据与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，在每个所述主图形周围设置与所述主图形相邻的辅助图形。
可选的，获取每个所述主图形的位置信息的方法包括：根据所述主图形中心点获取所述主图形的第一间距，所述主图形中心点为：位于每个所述主图形的第一边和第二边之间的点，并且在所述第一方向上，所述主图形中心点与所述第一边之间的间距等于所述主图形中心点与所述第二边之间的间距，所述第一间距为：在所述第一方向上，每个所述主图形中心点与所述目标版图的中心之间的间距。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息，所述第一辅助图形为与所述主图形的第一边相邻的辅助图形，所述第二辅助图形为与所述主图形的第二边相邻的辅助图形。
可选的，获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距和第二辅助间距，当所述主图形的第一间距为零时，所述第一辅助间距等于所述第二辅助间距，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
可选的，获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距和第二辅助间距，当所述主图形的第一间距大于零时，所述第一辅助间距大于所述第二辅助间距，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
可选的，获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距和第二辅助间距，当所述主图形的第一间距等于零时，所述第一辅助间距等于所述第二辅助间距，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的轮廓与所述主图形的第一边之间的最小间距，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的轮廓与所述主图形的第二边之间的最小间距。
可选的，获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距和第二辅助间距，当所述主图形的第一间距大于零时，所述第一辅助间距大于所述第二辅助间距，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的轮廓与所述主图形的第一边之间的最小间距，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的轮廓与所述主图形的第二边之间的最小间距。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第三辅助图形的位置信息和第四辅助图形的位置信息，所述第三辅助图形为与所述主图形的第三边相邻的辅助图形，所述第四辅助图形为与所述主图形的第四边相邻的辅助图形。
可选的，获取所述第三辅助图形的位置信息和所述第四辅助图形的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距和第四辅助间距，并且，所述第三辅助间距小于所述第四辅助间距，所述第三辅助间距为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，所述第四辅助间距为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
可选的，获取所述第三辅助图形的位置信息和所述第四辅助图形的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距和第四辅助间距，并且，所述第三辅助间距小于所述第四辅助间距，所述第三辅助间距为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的轮廓与所述主图形的第三边之间的最小间距，所述第四辅助间距为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的轮廓与所述主图形的第四边之间的最小间距。
可选的，获取每个主图形的位置信息的方法还包括：沿所述第一方向设置第一坐标轴，所述目标版图的中心与所述第一坐标轴的零点坐标重合，并且，所述目标版图的边界在所述第一坐标轴上的坐标分别为-2/L以及2/L，L为所述目标版图在第一方向上的总长度；根据每个主图形的第一间距，获取该主图形在所述第一坐标轴上的坐标x。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法包括：在第一方向上，提供第一最佳间距D1、第一最大间距D2和第一最小间距D3，并且
Figure BDA0002361353670000041
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第一辅助图形的位置信息，所述第一辅助图形为与所述主图形的第一边相邻的辅助图形；获取所述第一辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距A1，
Figure BDA0002361353670000042
所述第一辅助间距A1为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第一辅助图形的轮廓与所述主图形的第一边之间的最小间距。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第二辅助图形的位置信息，所述第二辅助图形为与所述主图形的第二边相邻的辅助图形；获取所述第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第二辅助间距A2，
Figure BDA0002361353670000051
所述第二辅助间距A2为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第二辅助图形的轮廓与所述主图形的第二边之间的最小间距。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向上，提供第二最佳间距K1和第二最大间距K2，K1<K2；获取第三辅助图形的位置信息，所述第三辅助图形为与所述主图形的第三边相邻的辅助图形；获取所述第三辅助图形的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距B1，
Figure BDA0002361353670000052
所述第三辅助间距B1为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第三辅助图形的轮廓与所述主图形的第三边之间的最小间距。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向上，提供第三最佳间距K3和第二最小间距K4，并且，K1<K2<K4<K3；获取第四辅助图形的位置信息，所述第四辅助图形为与所述主图形的第四边相邻的辅助图形；获取第四辅助图形的位置信息的方法包括：获取第四辅助间距B2，
Figure BDA0002361353670000053
所述第四辅助间距B2为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第四辅助图形的轮廓与所述主图形的第四边之间的最小间距。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第二辅助图形的位置信息，所述第二辅助图形为与所述主图形的第二边相邻的辅助图形；获取所述第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第二辅助间距A2，
Figure BDA0002361353670000061
所述第二辅助间距A2为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第二辅助图形的轮廓与所述主图形的第二边之间的最小间距。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向上，提供第二最佳间距K1和第二最大间距K2，K1<K2；获取第三辅助图形的位置信息，所述第三辅助图形为与所述主图形的第三边相邻的辅助图形；获取所述第三辅助图形的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距B1，
Figure BDA0002361353670000062
所述第三辅助间距B1为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第三辅助图形的轮廓与所述主图形的第三边之间的最小间距。
可选的，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向上，提供第三最佳间距K3和第二最小间距K4，并且，K4<K3；获取第四辅助图形的位置信息，所述第四辅助图形为与所述主图形的第四边相邻的辅助图形；获取第四辅助图形的位置信息的方法包括：获取第四辅助间距B2，
Figure BDA0002361353670000071
所述第四辅助间距B2为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第四辅助图形的轮廓与所述主图形的第四边之间的最小间距。
可选的，所述目标版图还包括若干第一区和若干第二区，每个主图形周围具有一个第一区，每个第一区周围具有一个第二区，与每个主图形相邻的辅助图形位于所述第一区内；所述掩膜版版图的修正方法还包括：根据每个主图形的位置信息或与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，获取每个主图形的第五辅助图形的位置信息，所述第五辅助图形位于所述第二区内；根据所述第五辅助图形的位置信息，设置每个主图形的第五辅助图形。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
在本发明技术方案的掩膜版版图的修正方法中，所述目标版图用于后续形成掩膜版。为了应对光刻工艺的曝光系统中，形状为弧形的狭缝，因此，沿所述第一方向上，入射至所述掩膜版的入射光线具有不同的方位角。一方面，由于所述第一边和第二边的延伸方向与第一方向垂直，并且，根据所述第一边和所述第二边，获取每个所述主图形的位置信息，因此，能够获取每个主图形在第一方向上的位置信息；另一方面，由于根据每个所述主图形在第一方向上的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，并根据所述相邻的辅助图形的位置信息设置与每个主图形相邻的辅助图形，因此，能够针对沿所述第一方向变化的方位角，获取主图形的相邻的辅助图形的位置信息，即，所述相邻的辅助图形根据所述方位角进行设置，从而，所述相邻的辅助图形能够适应不同的方位角，在使用极紫外光作为光源的光刻系统中，能够增加每个主图形的曝光工艺的工艺窗口大小，进而提高形成的光刻图形的精度。
进一步，在以极紫外光作为光源的曝光工艺中，对于每个主图形中垂直于所述第一方向X1的边而言，在所述第一方向上越靠近目标版图中心，受到入射光线的方位角的影响越小，从而与形成的光刻图形之间的偏差越小，即，当所述主图形的第一间距为零时，该主图形的第一边和第二边与光刻图形之间均偏差极小或者没有偏差。因此，当所述主图形的第一间距为零时，由于所述第一辅助间距等于所述第二辅助间距，针对与光刻图形之间均偏差极小或者没有偏差的第一边和第二边，一方面，能够使所述第一辅助图形与所述第一边之间、所述第二辅助图形与所述第二边之间保持较合适的间距，以增加该主图形的曝光工艺的工艺窗口大小，提高形成的光刻图形的精度，同时，还能够简化获取第一辅助间距和第二辅助间距时的计算，提高了掩膜版制作的便利性、减少了制作掩膜版的时间。
进一步，在以极紫外光作为光源的曝光工艺中，受到入射光线的方位角的影响，在第一方向上，形成的光刻图形中，与每个主图形中垂直于第一方向的边对应的边，会向着目标版图的中心偏移，不仅如此，与目标版图的中心之间距离越大，所对应的光刻图形的边的偏移量越大，即，每个主图形的第一边的偏差会小于该主图形的第二边的偏差。因此，当所述主图形的第一间距大于零时，由于，在所述第一方向上，使所述第一辅助间距大于所述第二辅助间距，因此，能够针对每个主图形中，偏差大的第二边设置间距小的第二辅助图形，并且，针对该主图形中，偏差小的第一边设置间距大的第一辅助图形，从而，使所述第一辅助图形与所述第一边之间、所述第二辅助图形与所述第二边之间均能保持较合适的间距，以增加每个主图形的曝光工艺的工艺窗口大小，进而提高形成的光刻图形的精度。
进一步，在以极紫外光作为光源的曝光工艺中，受到入射光线的方位角和极化角的影响，在第二方向上，形成的光刻图形中，每个主图形中垂直于第二方向的边所对应的边，即所述第三边和所述第四边所对应的边会产生偏差，并且，所述第三边所对应的边产生的偏差较大，所述第四边所对应的边产生的偏差较小，因此，在第二方向上，使所述第三辅助间距小于所述第四辅助间距，能够针对每个主图形中，偏差大的第三边设置间距小的第三辅助图形，并且，针对该主图形中，偏差小的第四边设置间距大的第四辅助图形，从而，使所述第三辅助图形与所述第三边之间、所述第四辅助图形与所述第四边之间均能保持较合适的间距，以增加每个主图形的曝光工艺的工艺窗口大小，进而提高形成的光刻图形的精度。
附图说明
图1是本发明实施例的掩膜版版图的修正方法的流程示意图；
图2至图7是本发明实施例的掩膜版版图的修正方法中修正过程的结构示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，采用极紫外光作为光源的光刻工艺，在将所述掩膜版的图形转移至硅片的光刻胶层时，形成的光刻图形的精度较低。
具体而言，掩膜版的图形包括主图形与设置在主图形周围的散射条，其中，散射条用于对入射至掩膜版的入射光线起散射作用，而不形成实际的光刻图形。
在极紫外光作为光源的光刻工艺中，所述光刻工艺的曝光系统中的狭缝形状为弧形，为了应对所述形状为弧形的狭缝，入射至掩膜版的入射光线具有不同的极化角和方位角，因此，掩膜版的主图形与实际在晶圆的光刻胶层上形成的光刻图形之间具有偏差，从而，在掩膜版版图中，散射条与主图形之间的实际间距出现偏差，导致散射条增大曝光工艺的工艺窗口的效果差，降低了光刻图形的精度。
为解决所述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜版版图的修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形，每个所述主图形包括相对的第一边和第二边，所述第一边和第二边的延伸方向与第一方向垂直，并且，在所述第一方向上，所述第一边与所述目标版图的中心的间距小于所述第二边与所述目标版图的中心的间距，每个所述主图形还包括了相对的第三边和第四边，所述第三边和第四边的延伸方向与第二方向垂直；根据所述第一边和所述第二边，获取每个所述主图形的位置信息；根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息；根据与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，在每个所述主图形周围设置与所述主图形相邻的辅助图形。所述掩膜版版图的修正方法能够增大曝光工艺的工艺窗口，以提高光刻图形的精度。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明实施例的掩膜版版图的修正方法的流程示意图。
所述掩膜版版图的修正方法包括：
步骤S100，提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形，每个所述主图形包括相对的第一边和第二边，所述第一边和第二边的延伸方向与第一方向垂直，并且，在所述第一方向上，所述第一边与所述目标版图的中心的间距小于所述第二边与所述目标版图的中心的间距，每个所述主图形还包括了相对的第三边和第四边，所述第三边和第四边的延伸方向与第二方向垂直，所述第二方向与所述第一方向垂直。
步骤S200，根据所述第一边和所述第二边，获取每个所述主图形的位置信息。
步骤S300，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息。
步骤S400，根据与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，在每个所述主图形周围设置与所述主图形相邻的辅助图形。
以下结合附图进行详细说明。
图2至图7是本发明实施例的掩膜版版图的修正方法中修正过程的结构示意图。
请参考图2，提供目标版图500。
所述目标版图500用于形成掩膜版的掩膜版版图。
所述目标版图500包括若干主图形510。
每个所述主图形510包括相对的第一边511和第二边512，所述第一边511和第二边512的延伸方向与第一方向X1垂直，并且，在所述第一方向X1上，所述第一边511与所述目标版图500的中心501的间距T1小于所述第二边512与所述目标版图的中心501的间距T2。
每个所述主图形还包括相对的第三边513和第四边514，所述第三边513和第四边514的延伸方向与第二方向Y1垂直，并且，所述第三边513的中点5131指向所述第四边514的中点5141的方向与所述第二方向Y1相同。
所述第二方向Y1与所述第一方向X1之间互相垂直。
在本实施例中，所述目标版图500在所述第一方向X1的总长度为L。
需要说明的是，图2中仅示意性的表示出两个主图形510。
请参考图3，图3是图2的目标版图与曝光系统中狭缝的位置对应关系图，在曝光系统中包括狭缝600，并且所述狭缝600的形状为弧形。
所述目标版图500的中心501与所述狭缝600的中心线CT重合。
所述第二方向Y1为：所述狭缝600的弧的中点H1指向弧的圆心O1的方向。
为了应对所述曝光系统中，形状为弧形的狭缝600，因此，沿所述第一方向X1上，入射至所述掩膜版的入射光中的各入射光线具有不同的方位角，沿所述第二方向Y1上，入射至所述掩膜版的入射光中的各入射光线具有不同的极化角，具体请参考图4。
请参考图4，图4是入射至掩膜版的入射光的示意图，所述入射光包括若干入射光线610。
需要说明的是，图4中示意性的表示出了一根入射光线610，并且，示意性的表示出所述入射光线610入射至掩膜版的入射点U以及入射点U所在的入射面Q，以便于对所述入射光线610的极化角和方位角进行说明。
所述入射面Q为掩模版受到所述入射光光照的表面。
所述入射光线610入射至掩膜版中的入射点U，所述入射光线610与垂直于入射面Q的法线NL之间具有夹角α，所述夹角α为所述入射光线610的极化角。
沿所述第二方向Y1，所述夹角α在弧形狭缝600的范围内变化，所述夹角α的范围是3°至9°。
所述入射光线610在所述入射面Q具有投影F，所述投影F与所述第一方向X1之间具有夹角ω，所述夹角ω为所述入射光线610的方位角。
当所述入射光线610围着所述法线NL旋转时，所述入射光线610在所述入射面Q具有不同的投影F，以及不同的夹角ω，即所述入射光线610能够以围着所述法线NL旋转的方式，与所述第一方向X1具有不同的方位角。
所述夹角ω(入射光线610的方位角)根据沿所述第一方向X1上不同的入射位置(沿第一方向X1上的不同的入射点)而不同，即，沿第一方向X1上的入射点的位置决定入射光线610的方位角。
综上，为了应对所述曝光系统中的弧形狭缝600，入射至掩膜版的入射光的各入射光线610与垂直于掩膜版表面的法线NL之间具有变化的极化角，同时，入射光线610能够以围着所述法线NL旋转的方式，与所述第一方向X1之间具有不同的方位角。
请参考图5，根据所述第一边511和所述第二边512，获取每个所述主图形510的位置信息。
具体而言，在本实施例中，获取每个所述主图形510的位置信息的方法包括：根据所述主图形中心点515获取所述主图形510的第一间距C1。
所述主图形中心点515为：位于每个所述主图形510的第一边511和第二边512之间的点，并且在所述第一方向X1上，所述主图形中心点515与所述第一边511之间的间距C2等于所述主图形中心点515与所述第二边512之间的间距C3。
所述第一间距C1为：在所述第一方向X1上，每个所述主图形中心点515与所述目标版图的中心501之间的间距。
在本实施例中，获取每个主图形的位置信息的方法还包括：沿所述第一方向X1设置第一坐标轴X，所述目标版图500的中心501与所述第一坐标轴X的零点坐标重合，并且，所述目标版图的边界在所述第一坐标轴X上的坐标分别为-2/L以及2/L；根据每个主图形510的第一间距C1，获取该主图形510在所述第一坐标轴上X的坐标x。
具体而言，在本实施例中，所述坐标x的绝对值︱x︱等于所述第一间距C1，即，
Figure BDA0002361353670000131
请参考图6，根据每个所述主图形510的位置信息，获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息。
获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助图形521的位置信息，所述第一辅助图形521为与所述主图形510的第一边511相邻的辅助图形。
获取第一辅助图形521的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距A1。
在本实施例中，所述第一辅助间距A1为：在所述第一方向X1上，所述第一辅助图形521的轮廓与所述主图形510的第一边511之间的最小间距。
在另一实施例中，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
根据每个所述主图形510的位置信息，获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第二辅助图形522的位置信息，所述第二辅助图形522为与所述主图形510的第二边512相邻的辅助图形。
获取第二辅助图形522的位置信息的方法包括：获取第二辅助间距A2。
在本实施例中，所述第二辅助间距A2为：在所述第一方向X1上，所述第二辅助图形522的轮廓与所述主图形510的第二边512之间的最小间距。
在另一实施例中，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
在本实施例中，当所述主图形510的第一间距C1等于零时，所述第一辅助间距A1等于所述第二辅助间距A2。
在以极紫外光作为光源的曝光工艺中(如图3至图4所示)，对于每个主图形510中垂直于所述第一方向X1的边而言，在所述第一方向X1上越靠近目标版图中心，受到入射光线610的方位角的影响越小，从而与形成的光刻图形之间的偏差越小，即，当所述主图形510的第一间距C1为零时，该主图形510的第一边511和第二边522与光刻图形之间均偏差极小或者没有偏差。因此，当所述主图形510的第一间距C1为零时，由于所述第一辅助间距A1等于所述第二辅助间距A2，针对与光刻图形之间均偏差极小或者没有偏差的第一边511和第二边512，一方面，能够使所述第一辅助图形521与所述第一边511之间、所述第二辅助图形522与所述第二边512之间保持较合适的间距，以增加该主图形510的曝光工艺的工艺窗口大小，同时，还能够简化获取第一辅助间距A1和第二辅助间距A2时的计算，提高了掩膜版制作的便利性、减少了制作掩膜版的时间。
在本实施例中，当所述主图形510的第一间距C1大于零时，所述第一辅助间距A1大于所述第二辅助间距A2。
在以极紫外光作为光源的曝光工艺中(如图3至图4所示)，受到入射光线610的方位角的影响，在第一方向X1上，形成的光刻图形中，与每个主图形510中垂直于第一方向X1的边对应的边，会向着目标版图500的中心501偏移，不仅如此，与目标版图500的中心501之间距离越大，所对应的光刻图形的边的偏移量越大，即，每个主图形510的第一边511的偏差会小于该主图形510的第二边512的偏差。因此，当所述主图形510的第一间距C1大于零时，由于，在所述第一方向X1上，使所述第一辅助间距A1大于所述第二辅助间距A2，因此，能够针对每个主图形510中，偏差大的第二边512设置间距小的第二辅助图形522，并且，针对该主图形510中，偏差小的第一边511设置间距大的第一辅助图形521，从而，使所述第一辅助图形521与所述第一边511之间、所述第二辅助图形522与所述第二边512之间均能保持较合适的间距，以增加每个主图形510的曝光工艺的工艺窗口大小，进而提高形成的光刻图形的精度。
在本实施例中，根据每个所述主图形510的位置信息，获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第三辅助图形523的位置信息，所述第三辅助图形523为与所述主图形510的第三边513相邻的辅助图形。
获取第三辅助图形523的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距B1。
在本实施例中，所述第三辅助间距B1为：在所述第二方向Y1上，所述第三辅助图形523的轮廓与所述主图形510的第三边513之间的最小间距。
在另一实施例中，所述第三辅助间距为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
在本实施例中，根据每个所述主图形510的位置信息，获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第四辅助图形524的位置信息，所述第四辅助图形524为与所述主图形510的第四边514相邻的辅助图形。
获取第四辅助图形524的位置信息的方法包括：获取第四辅助间距B2。
在本实施例中，所述第四辅助间距B2为：在所述第二方向Y1上，所述第四辅助图形524的轮廓与所述主图形510的第四边514之间的最小间距。
在另一实施例中，所述第四辅助间距为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
在本实施例中，所述第三辅助间距B1小于所述第四辅助间距B2。
在以极紫外光作为光源的曝光工艺中(如图3至图4所示)，受到入射光线610的方位角和极化角的影响，在第二方向Y1上，形成的光刻图形中，每个主图形510中垂直于第二方向Y2的边所对应的边，即所述第三边513和所述第四边514所对应的边会产生偏差，并且，所述第三边513所对应的边产生的偏差较大，所述第四边514所对应的边产生的偏差较小，因此，在第二方向Y1上，使所述第三辅助间距B1小于所述第四辅助间距B2，能够针对每个主图形510中，偏差大的第三边513设置间距小的第三辅助图形523，并且，针对该主图形510中，偏差小的第四边514设置间距大的第四辅助图形524，从而，使所述第三辅助图形523与所述第三边513之间、所述第四辅助图形524与所述第四边514之间均能保持较合适的间距，以增加每个主图形510的曝光工艺的工艺窗口大小，进而提高形成的光刻图形的精度。
请参考图6和图7，根据每个所述主图形510的位置信息，获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息。
获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第一方向X1上，提供第一最佳间距D1、第一最大间距D2和第一最小间距D3，并且
Figure BDA0002361353670000161
具体而言，所述第一最佳间距D1为，在各主图形510未受到入射光线610的方位角的影响下，在第一方向X1上，该主图形510的第一边511与第一辅助图形521之间的最佳间距，以及该主图形520的第一边512与第二辅助图形522之间的最佳间距。
由于当主图形510的第一间距C1等于0时，受到的方位角影响最小，因此，所述第一最佳间距D1也第一间距C1等于0的主图形510，以及该主图形510的第一辅助图形521和第二辅助图形522表示所述第一最佳间距D1。
所述第一最大间距D2为所述目标版图500中，允许设置的最边缘位置的主图形510的第一边511与该主图形510的第一辅助图形521的轮廓之间的最小间距。
所述第二最小间距D3为所述目标版图500中，允许设置的最边缘位置的主图形510的第二边512与该主图形510的第二辅助图形522的轮廓之间的最小间距。
在本实施例中，获取的第一辅助间距A1为，
Figure BDA0002361353670000171
需要说明的是，由于2D1＝D2+D3，因此，D2-D1＝D1-D3。
一方面，当第一辅助间距A1的范围为第一最佳间距D1至第一最大间距D2时，能较好的增加主图形510的工艺窗口大小，即，第一最佳间距D1至第一最大间距D2为所述第一辅助间距A1的较佳范围，另一方面，当主图形510的坐标x的绝对值越大，该主图形510的第一边511的偏差越大，因此，通过上述公式，能够根据所述主图形的在目标版图500中的位置，获取到更合适的第一辅助间距A1，从而更好的增加主图形510的工艺窗口大小。
在本实施例中，获取的第二辅助间距A2为，
Figure BDA0002361353670000172
一方面，当第二辅助间距A2的范围为第一最佳间距D1至第二最小间距D3时，能较好的增加主图形510的工艺窗口大小，即，第一最佳间距D1至第二最小间距D3为所述第二辅助间距A2的较佳范围，另一方面，当主图形510的坐标x的绝对值越大，该主图形510的第二边512的偏差越大，因此，通过上述公式，能够根据所述主图形的在目标版图500中的位置，获取到更合适的第二辅助间距A2，从而更好的增加主图形510的工艺窗口大小。
需要说明的是，目标版图500中可以包括第一间距C1等于0的主图形510，也可以不包括第一间距C1等于0的主图形510，并且，目标版图500中的主图形510可以设置在允许的最边缘位置，也可以不设置在允许的最边缘位置。
在本实施例中，根据每个所述主图形510的位置信息，获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在所述第二方向Y2上，提供第二最佳间距K1和第二最大间距K2，K1<K2。
具体而言，在本实施例中，所述第二最佳间距K1为，当主图形510的第一间距C1等于0时，该主图形510的第三辅助图形523的轮廓与该主图形510的第三边513之间的最小间距。
在本实施例中，所述第二最大间距K2为，所述目标版图500中，允许设置的最边缘位置的主图形510的第三边513与该主图形510的第三辅助图形523的轮廓之间的最小间距。
在本实施例中，获取的第三辅助间距B1为，
Figure BDA0002361353670000181
一方面，当第三辅助间距B1的范围为第二最佳间距K1至第二最大间距K2时，能较好的增加主图形510的工艺窗口大小，即，第二最佳间距K1至第二最大间距K2为所述第三辅助间距B1的较佳范围，另一方面，当主图形510的坐标x的绝对值越大，该主图形510的第三边513的偏差越大，因此，通过上述公式，能够根据所述主图形的在目标版图500中的位置，获取到更合适的第三辅助间距B1，从而更好的增加主图形510的工艺窗口大小。
在本实施例中，根据每个所述主图形510的位置信息，获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向Y2上，提供第三最佳间距K3和第二最小间距K4，并且，K4<K3。
具体而言，在本实施例中，所述第三最佳间距K3为，当主图形510的第一间距C1等于0时，该主图形510的第四辅助图形524的轮廓与该主图形510的第四边514之间的最小间距。
在本实施例中，所述第二最小间距K4为，所述目标版图500中，允许设置的最边缘位置的主图形510的第四边514与该主图形510的第四辅助图形524的轮廓之间的最小间距。
在本实施例中，第三最佳间距K3、第二最小间距K4、第二最佳间距K1和第二最大间距K2的关系还包括：K1<K2<K4<K3。
在本实施例中，获取的第四辅助间距B2为，
Figure BDA0002361353670000191
一方面，当第四辅助间距B2的范围为第三最佳间距K3至第二最小间距K4时，能较好的增加主图形510的工艺窗口大小，即，第三最佳间距K3至第二最小间距K4为所述第四辅助间距B2的较佳范围，另一方面，当主图形510的坐标x的绝对值越大，该主图形510的第四边514的偏差越大，因此，通过上述公式，能够根据所述主图形的在目标版图500中的位置，获取到更合适的第四辅助间距B2，从而更好的增加主图形510的工艺窗口大小。
请继续参考图6，根据与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息，在每个所述主图形510周围设置与所述主图形510相邻的辅助图形。
具体而言，在本实施例中，根据所述第一辅助间距A1设置所述第一辅助图形521，根据所述第二辅助间距A2设置所述第二辅助图形522，根据所述第三辅助间距B1设置所述第三辅助图形523，并且根据所述第四辅助间距B2设置所述第四辅助图形524。
一方面，由于所述第一边511和第二边512的延伸方向与第一方向X1垂直，并且，根据所述第一边511和所述第二边512，获取每个所述主图形510的位置信息，因此，能够获取每个主图形在第一方向X1上的位置信息；另一方面，由于根据每个所述主图形510在第一方向X1上的位置信息，获取与每个主图形510相邻的辅助图形的位置信息，并根据所述相邻的辅助图形的位置信息设置与每个主图形510相邻的辅助图形，因此，能够针对沿所述第一方向X1变化的方位角，获取主图形510的相邻的辅助图形的位置信息，即，所述相邻的辅助图形根据所述方位角进行设置，从而，所述相邻的辅助图形能够适应不同的方位角，在使用极紫外光作为光源的光刻系统中，能够增加每个主图形510的曝光工艺的工艺窗口大小，进而提高形成的光刻图形的精度。
在另一实施例中，所述目标版图还包括若干第一区和若干第二区，每个主图形周围具有一个第一区，每个第一区周围具有一个第二区，与每个主图形相邻的辅助图形位于所述第一区内；所述掩膜版版图的修正方法还包括：根据每个主图形的位置信息或与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，获取每个主图形的第五辅助图形的位置信息，所述第五辅助图形位于所述第二区内；根据所述第五辅助图形的位置信息，设置每个主图形的第五辅助图形。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种掩膜版版图的修正方法，所述掩膜版版图用于制备掩膜版，所述掩膜版用于曝光系统中形状为弧形的狭缝的光刻工艺，其特征在于，包括：
提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形，每个所述主图形包括相对的第一边和第二边，所述第一边和第二边的延伸方向与第一方向垂直，并且，在所述第一方向上，所述第一边与所述目标版图的中心的间距小于所述第二边与所述目标版图的中心的间距，每个所述主图形还包括相对的第三边和第四边，所述第三边和第四边的延伸方向与第二方向垂直，并且，所述第三边的中点指向所述第四边的中点的方向与所述第二方向相同，所述第二方向与所述第一方向互相垂直；
根据所述第一边和所述第二边，获取每个所述主图形的位置信息；
根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息；
根据与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，在每个所述主图形周围设置与所述主图形相邻的辅助图形，与所述主图形相邻的辅助图形根据方位角进行设置，所述方位角是指光刻工艺中的曝光入射光线在掩膜版的入射面的投影与第一方向之间的夹角。
2.如权利要求1所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，获取每个所述主图形的位置信息的方法包括：根据所述主图形中心点获取所述主图形的第一间距，所述主图形中心点为：位于每个所述主图形的第一边和第二边之间的点，并且在所述第一方向上，所述主图形中心点与所述第一边之间的间距等于所述主图形中心点与所述第二边之间的间距，所述第一间距为：在所述第一方向上，每个所述主图形中心点与所述目标版图的中心之间的间距。
3.如权利要求2所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息，所述第一辅助图形为与所述主图形的第一边相邻的辅助图形，所述第二辅助图形为与所述主图形的第二边相邻的辅助图形。
4.如权利要求3所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距和第二辅助间距，当所述主图形的第一间距为零时，所述第一辅助间距等于所述第二辅助间距，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
5.如权利要求3所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距和第二辅助间距，当所述主图形的第一间距大于零时，所述第一辅助间距大于所述第二辅助间距，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
6.如权利要求3所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距和第二辅助间距，当所述主图形的第一间距等于零时，所述第一辅助间距等于所述第二辅助间距，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的轮廓与所述主图形的第一边之间的最小间距，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的轮廓与所述主图形的第二边之间的最小间距。
7.如权利要求3所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，获取第一辅助图形的位置信息以及第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距和第二辅助间距，当所述主图形的第一间距大于零时，所述第一辅助间距大于所述第二辅助间距，所述第一辅助间距为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的轮廓与所述主图形的第一边之间的最小间距，所述第二辅助间距为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的轮廓与所述主图形的第二边之间的最小间距。
8.如权利要求2所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第三辅助图形的位置信息和第四辅助图形的位置信息，所述第三辅助图形为与所述主图形的第三边相邻的辅助图形，所述第四辅助图形为与所述主图形的第四边相邻的辅助图形。
9.如权利要求8所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，获取所述第三辅助图形的位置信息和所述第四辅助图形的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距和第四辅助间距，并且，所述第三辅助间距小于所述第四辅助间距，所述第三辅助间距为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，所述第四辅助间距为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距。
10.如权利要求8所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，获取所述第三辅助图形的位置信息和所述第四辅助图形的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距和第四辅助间距，并且，所述第三辅助间距小于所述第四辅助间距，所述第三辅助间距为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的轮廓与所述主图形的第三边之间的最小间距，所述第四辅助间距为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的轮廓与所述主图形的第四边之间的最小间距。
11.如权利要求2所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，获取每个主图形的位置信息的方法还包括：沿所述第一方向设置第一坐标轴，所述目标版图的中心与所述第一坐标轴的零点坐标重合，并且，所述目标版图的边界在所述第一坐标轴上的坐标分别为-2/L以及2/L，L为所述目标版图在第一方向上的总长度；根据每个主图形的第一间距，获取该主图形在所述第一坐标轴上的坐标x。
12.如权利要求11所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法包括：在第一方向上，提供第一最佳间距D1、第一最大间距D2和第一最小间距D3，并且
Figure FDA0003720348980000041
13.如权利要求12所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第一辅助图形的位置信息，所述第一辅助图形为与所述主图形的第一边相邻的辅助图形；获取所述第一辅助图形的位置信息的方法包括：获取第一辅助间距A1，
Figure FDA0003720348980000042
所述第一辅助间距A1为：在所述第一方向上，所述第一辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第一辅助图形的轮廓与所述主图形的第一边之间的最小间距。
14.如权利要求13所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第二辅助图形的位置信息，所述第二辅助图形为与所述主图形的第二边相邻的辅助图形；获取所述第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第二辅助间距A2，
Figure FDA0003720348980000043
所述第二辅助间距A2为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第二辅助图形的轮廓与所述主图形的第二边之间的最小间距。
15.如权利要求14所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向上，提供第二最佳间距K1和第二最大间距K2，K1<K2；获取第三辅助图形的位置信息，所述第三辅助图形为与所述主图形的第三边相邻的辅助图形；获取所述第三辅助图形的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距B1，
Figure FDA0003720348980000051
所述第三辅助间距B1为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第三辅助图形的轮廓与所述主图形的第三边之间的最小间距。
16.如权利要求15所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向上，提供第三最佳间距K3和第二最小间距K4，并且，K1<K2<K4<K3；获取第四辅助图形的位置信息，所述第四辅助图形为与所述主图形的第四边相邻的辅助图形；获取第四辅助图形的位置信息的方法包括：获取第四辅助间距B2，
Figure FDA0003720348980000052
所述第四辅助间距B2为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第四辅助图形的轮廓与所述主图形的第四边之间的最小间距。
17.如权利要求12所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：获取第二辅助图形的位置信息，所述第二辅助图形为与所述主图形的第二边相邻的辅助图形；获取所述第二辅助图形的位置信息的方法包括：获取第二辅助间距A2，
Figure FDA0003720348980000061
所述第二辅助间距A2为：在所述第一方向上，所述第二辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第二辅助图形的轮廓与所述主图形的第二边之间的最小间距。
18.如权利要求11所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向上，提供第二最佳间距K1和第二最大间距K2，K1<K2；获取第三辅助图形的位置信息，所述第三辅助图形为与所述主图形的第三边相邻的辅助图形；获取所述第三辅助图形的位置信息的方法包括：获取第三辅助间距B1，
Figure FDA0003720348980000062
所述第三辅助间距B1为：在所述第二方向上，所述第三辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第三辅助图形的轮廓与所述主图形的第三边之间的最小间距。
19.如权利要求11所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息的方法还包括：在第二方向上，提供第三最佳间距K3和第二最小间距K4，并且，K4<K3；获取第四辅助图形的位置信息，所述第四辅助图形为与所述主图形的第四边相邻的辅助图形；获取第四辅助图形的位置信息的方法包括：获取第四辅助间距B2，
Figure FDA0003720348980000071
所述第四辅助间距B2为：在所述第二方向上，所述第四辅助图形的中心与所述主图形中心点之间的间距，或者，所述第四辅助图形的轮廓与所述主图形的第四边之间的最小间距。
20.如权利要求1所述的掩膜版版图的修正方法，其特征在于，所述目标版图还包括若干第一区和若干第二区，每个主图形周围具有一个第一区，每个第一区周围具有一个第二区，与每个主图形相邻的辅助图形位于所述第一区内；所述掩膜版版图的修正方法还包括：根据每个主图形的位置信息或与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，获取每个主图形的第五辅助图形的位置信息，所述第五辅助图形位于所述第二区内；根据所述第五辅助图形的位置信息，设置每个主图形的第五辅助图形。
CN202010022648.4A 2020-01-09 2020-01-09 掩膜版版图的修正方法 Active CN113109990B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010022648.4A CN113109990B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 掩膜版版图的修正方法
US17/037,613 US11624977B2 (en) 2020-01-09 2020-09-29 Correction method of mask layout and mask containing corrected layout

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010022648.4A CN113109990B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 掩膜版版图的修正方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113109990A CN113109990A (zh) 2021-07-13
CN113109990B true CN113109990B (zh) 2022-08-26

Family

ID=76708666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010022648.4A Active CN113109990B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 掩膜版版图的修正方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11624977B2 (zh)
CN (1) CN113109990B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101295129A (zh) * 2007-04-24 2008-10-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学近距修正的方法
CN103984200A (zh) * 2014-05-20 2014-08-13 上海华力微电子有限公司 辅助图形的设计方法、测试版图的制作方法、光刻方法
JP2016024259A (ja) * 2014-07-17 2016-02-08 マイクロン テクノロジー， インク． マスクデータの作成方法、マスクデータ作成装置、フォトマスク及び半導体データの製造方法
CN106094424A (zh) * 2016-07-22 2016-11-09 上海华力微电子有限公司 带次分辨率辅助图形的冗余图形添加方法
CN107065430A (zh) * 2017-03-10 2017-08-18 上海集成电路研发中心有限公司 一种基于规则的亚分辨率辅助图形添加方法
CN107490931A (zh) * 2016-06-12 2017-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版图形的修正方法
CN107885028A (zh) * 2017-12-28 2018-04-06 上海华力微电子有限公司 Opc建模中次分辨率辅助图形确定的方法
CN109085736A (zh) * 2018-09-10 2018-12-25 德淮半导体有限公司 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3746497B2 (ja) * 2003-06-24 2006-02-15 松下電器産業株式会社 フォトマスク
US7512928B2 (en) * 2005-08-12 2009-03-31 Texas Instruments Incorporated Sub-resolution assist feature to improve symmetry for contact hole lithography
JP5627394B2 (ja) * 2010-10-29 2014-11-19 キヤノン株式会社 マスクのデータ及び露光条件を決定するためのプログラム、決定方法、マスク製造方法、露光方法及びデバイス製造方法
US8745571B2 (en) * 2011-02-14 2014-06-03 International Business Machines Corporation Analysis of compensated layout shapes
US20170053058A1 (en) * 2015-08-21 2017-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Model-based rule table generation
CN116909086A (zh) * 2017-02-25 2023-10-20 Asml荷兰有限公司 图案形成装置及其制造方法、设计方法以及计算机程序产品

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101295129A (zh) * 2007-04-24 2008-10-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学近距修正的方法
CN103984200A (zh) * 2014-05-20 2014-08-13 上海华力微电子有限公司 辅助图形的设计方法、测试版图的制作方法、光刻方法
JP2016024259A (ja) * 2014-07-17 2016-02-08 マイクロン テクノロジー， インク． マスクデータの作成方法、マスクデータ作成装置、フォトマスク及び半導体データの製造方法
CN107490931A (zh) * 2016-06-12 2017-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版图形的修正方法
CN106094424A (zh) * 2016-07-22 2016-11-09 上海华力微电子有限公司 带次分辨率辅助图形的冗余图形添加方法
CN107065430A (zh) * 2017-03-10 2017-08-18 上海集成电路研发中心有限公司 一种基于规则的亚分辨率辅助图形添加方法
CN107885028A (zh) * 2017-12-28 2018-04-06 上海华力微电子有限公司 Opc建模中次分辨率辅助图形确定的方法
CN109085736A (zh) * 2018-09-10 2018-12-25 德淮半导体有限公司 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11624977B2 (en) 2023-04-11
CN113109990A (zh) 2021-07-13
US20210216008A1 (en) 2021-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110119061B (zh) 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法
TWI506672B (zh) 用於在表面碎化及形成圓形圖案與用於製造半導體裝置之方法
JP2005518569A (ja) 全位相マスクおよびトリムマスクを用いた微小寸法制御
CN110119062B (zh) 光学邻近修正方法、掩膜版制作方法及图形化工艺
US6221539B1 (en) Mask pattern correction method and a recording medium which records a mask pattern correction program
US8021805B2 (en) Backside phase grating mask and method for manufacturing the same
US20040248016A1 (en) Method of designing a reticle and forming a semiconductor device therewith
US9513552B2 (en) Multiple-patterning photolithographic mask and method
JP4184918B2 (ja) コンタクトホールの形成方法
CN114326290A (zh) 光学邻近修正方法
US20050064728A1 (en) Methods for forming a photoresist pattern using an anti-optical proximity effect
JP4817907B2 (ja) レジストパターン形成用のフォトマスク及びその製造方法、並びにこのフォトマスクを用いたレジストパターンの形成方法
JP4760198B2 (ja) 露光用マスク、露光用マスクの設計方法および露光用マスクの設計プログラム
CN113109990B (zh) 掩膜版版图的修正方法
CN113109991A (zh) 目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法
JP3241628B2 (ja) 半導体装置の製造装置
CN116125757A (zh) 光学邻近修正方法
CN107643651B (zh) 一种光刻辅助图形的设计方法
CN113835293B (zh) 光学邻近修正方法和掩膜版的制作方法
CN115774376A (zh) 掩模工艺校正方法和使用其制造光刻掩模的方法
CN116339065A (zh) 一种图形修正方法
JPS63216052A (ja) 露光方法
CN114063380A (zh) 图形修正方法及半导体结构的形成方法
US8742546B2 (en) Semiconductor device with a plurality of dot patterns and a line pattern having a projection part
CN110361927B (zh) 光刻模型生成方法以及opc修正方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant