CN113066782A - 带失效分析标尺的电迁移测试结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，包括测试金属线、测试金属通孔、金属引线、金属线标尺及测试金属垫，所述测试金属线的端部通过所述测试金属通孔与所述金属引线的一端连接，所述金属引线的另一端与所述测试金属垫连接，所述金属线标尺形成于一至少一层金属层上，并用于定位所述测试金属通孔的至少一个目标截面。通过设计定位所述测试金属通孔不同目标截面位置的金属线标尺，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位。特别是在多样品分析比较时，能够锁定每个样品的切片截面位置，通过比较各金属通孔相同横截面位置的形貌差异，为不同样品工艺差异分析提供证据，从而保证电迁移结构失效分析数据的准确性和可比性。

Description

带失效分析标尺的电迁移测试结构
技术领域
本发明半导体缺陷检测技术领域，尤其涉及一种带失效分析标尺的电迁移测试结构。
背景技术
在铜互连工艺过程中，常规电迁移测试结构包括：金属线、金属通孔和金属引线。电迁移测试失效后，一般会进行切片失效分析，定位所述电迁移测试结构的失效位置以及分析所述电迁移测试结构的失效原因。对于包含金属通孔的电迁移测试结构，如果失效位置发生在金属通孔，当对所述金属通孔进行切片分析并观察其横截面形貌时，常规电迁移测试结构会遭遇失效分析测量不准的问题。因为虽然版图设计的金属通孔为正方形或矩形，但实际工艺成形后的金属通孔为上宽下窄的圆锥形或椭圆锥形，如果失效分析切到金属通孔的不同截面位置，那么不同截面位置所对应的金属通孔的宽度就各不相同，并且金属通孔的顶部和底部宽度差异越大，金属通孔的横截面形貌(包括宽度和界面倾斜角度等)差异就越大。
众所周知，金属通孔的形貌是铜互连工艺的关键特征，其宽度、高度、倾斜角、进入下层金属的深度等形貌尺寸直接影响电迁移性能，当对两颗样品进行电迁移测试性能和物理形貌的比对时，两颗样品失效分析切片位置如果有差异，失效分析引入的偏差会严重影响样品比较结论的判定。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，通过设计定位所述测试金属通孔不同目标截面位置的金属线标尺，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位。
为了达到上述目的，本发明提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，包括测试金属线、测试金属通孔、金属引线、金属线标尺及测试金属垫，所述测试金属线的端部通过所述测试金属通孔与所述金属引线的一端连接，所述金属引线的另一端与所述测试金属垫连接，所述金属线标尺形成于一至少一层金属层上，并用于定位所述测试金属通孔的至少一个目标截面。
可选的，所述金属线标尺包括相对设置的第一标尺及第二标尺，所述第一标尺包括至少一个第一标齿，所述第二标尺包括至少一个第二标齿，所述第一标齿与所述第二标齿一一对应且错位分布，各个所述第一标齿的边界与对应的所述第二标齿的边界相切且分别与所述测试金属通孔的各个目标截面对齐。
可选的，所述第一标齿与对应的所述第二标齿相邻。
可选的，所述第一标齿为多个且相互平行，所述第二标齿为多个且相互平行。
可选的，相邻的所述第一标齿及所述第二标齿之间的间距遵循最小尺寸设计规则。
可选的，所述第一标齿及所述第二标齿的宽度遵循最小尺寸设计规则。
可选的，所述金属线标尺与所述测试金属线位于同一金属层。
可选的，所述金属线标尺与所述测试金属线位于不同金属层。
可选的，所述带失效分析标尺的电迁移测试结构还包括至少一个用于失效分析参照的对照金属通孔，所述对照金属通孔与所述测试金属通孔位于同一层且相互平行，所述对照金属通孔的中心与所述测试金属通孔的中心的连线平行于所述目标截面。
可选的，所述对照金属通孔与所述测试金属通孔相邻，且所述对照金属通孔位于一开路的金属线上。
在本发明提供的带失效分析标尺的电迁移测试结构中，通过设计定位所述测试金属通孔不同目标截面位置的金属线标尺，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位。特别是在多样品分析比较时，能够锁定每个样品的切片截面位置，通过比较各金属通孔相同横截面位置的形貌差异，为不同样品工艺差异分析提供证据，避免了现有设计结构中不同样品失效分析截面位置差异引入的形貌测量差异，从而保证电迁移结构失效分析数据的准确性和可比性。
附图说明
本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。其中：
图1为现有技术中的常规电迁移测试结构的俯视图；
图2为现有技术中的常规电迁移测试结构的侧视图；
图3为本发明实施例一提供的电迁移测试结构的俯视图；
图4为本发明实施例一提供的电迁移测试结构的侧视图；
图5为本发明实施例二提供的电迁移测试结构的俯视图；
图6为本发明实施例二提供的电迁移测试结构的侧视图；
图7为本发明实施例三提供的电迁移测试结构的俯视图；
图8为本发明实施例三提供的电迁移测试结构的侧视图；
其中，附图标记为：
1-金属线；2-金属通孔；3-金属引线；K、L、M-金属通孔的目标截面；
100、200、300-测试金属线；110、210、310-测试金属通孔；120、220、320- 金属引线；130、230、330-金属线标尺；140、240、340-对照金属通孔；AA'、 BB'、CC'、DD'、EE'-测试金属通孔的目标截面；A、B、C、D、E-第一标齿； A'、B'、C'、D'、E'-第二标齿。
具体实施方式
正如背景技术所述，请参照图1及图2，常规电迁移测试结构包括：金属线 1、金属通孔2和金属引线3，所述金属通孔2包括3个目标截面，分别记为K、 L、M，如果失效分析切到金属通孔2的不同截面位置，那么不同截面位置所对应的金属通孔2的宽度就各不相同，并且金属通孔2的顶部和底部宽度差异越大，金属通孔2的横截面形貌(包括宽度和界面倾斜角度等)差异就越大。当对两颗样品进行电迁移测试性能和物理形貌的比对时，两颗样品目标截面位置 (即失效分析切片位置)如果有差异，失效分析引入的偏差会严重影响样品比较结论的判定。
为了解决上述问题，本发明提供了一种带失效分析标尺的电迁移结构，包括测试金属线、测试金属通孔、金属引线、金属线标尺及测试金属垫。可以根据需求设计对齐所述测试金属通孔不同目标截面位置的金属线标尺，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位。
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
实施例一
请参照图3及图4，本实施例提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，包括测试金属线100、测试金属通孔110、金属引线120、金属线标尺130及测试金属垫，所述测试金属线100的端部通过所述测试金属通孔110与所述金属引线120的一端连接，所述金属引线120的另一端与所述测试金属垫连接，所述金属线标尺130形成于至少一层金属层上，并用于定位所述测试金属通孔110 的至少一个目标截面。本实施例提供的带失效分析标尺的电迁移测试结构中，可以根据需求设计用于定位测试金属通孔110不同目标截面位置的金属线标尺 130，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位，特别是在多样品分析比较时，能够锁定每个样品的失效分析切片位置，通过比较各金属通孔相同截面位置的形貌差异，为不同样品工艺差异分析提供证据。
具体的，所述金属线标尺130包括相对设置的第一标尺及第二标尺，所述第一标尺包括至少一个第一标齿，所述第二标尺包括至少一个第二标齿，所述第一标齿与所述第二标齿一一对应且错位分布，各个所述第一标齿与对应的所述第二标齿的边界相切且分别与所述金属通孔的各个目标截面对齐。
本实施例中，结合图3及图4，所述测试金属通孔110的目标截面(即失效分析切片位置)为5个，分别记为AA'、BB'、CC'、DD'及EE'，所述第一标尺包括5个第一标齿，分别记为A、B、C、D、E，所述第二标尺包括5个第二标齿，分别记为A'、B'、C'、D'、E'，所述第一标齿A、B、C、D、E与所述第二标齿A'、B'、C'、D'、E'一一对应，各个所述第一标齿与对应的所述第二标齿的边界相切且分别对应所述金属通孔的目标截面AA'、目标截面BB'、目标截面CC'、目标截面DD'及目标截面EE'，也可以理解为所述第一标尺与所述第二标尺为互补结构。例如，所述第一标齿C的边界与所述第二标齿C'的边界相切且与所述测试金属通孔110的目标截面CC'对齐，失效分析制样时，可由所述第二标齿C'逐层往里切片推进，当所述第二标齿C'开始消失，且所述第一标齿C开始出现时停止，此时对应的截面位置即为所述测试金属通孔110 的目标截面CC'。
本实施例中，所述第一标齿A、B、C、D、E的边界位置各不相同，所述第二标齿A'、B'、C'、D'、E'的边界位置各不相同。所述第一标齿与对应的所述第二标齿相邻，例如，所述第一标齿A与所述第二标齿A'相邻且两者的边界相切，可将第一标齿A与所述第二标齿A'认定为互补的两个标齿。因此，通过设计不同尺寸的第一标齿及第二标齿，能够调整所述第一标齿的边界与所述第二标齿的边界，进而实现对测试金属通孔110不同的目标截面位置的定位。
本实施例中，设计互补的第一标尺及第二标尺的作用在于：如果只有一组标尺，由于工艺的波动和不同作业人员的主观判定差异，仅有标尺金属线消失或者出现的位置判断可能仍然存在偏差。而采用互补的两组第一标尺及第二标尺，在同时满足两个判断标准，即一个标齿开始消失、对应的另一个标齿开始出现的情况下，可以更为精准地找到目标截面位置。如果要比较两个及以上样品的相同截面形貌，只需固定每个样品都切片到第一标齿和对应的第二标齿的边界相切的位置即可。
优选的，所述第一标齿为多个且相互平行，所述第二标齿为多个且相互平行。
优选的，相邻的所述第一标齿及所述第二标齿之间的间距遵循最小尺寸设计规则。所述第一标齿及所述第二标齿的宽度遵循最小尺寸设计规则。
本实施例中，所述金属线标尺130与所述测试金属线100位于同一金属层。当然，本申请对此不作限制，所述金属线标尺130与所述测试金属线100也可以位于不同金属层。此外，所述金属线标尺130可设置在任一金属层或几层金属层随机组合。
请继续参照图3及图4，所述带失效分析标尺的电迁移测试结构还包括至少一个用于失效分析参照的对照金属通孔140，所述对照金属通孔140与所述测试金属通孔110位于同一层且相互平行，所述对照金属通孔140的中心与所述测试金属通孔110的中心的连线平行于所述目标截面。由于所述对照金属通孔140 的中心与所述测试金属通孔110的中心的连线平行于所述目标截面，在测试金属通孔110切到指定目标截面的同时，对照金属通孔140也切到了相同的截面位置，故可直接对比所述对照金属通孔140及所述测试金属通孔110的形貌差异，可避免现有设计结构中不同样品失效分析截面位置差异引入的形貌测量差异，从而保证电迁移结构失效分析数据的准确性和可比性。
优选的，所述对照金属通孔140与所述测试金属通孔110相邻，且所述对照金属通孔140位于一开路的金属线上。由于对照金属通孔140设计在一个开路金属线上，没有电流通过，它相当于一个没有经过电迁移电流应力的通孔，可与经过大电流应力的测试金属通孔110进行形貌对比，减少了重新单独对新鲜样品进行制样的麻烦。
实施例二
请参照图5-图6，本实施例提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，包括测试金属线200、测试金属通孔210、金属引线220、金属线标尺230及测试金属垫，所述测试金属线200的端部通过所述测试金属通孔210与所述金属引线220的一端连接，所述金属引线220的另一端与所述测试金属垫连接。
与实施例一不同之处在于：
本实施例中，所述金属线标尺230为两个，两个所述金属线标尺230分别位于所述测试金属线200的上一层金属层及下一层金属层。
本实施例中，所述测试金属通孔210的目标截面为3个，每个所述金属线标尺230包括3个第一标齿及3个第二标齿，3个所述第一标齿与3个所述第二标齿一一对应且错位分布，各个所述第一标齿与对应的所述第二标齿的边界相切且分别与所述测试金属通孔210的3个目标截面对齐。
本实施例中，所述带失效分析标尺的电迁移测试结构还包括4个用于失效分析参照的对照金属通孔240，所述对照金属通孔240与所述测试金属通孔210 位于同一层且相互平行，所述对照金属通孔240的中心与所述测试金属通孔210 的中心的连线平行于所述目标截面。
实施例三
请参照图7-图8，本实施例提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，包括测试金属线300、测试金属通孔310、金属引线320、金属线标尺330及测试金属垫，所述测试金属线300的端部通过所述测试金属通孔310与上层所述金属引线320的一端连接，所述金属引线320的另一端与所述测试金属垫连接。所述金属线标尺330位于所述测试金属线300的上一层金属层。
与实施例一不同之处在于：
本实施例中，所述金属线标尺330为1个，所述金属线标尺330位于所述测试金属线200的上一层金属层。
本实施例中，所述测试金属通孔310的目标截面为1个，所述金属线标尺 330包括1个第一标齿及1个第二标齿，所述第一标齿与所述第二标齿错位分布，所述第一标齿与所述第二标齿的边界相切且与所述测试金属通孔310的目标截面对齐。
本实施例中，所述带失效分析标尺的电迁移测试结构还包括1个用于失效分析参照的对照金属通孔340，所述对照金属通孔340与所述测试金属通孔310 位于同一层且相互平行，所述对照金属通孔340的中心与所述测试金属通孔310 的中心的连线平行于所述目标截面。
综上，本发明提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，通过设计定位所述测试金属通孔不同目标截面位置的金属线标尺，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位。特别是在多样品分析比较时，能够锁定每个样品的切片截面位置，通过比较各金属通孔相同横截面位置的形貌差异，为不同样品工艺差异分析提供证据。此外，用与测试金属通孔临近并平行的对照金属通孔作为失效分析参照，可避免现有设计结构中不同样品失效分析截面位置差异引入的形貌测量差异，从而保证电迁移结构失效分析数据的准确性和可比性。
此外还应该认识到，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

Claims (10)

1.一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，包括测试金属线、测试金属通孔、金属引线、金属线标尺及测试金属垫，所述测试金属线的端部通过所述测试金属通孔与所述金属引线的一端连接，所述金属引线的另一端与所述测试金属垫连接，所述金属线标尺形成于一至少一层金属层上，并用于定位所述测试金属通孔的至少一个目标截面。
2.如权利要求1所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，所述金属线标尺包括相对设置的第一标尺及第二标尺，所述第一标尺包括至少一个第一标齿，所述第二标尺包括至少一个第二标齿，所述第一标齿与所述第二标齿一一对应且错位分布，各个所述第一标齿的边界与对应的所述第二标齿的边界相切且分别与所述测试金属通孔的各个目标截面对齐。
3.如权利要求2所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一标齿与对应的所述第二标齿相邻。
4.如权利要求2所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一标齿为多个且相互平行，所述第二标齿为多个且相互平行。
5.如权利要求4所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，相邻的所述第一标齿及所述第二标齿之间的间距遵循最小尺寸设计规则。
6.如权利要求4所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一标齿及所述第二标齿的宽度遵循最小尺寸设计规则。
7.如权利要求1所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，所述金属线标尺与所述测试金属线位于同一金属层。
8.如权利要求1所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，所述金属线标尺与所述测试金属线位于不同金属层。
9.如权利要求1所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，所述带失效分析标尺的电迁移测试结构还包括至少一个用于失效分析参照的对照金属通孔，所述对照金属通孔与所述测试金属通孔位于同一层且相互平行，所述对照金属通孔的中心与所述测试金属通孔的中心的连线平行于所述目标截面。
10.如权利要求9所述的带失效分析标尺的电迁移测试结构，其特征在于，所述对照金属通孔与所述测试金属通孔相邻，且所述对照金属通孔位于一开路的金属线上。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050214956A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. High throughput measurement of via defects in interconnects
CN104282594A (zh) * 2014-10-20 2015-01-14 武汉新芯集成电路制造有限公司 监测介质层性能的测试结构
CN205211741U (zh) * 2015-12-18 2016-05-04 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 半导体测试结构
CN107452732A (zh) * 2016-05-02 2017-12-08 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片及其形成方法
CN110660779A (zh) * 2019-09-26 2020-01-07 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 图形偏移的测试结构及其形成方法、图形偏移的检测方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050214956A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. High throughput measurement of via defects in interconnects
CN104282594A (zh) * 2014-10-20 2015-01-14 武汉新芯集成电路制造有限公司 监测介质层性能的测试结构
CN205211741U (zh) * 2015-12-18 2016-05-04 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 半导体测试结构
CN107452732A (zh) * 2016-05-02 2017-12-08 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片及其形成方法
CN110660779A (zh) * 2019-09-26 2020-01-07 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 图形偏移的测试结构及其形成方法、图形偏移的检测方法

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