CN113039863A - 静电卡盘加热器 - Google Patents

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Abstract

本发明的静电卡盘加热器在氧化铝基板的上表面设有晶片载置面，从晶片载置面侧起在氧化铝基板中依次埋设有静电电极、设置于每个区域的电阻发热体以及向电阻发热体供电的多级跳线，该静电卡盘加热器具备将电阻发热体和跳线沿上下方向连结的发热体连结导通孔、以及为了向跳线供电而向外部取出的供电导通孔。其中，至少发热体连结导通孔和供电导通孔包含金属钌。

Description

静电卡盘加热器
技术领域
本发明涉及静电卡盘加热器。
背景技术
以往，在加工半导体晶片时，使用吸附保持晶片的静电卡盘加热器。作为这样的静电卡盘加热器，如专利文献1所示，已知有具备静电卡盘和片加热器的静电卡盘加热器，所述静电卡盘在陶瓷烧结体中埋设有静电电极，所述片加热器为具有多个电阻发热体的树脂片且一面与静电卡盘树脂粘接。片加热器还具备对多个电阻发热体分别供电的跳线、将电阻发热体和跳线沿上下方向连结的发热体连结导通孔、为了向跳线供电而向外部取出的供电导通孔等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/029876号小册子
发明内容
发明所要解决的课题
在这样的静电卡盘加热器中，由于在树脂片的情况下无法充分得到耐热性、散热能力，因此存在希望变更为在陶瓷烧结体中埋设有电极的结构这样的要求。特别是在使用氧化铝作为陶瓷的情况下，存在在氧化铝与导通孔之间容易产生裂纹这样的问题。
本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于，在氧化铝基板中内置静电电极、电阻发热体、跳线和导通孔的静电卡盘加热器中，抑制裂纹的产生。
用于解决课题的方案
本发明的静电卡盘加热器在氧化铝基板的上表面设有晶片载置面，从上述晶片载置面侧起依次在上述氧化铝基板中埋设有静电电极、设置于每个区域的电阻发热体以及向上述电阻发热体供电的多级跳线，并具备将上述电阻发热体和上述跳线沿上下方向连结的发热体连结导通孔、以及为了向上述跳线供电而向外部取出的供电导通孔，
上述发热体连结导通孔和上述供电导通孔包含10重量％以上95重量％以下的金属钌，与上述氧化铝基板的热膨胀系数差落入±0.6ppm/K的范围。
在该静电卡盘加热器中，为了降低发热量，埋设于氧化铝基板的发热体连结导通孔和供电导通孔有时会增大尺寸来降低电阻，但在这样的情况下，若由氧化铝基板与导通孔的热膨胀差引起的残留应力大，则容易产生裂纹。在此，导通孔包含10重量％以上95重量％以下(优选为20重量％以上95重量％以下)的金属钌。氧化铝的热膨胀系数在40～800℃为7.9ppm/K，金属钌的热膨胀系数在40～800℃为7.2ppm/K。另外，导通孔与氧化铝基板的热膨胀系数差落入±0.6ppm/K的范围内。因此，氧化铝基板与导通孔的热膨胀差非常小。因此，在制造时、使用时能够抑制裂纹的产生。
需要说明的是，40～800℃的热膨胀系数是将从40℃变为800℃时的每1m的膨胀量(单位：μm)除以温度差760℃(或K)而得到的值(以下相同)。
在本发明的静电卡盘加热器中，上述发热体连结导通孔和上述供电导通孔除了金属钌以外，还可以含有填料成分。作为填料成分，优选氧化铝和/或氧化锆。氧化铝是与母材(氧化铝基板)相同的材料，因此发热体连结导通孔与母材的界面强度得到改善。氧化锆的热膨胀系数大于氧化铝，因此通过添加少量的氧化锆，能够使发热体连结导通孔的热膨胀系数与氧化铝基板的热膨胀系数一致。在添加氧化铝和氧化锆这两者作为填料成分的情况下，能够得到两者的效果。
在本发明的静电卡盘加热器中，上述静电电极、上述电阻发热体和上述跳线也可以含有10重量％以上95重量％以下(优选为20重量％以上95重量％以下)的金属钌，与氧化铝基板的热膨胀系数差落入±0.6ppm/K的范围。这样，静电电极、电阻发热体、跳线以及导通孔与氧化铝的热膨胀差均变得非常小。因此，在制造时、使用时能够进一步抑制裂纹的产生。在该情况下，上述静电电极、上述电阻发热体以及上述跳线除了金属钌以外还可以含有填料成分。作为填料成分，优选氧化铝和/或氧化锆。
附图说明
图1是静电卡盘加热器10的纵剖视图。
图2是另一静电卡盘加热器60的剖视图。
图3是将外部端子40与第二供电端子32连接的情况的说明图。
图4是将外部端子40与第二供电端子32连接的情况的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。图1是静电卡盘加热器的纵剖视图。
如图1所示，静电卡盘加热器10在氧化铝基板12的上表面设有晶片载置面12a，从晶片载置面12a侧起依次在氧化铝基板12中埋设有静电电极14(ESC电极)、设置于每个区域的电阻发热体16以及向电阻发热体16供电的多级(在此为2级)跳线18。在氧化铝基板12中设有将电阻发热体16和跳线18沿上下方向连结的发热体连结导通孔20、以及为了向跳线18供电而向外部取出的供电导通孔22。
发热体连结导通孔20和供电导通孔22包含金属钌。金属钌的含量优选为10重量％以上95重量％以下。考虑到抑制导通孔20、22的正上方的发热，金属钌的含量更优选为20重量％以上95重量％以下，进一步优选为60重量％以上95重量％以下。导通孔20、22与氧化铝基板12的热膨胀系数差落入±0.6ppm/K的范围内。发热体连结导通孔20和供电导通孔22除了金属钌以外，还可以含有填料成分。作为填料成分，优选氧化铝和/或氧化锆。氧化铝的热膨胀系数如上所述略高于金属钌。因此，氧化铝作为想要使导通孔20、22的热膨胀系数更接近氧化铝时的填料成分是有用的。氧化铝是绝缘物质，因此作为想要提高导通孔20、22的电阻率时的填料成分也是有用的。氧化锆的热膨胀系数在40～800℃为10.5ppm/K。因此，氧化锆作为想要提高导通孔20、22的热膨胀系数时的填料成分是有用的。即，氧化锆仅通过在导通孔20、22中少量添加就能够提高导通孔20、22的热膨胀系数。进而，氧化锆即使在高温下也不与金属钌反应或难以反应，因此对金属钌的电阻率的影响小，在这一点上也优选作为填料成分。
静电电极14、电阻发热体16以及跳线18也优选包含金属钌。金属钌的含量优选为10重量％以上95重量％以下，更优选为20重量％以上95重量％以下，进一步优选为60重量％以上95重量％以下。静电电极14、电阻发热体16以及跳线18与氧化铝基板12的热膨胀系数差落入±0.6ppm/K的范围内。静电电极14、电阻发热体16以及跳线18除了金属钌以外，还可以含有填料成分。作为填料成分，优选氧化铝和/或氧化锆。氧化铝的热膨胀系数如上所述略高于金属钌。因此，氧化铝作为想要使静电电极14、电阻发热体16以及跳线18的热膨胀系数更接近氧化铝时的填料成分是有用的。氧化铝是绝缘物质，因此作为想要提高静电电极14、电阻发热体16以及跳线18的电阻时的填料成分也是有用的。例如，通过调整向静电电极14、电阻发热体16以及跳线18添加的氧化铝的量，能够在几乎不改变热膨胀系数的情况下容易地调整电阻率。氧化锆的热膨胀系数在40～800℃为10.5ppm/K。因此，氧化锆作为想要提高静电电极14、电阻发热体16以及跳线18的热膨胀系数时的填料成分是有用的。即，氧化锆仅通过在这些部件中少量添加就能够提高这些部件的热膨胀系数。进而，氧化锆即使在高温下也不与金属钌反应或难以反应，因此对金属钌的电阻率的影响小，在这一点上也优选作为填料成分。
在以上详述的静电卡盘加热器10中，为了降低发热量，埋设于氧化铝基板12的发热体连结导通孔20和供电导通孔22有时会增大尺寸来降低电阻，但在这样的情况下，若由氧化铝基板12与导通孔20、22的热膨胀差引起的残留应力大，则容易产生裂纹。在此，导通孔20、22包含金属钌。氧化铝的热膨胀系数在40～800℃为7.9ppm/K、金属钌的热膨胀系数在40～800℃为7.2ppm/K。另外，导通孔20、22与氧化铝基板12的热膨胀系数差落入±0.6ppm/K的范围内。因此，氧化铝基板12与导通孔20、22的热膨胀差非常小。因此，在制造时、使用时能够抑制裂纹的产生。
另外，由于静电电极14、电阻发热体16以及跳线18也包含金属钌，因此静电电极14、电阻发热体16、跳线18以及导通孔20、22与氧化铝的热膨胀差均非常小。因此，在制造时、使用时能够进一步抑制裂纹的产生。
需要说明的是，本发明不受上述实施方式的任何限定，不言而喻，只要属于本发明的技术范围就能够以各种方式实施。
例如，在上述的实施方式中，如图2所示的静电卡盘加热器60那样，也可以将包含金属钌的第一和第二供电端子31、32埋设于氧化铝基板12。在图2中，对与静电卡盘加热器10相同的构成要素标注相同的符号。第一和第二供电端子31、32在制造静电卡盘加热器60时埋设于氧化铝基板12。第一和第二供电端子31、32的上表面与供电导通孔22的下表面抵接。第一供电端子31以第一供电端子31的下表面与氧化铝基板12的下表面一致的方式设置。第二供电端子32以第二供电端子32的下表面与设置于氧化铝基板12下表面的有底筒状孔12b的底面一致的方式设置。由于任意供电端子31、32都包含金属钌，因此氧化铝基板12与供电端子31、32的热膨胀差非常小。因此，能够抑制在制造时、使用时由供电端子引起的裂纹的产生。需要说明的是，第一和第二供电端子31、32的金属钌的含量优选为10重量％以上95重量％以下，更优选为20重量％以上95重量％以下，进一步优选为60重量％以上95重量％以下。另外，第一和第二供电端子31、32与氧化铝基板12的热膨胀系数差优选落入±0.6ppm/K的范围内。关于将外部端子与这些供电端子31、32连接的情况，使用第二供电端子32并使用图3和图4进行说明。在图3中，在第二供电端子32的下表面设置嵌合孔32a，使外部端子40的前端部40a与该嵌合孔32a嵌合，将第二供电端子32与外部端子40连接。在图4中，将外部端子40的上表面40b按压于第二供电端子32的下表面，将第二供电端子32与外部端子40连接。需要说明的是，对于第一供电端子31与外部端子的连接，也能够同样地进行。这样，不需要将供电端子31、32钎焊接合于供电导通孔22的作业，因此制造成本低廉。第一和第二供电端子31、32除了金属钌之外，还可以含有上述的填料成分。
在上述的实施方式中，也可以将发热体连结导通孔20以及供电导通孔22的主成分设为金属钌。另外，也可以将静电电极14、电阻发热体16以及跳线18的主成分设为金属钌。需要说明的是，“主成分”是指占50体积％以上的体积比例的成分或全部成分中体积比例最高的成分。
实施例
作为实验例1～10，制作图1的静电卡盘加热器10。静电卡盘加热器10是在直径300mm、厚度4mm的氧化铝基板12中埋设有直径290mm、厚度0.1mm的静电电极14、内周侧及外周侧的电阻发热体16、宽度5mm的带状的跳线18、以及直径1.2mm、厚度0.6mm的导通孔20、22。内周侧的电阻发热体16在与氧化铝基板12为同心圆的直径200mm的圆形区域中以一笔画的要领进行配线，外周侧的电阻发热体16在圆形区域的外侧的环状区域中以一笔画的要领进行配线。静电电极14的材料设为碳化钨，电阻发热体16的材料设为金属钌，跳线18的材料设为金属钌。另外，导通孔20、22中使用的填料成分的材料设为氧化铝、或氧化锆、或氧化铝和氧化锆这两者。在实验例1～10中，除了分别使用表1所示的材料作为发热体连结导通孔20及供电导通孔22的材料以外，在全部相同的条件下制作静电卡盘加热器10。将实验例1～10的导通孔在40～800℃的热膨胀系数(CTE)示于表1中。
对于实验例1～10，在进行截面研磨后，通过SEM(扫描型电子显微镜)观察，调查氧化铝基板12内有无裂纹。在没有裂纹的情况下，将静电卡盘加热器10单独地设置于真空腔内，利用红外线放射温度计(IR摄像机)从腔室外部测定预先确定的基准点成为60℃时的晶片载置面12a的温度分布，求出导通孔20、22的正上方的晶片载置面12a的温度与基准点的温度之差(＝表1的发热[℃])。将其结果示于表1中。
[表1]
Figure BDA0003071730330000061
由表1可知，在实验例1～7中，能够将导通孔20、22的正上方处的发热抑制在2.0[℃]以下，并且也没有产生裂纹。特别是，在实验例2～7中，能够将导通孔20、22的正上方处的发热抑制在1.8[℃]以下，在实验例4～7中，能够将导通孔20、22的正上方处的发热抑制在1.0[℃]以下。与此相对，在实验例8中，氧化锆的添加量过多，导通孔20、22与氧化铝基板12的CTE差变大，因此产生了裂纹。在实验例9、10中，由于氧化铝的添加量过少，导通孔20、22与氧化铝基板的CTE差变大，因此产生了裂纹。在实验例10中，没有添加填料成分而导通孔20、22与氧化铝基板的CTE差变大，因此产生了裂纹。实验例1～7相当于本发明的实施例，实验例8～10相当于比较例。需要说明的是，本发明不受这些实施例的任何限定。
本申请将2019年9月18日申请的日本专利申请第2019-169348号作为主张优先权的基础，并通过引用将其全部内容包含在本说明书中。
产业上的利用可能性
本发明例如能够用于加工半导体晶片的技术中。
符号说明
10、60静电卡盘加热器，12氧化铝基板，12a晶片载置面，12b有底筒状孔，14静电电极，16电阻发热体，18跳线，20发热体连结导通孔，22供电导通孔，31第一供电端子，32第二供电端子，32a嵌合孔，40外部端子，40a前端部，40b上表面。

Claims (7)

1.一种静电卡盘加热器，其在氧化铝基板的上表面设有晶片载置面，从所述晶片载置面侧起依次在所述氧化铝基板中埋设有静电电极、设置于每个区域的电阻发热体以及向所述电阻发热体供电的多级跳线，并具备将所述电阻发热体和所述跳线沿上下方向连结的发热体连结导通孔、以及为了向所述跳线供电而向外部取出的供电导通孔，
所述发热体连结导通孔和上述供电导通孔含有10重量％以上95重量％以下的金属钌，与所述氧化铝基板的热膨胀系数差落入±0.6ppm/K的范围。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘加热器，所述发热体连结导通孔和所述供电导通孔的金属钌的比例为20重量％以上95重量％以下。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘加热器，所述发热体连结导通孔和所述供电导通孔除了金属钌以外，还包含填料成分。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘加热器，所述静电电极、所述电阻发热体以及所述跳线含有10重量％以上95重量％以下的金属钌，与所述氧化铝基板的热膨胀系数差落入±0.6ppm/K的范围。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘加热器，所述静电电极、所述电阻发热体以及所述跳线的金属钌的比例为20重量％以上95重量％以下。
6.根据权利要求4或5所述的静电卡盘加热器，所述静电电极、所述电阻发热体以及所述跳线除了金属钌以外，还包含填料成分。
7.根据权利要求3或6所述的静电卡盘加热器，所述填料成分为氧化铝和/或氧化锆。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023088622A (ja) 2021-12-15 2023-06-27 日本碍子株式会社 ウエハ載置台
JP7471566B2 (ja) 2022-09-28 2024-04-22 Toto株式会社 静電チャック

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09190873A (ja) * 1996-01-05 1997-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面状発熱体の製造法
JP2014075525A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ
JP2014222698A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 コバレントマテリアル株式会社 電極埋め込み石英部材及びその製造方法
JP2015088745A (ja) * 2013-09-27 2015-05-07 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
CN106796910A (zh) * 2014-09-16 2017-05-31 日本碍子株式会社 陶瓷结构体、基板保持装置用部件及陶瓷结构体的制法
JP2017228360A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 日本特殊陶業株式会社 加熱部材及び静電チャック

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030098299A1 (en) * 2000-03-06 2003-05-29 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater
JP2001313271A (ja) 2000-04-27 2001-11-09 Hitachi Ltd 半導体製造方法
JP2002026338A (ja) 2000-07-05 2002-01-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 半導体装置及びその製造方法
JP2005005057A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Kyocera Corp セラミックヒータ、並びにセラミックヒータ構造体
JP2006222008A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Kyocera Corp セラミックヒータ及びヒータ内蔵電子部品
JP2006232694A (ja) 2005-02-23 2006-09-07 Univ Nihon 難溶性医薬とシクロデキストリン化合物からなる複合体及びその製造方法
JP5341416B2 (ja) 2008-07-17 2013-11-13 日本電信電話株式会社 Ｘ線集光レンズ
JP6358751B2 (ja) 2012-12-28 2018-07-18 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 放射性テクネチウム９９ｍ含有物質生成方法及び生成装置
JP6118149B2 (ja) 2013-03-21 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 ルテニウム膜の形成方法および記憶媒体
JP6377504B2 (ja) 2014-11-25 2018-08-22 メタローテクノロジーズジャパン株式会社 電極形成用の導電性ペースト
JP2017029876A (ja) 2015-07-29 2017-02-09 寿典 幕田 気泡から作る中空粒子およびその製造方法
WO2017029876A1 (ja) 2015-08-20 2017-02-23 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
CN107534012B (zh) * 2016-03-29 2020-06-09 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
JP6838941B2 (ja) 2016-05-27 2021-03-03 オリンパス株式会社 超音波振動子および超音波内視鏡装置
JP6698476B2 (ja) 2016-08-30 2020-05-27 京セラ株式会社 静電吸着用部材
JP6973734B2 (ja) 2017-11-29 2021-12-01 昭和電工株式会社 アルミナ質焼結体用組成物及びその製造方法、並びにアルミナ質焼結体の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09190873A (ja) * 1996-01-05 1997-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面状発熱体の製造法
JP2014075525A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ
JP2014222698A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 コバレントマテリアル株式会社 電極埋め込み石英部材及びその製造方法
JP2015088745A (ja) * 2013-09-27 2015-05-07 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
CN106796910A (zh) * 2014-09-16 2017-05-31 日本碍子株式会社 陶瓷结构体、基板保持装置用部件及陶瓷结构体的制法
JP2017228360A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 日本特殊陶業株式会社 加熱部材及び静電チャック

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Publication number Publication date
KR20210044899A (ko) 2021-04-23
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