JP2003151727A - 面状セラミックスヒーター - Google Patents

面状セラミックスヒーター

Info

Publication number
JP2003151727A
JP2003151727A JP2001348320A JP2001348320A JP2003151727A JP 2003151727 A JP2003151727 A JP 2003151727A JP 2001348320 A JP2001348320 A JP 2001348320A JP 2001348320 A JP2001348320 A JP 2001348320A JP 2003151727 A JP2003151727 A JP 2003151727A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
supply terminal
aluminum nitride
base material
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001348320A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichiro Aonuma
伸一朗 青沼
Shigeko Muramatsu
滋子 村松
Koji Oishi
浩司 大石
Mitsuhiro Fujita
光広 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP2001348320A priority Critical patent/JP2003151727A/ja
Publication of JP2003151727A publication Critical patent/JP2003151727A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電力供給端子による電力供給が安定的に確保
され、常時、安定した発熱・放熱が得られる耐久性の優
れた面状セラミックスの提供。 【解決手段】 一主面が放熱・発熱面をなす面状のセラ
ミックス基材1と、前記セラミックス基材1に埋め込み
・配置された抵抗発熱体2と、前記抵抗発熱体2に一端
が接続し他端側がセラミックス基材1の他主面側に導出
された電力供給端子3と、前記導出した電力供給端子3
に嵌合・被覆し一端面がセラミックス基材1面に対接す
るように装着された燒結窒化アルミニウムスリーブ5
と、前記セラミックス基材1面に対接する燒結窒化アル
ミニウムスリーブ5の端面縁部に配設され封止する封止
用ガラス層6とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、面状セラミックス
ヒーターに係り、さらに詳しくは電力供給端子に耐酸化
性を付与して安定した放熱・発熱を維持させる面状セラ
ミックスヒーターに関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば半導体の製造に当たっては、半
導体ウェハーに対するPVD、プラズマCVD、プラズ
マエッチング、光エッチングなどの加工処理が施され
る。また、これらの加工処理は、一般的に、被加工体を
面状セラミックスヒーター(発熱体)面上に配置し、被
加工体に加熱を施しながら行われる。そして、高性能な
いし高信頼性を有する半導体を歩留まりよく、しかも量
産的に得るためには、加熱処理が一つの重要なファクタ
ーとなる。
【0003】ここで、面状セラミックスヒーターは、図
3に構造の要部を断面的に示すように、たとえば緻密で
ガスタイトなセラミックス焼結体(セラミックス基材)
1の内部に、タングステン線やモリブデン線などの抵抗
発熱線(もしくはコイル、箔など)2を、たとえば螺旋
状やジグザグ状に埋設したものである。そして、抵抗発
熱体2に対する電力供給端子3は、セラミックス基材1
外に導出させた構造を採っている。なお、電力供給端子
3は、たとえばタングステン、モリブデン、ニッケルな
どを素材とし、また、セラミックス基材1は、たとえば
アルミナ系やシリカ系、窒化アルミニウム系、窒化ケイ
素系、炭化ケイ素系あるいはサイアロンなどが挙げられ
るが、特に、窒化アルミニウム系が熱伝導性や耐食性な
どの点で注目されている。
【0004】そして、この種の面状セラミックスヒータ
ーは、一般的に、次のような手段で製造されている。第
1の手段は、セラミックベース用基材(グリーンシー
ト)の一主面に、前記抵抗発熱線で形成した抵抗発熱体
を配置し、その抵抗発熱体2面にヒーターカバーシート
を積層し、所定の条件での脱脂、所要温度でのホットプ
レス処理などを施して焼結・一体化させ、その後、電力
供給端子をロウ付けする方法である。
【0005】第2の手段は、予め、放熱・発熱面を成す
板状のセラミック基材、及びヒーターカバーを成す板状
のセラミック基材をそれぞれ作製し、このセラミック基
材面間に、前記抵抗発熱線で形成した抵抗発熱体を配置
する一方、接合剤層を介挿して接合一体化させて製作す
る方法である。ここで、ヒーターカバーを成す板状のセ
ラミック基材には、抵抗発熱体の被接続部に対応させた
孔が穿設されており、この穿設孔に電力供給端子を装着
し、かつ導電性ペーストを充填して電気的な接続を行っ
ている。なお、第1及び第2のいずれの手段において
も、抵抗発熱体の形成は、抵抗発熱体用ペーストのスク
リーン印刷・焼き付け、タングステン板のレーザー加工
やパンチ型打ち抜き加工などでも行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体の製
造工程における加熱処理では、加工稼働率や低コスト化
などの点から、加熱源として使用される面状セラミック
スヒーターの耐久性及び良好な歩留まりの確保が前提と
なる。つまり、面状セラミックスヒーターにおいては、
安定した放熱・発熱容量の維持、及び面内温度分布の一
様性などが要求される。しかし、従来の面状セラミック
スヒーターの構成では、電力供給端子の劣化が起こり易
く、耐久性及び安定した放熱・発熱などの点で問題があ
る。
【0007】すなわち、上記面状セラミックスヒーター
は、たとえば半導体製造装置の一構成部材として装着す
る場合、放熱・発熱本体部(抵抗発熱体を埋め込んだセ
ラミックス基材)に半導体ウェハーを載置して処理する
ため、雰囲気を適宜調整できる処理室内に装着配置され
る。一方、電力供給端子は、通常、処理室壁部を通して
処理室外の大気中に導出配置されて、外部から所要の電
力を供給し易いようにセットされる。
【0008】さらに言及すると、上記製造装置の構成で
は、面状セラミックスヒーターが放熱・発熱の動作を行
う際、電力供給端子を大気中に導出しているとは言え、
数100℃にも及ぶ処理室内に隣接しているため、相当
高い温度に昇温する。つまり、タングステン製などの電
力供給端子は、必然的に、高温大気中に曝される状態を
採るため、露出している領域での酸化反応が進行する。
そして、この酸化反応の進行は、電力供給端子の電力供
給容量ないし電力供給能の低下を招来するだけでなく、
電力供給端子の機械的強度の低下ともなって、耐久性な
どを大幅に損なうことになる。なお、この酸化現象は、
電力供給端子の装着部からセラミックス基材側に大気が
侵入し、接続の信頼性を損なう恐れもある。
【0009】上記のように、従来の面状セラミックスヒ
ーターの場合は、電力供給端子の酸化に伴う機能低下現
象などもあって、発熱・放熱性が損なわれる恐れがあ
る。つまり、定常的に、所要の電力を供給することの困
難さ、さらに、一様な面内温度分布を確保することの困
難さなどは、たとえば半導体の製造・加工効率ないし生
産性などを損なう。また、こうした問題は、半導体ウェ
ハーの大口径化などを進めて生産性を上げる上では由々
しい問題の提起となる。すなわち、被加工体の大口径化
に対応し、面状セラミックスヒーターも大口径化を要す
ることになり、この際、面状セラミックスヒーターに要
求される放熱・加熱温度の安定性などが損なわれること
は、生産性の向上などに対応できないことになる。
【0010】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、電力供給端子による電力供給が安定的に確保され、
常時、安定した発熱・放熱が得られる耐久性の優れた面
状セラミックスヒーターの提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、一主
面が放熱・発熱面をなす面状のセラミックス基材と、前
記セラミックス基材に埋め込み・配置された抵抗発熱体
と、前記抵抗発熱体に一端が接続し他端側がセラミック
ス基材の他主面側に導出されたタングステン製もしくは
モリブデン製の電力供給端子と、前記導出した電力供給
端子に嵌合・被覆し一端面がセラミックス基材面に対接
するように装着された燒結窒化アルミニウムスリーブ
と、前記セラミックス基材面に対接する燒結窒化アルミ
ニウムスリーブ端面縁部に配設され封止する封止用ガラ
ス層とを有することを特徴とする面状セラミックスヒー
ターである。
【0012】請求項2の発明は、請求項1記載の面状セ
ラミックスヒーターにおいて、嵌合・被覆する燒結窒化
アルミニウムスリーブの外径がセラミックス基材への対
接面を拡大化する段付き型であることを特徴とする。
【0013】請求項3の発明は、請求項1もしくは請求
項2記載の面状セラミックスヒーターにおいて、少なく
とも燒結窒化アルミニウムスリーブを導出して高温大気
に曝される電力供給端子外周面に、金、白金、もしくは
金−白金系のメッキ被覆層が設けられていることを特徴
とする。
【0014】請求項4の発明は、請求項1ないし請求項
3いずれか一記載の面状セラミックスヒーターにおい
て、電力供給端子を導出する燒結窒化アルミニウムスリ
ーブの他端縁部をも封止用ガラス層で封止していること
を特徴とする。
【0015】請求項1ないし4の発明は、セラミックス
基材に抵抗発熱体が埋め込み・配置され、この抵抗発熱
体に接続するタングステン製やモリブデン製の電力供給
端子をセラミックス基材外に導出させた面状セラミック
スヒーターの構成において、電力供給端子の耐酸化性を
図るものである。すなわち、高温大気に曝される導出さ
れた領域の電力供給端子外周面を、熱膨張率がほぼ同じ
の燒結窒化アルミニウムスリーブで嵌合・被覆する一
方、燒結窒化アルミニウムスリーブ端縁部を封止用ガラ
スで封止し、耐酸化性を付与したことを骨子とする。
【0016】換言すると、高温化し易く、かつ大気に曝
される電力供給端子の外周面を、ほぼ同等の熱膨張率を
有する燒結窒化アルミニウム層で被覆するとともに、さ
らに、ガラス封止を加えて大気との接触をより確実に遮
断し、電力供給端子に安定した機能ないし性能を維持・
発揮させるものである。
【0017】請求項1ないし4の発明において、面状の
セラミックス基材は、たとえばアルミナ系やシリカ系、
窒化アルミニウム系、窒化ケイ素系、あるいはサイアロ
ンなどが挙げられるが、特に、窒化アルミニウム系が熱
伝導性や耐食性などの点で好ましい。また、セラミック
ス基材中に埋設・配置される抵抗発熱体は、たとえばタ
ングステン線、モリブデン線、ニクロム線などの抵抗発
熱線(もしくはコイル、箔など)を、螺旋状やジグザグ
状に形成したものである。さらに、セラミックス基材外
に導出させた構造を採る電力供給端子は、タングステ
ン、モリブデン、ニッケル、インコネル、コバール、ス
ーパーインバーなどを素材としたものである。
【0018】請求項1ないし4の発明において、セラミ
ックス基材から導出され、かつ高温大気中に曝される電
力供給端子外周面を嵌合・被覆する燒結窒化アルミニウ
ムスリーブの厚さは、一般的に、0.1〜3mm程度、
好ましくは0.5〜1.5mm程度である。ここで、燒
結窒化アルミニウムスリーブ厚が薄いと、嵌合・被覆加
工性が低下するし、また、所要の耐酸化性を十分に付与
できない恐れがある。一方、余り厚くなると、その部分
から放熱し、面内温度分布に悪影響が及ぶ傾向がある。
【0019】ここで、電力供給端子の外周面を嵌合・被
覆する燒結窒化アルミニウムスリーブは、一般的に、次
のような手段で得られる。先ず、平均粒径0.01〜5
μm程度の窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤およびバ
インダーを添加・混合して得たスラリーから造粒する。
次いで、この造粒を所要の形状寸法のスリーブに成形
し、有機成分を熱脱脂処理後、1800℃以上の高温不
活性雰囲気中、もしくは水素ガス中で焼結することによ
り作製される。なお、焼結助剤としては、酸化イットリ
ウムなどが例示され、バインダーとしては、ポリビニル
ブチラールなどが例示される。
【0020】具体的には、燒結時の収縮によって電力供
給端子の外径と一致するように、内径寸法を設定した窒
化アルミニウム製スリーブ成形体を電力供給端子に嵌合
被覆し、高温不活性雰囲気中などで燒結することによ
り、燒結窒化アルミニウムスリーブでの嵌合・被覆が行
われる。また、燒結窒化アルミニウムスリーブは、肉厚
がほぼ一定の筒状体であってもよいが、セラミックス基
材に対接する端面側の外径を膨大化させた段付き型とし
て、セラミックス基材との対接面を広大化することによ
り、封止の信頼性が向上する。
【0021】上記電力供給端子に対する燒結窒化アルミ
ニウムスリーブの嵌合被覆は、抵抗発熱体に対する電力
供給端子の接続側を径大化する形にテーパ付けに行う
と、セラミックス基材との接触面が広くなるので、接合
強度の向上、接続の安定化などを図ることができる。ま
た、抵抗発熱体に対する電力供給端子の端面に、被接続
部と係合する溝(たとえば断面がV字形、方形形もしく
は半円形)を設けておくと、位置決めし易く、また、確
実な接続の確保が可能になる。
【0022】請求項1ないし4の発明において、燒結窒
化アルミニウムスリーブ端面縁部を封止する封止用ガラ
スは、たとえばSiO−B−RO(ここでRO
は、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びAl金属の少
なくとも1種の酸化物)系のガラスである。そして、こ
の封止用ガラスによる封止は、たとえば平均粒径0.1
〜20μm程度のガラス粉末を分散含有する懸濁液を塗
布し、不活性雰囲気中700〜1100℃の温度で加熱
焼成することにより行うことができる。
【0023】請求項1ないし4の発明において、電力供
給端子部の耐酸性を向上させるため、高温大気に曝され
る電力供給端子外周面に、金、白金、もしくは金−白金
系のメッキ被覆層を設けることが望ましい。ここで、
金、白金、もしくは金−白金系のメッキ被覆層の厚さ
は、5〜20μm程度が望ましく、また、その被覆層
は、燒結窒化アルミニウムスリーブに嵌合・被覆される
領域に及んでもよい。なお、電力供給端子に対する金、
白金、もしくは金−白金系のメッキ被覆層は、たとえば
メッキ液中に電力供給端子材を浸漬・配置し、対電極と
の間にメッキ電圧を印加して、メッキ処理することによ
り行われる。
【0024】請求項1ないし4の発明において、抵抗発
熱体を埋め込み・内蔵するセラミックス系焼結体は、一
般的に、次のような手段で得られる。たとえば窒化アル
ミニウム系焼結体は、平均粒径0.01〜5μm程度の
窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤およびバインダーを
添加・混合して得たスラリーから造粒し、これを所要の
形状寸法の成形体に成形し、有機成分を熱脱脂処理後、
1800℃以上の高温不活性雰囲気中で焼結することに
より作製される。
【0025】ここで、焼結助剤としては、酸化イットリ
ウムなどが例示され、また、バインダーとしては、ポリ
ビニルブチラールなどが例示される。なお、高温焼結に
先立って、成形体の一主面に、抵抗発熱体の配置・埋め
込み用の溝などを予め設けておくことが望ましい。
【0026】また、窒化アルミニウム系基材などに対す
る抵抗発熱体の埋め込みは、組み合わせる窒化アルミニ
ウム系部材の対向面間に、抵抗発熱体を位置決め配置す
る。このとき、電力供給端子を導出する側の窒化アルミ
ニウム系部材には、予め、電力供給端子を挿着・組み込
んで固定化しておく。そして、前記窒化アルミニウム系
部材の対向する面に、たとえば窒化アルミニウム−酸化
イットリウム−酸化リチウム系ペーストなどの接合剤を
印刷や塗布して接合層を設け、不活性雰囲気中もしくは
減圧雰囲気下で、1550〜1750℃程度の温度で加
熱することにより行われる。
【0027】
【発明の実施態様】以下、図1及び図2を参照して実施
例を説明する。
【0028】図1は、第1の実施例に係る面状セラミッ
クスヒーターの要部構成を示す断面図である。図1にお
いて、1は抵抗発熱体2を内蔵・埋設するセラミックス
基材、3は一端側の外周面に金メッキ層4を被覆したタ
ングステン製の棒状電力供給端子、5は窒化アルミニウ
ム製の外径段付き型スリーブ、6は前記セラミックス機
材1に対接する窒化アルミニウム製スリーブ5の外周縁
部、及び金メッキ被覆4された電力供給端子1の導出側
に配置され封止する封止用ガラス層である。
【0029】次に、上記構成の面状セラミックスヒータ
ーの製造・組立例を説明する。先ず、径4mm、長さ3
00mmのタングステン製の棒状電力供給端子3を用意
した。一方、平均粒径0.01〜5μm程度の窒化アル
ミニウム粉末に、焼結助剤およびバインダーを添加・混
合して得たスラリーから造粒し、これを外径段付き型ス
リーブに成形した。このとき、窒化アルミニウム製スリ
ーブ成形体は、燒結時の収縮によって棒状電力供給端子
3の外径と一致するような内径寸法に設定する。
【0030】次いで、前記電力供給端子3の他端側を突
出させた形で、窒化アルミニウム製スリーブ成形体を電
力供給端子3に嵌合被覆し、有機成分を熱脱脂処理後、
1800℃以上の高温不活性雰囲気(たとえば窒素ガ
ス)中で、窒化アルミニウム製スリーブ成形体を焼結す
ることにより、スリーブ嵌合被覆型の電力供給端子を作
製した。
【0031】一方、螺旋状の抵抗発熱素子2をセラミッ
クス基材1中に内蔵(埋め込み)し、かつ一主面側に、
前記内蔵する抵抗発熱体2の端子部に対応した電力供給
端子装着孔が穿設されたセラミックスヒーター本体を用
意する。そして、このセラミックスヒーター本体に、前
記窒化アルミニウム製スリーブ5を嵌合被覆させた電力
供給端子3を装着・組み込んで、前記抵抗発熱体2の端
子部に電力供給端子3の先端面側を電気的に接続させ
る。その後、スリーブ5外の端子部に金メッキを行う。
【0032】その後、セラミックスヒーター本体に対接
する窒化アルミニウム製スリーブ5の外周端縁部、及び
金メッキ被覆4された電力供給端子3の導出側に封止用
ガラスペーストを塗布し、不活性雰囲気中700〜11
00℃で焼成し、ガラス6封止する。このようにして、
セラミックスヒーターの電力供給端子3は、より気密に
被覆保護された状態を採るため、耐酸化性が向上されて
大気中に曝されても、酸化劣化による特性低下の恐れが
なく、安定した性能・機能を保持発揮する。
【0033】図2は、第2の実施例に係わる面状セラミ
ックスヒーターの要部構成を示す断面図である。この実
施例は、上記第1の実施例における窒化アルミニウム製
スリーブ5が外径段付き型であったのに対して、単純な
円筒状とした他は、第1の実施例の場合と同様の構成で
ある。そして、この実施例の場合も、電力供給端子3部
の酸化劣化などによるヒーター特性の低下・変動など解
消されて安定した機能を維持発揮する。
【0034】上記各実施例では、金メッキ被覆4された
電力供給端子3の導出側スリーブ5の端面部を封止用ガ
ラス6で封止したが、この封止は、省略することもでき
る。つまり、電力供給端子3に対して窒化アルミニウム
製スリーブ5が密着的に嵌合・被覆している場合、窒化
アルミニウム製スリーブ5から電力供給端子3が導出す
る部分での外気侵入が回避されるので、ガラスによる封
止を省略できる。
【0035】次に、上記実施例1に係わる構成の面状セ
ラミックスヒーターを、半導体製造用CVD装置の処理
室内に位置決め装着し、処理室内を減圧Ar系雰囲気と
し、面状セラミックスヒーターに電力を供給して、処理
室内温度を750℃に保持するように設定した。なお、
面状セラミックスヒーターの位置決め装着では、電力供
給端子3の一部が処理室外に導出して、高温大気中に曝
される状態になっている。
【0036】上記面状セラミックスヒーターの加熱動作
において、処理室外に導出して大気に曝される電力供給
端子3領域の酸化による性状変化が防止され、また、セ
ラミックス基材に埋め込み・装着された部分への大気の
侵入も防止されるので、安定した電力供給が行われる。
つまり、面状セラミックスヒーターにおける安定した放
熱・発熱が容易、かつ定常的に確保される。
【0037】本発明は、上記実施例に限定されるもので
なく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を
採ることができる。たとえば、抵抗発熱体の形状・材
質、入力電力端子の材質、あるいはセラミックス系基材
の材質、形状・寸法など用途に応じて選択・設定でき
る。その他、静電チャックや電極内蔵形サセプターの構
成などにも適用できる。
【0038】
【発明の効果】請求項1ないし4の発明によれば、電力
供給端子の高温大気に曝される部分が、ほぼ同じ程度の
熱膨張係数を有する燒結窒化アルミニウムスリーブの嵌
合で被覆されている。また、この燒結窒化アルミニウム
スリーブ端縁部は、セラミックスヒーター本体面に対し
てガラスで封止した構成を採っている。つまり、セラミ
ックスヒーターの電力供給端子部は、外気から確実に遮
断した構成と成っている。したがって、電力供給端子部
の酸化による性能低下などが解消され、安定した電力供
給能を有する耐久性の高い面状セラミックスヒーターが
提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例に係る面状セラミックスヒーター
の要部構成を示す断面図。
【図2】第2の実施例に係る面状セラミックスヒーター
の要部構成を示す断面図。
【図3】従来の面状セラミックスヒーターの要部構成を
示す断面図。
【符号の説明】
1……セラミックス基材 2……抵抗発熱素子 3……電力供給端子 4……金メッキ層 5……燒結窒化アルミニウムスリーブ 6……封止用ガラス層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大石 浩司 神奈川県秦野市曽屋30 東芝セラミックス 株式会社開発研究所内 (72)発明者 藤田 光広 神奈川県秦野市曽屋30 東芝セラミックス 株式会社開発研究所内 Fターム(参考) 3K034 AA02 AA04 AA16 BB06 BC03 BC12 CA02 HA04 HA10 JA01 JA10 3K092 PP20 QA05 QB02 QC16 QC42 QC65 RF03 RF11 RF22 VV09 VV31 VV35

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一主面が放熱・発熱面をなす面状のセラ
    ミックス基材と、前記セラミックス基材に埋め込み・配
    置された抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に一端が接続し
    他端側がセラミックス基材の他主面側に導出された電力
    供給端子と、前記導出した電力供給端子に嵌合・被覆し
    一端面がセラミックス基材面に対接するように装着され
    た燒結窒化アルミニウムスリーブと、前記セラミックス
    基材面に対接する燒結窒化アルミニウムスリーブ端面縁
    部に配設され封止する封止用ガラス層と、を有すること
    を特徴とする面状セラミックスヒーター。
  2. 【請求項2】 嵌合・被覆する燒結窒化アルミニウムス
    リーブの外径がセラミックス基材への対接面を拡大化す
    る段付き型であることを特徴とする請求項1記載の面状
    セラミックスヒーター。
  3. 【請求項3】 少なくとも燒結窒化アルミニウムスリー
    ブを導出して高温大気に曝される電力供給端子外周面
    に、金、白金、もしくは金−白金系のメッキ被覆層が設
    けられていることを特徴とする請求項1もしくは請求項
    2記載の面状セラミックスヒーター。
  4. 【請求項4】 電力供給端子を導出する燒結窒化アルミ
    ニウムスリーブの他端縁部をも封止用ガラス層で封止し
    ていることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれ
    か一記載の面状セラミックスヒーター。
JP2001348320A 2001-11-14 2001-11-14 面状セラミックスヒーター Pending JP2003151727A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001348320A JP2003151727A (ja) 2001-11-14 2001-11-14 面状セラミックスヒーター

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001348320A JP2003151727A (ja) 2001-11-14 2001-11-14 面状セラミックスヒーター

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003151727A true JP2003151727A (ja) 2003-05-23

Family

ID=19161157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001348320A Pending JP2003151727A (ja) 2001-11-14 2001-11-14 面状セラミックスヒーター

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003151727A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005056881A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用サセプタおよびそれを搭載した半導体製造装置
JP2014186872A (ja) * 2013-03-23 2014-10-02 Kyocera Corp セラミックヒータ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005056881A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用サセプタおよびそれを搭載した半導体製造装置
JP2014186872A (ja) * 2013-03-23 2014-10-02 Kyocera Corp セラミックヒータ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4476701B2 (ja) 電極内蔵焼結体の製造方法
TWI308366B (ja)
US5280156A (en) Wafer heating apparatus and with ceramic substrate and dielectric layer having electrostatic chucking means
US6080970A (en) Wafer heating apparatus
JP4482472B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法
CA2326575C (en) Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus using the same
JP4640842B2 (ja) 加熱装置
JP2003133195A (ja) 加熱装置
JP2002313781A (ja) 基板処理装置
US8394199B2 (en) Processing device
JP2009111005A (ja) 耐腐食性積層セラミックス部材
JP2003178937A (ja) 半導体製造装置およびそれに使用される給電用電極部材
JP2005018992A (ja) プラズマ発生装置用電極埋設部材
JP2004296532A (ja) ホットプレートユニット
JP2020202372A (ja) プラズマ処理装置用セラミック構造体及びその製造方法
JP4545896B2 (ja) ヒータユニット及びその製造方法
JP2003086519A (ja) 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置
JP2003151727A (ja) 面状セラミックスヒーター
JP2005032842A (ja) 電極構造およびセラミック接合体
JP2002025912A (ja) 半導体製造装置用サセプタとそれを用いた半導体製造装置
JP2001342079A (ja) セラミック接合体
JP2001237301A (ja) 半導体製造・検査装置用セラミック基板
JP2002313531A (ja) 面状セラミックスヒーター及び製造方法
JP3752376B2 (ja) 端子構造
JP2002313539A (ja) 面状セラミックスヒーター及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD15 Notification of revocation of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7435

Effective date: 20040630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040910

RD14 Notification of resignation of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434

Effective date: 20050804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060711

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070306

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20070711