CN113036066A - 减压干燥装置和减压干燥方法 - Google Patents

减压干燥装置和减压干燥方法 Download PDF

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CN113036066A
CN113036066A CN202110263228.XA CN202110263228A CN113036066A CN 113036066 A CN113036066 A CN 113036066A CN 202110263228 A CN202110263228 A CN 202110263228A CN 113036066 A CN113036066 A CN 113036066A
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pressure drying
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reduced
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佐田彻也
那须俊文
植田稔彦
岛村明典
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Abstract

本发明提供一种能够减轻基板的面内的涂敷层的减压干燥速度的不均的减压干燥装置。本发明的减压干燥装置,包括:处理容器,其收纳形成有包含有机材料和溶剂的涂敷层的基板;在上述处理容器的内部从下方保持上述基板的基板保持部;与上述处理容器的排气口连接,将上述处理容器的内部减压的减压机构;和对从由上述基板保持部保持的上述基板的上表面附近向上述处理容器的排气口去的气流进行限制的气流限制部,上述气流限制部包括:在由上述基板保持部保持的上述基板的侧方遮挡气流的侧壁部;和在由上述基板保持部保持的上述基板的上方遮挡气流的顶部。

Description

减压干燥装置和减压干燥方法
技术领域
本发明涉及减压干燥装置和减压干燥方法。
背景技术
在现有技术中,已知作为利用有机EL(Electroluminescence:电致发光)发光的发光二极管的有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Diode)。使用有机发光二极管的有机EL显示器具有薄型轻量且低电力消耗,并且响应速度、视野角、对比度比方面优异等优点。因此,近年来作为次世代的平板显示器(FPD)受到关注。
有机发光二极管具有形成在基板上的阳极、以阳极为基准地设置在基板的相反侧的阴极和设置于它们之间的有机层。有机层例如从阳极侧向阴极侧按下述顺序依次具有空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层。
空穴注入层、空穴输送层、发光层等的形成中使用喷墨方式的涂敷装置。涂敷装置通过将含有有机材料和溶剂的涂敷液涂敷在基板上而形成涂敷层。通过对该涂敷层进行减压干燥、烧制,形成空穴注入层等(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-77966号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
在现有技术中,在基板的面内,涂敷层的减压干燥速度存在不均。
本发明鉴于上述课题而提出,主要目的在于提供一种能够减轻基板的面内的涂敷层的减压干燥速度的不均的减压干燥装置。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述课题,根据本发明的一个方式,提供一种减压干燥装置,其包括:
处理容器,其收纳形成有包含有机材料和溶剂的涂敷层的基板;
在上述处理容器的内部从下方保持上述基板的基板保持部;
与上述处理容器的排气口连接,将上述处理容器的内部减压的减压机构;和
限制从由上述基板保持部保持的上述基板的上表面附近向上述处理容器的排气口去的气流的气流限制部,
上述气流限制部包括:在由上述基板保持部保持的上述基板的侧方遮挡气流的侧壁部;和在由上述基板保持部保持的上述基板的上方遮挡气流的顶部。
发明的效果
根据本发明的一个方式,能够提供一种能够减轻基板的面内的涂敷层的减压干燥速度的不均的减压干燥装置。
附图说明
图1是表示一个实施方式的有机EL显示器的平面图。
图2是表示一个实施方式的有机EL显示器的主要部分的截面图。
图3是表示一个实施方式的有机发光二极管的制造方法的流程图。
图4是表示一个实施方式的形成有涂敷层的基板的截面图。
图5是表示对图4的涂敷层进行了减压干燥的基板的截面图。
图6是表示一个实施方式的基板处理系统的平面图。
图7是表示一个实施方式的减压干燥装置的减压干燥时的状态的图,是沿图9的VII-VII线的截面图。
图8是表示图7的减压干燥装置的基板的接受时的状态的图。
图9是表示一个实施方式的减压干燥装置的图,是沿图7的IX-IX线的截面图。
图10是表示一个实施方式的减压干燥装置的图,是沿图7的X-X线的截面图。
图11是表示图9和图10所示的罩的Y方向一端的分割罩的立体图。
图12是表示图9和图10所示的罩的Y方向中央的分割罩的立体图。
图13是表示替代图11所示的分割罩使用的分割罩的立体图。
图14是表示变形例的气流限制部的立体图。
附图标记说明
10 基板
13 有机发光二极管
21 阳极
22 阴极
23 有机层
100 基板处理系统
123c 减压干燥装置
150 处理容器
151 排气口
161 载置台
162 平板部
163 升降部
170 减压机构
171 减压发生源
190 气流限制部
191 侧壁部
191a~191d 分割侧壁部
192 顶部
192a~192d 分割顶部
193 开口部
194 罩
194a~194d 分割罩
195 分隔部。
具体实施方式
以下参照附图说明用于实施本发明的方式。在各附图中,对于相同或对应的结构,标注相同或对应的附图标记并省略说明。
<有机EL显示器>
图1是表示一个实施方式的有机EL显示器的平面图。图1中,放大表示一个单位电路11的电路。
有机EL显示器包括基板10、在基板10上排列的多个单位电路11、设置在基板10上的扫描线驱动电路14和设置在基板10上的数据线驱动电路15。在由与扫描线驱动电路14连接的多个扫描线16和与数据线驱动电路15连接的多个数据线17包围的区域设置有单位电路11。单位电路11包括TFT层12和有机发光二极管13。
TFT层12具有多个TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)。一个TFT具有作为开关元件的功能,另一个TFT具有作为控制在有机发光二极管13流动的电流量的电流控制用元件的功能。TFT层12利用扫描线驱动电路14和数据线驱动电路15动作,对有机发光二极管13供给电流。TFT层12按每个单位电路11设置,多个单位电路11独立控制。另外,TFT层12只要是一般的结构即可,并不限定于图1所示的结构。
另外,有机EL显示器的驱动方式在本实施方式中是有源矩阵方式,但也可以是无源矩阵方式。
图2是表示一个实施方式的有机EL显示器的主要部分的截面图。作为基板10,使用玻璃基板、树脂基板等透明基板。在基板10上形成有TFT层12。在TFT层12上形成有使由TFT层12形成的阶差平坦化的平坦化层18。
平坦化层18具有绝缘性。在贯通平坦化层18的连通孔形成有连接插塞19。连接插塞19将在平坦化层18的平坦面形成的作为像素电极的阳极21和TFT层12电连接。连接插塞19可以由与阳极21相同的材料同时形成。
有机发光二极管13形成在平坦化层18的平坦面上。有机发光二极管13包括:作为像素电极的阳极21;设置在以像素电极为基准的基板10的相反侧的作为相对电极的阴极22;;和在阳极21与阴极22间形成的有机层23。通过使TFT层12动作,对阳极21与阴极22之间施加电压,有机层23发光。
阳极21例如由ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)等形成,使来自有机层23的光透过。透过阳极21的光透过基板10,取出到外部。阳极21按每个单位电路11设置。
阴极22例如由铝等形成,使来自有机层23的光向有机层23反射。由阴极22反射的光,透过有机层23、阳极21、基板10,取出到外部。阴极22在多个单位电路11中共用。
有机层23例如从阳极21侧到阴极22侧按下述顺序形成有空穴注入层24、空穴输送层25、发光层26、电子输送层27和电子注入层28。当电压施加于阳极21与阴极22间时,空穴从阳极21注入空穴注入层24,并且电子从阴极22注入电子注入层28。注重入到空穴注入层24的空穴由空穴输送层25向发光层26输送。此外,注入到电子注入层28的电子由电子输送层27向发光层26输送。于是,在发光层26内空穴和电子再结合,发光层26的发光材料被激励,发光层26发光。
作为发光层26,例如如图10所示,形成有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。红色发光层由发出红色光的红色发光材料形成,绿色发光层由发出绿色光的绿色发光材料形成,蓝色发光层由发出蓝色光的蓝色发光材料形成。红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层形成于隔堤30的开口部31。
隔堤30阻隔红色发光层用的涂敷液、绿色发光层用的涂敷液和蓝色发光层用的涂敷液,从而防止这些涂敷液混合。隔堤30具有绝缘性,填埋贯通平坦化层18的连通孔。
<有机发光二极管的制造方法>
图3是表示一个实施方式的有机发光二极管的制造方法的流程图。
首先,在步骤S101中,进行作为像素电极的阳极21的形成。在阳极21的形成中例如使用蒸镀法。阳极21在平坦化层18的平坦面按每个单位电路11形成。可以与阳极21一起形成连接插塞19。
接着在步骤S102中进行隔堤30的形成。隔堤30例如使用光致抗蚀剂形成,通过光刻处理图案化成为规定的图案。阳极21在隔堤30的开口部31露出。
接着在步骤S103中进行空穴注入层24的形成。在空穴注入层24的形成中使用喷墨法等。由喷墨法将空穴注入层24用的涂敷液涂敷在阳极21上,由此如图4所示形成涂敷层L。通过对该涂敷层L进行干燥、烧制,如图5所示形成空穴注入层24。
接着在步骤S104中进行空穴输送层25的形成。在空穴输送层25的形成中,与空穴注入层24的形成同样地使用喷墨法等。通过由喷墨法将空穴输送层25用的涂敷液涂敷在空穴注入层24上,形成涂敷层。通过对该涂敷层进行干燥、烧制,形成空穴输送层25。
接着在步骤S105中进行发光层26的形成。在发光层26的形成中,与空穴注入层24和空穴输送层25的形成同样地使用喷墨法等。通过由喷墨法将发光层26用的涂敷液涂敷在空穴输送层25上,形成涂敷层。通过对该涂敷层进行干燥、烧制,形成发光层26。
作为发光层26,例如形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层形成于隔堤30的开口部31。隔堤30阻隔红色发光层用的涂敷液、绿色发光层用的涂敷液和蓝色发光层用的涂敷液,从而防止这些涂敷液混合。
接着在步骤S106中进行电子输送层27的形成。在电子输送层27的形成中例如使用蒸镀法等。电子输送层27可以在多个单位电路11中共用,因此不仅可以形成在隔堤30的开口部31内的发光层26上,也可以形成在隔堤30上。
接着在步骤S107中进行电子注入层28的形成。在电子注入层28的形成中例如使用蒸镀法等。电子注入层28形成在电子输送层27上。电子注入层28可以在多个单位电路11中共用。
接着在步骤S108中进行阴极22的形成。在阴极22的形成中例如使用蒸镀法等。阴极22形成在电子注入层28上。阴极22可以在多个单位电路11中共用。
另外,有机EL显示器的驱动方式不是有源矩阵方式而是无源矩阵方式时,阴极22被图案化成为规定的图案。
通过以上的工序,制造有机发光二极管13。在有机层23中的空穴注入层24、空穴输送层25和发光层26的形成中使用基板处理系统100。
<基板处理系统>
图6是表示一个实施方式的基板处理系统的平面图。基板处理系统100进行与图3的步骤S103~S105相当的各处理,在阳极21上形成空穴注入层24、空穴输送层25和发光层26。基板处理系统100具有搬入站110、处理站120、搬出站130和控制装置140。
搬入站110将收纳多个基板10的盒C从外部搬入,从盒C将多个基板10依次取出。在各基板10预先形成有TFT层12、平坦化层18、阳极21、隔堤30等。
搬入站110包括:载置盒C的盒载置台111;在盒载置台111与处理站120之间设置的搬送路径112;和设置于搬送路径112的基板搬送体113。基板搬送体113在载置于盒载置台111的盒C与处理站120之间搬送基板10。
处理站120在阳极21上形成空穴注入层24、空穴输送层25和发光层26。处理站120包括:形成空穴注入层24的空穴注入层形成区块121;形成空穴输送层25的空穴输送层形成区块122;和形成发光层26的发光层形成区块123。
空穴注入层形成区块121将空穴注入层24用的涂敷液涂敷在阳极21上形成涂敷层,通过对该涂敷层进行干燥、烧制,形成空穴注入层24。空穴注入层24用的涂敷液包括有机材料和溶剂。该有机材料可以为聚合物和单体中的任一个。在为单体时,可以通过烧制而聚合成为聚合物。
空穴注入层形成区块121包括涂敷装置121a、缓冲装置121b、减压干燥装置121c、热处理装置121d和温度调节装置121e。涂敷装置121a将空穴注入层24用的涂敷液的液滴向隔堤30的开口部31排出。缓冲装置121b暂时收纳待处理的基板10。减压干燥装置121c对由涂敷装置121a涂敷的涂敷层进行减压干燥,除去包含于涂敷层的溶剂。热处理装置121d对由减压干燥装置121c干燥了的涂敷层进行加热处理。温度调节装置121e将由热处理装置121d加热处理后的基板10的温度调节为规定的温度例如常温。
涂敷装置121a、缓冲装置121b、热处理装置121d和温度调节装置121e的内部维持为大气气氛。减压干燥装置121c使内部的气氛在大气气氛和减压气氛间切换。
另外,在空穴注入层形成区块121中,涂敷装置121a、缓冲装置121b、减压干燥装置121c、热处理装置121d和温度调节装置121e的配置、个数、内部的气氛能够任意选择。
此外,空穴注入层形成区块121具有基板搬送装置CR1~CR3和交接装置TR1~TR3。基板搬送装置CR1~CR3向各自相邻的各装置搬送基板10。例如,基板搬送装置CR1向相邻的涂敷装置121a和缓冲装置121b搬送基板10。基板搬送装置CR2在其与相邻的减压干燥装置121c之间搬送基板10。基板搬送装置CR3向相邻的热处理装置121d和温度调节装置121e搬送基板10。交接装置TR1~TR3分别依次设置于搬入站110与基板搬送装置CR1之间、基板搬送装置CR1与基板搬送装置CR2之间、基板搬送装置CR2与基板搬送装置CR3之间,在它们之间对基板10进行中继。基板搬送装置CR1~CR3、交接装置TR1~TR3的内部维持为大气气氛。
在空穴注入层形成区块121的基板搬送装置CR3与空穴输送层形成区块122的基板搬送装置CR4之间,设置有在它们间对基板10进行中继的交接装置TR4。交接装置TR4的内部维持为大气气氛。
空穴输送层形成区块122将空穴输送层25用的涂敷液涂敷在空穴注入层24上而形成涂敷层,通过对该涂敷层进行干燥、烧制,形成空穴输送层25。空穴输送层25用的涂敷液包括有机材料和溶剂。该有机材料可以为聚合物和单体中的任一个。在为单体时,可以通过烧制而聚合成为聚合物。
空穴输送层形成区块122包括涂敷装置122a、缓冲装置122b、减压干燥装置122c、热处理装置122d和温度调节装置122e。涂敷装置122a将空穴输送层25用的涂敷液的液滴向隔堤30的开口部31排出。缓冲装置122b暂时收纳待处理的基板10。减压干燥装置122c对由涂敷装置122a涂敷的涂敷层进行减压干燥,除去包含于涂敷层的溶剂。热处理装置122d对由减压干燥装置122c干燥了的涂敷层进行加热处理。温度调节装置122e将由热处理装置122d加热处理后的基板10的温度调节为规定的温度例如常温。
涂敷装置122a和缓冲装置122b的内部维持为大气气氛。另一方面,热处理装置122d和温度调节装置122e为了抑制空穴输送层25的有机材料的劣化,内部维持为低氧且低露点的气氛。减压干燥装置122c将内部的气氛在低氧且低露点的气氛与减压气氛间切换。
此处,低氧的气氛是指氧浓度比大气低的气氛,例如氧浓度为10PPM以下的气氛。此外,低露点的气氛是指露点温度比大气低的气氛,例如露点温度为-10℃以下的气氛。低氧且低露点的气氛例如由氮气等不活泼气体形成。
另外,在空穴输送层形成区块122中,涂敷装置122a、缓冲装置122b、减压干燥装置122c、热处理装置122d和温度调节装置122e的配置、个数、内部的气氛能够任意选择。
此外,空穴输送层形成区块122包括基板搬送装置CR4~CR6和交接装置TR5~TR6。基板搬送装置CR4~CR6分别向相邻的各装置搬送基板10。交接装置TR5~TR6分别依次设置在基板搬送装置CR4与基板搬送装置CR5之间、基板搬送装置CR5与基板搬送装置CR6之间,在它们之间对基板10进行中继。
基板搬送装置CR4的内部维持为大气气氛。另一方面,基板搬送装置CR5~CR6的内部维持为低氧且低露点的气氛。这是因为与基板搬送装置CR5相邻的减压干燥装置122c的内部被在低氧且低露点的气氛与减压气氛之间切换。另外,这是因为与基板搬送装置CR6相邻设置的热处理装置122d、温度调节装置122e的内部维持为低氧且低露点的气氛。
交接装置TR5构成为其内部的气氛在大气气氛与低氧且低露点的气氛间切换的装载锁定装置。这是因为在交接装置TR5的下游侧相邻设置有减压干燥装置122c。另一方面,交接装置TR6的内部维持为低氧且低露点的气氛。
在空穴输送层形成区块122的基板搬送装置CR6与发光层形成区块123的基板搬送装置CR7之间,设置有在它们间对基板10进行中继的交接装置TR7。基板搬送装置CR6的内部维持为低氧且低露点的气氛,基板搬送装置CR7的内部维持为大气气氛。因此,交接装置TR7构成为其内部的气氛在低氧且低露点的气氛与大气气氛间切换的装载锁定装置。
发光层形成区块123将发光层26用的涂敷液涂敷在空穴输送层25上而形成涂敷层,通过对形成的涂敷层进行干燥、烧制,形成发光层26。发光层26用的涂敷液包括有机材料和溶剂。该有机材料可以为聚合物和单体中的任一个。在为单体时,可以通过烧制而聚合成为聚合物。
发光层形成区块123包括涂敷装置123a、缓冲装置123b、减压干燥装置123c、热处理装置123d和温度调节装置123e。涂敷装置123a将发光层26用的涂敷液的液滴向隔堤30的开口部31排出。缓冲装置123b暂时收纳待处理的基板10。减压干燥装置123c对由涂敷装置123a涂敷的涂敷层进行减压干燥,除去包含于涂敷层的溶剂。热处理装置123d对由减压干燥装置123c干燥了的涂敷层进行加热处理。温度调节装置123e将由热处理装置123d加热处理后的基板10的温度调节为规定的温度例如常温。
涂敷装置123a和缓冲装置123b的内部维持为大气气氛。另一方面,热处理装置123d和温度调节装置123e为了抑制发光层26的有机材料的劣化,内部维持为低氧且低露点的气氛。减压干燥装置123c将内部的气氛在低氧且低露点的气氛与减压气氛间切换。
另外,在发光层形成区块123中,涂敷装置123a、缓冲装置123b、减压干燥装置123c、热处理装置123d和温度调节装置123e的配置、个数、内部的气氛能够任意选择。
此外,发光层形成区块123包括基板搬送装置CR7~CR9和交接装置TR8~TR9。基板搬送装置CR7~CR9分别向相邻的各装置搬送基板10。交接装置TR8~TR9分别依次设置在基板搬送装置CR7与基板搬送装置CR8之间、基板搬送装置CR8与基板搬送装置CR9之间,在它们之间对基板10进行中继。
基板搬送装置CR7的内部维持为大气气氛。另一方面,基板搬送装置CR8~CR9的内部维持为低氧且低露点的气氛。这是因为与基板搬送装置CR8相邻的减压干燥装置123c的内部被在低氧且低露点的气氛与减压气氛之间切换。另外,这是因为与基板搬送装置CR9相邻设置的热处理装置123d、温度调节装置123e的内部维持为低氧且低露点的气氛。
交接装置TR8构成为将其内部的气氛在大气气氛与低氧且低露点的气氛间切换的装载锁定装置。这是因为在交接装置TR8的下游侧相邻设置有减压干燥装置123c。交接装置TR9的内部维持为低氧且低露点的气氛。
在发光层形成区块123的基板搬送装置CR9与搬出站130之间,设置有在它们间对基板10进行中继的交接装置TR10。基板搬送装置CR9的内部维持为低氧且低露点的气氛,搬出站130的内部维持为大气气氛。因此,交接装置TR7构成为其内部的气氛在低氧且低露点的气氛与大气气氛间切换的装载锁定装置。
搬出站130将多个基板10依次收纳于盒C,将盒C搬出到外部。搬出站130包括:载置盒C的盒载置台131;设置在盒载置台131与处理站120之间的搬送路径132;设置于搬送路径132的基板搬送体133。基板搬送体133在处理站120与载置于盒载置台131的盒C之间搬送基板10。
控制装置140由包括CPU(Central Processing Unit,中央处理器)141和存储器等存储介质142的计算机构成,通过由CPU141执行存储于存储介质142的程序(也称为方案)来实现各种处理。
控制装置140的程序存储于信息存储介质,从信息存储介质安装。作为信息存储介质,例如能够举出硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。另外,程序可以经由互联网从服务器下载后安装。
接着说明使用上述结构的基板处理系统100的基板处理方法。当收纳有多个基板10的盒C载置在盒载置台111上时,基板搬送体113从盒载置台111上的盒C依次取出基板10,搬送至空穴注入层形成区块121。
空穴注入层形成区块121将空穴注入层24用的涂敷液涂敷在阳极21上而形成涂敷层,通过对形成的涂敷层进行干燥、烧制,形成空穴注入层24。
形成有空穴注入层24的基板10由交接装置TR4从空穴注入层形成区块121交接至空穴输送层形成区块122。
空穴输送层形成区块122将空穴输送层25用的涂敷液涂敷在空穴注入层24上而形成涂敷层,通过对形成的涂敷层进行干燥、烧制,形成空穴输送层25。形成有空穴输送层25的基板10由交接装置TR7从空穴输送层形成区块122交接至发光层形成区块123。
发光层形成区块123将发光层26用的涂敷液涂敷在空穴输送层25上而形成涂敷层,通过对形成的涂敷层进行干燥、烧制,形成发光层26。形成有发光层26的基板10由交接装置TR10从发光层形成区块123交接至搬出站130。
搬出站130的基板搬送体133将从交接装置TR10接受的基板10收纳在盒载置台131上的规定的盒C。由此,基板处理系统100的一系列的基板10的处理结束。
基板10以收纳于盒C的状态从搬出站130向外部搬出。在搬出到外部的基板10形成电子输送层27、电子注入层28、阴极22等。
<减压干燥装置和减压干燥方法>
接着,参照图7~图13说明发光层形成区块123的减压干燥装置123c。另外,空穴注入层形成区块121的减压干燥装置121c和空穴输送层形成区块122的减压干燥装置122c,与发光层形成区块123的减压干燥装置123c同样构成,因此省略说明。
图7是表示一个实施方式的减压干燥装置的减压干燥时的状态的图,是沿图9的VII-VII线的截面图。图7中,箭头表示气流的主流。图8是表示图7的减压干燥装置的基板的接受时的状态的图。图9是表示一个实施方式的减压干燥装置的图,是沿图7的IX-IX线的截面图。图10是表示一个实施方式的减压干燥装置的图,是沿图7的X-X线的截面图。图11是表示图9和图10所示的罩的Y方向一端的分割罩的立体图。图12是表示图9和图10所示的罩的Y方向中央的分割罩的立体图。图13是表示替代图11所示的分割罩使用的分割罩的立体图。图11~图13中,为了简化附图,省略了图9所示的开口部193的图示。以下的附图中,X方向和Y方向是彼此正交的水平方向,Z方向是与X方向和Y方向正交的铅垂方向。
减压干燥装置123c将形成有包含有机材料和溶剂的涂敷层的基板10收纳于处理容器150的内部,在气压比大气压低的减压气氛中,使溶剂从涂敷层蒸发。减压干燥装置123c例如包括处理容器150、保持机构160、减压机构170和气体供给机构180。
处理容器150收纳形成有包含有机材料和溶剂的涂敷层的基板10。在基板10的上侧配置有涂敷层。在处理容器150的侧壁部形成基板10的搬入搬出口,在该搬入搬出口设置开闭闸。开闭闸开放搬入搬出口于是能够进行基板10的搬入搬出,开闭闸关闭搬入搬出口于是能够进行处理容器150的内部的减压。处理容器150的内部在减压开始前为低氧且低露点的气氛例如氮气气氛。
保持机构160具有:在处理容器150的内部从下方保持基板10的载置台161;和在处理容器150的内部使载置台161升降的升降部163。载置台161对应于技术方案记载的基板保持部。载置台161如图7等所示,被分割为多个长条状的平板部162,升降部163使多个平板部162独立升降。能够防止基板10的搬入搬出时与基板搬送装置CR8的用于载置基板10的叉形部的干扰。另外,在基板10的减压干燥时能够保持基板10的整体。
基板10的搬入搬出时,叉形部在俯视时移动至与载置台161重叠的位置。此时,在俯视时与叉形部重叠的平板部162,退避到比在俯视时不与叉形部重叠的平板部低的位置,以使其不与叉形部干扰。通过使叉形部从该状态升降,在叉形部与载置台161之间交接基板10。
另外,为了基板10的交接,也可以替代使叉形部升降,而使在俯视时不与叉形部重叠的平板部162升降。在这种情况下,在俯视时不与叉形部重叠的平板部,在比叉形部靠下的位置与比叉形部靠上的位置之间升降。由此,在叉形部与载置台161之间交接基板10。
另外,载置台161如图7等所示,被分割为多个长条状的平板部162,但也可以不被分割,可以形成为一体。在这种情况下,载置台161设置有多个固定于处理容器150的内部、相对于载置台161的上表面出没的升降销。多个升降销在与基板搬送装置的CR8之间交接基板10的位置与在与载置台161之间交接基板10的位置之间,使基板10升降。
减压机构170与处理容器150的排气口151连接,将处理容器150的内部减压至比大气压低的气压。减压机构170例如具有减压发生源171和APC(Adaptive Pressure Control,适应性压力控制)阀172。作为减压发生源171,例如使用干式泵、机动增压泵、涡轮分子泵等。减压发生源171经由在中途设置有APC阀172的配管与处理容器150连接,使处理容器150的内部减压。处理容器150的内部的气压由APC阀172调节,减压至例如1PA以下。处理容器150的排气口151如图7所示形成在处理容器150的下壁部,但也可以形成在上壁部或侧壁部。
气体供给机构180为了使由减压机构170减压后的处理容器150的内部恢复到原来的气氛,向处理容器150的内部供给氮气等气体。气体供给机构180例如包括气体供给源181、质量流量控制器182和开闭阀183。气体供给源181经由在中途设置质量流量控制器182、开闭阀183的配管与处理容器150连接,向处理容器150的内部供给气体。该供给量能够由质量流量控制器182调节。
另外,减压干燥装置123c如上所述,对由涂敷装置123a形成在基板10上的涂敷层进行减压干燥,使涂敷层中所含的溶剂蒸发。溶剂的蒸气成为气流,从基板10的上表面附近被运送到处理容器150的排气口151。气流越容易移动的部位,干燥越容易进行。
于是,减压干燥装置123c为了减轻涂敷层的干燥速度不均,具有气流限制部190。气流限制部190限制从被载置台161保持的基板10的上表面附近向处理容器150的排气口151去的气流。
如图7所示,气流限制部190包括:在由载置台161保持的基板10的侧方遮挡气流的侧壁部191;和在由载置台161保持的基板10的上方遮挡气流的顶部192。通过侧壁部191和顶部192遮挡气流,能够使现有技术中干燥速度过快的部位的干燥变慢。由此,能够减轻基板10的面内的涂敷层的干燥速度的不均。
顶部192具有供从被载置台161保持的基板10的上表面附近向上方去的气流通过的开口部193。通过调整顶部192的开口率的分布,能够减轻基板10的面内的涂敷层的干燥速度的不均。
此处,顶部192的开口率是指,俯视时开口部193的面积占顶部192的单位面积的比例。顶部192的开口率能够通过开口部193的形状、大小、配置等进行调整。
如图9所示,顶部192可以具有开口率较小的部位和开口率较大的部位。顶部192也可以具有开口率为零的部位。
另外,顶部192可以具有作为吸附溶剂的蒸气的吸附板的功能。吸附板使溶剂的蒸气例如结露来进行捕集。可以在吸附板上设置用于调节吸附板的温度的温度调节装置。
温度调节装置通过在减压干燥时冷却吸附板来提高捕集效率。另外,温度调节装置通过在减压干燥之后加热吸附板来使由吸附板捕集的溶剂再次气化而从吸附板脱离。
侧壁部191和顶部192形成向下方开放的箱状的罩194。如图8所示,在罩194的下方,当载置台161从基板搬送装置CR8接受基板10时,升降部163使载置台161上升,由此,如图7所示,将被载置台161保持的基板10收纳到罩194的内部。
另外,为了将被载置台161保持的基板10收纳到罩194的内部,也可以替代使载置台161上升而使罩194下降。另外,也可以使载置台161上升同时使罩194下降。
罩194在内部收纳被载置台161保持的基板10。由于载置台161、基板10遮挡从罩194的内部向下方去的气流,所以从基板10的上表面附近向上方去的气流处于支配地位。由此,容易得到调整顶部192的开口率的分布的效果。
如图10所示,气流限制部190在被载置台161保持的基板10的上方还包括将罩194的内部分隔的分隔部195。能够将基板10的上方的空间分为多个空间,调整各个空间的气流。
分隔部195可以设置于例如顶部192的开口率大的部位与顶部192的开口率小的部位之间。容易得到对顶部192的开口率设置差异的效果。
升降部163通过使载置台161升降,调整被载置台161保持的基板10与分隔部195在上下方向上的间隔S。间隔S越小,越容易得到利用分隔部195将罩194的内部分隔的分隔效果。
升降部163对应于技术方案记载的间隔调整部。另外,间隔调整部为了调整间隔S,也可以替代使载置台161升降而使罩194昇降。另外,也可以使两者升降。
如图9和图10所示,罩194在Y方向上被分割为4个分割罩194a、194b、194c、194d。各分割罩194a、194b、194c、194d,具有作为侧壁部191的一部分的分割侧壁部和作为顶部192的一部分的分割顶部。
例如,如图11所示,Y方向一端的分割罩194a具有矩形的分割顶部192a和设置于该分割顶部192a的相连的3个边的分割侧壁部191a。在分割顶部192a的剩余的1个边设置有分隔部195。
如图9所示,分割顶部192a可以具有开口率较小的部位和开口率较大的部位。在顶部192的角落部,开口率可以最小,可以例如为零。
同样,Y方向另一端的分割罩194d具有矩形的分割顶部192d和设置于该分割顶部192d的相连的3个边的分割侧壁部191d。在分割顶部192d的剩余的1个边设置有分隔部195。如图9所示,分割顶部192d可以具有开口率较小的部位和开口率较大的部位。在顶部192的角落部,开口率可以最小,可以例如为零。
另外,如图12所示,Y方向中央的分割罩194b具有矩形的分割顶部192b和设置于该分割顶部192b的彼此相对的2个边的分割侧壁部191b。如图9所示,Y方向中央的分割顶部192b可以比相邻的Y方向一端的分割顶部192a开口率大。
同样,另一Y方向中央的分割罩194c具有矩形的分割顶部192c和设置于该分割顶部192c的彼此相对的2个边的分割侧壁部191c。如图9所示,Y方向中央的分割顶部192c可以比相邻的Y方向另一端的分割顶部192d开口率大。
另外,本实施方式的罩194是在Y方向上分割,但也可以在X方向上分割,也可以在两方向上分割。另外,罩194的分割数没有限定于4个,可以为3个以下,也可以为5个以上。
罩194被分割为多个分割罩194a、194b、194c、194d,所以通过变更分割罩的组合,能够容易地变更气流限制部190的结构。
例如,可以替代图11所示的分割罩194a,使用图13所示的分割罩194e,由此能够卸下分隔部195。同样,分割罩194e具有矩形的分割顶部192e和设置于该分割顶部192e的相连的3个边的分割侧壁部191e。在分割顶部192e的剩余的1个边设置有分隔部195。
另外,分割罩并不限定于图11~图13所示的分割罩。例如,可以在图12所示的分割罩194b设置分隔部195。分隔部195可以设置在分割顶部192b的4个边中的除了设置有分割侧壁部191b的2个边的剩下的2个边中的任一者,也可以设置于两者。
通过变更分割罩的组合,能够组装或卸下分隔部195,而且也能够调整顶部192的开口率的分布。
接着,说明使用上述结构的减压干燥装置123c的减压干燥方法。减压干燥装置123c的下述动作由控制装置140控制。控制装置140在图6中与减压干燥装置123c分开设置,但也可以设置成减压干燥装置123c的一部分。
首先,基板搬送装置CR8将基板10从减压干燥装置123c的外部搬入到处理容器150的内部,载置台161从基板搬送装置CR8接受基板10。基板搬送装置CR8从处理容器150的内部退出到外部之后,升降部163使载置台161上升,由此,将被载置台161保持的基板10收纳到罩194的内部。
接着,减压机构170对处理容器150的内部进行减压。在减压气氛中溶剂从涂敷层蒸发。溶剂的蒸气成为气流,从基板10的上表面附近被运送到处理容器150的排气口151。此时,气流限制部190限制从基板10的上表面附近向处理容器150的排气口151去的气流。由此,能够减少干燥速度的不均。
在减压干燥完成后,气体供给机构180向处理容器150的内部供给气体,使处理容器150的内部恢复原来的气氛。另外,升降部163使载置台161下降,由此,将被载置台161保持的基板10从罩194的内部向下方取出。之后,在罩194的下方,基板10从载置台161被交接到基板搬送装置CR8,搬送到处理容器150的外部。
如以上说明的那样,根据本实施方式,气流限制部190包括:在被载置台161保持的基板10的侧方遮挡气流的侧壁部191;和在被载置台161保持的基板10的上方遮挡气流的顶部192。通过侧壁部191和顶部192遮挡气流,能够使现有技术中干燥速度过快的部位的干燥变慢。由此,能够减轻基板10的面内的涂敷层的干燥速度的不均。
另外,根据本实施方式,顶部192具有供从被载置台161保持的基板10的上表面附近向上方去的气流通过的开口部193。通过调整顶部192的开口率的分布,能够减轻基板10的面内的涂敷层的干燥速度的不均。
另外,根据本实施方式,侧壁部191和顶部192形成向下方开放的箱状的罩194,罩194将被载置台161保持的基板10收纳在内部。由于载置台161、基板10遮挡从罩194的内部向下方去的气流,所以从基板10的上表面附近向上方去的气流处于支配地位。由此,容易得到调整顶部192的开口率的分布的效果。
另外,根据本实施方式,气流限制部190在被载置台161保持的基板10的上方还包括将罩194的内部分隔的分隔部195。能够将基板10的上方的空间分为多个空间,调整各个空间的气流。
另外,根据本实施方式,升降部163通过使载置台161升降,调整被载置台161保持的基板10与分隔部195在上下方向上的间隔S。间隔S越小,越容易得到利用分隔部195将罩194的内部分隔的分隔效果。
另外,根据本实施方式,罩194被分割为多个分割罩194a、194b、194c、194d。因此,通过变更分割罩的组合,能够容易地变更气流限制部190的结构。
<变形例的气流限制部>
上述实施方式的气流限制部190具有侧壁部191和顶部192,侧壁部191和顶部192形成向下方开放的箱状的罩194。罩194的顶部192在俯视时比被载置台161保持的基板10大,覆罩基板10的整体。另一方面,本变形例的气流限制部190A与上述实施方式的气流限制部190同样具有侧壁部191A和顶部192A,但该顶部192A在俯视时仅与被载置台161保持的基板10的端部重叠。以下主要说明不同点。
图14是表示变形例的气流限制部的立体图。在图14中,省略载置台161的图示。如图14所示,气流限制部190A具有侧壁部191A和顶部192A。在顶部192A没有形成开口部,但也可以形成开口部。
顶部192A在俯视时仅与被载置台161保持的基板10的端部重叠,与基板10的中央部不重叠。能够使现有技术中干燥速度过快的基板10的端部的干燥变慢。由此能够减少干燥速度的不均。
顶部192A在俯视时仅与被载置台161保持的矩形的基板10的角部重叠,与基板10的中央部不重叠。能够使现有技术中干燥速度过快的基板10的角部的干燥变慢。由此能够减少干燥速度的不均。
以上说明了减压干燥装置等的实施方式,但本发明并不限定于上述实施方式等,在权利要求记载的本发明的主旨的范围内能够进行各种变形、改良。
例如,有机EL显示器在上述实施方式中是将来自发光层26的光从基板10侧取出的底部发光方式,但也可以是将来自发光层26的光从基板10的相反侧取出的顶部发光方式。
在为顶部发光方式的情况下,基板10可以不是透明基板,而是不透明基板。这是因为来自发光层26的光从基板10的相反侧取出。
在为顶部发光方式的情况下,为透明电极的阳极21用作相对电极,阴极22用作按每个单位电路11设置的像素电极。此时,阳极21和阴极22的配置相反,因此在阴极22上按照下述顺序形成电子注入层28、电子输送层27、发光层26、空穴输送层25和空穴注入层24。
有机层23在上述实施方式中从阳极21侧到阴极22侧按照下述顺序具有空穴注入层24、空穴输送层25、发光层26、电子输送层27和电子注入层28,但只要至少具有发光层26即可。有机层23并不限定于图2所示的结构。
基板10和顶部192的形状为矩形,但它们的形状没有特别限定。
减压干燥装置用于有机EL显示器的制造,但例如也可以用于液晶显示器的制造。

Claims (8)

1.一种减压干燥装置,其特征在于,包括:
处理容器,其收纳形成有包含有机材料和溶剂的涂敷层的基板;
在所述处理容器的内部从下方保持所述基板的基板保持部;
与所述处理容器的排气口连接,对所述处理容器的内部进行减压的减压机构;和
限制从由所述基板保持部保持的所述基板的上表面附近向所述处理容器的排气口去的气流的气流限制部,
所述气流限制部包括:在由所述基板保持部保持的所述基板的上方遮挡气流的顶部,
所述顶部具有作为吸附溶剂的蒸气的吸附板的功能。
2.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于:
所述顶部包括供从由所述基板保持部保持的所述基板的上表面附近向上方去的气流通过的开口部。
3.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于:
所述吸附板使溶剂的蒸气结露来进行捕集。
4.如权利要求1~3中任一项所述的减压干燥装置,其特征在于:
设置有用于调节所述吸附板的温度的温度调节装置。
5.如权利要求4所述的减压干燥装置,其特征在于:
所述温度调节装置在减压干燥时冷却所述吸附板。
6.如权利要求4所述的减压干燥装置,其特征在于:
所述温度调节装置在减压干燥之后加热所述吸附板。
7.一种减压干燥方法,其特征在于:
使用权利要求1~6中任一项所述的减压干燥装置使形成于所述基板的涂敷层干燥。
8.如权利要求7所述的减压干燥方法,其特征在于:
所述涂敷层用于有机EL发光二极管的制造。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113410419A (zh) * 2021-08-18 2021-09-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制作方法以及干燥设备

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7076135B2 (ja) 2018-07-27 2022-05-27 株式会社Joled 有機el表示パネルの製造方法
KR102367476B1 (ko) * 2020-05-15 2022-02-25 주식회사 선익시스템 진공흡입부가 구비된 기판 감압 건조장치 장치
KR102367478B1 (ko) * 2020-05-15 2022-02-25 주식회사 선익시스템 커버부를 포함하는 기판 감압 건조 장치
KR102367475B1 (ko) * 2020-05-15 2022-02-25 주식회사 선익시스템 승강 커버부가 구비된 기판 감압 건조장치 및 그 제어방법
JP7309294B2 (ja) 2020-11-30 2023-07-18 株式会社Screenホールディングス 減圧乾燥装置
CN114850003B (zh) * 2021-02-03 2023-06-27 芝浦机械电子装置株式会社 加热处理装置
CN116917050A (zh) 2021-03-17 2023-10-20 松下知识产权经营株式会社 减压干燥装置以及减压干燥方法
KR102643857B1 (ko) 2021-11-02 2024-03-07 한국생산기술연구원 분산 유로 장치 및 이를 구비한 진공 건조 장치
KR20230066880A (ko) 2021-11-08 2023-05-16 한국생산기술연구원 기판가열부와 증기 분산 냉각판이 구비된 진공 건조 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040221807A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Mohith Verghese Reactor surface passivation through chemical deactivation
JP2010267428A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Panasonic Corp 機能膜形成方法および機能膜形成装置
JP2011044380A (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Panasonic Corp 有機el素子の機能層の製造装置および製造方法
CN103119745A (zh) * 2010-09-20 2013-05-22 Snu精密股份有限公司 单体沉积设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007090200A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Seiko Epson Corp 乾燥方法、乾燥装置、および成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器
JP2007232268A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 減圧乾燥装置及び塗布体の製造方法
JP2007234390A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Seiko Epson Corp 有機elパネルの製造方法及びその製造装置
JP2008218253A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、乾燥装置
JP2011071013A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Panasonic Corp 有機el装置の機能層の製造装置および製造方法
JP6328434B2 (ja) * 2013-03-14 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP6338507B2 (ja) 2014-10-16 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 液滴吐出装置、液滴吐出方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN104596205B (zh) * 2015-02-13 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种真空干燥装置及真空干燥方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040221807A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Mohith Verghese Reactor surface passivation through chemical deactivation
JP2010267428A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Panasonic Corp 機能膜形成方法および機能膜形成装置
JP2011044380A (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Panasonic Corp 有機el素子の機能層の製造装置および製造方法
CN103119745A (zh) * 2010-09-20 2013-05-22 Snu精密股份有限公司 单体沉积设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113410419A (zh) * 2021-08-18 2021-09-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制作方法以及干燥设备

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