JP2018049806A - 減圧乾燥装置、および減圧乾燥方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の面内での、塗布層の減圧乾燥速度のムラを低減できる、減圧乾燥装置の提供。【解決手段】有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板を収容する処理容器と、前記処理容器の内部で、前記基板を下方から保持する基板保持部と、前記処理容器の排気口に接続され、前記処理容器の内部を減圧する減圧機構と、前記基板保持部に保持された前記基板の上面付近から前記処理容器の排気口に向かう気流を規制する気流規制部とを有し、前記気流規制部は、前記基板保持部に保持された前記基板の側方で気流を遮る側壁部と、前記基板保持部に保持された前記基板の上方で気流を遮る天井部とを含む、減圧乾燥装置。【選択図】図７
Description
本発明は、減圧乾燥装置、および減圧乾燥方法に関する。
従来、有機ＥＬ（Electroluminescence）の発光を利用した発光ダイオードである有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）が知られている。有機発光ダイオードを用いた有機ＥＬディスプレイは、薄型軽量かつ低消費電力であるうえ、応答速度や視野角、コントラスト比の面で優れているといった利点を有している。このため、次世代のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）として近年注目されている。
有機発光ダイオードは、基板上に形成される陽極と、陽極を基準として基板とは反対側に設けられる陰極と、これらの間に設けられる有機層とを有する。有機層は、例えば陽極側から陰極側に向けて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層をこの順で有する。
正孔注入層や正孔輸送層、発光層などの形成には、インクジェット方式の塗布装置が用いられる。塗布装置は、有機材料および溶剤を含む塗布液を基板上に塗布することで、塗布層を形成する。その塗布層を減圧乾燥、焼成することで、正孔注入層などが形成される（例えば特許文献１参照）。
従来、基板の面内で、塗布層の減圧乾燥速度にムラがあった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の面内での、塗布層の減圧乾燥速度のムラを低減できる、減圧乾燥装置の提供を主な目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部で、前記基板を下方から保持する基板保持部と、
前記処理容器の排気口に接続され、前記処理容器の内部を減圧する減圧機構と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上面付近から前記処理容器の排気口に向かう気流を規制する気流規制部とを有し、
前記気流規制部は、前記基板保持部に保持された前記基板の側方で気流を遮る側壁部と、前記基板保持部に保持された前記基板の上方で気流を遮る天井部とを含む、減圧乾燥装置が提供される。
有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部で、前記基板を下方から保持する基板保持部と、
前記処理容器の排気口に接続され、前記処理容器の内部を減圧する減圧機構と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上面付近から前記処理容器の排気口に向かう気流を規制する気流規制部とを有し、
前記気流規制部は、前記基板保持部に保持された前記基板の側方で気流を遮る側壁部と、前記基板保持部に保持された前記基板の上方で気流を遮る天井部とを含む、減圧乾燥装置が提供される。
本発明の一態様によれば、基板の面内での、塗布層の減圧乾燥速度のムラを低減できる、減圧乾燥装置が提供される。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。
＜有機ＥＬディスプレイ＞
図１は、一実施形態による有機ＥＬディスプレイを示す平面図である。図１において、一の単位回路１１の回路を拡大して示す。
図１は、一実施形態による有機ＥＬディスプレイを示す平面図である。図１において、一の単位回路１１の回路を拡大して示す。
有機ＥＬディスプレイは、基板１０と、基板１０上に配列される複数の単位回路１１と、基板１０上に設けられる走査線駆動回路１４と、基板１０上に設けられるデータ線駆動回路１５とを有する。走査線駆動回路１４に接続される複数の走査線１６と、データ線駆動回路１５に接続される複数のデータ線１７とで囲まれる領域に、単位回路１１が設けられる。単位回路１１は、ＴＦＴ層１２と、有機発光ダイオード１３とを含む。
ＴＦＴ層１２は、複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する。一のＴＦＴはスイッチング素子としての機能を有し、他の一のＴＦＴは有機発光ダイオード１３に流す電流量を制御する電流制御用素子としての機能を有する。ＴＦＴ層１２は、走査線駆動回路１４およびデータ線駆動回路１５によって作動され、有機発光ダイオード１３に電流を供給する。ＴＦＴ層１２は単位回路１１毎に設けられており、複数の単位回路１１は独立に制御される。尚、ＴＦＴ層１２は、一般的な構成であればよく、図１に示す構成には限定されない。
尚、有機ＥＬディスプレイの駆動方式は、本実施形態ではアクティブマトリックス方式であるが、パッシブマトリックス方式であってもよい。
図２は、一実施形態による有機ＥＬディスプレイの要部を示す断面図である。基板１０としては、ガラス基板や樹脂基板などの透明基板が用いられる。基板１０上には、ＴＦＴ層１２が形成されている。ＴＦＴ層１２上には、ＴＦＴ層１２によって形成される段差を平坦化する平坦化層１８が形成されている。
平坦化層１８は、絶縁性を有している。平坦化層１８を貫通するコンタクトホールには、コンタクトプラグ１９が形成されている。コンタクトプラグ１９は、平坦化層１８の平坦面に形成される画素電極としての陽極２１と、ＴＦＴ層１２とを電気的に接続する。コンタクトプラグ１９は、陽極２１と同じ材料で、同時に形成されてよい。
有機発光ダイオード１３は、平坦化層１８の平坦面上に形成される。有機発光ダイオード１３は、画素電極としての陽極２１と、画素電極を基準として基板１０とは反対側に設けられる対向電極としての陰極２２と、陽極２１と陰極２２との間に形成される有機層２３とを有する。ＴＦＴ層１２を作動させることで、陽極２１と陰極２２との間に電圧が印加され、有機層２３が発光する。
陽極２１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などによって形成され、有機層２３からの光を透過する。陽極２１を透過した光は、基板１０を透過し、外部に取り出される。陽極２１は、単位回路１１毎に設けられる。
陰極２２は、例えばアルミニウムなどによって形成され、有機層２３からの光を有機層２３に向けて反射する。陰極２２で反射した光は、有機層２３や陽極２１、基板１０を透過し、外部に取り出される。陰極２２は、複数の単位回路１１に共通のものである。
有機層２３は、例えば、陽極２１側から陰極２２側に向けて、正孔注入層２４、正孔輸送層２５、発光層２６、電子輸送層２７および電子注入層２８をこの順で有する。陽極２１と陰極２２との間に電圧がかかると、陽極２１から正孔注入層２４に正孔が注入されると共に、陰極２２から電子注入層２８に電子が注入される。正孔注入層２４に注入された正孔は、正孔輸送層２５によって発光層２６へ輸送される。また、電子注入層２８に注入された電子は、電子輸送層２７によって発光層２６へ輸送される。そうして、発光層２６内で正孔と電子が再結合して、発光層２６の発光材料が励起され、発光層２６が発光する。
発光層２６として、例えば図１０に示すように、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層が形成される。赤色発光層は赤色に発光する赤色発光材料で形成され、緑色発光層は緑色に発光する緑色発光材料で形成され、青色発光層は青色に発光する青色発光材料で形成される。赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層は、バンク３０の開口部３１に形成される。
バンク３０は、赤色発光層用の塗布液、緑色発光層用の塗布液、および青色発光層用の塗布液を隔てることで、これらの塗布液の混合を防止する。バンク３０は、絶縁性を有しており、平坦化層１８を貫通するコンタクトホールを埋める。
＜有機発光ダイオードの製造方法＞
図３は、一実施形態による有機発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートである。
図３は、一実施形態による有機発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートである。
先ず、ステップＳ１０１では、画素電極としての陽極２１の形成を行う。陽極２１の形成には、例えば蒸着法が用いられる。陽極２１は、平坦化層１８の平坦面に、単位回路１１毎に形成される。陽極２１と共に、コンタクトプラグ１９が形成されてよい。
続くステップＳ１０２では、バンク３０の形成を行う。バンク３０は、例えばフォトレジストを用いて形成され、フォトリソグラフィ処理によって所定のパターンにパターニングされる。バンク３０の開口部３１において、陽極２１が露出する。
続くステップＳ１０３では、正孔注入層２４の形成を行う。正孔注入層２４の形成には、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって正孔注入層２４用の塗布液を陽極２１上に塗布することで、図４に示すように塗布層Ｌが形成される。その塗布層Ｌを乾燥、焼成することで、図５に示すように正孔注入層２４が形成される。
続くステップＳ１０４では、正孔輸送層２５の形成を行う。正孔輸送層２５の形成には、正孔注入層２４の形成と同様に、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって正孔輸送層２５用の塗布液を正孔注入層２４上に塗布することで、塗布層が形成される。その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層２５が形成される。
続くステップＳ１０５では、発光層２６の形成を行う。発光層２６の形成には、正孔注入層２４や正孔輸送層２５の形成と同様に、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって発光層２６用の塗布液を正孔輸送層２５上に塗布することで、塗布層が形成される。その塗布層を乾燥、焼成することで、発光層２６が形成される。
発光層２６として、例えば赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層が形成される。赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層は、バンク３０の開口部３１に形成される。バンク３０は、赤色発光層用の塗布液、緑色発光層用の塗布液、および青色発光層用の塗布液を隔てることで、これらの塗布液の混合を防止する。
続くステップＳ１０６では、電子輸送層２７の形成を行う。電子輸送層２７の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。電子輸送層２７は、複数の単位回路１１に共通のものでよいので、バンク３０の開口部３１内の発光層２６上だけではなく、バンク３０上にも形成されてよい。
続くステップＳ１０７では、電子注入層２８の形成を行う。電子注入層２８の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。電子注入層２８は、電子輸送層２７上に形成される。電子注入層２８は、複数の単位回路１１に共通のものでよい。
続くステップＳ１０８では、陰極２２の形成を行う。陰極２２の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。陰極２２は、電子注入層２８上に形成される。陰極２２は、複数の単位回路１１に共通のものでよい。
尚、有機ＥＬディスプレイの駆動方式が、アクティブマトリックス方式ではなく、パッシブマトリックス方式である場合、陰極２２は、所定のパターンにパターニングされる。
以上の工程により、有機発光ダイオード１３が製造される。有機層２３のうち、正孔注入層２４、正孔輸送層２５および発光層２６の形成に、基板処理システム１００が用いられる。
＜基板処理システム＞
図６は、一実施形態による基板処理システムを示す平面図である。基板処理システム１００は、図３のステップＳ１０３〜Ｓ１０５に相当する各処理を行い、陽極２１上に正孔注入層２４、正孔輸送層２５および発光層２６を形成する。基板処理システム１００は、搬入ステーション１１０と、処理ステーション１２０と、搬出ステーション１３０と、制御装置１４０とを有する。
図６は、一実施形態による基板処理システムを示す平面図である。基板処理システム１００は、図３のステップＳ１０３〜Ｓ１０５に相当する各処理を行い、陽極２１上に正孔注入層２４、正孔輸送層２５および発光層２６を形成する。基板処理システム１００は、搬入ステーション１１０と、処理ステーション１２０と、搬出ステーション１３０と、制御装置１４０とを有する。
搬入ステーション１１０は、複数の基板１０を収容するカセットＣを外部から搬入させ、カセットＣから複数の基板１０を順次取り出す。各基板１０には、予めＴＦＴ層１２や平坦化層１８、陽極２１、バンク３０などが形成されている。
搬入ステーション１１０は、カセットＣを載置するカセット載置台１１１と、カセット載置台１１１と処理ステーション１２０との間に設けられる搬送路１１２と、搬送路１１２に設けられる基板搬送体１１３とを備える。基板搬送体１１３は、カセット載置台１１１に載置されたカセットＣと処理ステーション１２０との間で基板１０を搬送する。
処理ステーション１２０は、陽極２１上に、正孔注入層２４、正孔輸送層２５および発光層２６を形成する。処理ステーション１２０は、正孔注入層２４を形成する正孔注入層形成ブロック１２１と、正孔輸送層２５を形成する正孔輸送層形成ブロック１２２と、発光層２６を形成する発光層形成ブロック１２３を備える。
正孔注入層形成ブロック１２１は、正孔注入層２４用の塗布液を陽極２１上に塗布して塗布層を形成し、その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔注入層２４を形成する。正孔注入層２４用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。
正孔注入層形成ブロック１２１は、塗布装置１２１ａと、バッファ装置１２１ｂと、減圧乾燥装置１２１ｃと、熱処理装置１２１ｄと、温度調節装置１２１ｅとを備える。塗布装置１２１ａは、正孔注入層２４用の塗布液の液滴を、バンク３０の開口部３１に向けて吐出する。バッファ装置１２１ｂは、処理待ちの基板１０を一時的に収容する。減圧乾燥装置１２１ｃは、塗布装置１２１ａで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置１２１ｄは、減圧乾燥装置１２１ｃで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置１２１ｅは、熱処理装置１２１ｄで加熱処理された基板１０の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。
塗布装置１２１ａ、バッファ装置１２１ｂ、熱処理装置１２１ｄ、および温度調節装置１２１ｅは、内部が大気雰囲気に維持される。減圧乾燥装置１２１ｃは、内部の雰囲気を、大気雰囲気と減圧雰囲気とに切り替える。
尚、正孔注入層形成ブロック１２１において、塗布装置１２１ａ、バッファ装置１２１ｂ、減圧乾燥装置１２１ｃ、熱処理装置１２１ｄおよび温度調節装置１２１ｅの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。
また、正孔注入層形成ブロック１２１は、基板搬送装置ＣＲ１〜ＣＲ３と、受渡装置ＴＲ１〜ＴＲ３とを備える。基板搬送装置ＣＲ１〜ＣＲ３は、それぞれ隣接する各装置へ基板１０を搬送する。例えば、基板搬送装置ＣＲ１は、隣接する塗布装置１２１ａおよびバッファ装置１２１ｂへ基板１０を搬送する。基板搬送装置ＣＲ２は、隣接する減圧乾燥装置１２１ｃへ基板１０を搬送する。基板搬送装置ＣＲ３は、隣接する熱処理装置１２１ｄおよび温度調節装置１２１ｅへ基板１０を搬送する。受渡装置ＴＲ１〜ＴＲ３は、それぞれ順に、搬入ステーション１１０と基板搬送装置ＣＲ１の間、基板搬送装置ＣＲ１と基板搬送装置ＣＲ２の間、基板搬送装置ＣＲ２と基板搬送装置ＣＲ３の間に設けられ、これらの間で基板１０を中継する。基板搬送装置ＣＲ１〜ＣＲ３や受渡装置ＴＲ１〜ＴＲ３は、内部が大気雰囲気に維持される。
正孔注入層形成ブロック１２１の基板搬送装置ＣＲ３と、正孔輸送層形成ブロック１２２の基板搬送装置ＣＲ４との間には、これらの間で基板１０を中継する受渡装置ＴＲ４が設けられる。受渡装置ＴＲ４は、内部が大気雰囲気に維持される。
正孔輸送層形成ブロック１２２は、正孔輸送層２５用の塗布液を正孔注入層２４上に塗布して塗布層を形成し、その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層２５を形成する。正孔輸送層２５用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。
正孔輸送層形成ブロック１２２は、塗布装置１２２ａと、バッファ装置１２２ｂと、減圧乾燥装置１２２ｃと、熱処理装置１２２ｄと、温度調節装置１２２ｅとを備える。塗布装置１２２ａは、正孔輸送層２５用の塗布液の液滴を、バンク３０の開口部３１に向けて吐出する。バッファ装置１２２ｂは、処理待ちの基板１０を一時的に収容する。減圧乾燥装置１２２ｃは、塗布装置１２２ａで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置１２２ｄは、減圧乾燥装置１２２ｃで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置１２２ｅは、熱処理装置１２２ｄで加熱処理された基板１０の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。
塗布装置１２２ａおよびバッファ装置１２２ｂは、内部が大気雰囲気に維持される。一方、熱処理装置１２２ｄおよび温度調節装置１２２ｅは、正孔輸送層２５の有機材料の劣化を抑制するため、内部が低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。減圧乾燥装置１２２ｃは、内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、減圧雰囲気とに切り替える。
ここで、低酸素の雰囲気とは、大気よりも酸素濃度が低い雰囲気、例えば酸素濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気をいう。また、低露点の雰囲気とは、大気よりも露点温度が低い雰囲気、例えば露点温度が−１０℃以下の雰囲気をいう。低酸素かつ低露点の雰囲気は、例えば窒素ガス等の不活性ガスで形成される。
尚、正孔輸送層形成ブロック１２２において、塗布装置１２２ａ、バッファ装置１２２ｂ、減圧乾燥装置１２２ｃ、熱処理装置１２２ｄおよび温度調節装置１２２ｅの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。
また、正孔輸送層形成ブロック１２２は、基板搬送装置ＣＲ４〜ＣＲ６と、受渡装置ＴＲ５〜ＴＲ６とを備える。基板搬送装置ＣＲ４〜ＣＲ６は、それぞれ隣接する各装置へ基板１０を搬送する。受渡装置ＴＲ５〜ＴＲ６は、それぞれ順に、基板搬送装置ＣＲ４と基板搬送装置ＣＲ５の間、基板搬送装置ＣＲ５と基板搬送装置ＣＲ６の間に設けられ、これらの間で基板１０を中継する。
基板搬送装置ＣＲ４の内部は、大気雰囲気に維持される。一方、基板搬送装置ＣＲ５〜ＣＲ６の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。基板搬送装置ＣＲ５に隣接される減圧乾燥装置１２２ｃの内部が、低酸素かつ低露点の雰囲気と、減圧雰囲気とに切り替えられるためである。また、基板搬送装置ＣＲ６に隣設される熱処理装置１２２ｄや温度調節装置１２２ｅの内部が、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持されるためである。
受渡装置ＴＲ５は、その内部の雰囲気を、大気雰囲気と、低酸素かつ低露点の雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。受渡装置ＴＲ５の下流側に減圧乾燥装置１２２ｃが隣設されるためである。一方、受渡装置ＴＲ６の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。
正孔輸送層形成ブロック１２２の基板搬送装置ＣＲ６と、発光層形成ブロック１２３の基板搬送装置ＣＲ７との間には、これらの間で基板１０を中継する受渡装置ＴＲ７が設けられる。基板搬送装置ＣＲ６の内部は低酸素かつ低露点の雰囲気に維持され、基板搬送装置ＣＲ７の内部は大気雰囲気に維持される。そのため、受渡装置ＴＲ７は、その内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、大気雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。
発光層形成ブロック１２３は、発光層２６用の塗布液を正孔輸送層２５上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、発光層２６を形成する。発光層２６用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。
発光層形成ブロック１２３は、塗布装置１２３ａと、バッファ装置１２３ｂと、減圧乾燥装置１２３ｃと、熱処理装置１２３ｄと、温度調節装置１２３ｅとを備える。塗布装置１２３ａは、発光層２６用の塗布液の液滴を、バンク３０の開口部３１に向けて吐出する。バッファ装置１２３ｂは、処理待ちの基板１０を一時的に収容する。減圧乾燥装置１２３ｃは、塗布装置１２３ａで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置１２３ｄは、減圧乾燥装置１２３ｃで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置１２３ｅは、熱処理装置１２３ｄで加熱処理された基板１０の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。
塗布装置１２３ａおよびバッファ装置１２３ｂは、内部が大気雰囲気に維持される。一方、熱処理装置１２３ｄおよび温度調節装置１２３ｅは、発光層２６の有機材料の劣化を抑制するため、内部が低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。減圧乾燥装置１２３ｃは、内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、減圧雰囲気とに切り替える。
尚、発光層形成ブロック１２３において、塗布装置１２３ａ、バッファ装置１２３ｂ、減圧乾燥装置１２３ｃ、熱処理装置１２３ｄおよび温度調節装置１２３ｅの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。
また、発光層形成ブロック１２３は、基板搬送装置ＣＲ７〜ＣＲ９と、受渡装置ＴＲ８〜ＴＲ９とを備える。基板搬送装置ＣＲ７〜ＣＲ９は、それぞれ隣接する各装置へ基板１０を搬送する。受渡装置ＴＲ８〜ＴＲ９は、それぞれ順に、基板搬送装置ＣＲ７と基板搬送装置ＣＲ８の間、基板搬送装置ＣＲ８と基板搬送装置ＣＲ９の間に設けられ、これらの間で基板１０を中継する。
基板搬送装置ＣＲ７の内部は、大気雰囲気に維持される。一方、基板搬送装置ＣＲ８〜ＣＲ９の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。基板搬送装置ＣＲ８に隣接される減圧乾燥装置１２３ｃの内部が、低酸素かつ低露点の雰囲気と、減圧雰囲気とに切り替えられるためである。また、基板搬送装置ＣＲ９に隣設される熱処理装置１２３ｄや温度調節装置１２３ｅの内部が、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持されるためである。
受渡装置ＴＲ８は、その内部の雰囲気を、大気雰囲気と、低酸素かつ低露点の雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。受渡装置ＴＲ８の下流側に減圧乾燥装置１２３ｃが隣設されるためである。受渡装置ＴＲ９の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。
発光層形成ブロック１２３の基板搬送装置ＣＲ９と、搬出ステーション１３０との間には、これらの間で基板１０を中継する受渡装置ＴＲ１０が設けられる。基板搬送装置ＣＲ９の内部は低酸素かつ低露点の雰囲気に維持され、搬出ステーション１３０の内部は大気雰囲気に維持される。そのため、受渡装置ＴＲ７は、その内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、大気雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。
搬出ステーション１３０は、複数の基板１０を順次カセットＣに収納し、カセットＣを外部に搬出させる。搬出ステーション１３０は、カセットＣを載置するカセット載置台１３１と、カセット載置台１３１と処理ステーション１２０との間に設けられる搬送路１３２と、搬送路１３２に設けられる基板搬送体１３３とを備える。基板搬送体１３３は、処理ステーション１２０と、カセット載置台１３１に載置されたカセットＣとの間で基板１０を搬送する。
制御装置１４０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１４１と、メモリなどの記憶媒体１４２とを含むコンピュータで構成され、記憶媒体１４２に記憶されたプログラム（レシピとも呼ばれる）をＣＰＵ１４１に実行させることにより各種処理を実現させる。
制御装置１４０のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。
次に、上記構成の基板処理システム１００を用いた基板処理方法について説明する。複数の基板１０を収容したカセットＣがカセット載置台１１１上に載置されると、基板搬送体１１３が、カセット載置台１１１上のカセットＣから基板１０を順次取り出し、正孔注入層形成ブロック１２１に搬送する。
正孔注入層形成ブロック１２１は、正孔注入層２４用の塗布液を陽極２１上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、正孔注入層２４を形成する。正孔注入層２４が形成された基板１０は、受渡装置ＴＲ４によって、正孔注入層形成ブロック１２１から正孔輸送層形成ブロック１２２に受け渡される。
正孔輸送層形成ブロック１２２は、正孔輸送層２５用の塗布液を正孔注入層２４上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層２５を形成する。正孔輸送層２５が形成された基板１０は、受渡装置ＴＲ７によって、正孔輸送層形成ブロック１２２から発光層形成ブロック１２３に受け渡される。
発光層形成ブロック１２３は、発光層２６用の塗布液を正孔輸送層２５上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、発光層２６を形成する。発光層２６が形成された基板１０は、受渡装置ＴＲ１０によって、発光層形成ブロック１２３から搬出ステーション１３０に受け渡される。
搬出ステーション１３０の基板搬送体１３３は、受渡装置ＴＲ１０から受取った基板１０を、カセット載置台１３１上の所定のカセットＣに収める。これにより、基板処理システム１００における一連の基板１０の処理が終了する。
基板１０は、カセットＣに収められた状態で、搬出ステーション１３０から外部に搬出される。外部に搬出された基板１０には、電子輸送層２７や電子注入層２８、陰極２２などが形成される。
＜減圧乾燥装置および減圧乾燥方法＞
次に、発光層形成ブロック１２３の減圧乾燥装置１２３ｃについて、図７〜図１３を参照して説明する。尚、正孔注入層形成ブロック１２１の減圧乾燥装置１２１ｃ、および正孔輸送層形成ブロック１２２の減圧乾燥装置１２２ｃは、発光層形成ブロック１２３の減圧乾燥装置１２３ｃと同様に構成されるので、説明を省略する。
次に、発光層形成ブロック１２３の減圧乾燥装置１２３ｃについて、図７〜図１３を参照して説明する。尚、正孔注入層形成ブロック１２１の減圧乾燥装置１２１ｃ、および正孔輸送層形成ブロック１２２の減圧乾燥装置１２２ｃは、発光層形成ブロック１２３の減圧乾燥装置１２３ｃと同様に構成されるので、説明を省略する。
図７は、一実施形態による減圧乾燥装置の、減圧乾燥時の状態を示す図であって、図９のVII−VII線に沿った断面図である。図７において、矢印は気流の主流を示す。図８は、図７の減圧乾燥装置の、基板の受取り時の状態を示す図である。図９は、一実施形態による減圧乾燥装置を示す図であって、図７のIX−IX線に沿った断面図である。図１０は、一実施形態による減圧乾燥装置を示す図であって、図７のX−X線に沿った断面図である。図１１は、図９および図１０に示すカバーのＹ方向一端の分割カバーを示す斜視図である。図１２は、図９および図１０に示すカバーのＹ方向中央の分割カバーを示す斜視図である。図１３は、図１１に示す分割カバーの代わりに用いられる分割カバーを示す斜視図である。図１１〜図１３において、図面の簡略化のため、図９に示す開口部１９３の図示を省略する。以下の図面において、Ｘ方向およびＹ方向は互いに直交する水平方向であって、Ｚ方向はＸ方向およびＹ方向に直交する鉛直方向である。
減圧乾燥装置１２３ｃは、有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板１０を処理容器１５０の内部に収容し、気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、塗布層から溶剤を蒸発させる。減圧乾燥装置１２３ｃは、例えば、処理容器１５０と、保持機構１６０と、減圧機構１７０と、ガス供給機構１８０とを有する。
処理容器１５０は、有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板１０を収容する。基板１０の上側に塗布層が配置されている。処理容器１５０の側壁部には基板１０の搬入出口が形成され、この搬入出口には開閉シャッタが設けられる。開閉シャッタが搬入出口を開放することで基板１０の搬入出が可能となり、開閉シャッタが搬入出口を閉塞することで処理容器１５０の内部の減圧が可能となる。処理容器１５０の内部は、減圧開始前に、低酸素かつ低露点の雰囲気、例えば窒素雰囲気とされている。
保持機構１６０は、処理容器１５０の内部で基板１０を下方から保持するステージ１６１と、処理容器１５０の内部でステージ１６１を昇降する昇降部１６３とを有する。ステージ１６１が特許請求の範囲に記載の基板保持部に対応する。ステージ１６１は図７などに示すように複数の短冊状の平板部１６２に分割されており、昇降部１６３は複数の平板部１６２を独立に昇降させる。基板１０の搬入出時に、基板搬送装置ＣＲ８の、基板１０が載置されるフォーク部との干渉を防止できる。また、基板１０の減圧乾燥時に、基板１０の全体を保持できる。
基板１０の搬入出時に、フォーク部は上方視でステージ１６１と重なる位置まで移動させられる。このとき、上方視でフォーク部と重なる平板部１６２は、フォーク部と干渉しないように、上方視でフォーク部と重ならない平板部よりも低い位置に退避させられている。この状態からフォーク部を昇降させることで、フォーク部とステージ１６１との間で基板１０が受け渡される。
尚、基板１０の受渡のため、フォーク部を昇降させる代わりに、上方視でフォーク部と重ならない平板部１６２を昇降させてもよい。この場合、上方視でフォーク部と重ならない平板部は、フォーク部よりも下の位置と、フォーク部よりも上の位置との間で昇降される。これにより、フォーク部とステージ１６１との間で、基板１０が受け渡される。
尚、ステージ１６１は、図７などに示すように複数の短冊状の平板部１６２に分割されているが、分割されていなくてもよく、一体に形成されていてもよい。この場合、ステージ１６１は処理容器１５０の内部で固定されており、ステージ１６１の上面から出没するリフトピンが複数設けられる。複数のリフトピンは、基板搬送装置ＣＲ８との間で基板１０を受け渡す位置と、ステージ１６１との間で基板１０を受け渡す位置との間で、基板１０を昇降させる。
減圧機構１７０は、処理容器１５０の排気口１５１に接続され、処理容器１５０の内部を、大気圧よりも低い気圧に減圧する。減圧機構１７０は、例えば、減圧発生源１７１と、ＡＰＣ（Adaptive Pressure Control）バルブ１７２とを有する。減圧発生源１７１としては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどが用いられる。減圧発生源１７１は、ＡＰＣバルブ１７２が途中に設けられる配管を介して処理容器１５０と接続され、処理容器１５０の内部を減圧する。処理容器１５０の内部の気圧は、ＡＰＣバルブ１７２によって調節しながら、例えば１Ｐａ以下まで減圧される。処理容器１５０の排気口１５１は、図７に示すように処理容器１５０の下壁部に形成されているが、上壁部または側壁部に形成されていてもよい。
ガス供給機構１８０は、減圧機構１７０によって減圧された処理容器１５０の内部を元の雰囲気に戻すため、処理容器１５０の内部に窒素ガスなどのガスを供給する。ガス供給機構１８０は、例えば、ガス供給源１８１と、マスフローコントローラ１８２と、開閉バルブ１８３とを有する。ガス供給源１８１は、マスフローコントローラ１８２や開閉バルブ１８３が途中に設けられる配管を介して処理容器１５０と接続され、処理容器１５０の内部にガスを供給する。その供給量はマスフローコントローラ１８２によって調節可能である。
ところで、減圧乾燥装置１２３ｃは、上述の如く、塗布装置１２３ａによって基板１０上に形成された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を蒸発させる。溶剤の蒸気は、気流となって、基板１０の上面付近から処理容器１５０の排気口１５１に運ばれる。気流が移動しやすい場所ほど、乾燥が進みやすい。
そこで、減圧乾燥装置１２３ｃは、塗布層の乾燥速度ムラを低減するため、気流規制部１９０を有する。気流規制部１９０は、ステージ１６１に保持された基板１０の上面付近から処理容器１５０の排気口１５１に向かう気流を規制する。
気流規制部１９０は、図７に示すように、ステージ１６１に保持された基板１０の側方で気流を遮る側壁部１９１と、ステージ１６１に保持された基板１０の上方で気流を遮る天井部１９２とを含む。側壁部１９１と天井部１９２とが気流を遮ることで、従来は乾燥速度が速過ぎた部位の乾燥を遅らせることができる。これにより、基板１０の面内での、塗布層の乾燥速度のムラを低減できる。
天井部１９２は、ステージ１６１に保持された基板１０の上面付近から上方に向かう気流が通過する開口部１９３を有する。天井部１９２の開口率の分布を調整することで、基板１０の面内での、塗布層の乾燥速度のムラをより低減できる。
ここで、天井部１９２の開口率とは、上方視において、天井部１９２の単位面積に占める、開口部１９３の面積の割合のことである。天井部１９２の開口率は、開口部１９３の形状や大きさ、配置などで調整できる。
天井部１９２は、図９に示すように、開口率が比較的小さい部位と、開口率が比較的大きい部位とを有してよい。天井部１９２は、開口率がゼロである部位を有してもよい。
尚、天井部１９２は、溶剤の蒸気を吸着する吸着板としての機能を有してもよい。吸着板は、溶剤の蒸気を例えば結露させて捕集する。吸着板には、吸着板の温度を調節する温調装置が設けられていてよい。
温調装置は、減圧乾燥時に、吸着板を冷却することで、捕集効率を向上する。また、温調装置は、減圧乾燥の後に、吸着板を加熱することで、吸着板で捕集した溶剤を再度気化させて吸着板から脱離する。
側壁部１９１と天井部１９２とは、下方に向けて開放した箱状のカバー１９４を形成する。図８に示すようにカバー１９４の下方で、ステージ１６１が基板搬送装置ＣＲ８から基板１０を受取ると、昇降部１６３がステージ１６１を上昇させることで、図７に示すようにステージ１６１に保持された基板１０がカバー１９４の内部に収容される。
尚、ステージ１６１に保持された基板１０をカバー１９４の内部に収容するため、ステージ１６１を上昇させる代わりに、カバー１９４を下降させてもよい。また、ステージ１６１を上昇させると共に、カバー１９４を下降させてもよい。
カバー１９４は、内部に、ステージ１６１に保持された基板１０を収容する。ステージ１６１や基板１０がカバー１９４の内部から下方に向かう気流を遮るため、基板１０の上面付近から上方に向かう気流が支配的になる。よって、天井部１９２の開口率の分布を調整する効果が得られやすい。
気流規制部１９０は、図１０に示すように、ステージ１６１に保持された基板１０の上方で、カバー１９４の内部を仕切る仕切り部１９５をさらに含む。基板１０の上方の空間を複数の空間に分けて、それぞれの空間の気流を調整できる。
仕切り部１９５は、例えば、天井部１９２の開口率が大きい部位と、天井部１９２の開口率が小さい部位との間に設けられてよい。天井部１９２の開口率に差をつけた効果が得られやすい。
昇降部１６３は、ステージ１６１を昇降することで、ステージ１６１に保持された基板１０と仕切り部１９５との上下方向の間隔Ｓを調整する。間隔Ｓが小さいほど、仕切り部１９５によってカバー１９４の内部を仕切る効果が得られやすい。
昇降部１６３が特許請求の範囲に記載の間隔調整部に対応する。尚、間隔調整部は、間隔Ｓを調整するため、ステージ１６１を昇降させる代わりに、カバー１９４を昇降してもよい。また、両者を昇降させてもよい。
カバー１９４は、図９および図１０に示すように、Ｙ方向に４つの分割カバー１９４ａ、１９４ｂ、１９４ｃ、１９４ｄに分割されている。各分割カバー１９４ａ、１９４ｂ、１９４ｃ、１９４ｄは、側壁部１９１の一部である分割側壁部と、天井部１９２の一部である分割天井部とを有する。
例えば、Ｙ方向一端の分割カバー１９４ａは、図１１に示すように、矩形状の分割天井部１９２ａと、その分割天井部１９２ａの連続する３辺に設けられる分割側壁部１９１ａとを有する。分割天井部１９２ａの残りの１辺には、仕切り部１９５が設けられている。分割天井部１９２ａは、図９に示すように、開口率の小さい部位と、開口率の大きい部位とを有してよい。天井部１９２のコーナー部において、開口率が最も小さくてよく、例えばゼロであってよい。
同様に、Ｙ方向他端の分割カバー１９４ｄは、矩形状の分割天井部１９２ｄと、その分割天井部１９２ｄの連続する３辺に設けられる分割側壁部１９１ｄとを有する。分割天井部１９２ｄの残りの１辺には、仕切り部１９５が設けられている。分割天井部１９２ｄは、図９に示すように、開口率の小さい部位と、開口率の大きい部位とを有してよい。天井部１９２のコーナー部において、開口率が最も小さくてよく、例えばゼロであってよい。
また、Ｙ方向中央の分割カバー１９４ｂは、図１２に示すように、矩形状の分割天井部１９２ｂと、その分割天井部１９２ｂの互いに対向する２辺に設けられる分割側壁部１９１ｂとを有する。図９に示すように、Ｙ方向中央の分割天井部１９２ｂは、隣り合うＹ方向一端の分割天井部１９２ａよりも、開口率が大きくてよい。
同様に、他のＹ方向中央の分割カバー１９４ｃは、矩形状の分割天井部１９２ｃと、その分割天井部１９２ｃの互いに対向する２辺に設けられる分割側壁部１９１ｃとを有する。図９に示すように、Ｙ方向中央の分割天井部１９２ｃは、隣り合うＹ方向他端の分割天井部１９２ｄよりも、開口率が大きくてよい。
尚、本実施形態のカバー１９４は、Ｙ方向に分割されているが、Ｘ方向に分割されてもよいし、両方向に分割されてもよい。また、カバー１９４の分割数は、４つには、限定されず、３つ以下でもよいし、５つ以上でもよい。
カバー１９４が複数の分割カバー１９４ａ、１９４ｂ、１９４ｃ、１９４ｄに分割されているため、分割カバーの組合せを変更することで、気流規制部１９０の構造を容易に変更できる。
例えば、図１１に示す分割カバー１９４ａの代わりに、図１３に示す分割カバー１９４ｅを用いることで、仕切り部１９５を取り外すことができる。分割カバー１９４ｅは、矩形状の分割天井部１９２ｅと、その分割天井部１９２ｅの連続する３辺に設けられる分割側壁部１９１ｅとを有する。分割天井部１９２ｅの残りの１辺には、仕切り部１９５が設けられていない。
尚、分割カバーは、図１１〜図１３に示すものに限定されない。例えば、図１２に示す分割カバー１９４ｂに仕切り部１９５が設けられていてもよい。仕切り部１９５は、分割天井部１９２ｂの４辺のうち、分割側壁部１９１ｂが設けられる２辺を除く、残りの２辺のどちらに設けられてもよく、両方に設けられてもよい。
分割カバーの組合せを変更することで、仕切り部１９５を取り付けたり取り外したりすることができる他、天井部１９２の開口率の分布を調整することもできる。
次に、上記構成の減圧乾燥装置１２３ｃを用いた減圧乾燥方法について説明する。減圧乾燥装置１２３ｃの下記の動作は、制御装置１４０によって制御される。制御装置１４０は、図６では減圧乾燥装置１２３ｃとは別に設けられるが、減圧乾燥装置１２３ｃの一部として設けられてもよい。
先ず、基板搬送装置ＣＲ８が基板１０を減圧乾燥装置１２３ｃの外部から処理容器１５０の内部に搬入し、ステージ１６１が基板搬送装置ＣＲ８から基板１０を受取る。基板搬送装置ＣＲ８が処理容器１５０の内部から外部に退出した後、昇降部１６３がステージ１６１を上昇させることで、ステージ１６１に保持された基板１０がカバー１９４の内部に収容される。
次いで、減圧機構１７０が、処理容器１５０の内部を減圧する。減圧雰囲気中で塗布層から溶剤が蒸発する。溶剤の蒸気は、気流となって、基板１０の上面付近から処理容器１５０の排気口１５１に運ばれる。このとき、気流規制部１９０が、基板１０の上面付近から処理容器１５０の排気口１５１に向かう気流を規制する。これにより、乾燥速度のムラを低減できる。
減圧乾燥の終了後、ガス供給機構１８０が、処理容器１５０の内部にガスを供給し、処理容器１５０の内部を元の雰囲気に戻す。また、昇降部１６３がステージ１６１を下降させることで、ステージ１６１に保持された基板１０がカバー１９４の内部から下方に取り出される。その後、カバー１９４の下方において、基板１０がステージ１６１から基板搬送装置ＣＲ８に受け渡され、処理容器１５０の外部に搬送される。
以上説明したように、本実施形態によれば、気流規制部１９０は、ステージ１６１に保持された基板１０の側方で気流を遮る側壁部１９１と、ステージ１６１に保持された基板１０の上方で気流を遮る天井部１９２とを含む。側壁部１９１と天井部１９２とが気流を遮ることで、従来は乾燥速度が速過ぎた部位の乾燥を遅らせることができる。これにより、基板１０の面内での、塗布層の乾燥速度のムラを低減できる。
また、本実施形態によれば、天井部１９２は、ステージ１６１に保持された基板１０の上面付近から上方に向かう気流が通過する開口部１９３を有する。天井部１９２の開口率の分布を調整することで、基板１０の面内での、塗布層の乾燥速度のムラをより低減できる。
また、本実施形態によれば、側壁部１９１と天井部１９２とは下方に向けて開放した箱状のカバー１９４を形成し、カバー１９４は内部にステージ１６１に保持された基板１０を収容する。ステージ１６１や基板１０がカバー１９４の内部から下方に向かう気流を遮るため、基板１０の上面付近から上方に向かう気流が支配的になる。よって、天井部１９２の開口率の分布を調整する効果が得られやすい。
また、本実施形態によれば、気流規制部１９０は、ステージ１６１に保持された基板１０の上方で、カバー１９４の内部を仕切る仕切り部１９５をさらに含む。基板１０の上方の空間を複数の空間に分けて、それぞれの空間の気流を調整できる。
また、本実施形態によれば、昇降部１６３は、ステージ１６１を昇降することで、ステージ１６１に保持された基板１０と仕切り部１９５との上下方向の間隔Ｓを調整する。間隔Ｓが小さいほど、仕切り部１９５によってカバー１９４の内部を仕切る効果が得られやすい。
また、本実施形態によれば、カバー１９４が複数の分割カバー１９４ａ、１９４ｂ、１９４ｃ、１９４ｄに分割されている。そのため、分割カバーの組合せを変更することで、気流規制部１９０の構造を容易に変更できる。
＜変形例による気流規制部＞
上記実施形態の気流規制部１９０は側壁部１９１と天井部１９２とを有し、側壁部１９１と天井部１９２とは下方に開放した箱状のカバー１９４を形成する。カバー１９４の天井部１９２は、上方視で、ステージ１６１に保持された基板１０よりも大きく、基板１０の全体を覆う。一方、本変形例の気流規制部１９０Ａは上記実施形態の気流規制部１９０と同様に側壁部１９１Ａと天井部１９２Ａとを有するが、その天井部１９２Ａは上方視でステージ１６１に保持された基板１０の端部のみと重なる。以下、相違点について主に説明する。
上記実施形態の気流規制部１９０は側壁部１９１と天井部１９２とを有し、側壁部１９１と天井部１９２とは下方に開放した箱状のカバー１９４を形成する。カバー１９４の天井部１９２は、上方視で、ステージ１６１に保持された基板１０よりも大きく、基板１０の全体を覆う。一方、本変形例の気流規制部１９０Ａは上記実施形態の気流規制部１９０と同様に側壁部１９１Ａと天井部１９２Ａとを有するが、その天井部１９２Ａは上方視でステージ１６１に保持された基板１０の端部のみと重なる。以下、相違点について主に説明する。
図１４は、変形例による気流規制部を示す斜視図である。図１４において、ステージ１６１の図示を省略する。図１４に示すように、気流規制部１９０Ａは、側壁部１９１Ａと天井部１９２Ａとを有する。天井部１９２Ａには、開口部が形成されていないが、開口部が形成されていてもよい。
天井部１９２Ａは、上方視で、ステージ１６１に保持された基板１０の端部のみと重なり、基板１０の中央部とは重ならない。従来は乾燥速度が速過ぎた基板１０の端部の乾燥を遅らせることができる。これにより、乾燥速度のムラを低減できる。
天井部１９２Ａは、上方視で、ステージ１６１に保持された矩形状の基板１０のコーナー部のみと重なり、基板１０の中央部とは重ならない。従来は乾燥速度が特に速過ぎた基板１０のコーナー部の乾燥を遅らせることができる。これにより、乾燥速度のムラを低減できる。
以上、減圧乾燥装置などの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
例えば、有機ＥＬディスプレイは、上記実施形態では発光層２６からの光を基板１０側から取り出すボトムエミッション方式であるが、発光層２６からの光を基板１０とは反対側から取り出すトップエミッション方式でもよい。
トップエミッション方式の場合、基板１０は、透明基板ではなくてもよく、不透明基板であってもよい。発光層２６からの光は、基板１０とは反対側から取り出されるためである。
トップエミッション方式の場合、透明電極である陽極２１が対向電極として用いられ、陰極２２が単位回路１１毎に設けられる画素電極として用いられる。この場合、陽極２１と陰極２２の配置が逆になるので、陰極２２上に、電子注入層２８、電子輸送層２７、発光層２６、正孔輸送層２５および正孔注入層２４が、この順で形成される。
有機層２３は、上記実施形態では、陽極２１側から陰極２２側に向けて、正孔注入層２４、正孔輸送層２５、発光層２６、電子輸送層２７、電子注入層２８をこの順で有するが、少なくとも発光層２６を有していればよい。有機層２３は、図２に示す構成には限定されない。
基板１０や天井部１９２の形状が矩形状であるが、これらの形状は特に限定されない。
減圧乾燥装置は、有機ＥＬディスプレイの製造に用いられるが、例えば液晶ディスプレイの製造に用いられてもよい。
１０ 基板
１３ 有機発光ダイオード
２１ 陽極
２２ 陰極
２３ 有機層
１００ 基板処理システム
１２３ｃ 減圧乾燥装置
１５０ 処理容器
１５１ 排気口
１６１ ステージ
１６２ 平板部
１６３ 昇降部
１７０ 減圧機構
１７１ 減圧発生源
１９０ 気流規制部
１９１ 側壁部
１９１ａ〜１９１ｄ 分割側壁部
１９２ 天井部
１９２ａ〜１９２ｄ 分割天井部
１９３ 開口部
１９４ カバー
１９４ａ〜１９４ｄ 分割カバー
１９５ 仕切り部
１３ 有機発光ダイオード
２１ 陽極
２２ 陰極
２３ 有機層
１００ 基板処理システム
１２３ｃ 減圧乾燥装置
１５０ 処理容器
１５１ 排気口
１６１ ステージ
１６２ 平板部
１６３ 昇降部
１７０ 減圧機構
１７１ 減圧発生源
１９０ 気流規制部
１９１ 側壁部
１９１ａ〜１９１ｄ 分割側壁部
１９２ 天井部
１９２ａ〜１９２ｄ 分割天井部
１９３ 開口部
１９４ カバー
１９４ａ〜１９４ｄ 分割カバー
１９５ 仕切り部
Claims (13)
- 有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部で、前記基板を下方から保持する基板保持部と、
前記処理容器の排気口に接続され、前記処理容器の内部を減圧する減圧機構と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上面付近から前記処理容器の排気口に向かう気流を規制する気流規制部とを有し、
前記気流規制部は、前記基板保持部に保持された前記基板の側方で気流を遮る側壁部と、前記基板保持部に保持された前記基板の上方で気流を遮る天井部とを含む、減圧乾燥装置。 - 前記天井部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上面付近から上方に向かう気流が通過する開口部を有する、請求項１に記載の減圧乾燥装置。
- 前記側壁部および前記天井部は、下に向けて開放した箱状のカバーを形成し、
前記カバーは、内部に、前記基板保持部に保持された前記基板を収容する、請求項２項に記載の減圧乾燥装置。 - 前記気流規制部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上方で、前記カバーの内部を仕切る仕切り部をさらに含む、請求項３に記載の減圧乾燥装置。
- 前記基板保持部に保持された前記基板と前記仕切り部との上下方向の間隔を調整する間隔調整部をさらに有する、請求項４に記載の減圧乾燥装置。
- 前記カバーは、複数の分割カバーに分割されており、
各前記分割カバーは、前記天井部の一部である分割天井部と、前記側壁部の一部である分割側壁部とを含む、請求項３〜５のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。 - 少なくとも１つの前記分割カバーは、矩形状の前記分割天井部と、当該分割天井部の連続する３辺に設けられる前記側壁部とを含む、請求項６に記載の減圧乾燥装置。
- 少なくとも１つの前記分割カバーは、矩形状の前記分割天井部と、当該分割天井部の互いに対向する２辺に設けられる前記側壁部とを含む、請求項６に記載の減圧乾燥装置。
- 少なくとも１つの前記分割カバーには、前記基板保持部に保持された前記基板の上方で、前記カバーの内部を仕切る仕切り部が設けられる、請求項６〜８のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
- 前記天井部は、上方視で、前記基板保持部に保持された前記基板の端部のみと重なる、請求項１または２に記載の減圧乾燥装置。
- 前記天井部は、上方視で、前記基板保持部に保持された前記基板のコーナー部のみと重なる、請求項１、２または１０に記載の減圧乾燥装置。
- 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置を用いて、前記基板に形成された塗布層を乾燥させる、減圧乾燥方法。
- 前記塗布層は、有機ＥＬ発光ダイオードの製造に用いられるものである、請求項１２に記載の減圧乾燥方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
| KR102367476B1 (ko) * | 2020-05-15 | 2022-02-25 | 주식회사 선익시스템 | 진공흡입부가 구비된 기판 감압 건조장치 장치 |
| KR102367478B1 (ko) * | 2020-05-15 | 2022-02-25 | 주식회사 선익시스템 | 커버부를 포함하는 기판 감압 건조 장치 |
| KR102367475B1 (ko) * | 2020-05-15 | 2022-02-25 | 주식회사 선익시스템 | 승강 커버부가 구비된 기판 감압 건조장치 및 그 제어방법 |
| CN114850003B (zh) * | 2021-02-03 | 2023-06-27 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 加热处理装置 |
| CN116917050A (zh) | 2021-03-17 | 2023-10-20 | 松下知识产权经营株式会社 | 减压干燥装置以及减压干燥方法 |
| CN113410419A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-09-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制作方法以及干燥设备 |
| KR102643857B1 (ko) | 2021-11-02 | 2024-03-07 | 한국생산기술연구원 | 분산 유로 장치 및 이를 구비한 진공 건조 장치 |
| KR20230066880A (ko) | 2021-11-08 | 2023-05-16 | 한국생산기술연구원 | 기판가열부와 증기 분산 냉각판이 구비된 진공 건조 장치 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007090200A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 乾燥方法、乾燥装置、および成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器 |
| JP2007232268A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 減圧乾燥装置及び塗布体の製造方法 |
| JP2007234390A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌパネルの製造方法及びその製造装置 |
| JP2008218253A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、乾燥装置 |
| JP2010267428A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | 機能膜形成方法および機能膜形成装置 |
| JP2011071013A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Panasonic Corp | 有機ｅｌ装置の機能層の製造装置および製造方法 |
| JP2014199806A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置及び乾燥処理方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004102648A2 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Asm America, Inc. | Reactor surface passivation through chemical deactivation |
| JP2011044380A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Panasonic Corp | 有機ｅｌ素子の機能層の製造装置および製造方法 |
| KR101188109B1 (ko) * | 2010-09-20 | 2012-10-05 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 모노머 증착장치 |
| JP6338507B2 (ja) | 2014-10-16 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液滴吐出装置、液滴吐出方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| CN104596205B (zh) * | 2015-02-13 | 2016-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空干燥装置及真空干燥方法 |
-
2016
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007090200A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 乾燥方法、乾燥装置、および成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器 |
| JP2007232268A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 減圧乾燥装置及び塗布体の製造方法 |
| JP2007234390A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌパネルの製造方法及びその製造装置 |
| JP2008218253A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、乾燥装置 |
| JP2010267428A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | 機能膜形成方法および機能膜形成装置 |
| JP2011071013A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Panasonic Corp | 有機ｅｌ装置の機能層の製造装置および製造方法 |
| JP2014199806A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置及び乾燥処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10818879B2 (en) | 2018-07-27 | 2020-10-27 | Joled Inc. | Organic el display panel manufacturing method |
| KR20220076370A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 감압 건조 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102377344B1 (ko) | 2022-03-21 |
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