CN113035476A - 硫化检测电阻器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够准确且容易地检测硫化的程度的硫化检测电阻器。硫化检测电阻器(100)具有:长方体形状的绝缘基板(1),一对表面电极(2),其形成在绝缘基板(1)的表面的相向的两端部,多个硫化检测导体(3),其并排配置在该一对表面电极(2)之间,多个电阻体(4),其连接在各硫化检测导体(3)的两端部与一对表面电极(2)之间,以及硫化气体非渗透性保护膜(6),其覆盖各电阻体(4)的整体和各硫化检测导体(3)的一部分,各硫化检测导体(3)具有从保护膜(6)的窗孔(6a)露出的硫化检测部(3a),通过用由丙烯系树脂、硅树脂等制成的不同种的硫化速度调整层(7)覆盖这些硫化检测部(3a),从而设定成根据各硫化检测部(3a)所累积的硫化量而断线的时刻各不相同。
Description
技术领域
本发明涉及用于检测腐蚀环境所累积的硫化量的硫化检测电阻器。
背景技术
作为片式电阻器等的电子部件的内部电极一般使用电阻率低的Ag(银)系的电极材料,但是由于银暴露在硫化气体从而成为硫化银,且硫化银是绝缘体,从而会导致发生电子部件断线的故障。因此近年来,采取在Ag中添加Pd(钯)、Au(金)以形成难以硫化的电极,或将电极做成硫化气体难以到达的构造等的硫化对策。
然而,即使对电子部件采取了这样的硫化对策,在该电子部件在硫化气体中长时间暴露的情况下,或暴露在高浓度的硫化气体的情况下,由于难以完全防止断线,所以需要提前检测断线从而防止在不能预期的时刻发生故障。
因此,迄今为止,提出了如专利文献1所述那样的硫化检测传感器,其检测电子部件所累积的硫化的程度,能在电子部件出现硫化断线等故障之前检测危险性。
专利文献1中所记载的硫化检测传感器构成为:在绝缘基板上形成以Ag为主体的硫化检测体,以覆盖该硫化检测体的方式形成透明且具有硫化气体渗透性的保护膜,并在绝缘基板的两侧端部形成与硫化检测体连接的端面电极。将如此构成的硫化检测传感器与其他的电子部件一起安装在印制电路板上之后,当在含有硫化气体的环境中使用该印制电路板时,随着时间的经过在其他的电子部件被硫化的同时,硫化气体透过硫化检测传感器的保护膜而与硫化检测体接触,因此硫化检测体的颜色对应硫化气体的浓度和经过时间而变化。由此,通过透过保护膜目测硫化检测体的颜色变化,或者检测向硫化检测传感器的上表面照射光后自硫化检测体反射的光,或者检测硫化检测体的电阻值变化,从而检测硫化的程度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-250611号公报。
发明要解决的问题
但是,由硫化气体所引起的硫化检测体的颜色变化较为微妙,难以通过操作人员的目测准确地检测硫化的程度,并且即使基于由硫化检测体反射的光来检测硫化的程度,也另外需要用于检测的大规模的设备。此外,由于硫化检测体是以电阻率低的Ag为主体的导体,所以随着所累积的硫化量的硫化检测体电阻值的变化是微量的,进而由于Ag的温度特性(TCR)非常差,由温度引起的电阻值变化大,所以也难以基于硫化检测体的电阻值变化来准确地检测硫化的程度。
发明内容
本发明鉴于这样的现有技术的实际情况而完成,其目的是提供一种能够准确且容易地检测硫化的程度的硫化检测电阻器。
用于解决问题的方案
为达成上述目的,本发明的硫化检测电阻器,其特征在于,具有:长方体形状的绝缘基板,一对表面电极,其形成在所述绝缘基板的主面的相向的两端部,多个硫化检测导体,其并排配置在所述一对表面电极之间,多个电阻体,其连接在所述一对表面电极中的至少一个与所述多个硫化检测导体之间,以及硫化气体非渗透性保护膜,其覆盖所述多个电阻体的整体和所述多个硫化检测导体的一部分,所述多个硫化检测导体具有从所述保护膜露出的硫化检测部,通过用由硫化速度调整层选择性地覆盖这些硫化检测部,从而设定为:根据所述多个硫化检测部所累积的硫化量而断线的时刻各不相同。
在如此构成的硫化检测电阻器中,串联连接的电阻体和硫化检测导体的组在一对表面电极之间多组并联连接,这些电阻体的整体和各硫化检测导体的一部分由硫化气体非渗透性保护膜覆盖,并用由硫化速度调整层选择地覆盖从保护膜露出的各硫化检测导体的硫化检测部,从而设定为:根据各组的硫化检测导体所累积的硫化量而断线的时刻各不相同,因此一对表面电极之间的电阻值变化呈阶段性地变化,能够准确且容易地检测硫化的程度。
在上述结构的硫化检测电阻器中,当硫化速度调整层为加快硫化检测部的硫化速度的硅树脂时,通过在硅树脂中吸收的硫化成分而使下侧的硫化检测部快速硫化,因此与不由硅树脂覆盖的硫化检测部相比,能够提前根据累积的硫化量而断线的时刻。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,当硫化速度调整层为使硫化检测部硫化速度减慢的硫化气体渗透性树脂(例如,丙烯系树脂或聚氨酯系树脂等)时,通过该硫化气体渗透性树脂使下侧的硫化检测部硫化速度变慢,因此与不由硫化气体渗透性树脂覆盖的硫化检测部相比,能够推迟根据累积的硫化量而断线的时刻。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,当保护膜具有介于并排配置的多个硫化检测部之间的隔离部时,即使多个硫化检测部由互不相同的硫化速度调整层覆盖,也能够通过隔离部可靠地防止相邻的硫化速度调整层之间的混合。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,当由玻璃材料构成的预涂层介于电阻体和保护膜之间并且该预涂层的一端部从保护膜突出而划定硫化检测部时,即使在由树脂材料制成的保护膜出现印刷流挂(树脂流),由于该印刷流挂出现在预涂层上,因此能够通过预涂层高精度地设定硫化检测部的大小。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,虽然多个硫化检测导体可以是统一形成的相同结构,但是也可以为多个硫化检测导体在彼此的材料组成和膜厚至少一者不同,在这种情况下,通过组合多种硫化检测导体和硫化速度调整层,从而能够使由各组的硫化检测导体所累积的硫化量引起的断线的时刻的变化增多。
发明效果
根据本发明,能够提供一种能准确且容易地对硫化的程度进行检测的硫化检测电阻器。
附图说明
图1是本发明的实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图。
图2是沿着图1的II-II线的剖面图。
图3是示出该硫化检测电阻器的制造工序的平面图。
图4是示出该硫化检测电阻器的制造工序的剖面图。
图5是示出该硫化检测电阻器中的累积硫化量与电阻值的关系的说明图。
具体实施方式
以下,参照附图对发明的实施方式进行说明,图1是本发明的实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图,图2是沿着图1的II-II线的剖面图。
如图1和图2所示,本实施方式例涉及的硫化检测电阻器100主要构成为具有以下:长方体形状的绝缘基板1,多对(本实施方式中为3对合计6个)表面电极2,其相向地被设置在绝缘基板1的表面(主面)的长边方向两端部,多个(3个)硫化检测导体3,其被设置在成对的表面电极2之间设置,多个(6个)电阻体4,其在各硫化检测导体3与相对应的表面电极2之间连接,预涂层5,其覆盖各电阻体4,保护膜6,其覆盖预涂层5的整体和各硫化检测导体的一部分,多个(3个)硫化速度调整层7,其覆盖从保护膜6露出的各硫化检测导体3的硫化检测部3a,多对(本实施方式中为3对)背面电极8,其相向地被设置在绝缘基板1的背面的长边方向两端部,一对端面电极9,其被设置在绝缘基板1的长边方向两端面,以及外部电极10,其设置在各端面电极9的表面。
绝缘基板1是将后述的大尺寸基板沿横纵的分割槽分割而被制取多个的基板,大尺寸基板的主要成分以氧化铝为主要成分的陶瓷基板。
多个表面电极2是对以银为主要成分的Ag系浆料(例如Ag-Pd20%)进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,这些表面电极2沿着绝缘基板1的长边隔开规定间隔而形成。一对背面电极8也是对以银为主要成分的Ag系浆料(例如Ag-Pd20%)进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,这些背面电极8在与绝缘基板1的表面侧的表面电极2对应的位置形成。另外,在本实施方式涉及的硫化检测电阻器100中,3个表面电极2沿着绝缘基板1相对的两长边以分离状态排列,但是这些表面电极2不一定要分割为3个也可以作为连续的1个表面电极2,对于背面电极8也一样。
3个硫化检测导体3是对以银为主要成分的Ag浆料或Ag系浆料(例如Ag-Pd0.5%)进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,如后所述,这些硫化检测导体3具有与硫化气体反应而硫化的硫化检测部3a。
多个电阻体4是对氧化钌等的电阻体浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,这些电阻体4的电阻值全部设定为相同的值。电阻体4的两端部与表面电极2和硫化检测导体3连接,1个硫化检测导体3和2个电阻体4构成1组串联电路部,如此地串联电路部在一对表面电极2之间呈3组并联地连接。
预涂层5是对玻璃浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,各电阻体4被预涂层5覆盖。另外,根据需要,从预涂层5上方在电阻体4形成未图示的调整槽,由此进行电阻体4的电阻值调整。预涂层5延伸至覆盖硫化检测导体3和电阻体4的连接端部的位置,没有被预涂层5覆盖而露出的硫化检测导体3的中央部分成为硫化检测部3a。
保护膜6是对作为硫化气体非渗透性树脂材料的环氧系树脂浆料进行丝网印刷然后加热硬化而成的,各电阻体4被此保护膜6覆盖。在保护膜6形成有使各硫化检测导体3的中央部分露出的3个窗孔6a,在各窗孔6a内硫化检测导体3的硫化检测部3a和预涂层5的端部分别露出。保护膜6具有介于相邻的窗孔6a之间的隔离部6b,该隔离部6b被以将各窗孔6a内露出的3个硫化检测部3a分离的方式形成为带状。
在保护膜6的各窗孔6a内露出的3个硫化检测部3a分别由硫化速度调整层7覆盖,这三个硫化速度调整层7是对使硫化检测部3a的硫化速度不同的不同种树脂浆料进行丝网印刷然后加热硬化而成的。为了方便,对覆盖图1左侧的硫化检测部3a的硫化速度调整层赋予标记7A并称为第一硫化速度调整层,对覆盖中间的硫化检测部3a的硫化速度调整层赋予标记7B并称为第二硫化速度调整层,对覆盖右侧的硫化检测部3a的硫化速度调整层赋予标记7C并称为第三硫化速度调整层,在本实施方式例涉及的硫化检测电阻器100中,使用丙烯系的树脂材料作为第一硫化速度调整层7A,使用聚氨酯系的树脂材料作为第二硫化速度调整层7B,使用硅树脂作为第三硫化速度调整层7C。
其中,丙烯系树脂和聚氨酯系树脂均具有使下侧的硫化检测部3a的硫化速度减慢的性质,但是利用两者的硫化气体渗透率的差异,与聚氨酯系树脂相比,丙烯系树脂更能够使硫化检测部3a的硫化速度减慢。另一方面,硅树脂具有将硫化气体中的硫化成分吸收且保留的性质,因此能够通过吸収的硫化成分加快下侧的硫化检测部3a的硫化速度。因此,在本实施方式例的情况下,由第三硫化速度调整层7C(硅树脂)覆盖的硫化检测部3a最先被硫化,其后由第二硫化速度调整层7B(聚氨酯系树脂)覆盖的硫化检测部3a被硫化,最后由第一硫化速度调整层7A(丙烯系树脂)覆盖的硫化检测部3a被硫化。
另外,各硫化速度调整层7(7A、7B、7C)的种类、组合方式等不限定于本实施方式例,例如,也可以采用如下方式:使用丙烯系树脂、聚氨酯系树脂以外的环氧系树脂、弹性树脂作为减慢硫化检测部3a的硫化速度的树脂,利用这些各硫化速度调整层7的硫化气体渗透率的差异,使多个硫化检测部3a的硫化速度不同。或者,还可以采用如下方式:只将1个硫化检测部3a不用硫化速度调整层7覆盖,将其余的硫化检测部3a用不同种的硫化速度调整层7覆盖,从而以不用硫化速度调整层7覆盖的硫化检测部3a硫化速度为基准,减慢/加快用硫化速度调整层7覆盖的其余的硫化检测部3a的硫化速度。
一对端面电极9是在绝缘基板1的端面对Ni/Cr进行溅镀,或将Ag系浆料涂覆然后使其加热硬化而成的,这些端面电极9成为:分别将在绝缘基板1的相向的两长边侧间隔排列的表面电极2和背面电极8之间导通。因此,从电学上看,形成如下状态:成对的表面电极2配置在绝缘基板1的表面的相对的两端部,在这些成对的表面电极2之间的硫化检测导体3和电阻体4的串联电路部呈3组并联地连接。
一对外部电极10由隔离层和外部连接层的两层构造而成,其中隔离层是通过电镀形成的Ni镀层,外部连接层是通过电镀形成的Sn镀层。利用这些外部电极10,分别覆盖从保护膜6露出的表面电极2的表面、背面电极8及端面电极9的表面。
接下来,使用图3和图4对该硫化检测电阻器100的制造工序进行说明。另外,图3的(a)~(g)是在表面观察该制造工序中使用的大尺寸基板的平面图,图4的(a)~(g)分别示出沿着图3的(a)~(g)的短边方向中心线的相当于1个片体的剖面图。
首先,准备将被制取成多个绝缘基板1的大尺寸基板。在该大尺寸基板事先呈格子状地设有一次分割槽和二次分割槽,根据两种分割槽划分出的一个一个的格子成为1个片体区域。虽然在图3中以相当于1个片体区域的大尺寸基板20A为代表示出,但实际上针对相当于多个片体区域的大尺寸基板统一进行以下说明的各工序。
即,如图3的(a)和图4的(a)所示,通过在此大尺寸基板20A的表面对Ag系浆料进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结,从而统一形成以在片体区域的短边方向相向的2个为1组的多组(3组合计6个)表面电极2,以及位于成对的表面电极2之间3个硫化检测导体3。另外,与此同时或前后地,在大尺寸基板20A的背面对Ag系浆料进行丝网印刷,然后将其干燥、烧结,从而形成与各表面电极2对应的多个背面电极8。
接下来,如图3的(b)和图4的(b)所示,通过对氧化钌等电阻体浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结,从而形成6个两端部与硫化检测导体3和表面电极2连接的电阻体4。
接下来,如图3的(c)和图4的(c)所示,通过对玻璃浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结,从而形成覆盖各电阻体4的预涂层5,并根据需要,从预涂层5上方在电阻体4形成未图示的调整槽而进行电阻值调整。另外,预涂层5延伸至覆盖硫化检测导体3和电阻体4的连接端部的位置,从一对预涂层5露出的硫化检测导体3的中央部分成为硫化检测部3a。即,通过一对预涂层5划定硫化检测部3a的大小(面积),也由于玻璃材料构成的预涂层5与由树脂构成的保护膜相比难以出现印刷流挂,所以能够高精度地划定硫化检测部3a的大小。此外,即使硫化气体从之后工序中形成的硫化速度调整层7与保护膜6之间的空隙进入,也通过这样的预涂层5使硫化速度调整层7不直接暴露于硫化气体,因此能够防止意料之外的断线。
接下来,如图2的(d)和图3的(d)所示,通过从各预涂层5上方对环氧系树脂浆料进行丝网印刷然后加热硬化,从而形成硫化气体非渗透性的保护膜6,其覆盖各硫化检测导体3的一部分和各电阻体4的整体。在该保护膜6中形成有使各硫化检测导体3的硫化检测部3a露出的3个窗孔6a,并在相邻的窗孔6a的之间形成有带状的隔离部6b。各窗孔6a形成得比在硫化检测导体3上重叠的预涂层5的端部稍大,即使在由树脂材料构成的保护膜6出现印刷流挂(树脂流),该印刷流挂也是出现在预涂层5的端部。因此,在保护膜6出现的印刷流挂不到达硫化检测部3a,硫化检测部3a的大小通过不出现印刷流挂的预涂层5而被高精度地设定。另外,各表面电极2和各电阻体4的连接部也通过保护膜6覆盖,但是此时刻各表面电极2的其余的端部不由保护膜6覆盖而露出。
接下来,如图3的(e)和图4的(e)所示,通过对丙烯系树脂浆料和聚氨酯系树脂浆料以及硅树脂浆料以不同顺序进行丝网印刷然后加热硬化,从而形成分别将在保护膜6的各窗孔6a内露出的硫化检测部3a覆盖的3个硫化速度调整层7(第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B以及第三硫化速度调整层7C)。此时,由于隔离部6b介于保护膜6的相邻的窗孔6a之间,所以能够通过隔离部6b可靠地防止由不同种材料构成的硫化速度调整层7的树脂浆料之间的混合。另外,在如此地形成3种硫化速度调整层7的情况下,虽然需要3次对规定的树脂浆料进行丝网印刷然后加热硬化的工序,但是由于树脂浆料的加热硬化温度低(约200℃)且加热硬化时间也短(约15分钟),所以能够容易地形成各硫化速度调整层7。
接下来,将大尺寸基板20A沿着一次分割槽一次分割为窄条状基板20B,然后,通过在窄条状基板20B的分割面溅射Ni/Cr。如图3的(f)和图4的(f)所示,形成将在窄条状基板20B的相对的两个长边侧间隔排列的表面电极2和背面电极8之间连接的端面电极9。另外,也可以取代在窄条状基板20B的分割面溅射Ni/Cr,而通过涂覆Ag系浆料然后加热硬化而形成端面电极9。
接下来,将窄条状基板20B沿着二次分割槽二次分割为多个片体状基板20C,对这些片体状基板20C实施电镀并按照顺序形成Ni镀层和Sn镀层。由此,如图3的(g)和图4的(g)所示,在从保护膜6露出的表面电极2的表面和背面电极8以及端面电极9的表面形成外部电极10,完成图1、2所示的硫化检测电阻器100。
图5是示出在将本实施方式例涉及的硫化检测电阻器100配置在硫化气体环境中的情况下的累积硫化量与电阻值的关系的说明图。如图5所示,在硫化检测电阻器100暴露在硫化气体之前的初始状态中,因为由2个电阻体4和硫化检测导体3构成的1组的串联电路部处于呈3组并联地连接在一对表面电极2之间的状态,所以各电阻体4的电阻值R例如为500Ω时,硫化检测电阻器100的初始电阻值为R0=(2×R/3)≒333Ω。
当该硫化检测电阻器100被配置在含有硫化气体的环境中时,由于将硫化检测导体3的硫化检测部3a覆盖的3种硫化速度调整层7(第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B以及第三硫化速度调整层7C)与硫化气体接触,所以随着累积硫化量增加,各硫化检测部3a被阶段性地硫化。具体地,由硅树脂构成的第三硫化速度调整层7C具有吸收且保留硫化气体中硫化成分的性质,因此,首先,由第三硫化速度调整层7C覆盖的硫化检测导体3断线,并变成只剩下由第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B覆盖的2个硫化检测导体3导通。因此,在这些硫化检测导体3的两端连接的4个电阻体4变成在一对表面电极2之间并联连接的状态,硫化检测电阻器100的电阻值为R1=(2×R/2)=500Ω。
这样地,在由第三硫化速度调整层7C覆盖的硫化检测导体3断线之后,当累积硫化量继续增加时,其余的2个硫化检测导体3中,硫化速度的延缓量小的硫化检测导体3断线。具体地,由丙烯系树脂构成的第一硫化速度调整层7A与由聚氨酯系树脂构成的第二硫化速度调整层7B相比,使硫化检测部3a的硫化速度大幅减慢,因此由第二硫化速度调整层7B覆盖的硫化检测导体3断线,并变成只剩下由第一硫化速度调整层7A覆盖的1个硫化检测导体3导通。因此,变成只有在由第一硫化速度调整层7A覆盖的硫化检测导体3的两端连接的2个电阻体4在一对表面电极2之间连接的状态,硫化检测电阻器100的电阻值为2×R=1000Ω(1KΩ)。而且,当累积硫化量进一步增加从而由第一硫化速度调整层7A覆盖的硫化检测导体3也断线时,硫化检测电阻器100电阻值为开路状态。
另外,当不便像这样使硫化检测电阻器100呈开路状态的情况下,在成对的表面电极2之间并联连接的多组串联电路部(硫化检测导体3和电阻体4)之中,用硫化气体非渗透性保护膜覆盖1组的串联电路部的硫化检测导体3,并且用硫化速度调整层7覆盖其余全部的串联电路部的硫化检测导体3即可。这样一来,在由硫化速度调整层7覆盖的全部的硫化检测导体3阶段性地断线之后,也能够通过由硫化气体非渗透性保护膜覆盖的余下的1个硫化检测导体3维持一对表面电极2之间的导通状态。
如以上所说明的,在本实施方式例涉及的硫化检测电阻器100中,将串联连接的硫化检测导体3和电阻体4作为1组,并且采用将该串联电路部多组并联的连接在一对表面电极2之间的结构,并且这些电阻体4的整体和各硫化检测导体3的一部分被硫化气体非渗透性保护膜6覆盖,并且,用硫化速度调整层7(第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B以及第三硫化速度调整层7C)选择性地覆盖从保护膜6的窗孔6a露出的各硫化检测导体3的硫化检测部3a,从而设定为各组的硫化检测导体3由所累积的硫化量引起断线的时刻不同,因此一对表面电极2之间的电阻值变化呈阶段性地变化,能够准确且容易地检测硫化的程度。
此外,在本实施方式例涉及的硫化检测电阻器100中,覆盖硫化检测部3a的多种硫化速度调整层7之中,第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B由丙烯系树脂、聚氨酯系树脂等的具有硫化气体渗透性树脂材料形成,因为由这些第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B覆盖的硫化检测部3a的硫化速度被减慢,所以能够基于第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B的硫化气体渗透率的差异改变与之对应的硫化检测部3a的断线时刻,或者能够与不用硫化速度调整层7覆盖的硫化检测部3a相比将断线时刻延后。
此外,在本实施方式例涉及的硫化检测电阻器100中,覆盖硫化检测部3a的多种硫化速度调整层7之中,第三硫化速度调整层7C由加快硫化检测部3a的硫化速度的硅树脂形成,并且下侧的硫化检测部3a通过硅树脂中吸收的硫化成分被快速硫化,因此能够与由第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B覆盖的硫化检测部3a,或不用硫化速度调整层7覆盖的硫化检测部3a相比将断线时刻提前。
此外,在本实施方式例涉及的硫化检测电阻器100中,使在保护膜6并排配置的多个硫化检测部3a露出且形成窗孔6a,并且形成有介于相邻的窗孔6a之间的带状隔离部6b,因此在形成将各窗孔6a内露出的硫化检测部3a分别覆盖的硫化速度调整层7(第一硫化速度调整层7A和第二硫化速度调整层7B以及第三硫化速度调整层7C)时,能够通过隔离部6b可靠地防止由不同种材料构成的硫化速度调整层7的树脂浆料之间的混合。
此外,在本实施方式例涉及的硫化检测电阻器100中,由玻璃材料构成的预涂层5介于电阻体4与保护膜6之间,并且该预涂层5的一端部从保护膜6向窗孔6a内突出从而划定硫化检测部3a,因此不会出现由树脂材料制成的保护膜6的印刷流挂(树脂流)导致的检测部3a的大小参差不齐,能够高精度地设定硫化检测部3a的大小。
另外,在一对表面电极2之间并联连接的硫化检测导体3和电阻体4的串联电路部,不限于本实施方式例那样的3组也可以是2组或4组以上。此外,在上述实施方式例中,虽然构成为各组的硫化检测导体3的硫化检测部3a全部由硫化速度调整层7覆盖,但是也可以不必由硫化速度调整层7覆盖全部的硫化检测部3a,例如,也可以为:由丙烯系树脂或硅树脂形成的硫化速度调整层7覆盖2个硫化检测部3a的一个,使另一个硫化检测部3a不由硫化速度调整层7覆盖而露出外部。此外,在上述实施方式例中,虽然在硫化检测导体3的两侧连接2个电阻体4而构成1组的串联电路部,但是也可以省略一侧的电阻体4,由硫化检测导体3和1个电阻体4构成1组的串联电路部。
此外,在上述实施方式例中,多个硫化检测导体3由同一工序统一形成,因此各硫化检测导体3的材料组成、膜厚全部相同,但是多个硫化检测导体3彼此的材料组成和膜厚的至少一个也可以不同。这样,则由于多种硫化检测导体3其彼此自身的硫化速度不同,因此通过将多种硫化检测导体3和多种硫化速度调整层7组合,从而能够增加各组的硫化检测导体3的断线时刻的变化。
附图标记说明
1:绝缘基板
2:表面电极
3:硫化检测导体
3a:硫化检测部
4:电阻体
5:预涂层
6:保护膜
6a:窗孔
6b:隔离部
7:硫化速度调整层
7A:第一硫化速度调整层
7B:第二硫化速度调整层
7C:第三硫化速度调整层
8:背面电极
9:端面电极
10:外部电极
100:硫化检测电阻器
Claims (6)
1.一种硫化检测电阻器,其特征在于,具有:
长方体形状的绝缘基板,
一对表面电极,其形成在所述绝缘基板的主面的相向的两端部,
多个硫化检测导体,其并排配置在所述一对表面电极之间,
多个电阻体,其连接在所述一对表面电极的至少一个与所述多个硫化检测导体之间,以及
硫化气体非渗透性保护膜,其覆盖所述多个电阻体的整体和所述多个硫化检测导体的一部分,
所述多个硫化检测导体具有从所述保护膜露出的硫化检测部,通过用由硫化速度调整层选择性地覆盖这些硫化检测部,从而设定成根据所述多个硫化检测部累积的硫化量而断线的时刻各不相同。
2.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述硫化速度调整层由加快所述硫化检测部的硫化速度的硅树脂制成。
3.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述硫化速度调整层由减慢所述硫化检测部的硫化速度的硫化气体渗透性树脂构成。
4.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述保护膜具有隔离部,其介于并排配置的所述多个硫化检测部之间。
5.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
由玻璃材料制成的预涂层介于所述电阻体和所述保护膜之间,所述预涂层的一端部从所述保护膜突出而划定所述硫化检测部。
6.根据权利要求1所述的硫化检测电阻中,其特征在于,
所述多个硫化检测导体在彼此的材料组成和膜厚中至少一者不同。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-234072 | 2019-12-25 | ||
JP2019234072A JP7368225B2 (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 硫化検出抵抗器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113035476A true CN113035476A (zh) | 2021-06-25 |
CN113035476B CN113035476B (zh) | 2022-11-25 |
Family
ID=76459165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011534878.5A Active CN113035476B (zh) | 2019-12-25 | 2020-12-23 | 硫化检测电阻器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11506594B2 (zh) |
JP (1) | JP7368225B2 (zh) |
CN (1) | CN113035476B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113899791A (zh) * | 2021-09-16 | 2022-01-07 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) | 电极传感器及其制备方法、检测系统和检测方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7283983B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2023-05-30 | Koa株式会社 | 硫化検出センサ |
US11754490B2 (en) * | 2019-09-05 | 2023-09-12 | Dell Products L.P. | System and method for sensing corrosion in an enclosure of an information handling system |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101776631A (zh) * | 2009-01-13 | 2010-07-14 | 日东电工株式会社 | 物质检测传感器 |
CN202533402U (zh) * | 2012-05-04 | 2012-11-14 | 山东电力研究院 | 大气环境污染物腐蚀监测传感器 |
JP2014153089A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 金属の腐食検知方法、腐食検知装置、および、その製造方法 |
JP2015017842A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 太平洋セメント株式会社 | 腐食検出装置および腐食検出方法 |
KR20160031759A (ko) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | (주)유민에쓰티 | 폴리우레탄 폼을 이용한 테이프형 가스 감지 센서 |
US20160247610A1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing the same |
US20180174720A1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | National Cheng Kung University | Methods of Fabricating Chip Resistors Using Aluminum Terminal Electrodes |
CN110114842A (zh) * | 2016-12-27 | 2019-08-09 | 罗姆股份有限公司 | 片式电阻器及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383451B1 (en) | 1999-09-09 | 2002-05-07 | Korea Gas Corporation | Electric resistance sensor for measuring corrosion rate |
WO2008125878A1 (en) | 2007-04-16 | 2008-10-23 | Bae Systems Plc | Corrosion sensors |
JP2009250611A (ja) | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Taiyosha Electric Co Ltd | 硫化検出センサ、硫化検出回路及び硫化検出センサの製造方法 |
JP2012132718A (ja) | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | コーティング剤の腐食性ガス耐性評価方法および評価装置 |
JP6148286B2 (ja) | 2015-06-04 | 2017-06-14 | ファナック株式会社 | 基板の腐食検出回路及びそれを具備したモータ駆動装置 |
-
2019
- 2019-12-25 JP JP2019234072A patent/JP7368225B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-04 US US17/112,493 patent/US11506594B2/en active Active
- 2020-12-23 CN CN202011534878.5A patent/CN113035476B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101776631A (zh) * | 2009-01-13 | 2010-07-14 | 日东电工株式会社 | 物质检测传感器 |
CN202533402U (zh) * | 2012-05-04 | 2012-11-14 | 山东电力研究院 | 大气环境污染物腐蚀监测传感器 |
JP2014153089A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 金属の腐食検知方法、腐食検知装置、および、その製造方法 |
JP2015017842A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 太平洋セメント株式会社 | 腐食検出装置および腐食検出方法 |
KR20160031759A (ko) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | (주)유민에쓰티 | 폴리우레탄 폼을 이용한 테이프형 가스 감지 센서 |
US20160247610A1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing the same |
US20180174720A1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | National Cheng Kung University | Methods of Fabricating Chip Resistors Using Aluminum Terminal Electrodes |
CN110114842A (zh) * | 2016-12-27 | 2019-08-09 | 罗姆股份有限公司 | 片式电阻器及其制造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113899791A (zh) * | 2021-09-16 | 2022-01-07 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) | 电极传感器及其制备方法、检测系统和检测方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210199562A1 (en) | 2021-07-01 |
CN113035476B (zh) | 2022-11-25 |
US11506594B2 (en) | 2022-11-22 |
JP7368225B2 (ja) | 2023-10-24 |
JP2021103724A (ja) | 2021-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |