CN115524367A - 硫化检测传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够准确且容易地检测硫化程度的硫化检测传感器。硫化检测传感器(10)具有：长方体形状的绝缘基板(1)；电阻体(2)，其形成为与绝缘基板(1)的表面密合；硫化检测导体(3)，其形成为与电阻体(2)的表面密合；硫化气体非透过性的保护层(4)，其形成为覆盖硫化检测导体(3)的一部分；以及一对电极部(6)，其形成在绝缘基板(1)的两端部并与电阻体(2)和硫化检测导体(3)连接，硫化检测导体(3)由比电阻体(2)的电阻值低的金属构成，并且具有未被保护层(4)覆盖而暴露于外部的露出部(3a)。

Description

硫化检测传感器
技术领域
本发明涉及检测腐蚀环境所累积的硫化量的硫化检测传感器。
背景技术
作为片式电阻器等的电子部件的内部电极，一般使用电阻率低的Ag(银)系电极材料，但是由于银暴露在硫化气体中会成为硫化银，而硫化银又是绝缘体，所以会导致发生电子部件断线的故障。因此，近年来采取了在Ag中添加Pd(钯)、Au(金)以形成不易硫化的电极，或将电极做成硫化气体不易到达抵达的构造等应对硫化的方法。
然而，即使对电子部件采取了这样的应对硫化的方法，在该电子部件在硫化气体中长时间暴露、或暴露在高浓度的硫化气体的情况下，由于难以彻底防止断线，所以需要断线前就对其进行检测从而防止在意外时刻发生故障。
因此迄今为止，提出了如专利文献1所述那样的硫化检测传感器，其检测电子部件所累积的硫化程度，能在电子部件出现硫化断线等故障之前检测危险。专利文献1中所记载的硫化检测传感器构成为：在绝缘基板上形成以Ag为主体的硫化检测导体，以覆盖该硫化检测导体的方式形成透明且具有硫化气体透过性的保护膜，并在绝缘基板的两侧端部形成有与硫化检测导体连接的端面电极。
将如此构成的硫化检测传感器与其他的电子部件一起安装在电路基板上之后，当在含有硫化气体的环境中使用该电路基板时，硫化气体透过硫化检测传感器的保护膜而与硫化检测导体接触，因此硫化检测导体的颜色对应硫化气体的浓度和经过时间而变化。此外，随着进一步硫化，构成硫化检测导体的银变成硫化银，从而使硫化检测传感器的电阻值逐渐升高，并最终断线。由此，通过透过保护膜目测硫化检测导体的颜色变化，或者检测向硫化检测传感器的上表面照射光后自硫化检测导体反射的光，或者检测硫化检测导体的电阻值变化，从而能够检测硫化程度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-250611号公报。
发明要解决的问题
但是，由硫化气体所引起的硫化检测导体的颜色变化较为微妙，难以通过操作人员的目测准确地检测硫化程度，即使基于由硫化检测导体反射的光来检测硫化程度，也另外需要用于检测的大规模的设备。
此外，在检测硫化检测导体的电阻值的变化的情况下，由于硫化检测导体是以电阻率低的Ag等为主体的导体，所以硫化检测导体从硫化到断线为止的时间内的阻值变化极小，难以基于在这段时间的硫化检测导体的电阻值变化来准确地检测硫化程度。
发明内容
本发明鉴于这样的现有技术的实际情况而完成，其目的在于提供一种能够准确且容易地检测硫化程度的硫化检测传感器。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的硫化检测传感器的特征在于，具有：长方体形状的绝缘基板；电阻体，其设置在所述绝缘基板的主面上；硫化检测导体，其设置在所述电阻体上，通过硫化气体而被硫化；硫化气体非透过性的保护层，其覆盖所述硫化检测导体的一部分的方式设置；以及一对电极部，其设置在所述绝缘基板的两端部，与所述电阻体和所述硫化检测导体连接，所述硫化检测导体由比所述电阻体的电阻值低的金属构成，并且具有未被所述保护层覆盖而暴露于外部的露出部。
在这样构成的硫化检测传感器中，通过电阻体确保一对电极部之间始终导通，当暴露在含有硫化气体的环境中而不断地硫化时，在电阻体上设置的硫化检测导体从未被保护层覆盖而暴露于外部的露出部开始硫化后，由于硫化向被保护层覆盖的内部进展，因此在一对电极部之间流动的电流路径根据硫化检测导体的硫化程度发生变化。由此，能够随着硫化检测导体的硫化程度，使电阻体的电阻值连续地变化，能够准确且容易地检测硫化程度。
在上述结构的硫化检测传感器中，硫化检测导体可以形成为覆盖电阻体的整个，但是如果电阻体构成为具有未被硫化检测导体覆盖的调整区域，在该调整区域形成有调整电阻值用的调整槽，并且调整区域被保护层的一部分覆盖，则不仅能够通过调整槽提高电阻体的初始电阻值，还能够实现温度特性(TCR)良好的硫化检测传感器。
此外，在上述结构的硫化检测传感器中，可以由单一材料构成硫化检测导体，但是如果硫化检测导体由第一硫化检测导体和第二硫化检测导体构成，其中，第一硫化检测导体和第二硫化检测导体由气体选择性不同的不同种材料构成，并且这些第一硫化检测导体和第二硫化检测导体分别具有露出部，能够与使用环境中包含的硫化气体的种类无关地准确检测硫化程度。
即，硫化气体根据构成硫化检测导体的金属的种类而具有不同的反应性，例如，银(Ag)与硫化氢(H2S)易于反应但与二氧化硫(SO2)的反应性低，镍(Ni)与二氧化硫(SO2)容易反应但与硫化氢(H2S)的反应性低，因此，如果第一硫化检测导体和第二硫化检测中的一者由Ag构成、另一者由Ni构成，则能够实现可对应不同种类的硫化气体的多类型的硫化检测传感器。另外，铜(Cu)是与硫化氢(H2S)和二氧化硫(SO2)两者都易于反应的材料，因此，即使仅使用铜(Cu)也能得到多类型的硫化检测传感器，但是，通过与上述的Ag材料和Ni材料那样气体选择性彼此不同的、与目标硫化气体的反应性高的材料进行组合，从而与仅使用铜(Cu)形成硫化检测导体的情况相比，能够提高检测精度。
在这种情况下，优选地，电阻体具有未被第一硫化检测导体和第二硫化检测导体覆盖的露出区域，并且在该露出区域上设置中间保护层，第一硫化检测导体的露出部和第二硫化检测导体的露出部配置在夹着中间保护层的位置。
此外，在上述结构的硫化检测传感器中，电阻体和硫化检测导体可以是使用丝网印刷等形成为厚膜的金属釉，但是如果这些电阻体和硫化检测导体是使用溅射等形成为薄膜的金属膜，则不会产生电阻体和硫化检测导体的膜厚偏差，能够提高检测精度。
在这种情况下，优选地，如果绝缘基板由氧化铝基板构成，并且电阻体为利用溅射在氧化铝基板的表面形成的Ni-Cr金属膜，则通过该金属膜中的Cr提高与氧化铝基板的结合力，并且通过Ni提高与硫化检测导体(Ag、Cu、Ni等)的密合性。
此外，在上述结构的硫化检测传感器中，优选地，保护层由内涂层和外涂层构成，所述内涂层由形成在硫化检测导体上的玻璃材料构成，所述外涂层由形成在该内涂层上的树脂材料构成，电极部覆盖硫化检测导体的端部且与外涂层密合。当设置为这样的结构时，由于提高了电极部与由树脂材料构成的外涂层的密合性，因此能够抑制被电极部覆盖的硫化检测导体的端部的硫化，除此之外，由于在由树脂材料构成的外涂层的下方设置有不透过硫化气体的内涂层，因此能够防止硫化检测导体的被保护层覆盖的部分与透过外涂层的硫化气体发生反应而硫化。
发明效果
根据本发明的硫化检测传感器，能够准确且容易地检测硫化程度。
附图说明
图1是第一实施方式所涉及的硫化检测传感器的俯视图。
图2是沿图1的II-II线的剖视图。
图3是表示该硫化检测传感器的制造工序的俯视图。
图4是表示该硫化检测传感器的制造工序的剖视图。
图5是表示该硫化检测传感器中的电流路径的变化的说明图。
图6是表示该硫化检测传感器中的经过时间和电阻值的关系的说明图。
图7是第二实施方式所涉及的硫化检测传感器的俯视图。
图8是沿图7的VIII-VIII线的剖视图。
图9是第三实施方式所涉及的硫化检测传感器的俯视图。
图10是沿图9的X-X线的剖视图。
图11是第四实施方式所涉及的硫化检测传感器的俯视图。
图12是沿图11的XII-XII线的剖视图。
具体实施方式
接下来，参照附图并对发明的实施方式进行说明。
图1是本发明的第一实施方式所涉及的硫化检测传感器的俯视图，图2是沿图1的II-II线的剖视图。如图1和图2所示，第一实施方式所涉及的硫化检测传感器10主要构成为：长方体形状的绝缘基板1；电阻体2，其形成为与绝缘基板1的表面密合；硫化检测导体3，其形成为与电阻体2的表面密合；硫化气体非透过性的保护层4，其形成为覆盖硫化检测导体3的一部分；一对背面电极5，其形成在绝缘基板1的背面的长度方向的两端部；以及一对电极部6，其形成在绝缘基板1的长度方向的两端部。
绝缘基板1是将后述的大尺寸基板沿纵横的分割槽分割成多个而得到的，大尺寸基板是以氧化铝为主要成分(纯度96％)的氧化铝基板。
电阻体2由利用溅射、蒸镀等在绝缘基板(氧化铝基板)1的表面形成为薄膜的Ni-Cr金属膜构成。电阻体2在绝缘基板1的整个表面上形成为长方形，电阻体2的两端部分别与一对电极部6连接。
硫化检测导体3由利用溅射、蒸镀等在电阻体2的表面形成为薄膜的Cu、Ag或Ni等金属膜构成，该金属膜的电阻值与构成电阻体2的金属膜的电阻值相比非常小(例如，电阻体为数KΩ、硫化检测导体为数十mΩ)。硫化检测导体3在电阻体2的整个表面上形成为长方形，硫化检测导体3的两端部分别与一对电极部6连接。
保护层4由具有不透过硫化气体的性质的绝缘材料形成，例如，形成为由玻璃材料构成的内涂层和由树脂材料构成的外涂层层叠而成的双层结构。保护层4形成在除硫化检测导体3的中央部和两端部以外的两处，没有被这些保护层4覆盖的硫化检测导体3的中央部形成暴露于外部的露出部3a。
背面电极5由利用溅射在绝缘基板(氧化铝基板)1的背面形成为薄膜的Cr-Cu或Cr-Ni-Cu的金属膜构成，一对背面电极5形成在绝缘基板1的背面的长度方向的两端部。另外，也可以将背面电极5形成为厚膜来代替形成为薄膜，在该情况下，只要丝网印刷Ag系浆料、Cu系浆料，并进行干燥·烧结即可。
电极部6由以下构成：截面为匚字形的端面电极7，其将从保护层4露出的硫化检测导体3的端部与背面电极5之间导通；以覆盖端面电极7的方式依次形成的中间电极8和外部电极9。端面电极7是在绝缘基板1的端面溅射Ni/Cr而成的，中间电极8是通过电解电镀形成的镀Ni层，外部电极9是通过电解电镀形成的镀Sn层。
接着，使用图3和图4，对这样构成的硫化检测传感器10的制造工序进行说明。另外，图3的(a)～(f)是从正面观察该制造工序中使用的大尺寸基板的俯视图，图4的(a)～(f)分别是沿图3的(a)～(f)的长度方向中央部的相当于一个片体的剖视图。
首先，如图3的(a)和图4的(a)所示，准备可以制取多个绝缘基板1的大尺寸基板1A。在该大尺寸基板1A预先以格子状设置一次分割槽和二次分割槽，通过两种分割槽划分出的一个一个的格子成为一个片体区域。虽然在图3和图4中以相当于一个片体区域的大尺寸基板1A为代表而示出，但实际上，对相当于多个片体区域的大尺寸基板1A统一进行以下说明的各工序。
即，在该大尺寸基板1A的表面溅射Ni-Cr后，从其上方溅射Cu等而形成双层结构的金属膜。然后，通过利用光刻将这些金属膜图案化成矩形，从而如图3的(b)和图4的(b)所示，形成在大尺寸基板1A的表面密合的电阻体2、以及在电阻体2的表面密合的硫化检测导体3。
接着，通过从掩膜的上方将Cr-Cu或Cr-Ni-Cu溅射(掩膜溅射)在大尺寸基板1A的背面，从而如图3的(c)和图4的(c)所示，在大尺寸基板1A的背面形成具有规定间隔的相向的背面电极5。
接着，从大尺寸基板1A的表面侧利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法、溅射法形成SiO2膜，或者丝网印刷玻璃浆料并进行干燥·烧结而形成内涂层后，从内涂层的上方丝网印刷环氧树脂、酚醛树脂并进行加热固化而形成外涂层，从而如图3的(d)和图4的(d)所示，形成将硫化检测导体3的两端部和中央部以外的部分覆盖的保护层4。
接着，在沿一次分割槽将大尺寸基板1A一次分割成窄条状基板1B之后，在窄条状基板1B的分割面溅射Ni/Cr，从而如图3的(e)和图4的(e)所示，在窄条状基板1B的两端部形成将硫化检测导体3与背面电极5之间连接的端面电极7。该端面电极7不仅与从保护层4露出的硫化检测导体3的端部连接，还与被硫化检测导体3覆盖的电阻体2的端面连接。
接着，在沿二次分割槽将窄条状基板1B二次分割成多个片体状基板1C后，对这些片体状基板1C实施电解电镀，并依次形成由镀Ni层构成的中间电极8、以及由镀Sn层形成的外部电极9。由此，如图3的(f)和图4的(f)所示，在片体状基板1C的两端部形成由端面电极7、中间电极8和外部电极9构成的电极部6，并完成图1、2所示的硫化检测传感器10。
图5是表示将本实施方式所涉及的硫化检测传感器10配置在硫化气体环境中的情况下的电流路径的变化的说明图，图6是表示将硫化检测传感器10配置在硫化气体环境中的情况下的经过时间与电阻值的关系的说明图。
在硫化检测传感器10暴露在硫化气体前的初始状态下，由于电阻体2的整个表面被硫化检测导体3覆盖，这些电阻体2与硫化检测导体3的两端部与一对电极部6连接，因此，如图5的(a)的箭头X1所示，在一对电极部之间流动的电流流经硫化检测导体3，其中，硫化检测导体3的电阻值明显小于电阻体2的电阻值。
当将该硫化检测传感器10配置在含有硫化气体的环境中时，由于未被保护层4覆盖而暴露在外部的硫化检测导体3的露出部3a与硫化气体接触，因此，随着时间的推移，从露出部3a开始硫化，然后硫化向被保护层4覆盖的硫化检测导体3的内部进展。由此，如图5的(b)的箭头X2所示，电流路径变为：从硫化检测导体3的一侧的未硫化部分，经由电阻体2，再到另一侧的未硫化部分，伴随于此，一对电极部之间的电阻值如图6所示的那样变化。即，硫化检测传感器10的电阻值以平缓的曲线上升，直到硫化检测导体3的露出部3a被硫化的时刻(T1)，然后随着硫化向硫化检测导体3的内部进展，硫化检测传感器10的电阻值以线性上升，并在硫化检测导体3全部被硫化的时刻(T2)达到固定值(电阻体2的电阻值)。由此，在图6中以符号S表示的阈值内，随着硫化检测导体3的硫化程度，电阻体2的电阻值连续地变化，从而能够准确且容易地检测硫化程度。
如上述说明，在第一实施方式所涉及的硫化检测传感器10中，通过在绝缘基板1上形成的电阻体2，可以确保一对电极部6之间始终导通，当暴露在含有硫化气体的环境中发生硫化时，由于在电阻体2上设置的硫化检测导体3从未被保护层4覆盖而暴露于外部的露出部3a开始硫化后，硫化向被保护层4覆盖的内部进展，因此，在一对电极部6之间流动的电流路径根据硫化检测导体3的硫化程度发生变化。由此，能够随着硫化检测导体3的硫化程度，使电阻体2的电阻值连续地变化，能够准确且容易地检测硫化程度。
此外，在第一实施方式所涉及的硫化检测传感器10中，由于电阻体2和硫化检测导体3是使用溅射等而形成为薄膜的金属膜，因此不会产生电阻体2和硫化检测导体3的膜厚偏差，能够提高检测精度。而且，由于电阻体2是在绝缘基板(氧化铝基板)1的表面形成为薄膜的Ni-Cr金属膜，因此，能够通过该金属膜中的Cr来提高与氧化铝基板1的结合力，并且能够通过Ni来提高与由Ag、Cu、Ni等构成的硫化检测导体3的密合性。
另外，虽然Cr起到提高金属膜自身的耐硫化性的作用，但是，由于当金属膜中Cr的含量增多时则机械性变脆，因此优选由Ni-Cr构成的金属膜中的Cr含量在40～60wt％范围内。此外，只要金属膜的主要成分是Ni-Cr即可，只要在能够维持上述功能的范围内，也可以以降低温度特性(TCR)等为目的适当添加钛(Ti)、钨(W)等。
图7是本发明第二实施方式所涉及的硫化检测传感器20的俯视图，图8是沿图7的VIII-VIII线的剖视图，与图1和图2相对应的部分使用相同的附图标记。
如图7和图8所示，在第二实施方式所涉及的硫化检测传感器20中，电阻体2构成为：具有未被硫化检测导体3覆盖的调整区域2a，在该调整区域2a形成有调整电阻值用的调整槽21，并且通过保护层4覆盖调整区域2a。
在这样构成的硫化检测传感器20中，能够通过在调整区域2a形成调整槽21来提高电阻体2的初始电阻值，并且能够实现温度特性(TCR)良好的硫化检测传感器20。另外，调整槽21不限于图示的I形切口形状，也可以是L形切口等其他形状，此外，调整槽21的数量也不限于图示的两条，可以适当地增减。
图9是本发明第三实施方式所涉及的硫化检测传感器30的俯视图，图10是沿图9的X-X线的剖视图，与图1和图2相对应的部分使用相同的附图标记。
如图9和图10所示，在第三实施方式所涉及的硫化检测传感器30中，保护层4由内涂层31和外涂层32构成，内涂层31由形成在硫化检测导体3上的玻璃材料构成，外涂层32由在该内涂层31上形成的树脂材料构成，电极部6构成为覆盖硫化检测导体3的端部且与外涂层32密合。
在这样构成的硫化检测传感器30中，通过保护层4具有由树脂材料构成的外涂层32来提高外涂层32与电极部6的密合性，从而能够抑制被电极部6的端面电极7覆盖的硫化检测导体3的端部的硫化。但是，由于树脂材料具有透过气体的性质，因此当保护层4的整体由树脂材料形成时，位于保护层4的正下方的硫化检测导体3有可能被透过保护层4的硫化气体硫化。因此，通过在由树脂材料构成的外涂层32的下方形成由不透过硫化气体的玻璃材料构成的内涂层31，从而能够防止位于保护层4的正下方的硫化检测导体3与透过外涂层32的硫化气体发生反应而硫化。
图11是本发明第四实施方式所涉及的硫化检测传感器40的俯视图，图12是沿图11的XII-XII线的剖视图，与图1和图2相对应的部分使用相同的附图标记。
如图11和图12所示，在第四实施方式所涉及的硫化检测传感器40中，电阻体2在长度方向的中央部具有露出区域2b，在夹着该露出区域2b的电阻体2上的两个位置形成有第一硫化检测导体41和第二硫化检测导体42。这些第一硫化检测导体41和第二硫化检测导体42由利用溅射、蒸镀等在电阻体2的表面形成为薄膜的不同种材料的金属膜构成，例如，第一硫化检测导体41是Ni的金属膜，第二硫化检测导体42是Ag的金属膜。
在第一硫化检测导体41的中央部形成硫化气体非透过性的保护层4A，第一硫化检测导体41的内侧端部形成未被保护层4A覆盖而暴露于外部的露出部41a。同样地，在第二硫化检测导体42的中央部也形成硫化气体非透过性的保护层4A，第二硫化检测导体42的内侧端部形成未被保护层4A覆盖而暴露于外部的露出部42a。此外，在电阻体2的露出区域2b也形成硫化气体非透过性的中间保护层4B，第一硫化检测导体41的露出部41a与第二硫化检测导体42的露出部42a配置在夹着中间保护层4B的相向位置。
在这样构成的硫化检测传感器40中，由于在电阻体2上形成由气体选择性不同的不同种材料构成的第一硫化检测导体41和第二硫化检测导体42，并且这些第一硫化检测导体41和第二硫化检测导体42分别具有露出部41a、42a，因此能够与使用环境中所包含的硫化气体的种类无关地准确检测硫化程度。
即，硫化气体根据构成硫化检测导体的金属的种类反应性不同，例如，银(Ag)与硫化氢(H2S)易于反应但与二氧化硫(SO2)的反应性低，镍(Ni)与二氧化硫(SO2)容易反应但与硫化氢(H2S)的反应性低，因此，在含有二氧化硫的气体环境中，从以Ni作为材料的第一硫化检测导体41的露出部41a开始硫化，在硫化氢的气体环境中，从以Ag作为材料的第二硫化检测导体42的露出部42a开始硫化，从而能够实现可对应不同种类的硫化气体的多类型的硫化检测传感器40。
另外，铜(Cu)是与硫化氢(H2S)和二氧化硫(SO2)两者都易于反应的材料，因此，即使仅使用铜(Cu)也能得到多类型的硫化检测传感器，但是，通过与上述的Ag材料和Ni材料那样气体选择性彼此不同的、与目标硫化气体的反应性高的材料进行组合，从而与仅使用铜(Cu)形成硫化检测导体的情况相比，能够提高检测精度。
此外，在第四实施方式所涉及的硫化检测传感器40中，电阻体2具有未被第一硫化检测导体41和第二硫化检测导体42覆盖的露出区域2b，并且以覆盖该露出区域2b的方式形成有中间保护层4B，由于第一硫化检测导体41的露出部41a和第二硫化检测导体42的露出部42a配置在夹着中间保护层4B的相向位置，因此通过从掩膜的上方在电阻体2的表面溅射(掩膜溅射)Ni和Ag，能够容易地形成由不同种材料构成的第一硫化检测导体41和第二硫化检测导体42。
另外，在上述各实施方式中，对电阻体2和硫化检测导体3(41、42)是使用溅射等而形成为薄膜的金属膜的情况进行了说明，但是这些电阻体和硫化检测导体也可以由形成为厚膜的金属釉构成。例如，也可以通过丝网印刷Ag-Pd(50％)浆料后对其进行干燥·烧结来形成电阻体，或者通过丝网印刷Cu浆料或Ag浆料后对其进行干燥·烧结来形成硫化检测导体。
附图标记说明
1：绝缘基板；
1A：大尺寸基板；
1B：窄条状基板；
1C：片体状基板；
2：电阻体；
2a：调整区域；
2b：露出区域；
3：硫化检测导体；
3a：露出部；
4、4A：保护层；
4B：中间保护层；
5：背面电极；
6：电极部；
7：端面电极；
8：中间电极；
9：外部电极；
10、20、30、40：硫化检测传感器；
21：调整槽；
31：内涂层；
32：外涂层；
41：第一硫化检测导体；
41a：露出部；
42：第二硫化检测导体；
42a：露出部。

Claims (7)

1.一种硫化检测传感器，其特征在于，具有：
长方体形状的绝缘基板；电阻体，其设置在所述绝缘基板的主面上；硫化检测导体，其设置在所述电阻体上，通过硫化气体而被硫化；硫化气体非透过性的保护层，其以覆盖所述硫化检测导体的一部分的方式设置；以及一对电极部，其设置在所述绝缘基板的两端部，与所述电阻体和所述硫化检测导体连接，
所述硫化检测导体由比所述电阻体的电阻值低的金属构成，并且具有未被所述保护层覆盖而暴露于外部的露出部。
2.根据权利要求1所述的硫化检测传感器，其特征在于，
所述电阻体具有未被所述硫化检测导体覆盖的调整区域，在所述调整区域形成有调整电阻值用的调整槽，并且所述调整区域被所述保护层的一部分覆盖。
3.根据权利要求1所述的硫化检测传感器，其特征在于，
所述硫化检测导体由第一硫化检测导体和第二硫化检测导体构成，所述第一硫化检测导体和所述第二硫化检测导体由气体选择性不同的不同种材料构成，所述第一硫化检测导体和第二硫化检测导体分别具有所述露出部。
4.根据权利要求3所述的硫化检测传感器，其特征在于，
所述电阻体具有未被所述第一硫化检测导体和所述第二硫化检测导体覆盖的露出区域，并且在该露出区域上设置有中间保护层，所述第一硫化检测导体的所述露出部和所述第二硫化检测导体的所述露出部配置在夹着所述中间保护层的位置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的硫化检测传感器，其特征在于，
所述电阻体和所述硫化检测导体分别由形成为薄膜的金属膜构成。
6.根据权利要求5所述的硫化检测传感器，其特征在于，
所述绝缘基板由氧化铝基板构成，所述电阻体是利用溅射在所述氧化铝基板的表面形成的Ni-Cr金属膜。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的硫化检测传感器，其特征在于，
所述保护层由内涂层和外涂层构成，所述内涂层由形成在所述硫化检测导体上的玻璃材料构成，所述外涂层由形成在所述内涂层上的树脂材料构成，所述电极部覆盖所述硫化检测导体的端部且与所述外涂层密合。
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