JP7454443B2 - 硫化検出センサ - Google Patents
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Description
いる。
1,21,41 絶縁基板
2,23,43 第1硫化検出導体
2a,23a,43a 第1硫化検出部
3,24,44 第2硫化検出導体
3a,24a,44a 第2硫化検出部
3a-1,24a-1 突出部
4,27,46 裏電極
5,28,47 端面電極
6,29,48 外部電極
22,42 表電極
25,51 抵抗体
25A 第1の抵抗体
25B 第2の抵抗体
26,52 硫化ガス非透過性の保護膜
31 絶縁層
31a 延出部
45 硫化ガス透過性の保護膜
G ギャップ
Claims (6)
- 直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面における両端部に形成された一対の表電極と、前記一対の表電極間に形成された硫化検出導体と、を備え、
前記硫化検出導体は硫化ガスと反応可能な複数層の硫化検出部を有しており、これら複数層の硫化検出部のうち、上層の硫化検出部が、下層の硫化検出部を覆って電流方向と直交する方向かつ前記絶縁基板の主面と平行な方向へ突出していることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1に記載の硫化検出センサにおいて、
前記複数層の硫化検出部のうち、上層の硫化検出部と下層の硫化検出部は互いのシート抵抗値を異にする材料で形成されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1または2に記載の硫化検出センサにおいて、
前記上層の硫化検出部を規定する一対の硫化ガス非透過性の保護膜と、一方の前記表電極と前記下層の硫化検出部との間に接続された第1の抵抗体と、他方の前記表電極と前記下層の硫化検出部との間に接続された第2の抵抗体と、前記第1の抵抗体の全体を覆う硫化ガス非透過性の絶縁層と、をさらに備え、
前記上層の硫化検出部は前記第2の抵抗体を介して一対の前記表電極に導通されており、前記上層の硫化検出部が、前記絶縁層の一部と前記下層の硫化検出部を覆って電流方向と直交する方向かつ前記絶縁基板の主面と平行な方向へ突出していることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1または2に記載の硫化検出センサにおいて、
前記下層の硫化検出部といずれか一方の前記表電極との間に抵抗体が接続されており、前記抵抗体の全体が硫化ガス非透過性の絶縁層によって覆われていると共に、前記上層の硫化検出部が、前記絶縁層の一部と前記下層の硫化検出部を覆って電流方向と直交する方向かつ前記絶縁基板の主面と平行な方向へ突出していることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1に記載の硫化検出センサにおいて、
前記複数層の硫化検出部が、前記一対の表電極間に所定のギャップを存して配置されて、累積的な硫化量によって前記ギャップ間が短絡する下層の第1硫化検出部と、前記第1硫化検出部を覆うように配置されて、累積的な硫化量によって断線する上層の第2硫化検出部と、を備えていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項5に記載の硫化検出センサにおいて、
前記第1硫化検出部が銅を主成分とする材料からなると共に、前記第2硫化検出部が銀を主成分とする材料からなることを特徴とする硫化検出センサ。
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