JP2021012068A - 硫化検出センサおよび硫化検出センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 表電極
3 抵抗体(発熱体)
4 硫化検出導体
4a 硫化検出部
5 保護膜
6 裏電極
7 端面電極(内部電極)
8 外部電極(外部メッキ層)
9 ガラスコート層
9a 突出部
10 樹脂コート層
11A 大判基板
11B 短冊状基板
11C チップ状基板
12 マスキング樹脂層
30,31,32,33 抵抗体(発熱体)
31a,32a 折返部
41,42 硫化検出導体
41a,42a 硫化検出部
Claims (9)
- 直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面における両端部に形成された一対の表電極と、前記一対の表電極間に形成された発熱体および硫化検出導体と、前記硫化検出導体の一部を覆う保護膜と、を備え、
前記発熱体と前記硫化検出導体とは直列に接続されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1に記載の硫化検出センサにおいて、
前記発熱体は、前記硫化検出導体を挟んだ両側にそれぞれ形成されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1に記載の硫化検出センサにおいて、
前記発熱体は、前記硫化検出導体を包囲するように形成されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1に記載の硫化検出センサにおいて、
前記硫化検出導体は、前記発熱体を挟んだ両側にそれぞれ形成されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1に記載の硫化検出センサにおいて、
前記発熱体は前記絶縁基板の主面に形成された抵抗体であり、前記保護膜が、前記抵抗体を覆うガラスコート層と、該ガラスコート層を覆う樹脂コート層とで構成されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項5に記載の硫化検出センサにおいて、
前記抵抗体が前記硫化検出導体を挟んだ両側にそれぞれ形成されており、これら両抵抗体に抵抗値調整用のトリミング溝が形成されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項6に記載の硫化検出センサにおいて、
前記ガラスコート層が、前記樹脂コート層から突出して前記硫化検出導体の端部に重なる突出部を有していることを特徴とする硫化検出センサ。 - 絶縁材料からなる大判基板の主面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する工程と、
前記一対の表電極間に硫化検出導体を形成する工程と、
前記硫化検出導体の両端部と前記表電極を接続する一対の抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体の全体を覆うと共に前記硫化検出導体の端部側にはみ出る突出部を有するガラスコート層を形成する工程と、
前記突出部を除いて前記ガラスコート層を覆うように樹脂コート層を形成する工程と、
前記硫化検出導体の硫化検出部を覆うと共に前記突出部に重なる部分にマスキング樹脂層を形成する工程と、
前記マスキング樹脂層を形成した後に、前記樹脂コート層から露出する前記表電極上にスパッタにより内部電極を形成する工程と、
前記内部電極の表面に外部メッキ層を形成する工程と、
前記外部メッキ層を形成した後に、前記マスキング樹脂層を剥離して前記硫化検出部を外部に露出させる工程と、
を含み、
前記突出部上で前記マスキング樹脂層が前記樹脂コート層から離間していることを特徴とする硫化検出センサの製造方法。 - 請求項8に記載の硫化検出センサの製造方法において、
前記マスキング樹脂層は前記樹脂コート層の表面高さに対して低くなるように形成されていることを特徴とする硫化検出センサの製造方法。
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