WO2022259423A1

WO2022259423A1 - センサ、および、当該センサを備える電気機器

Info

Publication number: WO2022259423A1
Application number: PCT/JP2021/021924
Authority: WO
Inventors: 雷蔵前田; 哲夫田中; 修水野
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2021-06-09
Filing date: 2021-06-09
Publication date: 2022-12-15
Also published as: JPWO2022259423A1; JP6999868B1; CN117355738A

Abstract

センサ（１０１）は、３つの構造体（１２１）と、抵抗値を測定する測定器（２０）と、測定器（２０）により測定された抵抗値と、３つの構造体（１２１）の耐食性情報とに基づいて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する解析装置（３１）と、解析装置（３１）により特定された内容を報知する報知装置（４０）と、を備える。３つの構造体は、第１の構造体と、第２の構造体と、第３の構造体と、を含む。３つの構造体（１２１）の耐食性の大小関係は、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なる。第１の環境では、第１の種類の腐食性ガスが存在し、かつ、第２の種類の腐食性ガスが存在しない。第２の環境では、第１の種類の腐食性ガスが存在せず、かつ、第２の種類の腐食性ガスが存在する。第３の環境では、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとが存在する。

Description

センサ、および、当該センサを備える電気機器

　本開示は、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定するセンサ、および、当該センサを備える電気機器に関するものである。

　電気機器が腐食性ガスの存在する環境に設置された場合、時間経過とともに電気機器の腐食が進行し、回路基板などが腐食により損傷する虞がある。一例として、金属配線が腐食により断線する虞がある。このような不具合を未然に防止するために、設置環境における電気機器の腐食の進行度合いを把握するための技術が提案されている。

　たとえば、国際公開第２０２０／０３９６１１号公報（特許文献１）は、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定するための腐食環境モニタリングシステムを開示する。この腐食環境モニタリングシステムは、一方端が閉止され、他方端が開口部とされた通路構造を有する腐食センサを備える。開口部に対する上下面または左右面の一部面は透明基板で形成され、開口部から流入する腐食性ガスと接触する透明基板上の面には金属薄膜が形成されている。腐食センサは、透明基板を透して金属薄膜の変色度合いを確認可能であり、予め観測されている金属薄膜の変色度合いと腐食性ガスの種類との関係から、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。

　たとえば、特開２００６－１０４９７号公報（特許文献２）は、設置環境における腐食性ガスの種類とその濃度とを判定する環境診断ツールを開示する。環境診断ツールは、少なくとも２種類の金属からなり、組成が平面内で連続的に変化した薄膜を備える。この環境診断ツールは、薄膜上における組成の異なる任意の２点（薄膜が３種類の金属からなる場合には任意の３点）の間にある抵抗中立点が腐食に伴い移動する方向と速度とに基づいて、設置環境に存在する腐食性ガスの種類およびその濃度を判定する。

国際公開第２０２０／０３９６１１号公報特開２００６－１０４９７号公報

　特許文献１に開示された技術では、画像処理のためにカメラ等の複雑な装置が必要である。また、特許文献２に開示された技術では、抵抗中立点を測定するための端子が必要である。このように、いずれの技術においても装置が大型化する傾向にあり、小型での電気機器への搭載が難しい。

　また、これらの先行技術は、複数の種類の腐食性ガスがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することを想定していない。

　本開示は、係る実情に鑑みてなされたものであり、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定可能な小型のセンサ、および、当該センサを備える電気機器を提供することを一つの目的とする。

　本開示のある局面に従うセンサは、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。腐食性ガスの種類は、第１の種類と、第２の種類とを少なくとも含む。当該センサは、少なくとも３つの構造体を含むセンサ本体と、少なくとも３つの構造体の各々の抵抗値、または、センサ本体の抵抗値を測定する測定器と、測定器により測定された抵抗値と、少なくとも３つの構造体の環境別の耐食性の大小関係を示す耐食性情報とに基づいて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する解析装置と、解析装置により特定された内容を報知する報知装置と、を備える。少なくとも３つの構造体は、第１の金属材料からなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している第１の構造体と、第１の金属材料とは異なる第２の金属材料からなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している第２の構造体と、第２の金属材料からなる薄膜を含み、当該薄膜の環境に暴露される面がコーティング材で覆われている第３の構造体と、を含む。第１の種類の腐食性ガス、および、第２の種類の腐食性ガスは、第１の金属材料および第２の金属材料をそれぞれ腐食する。少なくとも３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なる。第１の環境では、第１の種類の腐食性ガスが存在し、かつ、第２の種類の腐食性ガスが存在しない。第２の環境では、第１の種類の腐食性ガスが存在せず、かつ、第２の種類の腐食性ガスが存在する。第３の環境では、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとが存在する。

　本開示の他の局面に従う電気機器は、上述のセンサを備える。

　本開示によれば、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定可能な小型のセンサ、および、当該センサを備える電気機器を提供することができる。

実施の形態１に係るセンサを備える電気機器を示す図である。実施の形態１におけるセンサ本体の構成の一例を示す図である。図２の配線４１－第２の構造体１２１Ｂ－配線４２での断面構成の一例を示す図である。実施の形態１に係る第１の構造体または第２の構造体の一例を示す斜視図である。図４のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。実施の形態１に係る第３の構造体の一例を示す斜視図である。図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図である。実施の形態１に係る第１の構造体または第２の構造体の他の例を示す斜視図である。図８のＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。実施の形態１に係る第３の構造体の他の例を示す斜視図である。図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿った断面図である。耐食性情報の一例を示す図である。実施の形態１に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。実施の形態１に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。実施の形態１に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。実施の形態１の変形例における耐食性情報の一例を示す図である。実施の形態２における腐食速度の算出方法を説明するための図である。推定式を作成する際に行われる実験の試験条件の一例を示す図である。実施の形態４に係るセンサを備える電気機器を示す図である。実施の形態４に係る第１の構造体および第２の構造体の一例を示す斜視図である。図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿った断面図である。実施の形態４に係る第３の構造体の一例を示す斜視図である。図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿った断面図である。実施の形態４におけるセンサ本体の構成の一例を示す図である。抵抗値の変化を記録するための処理を示すフローチャートである。実施の形態４に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。実施の形態５に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。実施の形態６におけるセンサ本体の構成の一例を示す図である。実施の形態６に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。

　以下、図面を参照しつつ、各実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品および構成要素には同一の符号を付してある。それらの名称および機能は同じである。したがって、これらについての詳細な説明は繰り返さない。なお、以下で説明される実施の形態および変形例は、適宜選択的に組み合わされてもよい。

　本開示において、腐食性ガスとは、硫黄系ガス、塩素系ガス、窒素酸化物の総称である。硫黄系ガスは、硫黄華（Ｓ_８）とその他硫黄系ガスとに分類される。その他硫黄系ガスは、硫化水素（Ｈ_２Ｓ）や、二酸化硫黄（ＳＯ_２）などを含む。その他硫黄系ガスは「第１の種類」の腐食性ガスの一例であり、硫黄華は「第２の種類」の腐食性ガスの一例である。塩素系ガスは、塩素ガス（Ｃｌ_２）を含む。塩素ガスは、「第３の種類」の腐食性ガスの一例である。窒素酸化物（ＮＯｘ）は、たとえば二酸化窒素（ＮＯ_２）を含む。

　銀（Ａｇ）は、硫黄華および塩素ガスに鋭敏に反応する。銅（Ｃｕ）は、硫化水素、二酸化硫黄、および二酸化窒素に鋭敏に反応する。ニッケル（Ｎｉ）は、二酸化硫黄および塩素ガスに鋭敏に反応する。アルミニウム（Ａｌ）は、二酸化硫黄および塩素ガスに鋭敏に反応する。錫（Ｓｎ）は、塩素ガスに鋭敏に反応する。

　以下では、その他硫黄系ガスが存在し、硫黄華は存在しない環境を「第１の環境」と称し、硫黄華が存在し、その他硫黄系ガスは存在しない環境を「第２の環境」と称し、その他硫黄系ガスと硫黄華とが共存し、その他硫黄系ガスの濃度の方が硫黄華の濃度よりも高い環境を「第３の環境」と称する。

　実施の形態１～５では、環境に存在する腐食性ガスの種類を硫黄系ガスに限定し、硫黄華とその他硫黄系ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定する。これに対し、実施の形態６では、環境に存在する腐食性ガスの種類を硫黄系ガスと塩素ガスとに限定し、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。

　実施の形態１．
　図１は、実施の形態１に係るセンサを備える電気機器を示す図である。図１を参照して、電気機器９００は、たとえばインバータまたはコンバータなどの電力変換装置であるが、電気機器の種類は特に限定されるものではない。電気機器９００は、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ：Programmable　Logic　Controller）、昇降機、発電機、自動車または鉄道などに設置される。このような各種用途での使用環境下において、電気機器９００（より詳細には、電気機器本体９０）では、腐食性ガスにより腐食損傷が生じる可能性がある。

　電気機器９００は、センサ１０１と、電気機器本体９０とを備える。センサ１０１は、電気機器９００（すなわち、センサ１０１）が設置されている環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。センサ１０１は、センサ本体１１と、温湿度センサ１２と、抵抗測定器２０と、記録装置３０（「記憶装置」に相当）と、解析装置３１と、報知装置４０とを備える。

　ここで、図２および図３を参照して、センサ本体１１の構成について説明する。図２は、実施の形態１におけるセンサ本体の構成の一例を示す図である。図３は、図２の配線４１－第２の構造体１２１Ｂ－配線４２での断面構成の一例を示す図である。図３には、配線４１－第２の構造体１２１Ｂ－配線４２での断面構成を示すが、配線４１－第１の構造体１２１Ａ－配線４２での断面構成、および、配線４１－第３の構造体１２１Ｃ－配線４２での断面構成も、図３に示す断面構成と同様である。

　図２および図３を参照して、センサ本体１１は、３つの構造体（第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃ）と、回路基板３と、配線４と、半田５と、端子切替器５２とを備える。以下では、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃを総称して、３つの構造体１２１とも称する。

　第１の構造体１２１Ａは、金属薄膜、詳細には、銅からなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している。銅は、「第１の金属材料」の一例である。銅は、硫黄華とその他硫黄系ガスとのいずれによっても腐食する。ただし、銅は、上述したように、その他硫黄系ガスに鋭敏に反応する。

　第２の構造体１２１Ｂは、金属薄膜、詳細には銀からなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している。銀は、「第２の金属材料」の一例である。銀は、硫黄華とその他硫黄系ガスとのいずれによっても腐食する。ただし、銀は、上述したように、硫黄華に鋭敏に反応する。

　第３の構造体１２１Ｃは、金属薄膜、詳細には銀からなる薄膜を含み、当該薄膜の環境に暴露される面がシリコーン系樹脂で構成されるコーティング材で覆われている。

　３つの構造体１２１の金属薄膜の厚さは、いずれも１０μｍに設定されている。また、コーティング材の厚さも、１０μｍに設定されている。なお、３つの構造体１２１の金属薄膜の厚さは互いに異なっていてもよい。また、金属薄膜の厚さとコーティング材の厚さとは互いに異なっていてもよい。

　回路基板３は、たとえばプリント基板であって、様々な配線および電子部品を実装することが可能に構成されている。

　配線４は、配線４１、３つの配線４２、および配線４３を含む。配線４１、３つの配線４２、および配線４３は、回路基板３上に配置された導体配線である。３つの配線４２は、３つの構造体１２１にそれぞれ対応する。配線４１、各配線４２、および配線４３は、互いに間隔を隔てて配置されている。配線４の材料としては、銅や錫やクロム（Ｃｒ）などを用いることができる。配線４の表面は、レジスト等のガスの透過性がわずかな樹脂でコーティングされていてもよい。

　各構造体は、配線４１と対応する配線４２との間を接続するように配置され、半田５により配線４１，４２上に実装されている。端子切替器５２は、３つの配線４２のうち選択された１または複数の配線４２と配線４３との間を接続するように配置される。配線４１，４３は、抵抗測定器２０（図１参照）に接続される。そのため、端子切替器５２は、各構造体と抵抗測定器２０（図１参照）とが電気的に接続されている状態と、そうでない状態とを構造体毎に切り替え可能に構成される。これにより、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの各々の抵抗値を測定することができる。

　再び図１を参照して、抵抗測定器２０は、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの各々の抵抗値を測定する。抵抗測定器２０により測定された抵抗値は、記録装置３０により記憶される。図１に示す例では、あらかじめ定められた電圧が、電気機器本体９０からセンサ本体１１の両端間（すなわち、配線４１と配線４３との間）に印加される。抵抗測定器２０は、たとえば、電圧計２０１と電流計２０２とを含む。電圧計２０１は、センサ本体１１の両端間に印加された電圧を測定する。電流計２０２は、センサ本体１１を流れる電流を測定する。抵抗測定器２０は、電圧計２０１が示す値と電流計２０２が示す値とに基づいて、電気的に接続されている構造体の抵抗値を算出する。なお、図示しないが、電気機器本体９０とは独立した電源（たとえば、小型電池）によってセンサ本体１１の両端間に電圧が印加されてもよい。

　温湿度センサ１２は、電気機器９００が存在する環境の温度および湿度を測定する。温湿度センサ１２により測定された温湿度は、記録装置３０により記憶される。

　解析装置３１は、たとえば、マイクロプロセッサを含む。解析装置３１は、抵抗測定器２０により測定された抵抗値と、後述する耐食性情報とに基づいて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。なお、解析装置３１は、抵抗測定器２０により測定された抵抗値と、温湿度センサ１２により測定された温湿度と、後述する耐食性情報とに基づいて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定してもよい。解析装置３１により特定された内容は、記録装置３０により記憶される。

　報知装置４０は、液晶ディスプレイまたはＬＥＤ（Light　Emitting　Diode）インジケータなどにより構成される。報知装置４０は、解析装置３１により特定された内容をユーザに報知する。

　記録装置３０は、後述する耐食性情報を記憶している。また、記録装置３０は、抵抗測定器２０により測定された抵抗値、温湿度センサ１２により測定された温湿度、および、それらの測定時間を対応付けて記憶する。また、記録装置３０は、解析装置３１により特定された内容を記憶する。

　なお、電気機器９００は温湿度センサ１２を備えない場合があってもよい。また、記録装置３０および解析装置３１はセンサ１０１内に設けられるのではなく、電気機器本体９０に設けられてもよい。

　図４～図１１を参照して、３つの構造体の各々の詳細な構成について説明する。

　図４は、実施の形態１に係る第１の構造体または第２の構造体の一例を示す斜視図である。図５は、図４のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。図４および図５を参照して、第１の構造体１２１Ａおよび第２の構造体１２１Ｂの各々は、絶縁基板６と、電極対７と、金属薄膜８とを含む。

　絶縁基板６は、たとえば直方体形状を有する絶縁性の基板である。絶縁基板６の材料として、たとえば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガラス（ＳｉＯ_２）、またはシリコンウェハ（Ｓｉ）を用いることができる。

　電極対７は、一対の電極である第１電極７１と第２電極７２とを含む。第１電極７１は絶縁基板６の１つの側面（図では左側面）と上面の一部とを覆うように配置され、第２電極７２は絶縁基板６の側面のうち第１電極７１が配置された側面の反対側の側面（図では右側面）と上面の一部とを覆うように配置される。第１電極７１および第２電極７２は、導体薄膜であり、たとえば、錫メッキにより形成することができる。また、第１電極７１および第２電極７２は、金属薄膜８と電気的に接続される。

　金属薄膜８は、直方体形状を有する。第１電極７１、金属薄膜８、および第２電極７２がこの順で直列に接続されるように、金属薄膜８は絶縁基板６の上面に配置される。ここで、電流が流れる方向に沿った長さを金属薄膜８の膜長ｌ、電流が流れる方向に対し垂直な方向の長さを金属薄膜８の膜幅ｗ、金属薄膜８の厚さを膜厚ｄ１と定義する。

　このように定義した場合、膜幅ｗおよび膜長ｌの各々は、膜厚ｄ１よりも十分に大きくなるように設定される。一例として、膜厚ｄ１は３μｍ～１２μｍ、膜幅ｗは０．８ｍｍ、膜長ｌは１．６ｍｍに設定される。

　膜幅、膜長、および膜厚をこのような長さに設定することで、これら３つの中で膜厚が最も短くなることから腐食が進行する方向を金属薄膜８の厚さ方向に絞って考えることが可能となる。また、膜幅、膜長、および膜厚をこのような長さに設定することで、センサ１０１（図１参照）の小型化を実現できる。

　図６は、実施の形態１に係る第３の構造体の一例を示す斜視図である。図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図である。図６および図７を参照して、第３の構造体１２１Ｃは、絶縁基板６と、電極対７と、金属薄膜８と、コーティング材ａ１とを含む。第３の構造体１２１Ｃは、コーティング材ａ１を含むこと以外は、第２の構造体１２１Ｂと同じである。

　コーティング材ａ１は、金属薄膜８の環境に暴露される面を覆う。コーティング材ａ１の厚さｄ２は、金属薄膜８の厚さと同じでもよいし、そうでなくともよい。

　コーティング材ａ１は、硫黄華に対して、特異的なガス透過性を示す。これにより、コーティング材ａ１は、硫黄華が存在しない第１の環境においては、被覆している金属薄膜８の腐食速度を減速させ（すなわち、耐食性を高め）、硫黄華が存在する第２の環境および第３の環境においては、被覆している金属薄膜８の腐食速度を加速させる（すなわち、耐食性を低くする）。その結果、第２の構造体１２１Ｂおよび第３の構造体１２１Ｃの耐食性の大小関係は、硫黄華が存在しない環境（第１の環境）と、硫黄華が存在する環境（第２の環境または第３の環境）とでは異なることになる。

　また、銅は銀よりも、その他硫黄系ガスに対し鋭敏に反応する。すなわち、銅は銀よりも、その他硫黄系ガスに対する耐食性が低い。上述の通り、第１の構造体１２１Ａの金属薄膜８は銅からなり、第２の構造体１２１Ｂの金属薄膜８は銀からなる。ゆえに、第１の構造体１２１Ａおよび第２の構造体１２１Ｂの耐食性の大小関係は、その他硫黄系ガスが存在する環境（第１の環境または第３の環境）と、その他硫黄系ガスが存在しない環境（第２の環境）とでは異なることになる。

　したがって、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの耐食性の大小関係は、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なることになる。

　なお、上述の、金属薄膜８の材料、金属薄膜８の膜厚、コーティング材ａ１の材料、およびコーティング材ａ１の厚さは一例にすぎない。これらは、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの耐食性の大小関係が互いに異なるようなものであればよい。

　具体的には、金属薄膜８の材料としては、銀、銅、ニッケル、錫、アルミニウム、または、これらの合金を用いることができる。これらの材料は、主要な酸化物よりも電気抵抗が小さい金属であり、主要な腐食性ガスと反応する。ゆえに、これらの材料は、電気機器９００が暴露された環境に存在する腐食性ガスの種類を特定するための材料として好適である。

　コーティング材ａ１としては、ある種類の腐食性ガスに対して、特異的なガス透過性、もしくは水蒸気透過性を示すものであればよく、たとえば、ウレタン系樹脂で構成されたコーティング材や、アクリル系樹脂で構成されたコーティング材や、エステル系樹脂で構成されたコーティング材や、エポキシ系樹脂で構成されたコーティング材や、寒天であってもよい。ガス透過性として、たとえば、酸素透過性が１０００～４００００［ｃｃ／ｍ^２・ｄａｙ　ａｔ　２０℃（２ｍｍ）］程度であればよい。

　また、図４～図７に示す金属薄膜の形状は一例にすぎない。図８～図１１を参照して、金属薄膜の他の形状について説明する。

　図８は、実施の形態１に係る第１の構造体または第２の構造体の他の例を示す斜視図である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。図１０は、実施の形態１に係る第３の構造体の他の例を示す斜視図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿った断面図である。

　図８～図１１を参照して、他の例において、金属薄膜８は一定間隔で屈曲した蛇行形状を有する。他の例における各構造体は、金属薄膜８が一定間隔で屈曲した蛇行形状であること以外は、図４～図７に示した各構造体と同様である。

　このような場合の一例として、膜長（一端ｅ１から他端ｅ２までの金属薄膜８の物理的な長さ）は１ｍであり、膜幅ｗは０．１ｍｍであり、蛇行形状の間隔ｓは０．１ｍｍ程度である。このような長さの設定により、センサ１０１（図１参照）の小型化を実現できる。また、このような長さの設定および形状により、金属薄膜８の腐食面積が広がることから、センサ１０１の解析精度が高まる。

　以下では、３つの構造体として、図４に示した構造体と図６に示した構造体とを採用する例について代表的に説明するが、３つの構造体として、図８に示した構造体と図１０に示した構造体とを採用する例に適宜読み替えることができる。

　（耐食性情報）
　主に、図１、図２、および図１２を参照して、耐食性情報について説明する。図１２は、耐食性情報の一例を示す図である。耐食性情報は、センサ１０１に含まれる構造体の環境別の耐食性の大小関係を示す。図１２では、環境別に耐食性が低い構造体から順に１、２、３と番号が割り当てられている。

　センサ１０１に含まれる構造体の環境別の耐食性の大小関係は、以下のような方法で算出することができる。ここでは、上述の３つの構造体１２１を例に、環境別の耐食性の大小関係の算出方法について説明する。

　まず、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃを含むセンサ１０１、または、当該センサ１０１を搭載した電気機器９００を、第１の環境、第２の環境、および第３の環境の各々の環境に一定期間曝す。なお、各構造体の初期膜厚は十分に厚め（たとえば、２０μｍ）に設定されているものとする。一定期間とは、たとえば１カ月である。一定期間が経過した後、曝されていた環境毎に、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの各々の金属薄膜８の残存膜厚を測定する。

　残存膜厚とは、金属薄膜８のうち腐食性ガスによって腐食せず、金属状態を維持した部分の膜厚を指す。金属薄膜８の膜厚測定は、実際の残存膜厚を断面観察から計測してもよいし、金属薄膜８の体積と電気抵抗との相関式（後述する式１）から、金属状態を維持した部分の膜厚を計算してもよい。

　次いで、測定した残存膜厚を基に各構造体の金属薄膜８の減少量を算出する。

　一例として、第１の環境に曝されていた第１の構造体１２１Ａの残存膜厚が１０μｍであり、第１の環境に曝されていた第２の構造体１２１Ｂの残存膜厚が１５μｍであり、第１の環境に曝されていた第３の構造体１２１Ｃの残存膜厚が１８μｍであったとする。このような場合には、第１の構造体１２１Ａの金属薄膜８の減少量は２０μｍ－１０μｍ＝１０μｍであり、第２の構造体１２１Ｂの金属薄膜８の減少量は２０μｍ－１５μｍ＝５μｍであり、第３の構造体１２１Ｃの金属薄膜８の減少量は２０μｍ－１８μｍ＝２μｍである。

　初期膜厚からの減少量が多いほど、耐食性は低いといえる。そこで、初期膜厚からの減少量が多い構造体ほど耐食性が低くなるように、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの耐食性の大小関係を決定する。上述の例では、第１の環境においては、３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＜第２の構造体１２１Ｂ＜第３の構造体１２１Ｃと決定することができる。同様に、第２の環境および第３の環境についても、初期膜厚からの減少量を基に、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を決定することができる。

　なお、複数の構造体の耐食性の大小関係は、腐食速度または腐食割合を基に決定してもよい。このような場合には、腐食速度が速い構造体、または、腐食割合が大きい構造体ほど耐食性が低くなるように、複数の構造体の耐食性の大小関係を決定する。

　また、複数の構造体の耐食性の大小関係は、断線状況を基に決定してもよい。このような場合には、断線が早く発生した構造体ほど耐食性が低くなるように、複数の構造体の耐食性の大小関係を決定する。

　本実施の形態においては、このようにして決定された３つの構造体１２１の環境別の耐食性の大小関係を示す情報（すなわち、耐食性情報）が記録装置３０に記憶されている。また、本実施の形態においては、解析装置３１は、実際にセンサ１０１（または電気機器９００）が暴露されている環境下での３つの構造体１２１の腐食速度を算出し、当該腐食速度を基に３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を特定する。そして、解析装置３１は、特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係と、耐食性情報が示す３つの構造体１２１の環境別の耐食性の大小関係とに基づいて、腐食性ガスの種類を特定する。

　なお、図１２に示す３つの構造体１２１の環境別の耐食性の大小関係は一例にすぎない。金属薄膜８の材料、金属薄膜８の膜厚、コーティング材ａ１の材料、およびコーティング材ａ１の厚さが図２に示すものと異なれば、３つの構造体１２１の環境別の耐食性の大小関係は図１２に示す大小関係とは異なる。そのような場合であっても、上述のような方法で３つの構造体１２１の環境別の耐食性の大小関係を決定し、当該大小関係を耐食性情報として記録装置３０に記憶させておけばよい。

　（センサ１０１による処理の詳細）
　主に、図１および図１３～図１５を参照して、センサ１０１による解析処理について説明する。図１３～図１５は、実施の形態１に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。図１３～図１５に示す処理は図示しないメインルーチンからあらかじめ定められた周期で呼び出され、解析装置３１により実行される。各ステップ（以下、Ｓと略す）は、基本的に解析装置３１によるソフトウェア処理によって実現されるが、解析装置３１内に作製された電子回路によるハードウェア処理によって実現されてもよい。

　図１３を参照して、Ｓ１～Ｓ１２は、抵抗値を測定する処理である。解析装置３１は、電気機器９００に内蔵されたマイクロコントローラ等の時間計測装置を用いて、一定時間ごとに抵抗値を測定する。

　Ｓ１～Ｓ４は、第１の構造体１２１Ａの抵抗値を測定する処理である。Ｓ１において、解析装置３１は、端子切替器５２を作動させて端子を切り替える。Ｓ２において、解析装置３１は、第１の構造体１２１Ａと抵抗測定器２０とを電気的に接続する。Ｓ３において、解析装置３１は、抵抗測定器２０を用いて第１の構造体１２１Ａの両端間の抵抗値を測定する。Ｓ４において、解析装置３１は、抵抗値を測定した時間（測定時間）、抵抗測定器２０により測定された抵抗値、および、抵抗値の測定時に温湿度センサ１２により測定された温湿度を、第１の構造体１２１Ａの測定結果として記録装置３０に書き込む。なお、解析装置３１は、抵抗値を測定した時間（測定時間）、および、抵抗測定器２０により測定された抵抗値を、第１の構造体１２１Ａの測定結果として記録装置３０に書き込むのでもよい。

　Ｓ５～Ｓ８は、第２の構造体１２１Ｂの抵抗値を測定する処理である。Ｓ５において、解析装置３１は、端子切替器５２を作動させて端子を切り替える。Ｓ６において、解析装置３１は、第２の構造体１２１Ｂと抵抗測定器２０とを電気的に接続する。Ｓ７において、解析装置３１は、抵抗測定器２０を用いて第２の構造体１２１Ｂの両端間の抵抗値を測定する。Ｓ８において、解析装置３１は、抵抗値を測定した時間（測定時間）、抵抗測定器２０により測定された抵抗値、および、抵抗値の測定時に温湿度センサ１２により測定された温湿度を、第２の構造体１２１Ｂの測定結果として記録装置３０に書き込む。なお、解析装置３１は、抵抗値を測定した時間（測定時間）、および、抵抗測定器２０により測定された抵抗値を、第２の構造体１２１Ｂの測定結果として記録装置３０に書き込むのでもよい。

　Ｓ９～Ｓ１２は、第３の構造体１２１Ｃの抵抗値を測定する処理である。Ｓ９において、解析装置３１は、端子切替器５２を作動させて端子を切り替える。Ｓ１０において、解析装置３１は、第３の構造体１２１Ｃと抵抗測定器２０とを電気的に接続する。Ｓ１１において、解析装置３１は、抵抗測定器２０を用いて第３の構造体１２１Ｃの両端間の抵抗値を測定する。Ｓ１２において、解析装置３１は、抵抗値を測定した時間（測定時間）、抵抗測定器２０により測定された抵抗値、および、抵抗値の測定時に温湿度センサ１２により測定された温湿度を、第３の構造体１２１Ｃの測定結果として記録装置３０に書き込む。なお、解析装置３１は、抵抗値を測定した時間（測定時間）、および、抵抗測定器２０により測定された抵抗値を、第３の構造体１２１Ｃの測定結果として記録装置３０に書き込むのでもよい。

　このようにして得られた測定結果は、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの腐食速度を算出する際に使用される。Ｓ１２の後、解析装置３１は、処理を図１４に示すＳ１３に移行する。

　図１４を参照して、Ｓ１３～Ｓ１６は、第１の構造体１２１Ａの腐食速度を算出する処理である。Ｓ１３において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている第１の構造体１２１Ａの測定結果を参照し、第１の構造体１２１Ａで断線が発生しているか否かを判定する。構造体で断線が発生している状態とは、当該構造体に含まれる金属薄膜８の腐食が十分に進行し、金属薄膜８のほとんどが腐食生成物に置き換わり、抵抗が急激に増加した状態を指す。そこで、解析装置３１は、構造体の抵抗値がたとえば初期値の１００倍より大きい場合に、当該構造体で断線が発生していると判定する。

　第１の構造体１２１Ａで断線が発生している場合には（Ｓ１３においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ１７に移行する。一方、第１の構造体１２１Ａで断線が発生していない場合には（Ｓ１３においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ１４に移行する。

　Ｓ１４において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている第１の構造体１２１Ａの最新の抵抗値Ｒｌ１_１２１Ａを基に、以下の式１を用いて、第１の構造体１２１Ａの金属薄膜８の残存膜厚ｄｌ１_１２１Ａを算出する。

　ｄｌ１_１２１Ａ＝ρ×ｌ／（ｗ×Ｒｌ１_１２１Ａ）［ｍ］・・・（式１）
　（ｄｌ１_１２１Ａ：第１の構造体１２１Ａの金属薄膜８の最新の膜厚（残存膜厚）、ρ：金属薄膜８に含まれる金属材料の電気抵抗率、ｌ：金属薄膜８の膜長（設計値）、ｗ：金属薄膜８の膜幅（設計値）、Ｒｌ１_１２１Ａ：第１の構造体１２１Ａの金属薄膜８の最新の抵抗値）

　また、解析装置３１は、以下の式２を用いて、ρを記録装置３０に記憶されている抵抗値の測定時の温度Ｔｅｍｐｌ１（℃）で補正してもよい。

　ρ＝ρ_２０×（１＋ｋ×１０^－３×（Ｔｅｍｐｌ１－２０））［１０^－８Ω・ｍ］・・・（式２）
　（ρ_２０：２０℃での金属の電気抵抗率［１０^－８Ω・ｍ］、ｋ：電気抵抗率の温度係数［１０^－１１Ω・ｍ／Ｋ］）

　なお、ρ_２０およびｋは、金属薄膜８に含まれる金属材料の種類ごとに固有の値があるため、それらを適用して使用する。

　Ｓ１５において、解析装置３１は、以下の式３を用いて、第１の構造体１２１Ａの腐食速度Ｖ_１２１Ａを算出する。

　Ｖ_１２１Ａ＝（ｄｌ０_１２１Ａ－ｄｌ１_１２１Ａ）／（Ｔｌ１－Ｔ０）［ｍ／ｈ］・・・（式３）
　（ｄｌ０_１２１Ａ：第１の構造体１２１Ａの金属薄膜８の初期膜厚、Ｔｌ１：最新の抵抗値Ｒｌ１_１２１Ａの測定時間、Ｔ０：初期測定時間）

　なお、各構造体の金属薄膜８の初期膜厚は、記録装置３０にあらかじめ記憶されている。Ｓ１６において、解析装置３１は、腐食速度Ｖ_１２１Ａを第１の構造体１２１Ａの最新の腐食速度として記録装置３０に書き込む。

　Ｓ１７～Ｓ２０は、第２の構造体１２１Ｂの腐食速度Ｖ_１２１Ｂを算出する処理である。Ｓ１７において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている第２の構造体１２１Ｂの測定結果を参照し、第２の構造体１２１Ｂで断線が発生しているか否かを判定する。第２の構造体１２１Ｂで断線が発生している場合には（Ｓ１７においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ２１に移行する。一方、第２の構造体１２１Ｂで断線が発生していない場合には（Ｓ１７においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ１８に移行する。

　Ｓ１８～Ｓ２０において、解析装置３１は、Ｓ１４～Ｓ１６と同様にして、第２の構造体１２１Ｂの腐食速度Ｖ_１２１Ｂを算出し、算出した腐食速度Ｖ_１２１Ｂを第２の構造体１２１Ｂの最新の腐食速度として記録装置３０に書き込む。

　Ｓ２１～Ｓ２４は、第３の構造体１２１Ｃの腐食速度Ｖ_１２１Ｃを算出する処理である。Ｓ２１において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている第３の構造体１２１Ｃの測定結果を参照し、第３の構造体１２１Ｃで断線が発生しているか否かを判定する。第３の構造体１２１Ｃで断線が発生している場合には（Ｓ２１においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ２５に移行する。一方、第３の構造体１２１Ｃで断線が発生していない場合には（Ｓ２１においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ２２に移行する。

　Ｓ２２～Ｓ２４において、解析装置３１は、Ｓ１４～Ｓ１６と同様にして、第３の構造体１２１Ｃの腐食速度Ｖ_１２１Ｃを算出し、算出した腐食速度Ｖ_１２１Ｃを第３の構造体１２１Ｃの最新の腐食速度として記録装置３０に書き込む。Ｓ２１またはＳ２４の後、解析装置３１は、処理を図１５に示すＳ２５に移行する。

　図１５を参照して、Ｓ２５～Ｓ３６は、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定し、特定した内容を報知する処理である。Ｓ２５において、解析装置３１は、記録装置３０から最新の腐食速度Ｖ_１２１Ａ，Ｖ_１２１Ｂ，Ｖ_１２１Ｃを抽出する。なお、Ｓ１３、Ｓ１７、および／またはＳ２１で断線が発生していると判定された場合には、解析装置３１は、断線前に算出された腐食速度のうち最新の腐食速度を記録装置３０から抽出する。

　Ｓ２６において、解析装置３１は、腐食速度Ｖ_１２１Ａ、腐食速度Ｖ_１２１Ｂ、および腐食速度Ｖ_１２１Ｃが全て０であるか否かを判定する。腐食速度Ｖ_１２１Ａ、腐食速度Ｖ_１２１Ｂ、および腐食速度Ｖ_１２１Ｃが全て０である場合には（Ｓ２６においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ２７に移行する。一方、腐食速度Ｖ_１２１Ａ、腐食速度Ｖ_１２１Ｂ、および腐食速度Ｖ_１２１Ｃのうち少なくとも１つが０ではない場合には（Ｓ２６においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ２８に移行する。

　Ｓ２７において、解析装置３１は、硫黄系ガスが存在しないと特定する。

　Ｓ２８において、解析装置３１は、腐食速度Ｖ_１２１Ａ、腐食速度Ｖ_１２１Ｂ、および腐食速度Ｖ_１２１Ｃに基づいて、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を特定する。腐食速度が速いほど、耐食性は低いといえる。ゆえに、解析装置３１は、腐食速度が速いほど耐食性が低くなるように、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を特定する。

　Ｓ２９において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている耐食性情報を参照し、特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第１の環境における耐食性の大小関係と一致するか否かを判定する。特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第１の環境における耐食性の大小関係と一致する場合には（Ｓ２９においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ３０に移行する。一方、特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第１の環境における耐食性の大小関係と一致しない場合には（Ｓ２９においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ３１に移行する。

　Ｓ３０において、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類をその他硫黄系ガスに特定する。

　Ｓ３１において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている耐食性情報を参照し、特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第２の環境における耐食性の大小関係と一致するか否かを判定する。特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第２の環境における耐食性の大小関係と一致する場合には（Ｓ３１においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ３２に移行する。一方、特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第２の環境における耐食性の大小関係と一致しない場合には（Ｓ３１においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ３３に移行する。

　Ｓ３２において、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類を硫黄華に特定する。

　Ｓ３３において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている耐食性情報を参照し、特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第３の環境における耐食性の大小関係と一致するか否かを判定する。特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第３の環境における耐食性の大小関係と一致する場合には（Ｓ３３においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ３４に移行する。一方、特定した３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が第３の環境における耐食性の大小関係と一致しない場合には（Ｓ３３においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ３５に移行する。

　Ｓ３４において、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類を硫黄華とその他硫黄系ガスとに特定する。

　Ｓ３５において、解析装置３１は、腐食の主要因は硫黄系ガスではないと特定する。

　Ｓ３６において、解析装置３１は、特定した内容を報知装置４０に報知させる。一例として、解析装置３１は、Ｓ２７、Ｓ３０、Ｓ３２、Ｓ３４、またはＳ３５で特定した内容を液晶ディスプレイに表示する。

　詳細には、Ｓ２７から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「硫黄系ガスは存在しません。」といったメッセージや、「硫黄系ガスによる影響はありません。」といったメッセージや、「継続して使用して下さい。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。なお、Ｓ２７から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、液晶ディスプレイに何も表示しなくてもよい。

　また、Ｓ３０、Ｓ３２、またはＳ３４から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「腐食性ガスは＊＊＊です。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　また、Ｓ３５から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「硫黄系ガス以外の腐食要因を検討してください。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　Ｓ３６の後、解析装置３１は、図１３～図１５に示す一連の処理を終了する。

　なお、報知装置４０がＬＥＤインジケータである場合には、Ｓ３６において、解析装置３１は特定した内容に対応するインジケータを発光させることにより、特定した内容をユーザに報知してもよい。詳細には、あらかじめ「硫黄系ガスが存在しない場合」、「環境に存在する腐食性ガスの種類が硫黄華である場合」、「環境に存在する腐食性ガスの種類がその他硫黄系ガスである場合」、「環境に存在する腐食性ガスの種類が硫黄華およびその他硫黄系ガスである場合」、および「硫黄系ガス以外の腐食要因が考えられる場合」のそれぞれに対し割り当てるインジケータの、箇所または色を決めておき、解析装置３１は、特定した内容に対応するインジケータを発光させる。

　また、報知装置４０がブザーまたはスピーカーなどである場合には、Ｓ３６において、解析装置３１は特定した内容を音により報知してもよい。

　また、解析装置３１は、構造体で断線が発生しているか否かを、構造体に含まれる金属薄膜８のうち金属状態を維持した部分の膜厚（すなわち、残存膜厚）に基づいて判定してもよい。一例として、解析装置３１は、金属薄膜８の残存膜厚が初期膜厚の１％未満になった場合に、当該構造体で断線が発生していると判定してもよい。このような場合には、Ｓ１３、Ｓ１７、およびＳ２１は、それぞれＳ１４、Ｓ１８、およびＳ２２の後に行われる。

　また、Ｓ２８において、解析装置３１は、３つの構造体１２１の腐食割合に基づいて、当該３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を特定してもよい。その場合には、Ｓ１５、Ｓ１９、およびＳ２３において、解析装置３１は、腐食速度に替えて腐食割合を算出する。また、Ｓ１６、Ｓ２０、およびＳ２４において、解析装置３１は、腐食速度に替えて腐食割合を記録装置３０に書き込む。さらに、Ｓ２５において、解析装置３１は、記録装置３０から最新の腐食割合を抽出する。そして、Ｓ２８において、解析装置３１は、腐食割合が大きいほど、耐食性が低くなるように、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を特定する。

　一例として、以下に、第１の構造体１２１Ａの腐食割合Ｐ_１２１Ａの算出に用いられる式４を示す。

　Ｐ_１２１Ａ＝（ｄｌ０_１２１Ａ－ｄｌ１_１２１Ａ）／ｄｌ０_１２１Ａ［単位なし］・・・（式４）

　同様にして、第２の構造体１２１Ｂの腐食割合Ｐ_１２１Ｂ、および、第３の構造体１２１Ｃの腐食割合Ｐ_１２１Ｃを算出することができる。

　なお、解析装置３１は、Ｓ１５、Ｓ１９、およびＳ２３において、腐食速度に替えて腐食割合を算出した場合には、Ｓ２６では、腐食割合Ｐ_１２１Ａ、腐食割合Ｐ_１２１Ｂ、および腐食割合Ｐ_１２１Ｃが全て０であるか否かを判定する。腐食割合Ｐ_１２１Ａ、腐食割合Ｐ_１２１Ｂ、および腐食割合Ｐ_１２１Ｃが全て０である場合には（Ｓ２６においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ２７に移行する。一方、腐食割合Ｐ_１２１Ａ、腐食割合Ｐ_１２１Ｂ、および腐食割合Ｐ_１２１Ｃのうち少なくとも１つが０ではない場合には（Ｓ２６においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ２８に移行する。

　続いて、実施の形態１に係るセンサ１０１の有効性に関する検証結果について説明する。以下に説明する実施例では、センサ１０１が設けられた電気機器９００（この例では、インバータ）を腐食性ガスが存在する環境に暴露した。センサ１０１は、上述の３つの構造体１２１（第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃ）を含む。また、各構造体の金属薄膜８の材料は、第１の構造体１２１Ａが銅であり、第２の構造体１２１Ｂおよび第３の構造体１２１Ｃが銀であった。３つの構造体１２１の金属薄膜８の膜厚は、いずれも１０μｍであった。第３の構造体１２１Ｃのコーティング材ａ１は、酸素透過性が３１０００［ｃｃ／ｍ^２・ｄａｙ　ａｔ　２０℃（２ｍｍ）］であるシリコーン系樹脂であり、コーティング材ａ１の厚さは１０μｍであった。

　実施の形態１の第１実施例．
　電気機器９００を、４０℃／９５％ＲＨ／３ｐｐｍ　Ｈ_２Ｓの環境に暴露した。暴露開始３日目において、３つの構造体１２１の腐食速度の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＞第２の構造体１２１Ｂ＞第３の構造体１２１Ｃであった。また、同様の条件にてＨ_２ＳをＳＯ_２に置き換えた際の３つの構造体１２１の腐食速度の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＞第２の構造体１２１Ｂ＞第３の構造体１２１Ｃであった。

　当該検証から、Ｈ_２ＳまたはＳＯ_２が存在し、Ｓ_８が存在しない環境（すなわち、第１の環境）における３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＜第２の構造体１２１Ｂ＜第３の構造体１２１Ｃであることが証明された。

　実施の形態１の第２実施例．
　電気機器９００を、Ｓ_８が存在する７５℃の温度環境に暴露した。暴露開始４日目に、第３の構造体１２１Ｃにおいて断線が発生した。さらに、暴露開始７日目に、第２の構造体１２１Ｂにおいて断線が発生し、暴露開始２０日目に、第１の構造体１２１Ａにおいて断線が発生した。

　断線の発生時期が早いほど、耐食性は低いといえる。ゆえに、当該検証から、Ｓ_８が存在し、Ｈ_２ＳやＳＯ_２が存在しない環境（すなわち、第２の環境）における３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＞第２の構造体１２１Ｂ＞第３の構造体１２１Ｃであることが証明された。

　実施の形態１の第３実施例．
　電気機器９００を、４０℃／９５％ＲＨ／（０．２ｐｐｍ　Ｓ_８＋３ｐｐｍ　Ｈ_２Ｓ）の環境に暴露した。暴露開始５日目に、第１の構造体１２１Ａにおいて断線が発生した。さらに、暴露開始８日目に、第３の構造体１２１Ｃにおいて断線が発生した。

　当該検証から、Ｓ_８とＨ_２Ｓとが共存し、Ｈ_２Ｓの濃度がＳ_８の濃度よりも高い環境（すなわち、第３の環境）における３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＜第３の構造体１２１Ｃ＜第２の構造体１２１Ｂであることが証明された。

　また、実施の形態１の第１実施例、第２実施例、および第３実施例における検証から、３つの構造体の耐食性の大小関係が第１の構造体１２１Ａ＜第２の構造体１２１Ｂ＜第３の構造体１２１Ｃとなる場合には、電気機器９００が第１の環境にあると判断できる、すなわち、環境に存在する腐食性ガスの種類はその他硫黄系ガスであると判断できることが証明された。

　また、これらの検証から、３つの構造体の耐食性の大小関係が第１の構造体１２１Ａ＞第２の構造体１２１Ｂ＞第３の構造体１２１Ｃとなる場合には、電気機器９００が第２の環境にあると判断できる、すなわち、環境に存在する腐食性ガスの種類は硫黄華であると判断できることが証明された。

　また、これらの検証から、３つの構造体の耐食性の大小関係が第１の構造体１２１Ａ＜第３の構造体１２１Ｃ＜第２の構造体１２１Ｂとなる場合には、電気機器９００が第３の環境にあると判断できる、すなわち、環境には硫黄華とその他硫黄系ガスとが共存していると判断できることが証明された。

　このように、実施の形態１によれば、センサ１０１は、耐食性の大小関係が第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なる３つの構造体１２１を備える。また、実施の形態１によれば各構造体の抵抗値を測定して、各構造体の腐食速度または腐食割合を特定することができる。そのため、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を特定することができる。また、特定された３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を、記録装置３０に記憶されている耐食性情報と比較することにより、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定することができる。ゆえに、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することができる。

　また、実施の形態１によれば、金属薄膜８の最新の残存膜厚と初期膜厚とに基づいて腐食速度が算出される。すなわち、腐食速度は、電気機器９００が製造されてから現時点までの総腐食量に基づいて算出される。ゆえに、電気機器９００が製造されてから現時点までの間に、電気機器９００に最も大きな影響を与えた腐食性ガスの種類を特定することができる。

　なお、センサ１０１が備える構造体の数は、３以上であればよい。一例として、図１６に、センサ１０１が４つの構造体を備える場合の、これらの構造体の環境別の耐食性の大小関係の一例を示す。

　図１６は、実施の形態１の変形例における耐食性情報の一例を示す図である。センサ１０１は、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、第３の構造体１２１Ｃ、および第４の構造体を備える。第４の構造体は、第３の構造体１２１Ｃのコーティング材をウレタン系樹脂に替えたものである。

　図１６に示すように、４つの構造体の環境別の耐食性の大小関係は第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なっている。これにより、ある環境に暴露された４つの構造体の耐食性の大小関係に基づいて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定することができる。ゆえに、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することができる。

　実施の形態２．
　実施の形態２における電気機器の構成は、実施の形態１における電気機器９００の構成と同じである。また、実施の形態２における解析処理は、腐食速度の算出方法が異なること以外は、実施の形態１における解析処理と同じである。実施の形態１では、解析装置３１は、金属薄膜８の最新の残存膜厚と初期膜厚とに基づいて腐食速度を算出した。これに対し、実施の形態２では、解析装置３１は、金属薄膜８の最新の残存膜厚と、最新の測定時間から任意の時間だけ遡った時点における金属薄膜８の残存膜厚とに基づいて腐食速度を算出する。

　主に、図１、図１４、および図１７を参照して、実施の形態２における腐食速度の算出方法について説明する。図１７は、実施の形態２における腐食速度の算出方法を説明するための図である。

　実施の形態２では、Ｓ１４において、解析装置３１は、最新の抵抗値を測定した測定時間Ｔ１における金属薄膜８の残存膜厚ｄｌ１_１２１Ａと、測定時間Ｔ１より任意の時間だけ遡った測定時間Ｔ２における金属薄膜８の残存膜厚ｄｌ２_１２１Ａとを算出する。任意の時間とは、たとえば２４時間である。任意の時間は、ユーザによる操作に基づいて解析装置３１が設定する。解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている測定時間Ｔ２における抵抗値Ｒｌ２_１２１Ａを基に、上述の式１を用いて金属薄膜８の残存膜厚ｄｌ２_１２１Ａを算出する。なお、残存膜厚ｄｌ１_１２１Ａの算出方法は上述の通りである。

　Ｓ１５において、解析装置３１は、上述の式３を用いて、第１の構造体１２１Ａの腐食速度Ｖ_１２１Ａを算出する。その際、解析装置３１は、式３における「ｄｌ０_１２１Ａ」を「ｄｌ２_１２１Ａ」に、「Ｔｌ１」を「Ｔ１」に、「Ｔ０」を「Ｔ２」に読み替える。

　なお、実施の形態１と同様に、解析装置３１は、上述の式４を用いて、腐食速度に替えて腐食割合を算出してもよい。その際、解析装置３１は、式４における「ｄｌ０_１２１Ａ」を「ｄｌ２_１２１Ａ」に読み替える。

　Ｓ１８およびＳ１９、ならびに、Ｓ２２およびＳ２３においても、解析装置３１は、金属薄膜８の最新の残存膜厚と、最新の測定時間から任意の時間だけ遡った時点における金属薄膜８の残存膜厚とに基づいて、第２の構造体１２１Ｂならびに第３の構造体１２１Ｃの腐食速度を算出する。

　これにより、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を直近の腐食速度に基づいて特定することができる。そのため、当該大小関係から特定される腐食性ガスの種類は、直近の環境に存在する腐食性ガスの種類となる。図１７に示すように、電気機器９００の設置環境が変化する場合がある。図１７に示す例では、電気機器９００の設置環境は、「４０℃／９５％ＲＨ／３ｐｐｍ　Ｈ_２Ｓの環境」から「７５℃／Ｓ_８の環境」に変化している。このような場合であっても、実施の形態２に従えば、直近の環境に存在する腐食性ガスの種類を特定することができる。

　続いて、実施の形態２に係るセンサ１０１の有効性に関する検証結果について説明する。以下に説明する実施例では、実施の形態１の実施例と同様の構成を有する電気機器９００を腐食性ガスが存在する環境に暴露した。

　実施の形態２の第１実施例．
　まず、電気機器９００を、４０℃／９５％ＲＨ／（３ｐｐｍ　Ｈ_２Ｓ）の環境に暴露した。暴露開始１日目において、３つの構造体１２１の腐食速度の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＞第２の構造体１２１Ｂ＞第３の構造体１２１Ｃであった。すなわち、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＜第２の構造体１２１Ｂ＜第３の構造体１２１Ｃであるといえる。

　その後、同じ電気機器９００をさきほどの暴露環境から移動させ、Ｓ_８が存在する７５℃の温度環境に暴露した。移動後２時間経過後から５０時間経過後までの範囲における、３つの構造体１２１の腐食速度の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＜第２の構造体１２１Ｂ＜第３の構造体１２１Ｃであった。すなわち、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２１Ａ＞第２の構造体１２１Ｂ＞第３の構造体１２１Ｃといえる。

　当該検証により、電気機器９００の設置環境が変化すると、３つの構造体１２１の耐食性の大小関係が変化することが証明された。ゆえに、直近の環境における３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を把握できれば、直近の環境に存在する腐食性ガスの種類を特定できることが証明された。

　このように、実施の形態２に従えば、任意の時間範囲での腐食速度を算出することができる。ゆえに、直近の環境における３つの構造体１２１の耐食性の大小関係を把握することができる。ゆえに、直近の環境において、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することができる。

　実施の形態３．
　実施の形態３における電気機器の構成は、実施の形態１における電気機器９００の構成と同じである。実施の形態３では、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定することに加え、当該腐食性ガスの濃度を算出する。

　まず、解析装置３１は、実施の形態１または２で説明した方法を用いて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。解析装置３１は、特定した腐食性ガスの種類が硫黄華とその他硫黄系ガスとのいずれか一方であった場合には、以下に述べる推定式に腐食因子の測定値を代入することにより、環境に存在する腐食性ガスの濃度を算出する。腐食因子とは、腐食の原因となる要素であり、たとえば、温度、湿度、および腐食性ガスの濃度等である。

　図１８は、推定式を作成する際に行われる実験の試験条件の一例を示す図である。当該実験では、センサ１０１に含まれる金属薄膜８と同様の金属薄膜（たとえば、銀からなる薄膜）を条件の異なる複数のモデル環境に暴露する。複数のモデル環境は、腐食因子に関する条件が互いに異なるように設定される。一例として、複数のモデル環境は、互いに、環境の温度、環境の湿度、および腐食性ガスの濃度のうち少なくとも１つが異なるように設定される。

　モデル環境として、たとえば、Ｈ_２Ｓが存在し、温度の範囲は２５～４５℃であり、湿度の範囲は６０～９０％ＲＨであり、Ｈ_２Ｓの濃度の範囲は０．０５～１．０５ｐｐｍであると定める。実験計画法に基づき、これらの範囲のそれぞれをたとえば３つの水準で分けることにより、複数の試験条件を設定する。一例として、温度に関する条件を２５℃と３５℃と４５℃とに分け、湿度に関する条件を６０％ＲＨと７５％ＲＨと９０％ＲＨとに分け、腐食性ガスの濃度に関する条件を０．０５ｐｐｍと０．５５ｐｐｍと１．０５ｐｐｍとに分ける。そして、これらを組み合わせることにより、図１８に示すような２７個の試験条件を設定する。

　図１８に示すように、各々の試験条件は、温度に関する条件、湿度に関する条件、および腐食性ガスの濃度に関する条件を含む。試験条件の数（この例では、２７個）だけ金属薄膜を用意し、これらの金属薄膜を、試験条件により特定される２７個の環境に一定時間暴露する。次いで、これらの金属薄膜の腐食量の経時変化から、各金属薄膜の腐食速度（Ｖ_ｃ１～Ｖ_ｃ２７）を算出する。次いで、算出した腐食速度（Ｖ_ｃ１～Ｖ_ｃ２７）を基に、分散分析を用いて推定式を作成する。下記の式５は、このようにして作成された推定式の一例である。式５は、Ｈ_２Ｓの濃度を推定する際に用いられる推定式である。

　Ｖ_{Ｈ２Ｓ－Ａｇ}＝３６．０－１．５Ｔ＋０．０２１Ｔ^２－０．１２［Ｈ_２Ｏ］－４８９．２［Ｈ_２Ｓ］＋３９６．６［Ｈ_２Ｓ］^２＋２８．２Ｔ［Ｈ_２Ｓ］－０．３９Ｔ^２［Ｈ_２Ｓ］－２５．１Ｔ［Ｈ_２Ｓ］^２＋０．３６Ｔ^２［Ｈ_２Ｓ］^２＋０．６５［Ｈ_２Ｏ］［Ｈ_２Ｓ］・・・（式５）
　（Ｖ_{Ｈ２Ｓ－Ａｇ}×１０^－４：銀の腐食速度（ｇ／（ｍ^２・ｈ））、Ｔ：温度（℃）、［Ｈ_２Ｏ］：湿度（％ＲＨ）、［Ｈ_２Ｓ］：Ｈ_２Ｓ濃度（ｐｐｍ））

　解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスをその他硫黄系ガスに特定した場合には、第２の構造体１２１Ｂの腐食速度、環境の温度、および環境の湿度を、上述の式５の「Ｖ_{Ｈ２Ｓ－Ａｇ}」、「Ｔ」、および「Ｈ_２Ｏ」にそれぞれ代入することにより、その他硫黄系ガス（この例では、Ｈ_２Ｓ）の濃度を算出する。推定式に代入される、第２の構造体１２１Ｂの腐食速度は、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する際に解析装置３１により算出された値であり、環境の温度および湿度は、温湿度センサ１２により測定された値である。

　硫黄華の濃度を推定する際に用いられる推定式は、硫黄華が存在するモデル環境を定めた同様の実験により作成することができる。解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスを硫黄華に特定した場合には、当該式に第２の構造体１２１Ｂの腐食速度、環境の温度、および環境の湿度を代入することにより、硫黄華の濃度を算出する。

　解析装置３１は、算出した濃度を報知装置４０に報知させる。

　このように、実施の形態３に従えば、環境に存在する腐食性ガスの濃度を算出することができる。なお、上述の実験では、センサ１０１に含まれる金属薄膜８と同様の金属薄膜として、銀からなる薄膜を採用したが、これに替えて銅からなる薄膜を採用してもよい。そのような場合には、解析装置３１は、第２の構造体１２１Ｂの腐食速度に替えて、第１の構造体１２１Ａの腐食速度を推定式に代入するものとする。

　上述の推定式は、腐食性ガスが１種類しか存在しないモデル環境で作成されている。ゆえに、腐食性ガスが１種類しか存在しない場合には、推定式を用いて算出された腐食性ガスの濃度の精度は比較的高いといえる。しかしながら、実環境では複数の腐食性ガスが共存している可能性が高い。ゆえに、推定式を用いて算出された腐食性ガスの濃度は、あくまで参考値である。

　また、上述の推定式は、温度、湿度、および腐食性ガスの濃度が一定のモデル環境で作成されている。しかしながら、実環境では、温度、湿度、および腐食性ガスの濃度は、時間帯、季節、および／または作業工程等により変化する。そのため、モデル環境に基づいて作成された推定式に最新の測定時に得られた腐食因子の値を代入しても、腐食性ガスの濃度の真値を得ることが難しい場合もある。そこで、解析装置３１は、腐食因子として、温度や湿度の平均値を推定式に代入してもよい。これにより、解析装置３１による腐食性ガスの濃度の算出精度が高まる。

　また、解析装置３１は、実施の形態２のように、比較的短い期間における腐食速度と、その期間における温度および湿度を推定式に代入してもよい。これにより、解析装置３１による腐食性ガスの濃度の算出精度が高まる。

　また、解析装置３１は、上述の推定式に替えて、公知の式を用いて、腐食性ガスの濃度を算出してもよい。

　実施の形態４．
　実施の形態４では、解析装置３１は、センサ本体の抵抗値の変化から断線状況、詳細には、断線の発生順を特定し、特定した順番に基づいて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。

　図１９は、実施の形態４に係るセンサを備える電気機器を示す図である。電気機器９００Ａの構成は、センサのセンサ本体が異なること、および、温湿度センサ１２（図１参照）が存在しないこと以外は実施の形態１に係る電気機器９００（図１参照）の構成と同様である。電気機器９００Ａは、センサ１０１Ａと、電気機器本体９０とを備える。センサ１０１Ａは、センサ本体１１Ａと、抵抗測定器２０と、記録装置３０と、解析装置３１と、報知装置４０とを備える。

　センサ本体１１Ａは、３つの構造体（第１の構造体１２２Ａ、第２の構造体１２２Ｂ、および第３の構造体１２２Ｃ）と、抵抗体９１と、配線４とを備える。以下では、第１の構造体１２２Ａ、第２の構造体１２２Ｂ、および第３の構造体１２２Ｃを総称して、３つの構造体１２２とも称する。配線４は、配線４１と配線４２とを含む。配線４は、回路基板上に配置される。また、３つの構造体１２２および抵抗体９１は、配線４１と配線４２との間を接続するように配置され、半田により配線４１，４２上に実装される。また、３つの構造体１２２および抵抗体９１は、配線４１と配線４２との間で直列に接続される。

　図２０は、実施の形態４に係る第１の構造体および第２の構造体の一例を示す斜視図である。図２１は、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿った断面図である。図２０および図２１を参照して、第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂはそれぞれ、抵抗体９を備えること以外は上述の第１の構造体１２１Ａおよび第２の構造体１２１Ｂの構成と同様である。第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂはそれぞれ、絶縁基板６と、電極対７と、金属薄膜８と、抵抗体９とを含む。

　金属薄膜８および抵抗体９は、第１電極７１と第２電極７２との間で並列に接続されている。金属薄膜８は、抵抗体９よりも外側の、環境に露出する位置に配置される。金属薄膜８の抵抗値は、抵抗体９の抵抗値に比べて非常に小さく設定されている。

　抵抗体９は、腐食性ガスに対する耐食性が高く、腐食性ガスによってはほとんど腐食しない。抵抗体９の材料としては、酸化物半導体（たとえば、酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２））を採用することができる。抵抗体９の抵抗値は、金属薄膜８の抵抗値よりも高く定められることが好ましい。

　図２２は、実施の形態４に係る第３の構造体の一例を示す斜視図である。図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿った断面図である。図２２および図２３を参照して、第３の構造体１２２Ｃは、抵抗体９を備えること以外は上述の第３の構造体１２１Ｃの構成と同様である。第３の構造体１２２Ｃは、絶縁基板６と、電極対７と、金属薄膜８と、抵抗体９と、コーティング材ａ１とを含む。コーティング材ａ１は、金属薄膜８の環境に暴露される面を覆う。

　次に、再び図２０を参照して、第２の構造体１２２Ｂを例に、断線前後における抵抗値の変化について説明する。一例として、第２の構造体１２２Ｂの金属薄膜８の材料は銀であり、膜幅ｗは０．５ｍｍ、膜長ｌは１ｍｍ、膜厚ｄ１は５μｍに設定されているものとする。また、第２の構造体１２２Ｂの抵抗体９の材料は酸化ルテニウムであり、当該抵抗体９の抵抗値Ｒ_Ｒは４００Ωに設定されているものとする。また、金属薄膜８と抵抗体９とは、並列に接続されている。また、金属薄膜８に含まれる銀の電気抵抗率ρは、２０℃において１．６×１０^－８であるとする。

　２０℃の環境における第２の構造体１２２Ｂの初期抵抗値Ｒ_０２は、上述の式１および以下の式６を用いて算出することができる。このようにして算出した第２の構造体１２２Ｂの初期抵抗値Ｒ_０２は、以下に示す通り、金属薄膜８の抵抗値Ｒ_０とほぼ同じになる。

　Ｒ_０２＝Ｒ_０×Ｒ_Ｒ／（Ｒ_０＋Ｒ_Ｒ）＝６．４×１０^－３Ω・・・（式６）
　（Ｒ_０：金属薄膜８の抵抗値＝１．６×１０^－８×１×１０^－３／（０．５×１０^－３×５×１０^－６）＝６．４×１０^－３Ω、Ｒ_Ｒ＝４００Ω）

　この第２の構造体１２２Ｂを環境に暴露し続けて、金属薄膜８が断線した時の抵抗値を同様に計算する。実際には、金属薄膜８の腐食が進行すると、金属薄膜８の材料は金属から腐食生成物に変化し、物理的には断線しない。しかし、腐食生成物の抵抗は金属の抵抗の１０万倍以上になり、電気的には絶縁、すなわち断線状態と見なせる。そこで、金属薄膜８の抵抗値Ｒ_０’を無限大として、以下の式７を用いて第２の構造体１２２Ｂの抵抗値Ｒ_０２’を算出する。このようにして算出した第２の構造体１２２Ｂの抵抗値Ｒ_０２’は、以下に示す通り、第２の構造体１２２Ｂの抵抗体９の抵抗値Ｒ_Ｒとほぼ同じになる。

　Ｒ_０２’＝Ｒ_０’×Ｒ_Ｒ／（Ｒ_０’＋Ｒ_Ｒ）＝Ｒ_Ｒ／（１＋Ｒ_Ｒ／Ｒ_０’）≒Ｒ_Ｒ＝４００Ω・・・（式７）

　このように、第２の構造体１２２Ｂの初期抵抗値Ｒ_０２は金属薄膜８の抵抗値Ｒ_０とほぼ同じであり、断線後の第２の構造体１２２Ｂの抵抗値Ｒ_０２’は抵抗体９の抵抗値Ｒ_Ｒとほぼ同じになる。第１の構造体１２２Ａおよび第３の構造体１２２Ｃについても同様のことがいえる。本実施の形態において、３つの構造体１２２のうち任意の１つの構造体の抵抗体９の抵抗値は、残りの構造体の各々の抵抗体９の抵抗値と異なり、かつ、残りの構造体から任意に選択される複数の構造体の抵抗体９の抵抗値の合計と一致しないように設定されている。このような設定により、センサ本体１１Ａ（図１９参照）の抵抗値の変化から断線が発生している構造体を特定することが可能となる。

　図２４は、実施の形態４におけるセンサ本体の構成の一例を示す図である。センサ本体１１Ａは、３つの構造体１２２と、抵抗体９１と、配線４１，４２とを含む。

　第１の構造体１２２Ａは、金属薄膜８、詳細には、銅からなる薄膜と、抵抗体９とを含む。金属薄膜８は、環境に露出している。抵抗体９の抵抗値は、２００Ωに設定されている。

　第２の構造体１２２Ｂは、金属薄膜８、詳細には銀からなる薄膜と、抵抗体９とを含む。金属薄膜８は、環境に露出している。抵抗体９の抵抗値は、４００Ωに設定されている。

　第３の構造体１２２Ｃは、金属薄膜８、詳細には銀からなる薄膜と、抵抗体９とを含む。金属薄膜８の環境に暴露される面は、シリコーン系樹脂で構成されるコーティング材で覆われている。抵抗体９の抵抗値は、８００Ωに設定されている。

　３つの構造体１２２の金属薄膜の厚さは、いずれも５μｍに設定されている。また、コーティング材の厚さも、５μｍに設定されている。なお、３つの構造体１２２の金属薄膜の厚さは互いに異なっていてもよい。また、金属薄膜の厚さとコーティング材の厚さとは互いに異なっていてもよい。

　シリコーン系樹脂で構成されるコーティング材は、硫黄華に対して、特異的なガス透過性を示す。その結果、第２の構造体１２２Ｂおよび第３の構造体１２２Ｃの耐食性の大小関係は、硫黄華が存在しない環境（第１の環境）と、硫黄華が存在する環境（第２の環境または第３の環境）とでは異なることになる。

　また、銅は銀よりも、その他硫黄系ガスに対し鋭敏に反応する。ゆえに、第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂの耐食性の大小関係は、その他硫黄系ガスが存在する環境（第１の環境または第３の環境）と、その他硫黄系ガスが存在しない環境（第２の環境）とでは異なることになる。

　したがって、第１の構造体１２２Ａ、第２の構造体１２２Ｂ、および第３の構造体１２２Ｃの耐食性の大小関係は、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なることになる。

　本実施の形態においては、３つの構造体１２２の環境別の耐食性の大小関係を示す情報（すなわち、耐食性情報）が記録装置３０に記憶されている。また、本実施の形態においては、解析装置３１は、実際にセンサ１０１Ａ（または電気機器９００Ａ）が暴露されている環境下でのセンサ本体１１Ａの抵抗値の変化を基に断線の発生順を特定する。そして、解析装置３１は、断線の発生順を基に３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を特定する。そして、解析装置３１は、特定した３つの構造体１２２の耐食性の大小関係と、耐食性情報が示す３つの構造体１２２の環境別の耐食性の大小関係とに基づいて、腐食性ガスの種類を特定する。

　なお、上述の、金属薄膜８の材料、金属薄膜８の膜厚、コーティング材の材料、およびコーティング材の厚さは一例にすぎない。これらは、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで、第１の構造体１２２Ａ、第２の構造体１２２Ｂ、および第３の構造体１２２Ｃの耐食性の大小関係が互いに異なるようなものであればよい。

　また、図２４に示す抵抗体９の抵抗値は一例にすぎない。３つの構造体１２２のうち任意の１つの構造体の抵抗体９の抵抗値は、残りの構造体の各々の抵抗体９の抵抗値と異なり、かつ、残りの構造体から任意に選択される複数の構造体の抵抗体９の抵抗値の合計と一致しないように設定されていればよい。

　また、図２４に示す抵抗体９１の抵抗値は一例にすぎない。

　主に、図１９、図２４、および図２５を参照して、抵抗値の変化を記録するための処理について説明する。図２５は、抵抗値の変化を記録するための処理を示すフローチャートである。図２５に示す処理は図示しないメインルーチンからあらかじめ定められた周期で呼び出され、解析装置３１により実行される。各ステップ（以下、Ｓと略す）は、基本的に解析装置３１によるソフトウェア処理によって実現されるが、解析装置３１内に作製された電子回路によるハードウェア処理によって実現されてもよい。

　Ｓ４１において、解析装置３１は、センサ本体１１Ａの抵抗値（以下、「合成抵抗Ｘ」とも称する）を測定する。センサ本体１１Ａの抵抗値は、３つの構造体１２２（金属薄膜８と抵抗体９とを含む）と、抵抗体９１と、配線４１と、配線４２との合成抵抗の値である。

　Ｓ４２において、解析装置３１は、複数の基準抵抗範囲ＲＥＦｎ（ｎは１以上の整数）の中から、Ｓ４１で測定した合成抵抗Ｘが該当する基準抵抗範囲ＲＥＦｎを特定する。あらかじめ、Ｎ個の構造体の断線有無の組み合わせのパターンの数（すなわち、２のＮ乗）と同じ数の基準抵抗範囲ＲＥＦｎが設定されている。この例では、８（２の３乗）個の基準抵抗範囲（基準抵抗範囲ＲＥＦ１～基準抵抗範囲ＲＥＦ８）が設定されている。

　一例として、基準抵抗範囲ＲＥＦ１は、いずれの構造体においても断線が発生していない場合の合成抵抗Ｘの範囲であり、抵抗体９１の値とほぼ同等（１００≦Ｘ＜３００）に設定されている。基準抵抗範囲ＲＥＦ２は、第１の構造体１２２Ａで断線が発生している場合の合成抵抗Ｘの範囲であり、３００≦Ｘ＜５００と設定されている。基準抵抗範囲ＲＥＦ３は、第２の構造体１２２Ｂで断線が発生している場合の合成抵抗Ｘの範囲であり、５００≦Ｘ＜７００と設定されている。基準抵抗範囲ＲＥＦ４は、第３の構造体１２２Ｃで断線が発生している場合の合成抵抗Ｘの範囲であり、９００≦Ｘ＜１１００と設定されている。

　基準抵抗範囲ＲＥＦ５は、第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂで断線が発生している場合の合成抵抗Ｘの範囲であり、７００≦Ｘ＜９００と設定されている。基準抵抗範囲ＲＥＦ６は、第１の構造体１２２Ａおよび第３の構造体１２２Ｃで断線が発生している場合の合成抵抗Ｘの範囲であり、１１００≦Ｘ＜１３００と設定されている。基準抵抗範囲ＲＥＦ７は、第２の構造体１２２Ｂおよび第３の構造体１２２Ｃで断線が発生している場合の合成抵抗Ｘの範囲であり、１３００≦Ｘ＜１５００と設定されている。

　基準抵抗範囲ＲＥＦ８は、第１の構造体１２２Ａ、第２の構造体１２２Ｂ、および第３の構造体１２２Ｃで断線が発生している場合の合成抵抗Ｘの範囲であり、１５００≦Ｘと設定されている。

　Ｓ４３において、解析装置３１は、Ｓ４２で特定した基準抵抗範囲ＲＥＦｎと、合成抵抗Ｘの測定時間とを測定データとして記録装置３０に書き込む。

　Ｓ４３の後、解析装置３１は、図２５に示す一連の処理を終了する。

　主に、図１９、図２４、および図２６を参照して、実施の形態４に係る解析処理について説明する。図２６は、実施の形態４に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。図２６に示す処理は図示しないメインルーチンからあらかじめ定められた周期で呼び出され、解析装置３１により実行される。図２６の処理が呼び出される周期は、図２５の処理が呼び出される周期よりも長くなるように設定されることが好ましい。各ステップ（以下、Ｓと略す）は、基本的に解析装置３１によるソフトウェア処理によって実現されるが、解析装置３１内に作製された電子回路によるハードウェア処理によって実現されてもよい。

　Ｓ５１において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている測定データ（基準抵抗範囲ＲＥＦｎと合成抵抗Ｘの測定時間）を参照して、断線が発生しているか否かを判定する。測定データとして、基準抵抗範囲ＲＥＦ２～８の少なくとも１つが記憶されている場合には、解析装置３１は、断線が発生していると判定する。断線が発生している場合には（Ｓ５１においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ５３に移行する。一方、断線が発生していない場合には（Ｓ５１においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ５２に移行する。

　Ｓ５２において、解析装置３１は、硫黄系ガスが存在しないと特定する。

　Ｓ５３おいて、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている測定データ（基準抵抗範囲ＲＥＦｎと合成抵抗Ｘの測定時間）を参照して、断線の発生順を特定する。記録装置３０には、これまでに特定された基準抵抗範囲ＲＥＦｎが合成抵抗Ｘの測定時間と共に蓄積されている。そのため、解析装置３１は、基準抵抗範囲がどのように変化しているかを把握することができる。解析装置３１は、基準抵抗範囲の変化から、断線の発生順を特定する。

　一例として、記録装置３０に基準抵抗範囲ＲＥＦ２と基準抵抗範囲ＲＥＦ５とが記憶されており、基準抵抗範囲ＲＥＦ２の方が基準抵抗範囲ＲＥＦ５よりも合成抵抗Ｘの測定時間が古かったとする。このような場合には、第１の構造体１２２Ａで断線が発生した後、第２の構造体１２２Ｂで断線が発生したと判断できる。そこで、このような場合には、解析装置３１は、第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂの断線の発生順をこの順に特定する。

　Ｓ５４において、解析装置３１は、Ｓ５３で特定した断線の発生順に基づいて、３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を特定する。断線の発生時期が早いほど、耐食性は低いといえる。ゆえに、解析装置３１は、断線の発生時期が早いほど耐食性が低くなるように、３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を特定する。

　Ｓ５５において、解析装置３１は、実施の形態１と同様にして（Ｓ２９～Ｓ３５参照）、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。

　Ｓ５６において、解析装置３１は、特定した内容を報知装置４０に報知させる。一例として、解析装置３１は、Ｓ５２またはＳ５５で特定した内容を液晶ディスプレイに表示する。

　詳細には、Ｓ５２から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「硫黄系ガスは存在しません。」といったメッセージや、「硫黄系ガスによる影響はありません。」といったメッセージや、「継続して使用して下さい。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。なお、Ｓ５２から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、液晶ディスプレイに何も表示しなくてもよい。

　また、Ｓ５５から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「腐食性ガスは＊＊＊です。」といったメッセージや、「硫黄系ガス以外の腐食要因を検討してください。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　Ｓ５６の後、解析装置３１は、図２６に示す一連の処理を終了する。

　なお、報知装置４０は、ＬＥＤインジケータ、ブザー、またはスピーカーなどでもよい。

　続いて、実施の形態４に係るセンサ１０１Ａの有効性に関する検証結果について説明する。以下に説明する実施例では、センサ１０１Ａが設けられた電気機器９００Ａ（この例では、インバータ）を腐食性ガスが存在する環境に暴露した。センサ１０１Ａは、上述の３つの構造体１２２（第１の構造体１２２Ａ、第２の構造体１２２Ｂ、および第３の構造体１２２Ｃ）を含む。また、各構造体の金属薄膜８の材料は、第１の構造体１２２Ａが銅であり、第２の構造体１２２Ｂおよび第３の構造体１２２Ｃが銀であった。３つの構造体の金属薄膜８の膜厚は、いずれも１０μｍであった。第３の構造体１２２Ｃのコーティング材ａ１は、酸素透過性が３１０００［ｃｃ／ｍ^２・ｄａｙ　ａｔ　２０℃（２ｍｍ）］であるシリコーン系樹脂であり、コーティング材ａ１の厚さは１０μｍであった。第１の構造体１２２Ａの抵抗体９の抵抗値は２００Ωであり、第２の構造体１２２Ｂの抵抗体９の抵抗値は４００Ωであり、第３の構造体１２２Ｃの抵抗体９の抵抗値は８００Ωであり、抵抗体９１の抵抗値は１００Ωであった。

　実施の形態４の第１実施例．
　電気機器９００Ａを、４０℃／９５％ＲＨ／３ｐｐｍ　Ｈ_２Ｓの環境に暴露した。暴露開始１日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１００Ωであった。このとき、いずれの構造体においても断線は発生していなかった。

　暴露開始６日目における合成抵抗Ｘは、３００Ωであった。このとき、第１の構造体１２２Ａで断線が発生していることが確認された。これにより、１００Ωから３００Ωへの抵抗値の増加は、第１の構造体１２２Ａで断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　暴露開始１４０日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、７００Ωであった。このとき第１の構造体１２２Ａに加え、第２の構造体１２２Ｂでも断線が発生していることが確認された。これにより、３００Ωから７００Ωへの抵抗値の増加は、第２の構造体１２２Ｂで新たに断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　また、当該検証から、Ｈ_２Ｓが存在し、Ｓ_８が存在しない環境（すなわち、第１の環境）における３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２２Ａ＜第２の構造体１２２Ｂ＜第３の構造体１２２Ｃであることが証明された。

　実施の形態４の第２実施例．
　電気機器９００Ａを、Ｓ_８が存在する７５℃の温度環境に暴露した。暴露開始１日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１００Ωであった。このとき、いずれの構造体においても断線は発生していなかった。

　暴露開始４日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、９００Ωであった。このとき、第３の構造体１２２Ｃで断線が発生していることが確認された。これにより、１００Ωから９００Ωへの抵抗値の増加は、第３の構造体１２２Ｃで断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　暴露開始７日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１３００Ωであった。このとき第３の構造体１２２Ｃに加え、第２の構造体１２２Ｂでも断線が発生していることが確認された。これにより、９００Ωから１３００Ωへの抵抗値の増加は、第２の構造体１２２Ｂで新たに断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　また、当該検証から、Ｓ_８が存在し、Ｈ_２Ｓが存在しない環境（すなわち、第２の環境）における３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２２Ａ＞第２の構造体１２２Ｂ＞第３の構造体１２２Ｃであることが証明された。

　実施の形態４の第３実施例．
　電気機器９００Ａを、４０℃／９５％ＲＨ／（０．２ｐｐｍ　Ｓ_８＋３ｐｐｍ　Ｈ_２Ｓ）の環境に暴露した。暴露開始１日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１００Ωであった。このとき、いずれの構造体においても断線は発生していなかった。

　暴露開始６日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、３００Ωであった。このとき、第１の構造体１２２Ａで断線が発生していることが確認された。これにより、１００Ωから３００Ωへの抵抗値の増加は、第１の構造体１２２Ａで断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　暴露開始８日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１１００Ωであった。このとき第１の構造体１２２Ａに加え、第３の構造体１２２Ｃでも断線が発生していることが確認された。これにより、３００Ωから１１００Ωへの抵抗値の増加は、第３の構造体１２２Ｃで新たに断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　当該検証から、Ｓ_８とＨ_２Ｓとが共存し、Ｈ_２Ｓの濃度がＳ_８の濃度よりも高い環境（すなわち、第３の環境）における３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の構造体１２２Ａ＜第３の構造体１２２Ｃ＜第２の構造体１２２Ｂであることが証明された。

　また、実施の形態４の第１実施例、第２実施例、および第３実施例における検証から、３つの構造体の耐食性の大小関係が第１の構造体１２２Ａ＜第２の構造体１２２Ｂ＜第３の構造体１２２Ｃとなる場合には、電気機器９００Ａが第１の環境にあると判断できる、すなわち、環境に存在する腐食性ガスの種類はその他硫黄系ガスであると判断できることが証明された。

　また、これらの検証から、３つの構造体の耐食性の大小関係が第１の構造体１２２Ａ＞第２の構造体１２２Ｂ＞第３の構造体１２２Ｃとなる場合には、電気機器９００Ａが第２の環境にあると判断できる、すなわち、環境に存在する腐食性ガスの種類は硫黄華であると判断できることが証明された。

　また、これらの検証から、３つの構造体の耐食性の大小関係が第１の構造体１２２Ａ＜第３の構造体１２２Ｃ＜第２の構造体１２２Ｂとなる場合には、電気機器９００Ａが第３の環境にあると判断できる、すなわち、環境には硫黄華とその他硫黄系ガスとが共存していると判断できることが証明された。

　このように、実施の形態４によれば、センサ１０１Ａは、耐食性の大小関係が第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なる３つの構造体１２２を備える。また、実施の形態４によれば、断線の発生により合成抵抗Ｘが変化するとともに、合成抵抗Ｘの変化が記録装置３０に記憶される。そのため、断線の発生順を特定することができるため、３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を特定することができる。また、特定された３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を、記録装置３０に記憶されている耐食性情報と比較することにより、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定することができる。ゆえに、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することができる。

　また、実施の形態４によれば、抵抗体９の抵抗値を金属薄膜８の抵抗値よりも高く設定しておくことができる。これにより、抵抗測定器２０の測定精度が低く、金属薄膜８の微小な抵抗値の変化を測定できないような場合であっても、合成抵抗Ｘの変化を基に断線している構造体を特定することができる。ゆえに、抵抗測定器２０の測定精度が低い場合であっても、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することができる。

　実施の形態５．
　実施の形態５では、解析装置３１は、センサ本体の抵抗値から断線状況、詳細には、断線の有無を特定し、特定した断線の有無に基づいて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。

　実施の形態５に係るセンサを備える電気機器の構成は、実施の形態４に係る電気機器９００Ａ（図１９参照）の構成と同様である。また、実施の形態５に係る解析装置３１は、実施の形態４に係る解析装置３１と同様に、センサ本体１１Ａの抵抗値（合成抵抗Ｘ）から断線状況を特定する。しかしながら、実施の形態５では、解析装置３１は測定した合成抵抗Ｘを記録装置３０に書き込まないことから、合成抵抗Ｘの履歴が残らない。そのため、実施の形態５では、断線の発生順を把握できない。そこで、実施の形態５に係る解析装置３１は、現時点における断線の有無を特定することにより、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。

　３つの構造体１２２の耐食性の大小関係は、実施の形態４の第１実施例、第２実施例、および第３実施例における検証から、図１２に示す３つの構造体１２１の耐食性の大小関係と同様であることが証明されている。本実施の形態においても、３つの構造体１２２の環境別の耐食性の大小関係を示す情報（すなわち、耐食性情報）が記録装置３０に記憶されている。

　主に、図１９、図２４、および図２７を参照して、実施の形態５に係る解析処理について説明する。図２７は、実施の形態５に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。図２７に示す処理は図示しないメインルーチンからあらかじめ定められた周期で呼び出され、解析装置３１により実行される。各ステップ（以下、Ｓと略す）は、基本的に解析装置３１によるソフトウェア処理によって実現されるが、解析装置３１内に作製された電子回路によるハードウェア処理によって実現されてもよい。

　Ｓ６１において、解析装置３１は、現時点における合成抵抗Ｘを測定する。Ｓ６２において、解析装置３１は、合成抵抗Ｘに該当する基準抵抗範囲ＲＥＦｎを特定する。Ｓ６１およびＳ６２の処理は、Ｓ４１およびＳ４２の処理と同じである。

　Ｓ６３において、解析装置３１は、断線が発生しているか否かを判定する。Ｓ６２で特定した基準抵抗範囲ＲＥＦｎが基準抵抗範囲ＲＥＦ１以外である場合には、解析装置３１は、断線が発生していると判定する。断線が発生している場合には（Ｓ６３においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ６５に移行する。一方、断線が発生していない場合には（Ｓ６３においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ６４に移行する。

　Ｓ６４において、解析装置３１は、断線は発生していないと特定する。

　Ｓ６５において、解析装置３１は、全ての構造体で断線が発生しているか否かを判定する。Ｓ６２で特定した基準抵抗範囲ＲＥＦｎが基準抵抗範囲ＲＥＦ８である場合には、解析装置３１は、全ての構造体で断線が発生していると判定する。全ての構造体で断線が発生している場合には（Ｓ６５においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ６６に移行する。一方、断線が発生していない構造体がある場合には（Ｓ６５においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ６７に移行する。

　Ｓ６６において、解析装置３１は、硫黄華とその他硫黄系ガスとの少なくとも一方、すなわち、硫黄系ガスが存在していると判断する。

　Ｓ６７において、解析装置３１は、Ｓ６２で特定した基準抵抗範囲ＲＥＦｎを基に構造体の断線有無を特定する。

　Ｓ６８において、解析装置３１は、Ｓ６７で特定した断線有無に基づいて、３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を特定する。解析装置３１は、Ｓ６７で断線が発生していると特定した構造体がＳ６７で断線が発生していないと特定した構造体よりも耐食性が低くなるように３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を特定する。

　詳細には、断線が発生している構造体が第１の構造体１２２Ａだけである場合には、解析装置３１は、第１の構造体１２２Ａは第２の構造体１２２Ｂおよび第３の構造体１２２Ｃよりも耐食性が低いと特定する。

　断線が発生している構造体が第２の構造体１２２Ｂだけである場合には、解析装置３１は、第２の構造体１２２Ｂは第１の構造体１２２Ａおよび第３の構造体１２２Ｃよりも耐食性が低いと特定する。

　断線が発生している構造体が第３の構造体１２２Ｃだけである場合には、解析装置３１は、第３の構造体１２２Ｃは第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂよりも耐食性が低いと特定する。

　断線が発生している構造体が第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂである場合には、解析装置３１は、第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂは第３の構造体１２２Ｃよりも耐食性が低いと特定する。

　断線が発生している構造体が第１の構造体１２２Ａおよび第３の構造体１２２Ｃである場合には、解析装置３１は、第１の構造体１２２Ａおよび第３の構造体１２２Ｃは第２の構造体１２２Ｂよりも耐食性が低いと特定する。

　断線が発生している構造体が第２の構造体１２２Ｂおよび第３の構造体１２２Ｃである場合には、解析装置３１は、第２の構造体１２２Ｂおよび第３の構造体１２２Ｃは第１の構造体１２２Ａよりも耐食性が低いと特定する。

　Ｓ６９において、解析装置３１は、記録装置３０に記憶されている耐食性情報を参照し、Ｓ６８で特定した３つの構造体１２２の耐食性の大小関係と一致する環境を特定する。なお、Ｓ６８で特定した３つの構造体１２２の耐食性の大小関係では、該当する環境を１つに特定することができない場合には、解析装置３１は、該当する環境を全て特定する。

　Ｓ７０において、解析装置３１は、Ｓ６９で特定した環境に基づいて、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定する。一例として、Ｓ６９で特定した環境が第１の環境である場合には、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類をその他硫黄系ガスに特定する。また、Ｓ６９で特定した環境が第２の環境である場合には、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類を硫黄華に特定する。また、Ｓ６９で特定した環境が第３の環境である場合には、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類を硫黄華とその他硫黄系ガスとに特定する。

　また、Ｓ６９で特定した環境が第１の環境と第３の環境とである場合には、解析装置３１は、少なくともその他硫黄系ガスが存在すると特定する。

　Ｓ７１において、解析装置３１は、特定した内容を報知装置４０に報知させる。一例として、解析装置３１は、Ｓ６４、Ｓ６６、またはＳ７０で特定した内容を液晶ディスプレイに表示する。

　詳細には、Ｓ６４から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「現状、断線は検知できません。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　また、Ｓ６６から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「硫黄系ガスが存在します。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　また、Ｓ７０から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「腐食性ガスは＊＊＊です。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。なお、Ｓ７０において、少なくともその他硫黄系ガスが存在すると特定された場合には、解析装置３１は、「その他硫黄系ガスが存在します。なお、硫黄華も存在する可能性があります。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　また、２つの構造体で断線が発生している場合に、本実施の形態においては、断線の発生順までは特定することができない。たとえば、第１の構造体１２２Ａと第２の構造体１２２Ｂとで断線が発生している場合に、第２の構造体１２２Ｂの方が先に断線している可能性もある。また、第１の構造体１２２Ａと第３の構造体１２２Ｃとで断線が発生している場合に、第３の構造体１２２Ｃの方が先に断線している可能性もある。また、第２の構造体１２２Ｂと第３の構造体１２２Ｃとで断線が発生している場合に、第２の構造体１２２Ｂの方が先に断線している可能性もある。これらの可能性を考慮して、２つの構造体で断線が発生している場合には、解析装置３１は、「腐食性ガスは＊＊＊です。」といったメッセージとともに、「硫黄系ガス以外の腐食要因が存在する可能性があります。」といったメッセージを表示してもよい。

　Ｓ７１の後、解析装置３１は、図２７に示す一連の処理を終了する。

　続いて、実施の形態５に係るセンサ１０１Ａの有効性に関する検証結果について説明する。当該検証は、実施の形態４に係るセンサの有効性に関する検証と同じ条件で行われた。

　実施の形態５の第１実施例．
　電気機器９００Ａを、４０℃／９５％ＲＨ／３ｐｐｍ　Ｈ_２Ｓの環境に暴露した。暴露開始１日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１００Ωであった。このとき、いずれの構造体においても断線は発生していなかった。

　また、Ｈ_２Ｓが存在し、Ｓ_８が存在しない環境（すなわち、第１の環境）においては、３つの構造体１２２のうち最も耐食性が低い構造体は第１の構造体１２２Ａであることが証明された。

　さらに暴露開始１４０日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、７００Ωであった。このとき第１の構造体１２２Ａに加え、第２の構造体１２２Ｂでも断線が発生していることが確認された。これにより、１００Ωから７００Ωへの抵抗値の増加は、第１の構造体１２２Ａと第２の構造体１２２Ｂとで断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　また、Ｈ_２Ｓが存在し、Ｓ_８が存在しない環境（すなわち、第１の環境）においては、３つの構造体１２２のうち第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂは第３の構造体１２２Ｃよりも耐食性が低いことが証明された。

　実施の形態５の第２実施例．
　電気機器９００Ａを、Ｓ_８が存在する７５℃の温度環境に暴露した。暴露開始１日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１００Ωであった。このとき、いずれの構造体においても断線は発生していなかった。

　また、Ｓ_８が存在し、Ｈ_２Ｓが存在しない環境（すなわち、第２の環境）においては、３つの構造体１２２のうち最も耐食性が低い構造体は第３の構造体１２２Ｃであることが証明された。

　暴露開始７日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１３００Ωであった。このとき第３の構造体１２２Ｃに加え、第２の構造体１２２Ｂでも断線が発生していることが確認された。これにより、１００Ωから１３００Ωへの抵抗値の増加は、第２の構造体１２２Ｂと第３の構造体１２２Ｃとで断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　また、Ｓ_８が存在し、Ｈ_２Ｓが存在しない環境（すなわち、第２の環境）においては、３つの構造体１２２のうち第２の構造体１２２Ｂおよび第３の構造体１２２Ｃは第１の構造体１２２Ａよりも耐食性が低いことが証明された。

　実施の形態５の第３実施例．
　電気機器９００Ａを、４０℃／９５％ＲＨ／（０．２ｐｐｍ　Ｓ_８＋３ｐｐｍ　Ｈ_２Ｓ）の環境に暴露した。暴露開始１日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１００Ωであった。このとき、いずれの構造体においても断線は発生していなかった。

　また、Ｈ_２ＳとＳ_８とが共存し、Ｈ_２Ｓの濃度がＳ_８の濃度よりも高い環境（すなわち、第３の環境）においては、３つの構造体１２２のうち最も耐食性が低い構造体は第１の構造体１２２Ａであることが証明された。

　暴露開始８日目におけるセンサ本体１１Ａの合成抵抗Ｘは、１１００Ωであった。このとき第１の構造体１２２Ａに加え、第３の構造体１２２Ｃでも断線が発生していることが確認された。これにより、１００Ωから１１００Ωへの抵抗値の増加は、第１の構造体１２２Ａと第３の構造体１２２Ｃとで断線が発生したことが原因であると判断できることが証明された。

　また、Ｈ_２ＳとＳ_８とが共存し、Ｈ_２Ｓの濃度がＳ_８の濃度よりも高い環境（すなわち、第３の環境）においては、３つの構造体１２２のうち第１の構造体１２２Ａおよび第３の構造体１２２Ｃは第２の構造体１２２Ｂよりも耐食性が低いことが証明された。

　また、実施の形態５の第１実施例、第２実施例、および第３実施例における検証から、３つの構造体１２２のうち第１の構造体１２２Ａが最も耐食性が低い場合には、電気機器９００Ａは第１の環境または第３の環境にあると判断できる、すなわち、環境には少なくともその他硫黄系ガスが存在すると判断できることが証明された。

　また、これらの検証から、３つの構造体１２２のうち第３の構造体１２２Ｃが最も耐食性が低い場合には、電気機器９００Ａは第２の環境にあると判断できる、すなわち、環境に存在する腐食性ガスの種類は硫黄華であると判断できることが証明された。

　また、これらの検証から、３つの構造体１２２のうち第１の構造体１２２Ａおよび第２の構造体１２２Ｂが第３の構造体１２２Ｃよりも耐食性が低い場合には、電気機器９００Ａは第１の環境にあると判断できる、すなわち、環境に存在する腐食性ガスの種類はその他硫黄系ガスであると判断できることが証明された。

　また、これらの検証から、３つの構造体１２２のうち第２の構造体１２２Ｂおよび第３の構造体１２２Ｃが第１の構造体１２２Ａよりも耐食性が低い場合には、電気機器９００Ａは第２の環境にあると判断できる、すなわち、環境に存在する腐食性ガスの種類は硫黄華であると判断できることが証明された。

　また、これらの検証から、３つの構造体１２２のうち第１の構造体１２２Ａおよび第３の構造体１２２Ｃが第２の構造体１２２Ｂよりも耐食性が低い場合には、電気機器９００Ａは第３の環境にあると判断できる、すなわち、環境に存在する腐食性ガスの種類は硫黄華とその他硫黄系ガスとであると判断できることが証明された。

　このように、実施の形態５によれば、センサ１０１Ａは、耐食性の大小関係が第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なる３つの構造体１２２を備える。また、実施の形態５によれば、断線の発生により合成抵抗Ｘが変化する。そのため、断線の有無を特定することができるため、３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を特定することができる。また、特定された３つの構造体１２２の耐食性の大小関係を、記録装置３０に記憶されている耐食性情報と比較することにより、環境に存在する腐食性ガスの種類を特定することができる。ゆえに、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することができる。

　実施の形態６．
　実施の形態６では、対象とする腐食性ガスの種類の数が実施の形態１～５よりも多い。詳細には、実施の形態６で対象とする腐食性ガスは、硫黄系ガスおよび塩素ガスである。

　実施の形態６における電気機器の構成は、センサのセンサ本体に含まれる構造体の数が異なること以外は実施の形態１に係る電気機器９００（図１参照）の構成と同様である。図２８は、実施の形態６におけるセンサ本体の構成の一例を示す図である。

　実施の形態６におけるセンサ本体１１Ｂは、５つの構造体（第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、第３の構造体１２１Ｃ、第４の構造体１２１Ｄ、および第５の構造体１２１Ｅ）と、配線４と、端子切替器５２とを備える。以下では、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、第３の構造体１２１Ｃ、第４の構造体１２１Ｄ、および第５の構造体１２１Ｅを総称して、５つの構造体１２３とも称する。

　配線４は、配線４１、５つの配線４２、および配線４３を含む。配線４は、回路基板上に配置される。５つの配線４２は、５つの構造体１２３にそれぞれ対応する。また、各構造体は、配線４１と対応する配線４２との間を接続するように配置され、半田により配線４１，４２上に実装される。

　第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃは、上述の通りである。第４の構造体１２１Ｄおよび第５の構造体１２１Ｅは、薄膜の金属材料が異なること以外は、第１の構造体１２１Ａと同じである。

　詳細には、第４の構造体１２１Ｄは、金属薄膜、詳細には、錫からなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している。錫は、「第３の金属材料」の一例である。塩素ガスは、錫を選択的に腐食する。

　第５の構造体１２１Ｅは、金属薄膜、詳細には、ニッケルからなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している。ニッケルは、二酸化硫黄と塩素ガスとのいずれによっても腐食する。

　５つの構造体１２３の金属薄膜の厚さは、いずれも１０μｍに設定されている。また、コーティング材の厚さも、１０μｍに設定されている。なお、５つの構造体１２３の金属薄膜の厚さは互いに異なっていてもよい。また、金属薄膜の厚さとコーティング材の厚さとは互いに異なっていてもよい。

　上述の通り、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの耐食性の大小関係は、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なる。

　本実施の形態においては、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの環境別の耐食性の大小関係を示す情報（すなわち、耐食性情報）として、図１２に示す大小関係が記録装置３０に記憶されている。本実施の形態においては、解析装置３１は、実際にセンサ１０１（または電気機器９００）が暴露されている環境下での５つの構造体１２３の腐食速度を算出する。

　塩素ガスは錫を選択的に腐食することから、解析装置３１は、第４の構造体１２１Ｄの腐食速度を基に塩素ガスの存在有無を特定する。ニッケルは二酸化硫黄と塩素ガスとのいずれによっても腐食することから、解析装置３１は、第４の構造体１２１Ｄの腐食速度と第５の構造体１２１Ｅの腐食速度とを基に二酸化硫黄の存在有無を特定する。

　また、解析装置３１は、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの腐食速度を基にこれらの耐食性の大小関係を特定し、実施の形態１と同様にして硫黄華と硫化水素とがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのか特定する。

　なお、上述の、金属薄膜の材料、金属薄膜の膜厚、コーティング材の材料、およびコーティング材の厚さは一例にすぎない。これらは、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで、第１の構造体１２１Ａ、第２の構造体１２１Ｂ、および第３の構造体１２１Ｃの耐食性の大小関係が互いに異なるようなものであればよい。

　主に図１、図２８、および図２９を参照して、実施の形態６に係る解析処理について説明する。図２９は、実施の形態６に係る解析処理の一例を示すフローチャートである。図２９に示す処理は図示しないメインルーチンからあらかじめ定められた周期で呼び出され、解析装置３１により実行される。各ステップ（以下、Ｓと略す）は、基本的に解析装置３１によるソフトウェア処理によって実現されるが、解析装置３１内に作製された電子回路によるハードウェア処理によって実現されてもよい。

　Ｓ８１において、解析装置３１は、実施の形態１または実施の形態２で述べた方法を用いて、５つの構造体１２３の各々の腐食速度を算出し、それらを記録装置３０に書き込む。

　Ｓ８２において、解析装置３１は、記録装置３０から５つの構造体１２３の最新の腐食速度を抽出する。

　Ｓ８３において、解析装置３１は、第４の構造体１２１Ｄの腐食速度Ｖ_１２１Ｄが０であるか否かを判定する。Ｓ８３の処理は、塩素ガスが存在するか否かを判定するための処理である。塩素ガスにより選択的に腐食される錫からなる薄膜を含む第４の構造体１２１Ｄの腐食速度が０であれば、塩素ガスは存在しないといえる。腐食速度Ｖ_１２１Ｄが０である場合には（Ｓ８３においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ８５に移行する。一方、腐食速度Ｖ_１２１Ｄが０でない場合には（Ｓ８３においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ８４に移行する。

　Ｓ８４において、解析装置３１は、塩素ガスが存在すると特定する。なお、塩素ガスは、ほとんどの金属材料を腐食させるため、塩素ガス以外の腐食性ガスの影響を正確に評価することは難しい。そのため、解析装置３１は、塩素ガスが存在すると特定した場合には、塩素ガス以外の腐食性ガスの存在有無を特定することは行わない。

　Ｓ８５において、解析装置３１は、第５の構造体１２１Ｅの腐食速度Ｖ_１２１Ｅが０であるか否かを判定する。Ｓ８５の処理は、二酸化硫黄が存在するか否かを判定するための処理である。ニッケルは、二酸化硫黄と塩素ガスとのいずれによっても腐食する。Ｓ８５はＳ８３においてＹＥＳの場合、すなわち塩素ガスが存在しない場合に行われることから、腐食速度Ｖ_１２１Ｅを基に二酸化硫黄の存在有無を特定することが可能となる。腐食速度Ｖ_１２１Ｅが０であれば、二酸化硫黄は存在しないといえる。腐食速度Ｖ_１２１Ｅが０である場合には（Ｓ８５においてＹＥＳ）、解析装置３１は、処理をＳ８７に移行する。一方、腐食速度Ｖ_１２１Ｅが０でない場合には（Ｓ８５においてＮＯ）、解析装置３１は、処理をＳ８６に移行する。

　Ｓ８６において、解析装置３１は、二酸化硫黄が存在すると特定する。ここで、銅は、二酸化硫黄によっても腐食するのに対し、銀は二酸化硫黄による影響をほとんど受けない。そこで、解析装置３１は、二酸化硫黄が存在すると特定した場合には、第２の構造体１２１Ｂおよび第３の構造体１２１Ｃの腐食速度を基に、硫黄華の共存有無をさらに特定する（Ｓ８８～Ｓ９２）。

　Ｓ８７において、解析装置３１は、実施の形態１で述べたＳ２８～Ｓ３５（図１５参照）の処理を実行することにより、硫化水素と硫黄華との存在有無を特定する。なお、実施の形態６では、Ｓ３０において、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類を硫化水素に特定する。また、実施の形態６では、Ｓ３４において、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類を硫黄華と硫化水素とに特定する。

　Ｓ８８において、解析装置３１は、腐食速度Ｖ_１２１Ｂおよび腐食速度Ｖ_１２１Ｃがいずれも０であるか否かを判定する。腐食速度Ｖ_１２１Ｂおよび腐食速度Ｖ_１２１Ｃがいずれも０である場合には（Ｓ８８においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ８９に移行する。一方、腐食速度Ｖ_１２１Ｂおよび腐食速度Ｖ_１２１Ｃの少なくとも一方が０ではない場合には（Ｓ８８においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ９０に移行する。

　Ｓ８９において、解析装置３１は、環境に存在する腐食性ガスの種類は二酸化硫黄であり、硫化水素および硫黄華は存在しないと特定する。

　Ｓ９０において、解析装置３１は、腐食速度Ｖ_１２１Ｂ＞腐食速度Ｖ_１２１Ｃであるか否かを判定する。腐食速度Ｖ_１２１Ｂ＞腐食速度Ｖ_１２１Ｃの場合とは、第２の構造体１２１Ｂおよび第３の構造体１２１Ｃの耐食性の大小関係が第２の構造体１２１Ｂ＜第３の構造体１２１Ｃの場合、すなわち、センサ１０１（または電気機器９００）が暴露されている環境が第１の環境の場合といえる。腐食速度Ｖ_１２１Ｂ＞腐食速度Ｖ_１２１Ｃである場合には（Ｓ９０においてＹＥＳ）、解析装置３１は処理をＳ９１に移行する。一方、腐食速度Ｖ_１２１Ｂ＞腐食速度Ｖ_１２１Ｃでない場合には（Ｓ９０においてＮＯ）、解析装置３１は処理をＳ９２に移行する。

　Ｓ９１において、解析装置３１は、環境には二酸化硫黄とともに硫化水素が存在する可能性があると特定する。すなわち、解析装置３１は、環境には二酸化硫黄が存在するが、硫黄華は存在しないこと、および、二酸化硫黄以外に硫化水素が存在する可能性があることを特定する。

　Ｓ９２において、解析装置３１は、環境には二酸化硫黄とともに硫黄華が存在すると特定する。

　Ｓ９３において、解析装置３１は、特定した内容を報知装置４０に報知させる。一例として、解析装置３１は、Ｓ８４、Ｓ８７、Ｓ８９、Ｓ９１、またはＳ９２で特定した内容を液晶ディスプレイに表示する。

　詳細には、Ｓ８４から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「塩素ガスが存在します。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　また、Ｓ８７から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、解析装置３１は、「腐食性ガスは＊＊＊です。」といったメッセージや「硫黄系ガス以外の腐食要因を検討してください。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　また、Ｓ８９から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「二酸化硫黄が存在します。硫黄華および硫化水素は存在しません。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　また、Ｓ９１から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「環境には二酸化硫黄とともに硫化水素が存在する可能性があります。」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　また、Ｓ９２から処理が移行されてきた場合には、解析装置３１は、「二酸化硫黄とともに硫黄華が存在します」といったメッセージを液晶ディスプレイに表示する。

　Ｓ９３の後、解析装置３１は、図２９に示す一連の処理を終了する。

　このように、実施の形態６によれば、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定できるだけでなく、第３の種類の腐食性ガスの存在有無をも特定することができる。

　以上、各実施の形態について説明した。上述の通り、本開示によれば、第１の種類の腐食性ガスと第２の種類の腐食性ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することができる。一例として、上述の各実施の形態では、硫黄華とその他硫黄系ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定する場合を例に説明した。

　硫黄華とその他硫黄系ガスとは、腐食させる金属の種類が類似している。そのため、特許文献１または特許文献２に開示の技術では、硫黄華とその他硫黄系ガスとが、それぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定することはできない。一般に、ガスによる腐食の因子は、腐食性ガスの種類と金属の種類との組合せ（金属の腐食性）、腐食性ガスの濃度、温度、および湿度と言われている。これは、硫化水素または二酸化硫黄による腐食に当てはまり、各因子の値が大きいほど、腐食速度は速くなる。一方、硫黄華による腐食では、湿度の影響はほとんど受けない。環境の腐食性を改善する方法の一つとして、空調等により湿度を低下させる方法が提案されるが、この方法は硫化水素および二酸化硫黄には有効でも、硫黄華にはほとんど無効である。ゆえに、硫黄華とその他硫黄系ガスとの共存有無は、環境の腐食性の改善に有用な情報といえる。本開示によれば、硫黄華とその他硫黄系ガスとがそれぞれ単独で存在しているのか、もしくは共存しているのかを特定できることから、環境の腐食性の改善に有用な情報を提供することができる。

　今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　３　回路基板、４，４１，４２，４３　配線、５　半田、６　絶縁基板、７　電極対、８　金属薄膜、９，９１　抵抗体、１１，１１Ａ，１１Ｂ　センサ本体、１２　温湿度センサ、２０　抵抗測定器、３０　記録装置、３１　解析装置、４０　報知装置、５２　端子切替器、７１　第１電極、７２　第２電極、９０　電気機器本体、１０１，１０１Ａ　センサ、１２１Ａ，１２２Ａ　第１の構造体、１２１Ｂ，１２２Ｂ　第２の構造体、１２１Ｃ，１２２Ｃ　第３の構造体、１２１Ｄ　第４の構造体、１２１Ｅ　第５の構造体、２０１　電圧計、２０２　電流計、９００，９００Ａ　電気機器、ａ１　コーティング材。

Claims

　環境に存在する腐食性ガスの種類を特定するセンサであって、
　前記腐食性ガスの種類は、第１の種類と、第２の種類とを少なくとも含み、
　前記センサは、
　　少なくとも３つの構造体を含むセンサ本体と、
　　前記少なくとも３つの構造体の各々の抵抗値、または、前記センサ本体の抵抗値を測定する測定器と、
　　前記測定器により測定された抵抗値と、前記少なくとも３つの構造体の環境別の耐食性の大小関係を示す耐食性情報とに基づいて、環境に存在する前記腐食性ガスの種類を特定する解析装置と、
　　前記解析装置により特定された内容を報知する報知装置と、を備え、
　前記少なくとも３つの構造体は、
　　第１の金属材料からなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している第１の構造体と、
　　前記第１の金属材料とは異なる第２の金属材料からなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している第２の構造体と、
　　前記第２の金属材料からなる薄膜を含み、当該薄膜の環境に暴露される面がコーティング材で覆われている第３の構造体と、を含み、
　前記第１の種類の腐食性ガス、および、前記第２の種類の腐食性ガスは、前記第１の金属材料および前記第２の金属材料をそれぞれ腐食し、
　前記少なくとも３つの構造体の耐食性の大小関係は、第１の環境と、第２の環境と、第３の環境とで互いに異なり、
　前記第１の環境では、前記第１の種類の腐食性ガスが存在し、かつ、前記第２の種類の腐食性ガスが存在せず、
　前記第２の環境では、前記第１の種類の腐食性ガスが存在せず、かつ、前記第２の種類の腐食性ガスが存在し、
　前記第３の環境では、前記第１の種類の腐食性ガスと前記第２の種類の腐食性ガスとが存在する、センサ。
　前記測定器は、前記少なくとも３つの構造体の各々の抵抗値を測定し、
　前記解析装置は、
　　前記測定器により測定された抵抗値に基づいて、前記少なくとも３つの構造体の各々の腐食速度または腐食割合を算出し、
　　算出した腐食速度または腐食割合に基づいて、前記少なくとも３つの構造体の耐食性の大小関係を特定し、
　　前記耐食性情報と、特定した前記少なくとも３つの構造体の耐食性の大小関係とに基づいて、環境に存在する前記腐食性ガスの種類を特定する、請求項１に記載のセンサ。
　前記センサは、前記測定器により測定された抵抗値と、前記測定器により抵抗値が測定された測定時間とを対応付けて記憶する記憶装置をさらに備え、
　前記測定器は、前記少なくとも３つの構造体の各々の抵抗値を定められた周期で測定し、
　前記解析装置は、第１の測定時間に測定された抵抗値と、当該第１の測定時間から任意の時間だけ遡った第２の測定時間に測定された抵抗値とに基づいて、前記少なくとも３つの構造体の各々の腐食速度または腐食割合を算出する、請求項２に記載のセンサ。
　前記解析装置は、環境の温度、環境の湿度、および、算出した腐食速度に基づいて、環境に存在する前記腐食性ガスの濃度をさらに算出し、
　前記報知装置は、前記解析装置により算出された前記腐食性ガスの濃度をさらに報知する、請求項２または請求項３に記載のセンサ。
　前記解析装置は、式に環境の温度、環境の湿度、および、算出した腐食速度を代入することにより、環境に存在する前記腐食性ガスの濃度を算出し、
　前記式は、温度、湿度、および前記腐食性ガスの濃度のうち少なくとも１つが異なる複数のモデル環境下で得られた前記薄膜の腐食速度を基に分散分析を用いて作成される、請求項４に記載のセンサ。
　前記少なくとも３つの構造体の各々は、薄膜に並列に接続された抵抗体をさらに含み、
　前記少なくとも３つの構造体のうち任意の１つの構造体の抵抗体の抵抗値は、残りの構造体の各々の抵抗体の抵抗値と異なり、かつ、前記残りの構造体から任意に選択される複数の構造体の抵抗体の抵抗値の合計と一致せず、
　前記測定器は、前記センサ本体の抵抗値を測定し、
　前記解析装置は、
　　前記測定器により測定された抵抗値に基づいて、前記少なくとも３つの構造体の断線状況を特定し、
　　特定した前記断線状況に基づいて、前記少なくとも３つの構造体の耐食性の大小関係を特定し、
　　前記耐食性情報と、特定した前記少なくとも３つの構造体の耐食性の大小関係とに基づいて、環境に存在する前記腐食性ガスの種類を特定する、請求項１に記載のセンサ。
　前記断線状況は、前記少なくとも３つの構造体における断線の発生順である、請求項６に記載のセンサ。
　前記断線状況は、前記少なくとも３つの構造体における断線の有無である、請求項６に記載のセンサ。
　前記腐食性ガスの種類は、第３の種類をさらに含み、
　前記少なくとも３つの構造体は、前記第１の金属材料と前記第２の金属材料とは異なる第３の金属材料からなる薄膜を含み、当該薄膜が環境に露出している第４の構造体をさらに含み、
　前記第３の種類の腐食性ガスは、前記第３の金属材料を選択的に腐食する、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のセンサ。
　前記コーティング材は、前記第１の環境において、被覆している前記薄膜の腐食速度を減速させ、前記第２の環境および前記第３の環境においては、被覆している前記薄膜の腐食速度を加速させ、
　前記第１の金属材料は前記第２の金属材料よりも、前記第１の種類の腐食性ガスに対する耐食性が低い、請求項１～請求項９のいずれか１項に記載のセンサ。
　前記コーティング材はシリコーン系樹脂で構成される、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載のセンサ。
　前記少なくとも３つの構造体の薄膜の厚さは互いに同じである、請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載のセンサ。
　請求項１～請求項１２のいずれか１項に記載のセンサを備える、電気機器。