JP2021181931A - 硫化検出センサおよび硫化検出センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】硫化の度合いを正確に検出することができる硫化検出センサを提供する。【解決手段】硫化検出センサ１０は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極２と、これら一対の表電極２間に形成された硫化検出導体３と、硫化検出導体３の全体と表電極２の一部を覆う硫化ガス非透過性の保護膜４と、絶縁基板１の裏面の長手方向両端部に形成された一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端部に形成された一対の端面電極６と、表電極２と裏電極５および端面電極６の表面に形成された一対の外部電極７とを備えており、硫化検出導体３は保護膜４で覆われた内部に硫化ガスと反応可能な硫化検出部３ａを有しており、保護膜４と硫化検出部３ａとの間に空間部Ｓが確保されていると共に、保護膜４の電流方向と直交する方向の両側部に空間部Ｓと連通する開口Ｓａが形成されている。【選択図】図２

Description

本発明は、腐食環境の累積的な硫化量を検出するための硫化検出センサと、そのような硫化検出センサの製造方法に関する。

一般的にチップ抵抗器等の電子部品の内部電極としては、比抵抗の低いＡｇ（銀）系の電極材料が使用されているが、銀は硫化ガスに曝されると硫化銀となり、硫化銀は絶縁物であることから、電子部品が断線してしまうという不具合が発生してしまう。そこで近年では、ＡｇにＰｄ（パラジウム）やＡｕ（金）を添加して硫化しにくい電極を形成したり、電極を硫化ガスが到達しにくい構造にする等の硫化対策が講じられている。

しかし、このような硫化対策を電子部品に講じたとしても、当該電子部品が硫化ガス中に長期間曝された場合や高濃度の硫化ガスに曝された場合は、断線を完全に防ぐことが難しくなるため、未然に断線を検知して予期せぬタイミングでの故障発生を防止することが必要となる。

そこで従来より、特許文献１に記載されているように、電子部品の累積的な硫化の度合いを検出して、電子部品が硫化断線する等して故障する前に危険性を検出可能とした硫化検出センサが提案されている。特許文献１に記載された硫化検出センサは、絶縁基板上にＡｇを主体とした硫化検出体を形成し、この硫化検出体を覆うように透明で硫化ガス透過性のある保護膜を形成すると共に、絶縁基板の両側端部に硫化検出体に接続する端面電極を形成した構成となっている。

このように構成された硫化検出センサを他の電子部品と共に回路基板上に実装した後、該回路基板を硫化ガスを含む雰囲気で使用すると、硫化ガスが硫化検出センサの保護膜を透過して硫化検出体に接するため、硫化ガスの濃度と経過時間に応じて硫化検出体を構成する銀が硫化銀に変化し、それに伴って硫化検出センサの抵抗値が次第に上昇していき、最終的には硫化検出体の断線に至る。したがって、硫化検出体の抵抗値変化や断線を検出することにより、硫化の度合いを検出することが可能となっている。

特開２００９−２５０６１１号公報

通常、この種の硫化検出センサは半田を用いて回路基板上に実装されるが、硫化検出センサの外部電極と回路基板のランドとを半田付けする際に、半田ペーストに含まれるフラックスが外部電極を伝わって保護膜上に流れ出てしまったり、フラックスが飛散して保護膜上に堆積してしまうことがある。その場合、特許文献１に記載された硫化検出センサのように、硫化ガス透過性のある保護膜で硫化検出体を覆うように構成されたものにおいては、硫化ガスが保護膜上に付着したフラックスに遮られて硫化検出体と接触しにくくなるため、正確に硫化の度合いを検出することができなくなる。

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、第１の目的は、硫化の度合いを正確に検出することができる硫化検出センサを提供することにあり、第２の目的は、そのような硫化検出センサの製造方法を提供することにある。

上記第１の目的を達成するために、本発明の硫化検出センサは、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面における両端部に形成された一対の表電極と、一対の前記表電極に導通するように形成された硫化検出導体と、前記硫化検出導体を覆う硫化ガス非透過性の保護膜と、を備え、前記硫化検出導体は前記保護膜で覆われた内部に硫化ガスと反応可能な硫化検出部を有しており、前記保護膜と前記硫化検出部との間に空間部が確保されていると共に、前記保護膜の電流方向と直交する方向の両側部に前記空間部と連通する開口が形成されていることを特徴としている。

このように構成された硫化検出センサでは、半田を用いて回路基板上に実装する際に、半田ペーストに含まれるフラックスが保護膜上に流れ出たり、半田溶融時に飛散したフラックスが保護膜上に堆積した場合でも、硫化ガスが保護膜の両側部に形成された開口から空間部内に入って硫化検出部と接触するようになっているため、硫化の度合いを正確に検出することができる。

上記構成の硫化検出センサにおいて、硫化検出導体の中央部に電流方向と直交する方向に延びる絶縁性の支持突起が設けられており、空間部が支持突起を挟んだ２位置に画成されていると、空間部が２位置に画成されているため、より確実に硫化の度合いを検出することができる。しかも、支持突起によって保護膜の中央部の強度が高められるため、硫化検出センサの上面をチップマウンターのノズルで吸着して回路基板上に自動供給する際に、保護膜が変形してしまうことを防止できる。

また、上記構成の硫化検出センサにおいて、硫化検出導体の両端部がそれぞれ抵抗体を介して一対の表電極に接続されており、これら両抵抗体が絶縁性のプリコート層によって覆われていると共に、プリコート層と支持突起の上面が同一高さに設定されていると、一対の表電極間に２つの抵抗体を介して硫化検出導体が直列接続されるため、硫化の度合いをより正確に検出することができる。

この場合において、プリコート層と支持突起を樹脂材料で形成しても良いが、これらプリコート層と支持突起が全てガラス材料で形成されていると、抵抗体に抵抗値調整用のトリミング溝を形成する場合に必要とされるガラスコート層（プリコート層）の形成時に、ガラスコート層と支持突起を同一工程で一括して形成することができる。

上記第２の目的を達成するために、本発明による硫化検出センサの製造方法は、絶縁材料からなる大判基板の主面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する工程と、前記一対の表電極に導通する矩形状の硫化検出導体を形成する工程と、前記硫化検出導体の一部を所定幅で覆って外方へ突出するマスキング層を形成する工程と、前記マスキング層の両端部を除く領域と前記硫化検出導体の全体を覆うように硫化ガス非透過性の保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成した後に、前記マスキング層を洗浄して除去する工程と、を含み、前記マスキング層を除去することにより、前記保護膜と前記硫化検出部との間に外部に連通する空間部が形成され、この空間部に臨む前記硫化検出導体の一部が硫化ガスと反応可能な硫化検出部となることを特徴としている。

このような工程を経て製造された硫化検出センサは、硫化ガスが保護膜の両側部に形成された開口から空間部内に入って硫化検出部と接触するようになっているため、半田を用いて回路基板上に実装する際に、半田ペーストに含まれるフラックスが保護膜上に流れ出たり、半田溶融時に飛散したフラックスが保護膜上に堆積したとしても、保護膜上のフラックスに邪魔されることなく硫化ガスを硫化検出部に接触させて硫化の度合いを正確に検出することができる。

本発明によれば、半田実装時にフラックスが保護膜上に流れ出たり堆積した場合でも、外部雰囲気中の硫化ガスが開口から空間部内に入って硫化検出部と接触するため、硫化の度合いを正確に検出することができる硫化検出センサを提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係る硫化検出センサの平面図である。 図１のII−II線に沿う断面図である。 図１のIII−III線に沿う断面図である。 該硫化検出センサの製造工程を示す平面図である。 該硫化検出センサの製造工程を示す断面図である。 該硫化検出センサの製造工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る硫化検出センサの平面図である。 図７のVIII−VIII線に沿う断面図である。 図７のIX−IX線に沿う断面図である。 該硫化検出センサの製造工程を示す平面図である。 該硫化検出センサの製造工程を示す断面図である。 該硫化検出センサの製造工程を示す断面図である。

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明すると、図１は本発明の第１の実施形態に係る硫化検出センサの平面図、図２は図１のII−II線に沿う断面図、図３は図１のIII−III線に沿う断面図である。

図１〜図３に示すように、第１の実施形態に係る硫化検出センサ１０は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極２と、これら一対の表電極２間に形成された硫化検出導体３と、硫化検出導体３の全体と表電極２の一部を覆う硫化ガス非透過性の保護膜４と、絶縁基板１の裏面の長手方向両端部に形成された一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端部に形成された一対の端面電極６と、表電極２と裏電極５および端面電極６の表面に形成された一対の外部電極７と、によって主として構成されている。

絶縁基板１は、後述する大判基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものであり、大判基板の主成分はアルミナを主成分とするセラミックス基板である。

一対の表電極２は、銀（Ａｇ）にパラジウム（Ｐｄ）を含有するＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、これら両表電極２は所定間隔を存して対向するように絶縁基板１の長手方向両端部に形成されている。

硫化検出導体３は、銀を主成分とするＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、この硫化検出導体３の両端部は一対の表電極２に重なるように接続されている。

保護膜４は、エポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、硫化検出導体３の両端部に重なる表電極２の一部と、硫化検出導体３の全体は保護膜４によって覆われている。ここで、保護膜４は硫化検出導体３の中央部を除く部分の表面に密着しているが、保護膜４は硫化検出導体３の上面中央部に接触しておらず、両者の間に空間部Ｓが確保されている。空間部Ｓに臨む硫化検出導体３の上面中央部は硫化ガスと反応可能な硫化検出部３ａとなっており、保護膜４における電流方向と直交する方向（図１の上下方向）の両側部には、空間部Ｓと連通する開口Ｓａが形成されている（図３参照）。

一対の裏電極５は、銀にパラジウムを含有するＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、これら両裏電極５は絶縁基板１の表面側の表電極２と対応する位置に形成されている。

一対の端面電極６は、絶縁基板１の端面にＮｉ／Ｃｒをスパッタしたものであり、これら端面電極６は対応する表電極２と裏電極５間を導通するように形成されている。

一対の外部電極７はバリヤー層と外部接続層の２層構造からなり、そのうちバリヤー層は電解メッキによって形成されたＮｉメッキ層であり、外部接続層は電解メッキによって形成されたＳｎメッキ層である。これら外部電極７により、表電極２と裏電極５および端面電極６の表面が被覆されている。

次に、このように構成された硫化検出センサ１０の製造工程について、図４〜図６に基づいて説明する。なお、図４（ａ）〜（ｈ）はこの製造工程で用いられる大判基板を表面側から見た平面図、図５（ａ）〜（ｈ）は図４（ａ）〜（ｈ）の長手方向中央部に沿った１チップ相当分の断面図、図６（ａ）〜（ｈ）は図４（ａ）〜（ｈ）の短手方向中央部に沿った１チップ相当分の断面図をそれぞれ示している。

まず、図４（ａ）と図５（ａ）および図６（ａ）に示すように、絶縁基板１が多数個取りされる大判基板１０Ａを準備する。この大判基板１０Ａには予め１次分割溝と２次分割溝が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。図４〜図６には、１個分のチップ領域に相当する大判基板１０Ａが代表して示されているが、実際は多数個分のチップ領域に相当する大判基板に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

すなわち、図４（ｂ）と図５（ｂ）および図６（ｂ）に示すように、この大判基板１０Ａの表面にＡｇ系（Ａｇ−Ｐｄ）ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥して約８５０℃で焼成することにより、大判基板１０Ａの表面に所定間隔を存して対向する一対の表電極２を形成する。また、これと同時あるいは前後して、大判基板１０Ａの裏面にＡｇ系（Ａｇ−Ｐｄ）ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥して約８５０℃で焼成することにより、大判基板１０Ａの裏面に所定間隔を存して対向する一対の裏電極５を形成する。

次に、大判基板１０Ａの表面にＡｇペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥して約８５０℃で焼成することにより、図４（ｃ）と図５（ｃ）および図６（ｃ）に示すように、両端部が一対の表電極２に接続する硫化検出導体３を形成する。

次に、硫化検出導体３の中央部を幅方向に縦断するようにマスキング用ペーストをスクリーン印刷した後、これを約１５０℃で乾燥することにより、図４（ｄ）と図５（ｄ）および図６（ｄ）に示すように、硫化検出導体３の中央部を所定幅で覆うマスキング層１１を形成する。このマスキング層１１は、フェノール樹脂系ペースト等の耐酸性を有するマスキング剤からなり、後ほど行われる工程で洗浄・除去される。

次に、硫化検出導体３から突出するマスキング層１１の両端部を除く領域と、硫化検出導体３の全体を覆うようにエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを２００℃で加熱硬化することにより、図４（ｅ）と図５（ｅ）および図６（ｅ）に示すように、マスキング層１１の大部分と硫化検出導体３の全体を覆う保護膜４を形成する。

次に、大判基板１０Ａを一次分割溝に沿って短冊状基板１０Ｂに１次分割した後、短冊状基板１０Ｂの分割面にＮｉ／Ｃｒをスパッタすることにより、図４（ｆ）と図５（ｆ）および図６（ｆ）に示すように、短冊状基板１０Ｂの両端部に表電極２と裏電極５間を接続する端面電極６を形成する。

次に、短冊状基板１０Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板１０Ｃに２次分割した後、これらチップ状基板１０Ｃに対して電解メッキを施してＮｉ−Ｓｎメッキ層を形成することにより、図４（ｇ）と図５（ｇ）および図６（ｇ）に示すように、チップ状基板１０Ｃの両端部に表電極２と裏電極５および端面電極６の表面を覆う外部電極７を形成する。

次に、チップ状基板１０Ｃをアルカリ溶剤に浸漬してマスキング層１１を洗浄・除去することにより、図４（ｈ）と図５（ｈ）および図６（ｈ）に示すように、硫化検出導体３の中央部と保護膜４との間に外部に連通する空間部Ｓが形成され、図１〜図３に示す硫化検出センサ１０が完成する。なお、この空間部Ｓに臨む部分の硫化検出導体３が硫化ガスと反応可能な硫化検出部３ａとなる。

このように構成された硫化検出センサ１０を他の電子部品と共に図示せぬ回路基板上に実装し、該回路基板が硫化ガスを含む外部雰囲気に曝されると、硫化ガスが保護膜４の両側部に形成された開口Ｓａから空間部Ｓ内に入って硫化検出部３ａと接触する。そして、時間経過に伴って硫化検出部３ａを構成するＡｇの体積が減少していくと、一対の表電極２間の抵抗値が上昇していくため、その変化量に基づいて硫化の度合いを検出することができる。

以上説明したように、第１の実施形態に係る硫化検出センサ１０では、半田を用いて回路基板上に実装する際に、半田ペーストに含まれるフラックスが保護膜４上に流れ出たり、半田溶融時に飛散したフラックスが保護膜４上に堆積した場合でも、硫化ガスが保護膜４の両側部に形成された開口Ｓａから空間部Ｓ内に入って硫化検出部３ａと接触するようになっているため、硫化の度合いを正確に検出することができる。

また、第１の実施形態に係る硫化検出センサ１０の製造方法では、硫化検出導体３の一部を所定幅で覆って外方へ突出するマスキング層１１を形成し、該マスキング層１１の両端部を除く領域と硫化検出導体３の全体を覆うように硫化ガス非透過性の保護膜４を形成した後、端面電極６や外部電極７を形成してからマスキング層１１を洗浄・除去することにより、空間部Ｓを有する上記構成の硫化検出センサ１０を得ることができる。

図７は本発明の第２の実施形態に係る硫化検出センサの平面図、図８は図７のVIII−VIII線に沿う断面図、図９は図７のIX−IX線に沿う断面図であり、図１〜図３に対応する部分には同一符号を付してある。

図７〜図９に示すように、第２の実施形態に係る硫化検出センサ２０は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極２と、これら表電極２に接続する一対の抵抗体２１と、これら抵抗体２１を覆う一対のプリコート層２２と、両抵抗体２１に直列に接続する硫化検出導体３と、硫化検出導体３の中央部に形成されて電流方向と直交する方向（図７の上下方向）に延びる支持突起２３と、両抵抗体２１および硫化検出導体３の全体を覆う硫化ガス非透過性の保護膜４と、絶縁基板１の裏面の長手方向両端部に形成された一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端部に形成された一対の端面電極６と、表電極２と裏電極５および端面電極６の表面に形成された一対の外部電極７と、によって主として構成されている。

一対の抵抗体２１は、酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、これら抵抗体２１の一端部は対応する表電極２に接続され、他端部は硫化検出導体３に接続されている。すなわち、一対の表電極２の間に、硫化検出導体３を介して２つの抵抗体２１が直列に接続されている。両抵抗体２１には不図示のトリミング溝が形成されており、このトリミング溝によって両抵抗体２１の抵抗値が調整されている。

一対のプリコート層２２は、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、上記トリミング溝は、これらプリコート層２２の上からレーザ光を照射して形成される。また、支持突起２３もガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、一対のプリコート層２２と支持突起２３の上面は同一高さに設定されている。

保護膜４は、同一高さに設定された両プリコート層２２と支持突起２３の上面に密着しており、一対のプリコート層２２と支持突起２３との間にそれぞれ空間部Ｓが画成されている。これら空間部Ｓに臨む部分は硫化ガスと反応可能な硫化検出部３ａとなっており、保護膜４における電流方向と直交する方向の両側部には、一対の空間部Ｓと連通する開口Ｓａがそれぞれ形成されている（図９参照）。

次に、このように構成された硫化検出センサ２０の製造工程について、図１０〜図１２に基づいて説明する。なお、図１０（ａ）〜（ｈ）はこの製造工程で用いられる大判基板を表面側から見た平面図、図１１（ａ）〜（ｈ）は図１０（ａ）〜（ｈ）の長手方向中央部に沿った１チップ相当分の断面図、図１２（ａ）〜（ｈ）は図１０（ａ）〜（ｈ）の短手方向中央部に沿った１チップ相当分の断面図をそれぞれ示している。

まず、絶縁基板１が多数個取りされる大判基板２０Ａを準備する。この大判基板２０Ａには予め１次分割溝と２次分割溝が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。図４〜図６には、１個分のチップ領域に相当する大判基板２０Ａが代表して示されているが、実際は多数個分のチップ領域に相当する大判基板に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

すなわち、図１０（ａ）と図１１（ａ）および図１２（ａ）に示すように、この大判基板２０Ａの表面にＡｇ系（Ａｇ−Ｐｄ）ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、大判基板２０Ａの表面に所定間隔を存して対向する一対の表電極２を形成する。また、これと同時あるいは前後して、大判基板２０Ａの裏面にＡｇ系（Ａｇ−Ｐｄ）ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、大判基板２０Ａの裏面に所定間隔を存して対向する一対の裏電極５を形成する。

次に、大判基板２０Ａの表面にＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図１０（ｂ）と図１１（ｂ）および図１２（ｂ）に示すように、一対の表電極２の間に硫化検出導体３を形成する。

次に、図１０（ｃ）と図１１（ｃ）および図１２（ｃ）に示すように、酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、両端部が硫化検出導体３と各表電極２に接続する２つの抵抗体２１を形成する。しかる後、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、各抵抗体２１を覆うプリコート層２２を形成すると共に、硫化検出導体３の中央部を覆う帯状の支持突起２３を形成する。なお、図示省略されているが、プリコート層２２と支持突起２３を形成した後、プリコート層２２の上からレーザ光を照射して抵抗体２１にトリミング溝を形成することにより、抵抗体２１の抵抗値を所望の値に調整する。

次に、マスキング用ペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図１０（ｄ）と図１１（ｄ）および図１２（ｄ）に示すように、硫化検出導体３の両側に露出する硫化検出導体３を所定幅で覆うマスキング層１１を形成する。

次に、エポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図１０（ｅ）と図１１（ｅ）および図１２（ｅ）に示すように、マスキング層１１の両端部を除く大部分と硫化検出導体３および両抵抗体２１の全体を覆う保護膜４を形成する。

次に、大判基板２０Ａを一次分割溝に沿って短冊状基板２０Ｂに１次分割した後、短冊状基板２０Ｂの分割面にＮｉ／Ｃｒをスパッタすることにより、図１０（ｆ）と図１１（ｆ）および図１２（ｆ）に示すように、短冊状基板２０Ｂの両端部に表電極２と裏電極５間を接続する端面電極６を形成する。

次に、短冊状基板２０Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板２０Ｃに２次分割した後、これらチップ状基板２０Ｃに対して電解メッキを施してＮｉ−Ｓｎメッキ層を形成することにより、図１０（ｇ）と図１１（ｇ）および図１２（ｇ）に示すように、チップ状基板２０Ｃの両端部に表電極２と裏電極５および端面電極６の表面を覆う外部電極７を形成する。

次に、チップ状基板２０Ｃをアルカリ溶剤に浸漬してマスキング層１１を洗浄・除去することにより、図１０（ｈ）と図１１（ｈ）および図１２（ｈ）に示すように、支持突起２３の両側に露出する硫化検出導体３の２位置と保護膜４との間に外部に連通する空間部Ｓが形成され、図７〜図９に示す硫化検出センサ２０が完成する。

以上説明したように、第２の実施形態に係る硫化検出センサ２０では、硫化検出導体３に設けられた支持突起２３を挟んだ２位置に空間部Ｓが画成され、これら空間部Ｓがそれぞれ開口Ｓａを介して外部に連通しているため、半田を用いて回路基板上に実装する際に、半田ペーストに含まれるフラックスが保護膜４上に流れ出たり、半田溶融時に飛散したフラックスが保護膜４上に堆積した場合でも、硫化ガスが開口Ｓａから各空間部Ｓ内に入って硫化検出部３ａと接触可能となり、硫化の度合いをより確実に検出することができる。しかも、支持突起２３によって保護膜４の中央部の強度が高められるため、硫化検出センサ２０の上面をチップマウンターのノズルで吸着して回路基板上に自動供給する際に、保護膜４４が変形してしまうことを防止できる。

また、第２の実施形態に係る硫化検出センサ２０では、硫化検出導体３の両端部がそれぞれ抵抗体２１を介して一対の表電極２に接続されており、これら抵抗体２１がプリコート層２２によって覆われていると共に、各プリコート層２２と支持突起２３の上面が同一高さに設定されているため、一対の表電極２間に２つの抵抗体２１を介して硫化検出導体３が直列接続された構成となり、硫化の度合いをより正確に検出することができる。しかも、各プリコート層２２と支持突起２３が全てガラス材料で形成されているため、抵抗体２１に抵抗値調整用のトリミング溝を形成する場合に必要とされるプリコート層２２と支持突起２３とを同一工程で一括して形成することができる。

１ 絶縁基板
２ 表電極
３ 硫化検出導体
３ａ 硫化検出部
４ 保護膜
５ 裏電極
６ 端面電極
７ 外部電極
１０，２０ 硫化検出センサ
１０Ａ，２０ＡＡ 大判基板
１１ マスキング層
２１ 抵抗体
２２ プリコート層
２３ 支持突起
Ｓ 空間部
Ｓａ 開口

Claims (5)

1. 直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面における両端部に形成された一対の表電極と、一対の前記表電極に導通するように形成された硫化検出導体と、前記硫化検出導体を覆う硫化ガス非透過性の保護膜と、を備え、
   前記硫化検出導体は前記保護膜で覆われた内部に硫化ガスと反応可能な硫化検出部を有しており、前記保護膜と前記硫化検出部との間に空間部が確保されていると共に、前記保護膜の電流方向と直交する方向の両側部に前記空間部と連通する開口が形成されていることを特徴とする硫化検出センサ。
2. 請求項１に記載の硫化検出センサにおいて、
   前記硫化検出導体の中央部に電流方向と直交する方向に延びる絶縁性の支持突起が設けられており、前記空間部が前記支持突起を挟んだ２位置に画成されていることを特徴とする硫化検出センサ。
3. 請求項２に記載の硫化検出センサにおいて、
   前記硫化検出導体の両端部がそれぞれ抵抗体を介して一対の前記表電極に接続されており、これら両抵抗体が絶縁性のプリコート層によって覆われていると共に、前記プリコート層と前記支持突起の上面が同一高さに設定されていることを特徴とする硫化検出センサ。
4. 請求項３に記載の硫化検出センサにおいて、
   前記プリコート層と前記支持突起が全てガラス材料からなることを特徴とする硫化検出センサ。
5. 絶縁材料からなる大判基板の主面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する工程と、
   前記一対の表電極に導通する矩形状の硫化検出導体を形成する工程と、
   前記硫化検出導体の一部を所定幅で覆って外方へ突出するマスキング層を形成する工程と、
   前記マスキング層の両端部を除く領域と前記硫化検出導体の全体を覆うように硫化ガス非透過性の保護膜を形成する工程と、
   前記保護膜を形成した後に、前記マスキング層を洗浄して除去する工程と、
   を含み、
   前記マスキング層を除去することにより、前記保護膜と前記硫化検出部との間に外部に連通する空間部が形成され、この空間部に臨む前記硫化検出導体の一部が硫化ガスと反応可能な硫化検出部となることを特徴とする硫化検出センサの製造方法。

Images