JP7440339B2 - 硫化検出センサおよび硫化検出センサの製造方法 - Google Patents
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Description
2 表電極
3 硫化検出導体
3a 硫化検出部
4 保護膜
5 裏電極
6 端面電極
7 外部電極
10,20 硫化検出センサ
10A,20AA 大判基板
11 マスキング層
21 抵抗体
22 プリコート層
23 支持突起
S 空間部
Sa 開口
Claims (5)
- 直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面における両端部に形成された一対の表電極と、一対の前記表電極に導通するように形成された硫化検出導体と、前記硫化検出導体を覆う硫化ガス非透過性の保護膜と、を備え、
前記硫化検出導体は前記保護膜で覆われた内部に硫化ガスと反応可能な硫化検出部を有しており、前記保護膜と前記硫化検出部との間に空間部が確保されていると共に、前記保護膜の電流方向と直交する方向の両側部に前記空間部と連通する開口が形成されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項1に記載の硫化検出センサにおいて、
前記硫化検出導体の中央部に電流方向と直交する方向に延びる絶縁性の支持突起が設けられており、前記空間部が前記支持突起を挟んだ2位置に画成されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項2に記載の硫化検出センサにおいて、
前記硫化検出導体の両端部がそれぞれ抵抗体を介して一対の前記表電極に接続されており、これら両抵抗体が絶縁性のプリコート層によって覆われていると共に、前記プリコート層と前記支持突起の上面が同一高さに設定されていることを特徴とする硫化検出センサ。 - 請求項3に記載の硫化検出センサにおいて、
前記プリコート層と前記支持突起が全てガラス材料からなることを特徴とする硫化検出センサ。 - 絶縁材料からなる大判基板の主面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する工程と、 前記一対の表電極に導通する矩形状の硫化検出導体を形成する工程と、
前記硫化検出導体の一部を所定幅で覆って外方へ突出するマスキング層を形成する工程と、
前記マスキング層の両端部を除く領域と前記硫化検出導体の全体を覆うように硫化ガス非透過性の保護膜を形成する工程と、
前記保護膜を形成した後に、前記マスキング層を洗浄して除去する工程と、
を含み、
前記マスキング層を除去することにより、前記保護膜と前記硫化検出導体との間に外部に連通する空間部が形成され、この空間部に臨む前記硫化検出導体の一部が硫化ガスと反応可能な硫化検出部となることを特徴とする硫化検出センサの製造方法。
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