CN113302709A - 硫化检测电阻器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够准确且容易地检测硫化程度的硫化检测电阻器和这种硫化检测电阻器的制造方法。硫化检测电阻器(10)具有:长方体形状的绝缘基板(1)、形成在绝缘基板(1)的主面的两端部的第一表面电极(2)和第二表面电极(3)、在第一表面电极(2)并联地连接的多个硫化检测导体(4)、连接在各硫化检测导体(4)和第二表面电极(3)之间的多个电阻体(5)、形成为覆盖各硫化检测导体(4)的一部分和各电阻体(5)的整体的保护膜(6),各硫化检测导体(4)具有从保护膜(6)露出的硫化检测部(4a),这些硫化检测部(4a)的根据累积的硫化量而断线的时刻被设定为各不相同。

Description

硫化检测电阻器及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于检测腐蚀环境所累积的硫化量的硫化检测电阻器以及这样的硫化检测电阻器的制造方法。
背景技术
作为片式电阻器等的电子部件的内部电极,一般使用电阻率低的Ag(银)系的电极材料,但是由于银暴露在硫化气体会成为硫化银,而硫化银又是绝缘体,所以会导致发生电子部件断线的故障。因此近年来,采取在Ag中添加Pd(钯)、Au(金)以形成难以硫化的电极,或将电极做成硫化气体难以抵达的构造等的应对硫化对策。
然而,即使对电子部件采取了这样的应对硫化对策,在该电子部件在硫化气体中长时间暴露,或暴露在高浓度的硫化气体的情况下,也由于难以彻底防止断线,所以需要断线前就对其进行检测从而防止在不能预期的时刻发生故障。
因此迄今为止,提出了如专利文献1所述那样的硫化检测传感器,其检测电子部件所累积的硫化程度,能在电子部件出现硫化断线等故障之前检测危险。
专利文献1中所记载的硫化检测传感器构成为:在绝缘基板上形成以Ag为主体的硫化检测体,以覆盖该硫化检测体的方式形成透明且具有硫化气体渗透性的保护膜,并在绝缘基板的两侧端部形成有与硫化检测体连接的端面电极。将如此构成的硫化检测传感器与其他的电子部件一起安装在印制电路板上之后,当在含有硫化气体的环境中使用该印制电路板时,随着时间的经过在其他的电子部件被硫化的同时,硫化气体透过硫化检测传感器的保护膜而与硫化检测体接触,因此硫化检测体的颜色对应硫化气体的浓度和经过时间而变化。由此,通过透过保护膜目测硫化检测体的颜色变化,或者检测向硫化检测传感器的上表面照射光后自硫化检测体反射的光,或者检测硫化检测体的电阻值变化,从而检测硫化程度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-250611号公报。
发明内容
发明要解决的问题
但是,由硫化气体所引起的硫化检测体的颜色变化较为微妙,难以通过操作人员的目测准确地检测硫化程度,并且即使基于由硫化检测体反射的光来检测硫化程度,也另外需要用于检测的大规模的设备。此外,由于硫化检测体是以电阻率低的Ag为主体的导体,所以硫化检测体的随着所累积的硫化量的电阻值变化是微量的,进而由于Ag的温度特性(TCR)非常差,由温度引起的电阻值变化大,所以也难以基于硫化检测体的电阻值变化来准确地检测硫化程度。
本发明鉴于这样的现有技术的实际情况而完成,其第一个目的是提供一种能够准确且容易地检测硫化程度的硫化检测电阻器,其第二个目的是提供一种这样的硫化检测电阻器的制造方法。
用于解决问题的方案
为了达成上述第一目的,本发明的硫化检测电阻器的特征在于具有:长方体形状的绝缘基板;一对表面电极,其形成在所述绝缘基板的主面的两端部;电阻体和硫化检测导体,其串联地形成在所述一对表面电极之间;以及保护膜,其形成为覆盖所述电阻体的整体和所述硫化检测导体的一部分,多个所述硫化检测导体并联地连接在所述表面电极,并且所述多个硫化检测导体具有从所述保护膜露出的硫化检测部,所述多个硫化检测部的根据累积的硫化量而断线的时刻被设定为各不相同。
在这样构成的硫化检测电阻器中,由于串联地连接的电阻体和硫化检测导体的组合在一对表面电极之间多组并联地连接,并且各组的硫化检测导体根据累积的硫化量而断线的时刻被设定为各不相同,所以一对表面电极之间的电阻值变化是呈阶段性的变化,能够准确且容易地检测硫化程度。
在上述结构的硫化检测电阻器中,优选多个硫化检测部以相同表面积从所述保护膜露出,这样的话,则硫化气体以同一条件对各组的硫化检测部作用。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,作为使多个硫化检测部断线的时刻不同的方法,只要使多个硫化检测导体彼此的材料组成不同即可。在这种情况下,只要由以Ag为主要成分且Pd的含量不同的电极材料形成多个硫化检测导体,就能够形成难以硫化的硫化检测导体。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,作为使多个硫化检测部断线的时刻不同的方法,也可以使多个硫化检测导体彼此的膜厚不同,或者也可以使多个硫化检测导体彼此的材料组成和膜厚分别各不相同。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,当保护膜形成为覆盖所述多个硫化检测导体和所述表面电极的连接部时,即使对电阻值检测产生负面影响的成分从表面电极扩散至与硫化检测导体的连接部,也由于该部位被保护膜覆盖而能够准确地检测电阻值变化。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,当保护膜形成在并联配置的所述多个硫化检测部之间时,能够防止相邻的硫化检测部因偏移而短路。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,当在一对表面电极之间形成有与所述硫化检测导体并联的导通保障电路部,所述导通保障电路部由串联地连接的电阻体和导体构成,并且这些电阻体和导体由所述保护膜覆盖时,即使多个硫化检测部全部成为断线的状态,也能够通过导通保障电路确保两表面电极之间的导通。
此外,在上述结构的硫化检测电阻器中,当在一对表面电极之间串联地形成的电阻体和硫化检测导体中,在电阻体形成有调整槽,并且硫化检测导体和测量用导体连接在该电阻体的两端部时,在调整各组电阻体的电阻值期间,能够一边使探针与连接在各个电阻体的两端部的硫化检测导体和测量用导体抵接一边进行调整。
在这种情况下,当测量用导体是硫化检测导体,在电阻体的两端部所连接的一对测量用导体形成有相同表面积的硫化检测部时,由于一个电阻体在两处具有硫化检测部,所以提高了硫化程度的检测精度。
为了达成上述第二目的,本发明的硫化检测电阻器的制造方法的特征在于,包含:串联电路部形成工序,在绝缘基板的主面并联地形成多个在电阻体的两端部连接有硫化检测导体的串联电路部;电阻值调整工序,使探针接触所述串联电路部的一对所述硫化检测导体,分别调整多个所述电阻体的电阻值;表面电极形成工序,在所述电阻值调整工序之后,在所述绝缘基板的主面的两端部形成一对表面电极,将并联配置的多个所述硫化检测导体彼此连接;以及保护膜形成工序,以将多个所述串联电路部所具有的所述电阻体的整体和所述硫化检测导体的一部分覆盖的方式形成保护膜,在所述保护膜形成工序中,在多个所述串联电路部所具有的所述硫化检测导体形成从所述保护膜露出的硫化检测部,并且这些多个硫化检测部的根据累积的硫化量而断线的时刻被设定为各不相同。
此外,为了达成上述第二目的,本发明的硫化检测电阻器的制造方法的特征在于,包含:表面电极形成工序,在绝缘基板的主面的两端部,以分离状态形成多组成对的表面电极;串联电路部形成工序,在多组的成对所述表面电极之间分别形成串联连接的电阻体和硫化检测导体;电阻值调整工序,使探针接触多组成对的所述表面电极,分别调整多个所述电阻体的电阻值;以及保护膜形成工序,在所述电阻值调整工序之后,以将多个所述串联电路部所具有的所述电阻体的整体和所述硫化检测导体的一部分覆盖的方式形成保护膜,在所述保护膜形成工序中,在多个所述串联电路部所具有的所述硫化检测导体形成从所述保护膜露出的硫化检测部,并且这些多个硫化检测部的根据累积的硫化量而断线的时刻被设定为各不相同。
发明效果
根据本发明,能够提供一种能准确且容易地对硫化程度进行检测的硫化检测电阻器。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图。
图2是沿着图1的II-II线的剖面图。
图3是示出该硫化检测电阻器的制造工序的平面图。
图4是示出该硫化检测电阻器的制造工序的剖面图。
图5是示出该硫化检测电阻器中的累积硫化量和电阻值的关系的说明图。
图6是本发明的第二实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图。
图7是本发明的第三实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图。
图8是本发明的第四实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图。
图9是示出该硫化检测电阻器的制造工序的平面图。
图10是示出该硫化检测电阻器的制造工序的剖面图。
图11是本发明的第五实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图。
图12是本发明的第六实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图。
图13是示出该硫化检测电阻器的制造工序的平面图。
图14是示出该硫化检测电阻器的制造工序的剖面图。
图15是本发明的第七实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图。
具体实施方式
以下,参照附图对发明的实施方式进行说明,其中,图1是本发明的第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器的平面图,图2是沿着图1的II-II线的剖面图。
如图1和图2所示,第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器10主要由如下各部构成:长方体形状的绝缘基板1;第一表面电极2和第二表面电极3,其设置在绝缘基板1的表面的长边方向两端部;多个(本实施方式中为3个)硫化检测导体4,其并联地连接到第一表面电极2;多个电阻体5,其连接在各硫化检测导体4与第二表面电极3之间;保护膜6,其覆盖各硫化检测导体4的一部分和各电阻体5的整体;一对背面电极7,其设置在绝缘基板1的背面的长边方向两端部;一对端面电极8,其设置在绝缘基板1的长边方向两端面;以及外部电极9,其设置在端面电极8的表面。
绝缘基板1是将后述的大尺寸基板沿横纵的分割槽分割而得到的多个的基板,大尺寸基板的主要成分是以氧化铝为主要成分的陶瓷基板。
一对第一表面电极2和第二表面电极3是对以银为主要成分的Ag系浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,这些第一表面电极2和第二表面电极3隔开规定间隔且相向地形成在绝缘基板1的长边方向两端部。一对背面电极7也是对以银为主要成分的Ag系浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,这些背面电极7在与绝缘基板1的表面侧的第一表面电极2和第二表面电极3对应的位置形成。
并联地连接到第一表面电极2的3个硫化检测导体4是对以银为主要成分的Ag系浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,但添加到Ag浆料中的Pd(钯)的含量各不相同。具体地,位于图1正上方的硫化检测导体4由完全不包含Pd的Ag浆料构成,位于图1正中央的硫化检测导体4由包含5%Pd的Ag系浆料构成,位于图1正下方的硫化检测导体4由包含10%Pd的Ag系浆料构成。
多个电阻体5是对氧化钌等的电阻体浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,这些电阻体5的电阻值全部设定为相同的值。电阻体5的两端部与硫化检测导体4和第二表面电极3连接,这样的一组硫化检测导体4和电阻体5的串联电路部在第一表面电极2和第二表面电极3之间以3组并联的方式连接。
保护膜6由底涂层和外涂层的两层构造而成,其中,底涂层是对玻璃浆料进行丝网印刷然后干燥、烧结而成的,外涂层是对环氧系树脂浆料进行丝网印刷然后加热硬化而成的。该保护膜6形成为覆盖各硫化检测导体4的除中央部分外的部位和各电阻体5的整体,从保护膜6露出的各硫化检测导体4的中央部分成为表面积相同的硫化检测部4a。另外,在夹着硫化检测部4a的分成两个的保护膜6中,一侧(图示左侧)的保护膜6延伸至覆盖第一表面电极2和各硫化检测导体4的连接部的位置,另一侧(图示右侧)的保护膜6延伸至覆盖第二表面电极3和各电阻体5的连接部的位置。
一对端面电极8是在绝缘基板1的端面溅射Ni/Cr,或将Ag系浆料涂覆然后使其加热硬化而成的,这些端面电极8形成为:分别将相对应的第一表面电极2和背面电极7间和第二表面电极3和背面电极7间导通。
一对外部电极9由隔离层和外部连接层的两层构造而成,其中,隔离层是通过电镀形成的Ni镀层,外部连接层是通过电镀形成的Sn镀层。利用这些外部电极9,分别覆盖从保护膜6露出的第一表面电极2和第二表面电极3的表面、背面电极7和端面电极8的表面。
接下来,使用图3和图4对该硫化检测电阻器10的制造工序进行说明。另外,图3的(a)~(f)是在表面观察该制造工序中使用的大尺寸基板的平面图,图4的(a)~(f)分别示出沿着图3的(a)~(f)的A-A线的相当于一个片体的剖面图。
首先,准备将要制取成多个绝缘基板1的大尺寸基板。在该大尺寸基板事先呈格子状地设有一次分割槽和二次分割槽,根据两种分割槽划分出的一个一个的格子成为一个片体区域。虽然在图3中以相当于一个片体区域的大尺寸基板10A为代表示出,但实际上是针对相当于多个片体区域的大尺寸基板统一进行以下说明的各工序。
即,如图3的(a)和图4的(a)所示,在该大尺寸基板10A的表面对Ag系浆料(Ag-Pd20%)进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结而形成一对第一表面电极2和第二表面电极3。另外,与此同时或前后地,通过在大尺寸基板10A的背面对Ag系浆料(Ag-Pd20%)进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结,从而形成与第一表面电极2和第二表面电极3对应的一对背面电极7。
接下来,如图3的(b)和图4的(b)所示,在大尺寸基板10A的表面对以Ag为主要成分的Ag系浆料进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结而形成与第一表面电极2连接的3个硫化检测导体4。其中,3个硫化检测导体4的Ag浆料所含的Pd的含量不同,通过首先对完全不包含Pd的Ag浆料进行丝网印刷并将其干燥后,对包含5%Pd的Ag系浆料进行丝网印刷并将其干燥,最后对包含10%Pd的Ag系浆料进行丝网印刷并干燥、烧结,从而形成并联地连接到第一表面电极2的3个硫化检测导体4。
接下来,通过对氧化钌等的电阻体浆料进行丝网印刷并将其干燥、烧结,如图2的(c)和图3的(c)所示,形成两端部连接在硫化检测导体4和第二表面电极3的3个电阻体5。因为这些电阻体5使用同一种材料统一形成,所以与各硫化检测导体4连接的电阻体5的电阻值为相同值。
接下来,在覆盖各电阻体5的区域对玻璃浆料进行丝网印刷之后,将该玻璃浆料干燥、烧结而形成底涂层,根据需要从底涂层上方在电阻体5形成未图示的调整槽来调整电阻值。然后,如图2的(d)和图3的(d)所示,通过从底涂层上方对环氧系树脂浆料进行丝网印刷并使其加热硬化,从而形成覆盖各硫化检测导体4的一部分和电阻体5的整体的两层结构的保护膜6。此时,在各硫化检测导体4的中央部分形成从保护膜6露出的硫化检测部4a,这些硫化检测部4a以相同的表面积从保护膜6露出。此外,第一表面电极2和各硫化检测导体4的连接部由保护膜6覆盖,同时第二表面电极3和各电阻体5的连接部也由保护膜6覆盖。
接下来,用由可溶性材料等构成的未图示的掩膜覆盖各硫化检测部4a,在该状态下,将大尺寸基板10A沿着一次分割槽经一次分割为窄条状基板10B,然后,通过在窄条状基板10B的分割面溅射Ni/Cr,如图3的(e)和图4的(e)所示,形成将第一表面电极2和背面电极7间和第二表面电极3和背面电极7间连接的端面电极8。另外,也可以取代在窄条状基板10B的分割面溅射Ni/Cr,而通过涂覆Ag系浆料并使其加热硬化而形成端面电极8。
接下来,将窄条状基板10B沿着二次分割槽经二次分割为多个片体状基板10C,在对这些片体状基板10C实施电镀而形成Ni-Sn镀层之后,使用溶剂去除上述掩膜。由此,如图3的(f)和图4的(f)所示,在第一表面电极2、第二表面电极3、背面电极7以及端面电极8的表面形成外部电极9,完成图1、2所示的硫化检测电阻器10。
图5是示出在将本实施方式例涉及的硫化检测电阻器10配置在硫化气体环境中的情况下的累积硫化量和电阻值的关系的说明图。如图5所示,在硫化检测电阻器10暴露在硫化气体之前的初始状态中,因为3个电阻体5呈并联地连接在第一表面电极2和第二表面电极3之间的状态,所以当各电阻体5的电阻值R例如为1kΩ时,硫化检测电阻器10的初始电阻值为R0=(R/3)≒333Ω。
当该硫化检测电阻器10被配置在含有硫化气体的环境中时,各硫化检测导体4的硫化检测部4a与硫化气体接触,因此随着累积硫化量增加,各硫化检测导体4中最容易硫化的硫化检测部4最先断线。在本实施方式例的情况下,因为位于图1正上方的硫化检测导体4由完全不包含Pd的Ag浆料构成,所以该硫化检测导体4断线并变成只剩下2个硫化检测导体4导通。因此,在这些硫化检测导体4连接的2个电阻体5变成在第一表面电极2和第二表面电极3之间并联连接的状态,硫化检测电阻器10的电阻值为R1=(R/2)=500Ω。
这样地,在一个硫化检测导体4断线之后,当累积硫化量继续增加时,下个容易硫化的硫化检测部4断线。在本实施方式例的情况下,因为位于图1正中央的硫化检测导体4由包含5%Pd的Ag系浆料构成、位于正下方的硫化检测导体4由包含10%Pd的Ag系浆料构成,所以正中央的硫化检测导体4断线并变成剩下位于正下方的一个硫化检测导体4导通。因此,变成只有在正下方的硫化检测导体4所连接的一个电阻体5连接在第一表面电极2和第二表面电极3之间的状态,硫化检测电阻器10的电阻值为R2=R=1000Ω(1kΩ)。而且,当累积硫化量进一步增加从而位于图1正下方的硫化检测导体4也断线时,硫化检测电阻器10的电阻值为开路状态。
如以上所说明的,在第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器10中,将串联连接的硫化检测导体4和电阻体5作为一组,并且采用将该串联电路部多组并联地连接在第一表面电极2和第二表面电极3之间的结构,因为各组的硫化检测导体4由所累积的硫化量引起断线的时刻被设定为不同,所以硫化检测电阻器10的电阻值变化与多个硫化检测导体4断线的时刻相对应,呈阶段性地发生变化,从而能够准确且容易地检测硫化程度。另外,在第一表面电极2和第二表面电极3之间并联连接的硫化检测导体4和电阻值5的串联电路部不限于本实施方式例中的3组,也可以是2组,或是4组以上。
此外,在第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器10中,作为使多个硫化检测导体4断线的时刻不同的方法,而使各硫化检测导体4的材料组成不同,尤其是使用了以Ag为主要成分且Pd的含量不同的电极材料,因此,通过调整Pd的含量,能够容易地形成符合用途要求的硫化检测导体4。而且,在多个硫化检测导体4形成有从保护膜6露出的硫化检测部4a,这些硫化检测部4a以相同的表面积从保护膜6露出,因此,能够使硫化气体以同一条件作用于多个硫化检测部4a,从而能够适当地使各硫化检测导体4断线的时刻不同。另外,作为使多个硫化检测导体4断线的时刻不同的方法,也可以取代使各硫化检测导体的材料组成不同,而使各硫化检测导体4彼此的膜厚不同,或者使各硫化检测导体4彼此的材料组成和膜厚均不同。
此外,在第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器10中,由于保护膜6形成至覆盖各硫化检测导体4与第一表面电极2的连接部的位置,所以能够防止在安装时硫化检测导体4与焊料发生浸析。此外,即使有对硫化检测产生负面影响的成分扩散到第一表面电极2与硫化检测导体4的连接部周围而出现组成变化,其扩散也不会到达硫化检测部4a,所以能够准确地检测电阻值变化。
图6是本发明的第二实施方式例涉及的硫化检测电阻器20的平面图,通过对与图1对应的部分赋予同一标记而省略重复说明。
如图6所示,在第二实施方式例涉及的硫化检测电阻器20中,在保护膜6形成有位于各硫化检测部4a之间的带状部6a,除此之外的结构与第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器10基本相同。
在这样构成的第二实施方式例涉及的硫化检测电阻器20中,即使在第一表面电极2和第二表面电极3之间并联配置的各硫化检测部4a的相邻距离变短的情况下,也能够通过带状部6a抑制由相邻的硫化检测部4a间的偏移引起的短路。另外,虽然带状部6a的宽度尺寸可以比相邻的硫化检测部4a的间隔窄,但是当带状部6a的宽度尺寸形成为与相邻的硫化检测部4a的间隔同等,或比其略宽时,能够更有效地抑制由偏移引起的短路。
图7是本发明的第三实施方式例涉及的硫化检测电阻器30的平面图,通过对与图1对应的部分赋予同一标记而省略重复说明。
如图7所示,在第三实施方式例涉及的硫化检测电阻器30中,在第一表面电极2和第二表面电极3之间并联地连接的多组硫化检测导体4和电阻体5中,例如仅在图中正上方和正中央的硫化检测导体4形成从保护膜6露出的硫化检测部4a,并且在正下方的硫化检测导体4则覆盖有保护膜6而没有形成硫化检测部。而且,由该硫化检测导体4和与其连接的电阻体5构成了导通保障电路部,除此之外的结构与第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器10基本相同。
在这样构成的第三实施方式例涉及的硫化检测电阻器30中,由于被保护膜6覆盖的导通保障电路部的硫化检测导体4不具有与硫化气体接触的硫化检测部,所以即使两个硫化检测导体4的硫化检测部4a随着累积硫化量的增加而在不同的时刻断线之后,也能够通过导通保障电路部的硫化检测导体4确保两表面电极2、3之间的导通状态。另外,由于导通保障电路部的硫化检测导体4不参与硫化气体的检测,所以也可以取代通过印刷形成该硫化检测导体4,而在第一表面电极2一体形成朝向第二表面电极3凸出的导体,使电阻体5与该导体连接。
图8是本发明的第四实施方式例涉及的硫化检测电阻器40的平面图,通过对与图1对应的部分赋予同一标记而省略重复说明。
如图8所示,在第四实施方式例涉及的硫化检测电阻器40中,并联地连接到第一表面电极2的3个硫化检测导体4相对应,将3个测量用导体11并联地连接到第二表面电极3,并且在这些相互对应的硫化检测导体4和测量用导体11之间分别串联地连接电阻体5,同时在各电阻体5形成调整电阻值用的调整槽5a,除此之外的结构与第一实施方式例涉及的硫化检测器10基本相同。
接下来,使用图9和图10对该硫化检测电阻器40的制造工序进行说明。另外,图9的(a)~(f)是在表面观察该制造工序中使用的大尺寸基板的平面图,图10的(a)~(f)分别示出沿着图9的(a)~(f)的B-B线的相当于一个片体的剖面图。
首先如图9的(a)和图10的(a)所示,通过在大尺寸基板10A的背面对Ag系浆料(Ag-Pd20%)进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结,从而形成与之后形成的第一表面电极2和第二表面电极3对应的一对背面电极7。
接下来,如图9的(b)和图10的(b)所示,在大尺寸基板10A的表面对以银为主要成分的Ag系浆料进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结而分别形成与之后形成的第一表面电极2连接的3个硫化检测导体4,以及与之后形成的第二表面电极3连接的3个测量用导体11。其中,3个硫化检测导体4的Ag浆料所含的Pd的含量不同,通过首先对完全不包含Pd的Ag浆料进行丝网印刷并干燥之后,对包含5%Pd的Ag系浆料进行丝网印刷并干燥,最后对包含10%Pd的Ag系浆料进行丝网印刷并干燥、烧结,从而形成并联地连接到第一表面电极2的3个硫化检测导体4。另外,3个测量用导体11可以使用与所对应的硫化检测导体4同一种材料并同时形成,也可以分别单独地用同一种材料的Ag浆料或Ag-Pd浆料形成。
接下来,通过对氧化钌等的电阻体浆料进行丝网印刷并干燥、烧结,如图9的(c)和图10的(c)所示,从而在电阻体5的两端部形成3组的硫化检测导体4和测量用导体11连接成的串联电路部。因为这些电阻体5使用同一种材料统一形成,所以与各硫化检测导体4连接的电阻体5的电阻值为相同值。接下来,在覆盖各电阻体5的区域对玻璃浆料进行丝网印刷,在对该玻璃浆料进行干燥、烧结而形成未图示的底涂层之后,从底涂层上方在电阻体5形成调整槽5a而调整电阻值。此时,能够在使探针与在电阻体5的两端部连接的硫化检测导体4和测量用导体11抵接的同时,分别进行各电阻体5的调整。
接下来,通过在大尺寸基板10A的表面对Ag系浆料(Ag-Pd20%)进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结,如图9的(d)和图10的(d)所示,形成与各硫化检测导体4连接的第一表面电极2,和与各测量用导体11连接的第二表面电极3。这时,由于已经完成了电阻体5的电阻值调整,所以也可以通过考虑电阻值漂移而对由Ag等构成的导电性树脂进行丝网印刷并使其加热硬化,从而形成第一表面电极2和第二表面电极3。
然后,如图9的(e)和图10的(e)所示,通过从底涂层上方对环氧系树脂浆料进行丝网印刷并使其加热硬化,形成覆盖各硫化检测导体4的一部分以及电阻体5和测量用导体11的整体且为两层结构的保护膜6。此时,在各硫化检测导体4的中央部分形成从保护膜6露出的硫化检测部4a,这些硫化检测部4a以相同的表面积从保护膜6露出。此外,第一表面电极2和各硫化检测导体4的连接部由保护膜6覆盖,同时第二表面电极3与各测量用导体11的连接部也由保护膜6覆盖。
接下来,用由可溶性材料等构成的未图示的掩膜覆盖各硫化检测部4a,在该状态下,在将大尺寸基板10A沿着一次分割槽经一次分割为窄条状基板10B之后,通过在窄条状基板10B的分割面溅射Ni/Cr,如图9的(f)和图10的(f)所示,形成将第一表面电极2和背面电极7之间以及第二表面电极3和背面电极7之间连接的端面电极8。
接下来,将窄条状基板10B沿着二次分割槽经二次分割为多个片体状基板10C,在对这些片体状基板10C实施电镀而形成Ni-Sn镀层之后,使用溶剂去除掩膜。由此,如图9的(g)和图10的(g)所示,在第一表面电极2、第二表面电极3、背面电极7以及端面电极8的表面形成外部电极9,完成图8所示的硫化检测电阻器40。
在这样构成的第四实施方式例涉及的硫化检测电阻器40中,由于在电阻体5的两端部串联地连接有硫化检测导体4和测量用导体11的串联电路部在一对表面电极2、3之间并联地配置多个,所以在调整各组的电阻体5的电阻值时,能够一边使探针与连接在各个电阻体5的两端部的硫化检测导体4和测量用导体11抵接,一边容易地进行调整。
图11是本发明的第五实施方式例涉及的硫化检测电阻器50的平面图,通过对与图8对应的部分赋予同一标记而省略重复说明。
如图11所示,在第五实施方式例涉及的硫化检测电阻器50中,在各电阻体5的两端部连接由同样材料构成的硫化检测导体4和测量用导体11,并且在这些硫化检测导体4和测量用导体11形成有相同表面积的硫化检测部4a、11a,除此之外的结构与第四实施方式例涉及的硫化检测器40基本相同。
在这样构成的第五实施方式例涉及的硫化检测电阻器50中,由于在被并联配置的各电阻体5的两端部连接有硫化检测导体4和测量用导体11,所以在调整各组的电阻体5的电阻值时,能够一边使探针与连接在各个电阻体5的两端部的硫化检测导体4和测量用导体11抵接,一边进行调整。并且,由于一个电阻体5在两处具有在相同时刻断线的硫化检测部4a、11a,所以提高了硫化程度的检测精度。
图12是本发明的第六实施方式例涉及的硫化检测电阻器60的平面图,通过对与图1对应的部分赋予同一标记而省略重复说明。
如图12所示,在第六实施方式例涉及的硫化检测电阻器60中,在绝缘基板1的两端部分别以分离的状态形成第一表面电极2和第二表面电极3,同时分离的第一表面电极2和第二表面电极3通过端面电极8导通,除此之外的结构与第1实施方式例涉及的硫化检测器10基本相同。
接下来,使用图13和图14对该硫化检测电阻器60的制造工序进行说明。另外,图13的(a)~(f)是在表面观察该制造工序中使用的大尺寸基板的平面图,图14的(a)~(f)分别示出沿着图13的(a)~(f)的C-C线的相当于一个片体的剖面图。
首先如图13的(a)和图14的(a)所示,在大尺寸基板10A的表面对Ag系浆料(Ag-Pd20%)进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结而形成分离成3个的第一表面电极2和同样分离成3个的第二表面电极3。另外,与此同时或前后地,通过在大尺寸基板10A的背面对Ag系浆料(Ag-Pd20%)进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结,从而在与第一表面电极2和第二表面电极3对应的位置形成一对背面电极7。
接下来,如图13的(b)和图14的(b)所示,在大尺寸基板10A的表面对以Ag为主要成分的Ag系浆料进行丝网印刷之后,将其干燥、烧结而形成与各第一表面电极2连接的3个硫化检测导体4。其中,3个硫化检测导体4中Ag浆料所包含的Pd的含量不同,通过首先对完全不包含Pd的Ag浆料进行丝网印刷并干燥之后,对包含5%Pd的Ag系浆料进行丝网印刷并干燥,最后对包含10%Pd的Ag系浆料进行丝网印刷并干燥、烧结,从而形成分别与分离成3个的第一表面电极2连接的硫化检测导体4。
接下来,通过对氧化钌等的电阻体浆料进行丝网印刷并干燥、烧结,如图13的(c)和图14的(c)所示,从而在相互对应的3组第一表面电极2和第二表面电极3之间,分别形成硫化检测导体4和电阻体5串联连接的串联电路部。因为这些电阻体5使用同一种材料统一形成,所以与各硫化检测导体4连接的电阻体5的电阻值为相同值。
接下来,在覆盖各电阻体5的区域对玻璃浆料进行丝网印刷,在对该玻璃浆料进行干燥、烧结而形成未图示的底涂层之后,从底涂层上方在电阻体5形成调整槽5a而调整电阻值。此时,能够一边使探针与连接在硫化检测导体4和电阻体5的两端部的一对第一表面电极2和第二表面电极3抵接,一边不损伤硫化检测导体4地用探针分别进行各电阻体5的调整。
然后,如图13的(d)和图14的(d)所示,通过从底涂层上方对环氧系树脂浆料进行丝网印刷并使其加热硬化,形成覆盖各硫化检测导体4的一部分以及电阻体5和测量用导体11的整体且为两层结构的保护膜6。此时,在各硫化检测导体4的中央部分形成从保护膜6露出的硫化检测部4a,这些硫化检测部4a以相同的表面积从保护膜6露出。此外,第一表面电极2和各硫化检测导体4的连接部由保护膜6覆盖,同时第二表面电极3和各测量用导体11的连接部也由保护膜6覆盖。
接下来,用由可溶性材料等构成的未图示的掩膜覆盖各硫化检测部4a,在该状态下,在将大尺寸基板10A沿着一次分割槽经一次分割为窄条状基板10B之后,通过在窄条状基板10B的分割面溅射Ni/Cr,如图13的(e)和图14的(e)所示,形成将第一表面电极2和背面电极7之间以及第二表面电极3和背面电极7之间连接的端面电极8。通过形成这些端面电极8,分离成3个的第一表面电极2彼此导通,同时同样分离成3个的第二表面电极3也彼此导通。
接下来,将窄条状基板10B沿着二次分割槽经二次分割为多个片体状基板10C,在对这些片体状基板10C实施电镀而形成Ni-Sn镀层之后,使用溶剂去除上述掩膜。由此,如图13的(f)和图14的(f)所示,在第一表面电极2、第二表面电极3、背面电极7以及端面电极8的表面形成外部电极9,完成图12所示的硫化检测电阻器60。
在这样构成的第六实施方式例涉及的硫化检测电阻器60中,通过使探针与在分离状态下相向的第一表面电极2和第二表面电极3抵接,能够高精度地进行各电阻体5的电阻值调整(trimming),并且在该调整后,通过用端面电极8将分离的第一表面电极2和第二表面电极3分别导通,能够实现与第一实施方式例涉及的硫化检测电阻器10相同的作用效果。
图15是本发明的第七实施方式例涉及的硫化检测电阻器70的平面图,通过对与图8对应的部分赋予同一标记而省略重复说明。
如图15所示,在第七实施方式例涉及的硫化检测电阻器70中,与并联地连接到第一表面电极2的3个硫化检测导体4相对应,将3个电阻体5并联地连接到第二表面电极3,并且在这些相互对应的硫化检测导体4和电阻体5之间分别串联地连接由同一种材料构成的测量用导体11,并且在各电阻体5形成调整电阻值用的调整槽5a,除此之外的结构与第一实施方式例涉及的硫化检测器10基本相同。
在这样构成的第七实施方式例涉及的硫化检测电阻器70中,由于各硫化检测导体4由材料、膜厚等不同的材料形成,所以各硫化检测导体4根据累积硫化量的断线时刻不同,但是由于在硫化检测导体4和电阻体5的连接部连接有相同材料的测量用导体11,所以调整时的测量端子的接触电阻相同,能够进行高精度的电阻值调整。此外,由于对各电阻体5的Ag的扩散量相同,所以能够使基于Ag的扩散量的电阻体5温度特性造成的影响相同。
另外,将该第七实施方式例和上述的第四实施方式例(参照图8)组合,当在电阻体5中的硫化检测导体4侧的端部和第二表面电极3侧的端部均连接测量用导体11时,能够容易且高精度地形成调整电阻值用的调整槽5a。
附图标记说明
10、20、30、40、50、60、70:硫化检测电阻器
1:绝缘基板
2:第一表面电极
3:第二表面电极
4:硫化检测导体
4a:硫化检测部
5:电阻体
6:保护膜
6a:带状部
7:背面电极
8:端面电极
9:外部电极
11:测量用导体
11a:硫化检测部

Claims (13)

1.一种硫化检测电阻器,其特征在于,具有:
长方体形状的绝缘基板;
一对表面电极,其形成在所述绝缘基板的主面的两端部;
电阻体和硫化检测导体,其串联地形成在所述一对表面电极之间;以及
保护膜,其形成为覆盖所述电阻体的整体和所述硫化检测导体的一部分,
在所述表面电极并联地连接有多个所述硫化检测导体,并且所述多个硫化检测导体具有从所述保护膜露出的硫化检测部,
所述多个硫化检测部的根据累积的硫化量而断线的时刻被设定为各不相同。
2.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述多个硫化检测部以相同表面积从所述保护膜露出。
3.根据权利要求2所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述多个硫化检测导体彼此的材料组成不同。
4.根据权利要求3所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述多个硫化检测导体的材料组成以Ag为主要成分,Pd的含量不同。
5.根据权利要求2所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述多个硫化检测导体彼此的膜厚不同。
6.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述多个硫化检测导体彼此的材料组成和膜厚分别各不相同。
7.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述保护膜形成为覆盖所述多个硫化检测导体和所述表面电极的连接部。
8.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述保护膜形成在并联配置的所述多个硫化检测部之间。
9.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
在所述一对表面电极之间,形成有与所述硫化检测导体并联的导通保障电路部,所述导通保障电路部由串联地连接的电阻体和导体构成,并且这些电阻体和导体被所述保护膜覆盖。
10.根据权利要求1所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
在所述一对表面电极之间串联地形成的所述电阻体和所述硫化检测导体中,在所述电阻体形成有调整槽,并且所述硫化检测导体和测量用导体连接在该电阻体的两端部。
11.根据权利要求10所述的硫化检测电阻器,其特征在于,
所述测量用导体是硫化检测导体,连接在所述电阻体的两端部的一对所述测量用导体形成有相同表面积的硫化检测部。
12.一种硫化检测电阻器的制造方法,其特征在于,包含:
串联电路部形成工序,在绝缘基板的主面并联地形成多个在电阻体的两端部连接有硫化检测导体的串联电路部;
电阻值调整工序,使探针接触所述串联电路部的一对所述硫化检测导体,分别调整多个所述电阻体的电阻值;
表面电极形成工序,在所述电阻值调整工序之后,在所述绝缘基板的主面的两端部形成一对表面电极,将并联配置的多个所述硫化检测导体彼此连接;以及
保护膜形成工序,以将多个所述串联电路部所具有的所述电阻体的整体和所述硫化检测导体的一部分覆盖的方式形成保护膜,
在所述保护膜形成工序中,在多个所述串联电路部所具有的所述硫化检测导体形成从所述保护膜露出的硫化检测部,并且这些多个硫化检测部的根据累积的硫化量而断线的时刻被设定为各不相同。
13.一种硫化检测电阻器的制造方法,其特征在于,包含:
表面电极形成工序,在绝缘基板的主面的两端部,以分离状态形成多组成对的表面电极;
串联电路部形成工序,在多组成对的所述表面电极之间分别形成串联连接的电阻体和硫化检测导体;
电阻值调整工序,使探针接触多组成对的所述表面电极,分别调整多个所述电阻体的电阻值;以及
保护膜形成工序,在所述电阻值调整工序之后,以将多个所述串联电路部所具有的所述电阻体的整体和所述硫化检测导体的一部分覆盖的方式形成保护膜,
在所述保护膜形成工序中,在多个所述串联电路部所具有的所述硫化检测导体形成从所述保护膜露出的硫化检测部,并且这些多个硫化检测部的根据累积的硫化量而断线的时刻被设定为各不相同。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113899791A (zh) * 2021-09-16 2022-01-07 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 电极传感器及其制备方法、检测系统和检测方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7283983B2 (ja) * 2019-06-07 2023-05-30 Koa株式会社 硫化検出センサ
JP2022154283A (ja) * 2021-03-30 2022-10-13 Koa株式会社 硫化検出センサおよび硫化検出センサの製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009250611A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Taiyosha Electric Co Ltd 硫化検出センサ、硫化検出回路及び硫化検出センサの製造方法
JP2014153089A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Mitsubishi Electric Corp 金属の腐食検知方法、腐食検知装置、および、その製造方法
JP2015230922A (ja) * 2014-06-03 2015-12-21 Koa株式会社 チップ抵抗器の製造方法
CN106249123A (zh) * 2015-06-04 2016-12-21 发那科株式会社 腐蚀检测电路以及电动机驱动装置
JP2017009360A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 日新電機株式会社 異常検出装置及び故障防止装置
CN108139342A (zh) * 2015-10-07 2018-06-08 株式会社日立制作所 腐蚀环境监测装置及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2429977A1 (en) * 2002-05-27 2003-11-27 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Sensor and device for detecting sulfur
US20100059375A1 (en) * 2006-11-08 2010-03-11 Weiller Bruce H Metal salt hydrogen sulfide sensor
EP2966034B1 (en) * 2014-07-09 2016-08-31 Honeywell Romania S.R.L. Hydrogen sulfide sensor and method
US9997281B2 (en) * 2015-02-19 2018-06-12 Rohm Co., Ltd. Chip resistor and method for manufacturing the same
CN110114842B (zh) * 2016-12-27 2022-05-27 罗姆股份有限公司 片式电阻器及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009250611A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Taiyosha Electric Co Ltd 硫化検出センサ、硫化検出回路及び硫化検出センサの製造方法
JP2014153089A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Mitsubishi Electric Corp 金属の腐食検知方法、腐食検知装置、および、その製造方法
JP2015230922A (ja) * 2014-06-03 2015-12-21 Koa株式会社 チップ抵抗器の製造方法
CN106249123A (zh) * 2015-06-04 2016-12-21 发那科株式会社 腐蚀检测电路以及电动机驱动装置
JP2017009360A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 日新電機株式会社 異常検出装置及び故障防止装置
CN108139342A (zh) * 2015-10-07 2018-06-08 株式会社日立制作所 腐蚀环境监测装置及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113899791A (zh) * 2021-09-16 2022-01-07 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 电极传感器及其制备方法、检测系统和检测方法

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