CN1130155A - 金属铌酸盐和/或钽酸盐,它们的制备和由它们形成的钙钛矿 - Google Patents

金属铌酸盐和/或钽酸盐,它们的制备和由它们形成的钙钛矿 Download PDF

Info

Publication number
CN1130155A
CN1130155A CN95119973.0A CN95119973A CN1130155A CN 1130155 A CN1130155 A CN 1130155A CN 95119973 A CN95119973 A CN 95119973A CN 1130155 A CN1130155 A CN 1130155A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
niobate
group
minutes
iii
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN95119973.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1059179C (zh
Inventor
K·赖赫特
F·施伦克里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
HC Starck GmbH
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
HC Starck GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV, HC Starck GmbH filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Publication of CN1130155A publication Critical patent/CN1130155A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1059179C publication Critical patent/CN1059179C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/18Methods for preparing oxides or hydroxides in general by thermal decomposition of compounds, e.g. of salts or hydroxides
    • C01B13/185Preparing mixtures of oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G33/00Compounds of niobium
    • C01G33/006Compounds containing, besides niobium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/12Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1254Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30Three-dimensional structures
    • C01P2002/34Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

通式为Me(II)A2O6或Me(III)AO4的高活性金属铌酸盐和/或金属钽酸盐,及其制备方法,以及对它们进一步处理以形成通式为X(B′B″O3)的钙钛矿的方法以及由本发明所提供的这些钙钛矿,式中X代表Pb和/或Ba,B′代表Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,Cd,Ti,Zr和/或Zn,B″代表Nb和/或Ta。向该铌酸盐/钽酸盐中提供0.1-20mol%的Li,Na和/或K的添加剂。

Description

金属铌酸盐和/或钽酸盐,它们的制备和 由它们形成的钙钛矿
本发明涉及通式为Me(II)A2O6或Me(III)AO4的高活性金属铌酸盐和/或金属钽酸盐,其中X代表Nb和/或Ta,Me(II)代表二价的Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,Cd和/或Zn,Me(III)代表III价的Fe,Co,Cr和/或Mn,涉及它们的制备方法,还涉及对它们进行处理以形成通式为X(B′B″)O3的钙钛矿的方法以及这些钙钛矿,其中X代表Pb和或/Ba,B′代表Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,Cd,Ti,Zr和/或Zn,B″代表Nb和/或钽。
金属铌酸盐和/或金属钽酸盐的应用包括它们作为制备多元钙钛矿的原料,多元钙铁矿可用作电子陶瓷的原考。由于它们的介电常数高,电致伸缩系数大而且品质极高—特别是在钽酸盐的情况下一金属铌酸铅或金属铌酸钦和/或钽酸钡在电子陶瓷中起到越来越重要的作用,这些作用包括它们是生产陶瓷电容器,电致伸缩陶瓷(致动器),压电陶瓷和微波陶瓷(例如,共振器)的主要原料。这类具有钙钛矿结构的化合物对应于通式X(B′B′)O3,式中X代表Ba和/Pb,B′代表Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,Cd,Cu,Zn,B″代表Nb和Ta(Appl.phys.lett,10(5),163-165 1967)。
已知有好几种方法可用于制备含有VB族过渡金属(Ta和Nb的多元铁电钙钛矿。
从J.Amer.Ceram.Soc.71(5),C-250到c-251(1988)中已知将氧化物混合,而后在很高的烧结温度下进行固相反应。应用该陶瓷方法,制备含有大于80%的钙钛矿相的纯相钙钛矿是极困难的。在这一固相反应期间,必然出现稳定的烧绿石相,它明显损害所产生的电子陶瓷的性能。
J Cerama.Soc.67(5)311-314(1984)公开了在固相反应中Nb2O5与例如Mgo的一个初始反应,在随后与PbO的反应中获得了几乎是纯相的钙钛矿,该过程按下列方程式进行:
(I) (铌铁矿)
(II) (钙钛矿,PMN)
由于在初始的形成铌铁矿的反应中的高温,在1000℃下从上述混合氧化物仅获得一般活性的铌酸镁,这样与Pbo的后序反应只有在较高温度下(大于800℃)才会获得成功。在进一步处理过程中,该用陶瓷方法制备的钙钛矿粉末只能在更高温度下烧结。为了同时获得好的介电性能,此时的烧结温度必须至少为1,200℃。
已证明用湿化学方法制备钙钛矿是有好处的。因而在J.Amceram.soc 72(8).1335-1357(1989)中描述了醇盐混合物水解,在公开的欧洲专利申请294991中描述了从酒精草酸溶液中共沉淀。从advances in ceramics,Vol.21,91-98(1987)中可以获知对凝胶的煅烧过程,而该凝胶是通过加入H2O2和柠檬酸从NbCl2或Nb(OR)5和金属盐预先制得的。通常,湿化学方法产生活性很高的中间产物,它们甚至在低温下也会反应形成所期望的钙钛矿。此外,与用陶瓷方法制备的粉末相比,这些很细的粉末的烧结性能也明显改善。但是为了在用湿化学方法制备的这些粉末中也获得高的介电常数,不得不在1000℃以上的高温下进行烧结。此外,这些湿化学方法是很不经济的。因此,例如,醇盐法具有制备和处理原料很困难的缺点。
为了获得低温烧结(但仍然为1,000℃)同时室温介电常数高的材料,人们已经开发了一系列配方,这些配方除了主要材料PMN外,还含有伴随的各种其它化合物。因而在US4287075中公开了一个由铌酸铅铁,铌酸铅镁和钨酸铅镁组成的配方,该配方中如果有必要还含有另外的添加剂,比如铌酸铅镁,氧化锂、氧化铬,和/或氧化铈。公开的日本专利申请57-208004描述了一种由铌酸铅镁,钛酸镉,钨酸铅铁组成的组合物,该组合物还含有添加剂氧化镁,氧化铈,氧化铬和/或氧化钴。根据US5011803,除了铌酸铅镁以及进一步的添加剂,比如氧化隔,氧化钛,氧化铈和/或氧化锰外,也使用了铌酸铅铁和钨酸铅铁。向该总物料中加入另外2%的烧结剂。所有上述材料都是主要材料PMN的存在量少于95%(重量)的陶瓷组合物。
添加剂,如其它钙钛矿化合物,掺杂剂和/或烧结剂或多或少地改变了纯钙钛矿化合物,如铌酸铅镁,或钽酸钡镁的性能。因而,例如,上述添加剂能大大地改变材料的居里温度和工作温度。化合物,如铌酸铅铁会导致耐绝缘性的降低而钨酸铅镁和烧结剂会降低介电常数,与此同时除了所期望的钙钛矿外还可能出现杂质相。向纯钙钛矿系统提供的添加剂数量越多,为了获得均匀的混合物所消耗的物力就变得越费劲和越大。所有这些统统会导致介电性能变次,所以纯材料的潜在性能并没有得到充分利用。
因此,本发明的目的是提供高活性的金属铌酸盐和/或金属钽酸盐,它们可以进一步被处理以获得介电性能良好的低温烧结陶瓷。
已发现了满足所有这些要求的产物。它们是高活性的金属铌酸盐和/或金属钽酸盐,其通式为Me(II)A2O6或Me(III)AO4,式中X代表Nb或Ta,MC(II)代表二价的Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,Cd,和/或Zn,Me(III)代表三价的Fe,Co,Cr和/或Mn。这些产物含有比例为0.1-20mol-%的Li,Na,和/或K添加剂。在铌酸镁的情况下,该添加剂优选地由铌酸锂组成。
本发明也提供了一种制备本发明产物的方法。该方法是一种通过将相应的金属氧化物与铌组分和/或钽组分在一起湿混、干燥,和煅烧来制备金属铌酸盐和/或金属钽酸盐的方法,其中所用的铌组分和/或钽组分是水合氧化铌和/或水合氧化钽的形式。
可预先和/或在湿混期间引入该添加剂。用在这方面的Li,Na,和/或K优选地以它们的盐,氢氧化物,和/或氧化物的形式加入,它们可以单独一种或混合几种加入。加入铌酸锂和/或钽酸锂特别有好处,以盐,氢氧化物和/或氧化物的形式加入锂,以水合氧化铌和/或水合氧化钽的形式加入铌组分和/或钽组分。
利用上述方法,通过搅拌器,无需研磨工艺就能很容易地制备其中非常均匀地分布掺杂剂的均匀混合物。特别适用的是湿混5-90分钟。当所用的金属组分和掺杂剂是碳酸盐,碳酸氢盐,氢氧化物和/或氧化物时,附加的干扰阴离子不会污染最终产物。在400℃-1200℃,优选地是500℃-1,000℃的温度下煅烧干燥混合物15分钟-6小时。
本发明也提供了对金属铌酸盐和/或金属钽酸盐进一步的处理,以形成通式为X(B′B″)O3的钙钛矿相,式中,X代表Pb和/或Ba,B′代表Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,Cd,Ti,Zr和/或Zn,B″代表Nb和/或Ta。
令人惊奇的是,发现甚至在很低的温度下本发明的掺杂的金属铌酸盐和/或金属钽酸盐也能与铅组分反应。因此,例如,向其中加入了Li,Na,和/或K的铌酸镁,在与铅组分(Pbo或Pb3O4)混合后,在600℃就已经反应形成了所期望的钙钛矿。在650℃的煅烧温度下钙钛矿相的比例已经达到90%。根据资料,至今人们还不知道在如此低的温度下,达到钙钛矿转化率如此高的粉末。因而本发明的粉末的活性甚至优于用湿化学方法制备的粉末。
                              表1
    制备PMN(铌酸铅镁)                      下列在温度下煅烧后钙钛矿比例%
 组合物 方法    600℃     650℃    700℃     800℃     900℃    1000℃
 P+M+N* 直接合成(1)现有技术    -     -     -     68.4     74    76.3
 P+M+N* 溶胶凝胶(2)现有技术    -     -     9     98     -    -
 P+M+N 溶胶凝胶(3)现有技术    -45     -60     -80     -95     -98    -
 P+MN* 铌铁矿(1)本发明     98.9     98.5    98.2
 P+MN** 本发明    3.4     90     94     99     -    -
煅烧时间:*4小时或更长,**2小时
P=铅(Ld),
M=镁
N=铌
MN=铌酸镁。(1)J.Am ceram.soc,67(5)311-315(1984)(2)Ceram.Trans.1,182-189(1988)(3)Advances in ceramics,21,91-98(1987)
由于煅烧温度低,所获得的钙钛矿具有特别细的颗粒,所以它们能直接进一步作处理。在所有到目前为止的其它已知方法中,钙钛矿粉末在进一步处理成陶瓷之前都要研磨一定时间。在这一期间,外来物质会再次污染该粉末,这样又损害了烧结和介电性能。
令人惊奇的是,本发明的金属铌酸盐和/或金属钽酸盐的高活性还会转移到在反应后所获得的钙钛矿粉末上。这样,例如,在极低的温度下就能烧结铌酸铅镁获得致密陶瓷。在850℃/2小时下已达到大于95%的密度。令人吃惊的是,在这些极低的烧结温度下,PMN陶瓷介电常数很高。在检测频率为100KHz时,例如,在850℃下烧结的PMN陶瓷体,其介电常数在25℃时为9,000以上。
用溶胶-凝胶法也能制备活性烧结粉末。然而只有在大于1,000℃的烧结温度下,用溶胶-凝胶法制得的陶瓷才表现出可接受的介电性能。在加压下烧结溶胶凝胶粉末也能改善介电性能。但在介电性能方面这些粉末无法与本发明粉末相比,这样就首次获得了含有大于95%,优选地大于98%的主要成分的活性烧结铅钙钛矿粉末,并且该钙钛矿粉末在明显低于1,000℃的温度下进行烧结形成具有极好介电性能的致密陶瓷。(见表3-5)
下面用实施例来解释本发明,但并不意味任何限制。
实施例1
将8kg Nb含量为24.4%的水合氧化铌(因过滤而潮湿的)用3l水稀释并向其中加入980g碳酸镁氢氧化物,在Thyssen-Henschel搅拌机中均化该悬浮液15分钟,该搅拌机在2,000转/分钟下操作。分离出所获得的浆体,再对部分浆体均化15分钟。
表2
组合物 方法    最大介电常数     烧结条件     检测频率
 PMN 铌铁矿(1)     14000     1270℃     100kHz
 PMN 铌铁矿(1)     15900     1270℃     100kHz
 PMN 铌铁矿(1)     18200     1270℃     100kHz
 PMN 铌铁矿(1)     16400     1300℃     100kHz
 PMN单晶     15900     60kHz
 PMN 溶胶凝胶(4)     2992     900℃     1kHz
 PMN 溶胶凝胶(4)     9369     1000℃     1kHz
 PMN 溶胶凝胶(4)     14550     1100℃     1kHz
 PMN 溶胶凝胶(4)     15374     1200℃     1kHz
 PMN 溶胶凝胶(4)     15885     1250℃     1kHz
 PMN(5)     热压25MPa     6400     825℃     1kHz
 PMN(5)     热压18MPa     11200     890℃     1kHz
 PMN     (5)     11200     900℃     1kHz
 PMN     (5)     15400     950℃     1kHz
 PMN     (5)     16600     1050℃     1kHz
(1)J.Am.Ceram.Soc.,67,311-315(1984)
(4)Ferroelectrics Letters,11,137-144(1990)
(5)J.Mater.Res.,5,2902-2909(1990)向另一个部分浆体中加入0.5%重量(指最终的煅烧产物)的金属组分,并且在Thyssen-Henschel搅拌机中对该混合物再均化15分钟。在105℃下干燥该浓缩的混合物(-掺杂和未掺杂的),然后在1,000℃下煅烧2小时。之后向铌酸镁中加入相应化学计量数量的Pb3O4,然后加入水,在球磨机中均化该混合物2小时。
在105℃下干燥后,在不同的温度下煅烧该混合物。用X-射线衍射分析能确定在600℃下已形成了所期望的钙钛矿。在650℃/2小时下,不管选择什么添加剂,钙钛矿的比例已经达到90%。(见表1)。
对在800℃下获得的钙钛矿加压形成圆片(直径10mm/厚1.5mm)并于标准大气压下在不同温度下进行烧结。测量这些陶瓷的介电性能。对于所有烧结样品,介电损耗因子tanδ都低于200-10-1。对于所进行的所有实验,居里温度均是类似的。在下面的表中给出了介电常数。
表3PMN和Li2O-PMN陶瓷(加入10mol-%)的介电性能
烧结条件  25℃时介电常数  密度[g/cm3]PMN  25℃时介电常数PMN+Li2O   密度[g/cm3]PMN+Li2O
 2h/8502h/10002h/1200 72719946  多孔8.027.96     862195248206     7.77.87.5
PMN理论密度:8.12g/cm2
表4
   PMN和LiNbO3-PMN陶瓷(加入0.5mol%)的介电性能
 烧结条件   25℃时介电常数  密度[g/cm3]PMN  25℃时介电常数PM+LN   密度[g/cm3]PMN+LN
 2h/8502h/9002h/10002h/11002h/1200 86651125111194    多孔多孔8.08.07.88  1246112942132551288011807     7.97.917.967.957.83
PMN理论密度:8.128/cm2
表5
     PMN和Li2O-PMN陶瓷(加入10mol-%)的介电性能
 烧结条件  25℃时介电常数PMN  密度[g/cm3]PMN  25℃时介电常数PMN+K2O  密度[g/cm3]PMN+K2O
 2h/8502h/10002h/1200 940411865  多孔7.937.90  895596328893     7.887.917.73
PMN理论密度:8.12g/cm2

Claims (22)

1.通式为Me(II)Nb2O6或Me(III)NbO4的金属铌酸盐,其中Me(II)代表选自于Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,Cd和Zn的(II)价金属,Me(III)代表选自于Fe,Co,Cr,和Mn的III价金属,其特征在于它们含有0.1-20mol%的包括选自于Li,Na和K的材料的添加剂。
2.权利要求1的金属铌酸盐,其特征在于该铌酸盐是铌酸镁,该添加剂是铌酸锂。
3.通式为Me(II)Ta2O6或Me(III)TaO4的金属钽酸盐,其中Me(II)代表选自于Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,Cd和Zn的(II)价金属,Me(III)代表选自于Fe,Co,Cr,Mn的III价金属,其特征在于它们含有0.1-20mol%的包括选自于Li,Na和K的材料的添加剂。
4.通过将相应的金属氧化物与铌组分和/或钽组分湿混,干燥和煅烧来制备权利要求1、2或3中任意一个所述的金属铌酸盐和/或金属钽酸盐的方法,其特征在于所用的铌组分和/或钽组分分别是水合氧化物的形式。
5.权利要求4的方法,其特征在于所提供的添加剂是选自于下列一种元素的盐,氢氧化物,和氧化物中的至少一种化合物的形式,该元素选自于Li,Na和K。
6.权利要求4的方法,其特征在于该添加剂选自于铌酸锂和钽酸锂。
7.权利要求4的方法,其特征在于所提供的锂组分选自于其盐,氢氧化物和氧化物的化合物形式,并且以水合氧化铌和/或水合氧化钽的形式采用适当数量的铌组分和/或钽组分。
8.权利要求4的方法,其特征在于该添加剂的数量是0.1-20mol%。
9.权利要求4的方法,其特征在于湿混进行5分钟-90分钟,并且煅烧在400℃-1200℃的温度下进行15分钟-6小时。
10.权利要求9的方法,其特征在于在500℃-1,000℃下进行煅烧。
11.权利要求10的方法,其特征在于金属铌酸盐和/或金属钽酸盐与含有所说组分的材料相混合15分钟-24小时。
12.对根据权利要求4制造的金属铌酸盐和/或钽酸盐进一步处理以形成通式为X(B′B″)O3的钙钛矿的方法,式中X代表选自于Pb或Ba的一种金属,B′代表选自于Mg,Fe,Co,Ni,Cr,Mn,CD,Ti,Zr和Zn的一种金属,B″代表选自于Nb和Ta的一种金属。
13.权利要求12的方法,其特征在于金属铌酸盐和/或金属钽酸盐与含有所说组分X的材料相混合15分钟-24小时。
14.权利要求13的方法,其中煅烧进行30分钟-6小时。
15.权利要求9的方法,其特征在于40°-1,100℃的温度下进行煅烧15分钟-6小时。
16.权利要求13的方法,其中在900℃以下进行煅烧。
17.权利要求9的方法,其特征在于最终的钙钛矿纯度至少为95%。
18.权利要求17的方法,其中钙钛矿纯度大于98%。
19.权利要求9的方法,其特征在于在700-1,300℃的温度下钙钛矿烧结进行15分钟-10小时。
20.权利要求19的方法,其中在低于1,000℃下进行烧结。
21.根据权利要求1,2或3中任何一个的铅钙钛矿陶瓷,其特征在于:在检测频率为100KHz下,材料在25℃时表现出大于10,000的介电常数。
22.根据权利要求1,2或3中任何一个的铅钙钛矿陶瓷,其特征在于在低于900℃的烧结温度下,它们的密度大于理论密度的95%。
CN95119973A 1994-10-12 1995-10-12 金属铌酸盐和/或钽酸盐,它们的制备和由它们形成的钙钛矿 Expired - Fee Related CN1059179C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4436392.3 1994-10-12
DE4436392A DE4436392C2 (de) 1994-10-12 1994-10-12 Metallniobate und/oder Tantalate, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Weiterverarbeitung zu Perowskiten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1130155A true CN1130155A (zh) 1996-09-04
CN1059179C CN1059179C (zh) 2000-12-06

Family

ID=6530540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95119973A Expired - Fee Related CN1059179C (zh) 1994-10-12 1995-10-12 金属铌酸盐和/或钽酸盐,它们的制备和由它们形成的钙钛矿

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5721182A (zh)
JP (1) JP4057072B2 (zh)
CN (1) CN1059179C (zh)
DE (1) DE4436392C2 (zh)
NL (1) NL1001399C2 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1070828C (zh) * 1997-04-09 2001-09-12 阿迈克斯有限公司 介电陶瓷组合物
CN100462307C (zh) * 2007-04-23 2009-02-18 山东大学 一种制备铌酸锌纳米材料的方法
CN101774812B (zh) * 2010-02-02 2012-05-09 天津大学 溶胶凝胶技术制备钽酸镁微波陶瓷粉体的方法
CN103157458A (zh) * 2013-04-01 2013-06-19 桂林理工大学 可见光响应的钽酸盐光催化剂LiMTa3O9及其制备方法
CN104386750A (zh) * 2014-10-31 2015-03-04 渤海大学 一种钪钽酸钡粉体的制备方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69738011D1 (de) * 1996-10-25 2007-09-27 Ngk Spark Plug Co Dielektrisches Material, Verfahren zu dessen Herstellung und dieses Material enthaltende dielektrische Resonatorvorrichtung
US6136229A (en) * 1998-10-15 2000-10-24 Alliedsignal Inc. Method for the mechanochemical preparation of high performance ceramics
EP1431422B1 (de) * 2002-12-16 2006-12-13 Basf Aktiengesellschaft Verfahren zur Gewinnung von Lithium
EP1431423A1 (de) * 2002-12-16 2004-06-23 Basf Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines Lithiumionenleiters
US20050136292A1 (en) * 2003-08-14 2005-06-23 Mariani Robert D. Thin film dielectrics with perovskite structure and preparation thereof
JP5044902B2 (ja) * 2005-08-01 2012-10-10 日立電線株式会社 圧電薄膜素子
EP2024399B1 (en) 2006-05-17 2014-04-09 Dow Global Technologies LLC Ethylene/ alpha-olefin/ diene solution polymerization process
JP6016333B2 (ja) 2011-05-27 2016-10-26 キヤノン株式会社 ニオブ酸ナトリウム粉末、ニオブ酸ナトリウム粉末の製造方法、板状粒子、板状粒子の製造方法、配向セラミックスの製造方法
US10035914B2 (en) * 2014-09-22 2018-07-31 Council Of Scientific And Industrial Research Inorganic blue pigments from cobalt doped magnesium having transition element oxides and a process for the preparing the same
CN114452983B (zh) * 2021-11-18 2024-06-21 杭州同晨环保科技有限公司 一种钙钛矿与尖晶石复合型臭氧分解催化剂

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3607752A (en) * 1970-06-30 1971-09-21 Ciba Ltd Process for the culture of large monocrystals of lithium niobate
US4287075A (en) * 1978-04-17 1981-09-01 Tdk Electronics Co., Ltd. High dielectric constant type ceramic composition consisting essentially of Pb(Fe1/2 Nb1/2)O3 -Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3 -Pb(Mg1/2 W1/2)O3
JPS585804A (ja) * 1981-07-02 1983-01-13 Toshiba Corp プロセスコントロ−ラ
US4550088A (en) * 1984-04-13 1985-10-29 Union Carbide Corporation Ceramic composition for dielectric in multilayer capacitors
JPH0233654B2 (ja) * 1985-07-26 1990-07-30 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ta2o5*nh2oryushinoseizohoho
EP0294991A3 (en) * 1987-06-10 1989-08-16 Nippon Steel Corporation Readily sinterable powder of perovskite type oxide containing group va element and laminated element obtained therefrom
JPH0629140B2 (ja) * 1988-08-31 1994-04-20 秩父セメント株式会社 圧電素子材料及びその製造方法
FR2644779A1 (fr) * 1989-03-22 1990-09-28 Centre Nat Rech Scient Composition ceramique a constante dielectrique elevee
JPH0798680B2 (ja) * 1989-11-13 1995-10-25 堺化学工業株式会社 鉛系ペロブスカイト型セラミックスの原料粉末の製造方法
US5011803A (en) * 1990-01-10 1991-04-30 Kemet Electronics Corporation Lead magnesium niobate ceramic dielectrics having low sintering temperatures
US5051280A (en) * 1990-10-01 1991-09-24 Eastman Kodak Company Low temperature synthesis of alkali metal niobates and tantalates
JP3046436B2 (ja) * 1990-12-17 2000-05-29 株式会社東芝 セラミックコンデンサ
US5229101A (en) * 1991-01-09 1993-07-20 Munetoshi Watanabe Process for producing a powder of perovskite-type double oxide
JP2692448B2 (ja) * 1991-10-01 1997-12-17 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物
DE4217817C2 (de) * 1992-05-29 1994-06-16 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Blei-Perowskiten
DE4217819C1 (zh) * 1992-05-29 1993-09-16 H.C. Starck Gmbh & Co Kg, 3380 Goslar, De
JPH06144837A (ja) * 1992-11-10 1994-05-24 Mizusawa Ind Chem Ltd コロンバイト型ニオブ酸塩の合成法及びそれを用いるペロブスカイト型化合物の合成法
US5461014A (en) * 1994-01-13 1995-10-24 Tam Ceramics, Inc. Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1070828C (zh) * 1997-04-09 2001-09-12 阿迈克斯有限公司 介电陶瓷组合物
CN100462307C (zh) * 2007-04-23 2009-02-18 山东大学 一种制备铌酸锌纳米材料的方法
CN101774812B (zh) * 2010-02-02 2012-05-09 天津大学 溶胶凝胶技术制备钽酸镁微波陶瓷粉体的方法
CN103157458A (zh) * 2013-04-01 2013-06-19 桂林理工大学 可见光响应的钽酸盐光催化剂LiMTa3O9及其制备方法
CN103157458B (zh) * 2013-04-01 2015-04-15 桂林理工大学 可见光响应的钽酸盐光催化剂LiMTa3O9及其制备方法
CN104386750A (zh) * 2014-10-31 2015-03-04 渤海大学 一种钪钽酸钡粉体的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE4436392A1 (de) 1996-04-18
JPH08301618A (ja) 1996-11-19
NL1001399A1 (nl) 1996-04-12
DE4436392C2 (de) 2002-10-31
US5721182A (en) 1998-02-24
CN1059179C (zh) 2000-12-06
JP4057072B2 (ja) 2008-03-05
NL1001399C2 (nl) 1997-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5096642A (en) Process for producing a high density ceramic of perovskite
Fuierer et al. La2Ti2O7 ceramics
EP1441985B1 (en) Method for preparing barium-titanate based powder
US5453262A (en) Continuous process for production of ceramic powders with controlled morphology
JP3531982B2 (ja) 置換バリウム−ネオジム−チタン−ペロブスカイト、これを用いた誘電性セラミック組成物、コンデンサおよびマイクロ波部品
CN1130155A (zh) 金属铌酸盐和/或钽酸盐,它们的制备和由它们形成的钙钛矿
US4696810A (en) Wet process for the production of a readily sinterable powder material of perovskite or its solid solution
WO2007094115A1 (ja) 圧電磁器組成物
JP2002173369A (ja) 圧電セラミックス
US8475706B2 (en) Method of making mixed metal oxide ceramics
JP2004315268A (ja) 導電性酸化物焼結体、その製造方法及び得られるスパッタリングターゲット
JP2841347B2 (ja) 圧電体セラミックスの製造方法
JP2865975B2 (ja) 鉛のペロブスキー型化合物の製造法
JP2841344B2 (ja) 圧電体セラミックス組成物
JP3393157B2 (ja) 多結晶半導体繊維およびその製造方法
WO2021010368A1 (ja) Me元素置換有機酸バリウムチタニル、その製造方法及びチタン系ペロブスカイト型セラミック原料粉末の製造方法
JP3243692B2 (ja) 圧電体セラミックスの製造方法
JPH0624748A (ja) 金属のニオブ酸塩および/またはタンタル酸塩、その製造およびその使用
JP2538439B2 (ja) 鉛系誘電体磁器組成物の製造方法
JPS63117914A (ja) Ptcサ−ミスタ用金属酸化物粉末の製造方法
JP2687287B2 (ja) マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法
Aruga et al. Synthesis of 0.4 Pb (Mg1/3Nb2/3) O3–0.3 Pb (Mg1/2W1/2) O3–0.3 PbTiO3 Ceramics by Metal Alkoxide Method, and Its Dielectric Properties
JPS6325223A (ja) セラミツク原料粉末の製造方法
JP2835253B2 (ja) 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体材料
JP3411170B2 (ja) 高周波用誘電体磁器組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
CI02 Correction of invention patent application

Correction item: Second lines and third characters

Correct: K2O

False: Li2O

Page: 13

Correction item: Eleventh lines and nineteenth characters

Correct: 2 h

False: ?

Page: 10

Correction item: Thirteenth lines and fourteenth characters

Correct: Bei

False: Qin

Page: 1

Correction item: Sixteenth lines and fifth characters

Correct: delete

False: /

Page: 1

Correction item: Sixteenth lines and second characters

Correct: Ceram

False: Cerama

Page: 2

Correction item: Fifth lines and second columns

Correct: PMN

False: blank

Page: 11

Correction item: Fifth lines and second columns

Correct: PMN

False: blank

Page: 12

Correction item: Second lines and eleventh characters

Correct: 2

False: 10

Page: 13

Correction item: The last word of the twelfth line

Correct: Cd

False: CD

Page: Claim 2

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: LINE 2, PARAGRAPH 11, THE WORD; FROM: 10 TO: 2

Free format text: CORRECT: ARTICLE 13, PARAGRAPH 14 LINE CHARACTER; FROM: QIN TO: BEI

Free format text: CORRECT: ARTICLE 16, PARAGRAPH 5, WORD LINE; FROM: / TO: DELETION

Free format text: CORRECT: ARTICLE 16 PARAGRAPH 2 LINE CHARACTER; FROM: CERAMA TO: CERAM

Free format text: CORRECT: ARTICLE 11, PARAGRAPH 9, THE WORD LINE TO: 2H

Free format text: CORRECT: ARTICLE 5, PARAGRAPH 2 LINE; FROM: NULL TO: PMN

Free format text: CORRECT: RIGHT-CLAIMING DOCUMENT FINALLY THE FIRST WORD LINE 12; FROM: CD TO: CD

Free format text: CORRECT: LINE 2, PARAGRAPH 3 THE WORD; FROM: LI2O TO: K2O

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: H C STAACK CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: H.C. STARCH GMBH + CO. KG

Effective date: 20090403

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20090403

Address after: German Goslar

Co-patentee after: Fraunhofer Ges Forschung

Patentee after: H.C. STARCK GmbH

Address before: German Goslar

Co-patentee before: Fraunhofer Ges Forschung

Patentee before: H.C. STARCK Inc.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20001206

Termination date: 20141012

EXPY Termination of patent right or utility model