JP4057072B2 - 金属のニオブ酸塩および／またはタンタル酸塩、それらの製造およびそれらから生じさせたペロブスカイト類 - Google Patents
金属のニオブ酸塩および／またはタンタル酸塩、それらの製造およびそれらから生じさせたペロブスカイト類 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4057072B2 JP4057072B2 JP28441495A JP28441495A JP4057072B2 JP 4057072 B2 JP4057072 B2 JP 4057072B2 JP 28441495 A JP28441495 A JP 28441495A JP 28441495 A JP28441495 A JP 28441495A JP 4057072 B2 JP4057072 B2 JP 4057072B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- group
- niobate
- iii
- perovskite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 19
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 19
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 14
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002821 niobium Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 18
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- SSWAPIFTNSBXIS-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)tungsten;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].[O-][W]([O-])(=O)=O SSWAPIFTNSBXIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- DJZHPOJZOWHJPP-UHFFFAOYSA-N magnesium;dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Mg+2].[O-][W]([O-])(=O)=O DJZHPOJZOWHJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical class OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 Co Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJBYNGRZBZDSDK-UHFFFAOYSA-N barium magnesium Chemical compound [Mg].[Ba] IJBYNGRZBZDSDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000000887 hydrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical class [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSVBHJWAIYBPRO-UHFFFAOYSA-N lithium;niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [Li+].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5] PSVBHJWAIYBPRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- OUHCLAKJJGMPSW-UHFFFAOYSA-L magnesium;hydrogen carbonate;hydroxide Chemical compound O.[Mg+2].[O-]C([O-])=O OUHCLAKJJGMPSW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
- C01B13/18—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by thermal decomposition of compounds, e.g. of salts or hydroxides
- C01B13/185—Preparing mixtures of oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G33/00—Compounds of niobium
- C01G33/006—Compounds containing, besides niobium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/30—Three-dimensional structures
- C01P2002/34—Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/10—Solid density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の背景】
本発明は、一般式Ｍｅ（ＩＩ）Ａ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＡＯ4［式中、Ａは、Ｎｂおよび／またはＴａを表し、Ｍｅ（ＩＩ）は、原子価がＩＩのＭｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄおよび／またはＺｎを表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、原子価がＩＩＩのＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒおよび／またはＭｎを表す］で表される高反応性金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩、それらの製造方法、一般式Ｘ（Ｂ’Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、Ｐｂおよび／またはＢａを表し、Ｂ’は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｚｒおよび／またはＺｎを表し、そしてＢ”は、Ｎｂおよび／またはＴａを表す］で表されるペロブスカイト類を生じさせるためのそれらのさらなる処理、並びにこれらのペロブスカイト類に関する。
【０００２】
金属のニオブ酸塩および／または金属のタンタル酸塩の使用には、エレクトロセラミック（ｅｌｅｃｔｒｏｃｅｒａｍｉｃｓ）において材料として用いられる複合ペロブスカイト類を製造するための出発材料としての使用が含まれる。鉛金属のニオブ酸塩またはバリウム金属のニオブ酸塩および／またはタンタル酸塩は、高い誘電率、大きな電歪係数および極めて高い品質（特にタンタル酸塩の場合）を有することから、これらはエレクトロセラミックで益々重要な役割を果すようになってきており、この役割には、セラミック蓄電池、電歪セラミック（作動器）、圧電セラミックおよびマイクロ波セラミック（例えば共振器）などを製造するための必須材料であるといった役割が含まれる。ペロブスカイト構造を有する上記化合物は、一般式Ｘ（Ｂ’Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、ＢａおよびＰｂを表し、Ｂ’は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｚｎを表し、そしてＢ”は、ＮｂおよびＴａを表す］に相当している（Ａｐｐｌｅ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、１０（５）、１６３−１６５（１９６７））。
【０００３】
ＶＢ族の遷移金属（ＴａおよびＮｂ）を含んでいる強誘電性複合ペロブスカイト類の製造では数種の方法が知られている。
【０００４】
酸化物を混合した後、固相反応を非常に高い焼成温度で受けさせることは、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．７１（５）、Ｃ−２５０からＣ−２５１（１９８８）から公知である。このようなセラミック方法を用いたのでは、ペロブスカイト相を８０％以上含んでいる高純度相のペロブスカイトを製造するのは極めて困難である。このような固相反応を受けさせる過程で、安定なパイロクロール相が不可避的に現れ、これが有意にその結果として生じるエレクトロセラミックの特性を害する。
【０００５】
Ｊ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．６７（５）３１１−３１４（１９８４）には、予備的に固相反応でＮｂ2Ｏ5を例えばＭｇＯと一緒に反応させた後ＰｂＯと反応させるとほとんど純粋な相のペロブスカイトが得られることが開示されており、これは、式
（Ｉ） Nb2O5 + MgO → MgNb2O6 (コルンブ石)
（ＩＩ） MgNb2O6 + 3PbO → Pb3MgNb2O9 (ペロブスカイト、ＰＭＮ)
に従って進行する。
【０００６】
しかしながら、このコルンブ石を生じさせるための予備的反応で高温を用いていることから、ほんの１，０００℃でも上述した混合酸化物から中程度の反応性を示すニオブ酸マグネシウムが生じ、その結果、次に行うＰｂＯとの反応が成功裏に生じるのは高温（８００℃以上）にした時のみである。このセラミック的に製造したペロブスカイト粉末のさらなる処理過程において、これを焼結させることができるのは高温にした時のみである。この場合、良好な誘電特性を同時に得るには少なくとも１，２００℃の焼結温度を用いる必要がある。
【０００７】
ペロブスカイト類を製造する場合湿潤化学方法を用いるのが有利であることが確かめられた。このように、Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．７２（８）１３３５−１３５７（１９８９）には、アルコキサイド混合物の加水分解を行うことが記述されており、そしてヨーロッパ特許出願公開第２９４ ９９１号には、しゅう酸のアルコール溶液から共沈させることが記述されている。ＮｂＣｌ5またはＮｂ（ＯＲ）5と金属塩にＨ2Ｏ2とクエン酸を添加することで予め製造したゲルの焼成を行うことは、Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、２１巻、９１−９８（１９８７）から公知である。一般に、湿潤化学方法では、非常に高い反応性を示す中間生成物がもたらされ、この中間生成物は、低い温度でも反応して所望のペロブスカイトを生じる。更にまた、これらの非常に微細な粉末が示す焼結特性は、セラミック的に製造された粉末が示す焼結特性に比較して有意に改良されている。しかしながら、また、湿潤化学方法で製造された粉末で高い誘電率を得るには、１，０００℃以上の高温で焼結を実施する必要がある。更に、これらの湿潤化学方法はあまり経済的でない。このように例えばアルコキサイド方法はその出発材料の製造および取り扱いが非常に困難であるといった欠点を有している。
【０００８】
より低い温度（まだ１，０００℃であるが）で焼結すると同時に室温で非常に高い誘電率を示す材料を得る目的で、必須材料であるＰＭＮに加えて他の多様な化合物を付随的に含んでいる一連の調合物が開発された。このように、米国特許第４ ２８７ ０７５号には、ニオブ酸鉛鉄、ニオブ酸鉛マグネシウムおよびタングステン酸鉛マグネシウムを含んでいる調合物が記述されているが、これと一緒にさらなる添加剤、例えばニオブ酸鉛マンガン、酸化リチウム、酸化クロムおよび／または酸化セリウムを用いる必要がある。特開昭５７−２０８００４号には、酸化マンガン、酸化セリウム、酸化クロムおよび／または酸化コバルトを含む添加剤と一緒にニオブ酸鉛マグネシウム、チタン酸カドミウム、タングステン酸鉛鉄を含んでいる組成物が記述されている。米国特許第５ ０１１ ８０３号に従い、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化セリウムおよび／または酸化マンガンの如きさらなる添加剤のみならずニオブ酸鉛マグネシウムに加えてニオブ酸鉛鉄とタングステン酸鉛鉄が用いられている。この全体質量に更に焼結剤が２％加えられている。上述した材料は全部セラミック組成物であり、これらの中には、必須材料であるＰＭＮが９５重量％未満の量で存在している。
【０００９】
他のペロブスカイト化合物、ドーピング剤および／または焼結剤などの如き添加剤を用いると、多少とも、高純度のペロブスカイト化合物、例えばニオブ酸鉛マグネシウムまたはタンタル酸バリウムマグネシウムなどの特性が変化する。このように、例えば、上述した添加剤を用いると、キューリー温度が劇的に変化する可能性があり、それによってこの材料の動作温度が変化する可能性がある。ニオブ酸鉛鉄などの如き化合物を用いると結果として絶縁抵抗の低下がもたらされる一方、タングステン酸鉛マグネシウムおよび焼結剤は誘電率を低くする。望ましいペロブスカイトに加えて異質の相が同時に現れる可能性さえある。純粋なペロブスカイト系に添加する添加剤の数が多くなればなるほど、均一な物質混合物を得るための方策を取る度合が大きくなるか或は険しくなって来る。このような方策は全て一般的には誘電特性の悪化をもたらし、その結果として、その純粋な材料が示し得る特性が充分に利用されなくなる。
【００１０】
従って、本発明の目的は、さらなる加工で良好な誘電特性を示す低焼結セラミックを生じ得る高反応性金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を提供することにある。
【００１１】
【発明の要約】
上記要求を全て満足させる生成物をここに見い出した。これらは一般組成Ｍｅ（ＩＩ）Ａ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＡＯ4［ここで、Ａは、ＮｂまたはＴａを表し、Ｍｅ（ＩＩ）は、化学原子価がＩＩのＭｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄおよび／またはＺｎを表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、化学原子価がＩＩＩのＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒおよび／またはＭｎを表す］で表される高反応性金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩である。これらの生成物はＬｉ、Ｎａおよび／またはＫを含む添加剤を含有しており、この添加剤の比率は０．１から２０モル％である。ニオブ酸マグネシウムの場合、この添加剤は好適にはニオブ酸リチウムから成る。
【００１２】
本発明はまた本発明に従う生成物の製造方法も提供する。これは、相当する金属酸化物をニオブ成分および／またはタンタル成分と一緒に浸潤混合し、乾燥させた後、焼成を行うことによって該金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を製造する方法であり、ここでは、このニオブ成分および／またはタンタル成分を水和酸化ニオブおよび／または水和酸化タンタルの形態で用いる。
【００１３】
湿潤混合を行う前および／または湿潤混合中にこれらの添加剤を導入することができる。これに関連して用いるＬｉ、Ｎａおよび／またはＫを、好適には、それらの個々の塩類、水酸化物および／または酸化物の形態で単独にか或は混合して用いる。ニオブ酸リチウムおよび／またはタンタル酸リチウムを添加するのが特に有利であることを確認し、ここでは、このリチウムを塩、水酸化物および／または酸化物の形態で添加しそしてそのニオブ成分および／またはタンタル成分を水和酸化ニオブおよび／または水和酸化タンタルの形態で加える。
【００１４】
上述した方法を用いると粉砕過程なしにミキサーを用いて非常に簡単に均一な物質混合物を製造することができ、また、この中に該ドーピング剤（ｄｏｐｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）も非常に均一に分散する。特に有効に５分から９０分の範囲の時間湿潤混合を実施することができる。この金属成分とドーピング剤を炭酸塩、重炭酸塩、水酸化物および／または酸化物の形態で用いるとその最終生成物が追加的妨害アニオンで汚染されることはない。この乾燥させた物質混合物の焼成を４００℃から１，２００℃、好適には５００℃から１，０００℃の温度で１５分から６時間行う。
【００１５】
本発明はまたこの金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を更に処理して一般式Ｘ（Ｂ’Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、Ｐｂおよび／またはＢａを表し、Ｂ’は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｚｒおよび／またはＺｎを表し、そしてＢ”は、Ｎｂおよび／またはＴａを表す］で表されるペロブスカイト類を生じさせる方法も提供する。
【００１６】
驚くべきことに、本発明に従ってドープ処理した金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩は非常に低い温度でも鉛成分と反応し得ることを見い出した。このように、例えば、Ｌｉ、Ｎａおよび／またはＫを添加したニオブ酸マグネシウムを鉛成分（ＰｂＯまたはＰｂ3Ｏ4）と混合すると６００℃で早くも反応して所望のペロブスカイトを生じる。このペロブスカイト相の比率は６５０℃の焼成温度で早くも９０％になる。このような低い温度でこのように高い変換率でペロブスカイトを生じる粉末は今日まで文献で知られていない。従って、本発明に従う粉末が示す反応性は、湿潤化学方法で製造された粉末が示すそれよりもずっと優れている。
【００１７】
【表１】
【００１８】
焼成時間：＊４時間以上、＊＊２時間
Ｐ＝鉛（Ｌｄ）
Ｍ＝マグネシウム
Ｎ＝ニオブ
ＭＮ＝ニオブ酸マグネシウム
（１）Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．６７（５）３１１−３１５（１９８４）
（２）Ｃｅｒａｍ．Ｔｒａｎｓ．１、１８２−１８９（１９８８）
（３）Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、２１、９１−９８（１９８７）
低い焼成温度を用いていることから、この得られたペロブスカイトは例外的に微細な粒子を有しており、その結果として、これらのさらなる処理を直接行うことができる。今までに知られている他の方法では全て、セラミックを生じさせるためのさらなる処理を行う前にそのペロブスカイト粉末をある時間に渡って粉砕する。この過程を行っている間に、その粉末が外来物質で再び汚染され、これが今度はその焼結特性と誘電特性を悪化させる。
【００１９】
驚くべきことに、本発明に従う金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩が示す高い反応性はまたその反応後に得られるペロブスカイト粉末に伝えられる。このように、例えば、ニオブ酸鉛マグネシウムの焼結を極めて低い温度で行うことで密なセラミックを生じさせることができる。８５０℃／２時間で早くも９５％以上の密度が達成される。驚くべきことに、このように極めて低い温度で焼結を行っても、このＰＭＮセラミックが示す誘電率は非常に高い。例えば、８５０℃で焼結を行ったＰＭＮセラミックの場合、測定周波数を１００ｋＨｚにした時２５℃で９，０００以上の誘電率値が得られる。
【００２０】
ゾル−ゲル方法を用いることでもまた活性を示す焼結粉末を製造することができる。しかしながら、ゾル−ゲル方法で製造されたセラミックが許容され得る誘電特性を示すのは、その焼結温度を１，０００℃以上にした時のみである。このゾル−ゲル粉末の焼結を加圧下で行うことによってその誘電特性を改良することができる。しかしながら、これらの粉末は、誘電特性に関して、本発明に従う粉末に全く匹敵しない。このように、必須成分を９５％以上、好適には９８％以上含んでおりそして焼結を１，０００℃より明らかに低い温度で行うことで早くも非常に良好な誘電特性を示す密なセラミックを生じる活性を示す焼結鉛ペロブスカイト粉末を利用できるようにしたのは初めてである（表３から５を参照）。
【００２１】
【表２】
【００２２】
（１）Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．６７、３１１−３１５（１９８４）
（４）Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、１１、１３７−１４４（１９９０）
（５）Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．、５、２９０２−２９０９（１９９０）
全く制限することを意図するものでない実施例を用いて本発明を以下に説明する。
【００２３】
【実施例】
実施例１
濾過したことで湿っている、Ｎｂ含有量が２４．４％の水和酸化ニオブ８ｋｇを３リットルの水で希釈した後、これに水酸化炭酸マグネシウムを９８０ｇ加えた。２，０００回転／分で運転されているＴｈｙｓｓｅｎ−Ｈｅｎｓｃｈｅｌミキサーの中で上記懸濁液を１５分間均一にした。この得られるペーストを分離して取り出した。このペーストの一部を更に１５分間均一にした。別の一部に、最終焼成生成物を基準にして０．５重量％の量で金属成分を加え、この混合物もまたＴｈｙｓｓｅｎ−Ｈｅｎｓｃｈｅｌミキサーの中で更に１５分間均一にした。この濃縮物質混合物（ドープ処理を行ったものとドープ処理を行わなかったもの）を１０５℃で乾燥させた後、焼成を１，０００℃で２時間行った。次に、このニオブ酸マグネシウムにＰｂ3Ｏ4を相当する化学量論的量で加えた後、更に水を加えながらこの混合物をボールミル内で２時間均一にした。
【００２４】
これらの混合物を１０５℃で乾燥させた後、異なる温度で焼成を行った。Ｘ線回折分析を行うことにより、所望のペロブスカイトが６００℃で早くも生じることを立証することができた。どの添加剤を選択するかに拘りなく、ペロブスカイトの比率は６５０℃／２時間で早くも９０％になる（表１参照）。
【００２５】
８００℃で得られたペロブスカイトをプレス加工してペレット（直径１０ｍｍ／深さ１．５ｍｍ）を生じさせた後、標準的大気条件下、異なる温度で焼結を２時間行った。これらのセラミックが示す誘電特性を測定した。全焼結サンプルの誘電損率ｔａｎ δは２００−１０-1未満であった。ここで実施した全実施例のキューリー温度は匹敵していた。下記の表に誘電率を示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】
【表５】
【００２９】
本発明の特徴および態様は以下のとおりである。
【００３０】
１． 一般組成Ｍｅ（ＩＩ）Ｎｂ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＮｂＯ4［ここで、Ｍｅ（ＩＩ）は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｄおよびＺｎから成る群から選択される原子価（ＩＩ）金属を表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＭｎから成る群から選択される原子価ＩＩＩ金属を表す］で表される金属ニオブ酸塩において、Ｌｉ、ＮａおよびＫから成る群から選択される金属を含む添加剤を０．１から２０モル％の量で含有していることを特徴とする金属ニオブ酸塩。
【００３１】
２． 該ニオブ酸塩がニオブ酸マグネシウムでありそして該添加剤がニオブ酸リチウムであることを特徴とする第１項記載の金属ニオブ酸塩。
【００３２】
３． 一般組成Ｍｅ（ＩＩ）Ｔａ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＴａＯ4［ここで、Ｍｅ（ＩＩ）は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｄおよびＺｎから成る群から選択される原子価（ＩＩ）金属を表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＭｎから成る群から選択される原子価ＩＩＩ金属を表す］で表される金属タンタル酸塩において、Ｌｉ、ＮａおよびＫから成る群から選択される金属を含む添加剤を０．１から２０モル％の量で含有していることを特徴とする金属タンタル酸塩。
【００３３】
４． 相当する金属酸化物をニオブ成分および／またはタンタル成分と一緒に浸潤混合し、乾燥させた後、焼成を行うことによって、第１、２または３項いずれか記載の金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を製造する方法において、このニオブ成分および／またはタンタル成分をこれらの個々の水和酸化物の形態で用いることを特徴とする方法。
【００３４】
５． 該添加剤をＬｉ、ＮａおよびＫから成る群から選択される元素の塩類、水酸化物および酸化物から成る群から選択される少なくとも１種の化合物の形態で供給することを特徴とする第４項記載の方法。
【００３５】
６． 該添加剤をニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウムから成る群から選択することを特徴とする第４項記載の方法。
【００３６】
７． 該リチウム成分をこれの塩類、水酸化物および酸化物から成る群から選択される化合物形態で供給し、そして適切な当量の該ニオブ成分および／またはタンタル成分を水和酸化ニオブおよび／または水和酸化タンタルの形態で用いることを特徴とする第４項記載の方法。
【００３７】
８． 該添加剤の量が０．１から２０モル％であることを特徴とする第４項記載の方法。
【００３８】
９． 湿潤混合を５分から９０分の範囲の時間実施し、そして焼成を４００℃から１，２００℃の範囲の温度で１５分から６時間の範囲の時間実施することを特徴とする第４項記載の方法。
【００３９】
１０． 該焼成を５００℃から１，０００℃で実施することを特徴とする第９項記載の方法。
【００４０】
１１． 該金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を上記成分含有材料と一緒に１５分から２４時間混合することを特徴とする第１０項記載の方法。
【００４１】
１２． 第４項に従って製造した金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を更に処理して一般式Ｘ（Ｂ’，Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、ＰｂまたはＢａから成る群から選択される金属を表し、Ｂ’は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、ＺｒおよびＺｎから成る群から選択される金属を表し、そしてＢ”は、ＮｂおよびＴａから成る群から選択される金属を表す］で表されるペロブスカイト類を生じさせる方法。
【００４２】
１３． 該金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を上記成分Ｘ含有材料と一緒に１５分から２４時間混合することを特徴とする第１２項記載の方法。
【００４３】
１４． 該焼成を３０分から６時間実施する第１３項記載の方法。
【００４４】
１５． 焼成を４００℃から１，１００℃の範囲の温度で１５分から６時間の範囲の時間実施することを特徴とする第９項記載の方法。
【００４５】
１６． 該焼成を９００℃未満で実施する第１３項記載の方法。
【００４６】
１７． その結果として生じるペロブスカイトの純度が少なくとも９５％であることを特徴とする第９項記載の方法。
【００４７】
１８． 該ペロブスカイトの純度が９８％以上である第１７項記載の方法。
【００４８】
１９． 該ペロブスカイトの焼結を７００℃から１，３００℃の範囲の温度で１５分から１０時間実施することを特徴とする第９項記載の方法。
【００４９】
２０． 該焼結を１，０００℃未満で実施する第１９項記載の方法。
【００５０】
２１． ２５℃および１００ｋＨｚの測定周波数で１０，０００以上の誘電率を示すことを特徴とする第１、２または３項いずれかに従う鉛ペロブスカイトセラミック類。
【００５１】
２２． ９００℃未満の焼結温度で理論密度の９５％以上の密度を示すことを特徴とする第１、２または３項いずれかに従う鉛ペロブスカイトセラミック類。
【発明の背景】
本発明は、一般式Ｍｅ（ＩＩ）Ａ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＡＯ4［式中、Ａは、Ｎｂおよび／またはＴａを表し、Ｍｅ（ＩＩ）は、原子価がＩＩのＭｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄおよび／またはＺｎを表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、原子価がＩＩＩのＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒおよび／またはＭｎを表す］で表される高反応性金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩、それらの製造方法、一般式Ｘ（Ｂ’Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、Ｐｂおよび／またはＢａを表し、Ｂ’は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｚｒおよび／またはＺｎを表し、そしてＢ”は、Ｎｂおよび／またはＴａを表す］で表されるペロブスカイト類を生じさせるためのそれらのさらなる処理、並びにこれらのペロブスカイト類に関する。
【０００２】
金属のニオブ酸塩および／または金属のタンタル酸塩の使用には、エレクトロセラミック（ｅｌｅｃｔｒｏｃｅｒａｍｉｃｓ）において材料として用いられる複合ペロブスカイト類を製造するための出発材料としての使用が含まれる。鉛金属のニオブ酸塩またはバリウム金属のニオブ酸塩および／またはタンタル酸塩は、高い誘電率、大きな電歪係数および極めて高い品質（特にタンタル酸塩の場合）を有することから、これらはエレクトロセラミックで益々重要な役割を果すようになってきており、この役割には、セラミック蓄電池、電歪セラミック（作動器）、圧電セラミックおよびマイクロ波セラミック（例えば共振器）などを製造するための必須材料であるといった役割が含まれる。ペロブスカイト構造を有する上記化合物は、一般式Ｘ（Ｂ’Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、ＢａおよびＰｂを表し、Ｂ’は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｚｎを表し、そしてＢ”は、ＮｂおよびＴａを表す］に相当している（Ａｐｐｌｅ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、１０（５）、１６３−１６５（１９６７））。
【０００３】
ＶＢ族の遷移金属（ＴａおよびＮｂ）を含んでいる強誘電性複合ペロブスカイト類の製造では数種の方法が知られている。
【０００４】
酸化物を混合した後、固相反応を非常に高い焼成温度で受けさせることは、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．７１（５）、Ｃ−２５０からＣ−２５１（１９８８）から公知である。このようなセラミック方法を用いたのでは、ペロブスカイト相を８０％以上含んでいる高純度相のペロブスカイトを製造するのは極めて困難である。このような固相反応を受けさせる過程で、安定なパイロクロール相が不可避的に現れ、これが有意にその結果として生じるエレクトロセラミックの特性を害する。
【０００５】
Ｊ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．６７（５）３１１−３１４（１９８４）には、予備的に固相反応でＮｂ2Ｏ5を例えばＭｇＯと一緒に反応させた後ＰｂＯと反応させるとほとんど純粋な相のペロブスカイトが得られることが開示されており、これは、式
（Ｉ） Nb2O5 + MgO → MgNb2O6 (コルンブ石)
（ＩＩ） MgNb2O6 + 3PbO → Pb3MgNb2O9 (ペロブスカイト、ＰＭＮ)
に従って進行する。
【０００６】
しかしながら、このコルンブ石を生じさせるための予備的反応で高温を用いていることから、ほんの１，０００℃でも上述した混合酸化物から中程度の反応性を示すニオブ酸マグネシウムが生じ、その結果、次に行うＰｂＯとの反応が成功裏に生じるのは高温（８００℃以上）にした時のみである。このセラミック的に製造したペロブスカイト粉末のさらなる処理過程において、これを焼結させることができるのは高温にした時のみである。この場合、良好な誘電特性を同時に得るには少なくとも１，２００℃の焼結温度を用いる必要がある。
【０００７】
ペロブスカイト類を製造する場合湿潤化学方法を用いるのが有利であることが確かめられた。このように、Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．７２（８）１３３５−１３５７（１９８９）には、アルコキサイド混合物の加水分解を行うことが記述されており、そしてヨーロッパ特許出願公開第２９４ ９９１号には、しゅう酸のアルコール溶液から共沈させることが記述されている。ＮｂＣｌ5またはＮｂ（ＯＲ）5と金属塩にＨ2Ｏ2とクエン酸を添加することで予め製造したゲルの焼成を行うことは、Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、２１巻、９１−９８（１９８７）から公知である。一般に、湿潤化学方法では、非常に高い反応性を示す中間生成物がもたらされ、この中間生成物は、低い温度でも反応して所望のペロブスカイトを生じる。更にまた、これらの非常に微細な粉末が示す焼結特性は、セラミック的に製造された粉末が示す焼結特性に比較して有意に改良されている。しかしながら、また、湿潤化学方法で製造された粉末で高い誘電率を得るには、１，０００℃以上の高温で焼結を実施する必要がある。更に、これらの湿潤化学方法はあまり経済的でない。このように例えばアルコキサイド方法はその出発材料の製造および取り扱いが非常に困難であるといった欠点を有している。
【０００８】
より低い温度（まだ１，０００℃であるが）で焼結すると同時に室温で非常に高い誘電率を示す材料を得る目的で、必須材料であるＰＭＮに加えて他の多様な化合物を付随的に含んでいる一連の調合物が開発された。このように、米国特許第４ ２８７ ０７５号には、ニオブ酸鉛鉄、ニオブ酸鉛マグネシウムおよびタングステン酸鉛マグネシウムを含んでいる調合物が記述されているが、これと一緒にさらなる添加剤、例えばニオブ酸鉛マンガン、酸化リチウム、酸化クロムおよび／または酸化セリウムを用いる必要がある。特開昭５７−２０８００４号には、酸化マンガン、酸化セリウム、酸化クロムおよび／または酸化コバルトを含む添加剤と一緒にニオブ酸鉛マグネシウム、チタン酸カドミウム、タングステン酸鉛鉄を含んでいる組成物が記述されている。米国特許第５ ０１１ ８０３号に従い、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化セリウムおよび／または酸化マンガンの如きさらなる添加剤のみならずニオブ酸鉛マグネシウムに加えてニオブ酸鉛鉄とタングステン酸鉛鉄が用いられている。この全体質量に更に焼結剤が２％加えられている。上述した材料は全部セラミック組成物であり、これらの中には、必須材料であるＰＭＮが９５重量％未満の量で存在している。
【０００９】
他のペロブスカイト化合物、ドーピング剤および／または焼結剤などの如き添加剤を用いると、多少とも、高純度のペロブスカイト化合物、例えばニオブ酸鉛マグネシウムまたはタンタル酸バリウムマグネシウムなどの特性が変化する。このように、例えば、上述した添加剤を用いると、キューリー温度が劇的に変化する可能性があり、それによってこの材料の動作温度が変化する可能性がある。ニオブ酸鉛鉄などの如き化合物を用いると結果として絶縁抵抗の低下がもたらされる一方、タングステン酸鉛マグネシウムおよび焼結剤は誘電率を低くする。望ましいペロブスカイトに加えて異質の相が同時に現れる可能性さえある。純粋なペロブスカイト系に添加する添加剤の数が多くなればなるほど、均一な物質混合物を得るための方策を取る度合が大きくなるか或は険しくなって来る。このような方策は全て一般的には誘電特性の悪化をもたらし、その結果として、その純粋な材料が示し得る特性が充分に利用されなくなる。
【００１０】
従って、本発明の目的は、さらなる加工で良好な誘電特性を示す低焼結セラミックを生じ得る高反応性金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を提供することにある。
【００１１】
【発明の要約】
上記要求を全て満足させる生成物をここに見い出した。これらは一般組成Ｍｅ（ＩＩ）Ａ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＡＯ4［ここで、Ａは、ＮｂまたはＴａを表し、Ｍｅ（ＩＩ）は、化学原子価がＩＩのＭｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄおよび／またはＺｎを表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、化学原子価がＩＩＩのＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒおよび／またはＭｎを表す］で表される高反応性金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩である。これらの生成物はＬｉ、Ｎａおよび／またはＫを含む添加剤を含有しており、この添加剤の比率は０．１から２０モル％である。ニオブ酸マグネシウムの場合、この添加剤は好適にはニオブ酸リチウムから成る。
【００１２】
本発明はまた本発明に従う生成物の製造方法も提供する。これは、相当する金属酸化物をニオブ成分および／またはタンタル成分と一緒に浸潤混合し、乾燥させた後、焼成を行うことによって該金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を製造する方法であり、ここでは、このニオブ成分および／またはタンタル成分を水和酸化ニオブおよび／または水和酸化タンタルの形態で用いる。
【００１３】
湿潤混合を行う前および／または湿潤混合中にこれらの添加剤を導入することができる。これに関連して用いるＬｉ、Ｎａおよび／またはＫを、好適には、それらの個々の塩類、水酸化物および／または酸化物の形態で単独にか或は混合して用いる。ニオブ酸リチウムおよび／またはタンタル酸リチウムを添加するのが特に有利であることを確認し、ここでは、このリチウムを塩、水酸化物および／または酸化物の形態で添加しそしてそのニオブ成分および／またはタンタル成分を水和酸化ニオブおよび／または水和酸化タンタルの形態で加える。
【００１４】
上述した方法を用いると粉砕過程なしにミキサーを用いて非常に簡単に均一な物質混合物を製造することができ、また、この中に該ドーピング剤（ｄｏｐｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）も非常に均一に分散する。特に有効に５分から９０分の範囲の時間湿潤混合を実施することができる。この金属成分とドーピング剤を炭酸塩、重炭酸塩、水酸化物および／または酸化物の形態で用いるとその最終生成物が追加的妨害アニオンで汚染されることはない。この乾燥させた物質混合物の焼成を４００℃から１，２００℃、好適には５００℃から１，０００℃の温度で１５分から６時間行う。
【００１５】
本発明はまたこの金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を更に処理して一般式Ｘ（Ｂ’Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、Ｐｂおよび／またはＢａを表し、Ｂ’は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｚｒおよび／またはＺｎを表し、そしてＢ”は、Ｎｂおよび／またはＴａを表す］で表されるペロブスカイト類を生じさせる方法も提供する。
【００１６】
驚くべきことに、本発明に従ってドープ処理した金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩は非常に低い温度でも鉛成分と反応し得ることを見い出した。このように、例えば、Ｌｉ、Ｎａおよび／またはＫを添加したニオブ酸マグネシウムを鉛成分（ＰｂＯまたはＰｂ3Ｏ4）と混合すると６００℃で早くも反応して所望のペロブスカイトを生じる。このペロブスカイト相の比率は６５０℃の焼成温度で早くも９０％になる。このような低い温度でこのように高い変換率でペロブスカイトを生じる粉末は今日まで文献で知られていない。従って、本発明に従う粉末が示す反応性は、湿潤化学方法で製造された粉末が示すそれよりもずっと優れている。
【００１７】
【表１】
焼成時間：＊４時間以上、＊＊２時間
Ｐ＝鉛（Ｌｄ）
Ｍ＝マグネシウム
Ｎ＝ニオブ
ＭＮ＝ニオブ酸マグネシウム
（１）Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．６７（５）３１１−３１５（１９８４）
（２）Ｃｅｒａｍ．Ｔｒａｎｓ．１、１８２−１８９（１９８８）
（３）Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、２１、９１−９８（１９８７）
低い焼成温度を用いていることから、この得られたペロブスカイトは例外的に微細な粒子を有しており、その結果として、これらのさらなる処理を直接行うことができる。今までに知られている他の方法では全て、セラミックを生じさせるためのさらなる処理を行う前にそのペロブスカイト粉末をある時間に渡って粉砕する。この過程を行っている間に、その粉末が外来物質で再び汚染され、これが今度はその焼結特性と誘電特性を悪化させる。
【００１９】
驚くべきことに、本発明に従う金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩が示す高い反応性はまたその反応後に得られるペロブスカイト粉末に伝えられる。このように、例えば、ニオブ酸鉛マグネシウムの焼結を極めて低い温度で行うことで密なセラミックを生じさせることができる。８５０℃／２時間で早くも９５％以上の密度が達成される。驚くべきことに、このように極めて低い温度で焼結を行っても、このＰＭＮセラミックが示す誘電率は非常に高い。例えば、８５０℃で焼結を行ったＰＭＮセラミックの場合、測定周波数を１００ｋＨｚにした時２５℃で９，０００以上の誘電率値が得られる。
【００２０】
ゾル−ゲル方法を用いることでもまた活性を示す焼結粉末を製造することができる。しかしながら、ゾル−ゲル方法で製造されたセラミックが許容され得る誘電特性を示すのは、その焼結温度を１，０００℃以上にした時のみである。このゾル−ゲル粉末の焼結を加圧下で行うことによってその誘電特性を改良することができる。しかしながら、これらの粉末は、誘電特性に関して、本発明に従う粉末に全く匹敵しない。このように、必須成分を９５％以上、好適には９８％以上含んでおりそして焼結を１，０００℃より明らかに低い温度で行うことで早くも非常に良好な誘電特性を示す密なセラミックを生じる活性を示す焼結鉛ペロブスカイト粉末を利用できるようにしたのは初めてである（表３から５を参照）。
【００２１】
【表２】
（１）Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．６７、３１１−３１５（１９８４）
（４）Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、１１、１３７−１４４（１９９０）
（５）Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．、５、２９０２−２９０９（１９９０）
全く制限することを意図するものでない実施例を用いて本発明を以下に説明する。
【００２３】
【実施例】
実施例１
濾過したことで湿っている、Ｎｂ含有量が２４．４％の水和酸化ニオブ８ｋｇを３リットルの水で希釈した後、これに水酸化炭酸マグネシウムを９８０ｇ加えた。２，０００回転／分で運転されているＴｈｙｓｓｅｎ−Ｈｅｎｓｃｈｅｌミキサーの中で上記懸濁液を１５分間均一にした。この得られるペーストを分離して取り出した。このペーストの一部を更に１５分間均一にした。別の一部に、最終焼成生成物を基準にして０．５重量％の量で金属成分を加え、この混合物もまたＴｈｙｓｓｅｎ−Ｈｅｎｓｃｈｅｌミキサーの中で更に１５分間均一にした。この濃縮物質混合物（ドープ処理を行ったものとドープ処理を行わなかったもの）を１０５℃で乾燥させた後、焼成を１，０００℃で２時間行った。次に、このニオブ酸マグネシウムにＰｂ3Ｏ4を相当する化学量論的量で加えた後、更に水を加えながらこの混合物をボールミル内で２時間均一にした。
【００２４】
これらの混合物を１０５℃で乾燥させた後、異なる温度で焼成を行った。Ｘ線回折分析を行うことにより、所望のペロブスカイトが６００℃で早くも生じることを立証することができた。どの添加剤を選択するかに拘りなく、ペロブスカイトの比率は６５０℃／２時間で早くも９０％になる（表１参照）。
【００２５】
８００℃で得られたペロブスカイトをプレス加工してペレット（直径１０ｍｍ／深さ１．５ｍｍ）を生じさせた後、標準的大気条件下、異なる温度で焼結を２時間行った。これらのセラミックが示す誘電特性を測定した。全焼結サンプルの誘電損率ｔａｎ δは２００−１０-1未満であった。ここで実施した全実施例のキューリー温度は匹敵していた。下記の表に誘電率を示す。
【００２６】
【表３】
【表４】
【表５】
本発明の特徴および態様は以下のとおりである。
【００３０】
１． 一般組成Ｍｅ（ＩＩ）Ｎｂ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＮｂＯ4［ここで、Ｍｅ（ＩＩ）は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｄおよびＺｎから成る群から選択される原子価（ＩＩ）金属を表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＭｎから成る群から選択される原子価ＩＩＩ金属を表す］で表される金属ニオブ酸塩において、Ｌｉ、ＮａおよびＫから成る群から選択される金属を含む添加剤を０．１から２０モル％の量で含有していることを特徴とする金属ニオブ酸塩。
【００３１】
２． 該ニオブ酸塩がニオブ酸マグネシウムでありそして該添加剤がニオブ酸リチウムであることを特徴とする第１項記載の金属ニオブ酸塩。
【００３２】
３． 一般組成Ｍｅ（ＩＩ）Ｔａ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＴａＯ4［ここで、Ｍｅ（ＩＩ）は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｄおよびＺｎから成る群から選択される原子価（ＩＩ）金属を表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＭｎから成る群から選択される原子価ＩＩＩ金属を表す］で表される金属タンタル酸塩において、Ｌｉ、ＮａおよびＫから成る群から選択される金属を含む添加剤を０．１から２０モル％の量で含有していることを特徴とする金属タンタル酸塩。
【００３３】
４． 相当する金属酸化物をニオブ成分および／またはタンタル成分と一緒に浸潤混合し、乾燥させた後、焼成を行うことによって、第１、２または３項いずれか記載の金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を製造する方法において、このニオブ成分および／またはタンタル成分をこれらの個々の水和酸化物の形態で用いることを特徴とする方法。
【００３４】
５． 該添加剤をＬｉ、ＮａおよびＫから成る群から選択される元素の塩類、水酸化物および酸化物から成る群から選択される少なくとも１種の化合物の形態で供給することを特徴とする第４項記載の方法。
【００３５】
６． 該添加剤をニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウムから成る群から選択することを特徴とする第４項記載の方法。
【００３６】
７． 該リチウム成分をこれの塩類、水酸化物および酸化物から成る群から選択される化合物形態で供給し、そして適切な当量の該ニオブ成分および／またはタンタル成分を水和酸化ニオブおよび／または水和酸化タンタルの形態で用いることを特徴とする第４項記載の方法。
【００３７】
８． 該添加剤の量が０．１から２０モル％であることを特徴とする第４項記載の方法。
【００３８】
９． 湿潤混合を５分から９０分の範囲の時間実施し、そして焼成を４００℃から１，２００℃の範囲の温度で１５分から６時間の範囲の時間実施することを特徴とする第４項記載の方法。
【００３９】
１０． 該焼成を５００℃から１，０００℃で実施することを特徴とする第９項記載の方法。
【００４０】
１１． 該金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を上記成分含有材料と一緒に１５分から２４時間混合することを特徴とする第１０項記載の方法。
【００４１】
１２． 第４項に従って製造した金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を更に処理して一般式Ｘ（Ｂ’，Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、ＰｂまたはＢａから成る群から選択される金属を表し、Ｂ’は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、ＺｒおよびＺｎから成る群から選択される金属を表し、そしてＢ”は、ＮｂおよびＴａから成る群から選択される金属を表す］で表されるペロブスカイト類を生じさせる方法。
【００４２】
１３． 該金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を上記成分Ｘ含有材料と一緒に１５分から２４時間混合することを特徴とする第１２項記載の方法。
【００４３】
１４． 該焼成を３０分から６時間実施する第１３項記載の方法。
【００４４】
１５． 焼成を４００℃から１，１００℃の範囲の温度で１５分から６時間の範囲の時間実施することを特徴とする第９項記載の方法。
【００４５】
１６． 該焼成を９００℃未満で実施する第１３項記載の方法。
【００４６】
１７． その結果として生じるペロブスカイトの純度が少なくとも９５％であることを特徴とする第９項記載の方法。
【００４７】
１８． 該ペロブスカイトの純度が９８％以上である第１７項記載の方法。
【００４８】
１９． 該ペロブスカイトの焼結を７００℃から１，３００℃の範囲の温度で１５分から１０時間実施することを特徴とする第９項記載の方法。
【００４９】
２０． 該焼結を１，０００℃未満で実施する第１９項記載の方法。
【００５０】
２１． ２５℃および１００ｋＨｚの測定周波数で１０，０００以上の誘電率を示すことを特徴とする第１、２または３項いずれかに従う鉛ペロブスカイトセラミック類。
【００５１】
２２． ９００℃未満の焼結温度で理論密度の９５％以上の密度を示すことを特徴とする第１、２または３項いずれかに従う鉛ペロブスカイトセラミック類。
Claims (6)
- 一般組成Ｍｅ（ＩＩ）Ｎｂ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＮｂＯ4［ここで、Ｍｅ（ＩＩ）は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｄおよびＺｎから成る群から選択される原子価（ＩＩ）金属を表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＭｎから成る群から選択される原子価ＩＩＩ金属を表す］で表される金属ニオブ酸塩において、Ｌｉ、ＮａおよびＫから成る群から選択される金属を含む添加剤を０．１から２０モル％で含有していることを特徴とする金属ニオブ酸塩。
- 一般組成Ｍｅ（ＩＩ）Ｔａ2Ｏ6またはＭｅ（ＩＩＩ）ＴａＯ4［ここで、Ｍｅ（ＩＩ）は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｄおよびＺｎから成る群から選択される原子価（ＩＩ）金属を表し、そしてＭｅ（ＩＩＩ）は、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＭｎから成る群から選択される原子価ＩＩＩ金属を表す］で表される金属タンタル酸塩において、Ｌｉ、ＮａおよびＫから成る群から選択される金属を含む添加剤を０．１から２０モル％で含有していることを特徴とする金属タンタル酸塩。
- 相当する金属酸化物をニオブ成分および／またはタンタル成分と一緒に浸潤混合し、乾燥させた後、焼成を行うことによって、請求項1または2いずれか記載の金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を製造する方法において、このニオブ成分および／またはタンタル成分をこれらの個々の水和酸化物の形態で用いることを特徴とする方法。
- 請求項3に従って製造した金属ニオブ酸塩および／または金属タンタル酸塩を更に処理して一般式Ｘ（Ｂ’，Ｂ”）Ｏ3［式中、Ｘは、ＰｂまたはＢａから成る群から選択される金属を表し、Ｂ’はＭｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、ＺｒおよびＺｎから成る群から選択される金属を表し、そしてＢ”はＮｂおよびＴａから成る群から選択される金属を表す］で表されるペロブスカイトを生じさせる方法。
- ２５℃および１００ｋＨｚの測定周波数で１０，０００以上の誘電率を示すことを特徴とする請求項4の方法で生じさせた鉛ペロブスカイト。
- ９００℃未満の焼結温度で理論密度の９５％以上の密度を示すことを特徴とする請求項4の方法で生じさせた鉛ペロブスカイト。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4436392.3 | 1994-10-12 | ||
| DE4436392A DE4436392C2 (de) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | Metallniobate und/oder Tantalate, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Weiterverarbeitung zu Perowskiten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08301618A JPH08301618A (ja) | 1996-11-19 |
| JP4057072B2 true JP4057072B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=6530540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28441495A Expired - Fee Related JP4057072B2 (ja) | 1994-10-12 | 1995-10-06 | 金属のニオブ酸塩および／またはタンタル酸塩、それらの製造およびそれらから生じさせたペロブスカイト類 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5721182A (ja) |
| JP (1) | JP4057072B2 (ja) |
| CN (1) | CN1059179C (ja) |
| DE (1) | DE4436392C2 (ja) |
| NL (1) | NL1001399C2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117806A (en) * | 1996-10-25 | 2000-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same |
| KR100199301B1 (ko) * | 1997-04-09 | 1999-06-15 | 김병규 | 유전체 세라믹 조성물 |
| US6136229A (en) * | 1998-10-15 | 2000-10-24 | Alliedsignal Inc. | Method for the mechanochemical preparation of high performance ceramics |
| EP1431422B1 (de) * | 2002-12-16 | 2006-12-13 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur Gewinnung von Lithium |
| EP1431423A1 (de) * | 2002-12-16 | 2004-06-23 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Lithiumionenleiters |
| US20050136292A1 (en) * | 2003-08-14 | 2005-06-23 | Mariani Robert D. | Thin film dielectrics with perovskite structure and preparation thereof |
| JP5044902B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2012-10-10 | 日立電線株式会社 | 圧電薄膜素子 |
| ES2651590T5 (es) * | 2006-05-17 | 2023-05-05 | Dow Global Technologies Llc | Proceso de polimerización en disolución a alta temperatura |
| CN100462307C (zh) * | 2007-04-23 | 2009-02-18 | 山东大学 | 一种制备铌酸锌纳米材料的方法 |
| CN101774812B (zh) * | 2010-02-02 | 2012-05-09 | 天津大学 | 溶胶凝胶技术制备钽酸镁微波陶瓷粉体的方法 |
| JP6016333B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | ニオブ酸ナトリウム粉末、ニオブ酸ナトリウム粉末の製造方法、板状粒子、板状粒子の製造方法、配向セラミックスの製造方法 |
| CN103157458B (zh) * | 2013-04-01 | 2015-04-15 | 桂林理工大学 | 可见光响应的钽酸盐光催化剂LiMTa3O9及其制备方法 |
| CN106414618B (zh) * | 2014-09-22 | 2019-01-25 | 科学与工业研究委员会 | 来自具有过渡元素氧化物的钴掺杂的镁的新型无机蓝色颜料及其制备方法 |
| CN104386750B (zh) * | 2014-10-31 | 2016-08-17 | 渤海大学 | 一种钪钽酸钡粉体的制备方法 |
| CN114452983B (zh) * | 2021-11-18 | 2024-06-21 | 杭州同晨环保科技有限公司 | 一种钙钛矿与尖晶石复合型臭氧分解催化剂 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3607752A (en) * | 1970-06-30 | 1971-09-21 | Ciba Ltd | Process for the culture of large monocrystals of lithium niobate |
| US4287075A (en) * | 1978-04-17 | 1981-09-01 | Tdk Electronics Co., Ltd. | High dielectric constant type ceramic composition consisting essentially of Pb(Fe1/2 Nb1/2)O3 -Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3 -Pb(Mg1/2 W1/2)O3 |
| JPS585804A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Toshiba Corp | プロセスコントロ−ラ |
| US4550088A (en) * | 1984-04-13 | 1985-10-29 | Union Carbide Corporation | Ceramic composition for dielectric in multilayer capacitors |
| JPH0233654B2 (ja) * | 1985-07-26 | 1990-07-30 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ta2o5*nh2oryushinoseizohoho |
| EP0294991A3 (en) * | 1987-06-10 | 1989-08-16 | Nippon Steel Corporation | Readily sinterable powder of perovskite type oxide containing group va element and laminated element obtained therefrom |
| JPH0629140B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1994-04-20 | 秩父セメント株式会社 | 圧電素子材料及びその製造方法 |
| FR2644779A1 (fr) * | 1989-03-22 | 1990-09-28 | Centre Nat Rech Scient | Composition ceramique a constante dielectrique elevee |
| JPH0798680B2 (ja) * | 1989-11-13 | 1995-10-25 | 堺化学工業株式会社 | 鉛系ペロブスカイト型セラミックスの原料粉末の製造方法 |
| US5011803A (en) * | 1990-01-10 | 1991-04-30 | Kemet Electronics Corporation | Lead magnesium niobate ceramic dielectrics having low sintering temperatures |
| US5051280A (en) * | 1990-10-01 | 1991-09-24 | Eastman Kodak Company | Low temperature synthesis of alkali metal niobates and tantalates |
| US5164882A (en) * | 1990-12-17 | 1992-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic capacitor |
| US5229101A (en) * | 1991-01-09 | 1993-07-20 | Munetoshi Watanabe | Process for producing a powder of perovskite-type double oxide |
| JP2692448B2 (ja) * | 1991-10-01 | 1997-12-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| DE4217817C2 (de) * | 1992-05-29 | 1994-06-16 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Blei-Perowskiten |
| DE4217819C1 (ja) * | 1992-05-29 | 1993-09-16 | H.C. Starck Gmbh & Co Kg, 3380 Goslar, De | |
| JPH06144837A (ja) * | 1992-11-10 | 1994-05-24 | Mizusawa Ind Chem Ltd | コロンバイト型ニオブ酸塩の合成法及びそれを用いるペロブスカイト型化合物の合成法 |
| US5461014A (en) * | 1994-01-13 | 1995-10-24 | Tam Ceramics, Inc. | Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide |
-
1994
- 1994-10-12 DE DE4436392A patent/DE4436392C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-28 US US08/535,847 patent/US5721182A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-06 JP JP28441495A patent/JP4057072B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-11 NL NL1001399A patent/NL1001399C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1995-10-12 CN CN95119973A patent/CN1059179C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1059179C (zh) | 2000-12-06 |
| NL1001399A1 (nl) | 1996-04-12 |
| DE4436392A1 (de) | 1996-04-18 |
| CN1130155A (zh) | 1996-09-04 |
| DE4436392C2 (de) | 2002-10-31 |
| US5721182A (en) | 1998-02-24 |
| NL1001399C2 (nl) | 1997-09-17 |
| JPH08301618A (ja) | 1996-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4057072B2 (ja) | 金属のニオブ酸塩および／またはタンタル酸塩、それらの製造およびそれらから生じさせたペロブスカイト類 | |
| JP3531982B2 (ja) | 置換バリウム−ネオジム−チタン−ペロブスカイト、これを用いた誘電性セラミック組成物、コンデンサおよびマイクロ波部品 | |
| EP1441985B1 (en) | Method for preparing barium-titanate based powder | |
| US5096642A (en) | Process for producing a high density ceramic of perovskite | |
| Moon et al. | Sintering behavior and microwave dielectric properties of (Ca, La)(Ti, Al) O3 ceramics | |
| KR101904579B1 (ko) | 옥살산바륨티타닐의 제조 방법 및 티탄산바륨의 제조 방법 | |
| JPWO2007119653A1 (ja) | セラミック粉末、及びセラミック粉末の製造方法 | |
| JPH0118018B2 (ja) | ||
| JP3640115B2 (ja) | セラミックス粉末の製造方法 | |
| JPS6153113A (ja) | 湿式法による易焼結性ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法 | |
| JPH0159967B2 (ja) | ||
| JPH0425207B2 (ja) | ||
| JP2865975B2 (ja) | 鉛のペロブスキー型化合物の製造法 | |
| JP2010047428A (ja) | チタン複合塩粉末、その製造方法及びそれを用いたペロブスカイト型チタン複合酸化物粉末の製造方法 | |
| JP3103165B2 (ja) | 圧電体の製造方法 | |
| JP3393157B2 (ja) | 多結晶半導体繊維およびその製造方法 | |
| JP2841344B2 (ja) | 圧電体セラミックス組成物 | |
| JP7102462B2 (ja) | シュウ酸バリウムチタニル、その製造方法及びチタン酸バリウムの製造方法 | |
| KR101751070B1 (ko) | 산-염기 반응을 이용한 티탄산바륨의 제조방법 | |
| JP3243692B2 (ja) | 圧電体セラミックスの製造方法 | |
| JP2538439B2 (ja) | 鉛系誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| JPS62138354A (ja) | 易焼結性鉛含有酸化物粉末の製造法 | |
| JP4135701B2 (ja) | セラミックス粉末及びその前駆体 | |
| JPS62202854A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP2023103668A (ja) | チタン酸バリウム系誘電体粒子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060131 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070912 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070918 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071011 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071016 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071031 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |