CN113000476A - 一种砷化镓物料的清洗工艺 - Google Patents

一种砷化镓物料的清洗工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN113000476A
CN113000476A CN202110104994.1A CN202110104994A CN113000476A CN 113000476 A CN113000476 A CN 113000476A CN 202110104994 A CN202110104994 A CN 202110104994A CN 113000476 A CN113000476 A CN 113000476A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gallium arsenide
arsenide material
soaking
washing
ultrasonic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110104994.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113000476B (zh
Inventor
肖雨
李勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Weike Saile Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Weike Saile Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Weike Saile Microelectronics Co Ltd filed Critical Weike Saile Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202110104994.1A priority Critical patent/CN113000476B/zh
Publication of CN113000476A publication Critical patent/CN113000476A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113000476B publication Critical patent/CN113000476B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/42—Gallium arsenide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/007—Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B25/00—Details of general application not covered by group F26B21/00 or F26B23/00
    • F26B25/06—Chambers, containers, or receptacles
    • F26B25/14—Chambers, containers, receptacles of simple construction
    • F26B25/16—Chambers, containers, receptacles of simple construction mainly closed, e.g. drum

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种砷化镓物料的清洗工艺，涉及单晶生长技术领域。本发明的一种砷化镓物料的清洗工艺，在超声振洗步骤之后还包括醇脱水步骤，具体为将振洗完成的砷化镓物料，置于无水乙醇中浸泡3‑5min，取出后用6MPa以上高纯氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中进行烘烤。本发明公开了一种砷化镓物料的清洗工艺，通过醇脱水步骤，能够尽可能的除去砷化镓物料中的水分，改善了石英料管在VGF单晶炉中胀缩管的现象，胀缩管率由6.25％降低到1.5％，大大降低了单晶生长成本。

Description

一种砷化镓物料的清洗工艺
技术领域
本发明涉及单晶生长技术领域，尤其涉及一种砷化镓物料的清洗工艺。
背景
现在砷化镓单晶的生长技术多采用VGF/VB技术，将清洗后的砷化镓物料、PBN坩埚、石英制品(管、圈、帽)进行脱水，然后依次将砷化镓料、氧化硼、砷粒装入PBN坩埚内，再将PBN坩埚放入石英管内，管口加石英帽抽真空封焊，冷却后放入VGF/VB单晶生长炉中启动升温和降温程序，长晶结束后降温出炉泡甲醇脱出晶棒，生长结束。
但是，在实际生产的过程中，发现出炉时有时会出现大量的胀缩管现象，一般的石英管在单晶炉中热胀冷缩发生一定的变形(±10mm)很正常，但是有两种胀缩管对单晶生长成本影响很大：1.融料阶段，砷熔化成砷蒸汽加上水蒸气使石英管内压力增大，石英料管膨胀起来卡住炉膛不能自由升降，影响长晶所需的温度差，导致不能长成单晶，更严重的石英料管被气压撑起连同炉膛管一起炸裂，石英料管内的砷蒸汽逸散出来腐蚀测温铂铑丝TC，砷蒸汽在暴露的高温空气中会生成三氧化二砷(砒霜)，不仅影响作业员的健康，切回导致物料损失在10万左右；2.长晶降温固化阶段，从生长结束到降到100℃左右，合计会使用36小时，降温速率快慢会影响石英管的形变程度，升温阶段的水蒸气和砷蒸汽已经将石英管撑大，然后砷蒸汽随着温度降低也渐渐冷却成固体，料管内压力骤然降低，导致石英料管收缩变形挤破炉膛管，这一步因为砷蒸汽基本上已冷却成固体，TC腐蚀情况影响不大，但是收缩会夹裂PBN坩埚，损坏炉膛管，成本损失也在2万左右。
经过发明人对生产过程逐步研究发现，在单晶生长过程中，所使用的砷化镓物料中水分含量是影响胀缩管的一大主要因素。砷化镓物料分为单晶回料和多晶新料，单晶回料是指已经单晶生长过一次以上重复使用的料，多晶新料指的是单质砷和镓合成的料，在现有技术中，砷化镓物料的清洗工艺包括了分料、王水浸泡、超声振洗、表面脱水、风干等步骤，对超声清洗干净的砷化镓物料，通过表面脱水、风干步骤来控制料的水分，而实际情况中，现有的方法可以满足一些表面完整没有裂缝、孔洞的砷化镓单晶回料的清洗，使其水分含量达到使用要求，而砷化镓多晶料在砷、镓合成过程中因为离解压会有一部分富余的砷蒸汽以气泡形式从熔体中溢出，导致产生裂缝、孔洞，孔洞和裂缝形状不一，有深有浅，有曲有直，仅使用单纯的表面脱水、风干步骤不能脱除缝隙内的水分，且砷化镓多晶新料在王水浸泡的过程中所使用到的纯HCL、纯硝酸，这些大分子残酸+水混合物仅通过目前的清洗工艺也很难通过缝隙逸出。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于公开一种砷化镓物料的清洗工艺，通过醇脱水步骤，能够尽可能的除去砷化镓物料中的水分，改善了石英料管在VGF单晶炉中胀缩管的现象，胀缩管率由6.25％降低到1.5％，大大降低了单晶生长成本。
具体的，本发明的一种砷化镓物料的清洗工艺，在超声振洗步骤之后还包括醇脱水步骤。
进一步，所述所述醇脱水步骤为：将振洗完成的砷化镓物料，置于无水乙醇中浸泡3-5min，取出后用6MPa以上高纯氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中进行烘烤。
进一步，所述无水乙醇为up级无水乙醇。
进一步，所述真空箱的温度为80-200℃，烘烤时间为120-240min，真空度为0.01pa。
进一步，所述超声振洗步骤中，所使用的超声频率为40kHz，超声强度为100％。
超声频率过低不能达到清除孔洞内残酸杂质的目的，超声频率过高则会将物料震碎，对物料造成过大损耗。
进一步，所述方法具体包括以下步骤：
分料：将单晶回料和多晶新料分好料后，置于无水乙醇中浸泡0.5-1h，然后用刀片或无尘布擦拭干净；
王水浸泡：用60-200目的粗砂纸打磨砷化镓物料的棱角至平滑，置于王水中浸泡1-30min，至砷化镓物料表面出现均匀的光亮面，捞出立即用大量纯水进行冲洗；
超声振洗：将冲洗干净的砷化镓物料放入超声槽中，以纯水为介质，超声振洗1-4次，每次清洗0.5-1h，每清洗完一次更换一次纯水；
醇脱水：将振洗完成的砷化镓物料，置于无水乙醇中浸泡3-5min，取出后用5N以上高纯高压氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中，在80-200℃温度下，真空烘烤120-240min。
进一步，所述分料步骤中，单晶回料分成10-25mm厚的圆饼，多晶新料分为100-135mm的晶棒。
进一步，所述砷化镓物料在装入石英管后，于真空机组上抽真空，再于200℃温度下烘烤120min，再进行封管焊接。
在装料后，利用真空机组和烤炉在高温高真空条件下进行二次烘烤，由于烘烤温度高于残酸+水的混合液沸点，能够进一步去除原辅料中的水分。
本发明的有益效果：
1、本发明公开了一种砷化镓物料的清洗工艺，在超声振洗后进行醇脱水，过程中，先利用无水乙醇浸泡一段时间，能够让无水乙醇充分进入砷化镓物料的孔隙内，再利用无水乙醇的易挥发性，结合高压氮气，快速去除砷化镓物料中的水分，最后再使用真空箱进行烘烤，利用高真空与高温相结合，能够进一步将砷化镓物料内部的水分去除，而通过采用本发明的砷化镓清洗工艺，改善了石英料管在VGF单晶炉中胀缩管的现象，胀缩管率由6.25％降低到1.5％，大大降低了单晶生长成本。
2、本发明的一种砷化镓物料的清洗工艺，对超声振洗步骤中的超声条件进行限定，传统的超声振洗，超声强度仅50％，主要是为了破坏不溶性污染物，只能清理掉砷化镓物料表面的残酸等杂质，无法清理到孔洞内的杂质或残酸，而在本申请的超声条件下，超声频率增加，超声强度提高到100％，利用超声高频率和高功率产生的空化气泡使残酸杂质被震碎，然后通过孔洞缝隙飘逸出来，再结合及时换水，可以防止残酸杂质残留。
3、本发明的一种砷化镓物料的清洗工艺，将多晶新料的分段长度增加了50％以上，由于单晶回料的块数和重量不变，在配置相同重量原料的情况下，会大大降低多晶新料的块数，由原来的15块以上控制到6块，进而减少了多晶新料暴露在外的孔洞，从而降低了多晶新料孔洞藏水的几率。
具体实施方式
以下将结合具体实施例对本发明进行详细说明：
本发明的一种砷化镓物料的清洗工艺，利用超声频率为40kHz，超声强度为100％的超声波对砷化镓物料进行振洗，能够将孔隙中的残酸杂质震碎，从而溢出孔隙被超声介质带走，同时利用醇脱水步骤替代了传统的脱水工艺，能够脱除缝隙、孔洞中的残留水分。具体如下：
实施例一
分料：将单晶回料分成10mm厚的圆饼，多晶新料分为135mm的晶棒，置于无水乙醇中浸泡1h，然后用刀片或无尘布擦拭干净；
王水浸泡：用100目的粗砂纸打磨砷化镓物料的棱角至平滑，置于王水中浸泡1-30min，至砷化镓物料表面出现均匀的光亮面，捞出立即用大量纯水进行冲洗，防止砷化镓物料表面残留王水；
超声振洗：将冲洗干净的砷化镓物料放入超声槽中，以纯水为介质，在超声频率为40kHz，超声强度为100％的条件下超声振洗4次，每次清洗0.5h，每清洗完一次更换一次纯水；
醇脱水：将振洗完成的砷化镓物料，置于up级无水乙醇中浸泡5min，取出后用压力为6MPa以上，纯度为5N以上高纯氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中，在真空度为0.01pa，温度为120℃条件下，真空烘烤150min。
实施例二
分料：将单晶回料分成15mm厚的圆饼，多晶新料分为110mm的晶棒，置于无水乙醇中浸泡0.5h，然后用刀片或无尘布擦拭干净；
王水浸泡：用200目的粗砂纸打磨砷化镓物料的棱角至平滑，置于王水中浸泡1-30min，至砷化镓物料表面出现均匀的光亮面，捞出立即用大量纯水进行冲洗，防止砷化镓物料表面残留王水；
超声振洗：将冲洗干净的砷化镓物料放入超声槽中，以纯水为介质，在超声频率为40kHz，超声强度为100％的条件下超声振洗2次，每次清洗0.5h，每清洗完一次更换一次纯水；
醇脱水：将振洗完成的砷化镓物料，置于up级无水乙醇中浸泡3min，取出后用压力为6MPa以上，纯度为5N以上高纯氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中，在真空度为0.01pa，温度为80℃条件下，真空烘烤240min。
实施例三
分料：将单晶回料分成25mm厚的圆饼，多晶新料分为100mm的晶棒，置于无水乙醇中浸泡0.75h，然后用刀片或无尘布擦拭干净；
王水浸泡：用60目的粗砂纸打磨砷化镓物料的棱角至平滑，置于王水中浸泡1-30min，至砷化镓物料表面出现均匀的光亮面，捞出立即用大量纯水进行冲洗，防止砷化镓物料表面残留王水；
超声振洗：将冲洗干净的砷化镓物料放入超声槽中，以纯水为介质，在超声频率为40kHz，超声强度为100％的条件下超声振洗1次，每次清洗1h，每清洗完一次更换一次纯水；
醇脱水：将振洗完成的砷化镓物料，置于up级无水乙醇中浸泡4min，取出后用压力为6MPa以上，纯度为5N以上高纯氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中，在真空度为0.01pa，温度为200℃条件下，真空烘烤120min。
对比例一
本对比例采用现有的砷化镓物料清洗工艺进行，具体为：
分料：将单晶回料分成10mm厚的圆饼，多晶新料分为80mm的晶棒，置于无水乙醇中浸泡1h，然后用刀片或无尘布擦拭干净；
王水浸泡：用100目的粗砂纸打磨砷化镓物料的棱角至平滑，置于王水中浸泡1-30min，至砷化镓物料表面出现均匀的光亮面，捞出立即用大量纯水进行冲洗，防止砷化镓物料表面残留王水；
超声振洗：将冲洗干净的砷化镓物料放入超声槽中，以纯水为介质，在超声频率为20kHz，超声强度为50％的条件下超声振洗4次，每次清洗0.5h，每清洗完一次更换一次纯水；
脱水、风干：向振洗完成的砷化镓物料上喷洒无水乙醇，将砷化镓物料放置在超洁净工作台，打开洁净通风(颗粒0.5um＜10个的10级洁净风)，对其风干4h以上。
对比例二
本对比例和实施例一相比，其不同之处在于，其分料步骤为：
将单晶回料分成10mm厚的圆饼，多晶新料分为135mm的晶棒，置于无水乙醇中浸泡1h，然后用刀片或无尘布擦拭干净。
对比例三
本对比例和实施例一相比，其不同之处在于，在超声振洗之后，采用现有的方法进行脱水，即：向振洗完成的砷化镓物料上喷洒无水乙醇，将砷化镓物料放置在超洁净工作台，打开洁净通风(颗粒0.5um＜10个的10级洁净风)，对其风干4小时以上。
对实施例一～实施例三、对比例一～对比例三制备清洗得到的砷化镓物料进行水分含量检测，即取等质量的实施例一～实施例三、对比例一～对比例三清洗干净的砷化镓物料，其中，单晶回料和多晶新料的质量也分别对应相同，将取到的样品分别编号，放入对应的容器中，同时置于恒温干燥箱中，于200℃温度下恒温干燥至恒重，检测结果如下表所示：
项目 称取质量/g 最终质量/g 损失质量/g 失重率
实施例一 500.09 499.04 1.05 0.21％
实施例二 499.96 498.89 1.07 0.21％
实施例三 499.91 498.67 1.24 0.25％
对比例一 500.10 495.73 4.37 0.87％
对比例二 499.98 497.21 2.77 0.55％
对比例三 500.03 496.57 3.46 0.69％
通过上表可以看出，采用本发明的清洗工艺，清洗后的砷化镓物料含水量低，能够达到尽可能的除去砷化镓物料中的水分的效果。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。本发明未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。

Claims (8)

1.一种砷化镓物料的清洗工艺，其特征在于，在超声振洗步骤之后还包括醇脱水步骤。
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓物料的清洗工艺，其特征在于，所述醇脱水步骤为：将振洗完成的砷化镓物料，置于无水乙醇中浸泡3-5min，取出后用6MPa以上高纯氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中进行烘烤。
3.根据权利要求2所述的一种砷化镓物料的清洗工艺，其特征在于，所述无水乙醇为up级无水乙醇。
4.根据权利要求3所述的一种砷化镓物料的清洗工艺，其特征在于，所述真空箱的温度为80-200℃，烘烤时间为120-240min，真空度为0.01pa。
5.根据权利要求4所述的一种砷化镓物料的清洗工艺，其特征在于，所述超声振洗步骤中，所使用的超声频率为40kHz，超声强度为100％。
6.根据权利要求5所述的一种砷化镓物料的清洗工艺，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：
分料：将单晶回料和多晶新料分好料后，置于无水乙醇中浸泡0.5-1h，然后用刀片或无尘布擦拭干净；
王水浸泡：用60-200目的粗砂纸打磨砷化镓物料的棱角至平滑，置于王水中浸泡1-30min，至砷化镓物料表面出现均匀的光亮面，捞出立即用大量纯水进行冲洗；
超声振洗：将冲洗干净的砷化镓物料放入超声槽中，以纯水为介质，超声振洗1-4次，每次清洗0.5-1h，每清洗完一次更换一次纯水；
醇脱水：将振洗完成的砷化镓物料，置于无水乙醇中浸泡3-5min，取出后用5N以上高纯高压氮气快速吹干砷化镓料缝隙、孔洞、表面，重复浸泡和吹干操作三次，再将脱水后的砷化镓物料放入真空箱中，在80-200℃温度下，真空烘烤120-240min。
7.根据权利要求6所述的一种砷化镓物料的清洗工艺，其特征在于，所述分料步骤中，单晶回料分成10-25mm厚的圆饼，多晶新料分为100-135mm的晶棒。
8.根据权利要求7所述的一种砷化镓物料的清洗工艺，其特征在于，所述砷化镓物料在装入石英管后，于真空机组上抽真空，再于200℃温度下烘烤120min，再进行封管焊接。
CN202110104994.1A 2021-01-26 2021-01-26 一种砷化镓物料的清洗工艺 Active CN113000476B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110104994.1A CN113000476B (zh) 2021-01-26 2021-01-26 一种砷化镓物料的清洗工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110104994.1A CN113000476B (zh) 2021-01-26 2021-01-26 一种砷化镓物料的清洗工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113000476A true CN113000476A (zh) 2021-06-22
CN113000476B CN113000476B (zh) 2023-03-24

Family

ID=76385309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110104994.1A Active CN113000476B (zh) 2021-01-26 2021-01-26 一种砷化镓物料的清洗工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113000476B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114653666A (zh) * 2022-03-17 2022-06-24 安徽光智科技有限公司 砷化铟多晶的清洗方法
CN114669546A (zh) * 2022-04-18 2022-06-28 广东先导微电子科技有限公司 一种磷化铟多晶料的清洗方法
CN114956605A (zh) * 2022-06-28 2022-08-30 安徽光智科技有限公司 石英管的回收再利用方法
CN114951608A (zh) * 2022-05-31 2022-08-30 广东先导微电子科技有限公司 一种高纯锑棒的制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101096617A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 天津晶岭电子材料科技有限公司 一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液及其清洗方法
US20080292877A1 (en) * 2004-06-28 2008-11-27 Yusuke Horie Method of Cleaning Gaas Substrate, Method of Producing Gaas Substrate, Method of Fabricating Epitaxial Susbstrate, and Gaas Wafer
US20130078819A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Qingqing Sun Method for cleaning & passivating gallium arsenide surface autologous oxide and depositing al2o3 dielectric
US20130276824A1 (en) * 2010-10-15 2013-10-24 Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. Process for cleaning a compound semiconductor wafer
CN103808620A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 谭勇 除垢剂腐蚀性能的测定方法
CN106119972A (zh) * 2016-06-29 2016-11-16 北京华进创威电子有限公司 一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法
CN109103073A (zh) * 2018-08-29 2018-12-28 汉能新材料科技有限公司 一种废弃晶片的再利用方法及制备得到的晶片
CN109400206A (zh) * 2018-11-12 2019-03-01 苏州工业园区职业技术学院 一种陶瓷表面金属化的方法
CN109698258A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法
CN110373720A (zh) * 2019-09-03 2019-10-25 广东先导先进材料股份有限公司 一种砷化镓背侵的去除方法
CN111575788A (zh) * 2020-05-25 2020-08-25 广东先导先进材料股份有限公司 一种砷化镓废料回收制备砷化镓多晶的方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080292877A1 (en) * 2004-06-28 2008-11-27 Yusuke Horie Method of Cleaning Gaas Substrate, Method of Producing Gaas Substrate, Method of Fabricating Epitaxial Susbstrate, and Gaas Wafer
CN101096617A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 天津晶岭电子材料科技有限公司 一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液及其清洗方法
US20130276824A1 (en) * 2010-10-15 2013-10-24 Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. Process for cleaning a compound semiconductor wafer
US20130078819A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Qingqing Sun Method for cleaning & passivating gallium arsenide surface autologous oxide and depositing al2o3 dielectric
CN103808620A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 谭勇 除垢剂腐蚀性能的测定方法
CN106119972A (zh) * 2016-06-29 2016-11-16 北京华进创威电子有限公司 一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法
CN109698258A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法
CN109103073A (zh) * 2018-08-29 2018-12-28 汉能新材料科技有限公司 一种废弃晶片的再利用方法及制备得到的晶片
CN109400206A (zh) * 2018-11-12 2019-03-01 苏州工业园区职业技术学院 一种陶瓷表面金属化的方法
CN110373720A (zh) * 2019-09-03 2019-10-25 广东先导先进材料股份有限公司 一种砷化镓背侵的去除方法
CN111575788A (zh) * 2020-05-25 2020-08-25 广东先导先进材料股份有限公司 一种砷化镓废料回收制备砷化镓多晶的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周安林等: "超导材料用铌表面清洗工艺", 《中国表面工程》 *
陈秀丽等: "不可拆卸腔隙类器械干燥方法的研究", 《中国消毒学杂志》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114653666A (zh) * 2022-03-17 2022-06-24 安徽光智科技有限公司 砷化铟多晶的清洗方法
CN114669546A (zh) * 2022-04-18 2022-06-28 广东先导微电子科技有限公司 一种磷化铟多晶料的清洗方法
CN114669546B (zh) * 2022-04-18 2023-08-22 广东先导微电子科技有限公司 一种磷化铟多晶料的清洗方法
CN114951608A (zh) * 2022-05-31 2022-08-30 广东先导微电子科技有限公司 一种高纯锑棒的制备方法
CN114951608B (zh) * 2022-05-31 2024-04-12 广东先导微电子科技有限公司 一种高纯锑棒的制备方法
CN114956605A (zh) * 2022-06-28 2022-08-30 安徽光智科技有限公司 石英管的回收再利用方法
CN114956605B (zh) * 2022-06-28 2023-12-29 安徽光智科技有限公司 石英管的回收再利用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113000476B (zh) 2023-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113000476B (zh) 一种砷化镓物料的清洗工艺
WO2021196713A1 (zh) 基底触发单晶高温合金定向凝固工艺
CN105274459A (zh) 真空热处理恢复镍基高温合金组织和性能的方法
CN102268567B (zh) 一种铜磷合金的制备方法
CN103395788B (zh) 一种粒度可控的铸锭用硅粉及其制备方法和应用
CN110666175A (zh) 一种镍基高温合金粉末的热等静压成型方法
CN113913939B (zh) 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法
CN108165903A (zh) 一种适用于大型绕管式换热器的超长铝合金管的制造工艺
CN110756813A (zh) 一种高纯钛粉的制备方法
CN104047049A (zh) 导模法生长无裂纹蓝宝石晶体的制备方法
CN112376003B (zh) 一种提高gh141材料屈服强度的工艺
CN110029260B (zh) 一种镍铪合金及其制备方法
CN112662840A (zh) 一种轻质环保型覆盖剂及其制备方法
CN112981533A (zh) 以金属铝和高纯氮气为原料pvt法生长氮化铝晶体的方法
CN110240483B (zh) 一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法
CN113880570B (zh) 一种降低BaTiO3陶瓷中双孪晶缺陷密度的粉末烧结方法
JP3478224B2 (ja) 石英ルツボ回収方法
CN115012028A (zh) 一种制备大尺寸碳化硅晶体的方法
CN103806097B (zh) 硅循环再利用系统及其方法
CN112551532B (zh) 一种连熔高温热态法去除石英粉中杂质的工艺
CN102127816B (zh) 一种采用液态金属冷却法制备含铼的Ni3Al基单晶合金的方法
CN104805259A (zh) 一种镍基合金成分配比及δ相球化热处理工艺
CN112624580B (zh) 一种连熔与中频炉集成法去除光纤石英靶棒杂质的方法
CN116555911A (zh) 磷化铟碎片制备多晶的方法
CN116924690B (zh) 一种陶瓷涂层及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant