CN112992985A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112992985A
CN112992985A CN202011458480.8A CN202011458480A CN112992985A CN 112992985 A CN112992985 A CN 112992985A CN 202011458480 A CN202011458480 A CN 202011458480A CN 112992985 A CN112992985 A CN 112992985A
Authority
CN
China
Prior art keywords
array unit
camera
display device
substrate
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011458480.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112992985B (zh
Inventor
吴载映
金圣基
李福永
李永旭
宋昌铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Priority to CN202410765549.3A priority Critical patent/CN118765136A/zh
Publication of CN112992985A publication Critical patent/CN112992985A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112992985B publication Critical patent/CN112992985B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本文公开了一种显示装置，通过改变在对应于相机的区域中的基板的构造，即使相机设置在有源区域中，该显示装置也具有改善的透射率并且减轻了相机区域中的视觉差异。

Description

显示装置
本申请要求于2019年12月18日提交的韩国专利申请No.10-2019-0169879的优先权的权益，由此通过引用将该韩国专利申请并入，就像在本文中完整阐述该韩国专利申请一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种能够在其中相机设置在面板下面的结构中确保透射率的显示装置。
背景技术
近年来随着信息时代的到来，视觉上显示包含信息的电信号的显示器领域得到迅速发展。因此，已经开发出具有诸如厚度薄、重量轻和低功耗之类的优异特征的各种平板显示装置，并且已经迅速替代了现有的阴极射线管(CRT)。
这样的平板显示装置的具体示例可以包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、有机发光显示(OLED)装置、等等。
其中，由于有机发光显示装置不需要单独的光源并且能够实现紧凑的装置设计和鲜艳的彩色显示，因此有机发光显示装置被认为是有竞争力的应用。
这样的有机发光显示装置被应用于诸如电视、智能电话、电子书、监视器和笔记本电脑的各种显示装置。另外，有机发光显示装置与相机结合以使得能够检查和编辑由相机捕获的图像以及屏幕显示。
这里，显示装置通常被配置为使得相机和显示面板在单独的过程中形成，并且然后将相机安装在显示面板外部的边框中。在这种情况下，必须增加显示面板外部的边框的宽度和厚度，因为在非显示区域中存在边框突出或大量的要覆盖的部分以用于构造用于驱动相机的模块，这可能会导致装置变厚并导致用户的视觉感受下降。因此，正在努力解决该问题。
发明内容
因此，本发明针对一种显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种显示装置，通过改变在对应于相机的区域中的基板的构造，即使相机设置在有源区域中，该显示装置也具有改善的透射率并且减轻了相机区域中的视觉差异。
本发明的附加的优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且本领域的普通技术人员在阅读以下内容之后，这些优点、目的和特征将部分地变得显而易见，或者这些优点、目的和特征可以从本发明的实践中获悉。通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点，并且根据本发明的目的，如本文具体体现和广泛描述的，本发明涉及一种显示装置，该显示装置具有改善的透射率和增强的识别其中相机设置在基板下面的结构中的相机的能力。
根据本发明的一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，该基板被划分为相机区域和非相机区域，同时具有第一表面和第二表面；相机，其位于基板的第一表面下面以便对应于相机区域；台阶部分，其通过从基板的第一表面去除第一厚度以便对应于相机区域而形成；包括至少一个子像素的第一阵列单元，其在第二表面上、对应于基板的相机区域；包括多个子像素的第二阵列单元，其在第二表面上、对应于基板的非相机区域；以及光学膜，其被配置为覆盖第一和第二阵列单元。
根据本发明的另一方面，提供一种显示装置，该显示装置包括：基板，该基板被划分为相机区域和非相机区域，同时具有第一表面和第二表面；相机，其位于基板的第一表面下方以便对应于相机区域；台阶部分，其通过从基板的第一表面去除第一厚度以便对应于相机区域而形成；包括至少一个子像素的第一阵列单元，其在第二表面上、对应于基板的相机区域；包括多个子像素的第二阵列单元，其在第二表面上、对应于基板的非相机区域；在第一和第二阵列单元上的触摸传感器；以及光学膜，其被配置为覆盖触摸传感器。
应当理解，本发明的以上概述和以下具体实施方式都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施例并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是本发明的显示装置的俯视图；
图2A和图2B是分别示出根据本发明的第一实施例的显示装置中的图1的区域A和B的放大的俯视图；
图3是示出根据本发明的第二实施例的显示装置中的图1的区域B的放大的俯视图；
图4A是示出根据本发明的第二实施例的显示装置中的图1的区域A的放大的俯视图；
图4B是示出根据本发明的第三实施例的显示装置中的图1的区域A的放大的俯视图；
图5是每个子像素的电路图；
图6是根据第二实施例的示例的区域A的截面图；
图7是示出图1的区域B的截面图；
图8是示出根据本发明的第三实施例的显示装置中的图1的区域A的截面图；
图9是示出根据本发明的第四实施例的显示装置中的图1的区域A的截面图；
图10是示出根据本发明的第五实施例的显示装置中的图1的区域A的截面图；
图11是示出本发明的显示装置中的触摸传感器的示例的截面图；
图12A至图12C是示出制造根据本发明的第一至第四实施例的显示装置的过程的截面图；以及
图13A至图13E是示出制造根据本发明的第五实施例的显示装置的过程的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施例，其示例在附图中示出。在所有附图中，将尽可能使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。在以下描述中，当已知的功能和构造可能使本发明的主题相当不清楚时，将省略并入本文中的已知的功能和构造的详细描述。选择本文中使用的部件的名称时要考虑到易于编制说明书，并且可能与实际产品的部件名称不同。
在用于解释本发明的各种实施例的附图中，示出的形状、尺寸、比率、角度和数量仅作为示例给出，因此不限制本发明的公开内容。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组成元件。在以下描述中，当已知的功能和构造可能使本发明的主题相当不清楚时，将省略并入本文中的已知的功能和构造的详细描述。除非与术语“仅”一起使用，否则本文中使用的术语“包括”、“包含”和/或“具有”不排除其他元件的存在或添加。除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”和“所述”也旨在包括复数形式。
即使没有明确的描述，本发明的各个实施例中涉及的部件也应被解释为包括误差范围。
在本发明的各个实施例中，当描述位置关系时，例如，当使用“上”、“上方”、“下方”、“旁边”等描述两个部分之间的位置关系时，除非使用术语“直接”或“紧密”，否则一个或多个其他部分可以位于两个部分之间。
在本发明的各个实施例中，当描述时间关系时，例如，当使用“之后”、“随后”、“下一个”、“之前”等描述两个动作之间的时间关系时，除非使用术语“直接”或“恰好”，否则这些动作可能不会立即发生。
在本发明的各种实施例中，尽管诸如“第一”和“第二”之类的术语可以用于描述各种元件，但是这些术语仅用于将相同或相似的元件彼此区分开。因此，在本说明书中，除非另有说明，否则在不超出本发明的技术范围的情况下，由“第一”修饰的元件可以与由“第二”修饰的元件相同。
本发明的各种实施例的相应特征可以部分地或完全地彼此耦合和组合，并且可以以各种方式在技术上链接和驱动。这些实施例可以彼此独立地执行，或者可以彼此关联地执行。
图1是示出本发明的显示装置的示例的俯视图。图2A和图2B是分别示出根据本发明的第一实施例的显示装置中的图1的区域A和B的放大的俯视图。
如图1至图2B所示，根据本发明的第一实施例的由附图标记1000表示的显示装置可以包括：基板100，该基板100被划分为相机区域(参见图1中对应于附图标记700的区域A)和非相机区域(参见除附图标记700之外的区域B)，同时具有第一表面(图6和图7中的附图标记100的下表面)和第二表面(图6和图7中的附图标记100的上表面)；相机700(参见图6)，其位于基板的第一表面下面以便对应于相机区域；台阶部分100a(参见图6)，其通过从基板的第一表面去除第一厚度以便对应于相机区域而形成；包括至少一个子像素的第一阵列单元(区域A)，其在第二表面上、对应于基板的相机区域；包括多个子像素的第二阵列单元(区域B)，其在第二表面上、对应于基板的非相机区域；以及覆盖第一和第二阵列单元的光学膜300。
本发明的显示装置1000被配置为使得相机700设置在有源区域下面，在有源区域中形成基板100上的子像素。特别地，与其中相机700设置在有源区域外部的结构相比，显示装置1000可以增加有效平面区域，并且由于相机没有设置在有源区域外部，因此显示装置1000可以得到窄边框，由此使对应区域的尺寸减小。
这里，有源区域是指光学膜300中的重叠区域，并且包括其中形成偏光膜200的区域，包括相机700。光学膜300可以起到保护基板100和在基板100上形成的部件的作用，并且可以是玻璃或具有一定刚性的透明光学膜。
除了有源区域之外，基板100的边缘被称为外部区域。外部区域可以设置有焊盘单元(未示出)。外部区域可以设置有包括在焊盘单元中的焊盘电极，以及从有源区域电气延伸到焊盘电极的链接布线。
另外，本发明的显示装置1000的优点在于，由于即使在相机700所在的区域中也布置了子像素，因此在相机关闭时可以进行显示。
同时，本发明的显示装置的特征在于，通过在相机上方依次设置包括薄膜晶体管和发光装置的阵列单元来改变基板100和基板上的构造，以防止在从相机的上部区域发光期间，眼睛辨别出阵列单元下面的相机。
特别地，本发明的显示装置1000可以被配置为使得具有第一分辨率的子像素对应于非相机区域布置，如图2B所示，并且具有比第一分辨率低的第二分辨率的子像素对应于相机区域布置，如图2A所示。
如图所示，R_EM是指红色发射部分，G_EM是指绿色发射部分，并且B_EM是指蓝色发射部分。图2A和图2B示出了在每个子像素SP中设置改变发射部分的开口区域的堤部190，使得红色、绿色和蓝色发射部分R_EM、G_EM和B_EM具有不同的面积。在图2B中，每个子像素SP被表示为虚线区域，并且通过用堤部190围绕发射部分R_EM或G_EM或B_EM而形成每个子像素SP。
在示出的示例中，当将显示装置实施为有机发光显示装置时，蓝色发射部分B_EM具有比其他颜色发射部分G_EM和R_EM相对更大的面积，以补偿由于与蓝色有机发射层有关的材料限制而导致的蓝色有机发射层相对于其他颜色有机发射层的发光效率的差异。另外，图2B示出相对于非相机区域顺时针布置的四个发射部分(即红色发射部分R_EM、绿色发射部分G_EM、蓝色发射部分B_EM和绿色发射部分G_EM)以菱形形状被重复收集。在此，通过进一步添加绿色发射部分G_EM，将两个绿色发射部分G_EM设置成一个菱形形状组，这是因为显示装置中的白光的实现高度依赖于绿色光。在图2A和图2B中，绿色发射部分G_EM被示为具有带有对角长轴的近似椭圆形状。具体地，左和右绿色发射部分G_EM形成为具有相反的对角长轴，以便在每个区域中没有差异的情况下平衡发光。
然而，仅以示例的方式给出这种发射部分的形状。如果克服了与蓝色发射部分有关的材料限制，则蓝色发射部分B_EM以及其他颜色发射部分G_EM和R_EM可以具有相同的尺寸或相似的尺寸。另外，当存在取决于使用显示装置的应用的方法的颜色时，可以针对该布置对与该颜色有关的发射部分、以及仅绿色发射部分进行加权。
在本发明中应注意，对应于相机700的区域A中的发射部分R_EM、G_EM和B_EM比对应于非相机区域的区域B中的发射部分R_EM、G_EM和B_EM具有更低的布置密度，如图2A所示。通过该结构，本发明的显示装置允许通过与非相机区域相比相对降低发射部分R_EM、G_EM和B_EM或其在对应于相机700的区域中的布置密度，来减小相机中的相应部件的消光系数。因此，当驱动相机700以识别环境光时，光被发射部分、布线等吸收，从而防止相机700的视觉识别变差。另外，在相机700上方的构造中，其透射率增加以提高识别环境光的能力。另外，由于相机700还设置有一些阵列构造以在相机关闭时将相机700的构造与其他区域区分开，因此可以防止相机被环境光识别。
在图2A所示的示例中，对应于相机并且发射部分的布置密度较低的区域被设置有既没有发射层也没有堤部的透射部分T。因此，当光穿过透射部分T进入时，环境光不穿过有机发射层，并且透射部分T还防止厚的堤部190部分地吸收光。
通过适应于相机700而去除基板100的全部或部分厚度来形成本发明的基板100上的台阶部分100a。基板100可以是例如塑料基板或玻璃基板。在某些情况下，可以通过沉积多层来形成基板100。有利地，当基板100具有预定厚度或更小时，该基板100是柔性的。
例如，当通过沉积多层来形成基板100时，可以在多个聚合物层之间插入层间无机绝缘层。
在下文中，将描述其他发射部分的构造。
图3是示出根据本发明的第二实施例的显示装置中的图1的区域B的放大的俯视图。图4A是示出根据本发明的第二实施例的显示装置中的图1的区域A的放大的俯视图。图4B是示出根据本发明的第三实施例的显示装置中的图1的区域A的放大的俯视图。图5是每个子像素的电路图。图6是示出根据第二实施例的示例的区域A的截面图。图7是示出图1的区域B的截面图。
在图2A和图2B中，仅以示例的方式给出了上述发射部分的形状。在一些情况下，发射不同颜色的光的发射部分R_EM、G_EM和B_EM可以具有相同的面积，如图3所示。
每个子像素包括相关联的发射部分R_EM、G_EM或B_EM，并且包括扫描线Sn、Sn+1、Sn+2、…、以及数据线Dm、Dm+1、Dm+2、…，以驱动发射部分。图3示出了其中扫描线Sn、Sn+1和Sn+2以及数据线Dm、Dm+1和Dm+2布置成不与发射部分R_EM、G_EM和B_EM重叠的示例。然而，当发光装置是顶部发射型装置并且其第一电极用作反射电极时，扫描线Sn、Sn+1和Sn+2以及数据线Dm、Dm+1和Dm+2也可以设置为同时分别与发射部分R_EM、G_EM和B_EM重叠。至少每个子像素SP包括至少一条扫描线Sn、Sn+1或Sn+2和至少一条数据线Dm、Dm+1或Dm+2，并且至少一个薄膜晶体管(未示出)设置在扫描线和数据线的相交处。薄膜晶体管连接到导通/截止相关联的发射部分的发光装置。
如图4A所示，根据本发明的第二实施例的显示装置被配置为使得相机区域中的分辨率是图3中的非相机区域的分辨率的四分之一。在图3中，子像素以相同的间距重复并且以相同的布线距离布置。但是，在图4A的相机区域中，透射部分T属于未设置发射部分的区域。在该情况下，相机区域的四分之一是发射部分区域，并且其四分之三是透射部分区域。因此，由于透射部分的面积增加，可以提高当相机700检测环境光时的相机识别性能，并且可以防止当相机关闭时从外部看到相机。
如在图4A所示的示例中，在根据本发明的第二实施例的显示装置的相机区域中，与非相机区域相比，扫描线Sk和Sk+1以及数据线Dj和Dj+1中的每条在水平和垂直方向上的布线被减半，使得相机区域中的布线距离大于非相机区域中的布线距离。在这种结构中，在某些情况下，为了进一步提高透射部分的透射率，与透射部分重叠的扫描线和数据线可以在透射部分周围绕过。
如图4B所示，根据本发明的第三实施例的显示装置被配置为使得相机区域的分辨率是图3中的非相机区域的分辨率的四分之一，并且使得每个发射部分在相机区域中的面积是在非相机区域中的面积的四倍。即使在这种情况下，在相机区域中，与非相机区域相比，水平扫描线和垂直数据线中的每条在相同面积中也减半。在此，由于扫描线之间和数据线之间在相机区域中的布线距离是在非相机区域中的布线距离的两倍，所以可以将发射部分R_EM、B_EM和G_EM的布置密度减小1/4倍(1/2*1/2＝1/4)。
即，本发明的显示装置在相机区域中包括子像素，以在该区域中实现显示，在这种情况下，为了防止在相机关闭时相机被环境光识别，对应于相机区域的阵列单元中的布置密度相对低于非相机区域的阵列单元中的布置密度。在这种情况下，与非相机区域相比，相同区域所需的相机区域中的布线距离增加，并且透射部分增加以增加环境光透射。因此，阵列单元在相机区域中的透射率相对高于在非相机区域中的透射率。
如图4A和图4B所示，在相机区域中分离子像素的扫描线Sk、…或Sk+1、…之间的布线距离以及在相机区域中分离子像素的数据线Dj、…或Dj+1、…之间的布线距离可以大于在非相机区域中分离第二阵列单元的子像素的线之间的布线距离。
如图4B所示，相机区域中的每个发射部分的面积可以大于非相机区域中的每个发射部分的面积。另外，与作为非相机区域的区域B相邻的子像素的发射部分之间的第一距离可以小于与作为相机区域的区域A相邻的子像素的发射部分之间的第二距离。
如图4B所示，当相机区域中的每个发射部分的面积大于非相机区域中的每个发射部分的面积时，发光装置的第一电极125(参见图8)的面积也可以与发射部分的增加的面积相对应地增加。
同时，仅以示例的方式给出了相机区域与非相机区域之间的上述分辨率差异。为了增加相机区域的透射率，发射部分可以具有与上述示例不同的分辨率或者具有不同的布线布置结构。
如图5所示，每个子像素SP可以包括发光装置OLED、驱动晶体管DT、连接到驱动晶体管DT的栅电极的开关晶体管ST1、以及存储电容器Cst。在子像素SP中，驱动晶体管DT连接至发光装置OLED以调节来自子像素SP的光的发射。当设置在发光装置OLED中的发射层根据其物理性质包含有机材料作为主要成分时，发光装置可以被称为有机发光装置，并且发光显示装置可以被称为有机发光显示装置。替代地，当设置在发光装置中的发射层包含无机材料时，发光装置可以被称为无机发光装置，并且包括该无机发光装置的发光显示装置可以被称为无机发光显示装置。图5的电路图示出了其中发光装置用作有机发光装置的示例，但是即使当发光装置用作无机发光装置时，也可以等同地应用该示例。
具体来说，如图5所示，子像素SP由彼此相交的扫描线Sk和数据线Dj驱动。开关晶体管ST1既连接到扫描线Sk又连接到数据线Dj，并且设置在它们的相交处。开关晶体管ST1通过扫描线Sk的栅极信号而导通，并被供应有数据线Dj的数据电压，从而被开关。在某些情况下，开关晶体管ST1可以由多个开关晶体管组成。
驱动晶体管DT设置在被供应第二源极电压的第二源极电压线VDDL与发光装置OLED之间。驱动晶体管DT取决于驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压差来调节从第二源极电压线VDDL流向发光装置OLED的电流。驱动晶体管DT的栅极电极可以连接至开关晶体管ST1的源极电极，驱动晶体管DT的漏极电极可以连接至第二源极电压线VDDL，并且驱动晶体管DT的源极电极可以连接到发光装置OLED的第一电极。第二源极电压线VDDL可以是被供应高电位源极电压的高电位电压线。
发光装置OLED响应于通过驱动晶体管DT的电流供应而发光。发光装置OLED的第一电极(阳极电极)可以连接至驱动晶体管DT的源极电极，并且发光装置OLED的第二电极(阴极电极)可以连接至被供应第一源极电压的第一源极电压线VSSL。第一源极电压线VSSL可以是被供应低电位源极电压的低电位电压线。
发光装置OLED可以包括第一电极、空穴传输层、发射层、电子传输层和第二电极。在发光装置OLED中，当将电压施加到第一电极和第二电极时，空穴和电子通过相应的空穴传输层和电子传输层移动到发射层，并且在发射层中复合以发光。发射层可以是有机发射层或无机发射层。除了发射层之外，用于传输载流子的空穴传输层和/或电子传输层可以是有机层或无机层。空穴传输层和电子传输层之一可以形成为在有源区域AA中公共的有机层。
电容器Cst形成在驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间，并存储驱动晶体管DT的栅极电压与源极电压之间的差分电压。
电容器Cst的一个电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极和开关晶体管ST1的源极电极，并且电容器Cst的另一电极可以连接到驱动晶体管DT的源极电极和发光装置OLED的第一电极。
同时，上述驱动晶体管DT和开关晶体管ST1的每个薄膜晶体管可以包括半导体层、连接到半导体层的两侧的源极电极和漏极电极、以及与半导体层重叠的栅极电极，其中栅极绝缘层插入在栅极电极与半导体层之间。半导体层可以是氧化物半导体层、多晶硅层或非晶硅层，或者可以通过堆叠其中的一个或多个而形成。
同时，设置在图1的外部区域NA的一部分处的焊盘单元PAD包括设置在子像素SP中的焊盘电极(未示出)，该焊盘电极通过其延伸部连接到扫描线Sk、数据线Dj以及第一和第二源极电压线VSSL和VDDL。焊盘电极分别连接到柔性膜(未示出)，以将电压信号施加到每条线。
如图6和图7所示，薄膜晶体管阵列TFT阵列设置在基板100的第二表面(上表面)上，该薄膜晶体管阵列TFT阵列包括每个子像素中包括的薄膜晶体管(驱动晶体管DT和开关晶体管ST1)和电容器Cst。
如图7所示，非相机区域中的发光装置包括第一电极120、第一公共层CML1、发射层135a、135b和135c、第二公共层CML2和第二电极140。
第一公共层CML1是与空穴注入和传输有关的层，例如空穴注入层和空穴传输层，并且第二公共层CML2是与电子注入有关的层，例如电子传输层。第一和第二公共层CML1和CML2中的至少一个可以由多个层组成，并且发光装置OLED可以包括第一和第二公共层CML1和CML2中的至少一个。从第一公共层CML1和第二公共层CML2去除的层可以通过在发射层135a、135b和135c或其他层中包含相关联的成分来起作用。
如图6和图7所示，第一公共层CML1和第二公共层CML2在相邻子像素SP中相继形成为公共层。
如图6所示，它们在相机区域中的子像素中连续形成。
图6示出了透射部分T设置为对应于相机区域，如图4A所示。从透射部分T去除发射层135a、135b和135c，并且还从其去除第一电极120。
在图6的第二实施例中，相机区域中的第二电极140a可以由具有比非相机区域更高的透射率的金属制成或者可以被减薄，从而增加相机区域的透射率。这仅作为示例给出。在第二实施例的变型中，第二电极可以由与相邻的非相机区域中的第二电极140相同的半透明金属或透明金属制成。
第一电极120可以用作反射电极，并且第二电极140可以用作透明电极或由半透明金属制成。例如，用于第一电极120的反射电极可以由铝、铝合金、银合金、镁合金、APC(Au-Pt-Cu)等制成。例如，用于第二电极140的透明电极可以由ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)制成，并且半透明金属可以是AgMg、银合金、镁合金、APC(Au-Pt-Cu)等。
触摸传感器400可以设置在通过堆叠第一电极120、第一公共层CML1、发射层135a、135b和135c、第二公共层CML2和第二电极140/140a形成的发光装置上。触摸传感器400可以包括包封层1450(参见图11)和触摸感测电极1470(参见图11)，其覆盖发光装置的第二电极140的上部部分。
偏光膜200和透明保护膜或透明保护玻璃600可以设置在触摸传感器400上。
图6示出了包括对应于与偏光膜200相同的层的透明膜250，以便对应于相机区域。在图6的结构中，如上所述，可以通过去除偏光膜200、包含反射电极成分的第一电极120、以及发射层135a、135b和135c以增加第二电极140a的透射率，来增加识别进入透明相机700的环境光的能力。
同时，相机700包括被配置为会聚环境光的透镜710、被配置为围绕并支撑透镜710的主体720、以及被配置为分析接收到透镜710中的光并具有位于主体720下面的相机电路的相机基板730。相机700的至少镜头710和主体720可以插入台阶部分100a中。因此，在其中相机700设置在基板100下面的显示器下结构中，可以通过模块部件的垂直集成来实现薄型装置。
图8是示出根据第三实施例的显示装置中的图1的区域A的截面图。
如图8所示，根据本发明的第三实施例的显示装置包括：由多个层组成的基板3100；和设置在基板3100中并对应于相机700的台阶部分3000a。台阶部分3000a通过将基板3100的一部分去除到层间无机绝缘层3120的下表面而形成。
通过堆叠第一聚合物层3110、层间无机绝缘层3120和第二聚合物层3130来形成基板3100。在这种情况下，层间无机绝缘层3120设置在由有机材料制成的聚合物层3110和3130之间，其优点在于，层间无机绝缘层3120打破了可以垂直形成在由有机材料制成的层中的湿气渗透路径。
通过去除第一聚合物层3110的厚度来限定台阶部分3000a。即使在其中对应于相机700的基板3110和基板上的阵列部件具有增加的透射率的结构中，由于对湿气渗透相对有抵抗力的层间无机绝缘层3120直接暴露于台阶部分3000a，可以维持垂直防湿气渗透能力。
第一聚合物层3110和第二聚合物层3130例如由诸如聚酰亚胺或聚酰胺的有机树脂制成。在第三实施例中，第二聚合物层3130优选地由透明有机树脂制成。第一聚合物层3110可以由透明有机树脂或有色有机树脂制成。
层间绝缘膜3120可以是例如由SiOx、SiOxNy、SiNx等制成的硅无机层。
另外，设置在基板3100的背表面上的部件800是背面保护膜，其保护基板3100的背表面并用于防止由薄塑料材料制成的基板3100的永久塑性变形。
在这种情况下，相机700对应于背面保护膜800的下侧。因此，为了便于相机700的插入，还对应于相机700的区域去除了背面保护膜800。
例如，当相机700具有如图1所示的圆孔形状时，背面保护膜800和台阶部分3000a也可以具有圆形的平面形状或垂直去除的孔形状。
形成在基板3100上的TFT阵列2000可以在每个子像素中包括薄膜晶体管、电容器等。
在图8所示的示例中，第一电极125可以仅包括第一透明电极层120a和第二透明电极层120c，以便对应于相机700的区域。在这种情况下，由于相机700周围的第一电极120通过堆叠第一透明电极层120a、反射电极层120b和第二透明电极层120c而形成，仅从对应于相机700的区域的第一电极125去除反射电极，从而提高相机700识别环境光的能力。
在图8所示的实施例中，在对应于相机700的区域中设置包括第一电极125、发射层135b和第二电极140的发光装置。该实施例类似于图4B的实施例。因此，基板3100的任何层3110被去除以增加透射率，使得在相机700的对应区域处视觉上可识别环境光，同时由于提供了发光装置而还可能进行选择性发射操作。
由于其余构造与上述实施例的构造相同，并且因此具有相同的功能，因此将省略其描述。
图9是示出根据本发明的第四实施例的显示装置中的图1的区域A的截面图。
如图9所示，根据第四实施例的显示装置与第三实施例的显示装置的不同之处在于，偏光板250仅在对应于相机700的区域中设置有漂白部分250a。漂白部分250a是通过在形成偏光板250之前或之后，用诸如UV的处理来处理对应于偏光板中的相机700的二向色性染料而形成的透明部分。因此，设置漂白部分250a的优点在于可以通过会聚到相机700的环境光的透射率来增强相机700的识别能力。
在某些情况下，出于增加透射率的相同目的，实施例的修改也是可能的，其中通过对偏光板250进行图案化来清空对应于相机700的区域。
图10是示出根据第五实施例的显示装置中的图1的区域A的截面图。
如图10所示，根据本发明的第五实施例的显示装置包括：基板3200，其由三层组成，所述三层即第一聚合物层3210a、层间无机绝缘层3220a和第二聚合物层3230a；以及台阶部分，其通过去除对应于相机700的基板3200的整个层而形成。在这种情况下，随着去除的区域的厚度增加，被基板3200吸收的光分量不会影响相机700。因此，相机具有环境光的高会聚以增加透射率，从而提高相机700的识别能力。
在这种情况下，对应于相机700的台阶部分的厚度为10μm至200μm，这可能与其他区域有很大的不同。因此，台阶部分可以填充有透明加强构件5000，以防止由于异物引起的形状变化或污染。
在填充透明加强构件5000之后，可以在基板3200下面设置背面保护膜800以保护基板3200的背表面，背面保护膜800在其对应于相机700的部分中具有孔。
透明加强构件5000和背面保护膜800可以旨在保护基板3200的下表面，并且可以具有防止异物和湿气渗透的功能。
在基板3200的上表面上，可以形成包括上述薄膜晶体管阵列2000、触摸传感器400、偏光膜250以及透明保护膜或透明保护玻璃600的面板阵列4000。
多个缓冲层可以设置在面板阵列4000的与透明加强构件5000接触的最下表面上。在该情况下，包括薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列形成在缓冲层上。
图11是示出本发明的显示装置中的触摸传感器的示例的截面图。
在上述截面图中，在第二电极140上示意性示出的附图标记400是如图10所示的触摸传感器。触摸传感器包括：包封单元1450，其中无机包封层1451和1453以及有机包封层1452交替地插入；以及触摸电极单元1470，其包括彼此相交的第一触摸电极154和第二触摸电极152b。
无机包封层1451和1453以及有机包封层1452由至少一对构成。无机包封层1451和1453具有防止湿气渗透的功能，并且有机包封层1452具有防止颗粒渗透和流动的功能。在图11的构造中，包封单元1450形成为至少保护相机区域和非相机区域两者，并且可以具有等于或大于图示的光学膜300的面积。
示出了触摸电极单元1470的示例。例如，第一触摸电极154包括多个岛形的第一触摸电极图案154e和将相邻的第一触摸电极图案154e连接到另一层的桥电极154b，并且第二触摸电极152b与相同层上的第一触摸电极图案154e间隔开，以在与第一触摸电极图案154e交叉的方向上通过。
触摸绝缘层158可以设置在桥电极154b、第一电极图案154e和第二触摸电极152b之间。
示出了触摸电极单元1470的示例。第一触摸电极154和第二触摸电极152b中的每个可以包括金属网格图案。
在下文中，将描述制造根据本发明的显示装置的方法。
图12A至图12C是示出制造根据本发明的第一至第四实施例的显示装置的过程的截面图。
制造根据本发明的第一至第四实施例的显示装置的方法如下实施。首先，准备基板3100，其由依次堆叠的第一聚合物层3110、无机层间绝缘层3120和第二聚合物层3120组成。随后，如图12A中所示，将基板3100反转，使得第一聚合物层3110位于上方，并且然后通过使用激光1100将激光辐射到第一聚合物层3110的暴露表面上以去除第一聚合物层3110的一定厚度来形成台阶部分。
接下来，如图12B所示，反转基板3100，使得去除了一定厚度的第一聚合物层3110位于下方，并且在第二聚合物层3120上形成包括薄膜晶体管阵列和发光装置的面板阵列4000。
将背面保护膜800附接到第一聚合物层3110的下表面以保护台阶部分的外围。
接下来，如图12C所示，将相机700插入到通过形成在背面保护膜800和第一聚合物层3110中的台阶部分暴露的区域中。
图12A至图12C中示出的方法的优点在于，仅去除第一聚合物层3110而不完全去除基板3100，使得在基板3100中形成台阶部分之后容易执行自由反转。此外，在基板3100中形成台阶部分之后，可以容易地形成面板阵列400。
图13A至图13E是示出制造根据本发明的第五实施例的显示装置的过程的截面图。
如图13A所示，在依次堆叠的第一聚合物层3210、层间无机绝缘层3220和第二聚合物层3230上方形成面板阵列4000，并且然后将它们反转。因此，第一聚合物层3210位于顶表面上。
这里，区域A对应于相机形成区域，并且区域B对应于非相机形成区域。
接下来，如图13B所示，将第一激光1310施加至相机形成区域A以去除第一聚合物层3210的厚度，从而形成第一聚合物层图案3210a。
随后，如图13C所示，对相机形成区域A中的作为掩模的暴露的第一聚合物层图案3210a和层间无机绝缘层3220执行蚀刻，从而形成层间无机绝缘层图案3220a。
接下来，如图13D所示，施加第二激光1320以去除暴露的第二聚合物层3230，从而形成第二聚合物层图案3230a。
因此，相对于相机形成区域A图案化的第一聚合物层图案3210a、层间无机绝缘层图案3220a和第二聚合物层图案3230a形成基板3200。
接下来，为了防止异物进入去除的区域并确保基板3200的支撑力，用透明加强构件5000填充基板3200的暴露区域。
透明加强构件5000可以是例如诸如PET的透明膜，并且可以具有高于或等于基板3200的透射率的透射率并且具有比基板3200更高的刚性。
可以通过去除第一聚合物层3110以便对应于在图12A至图12C中所示的方法中描述的相机区域，或通过去除基板3200的整个层以便对应于在图13A至图13E中所示的方法中描述的相机区域，来形成设置在基板3200中的台阶部分。替代地，可以通过借助于进行到图13C中所示的过程而去除第一聚合物层3210和层间无机绝缘层3220以便对应于相机区域，来形成设置在基板3200中的台阶部分。
本发明的显示装置具有以下效果。
由于相机设置在有源区域中的阵列下面，所以不需要在有源区域外部单独提供相机边框。因此，可以解决无效平面区域增加的问题。
另外，通过去除对应于相机的区域中的基板的至少一部分厚度，可以减少当相机观察环境光时的光损失，并且即使在发光时也可以增加透射率。
另外，通过去除对应于相机的区域中的偏光板，可以减少当相机观察环境光时的光损失，并且即使在发光时也可以增加透射率。另外，由于减小了相机区域中的透射率的损失，因此可以减少相机区域与非相机区域之间的视觉差异。
另外，通过以比非相机区域中的分辨率低的分辨率在相机区域中构造阵列，可以减少相机区域中的光损耗并且可以减少相机区域与非相机区域之间的视觉差异。在此，可以通过调整布线之间的间距和发射部分的尺寸来获得相机区域与非相机区域之间的分辨率差异。
通过将透射区域形成为大于发射部分，可以使相机区域中的阵列具有增加的光透射率。
为此，根据本发明的实施例的显示装置可以包括：基板，该基板被划分为相机区域和非相机区域，同时具有第一表面和第二表面；相机，其位于基板的第一表面下面，以便对应于相机区域；台阶部分，其通过从基板的第一表面去除第一厚度以便对应于相机区域而形成；包括至少一个子像素的第一阵列单元，其在第二表面上、对应于基板的相机区域；包括多个子像素的第二阵列单元，其在第二表面上、对应于基板的非相机区域；以及光学膜，其被配置为覆盖第一和第二阵列单元。
第二阵列单元可以被配置为包括布置在其中的子像素并且具有第一分辨率，并且第一阵列单元可以被配置为包括布置在其中的子像素并且具有低于第一分辨率的第二分辨率。
分离第一阵列单元中的子像素的布线之间的距离可以大于分离第二阵列单元中的子像素的布线之间的距离。
每个子像素可以包括薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的发光装置。发光装置可以包括第一电极、发射层和第二电极。子像素可以包括堤部，该堤部被配置为在与第一电极的边缘重叠的同时暴露其发射部分。
第一阵列单元中的发射部分可以具有比第二阵列单元中的发射部分更大的面积。
第二阵列单元中的相邻子像素的发射部分之间的第一距离可以小于第一阵列单元中的相邻子像素的发射部分之间的第二距离。
第一阵列单元中的子像素的第一电极可以具有比第二阵列单元中的子电极更大的面积。
第一阵列单元中的子像素还可以包括不与发射层和堤部重叠的透射部分。
显示装置还可以包括在第一电极与发射层之间的第一公共层和在第二电极与发射层之间的第二公共层中的至少一个。第一公共层和第二公共层可以连续地位于第一阵列单元和第二阵列单元的子像素中。
光学膜可以包括偏光板，并且偏光板可以仅设置在第二阵列单元的上部部分。
显示装置还可以包括与偏光板在同一层中的透明膜，以便对应于第一阵列单元的上部部分。
基板从第一表面到第二表面可以包括第一聚合物层、层间无机绝缘层和第二聚合物层。
第一聚合物层可以是有色膜或透明膜，并且第二聚合物层可以是透明膜。
第一厚度可以小于基板的总厚度。
第一厚度可以是第一聚合物层的厚度。
第一厚度可以包括第一聚合物层、层间无机绝缘层和第二聚合物层的总厚度。
相机可以被插入到台阶部分中。
可以在基板的第一表面上的台阶部分周围进一步设置背面保护膜。
台阶部分可以填充有透明增强材料。
根据本发明的另一实施例的显示装置可以包括：基板，基板被划分为相机区域和非相机区域，同时具有第一表面和第二表面；相机，其位于基板的第一表面下方以便对应于相机区域；台阶部分，其通过从基板的第一表面去除第一厚度以便对应于相机区域而形成；包括至少一个子像素的第一阵列单元，其第二表面上、对应于基板的相机区域；包括多个子像素的第二阵列单元，其在第二表面上、对应于基板的非相机区域；第一阵列单元和第二阵列单元上的触摸传感器；以及光学膜，其被配置为覆盖触摸传感器。
触摸传感器可以包括覆盖第一阵列单元和第二阵列单元的包封层以及在该包封层上的多个触摸感测电极。
台阶部分可以具有孔形状，并且光学膜可以包括具有漂白部分的偏光板，该漂白部分的形状对应于台阶部分。
显示装置还可以包括在偏光板上的透明保护膜。
从以上描述显而易见的是，本发明的显示装置具有以下效果。
首先，由于相机设置在有源区域中的阵列下面，所以不需要在有源区域外部单独提供相机边框。因此，可以解决无效平面区域增加的问题。
第二，通过去除对应于相机的区域中的基板的至少一部分厚度，可以减少当相机观察环境光时的光损失，并且即使在发光时也可以增加透射率。
第三，通过去除对应于相机的区域中的偏光板，可以减少当相机观察环境光时的光损失，并且即使在发光时也可以增加透射率。另外，由于减小了相机区域中的透射率的损失，因此可以减少相机区域与非相机区域之间的视觉差异。
第四，通过以比非相机区域中的分辨率低的分辨率在相机区域中构造阵列，可以减少相机区域中的光损耗并且可以减少相机区域与非相机区域之间的视觉差异。在此，可以通过调整布线之间的间距和发射部分的尺寸来获得相机区域与非相机区域之间的分辨率差异。
第五，通过将透射区域形成为大于发射部分，可以使相机区域中的阵列具有增加的光透射率。。
对本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖对本发明的这些修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，其被划分为相机区域和非相机区域，所述基板具有第一表面和第二表面；
相机，其在所述基板的所述第一表面下面、对应于所述相机区域；
台阶部分，其具有从所述基板的所述第一表面去除的对应于所述相机区域的第一厚度；
包括至少一个子像素的第一阵列单元，所述第一阵列单元在所述第二表面上、对应于所述基板的所述相机区域；
包括多个子像素的第二阵列单元，所述第二阵列单元在所述第二表面上、对应于所述基板的所述非相机区域；以及
光学膜，其被配置为覆盖所述第一阵列单元和所述第二阵列单元。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二阵列单元中的所述多个子像素以第一分辨率布置，并且所述第一阵列单元中的所述至少一个子像素以低于所述第一分辨率的第二分辨率布置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，分离所述第一阵列单元中的所述子像素的布线之间的距离大于分离所述第二阵列单元中的所述子像素的布线之间的距离。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一阵列单元和所述第二阵列单元中的每个所述子像素包括薄膜晶体管和连接至所述薄膜晶体管的发光装置；
所述发光装置包括第一电极、发射层和第二电极；并且
所述子像素包括被配置为暴露与所述第一电极的边缘重叠的发射部分的堤部。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一阵列单元中的所述发射部分具有比所述第二阵列单元中的所述发射部分更大的面积。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二阵列单元中的相邻子像素的所述发射部分之间的第一距离小于所述第一阵列单元中的相邻子像素的所述发射部分之间的第二距离。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一阵列单元中的所述子像素的所述第一电极的面积大于所述第二阵列单元中的所述子像素的所述第一电极的面积。
8.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一阵列单元中的所述子像素还包括不与所述发射层和所述堤部重叠的透射部分。
9.根据权利要求4所述的显示装置，还包括在所述第一电极与所述发射层之间的第一公共层和在所述第二电极与所述发射层之间的第二公共层中的至少一个，
其中，所述第一公共层和所述第二公共层连续地位于所述第一阵列单元和所述第二阵列单元的所述子像素中。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述光学膜包括偏光板；
所述偏光板仅设置在所述第二阵列单元的上部部分；并且
与所述偏光板在同一层中的透明膜对应于所述第一阵列单元的上部部分。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基板从所述第一表面到所述第二表面包括第一聚合物层、层间无机绝缘层和第二聚合物层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一聚合物层是着色膜或透明膜，并且所述第二聚合物层是透明膜。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一厚度小于所述基板的总厚度，并且其中，所述相机被插入到所述台阶部分中。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一厚度是所述第一聚合物层的厚度，或者其中，所述第一厚度包括所述第一聚合物层、所述层间无机绝缘层和所述第二聚合物层的总厚度。
15.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述基板的所述第一表面上的所述台阶部分周围的背面保护膜。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述台阶部分填充有透明加强材料。
17.一种显示装置，包括：
基板，其被划分为相机区域和非相机区域，所述基板具有第一表面和第二表面；
相机，其在所述基板的所述第一表面下方、对应于所述相机区域；
台阶部分，其具有从所述基板的所述第一表面去除的对应于所述相机区域的第一厚度；
包括至少一个子像素的第一阵列单元，所述第一阵列单元在所述第二表面上、对应于所述基板的所述相机区域；
包括多个子像素的第二阵列单元，所述第二阵列单元在所述第二表面上、对应于所述基板的所述非相机区域；
在所述第一阵列单元和所述第二阵列单元上的触摸传感器；以及
光学膜，其被配置为覆盖所述触摸传感器。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述触摸传感器包括：
包封层，其覆盖所述第一阵列单元和所述第二阵列单元；以及
在所述包封层上的多个触摸感测电极。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中：
所述台阶部分具有孔形状；并且
所述光学膜包括具有对应于所述台阶部分的漂白部分的偏光板。
20.根据权利要求19所述的显示装置，还包括在所述偏光板上的透明保护膜。
CN202011458480.8A 2019-12-18 2020-12-11 显示装置 Active CN112992985B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410765549.3A CN118765136A (zh) 2019-12-18 2020-12-11 显示装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190169879A KR20210078129A (ko) 2019-12-18 2019-12-18 표시 장치
KR10-2019-0169879 2019-12-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410765549.3A Division CN118765136A (zh) 2019-12-18 2020-12-11 显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112992985A true CN112992985A (zh) 2021-06-18
CN112992985B CN112992985B (zh) 2024-06-25

Family

ID=76206660

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410765549.3A Pending CN118765136A (zh) 2019-12-18 2020-12-11 显示装置
CN202011458480.8A Active CN112992985B (zh) 2019-12-18 2020-12-11 显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410765549.3A Pending CN118765136A (zh) 2019-12-18 2020-12-11 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11626456B2 (zh)
KR (1) KR20210078129A (zh)
CN (2) CN118765136A (zh)
DE (1) DE102020133833A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111524460B (zh) * 2020-04-26 2021-10-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、掩膜板和显示面板的制作方法
KR20220004844A (ko) * 2020-07-02 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이를 포함하는 전자장치
KR20220065916A (ko) * 2020-11-13 2022-05-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112905048B (zh) 2021-02-07 2024-04-23 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸显示屏及显示装置
US11721001B2 (en) 2021-02-16 2023-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiple point spread function based image reconstruction for a camera behind a display
US11722796B2 (en) 2021-02-26 2023-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Self-regularizing inverse filter for image deblurring

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107946341A (zh) * 2017-11-10 2018-04-20 上海天马微电子有限公司 显示装置和显示装置的制造方法
CN110190097A (zh) * 2019-05-27 2019-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US20190310501A1 (en) * 2018-04-10 2019-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011089443B4 (de) * 2011-02-14 2016-12-01 Lg Display Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR101406129B1 (ko) * 2012-03-28 2014-06-13 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102031648B1 (ko) * 2013-04-18 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102160157B1 (ko) * 2014-01-13 2020-09-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102471111B1 (ko) * 2015-11-23 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102501111B1 (ko) 2015-12-28 2023-02-16 엘지디스플레이 주식회사 카메라 모듈 일체형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102373566B1 (ko) * 2016-09-23 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180056473A (ko) 2016-11-18 2018-05-29 주식회사 오윈 블랙박스장치와 그 인증 방법
KR102315502B1 (ko) * 2017-04-14 2021-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
US20180315357A1 (en) * 2017-05-01 2018-11-01 Apple Inc. Electronic Devices Having Displays With Optical Windows
KR102448325B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
TWI840337B (zh) * 2017-11-30 2024-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示面板、顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示面板的製造方法
KR102413113B1 (ko) * 2018-01-08 2022-06-27 삼성전자주식회사 디스플레이에 형성된 개구를 통해 입사된 빛을 이용하여, 이미지 데이터를 생성하기 위한 센서를 포함하는 전자 장치
JP2019133097A (ja) * 2018-02-02 2019-08-08 シャープ株式会社 画像表示装置
JP2019158956A (ja) * 2018-03-08 2019-09-19 シャープ株式会社 表示デバイス
US11073712B2 (en) * 2018-04-10 2021-07-27 Apple Inc. Electronic device display for through-display imaging
CN110596928B (zh) * 2018-06-13 2022-03-22 夏普株式会社 显示装置
CN109411519A (zh) * 2018-10-23 2019-03-01 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113163983B (zh) 2018-10-23 2024-09-20 布瑞威利私人有限公司 烹饪器具
CN109411522A (zh) * 2018-11-06 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置
CN109324440A (zh) * 2018-11-28 2019-02-12 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板
KR102642791B1 (ko) * 2018-12-04 2024-02-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치
CN211180477U (zh) * 2018-12-07 2020-08-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 显示面板及显示装置
CN111370446B (zh) * 2018-12-26 2022-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示装置
CN109994047B (zh) * 2019-04-08 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 全面屏显示面板及其制作方法和全面屏显示装置
CN110275340A (zh) * 2019-06-10 2019-09-24 武汉华星光电技术有限公司 用于屏下辨识方案的液晶显示设备
CN110350104B (zh) 2019-07-04 2021-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及电子设备
US11289687B2 (en) * 2019-07-04 2022-03-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode (OLED) display panel and electronic device
CN110426878A (zh) * 2019-07-16 2019-11-08 武汉华星光电技术有限公司 显示装置
CN110491912A (zh) * 2019-07-31 2019-11-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107946341A (zh) * 2017-11-10 2018-04-20 上海天马微电子有限公司 显示装置和显示装置的制造方法
US20190310501A1 (en) * 2018-04-10 2019-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
CN110190097A (zh) * 2019-05-27 2019-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11626456B2 (en) 2023-04-11
CN112992985B (zh) 2024-06-25
US12108650B2 (en) 2024-10-01
DE102020133833A1 (de) 2021-06-24
US20210193756A1 (en) 2021-06-24
US20230209969A1 (en) 2023-06-29
KR20210078129A (ko) 2021-06-28
CN118765136A (zh) 2024-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112992985B (zh) 显示装置
CN111081732B (zh) 显示装置
US10490610B2 (en) Display device
KR102173434B1 (ko) 표시 장치
US20190157312A1 (en) Flexible Display Device
US7990050B2 (en) Organic light emitting display having auxiliary electrode
JP5672695B2 (ja) 表示装置
KR102107384B1 (ko) 프로세스 키를 포함하는 표시장치
JP2022512355A (ja) 透明な表示パネル、ディスプレイ及びマスク板
US9853095B2 (en) Display device
KR20190073849A (ko) 표시 장치
US20240081116A1 (en) Flexible display panel and manufacturing method thereof, and flexible display apparatus
KR102626690B1 (ko) 표시장치, 그의 제조방법, 및 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
GB2594117A (en) Display device
US20210399081A1 (en) Transparent display device
CN111668260A (zh) 显示面板
CN114335081A (zh) 显示面板和显示设备
KR102009330B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN113130552B (zh) 显示装置
CN114725163A (zh) 显示装置
KR102587708B1 (ko) 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이 및 그의 제조방법
US20240130165A1 (en) Display device
US20240349533A1 (en) Display device
KR20170080309A (ko) 표시장치 및 그 제조방법
KR20240106366A (ko) 양면 유기발광표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant