CN112925136A - 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板,所述控制开关包括薄膜晶体管,所述驱动电路还包括源极引线,薄膜晶体管包括源极、漏极、外延部和栅极,所述源极分支包括与所述源极主干的一端连接的第一源极分支;所述漏极包括至少一个漏极分支,所述漏极分支与所述源极分支并列且交替设置以形成沟道;所述外延部与所述第一源极分支中远离所述漏极分支的一侧连接;其中,所述源极引线通过所述外延部与所述第一源极分支连通。当对源极和漏极所在的金属膜层进行蚀刻时,外延部的存在减少了源极引线周围的空白面积,减少了蚀刻液的消耗,使得蚀刻液能够对金属图案的蚀刻效果加强,减弱蚀刻不均匀的效果,防止源极和漏极短路。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板。
背景技术
目前,显示技术被广泛应用于电视、手机以及公共信息的显示,用于显示画面的显示面板也多种多样,而且可以显示丰富多彩的画面。越来越多的显示面板,例如薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD),有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)等,都需要利用阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,简称GOA)技术,将阵列基板行驱动电路集成在显示面板中的阵列基板上,形成对显示面板的扫描驱动,从而可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本。而且GOA电路中薄膜晶体管与源极引线连接,以对薄膜晶体管充电。
通常在制作GOA电路时,将薄膜晶体管中的源极、漏极和源极引线同层设置且同时蚀刻形成,但是在进行蚀刻工艺时容易出现蚀刻不均匀的问题;而且随着GOA电路的集成度越来越高,使得源极和漏极之间的间距越来越小,因此当蚀刻不均匀时,会导致源极引线同时与源极、漏极连接,使得源极和漏极发生短路。
发明内容
本申请的目的是提供一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板,防止驱动电路在蚀刻不均匀时导致源极和漏极短路的情况发生。
本申请公开了一种驱动电路的控制开关,所述控制开关包括薄膜晶体管,所述驱动电路还包括与所述薄膜晶体管连接的源极引线,所述薄膜晶体管包括源极、漏极、外延部和栅极,所述源极包括至少两个并列设置的源极分支,以及连接各所述源极分支的源极主干,与所述源极主干其中一端连接的所述源极分支为第一源极分支;所述漏极包括至少一个漏极分支,以及连接各所述漏极分支的漏极主干,所述漏极分支与所述源极分支并列且交替设置以形成沟道;所述外延部与所述第一源极分支中远离所述漏极分支的一侧连接;所述栅极与所述源极、漏极对应设置;其中,所述源极引线通过所述外延部与所述第一源极分支连接。
可选的,所述外延部设置在所述第一源极分支中远离所述漏极分支的一侧,且所述外延部为所述第一源极分支向远离所述漏极分支方向突出的弯折部,所述弯折部连接于所述第一源极分支靠近所述源极主干的端部;所述弯折部的内侧与相邻漏极分支的距离,大于所述第一源极分支其余位置与相邻漏极分支的距离。
可选的,所述第一源极分支包括与所述漏极分支平行设置的第一走线和第二走线,所述第一走线的一端与所述源极主干的一端连接,另一端与所述弯折部连接;所述第二走线的一端与所述弯折部连接,另一端朝远离所述源极主干的方向延伸;
所述弯折部包括第一弯折线、第二弯折线和第三弯折线,所述第一弯折线的第一端与所述第一走线连接,所述第一弯折线的第二端朝远离其它所述源极分支的方向延伸;所述第二弯折线的第一端与所述第二走线连接,所述第二弯折线的第二端朝远离其它所述源极分支的方向延伸;所述第三弯折线分别连接所述第一弯折线的第二端和第二弯折线的第二端;所述源极引线与所述第三弯折线连接。
可选的,所述第一弯折线与所述第二弯折线平行设置,且所述第一弯折线垂直于所述第一走线,所述第二弯折线垂直于所述第二走线;所述第三弯折线垂直于所述第一弯折线和第二弯折线。
可选的,所述第三弯折线远离所述漏极的一侧与所述第一源极分支之间的间距,为所述第一源极分支宽度的0.1-0.2倍。
可选的,所述第三弯折线远离所述漏极的一侧与所述第一源极分支之间的间距为0.1-0.5um。
可选的,所述第一源极分支包括与所述漏极分支平行设置的第一走线和第二走线,所述第一走线的一端与所述源极主干的一端连接,另一端与所述弯折部连接;所述第二走线的一端与所述弯折部连接,另一端朝远离所述源极主干的方向延伸;
所述弯折部包括第四弯折线和第五弯折线,所述第四弯折线的第一端与所述第一走线连接,所述第四弯折线的第二端朝远离其它所述源极分支的方向延伸;所述第五弯折线的第一端与所述第二走线连接,所述第五弯折线的第二端朝远离其它所述源极分支的方向延伸,并与所述第四弯折线的第二端重合形成重叠部;所述源极引线与所述重叠部连接。
可选的,所述源极分支中与所述源极主干另一端连接的为第二源极分支,所述第一源极分支和所述第二源极分支分别与所述源极主干的两端连接;所述外延部还与所述第二源极分支中远离所述漏极分支的一侧连接,所述薄膜晶体管与两条所述源极引线连接,一条所述源极引线通过所述外延部与所述第一源极分支连通,另一条所述源极引线通过所述外延部与所述第二源极分支连通。
本申请还公开了一种阵列基板,所述阵列基板包括如上所述的驱动电路,和被所述驱动电路驱动的扫描线。
本申请还公开了一种显示面板,包括如上所述的阵列基板,与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,以及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
本申请通过在第一源极分支的外侧增设外延部,使得源极引线先与外延部连接,进而再导通第一源极分支;当对源极、漏极、源极引线和外延部所在的金属膜层进行蚀刻时,由于外延部的存在减少了源极引线周围的空白面积,因此也减少了蚀刻液的消耗,使得蚀刻液能够对金属图案的蚀刻效果加强,减弱蚀刻不均匀的效果,防止源极引线由于较严重的蚀刻不均匀问题突出于第一源极分支,与漏极连接,使得源极和漏极短路。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本申请的实施方式,并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1是一种阵列基板的平面示意图;
图2是图1中M位置的局部放大图;
图3是一种示例性的GOA局部示意图;
图4是另一种示例性的GOA局部示意图;
图5是基于图3在理想状态下的示意图;
图6是基于图4在理想状态下的示意图;
图7是本申请一实施例提供的一种外延部为加宽部的驱动电路的局部示意图;
图8是本申请一实施例提供的另一种外加宽部的驱动电路的局部示意图;
图9是本申请另一实施例提供的一种含有两个加宽部的驱动电路的局部示意图;
图10是本申请另一实施例提供的一种外延部为弯折部的驱动电路的局部示意图;
图11是本申请另一实施例提供的另一种弯折部的驱动电路的局部示意图;
图12是本申请另一实施例提供的另一种圆弧形弯折部的驱动电路的局部示意图;
图13是本申请另一实施例提供的含有两个弯折部的驱动电路的局部示意图;
图14是本申请另一实施例提供的同时含有弯折部和加宽部的驱动电路的局部示意图;
图15是另一种薄膜晶体管的示意图;
图16是另一种薄膜晶体管的示意图;
图17是本申请一实施例提供的一种显示面板的示意图。
其中,100、阵列基板;200、驱动电路;201、第一薄膜晶体管;202、第二薄膜晶体管;203、第三薄膜晶体管;204、第四薄膜晶体管;210、源极引线;220、薄膜晶体管;230、源极;231、源极分支;232、第一源极分支;233、第二源极分支;234、第三源极分支;235、源极主干;236、第一走线;237、第二走线;240、漏极;241、漏极分支;242、漏极主干;250、外延部;251、弯折部;252、第一弯折线;253、第二弯折线;254、第三弯折线;255、第四弯折线;256、第五弯折线;257、加宽部;260、栅极;300、扫描线;400、显示面板;500、彩膜基板;600、液晶层。
具体实施方式
需要理解的是,这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节,仅仅是为了描述具体实施例,是代表性的,但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现,不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示相对重要性,或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,除非另有说明,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征;“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形,意为不排他的包含,可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外,“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语,是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的,仅是为了便于描述本申请的简化描述,而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
如图1和图2所示,是一种阵列基板的平面示意图,在阵列基板100的显示区设有扫描线300,在阵列基板100的非显示区设有驱动电路200,具体可为阵列基板行驱动电路,驱动电路200含有帧起始信号线(STV)、栅电压控制线(VGL)、时钟信号线(CKV)和多个GOA单元,GOA单元的输入端与STV、VGL和CKV连接,输出端与扫描线300连接,对扫描线300驱动;其中,栅电压控制线通过源极引线210与GOA单元中的一个薄膜晶体管220连接,对薄膜晶体管220充电。
具体的,所述GOA单元包括第一薄膜晶体管201、第二薄膜晶体管202、第三薄膜晶体管203和第四薄膜晶体管204,所述第一薄膜晶体管201的源极230分别通过两条所述源极引线210与所述栅电压控制线、所述第二薄膜晶体管202的源极230连接,所述第一薄膜晶体管201的漏极240分别与所述第三薄膜晶体管203的源极230、第四薄膜晶体管204的栅极260连通,所述第一薄膜晶体管201的栅极260与所述第二薄膜晶体管202的栅极260连接;所述第二薄膜晶体管202的漏极240与所述第四薄膜晶体管204的源极230连接,所述第二薄膜晶体管202的栅极260与所述第四薄膜晶体管204的栅极260连接;所述第三薄膜晶体管203的漏极240与所述帧起始信号线连通,所述第四薄膜晶体管204的漏极240与所述时钟信号线连通。
在图2中示出的GOA单元中,含有四个相互连通的薄膜晶体管,以及其它的走线,图中可以看出有三个空白区域,即区域A、区域B和区域C;在区域B和区域C之间,两个薄膜晶体管220通过源极引线210连通,在将金属层蚀刻成源极230、漏极240和其它金属线图案前,需要在源极230、漏极240和其它金属线图案上形成蚀刻阻挡层,然后利用显影液形成阻挡层图案,由于区域B和区域C的面积较大,需要消耗较多的显影液,使得区域D和区域E吃到的显影能量变少,进而使区域D和区域E对应的阻挡层不易蚀刻完全,最后在蚀刻金属层图案时出现蚀刻不均匀的问题,导致区域D和区域E对应的源极230和漏极240发生短路。
如图3和图4所示,是两种示例性的GOA局部示意图,当区域D和区域E对应的金属图案未蚀刻均匀时,图3和图4中源极引线210会延伸到薄膜晶体管220的源极230沟道中,甚至是与漏极240连通,导致源极230和漏极240短路。
图5和图6分别是当理想状态下,基于图3和图4的示意图,但是这样需要消耗较多的显影液,以保证区域D和区域E对应的阻挡层蚀刻完全,从而使得后续在蚀刻金属图案时,源极引线210不会突出于源极230,不会延伸到源极230沟道中。
鉴于此,本申请提供一种在蚀刻不均匀时仍然不会导致源极230和漏极240短路的驱动电路200的控制开关,如图7-14所示,所述控制开关包括薄膜晶体管220,所述驱动电路200还包括与所述薄膜晶体管220连接的源极引线210,所述薄膜晶体管220包括源极230、漏极240、外延部250和栅极,所述源极230包括至少两个并列设置的源极分支231,以及连接各所述源极分支231的源极主干235,与所述源极主干235其中一端连接的所述源极分支231为第一源极分支232;所述漏极240包括至少一个漏极分支241,以及连接各所述漏极分支241的漏极主干242,所述漏极分支241与所述源极分支231并列且交替设置以形成沟道;所述外延部250与所述第一源极分支232中远离所述漏极分支241的一侧连接;所述栅极与所述源极230、漏极240对应设置;其中,所述源极引线210通过所述外延部250与所述第一源极分支232连接。
相较于源极引线210直接与源极分支231连接的方案而言,本申请通过在第一源极分支232的外侧增设外延部250,使得源极引线210先与外延部250连接,进而再导通第一源极分支232;当对源极230、漏极240、源极引线210和外延部250所在的金属膜层进行蚀刻时,由于外延部250的存在减少了源极引线210周围的空白面积,因此也减少了蚀刻液的消耗,使得蚀刻液能够对金属图案的蚀刻效果加强,减弱蚀刻不均匀的效果,而且,外延部250的存在增大了源极引线210与漏极240之间的间距,使得即使源极引线210由于较严重的蚀刻不均匀问题突出于第一源极分支232,也难以与漏极240连接,使得源极230和漏极240短路。
作为本申请的一实施例,如图7-9所示,所述外延部250与所述源极230和漏极240同层设置,所述外延部250为所述第一源极分支232的加宽部257,与所述第一源极分支232的外侧贴合,且所述外延部250沿所述第一源极分支232方向的长度大于所述源极引线210的宽度,小于等于所述第一源极分支232的长度。
图7中,所述外延部250为条状型,具体可以为矩形,此时矩形的内侧与所述第一源极分支232相贴,矩形的外侧与源极引线210连接,且矩形的长度大于所述源极引线210的宽度,小于所述第一源极分支232的长度,其中,矩形的长度为所述外延部250沿所述第一源极分支232方向的长度;此时外延部250可以位于第一源极分支232的两端之间,也可以与第一源极分支232的一端平齐,具体根据源极引线210的位置对应设计。此实施例中,外延部250使得第一源极分支232的局部加宽,对第一源极分支232的整体宽度影响较小,第一源极分支232的整体宽度与其它源极分支231的整体宽度相差较小,不容易影响薄膜晶体管220的导电性能。
图8中,所述外延部250为条状型,此时外延部250的长度等于所述第一源极分支232的长度,外延部250的内侧与第一源极分支232的外侧完全贴合,外延部250的顶部与第一源极分支232的顶部平齐,外延部250的底部与第一源极分支232的底部平齐。本实施例中,外延部250使得第一源极分支232的整体加宽,不用针对源极引线210的连接位置进行设计,也不需要担心由于源极引线210的宽度方向未蚀刻均匀可能存在与第一源极分支232连接上的问题,因此在工艺上要求较低,可允许误差较大,制作更简单。
图9中,所述源极分支231中与所述源极主干235另一端连接的为第二源极分支233,所述第一源极分支232和所述第二源极分支233分别与所述源极主干235的两端连接;所述外延部250还与所述第二源极分支233连接,并设置在所述第二源极分支233的外侧,其中,所述第二源极分支233的外侧,为所述第二源极分支233远离其余的所述源极分支231的一侧;所述薄膜晶体管220与两条所述源极引线210连接,一条所述源极引线210通过所述外延部250与所述第一源极分支232连通,另一条所述源极引线210通过所述外延部250与所述第二源极分支233连通。
本实施例中,第一源极分支232外侧的外延部250和第二源极分支233外侧的外延部250,都是将对应第一源极分支232和第二源极分支233局部或整体加宽,本实施例适用于同时与两条源极引线210连接的薄膜晶体管220。
在图7-9中,所述外延部250是均匀的条状型,外延部250各处的宽度都相等,所述外延部250的宽度为所述第一源极分支232宽度的0.1-0.2倍。
由于在蚀刻源极230和漏极240所在的金属膜层时,需要先在整个阵列基板的表面铺设一层金属层,然后在金属层上形成光刻胶,接着利用掩膜版对光刻胶进行光照,形成光刻胶图案,透过光刻胶图案对金属层进行蚀刻,以在显示区形成扫描线,在非显示区形成驱动电路。其中,普通的半色调掩膜版(Half Tone Mask)在驱动电路中的最小间隙为5.5um,在显示区中的最小间隙为5.7um;而单狭缝掩模板(Single Slit Mask,SSM)在GOA区域的最小间隙为2.1um,在显示区中的最小间隙为2.2um。
由于每补偿0.1um的掩膜版间隙,需要将掩膜版的厚度降低400-800A,因此可以针对不同的现象进行补偿。本申请对驱动电路中容易发生短路的区域D和区域E进行宽度补偿,增加薄膜晶体管220中外侧源极分支231的布局或整体宽度,由于工艺制程的限制,发明人通过多次实验发现,当对区域D和区域E增加1-5兆焦耳的曝光量时,使得掩膜版的厚度降低800-2000A,使第一源极分支232加宽0.1-0.2倍,此时能够极大地克服区域D和区域E中出现的短路问题,GOA的良率得到了极大地提高,同时在曝光显影的制程中消耗的能量也不高,利于生产。
本申请中源极分支231的宽度可以为1-3um,因此外延部250的宽度为0.1-0.5um。另外,本实施例中外延部250可以是矩形,可以是椭圆形,还可以是弧形或其它形状,在此不做限定。
作为本申请的另一实施例,如图10-13所示,所述外延部250为所述第一源极分支232向远离其余所述源极分支231方向突出的弯折部251,所述弯折部251连接于所述第一源极分支232靠近所述源极主干235的端部;所述弯折部251的内侧与相邻漏极分支241的距离,大于所述第一源极分支232其余位置与相邻漏极分支241的距离。本实施例中,外延部250为第一源极分支232向外侧突出的部分,这样设计增大了部分第一源极分支232与相邻漏极分支241之间的间距,在蚀刻不均匀时,即使源极引线210突出于外延部250,也不容易与漏极分支241连接。
弯折部251可以做到第一源极分支232靠近源极主干235的端部,使得弯折部251直接与源极主干235相连,也可以将弯折部251做到第一源极分支232远离源极主干235的端部,还可以将弯折部251做到第一源极分支232的两端之间。
图10中,所述第一源极分支232包括与所述漏极分支241平行设置的第一走线236和第二走线237,所述第一走线236的一端与所述源极主干235的一端连接,另一端与所述弯折部251连接;所述第二走线237的一端与所述弯折部251连接,另一端朝远离所述源极主干235的方向延伸;所述弯折部251包括第一弯折线252、第二弯折线253和第三弯折线254,所述第一弯折线252的第一端与所述第一走线236连接,所述第一弯折线252的第二端朝远离其它所述源极分支231的方向延伸;所述第二弯折线253的第一端与所述第二走线237连接,所述第二弯折线253的第二端朝远离其它所述源极分支231的方向延伸;所述第三弯折线254分别连接所述第一弯折线252的第二端和第二弯折线253的第二端;所述源极引线210与所述第三弯折线254连接。
本实施例中,通过将弯折部251设计为由多条弯折线连接而成的结构,使得弯折部251的开口较大,且开口朝向其它源极分支231,进一步提高了第一弯折部251与其它源极分支231之间的间距。弯折部251可以是直线也可以是曲线,且弯折部251还可以在第一弯折线252、第二弯折线253和第三弯折线254的基础上,进一步包括第四弯折线255、第五弯折线256等,使得弯折部251的形状更加复杂,能满足更多的使用需求;本实施例优选弯折部251只含第一弯折线252、第二弯折线253和第三弯折线254,第一弯折线252与第一走线236垂直连接,第二弯折线253与第二走线237垂直连接,第三弯折线254的两端分别与第一弯折线252和第二弯折线253垂直连接,此时弯折部251为三边垂直的U型结构,开口朝向其它源极分支231,源极引线210突出于第三弯折线254后,由于开口面积较大,有利于减轻蚀刻不均匀的问题。
而且,所述第三弯折线254远离所述漏极240的一侧与所述第一源极分支232之间的间距,为所述第一源极分支232宽度的0.1-0.2倍。具体可以将第三弯折线254远离所述漏极240的一侧与所述第一源极分支232之间的间距设为0.1-0.5um。上述比例和参数设置在图7-9对应的实施例中已进行说明,在此不做赘述。
另外,本实施例中第一源极分支232还可以只含第一走线236或第二走线237,当第一源极分支232只含第一走线236时,第一走线236的一端与源极主干235连接,另一端与弯折部251的一端连接,弯折部251的另一端可以与其它源极分支231的端部平齐设置,不与其它结构连接;当第一源极分支232只含第二走线237时,弯折部251的一端与源极主干235连接,另一端与第二走线237的一端连接,第二走线237的另一端与其它源极分支231的端部平齐设置,不与其它结构连接。
在图11中,所述第一源极分支232包括与所述漏极分支241平行设置的第一走线236和第二走线237,所述第一走线236的一端与所述源极主干235的一端连接,另一端与所述弯折部251连接;所述第二走线237的一端与所述弯折部251连接,另一端朝远离所述源极主干235的方向延伸;所述弯折部251包括第四弯折线255和第五弯折线256,所述第四弯折线255的第一端与所述第一走线236连接,所述第四弯折线255的第二端朝远离其它所述源极分支231的方向延伸;所述第五弯折线256的第一端与所述第二走线237连接,所述第五弯折线256的第二端朝远离其它所述源极分支231的方向延伸,并与所述第四弯折线255的第二端重合形成重叠部;所述源极引线210与所述重叠部连接。
本实施例中由于第四弯折线255和第五弯折线256与源极分支231、漏极分支241是倾斜设置的,当源极引线210与第四弯折线255、第五弯折线256的重叠部连接后,若出现蚀刻不均匀的问题,源极引线210容易沿着第四弯折线255和第五弯折线256的方向朝漏极分支241延伸,但是相比于垂直着朝漏极分支241的延伸方式而言,沿着第四弯折线255和第五弯折线256的方向倾斜着朝漏极分支241的延伸方式,与漏极分支241连接的难度更大,因此同样能够防止在蚀刻不均匀时导致源极230和漏极240短路。
另外,第四弯折线255和第五弯折线256可以是曲线也可以是直线,这里优选第四弯折线255和第五弯折线256为曲线,由于弯折部251与第一走线236、第二走线237并不处于一条直线上,将弯折部251做成曲线容易使得第一源极分支232各处的宽度均匀,有利于提高薄膜晶体管220的均匀效果。且第四弯折线255和第五弯折线256为四分之一圆,这样弯折部251的形状为两个四分之一圆组成的对称结构;此时第四弯折线255和第五弯折线256的切线与漏极分支241之间的倾斜角度较小,源极引线210沿着第四弯折线255和第五弯折线256的延伸方向更加难以与漏极分支241相交。
图12中,所述弯折部251为圆弧形,圆弧形的开口朝向漏极分支241,此时弯折部251两端与漏极分支241的间距,小于弯折部251两端之间部分与漏极分支241的间距;由于对于源极引线210的蚀刻是从源极引线210的边缘开始进行蚀刻,其两侧容易出现蚀刻不均匀的问题,而源极引线210内部不会受到蚀刻的影响,因此源极引线210的顶部中央容易突出;基于此,本实施例增加弯折部251的中部与漏极分支241之间的间距,使得设计更具有针对性。
图13中,所述源极分支231中与所述源极主干235另一端连接的为第二源极分支233,所述第一源极分支232和所述第二源极分支233分别与所述源极主干235的两端连接;所述外延部250还与所述第二源极分支233连接,并设置在所述第二源极分支233的外侧,其中,所述第二源极分支233的外侧,为所述第二源极分支233远离其余的所述源极分支231的一侧;所述薄膜晶体管220与两条所述源极引线210连接,一条所述源极引线210通过所述外延部250与所述第一源极分支232连通,另一条所述源极引线210通过所述外延部250与所述第二源极分支233连通。
本实施例中,第一源极分支232外侧的外延部250和第二源极分支233外侧的外延部250,都是将对应第一源极分支232和第二源极分支233局部向外突出形成弯折部251,本实施例适用于同时与两条源极引线210连接的薄膜晶体管220。另外,第一源极分支232外侧的弯折部251可以与第二源极分支233外侧的弯折部251对称设置,也可以设置为不同的形状、连接位置,在此不做限定。
在图10-13中,所述弯折部251的宽度、所述第一走线236的宽度和第二走线237的宽度相等,保障薄膜晶体管220的导电均匀性;具体的弯折部251的宽度、所述第一走线236的宽度和第二走线237的宽度可以为1-3um。第一走线236与第二走线237处于同一直线上,尽可能增加第一源极分支232与相邻漏极分支241等间距的部分,提高薄膜晶体管220的导电效果。另外,弯折部251与第一直线或第二走线237的间距在0.1-0.5um之间。
作为本申请的另一实施例,如图14所示,所述源极230包括第一源极分支232、第二源极分支233和源极主干235,所述第一源极分支232和第二源极分支233分别与所述源极主干235的两端连接,所述第一源极分支232的外侧和第二源极分支233的外侧都设有外延部250,两条源极引线210通过外延部250与对应的第一源极分支232、第二源极分支233连接;其中,第一源极分支232外侧的外延部250为一源极分支231的加宽部257,第二源极分支233外侧的外延部250为第二源极分支233向远离其余所述源极分支231方向突出的弯折部251。本实施例中薄膜晶体管220同时与两条源极引线210连接,由于两条源极引线210处于不同的位置,连接的结构也不同,因此可以针对性的对外延部250进行对应的设计,通过将一个外延部250设计为源极分支231的加宽部257,另一个外延部250设计为源极分支231的弯折部251,从而提高薄膜晶体管220的适用环境。本实施例中对于加宽部257和弯折部251的具体设计可参考上述实施例中的设计,在此不做赘述。
在上述实施例中,薄膜晶体管220都为双沟道薄膜晶体管220,即源极230类似于U型,漏极240为条状型;但是本申请并不局限于这种类型的薄膜晶体管220,可还是四沟道以及更多沟道的类型,具体的,如图15和图16所示,在图15中,所述源极230包括第一源极分支232、第二源极分支233、第三源极分支234和源极主干235,所述第一源极分支232和第二源极分支233与所述源极主干235的两端连接,所述第三源极分支234并列设置在所述第一源极分支232和所述第二源极分支233之间,与所述源极主干235的中端连接;所述漏极240包括两条漏极分支241和一条漏极主干242,两条漏极分支241与漏极主干242的两端连接,每一条漏极分支241都并列设置在两条源极分支231之间,且与相邻源极分支231形成沟道;此时源极230的形状类似与W型,漏极240的形状类似于U型。
图16中,在图15的基础上,源极230进一步增加一条第三源极分支234,两条第三源极分支234并列设置在第一源极分支232和第二源极分支233之间;漏极240包括三条漏极分支241和一条漏极主干242,每一条漏极分支241都并列设置在两条源极分支231之间,且与相邻源极分支231形成沟道;此时源极230的形状类似与三个并列的U型结构,漏极240的形状类似于W型。当然还可以通过继续增加源极分支231和漏极分支241的数量提高薄膜晶体管220的沟道数量,进一步提高薄膜晶体管220的导电性能。
在本申请中,所有源极分支231和漏极分支241均为条状结构,可为矩形、椭圆形或其它形状,源极分支231的延伸方向与源极主干234的延伸方向相互垂直,漏极分支241的延伸方向与漏极主干244的延伸方向互相垂直;当然,源极分支231的延伸方向与源极主干234的延伸方向之间的夹角可以形成锐角,同时漏极分支241的延伸方向与漏极主干244的延伸方向之间的夹角也为锐角。而且,源极分支231、源极主干234、漏极分支241和漏极主干244的宽度都相等,相邻第二源极分支233与漏极分支241之间的沟道宽度也相等,从而提高薄膜晶体管220的导电性能。
如图17所示,是一种显示面板的示意图,作为本申请的另一实施例,还公开了一种显示面板400,所述显示面板400包括图1所示的阵列基板100,与所述阵列基板100相对设置的彩膜基板500,以及设置在所述阵列基板100和彩膜基板500之间的液晶层600;所述阵列基板100的非显示区含有上述驱动电路200。另外,本申请中的薄膜晶体管220不仅适用于非显示区中的阵列基板行驱动电路,同样适用于所述阵列基板100显示区中的主动开关。
本申请的技术方案可以广泛用于各种显示面板,如TN(Twisted Nematic,扭曲向列型)显示面板、IPS(In-Plane Switching,平面转换型)显示面板、VA(VerticalAlignment,垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-Domain Vertical Alignment,多象限垂直配向型)显示面板,当然,也可以是其他类型的显示面板,均可适用上述方案。
需要说明的是,本申请的发明构思可以形成非常多的实施例,但是申请文件的篇幅有限,无法一一列出,因而,在不相冲突的前提下,以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例,各实施例或技术特征组合之后,将会增强原有的技术效果。
以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明,不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种驱动电路的控制开关,所述控制开关包括薄膜晶体管,所述驱动电路还包括与所述薄膜晶体管连接的源极引线,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:
源极,包括至少两个并列设置的源极分支,以及连接各所述源极分支的源极主干,与所述源极主干其中一端连接的所述源极分支为第一源极分支;
漏极,包括至少一个漏极分支,以及连接各所述漏极分支的漏极主干,所述漏极分支与所述源极分支并列且交替设置以形成沟道;
外延部,与所述第一源极分支中远离所述漏极分支的一侧连接;以及
栅极,与所述源极、漏极对应设置;
其中,所述源极引线通过所述外延部与所述第一源极分支连接。
2.如权利要求1所述的驱动电路的控制开关,其特征在于,所述外延部设置在所述第一源极分支中远离所述漏极分支的一侧,且所述外延部为所述第一源极分支向远离所述漏极分支方向突出的弯折部,所述弯折部连接于所述第一源极分支靠近所述源极主干的端部;
所述弯折部的内侧与相邻漏极分支的距离,大于所述第一源极分支其余位置与相邻漏极分支的距离。
3.如权利要求2所述的驱动电路的控制开关,其特征在于,所述第一源极分支包括与所述漏极分支平行设置的第一走线和第二走线,所述第一走线的一端与所述源极主干的一端连接,另一端与所述弯折部连接;所述第二走线的一端与所述弯折部连接,另一端朝远离所述源极主干的方向延伸;
所述弯折部包括第一弯折线、第二弯折线和第三弯折线,所述第一弯折线的第一端与所述第一走线连接,所述第一弯折线的第二端朝远离其它所述源极分支的方向延伸;所述第二弯折线的第一端与所述第二走线连接,所述第二弯折线的第二端朝远离其它所述源极分支的方向延伸;所述第三弯折线分别连接所述第一弯折线的第二端和第二弯折线的第二端;
所述源极引线与所述第三弯折线连接。
4.如权利要求3所述的驱动电路的控制开关,其特征在于,所述第一弯折线与所述第二弯折线平行设置,且所述第一弯折线垂直于所述第一走线,所述第二弯折线垂直于所述第二走线;
所述第三弯折线垂直于所述第一弯折线和第二弯折线。
5.如权利要求4所述的驱动电路的控制开关,其特征在于,所述第三弯折线远离所述漏极的一侧与所述第一源极分支之间的间距,为所述第一源极分支宽度的0.1-0.2倍。
6.如权利要求5所述的驱动电路的控制开关,其特征在于,所述第三弯折线远离所述漏极的一侧与所述第一源极分支之间的间距为0.1-0.5um。
7.如权利要求2所述的驱动电路的控制开关,其特征在于,所述第一源极分支包括与所述漏极分支平行设置的第一走线和第二走线,所述第一走线的一端与所述源极主干的一端连接,另一端与所述弯折部连接;所述第二走线的一端与所述弯折部连接,另一端朝远离所述源极主干的方向延伸;
所述弯折部包括第四弯折线和第五弯折线,所述第四弯折线的第一端与所述第一走线连接,所述第四弯折线的第二端朝远离其它所述源极分支的方向延伸;所述第五弯折线的第一端与所述第二走线连接,所述第五弯折线的第二端朝远离其它所述源极分支的方向延伸,并与所述第四弯折线的第二端重合形成重叠部;所述源极引线与所述重叠部连接。
8.如权利要求1-7任意一项所述的驱动电路的控制开关,其特征在于,所述源极分支中与所述源极主干另一端连接的为第二源极分支,所述第一源极分支和所述第二源极分支分别与所述源极主干的两端连接;
所述外延部还与所述第二源极分支中远离所述漏极分支的一侧连接,所述薄膜晶体管与两条所述源极引线连接,一条所述源极引线通过所述外延部与所述第一源极分支连通,另一条所述源极引线通过所述外延部与所述第二源极分支连通。
9.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-8任意一项所述的驱动电路,和被所述驱动电路驱动的扫描线。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求9所述的阵列基板,与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,以及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
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