CN109473450A - 薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器 - Google Patents
薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109473450A CN109473450A CN201811352930.8A CN201811352930A CN109473450A CN 109473450 A CN109473450 A CN 109473450A CN 201811352930 A CN201811352930 A CN 201811352930A CN 109473450 A CN109473450 A CN 109473450A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film transistor
- thin
- tft
- transistor structure
- couplings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 191
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 81
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 81
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 81
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000003414 extremity Anatomy 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本申请涉及一种薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器，该薄膜晶体管阵列包括至少一个薄膜晶体管结构、辅助源极和辅助漏极。其中，该辅助源极和该辅助漏极沿第一方向平行相对设置；各所述薄膜晶体管结构设置于辅助源极和辅助漏极之间，且各所述薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接；相邻的薄膜晶体管结构之间设有耦接部，该耦接部用于使各所述薄膜晶体管结构沿所述第一方向串接。上述薄膜晶体管阵列中，由于各薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接，当切断其中一个薄膜晶体管结构时，不会影响薄膜晶体管阵列的正常工作，使该薄膜晶体管阵列易于修复。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其修复方法、移位寄存器。
背景技术
GOA(Gate Driver on Array，阵列基板的栅极驱动)技术是指将栅极驱动电路(Gate driver IC)直接制作在阵列(Array)基板上，以代替外接驱动电路的一种技术。GOA技术能够简化显示面板的制备工序，省去水平扫描线方向的IC绑定工序，并降低生产成本，同时可以提高显示面板的集成度，使显示面板更薄型化。
一般在GOA中有多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)并联组成的TFT阵列结构，在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的制作过程中，不可避免地存在静电击穿(Electro-Static discharge，ESD)现象或灰尘掉落在TFT中的某些电极结构上，导致TFT内部结构短路。而当某个TFT发生短路时，修复该短路TFT结构时将影响整个TFT阵列正常工作。例如当采用激光或其他切断方式对某个发生短路的TFT进行修复时，容易导致其相邻正常TFT的结构损坏，从而对整个TFT阵列造成影响，进而导致GOA无法正常工作。
发明内容
基于此，有必要提供一种易于修复的薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器。
一种薄膜晶体管阵列，包括至少一个薄膜晶体管结构、辅助源极和辅助漏极；其中：
所述辅助源极和所述辅助漏极沿第一方向平行相对设置；
各所述薄膜晶体管结构设置于所述辅助源极和所述辅助漏极之间，且各所述薄膜晶体管结构分别与所述辅助源极和所述辅助漏极连接；
相邻的所述薄膜晶体管结构之间设有耦接部，所述耦接部用于使各所述薄膜晶体管结构沿所述第一方向串接。
在其中一个实施例中，每一所述薄膜晶体管结构包括：源极、与所述源极相对设置的漏极；其中：
所述源极包括第一连接部和多个第一分支部，各所述第一分支部沿第一方向间隔排列；
所述漏极包括第二连接部和多个第二分支部，各所述第二分支部沿第一方向间隔排列；
各所述第一分支部的一端分别与所述第一连接部连接，各所述第一分支部的另一端分别朝向所述第二连接部延伸；
各所述第二分支部的一端分别与所述第二连接部连接，各所述第二分支部的另一端分别朝向所述第一连接部延伸；
在所述第一方向上，所述第一连接部和所述第二连接部平行相对设置，各所述第一分支部与各所述第二分支部交替设置。
在其中一个实施例中，每一所述薄膜晶体管结构的所述第一连接部与所述辅助源极连接；每一所述薄膜晶体管结构的所述第二连接部与所述辅助漏极连接。
在其中一个实施例中，所述耦接部包括第一耦接部和第二耦接部，所述第一耦接部连接相邻所述薄膜晶体管结构的所述第一连接部，所述第二耦接部连接相邻所述薄膜晶体管结构的所述第二连接部。
在其中一个实施例中，所述耦接部包括第一耦接部和第二耦接部，所述第一耦接部连接相邻所述薄膜晶体管结构的相邻所述第一分支部，所述第二耦接部连接相邻所述薄膜晶体管结构的所述第二连接部。
在其中一个实施例中，所述薄膜晶体管阵列还包括栅极，所述栅极设置在沿所述第一方向延伸的第一层，所述源极和所述漏极设置在沿所述第一方向延伸的第二层，所述第一层和所述第二层不重叠。
在其中一个实施例中，所述薄膜晶体管阵列还包括有源层，所述有源层设置在所述第一层和所述第二层之间且沿所述第一方向延伸，所述有源层与所述耦接部在第二方向上的投影无交叠区域，所述第二方向与所述第一方向垂直。
一种移位寄存器，包括上述的薄膜晶体管阵列。
一种薄膜晶体管阵列的修复方法，适用于上述薄膜晶体管阵列，包括：
检测所述薄膜晶体管阵列中各所述薄膜晶体管结构是否失效；
确定失效的薄膜晶体管结构；
切断所述失效的薄膜晶体管结构与相邻薄膜晶体管结构之间的耦接部，以及切断失效的薄膜晶体管结构与所述辅助源极和所述辅助漏极的连接。
在其中一个实施例中，所述薄膜晶体管结构包括：源极、漏极和栅极；所述检测所述薄膜晶体管阵列中各所述薄膜晶体管结构是否失效的步骤，包括：
检测各所述薄膜晶体管结构中的所述源极与所述栅极是否短路，若是，则所述薄膜晶体管结构失效；
检测各所述薄膜晶体管结构中的所述漏极与所述栅极是否短路，若是，则所述薄膜晶体管结构失效。
上述薄膜晶体管阵列中，包括至少一个薄膜晶体管结构、辅助源极和辅助漏极；其中，所述辅助源极和所述辅助漏极沿第一方向平行相对设置；各所述薄膜晶体管结构设置于所述辅助源极和所述辅助漏极之间，且各所述薄膜晶体管结构分别与所述辅助源极和所述辅助漏极连接；相邻的所述薄膜晶体管结构之间设有耦接部，所述耦接部用于使各所述薄膜晶体管结构沿所述第一方向串接。由于上述薄膜晶体管阵列中的各薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接，当切断其中一个薄膜晶体管结构时，不会影响薄膜晶体管阵列的正常工作，使该薄膜晶体管阵列易于修复。
附图说明
图1为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的第一种结构示意图；
图2为本申请实施例提供的薄膜晶体管结构示意图；
图3A为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的第二种结构示意图；
图3B为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的第三种结构示意图；
图3C为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的第四种结构示意图；
图4为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的第五种结构示意图；
图5为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的第六种结构示意图；
图6为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的第七种结构示意图；
图7为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的第八种结构示意图；
图8为本申请实施例提供的移位寄存器结构示意图；
图9为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列的修复方法流程图；
图10为本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列中失效的薄膜晶体管结构示意图；
图11为图9中步骤S100的一种实现方式流程图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一分支部称为第二分支部，且类似地，可将第二分支部称为第一分支部。第一分支部和第二分支部两者都是分支部，但其不是同一分支部。
图1为一实施例的薄膜晶体管阵列的示意图，其中，该薄膜晶体管阵列包括至少一个薄膜晶体管结构100、辅助源极200和辅助漏极300。其中，该辅助源极200和该辅助漏极300沿第一方向X平行相对设置；各所述薄膜晶体管结构100设置于辅助源极200和辅助漏极300之间，且各所述薄膜晶体管结构100分别与辅助源极200和辅助漏极300连接。相邻的薄膜晶体管结构100之间设有耦接部400，该耦接部400用于使各所述薄膜晶体管结构100沿所述第一方向X串接。
上述薄膜晶体管阵列中，由于各薄膜晶体管结构100分别与辅助源极200和辅助漏极300连接，当切断其中一个薄膜晶体管结构100时，不会影响薄膜晶体管阵列的正常工作，使该薄膜晶体管阵列易于修复。
在其中一个实施例中，如图2所示，每一薄膜晶体管结构100包括：源极110、与源极110相对设置的漏极120。其中，该源极110包括第一连接部111和多个第一分支部112，各所述第一分支部112沿第一方向X间隔排列；该漏极120包括第二连接部121和多个第二分支部122，各所述第二分支部122沿第一方向X间隔排列；各所述第一分支部112的一端分别与第一连接部111连接，各所述第一分支部112的另一端分别朝向第二连接121部延伸；各所述第二分支部122的一端分别与第二连接部121连接，各所述第二分支部122的另一端分别朝向第一连接部111延伸；在所述第一方向X上，该第一连接部111和该第二连接部121平行相对设置，各所述第一分支部112与各所述第二分支部122交替设置。
在本实施例中，第一分支部112和第二分支部122间隔交替设置，即二者之间相互穿插排列，在此对第一分支部112和第二分支部122之间的相对距离以及二者是否平行等特征不做具体限定。
需要说明的是，上述第一分支部112和第二分支部122的数量仅用于说明二者之间形成的总的导通通道宽度，在此对其数量不做具体限定。
在其中一个实施例中，如图3A所示，每一薄膜晶体管结构100的第一连接部111与辅助源极200连接；每一薄膜晶体管结构100的第二连接部121与辅助漏极300连接。
本实施例中，辅助源极200和辅助漏极300可以为导电金属线，每一个薄膜晶体管结构100的第一连接部111(源极)单独连接辅助源极200；每一个薄膜晶体管结构100的第二连接部121(漏极)单独连接辅助漏极300。需要说明的是，辅助源极200可用于分别为每一个薄膜晶体管结构提供源极信号；辅助漏极300可用于分别为每一个薄膜晶体管结构提供漏极信号。因此，当某个薄膜晶体管结构100出现失效时，切断该失效的薄膜晶体管结构100与辅助源极200和辅助漏极300的连接，并不影响其它薄膜晶体管结构的正常工作。
在其中一个实施例中，参见图3A，耦接部包括第一耦接部410和第二耦接部420，该第一耦接部410连接相邻薄膜晶体管结构100的所述第一连接部111，该第二耦接部420连接相邻薄膜晶体管结构100的所述第二连接部121。
本实施例中，第一耦接部410连接相邻薄膜晶体管结构100的所述第一连接部111，以使各薄膜晶体管结构100的第一连接部111在第一方向X上串接，即各薄膜晶体管结构100的源极110在第一方向X上实现串接；第二耦接部420连接相邻薄膜晶体管结构100的所述第二连接部121，以使各薄膜晶体管结构100的第二连接部121在第一方向X上实现串接，即各薄膜晶体管结构100的漏极120在第一方向X上实现串接。因此，通过实现源极110和漏极120在第一方向X上的串接，从而实现了各薄膜晶体管结构100在第一方向X上的串接。
在其中一个实施例中，参见图3B，耦接部包括第一耦接部410和第二耦接部420，该第一耦接部410连接相邻薄膜晶体管结构100的相邻第一分支部，即该第一耦接部410连接薄膜晶体管结构中的最后一个第一分支部与相邻薄膜晶体管结构中的首个第一分支部，该第二耦接部420连接相邻薄膜晶体管结构100的第二连接部121。
需要说明的是，每个薄膜晶体管结构100中具有多个第一分支部112，沿第一方向X，该多个第一分支部112由首个第一分支部至最后一个第一分支部依序间隔排列。因此，上述实施例中的第一耦接部410连接各薄膜晶体管结构100中的最后一个第一分支部与相邻的且沿第一方向X的下一个薄膜晶体管结构100中的首个第一分支部。
上述实施例中，通过第一耦接部410将相邻薄膜晶体管结构100的第一连接部111连接，或通过第一耦接部410将当前薄膜晶体管结构100的最后一个第一分支部与下一个薄膜晶体管结构100的首个第一分支部连接；以及通过第二耦接部420将相邻薄膜晶体管结构100的第二连接部121连接。由此使得各薄膜晶体管结构100的源极相互连通，以及各薄膜晶体管结构100的漏极相互连通，从而实现了各薄膜晶体管结构100的串接。
在其中一个实施例中，如图3C所示，每一薄膜晶体管结构100包括：源极110、与源极110相对设置的漏极120。其中，该源极110包括第一连接部111和两个第一分支部112，各第一分支部112沿第一方向X间隔排列；该漏极120包括第二连接部121和一个第二分支部122；各所述第一分支部112的一端分别与第一连接部111连接，各所述第一分支部112的另一端分别朝向第二连接121部延伸；该第二分支部122的一端分别与第二连接部121连接，该第二分支部122的另一端分别朝向第一连接部111延伸；在所述第一方向X上，该第一连接部111和该第二连接部121平行相对设置，第二分支部122设置于两个第一分支部112之间。
在其中一个实施例中，如图4所示，薄膜晶体管阵列还包括栅极130，所述栅极130设置在沿第一方向X延伸的第一层，源极110和漏极120设置在沿所述第一方向X延伸的第二层，第一层和第二层不重叠。
本实施例中，源极110和漏极120为具有一定图形结构的膜层(即第二层)，栅极130设置于该膜层的上方或下方(即第一层和第二层不重叠)，且与源极110和漏极120相互绝缘。值得注意的是，当薄膜晶体管结构100为底栅型，则栅极130位于源极110和漏极120的下方，当薄膜晶体管结构100为顶栅型，则栅极位于源极110和漏极120的上方。图4所示的薄膜晶体管结构100为底栅型。
需要说明的是，栅极130用于接收开关信号，控制所有源极110的第一分支部112及对应漏极120的第二分支部122的导通或截止。应当理解地是，每个独立的薄膜晶体管结构100包括多个第一分支部112和多个第二分支部122，多个第一分支部112和多个第二分支部122间隔交替排列，构成了多个源漏极导通通道。当某个第一分支部112或某个第二分支部122与栅极130短路时，则该薄膜晶体管结构100失效。因此可通过切断与该薄膜晶体管结构100连接的耦接部，以及切断该薄膜晶体管100与辅助源极200、辅助漏极300的连接，从而使该薄膜晶体管结构100从整个薄膜晶体管阵列中移除，确保其它薄膜晶体管结构正常工作。
一实施例中，源极110、漏极120以及栅极130的材料为铜、铝、钼、钛中的一种或多种的组合。
在其中一个实施例中，如图5所示，所述薄膜晶体管阵列还包括有源层140，该有源层140设置在所述第一层(栅极130)和所述第二层(源极110和漏极120)之间且沿所述第一方向X延伸，所述有源层140与所述耦接部(包括第一耦接部410和第二耦接部420)在第二方向(图未显示)上的投影无交叠区域，所述第二方向与所述第一方向X垂直。
需要说明的是，第二方向与第一方向X垂直，也即第二方向为第一层和第二层的垂直方向。有源层140与耦接部在第二方向上的投影指在同一水平面内的投影，即有源层140与第一耦接部410的投影在同一水平面内，有源层140与第二耦接部420的投影在同一水平面内。由于第一耦接部410连接相邻源极110的第一连接部111，第二耦接部420连接相邻漏极120的第二连接部121，而源极110和漏极120具有膜层结构，当源极110和漏极120形成于衬底上时，所述第二方向也可以理解为垂直于衬底的方向。
本实施例中，有源层140与所述耦接部(包括第一耦接部410和第二耦接部420)在第二方向上的投影无交叠区域，也即耦接部在第二方向上的投影位于有源层140在第二方向上的投影外。当某薄膜晶体管结构100失效(如短路)时，需通过切断耦接部来进行修复，切断过程一般采用镭射激光进行切割，在利用镭射激光将耦接部熔开的过程容易掉落金属颗粒，若金属颗粒掉入至有源层140，容易损坏有源层140的结构，并且容易导致源极110或漏极120与栅极130短路(正常工作的薄膜晶体管结构部分)。因此需将耦接部与有源层140在第二方向上设置不交叠，避免切割过程中对有源层140造成损伤以及正常工作的薄膜晶体管结构的短路。
一实施例中，有源层140经过N型掺杂或经过P型掺杂形成。
在其中一个实施例中，如图6所示，有源层140与所述耦接部(包括第一耦接部410和第二耦接部420)在第二方向(图未显示)上的投影无交叠区域，以及栅极130与所述耦接部(包括第一耦接部410和第二耦接部420)在第二方向上的投影无交叠区域。
本实施例中，由于栅极130与所述耦接部(包括第一耦接部410和第二耦接部420)在第二方向上的投影无交叠区域，因此在切断耦接部的过程中不会对栅极130造成损伤。
在一实施例中，如图7所示，每一个薄膜晶体管结构100与辅助源极200连接，该连接处与有源层140、栅极130在第二方向上的投影无交叠区域；及每一个薄膜晶体管结构100与辅助漏极300连接，该连接处与有源层140、栅极130在第二方向上的投影也无交叠区域。因此在切断上述连接处时，不会对栅极130或有源层140造成损伤。
本申请实施例还提供了一种移位寄存器，包括本申请实施例提供的上述位薄膜晶体管阵列。具有上述薄膜晶体管阵列的移位寄存器能够提高移位寄存器的制造良品率。
具体而言，如图8所示，移位寄存器包括级联连接的多个子移位寄存器，依次为：第一级子移位寄存器、第二级子移位寄存器、……、最后一级子移位寄存器。每一级子移位寄存器包括时钟信号输入端(CKV和CKVB)、电源电压信号输入端(VSS)、输入端子(Input)、输出端子(Output)及复位端子(Reset)。其中，时钟信号输入端与时钟信号输入线(CKV和CKVB)相连，电源电压信号输入端与电源电压信号输入线(VSS)相连。在各级子移位寄存器中，上一级子移位寄存器的Output端与下一级子移位寄存器的Input端相连，上一级子移位寄存器的Reset端与下一级子移位寄存器的Output端相连，第一级子移位寄存器的Input端接收触发信号F1，最后一级子移位寄存器的Reset端接收复位信号E1。
需要说明的是，第一级子移位寄存器、第二级子移位寄存器、……、最后一级子移位寄存器的Output端分别耦合一条扫描线，依次为：G1、G2、……、GN。每一级子移位寄存器的Output端包括了上述实施例的薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列除了作为各子移位寄存器的输出晶体管使用以外，还能作为各子移位寄存器的其它晶体管或作为显示面板上的所有的晶体管使用。
本申请实施例还提供了一种显示装置，包括本申请实施例提供的上述移位寄存器，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施例可以参见上述移位寄存器的实施例，重复之处不再赘述。
需要说明的是，本申请实施例提供的显示装置包括液晶显示装置(LiquidCrystal Display，LCD)、有机发光二极管显示装置(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)、曲面显示装置或其他显示装置。
本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管阵列的修复方法，适用于上述薄膜晶体管阵列，如图9所示，包括步骤S100至步骤S300。
步骤S100：检测所述薄膜晶体管阵列中各所述薄膜晶体管结构是否失效。
步骤S200：确定失效的薄膜晶体管结构。
步骤S300：切断所述失效的薄膜晶体管结构与相邻薄膜晶体管结构之间的耦接部，以及切断失效的薄膜晶体管结构与所述辅助源极和所述辅助漏极的连接。
本实施例中，参见图1，本申请的薄膜晶体管阵列包括至少一个薄膜晶体管结构100、辅助源极200和辅助漏极300。其中，该辅助源极200和该辅助漏极300沿第一方向X平行相对设置；各所述薄膜晶体管结构100设置于辅助源极200和辅助漏极300之间，且各所述薄膜晶体管结构100分别与辅助源极200和辅助漏极300连接。相邻的薄膜晶体管结构100之间设有耦接部400，该耦接部400用于使各所述薄膜晶体管结构100沿所述第一方向X串接。当检测出位于薄膜晶体管阵列中的某个薄膜晶体管结构失效(如短路)时，确定该失效的薄膜晶体管结构，并通过切断(如利用镭射激光切割)所述失效的薄膜晶体管结构与相邻薄膜晶体管结构之间的耦接部，以及切断失效的薄膜晶体管结构与所述辅助源极和所述辅助漏极的连接，使该失效的薄膜晶体管结构从薄膜晶体管阵列中移除，以确保其它薄膜晶体管结构正常工作。需要说明的是，由于本申请的薄膜晶体管阵列设置了辅助源极200和辅助漏极300，并且所有薄膜晶体管结构均分别与辅助源极200和辅助漏极300连接，所以即使切除了某个薄膜晶体管结构，其它薄膜晶体管结构仍可以正常工作，从而能够有效修复薄膜晶体管阵列，提高修复成功率。
一实施例中，参见图10，所述薄膜晶体管结构包括：源极110、漏极120和栅极130。上述检测所述薄膜晶体管阵列中各所述薄膜晶体管结构是否失效的步骤，如图11所示，还包括步骤S110至步骤S120。
步骤S110：检测各所述薄膜晶体管结构中的所述源极与所述栅极是否短路，若是，则所述薄膜晶体管结构失效。
步骤S120：检测各所述薄膜晶体管结构中的所述漏极与所述栅极是否短路，若是，则所述薄膜晶体管结构失效。
本实施例中，当薄膜晶体管结构100中的源极110与栅极130短路，或者漏极120与栅极130短路时，该薄膜晶体管结构100失效。应当理解地，在源极110、漏极120所在的膜层与栅极130所在膜层设有绝缘层(图未显示)，在薄膜晶体管阵列的制作过程中，存在一些金属颗粒掉入该绝缘层，从而使得源极110与栅极130短路；或使得漏极120与栅极130短路。图9中的黑色圆形表示金属颗粒位于源极110与栅极130之间，使之短路；黑色三角形表示金属颗粒位于漏极120与栅极130之间，使之短路。
上述薄膜晶体管阵列的修复方法中，由于薄膜晶体管阵列设置了辅助源极和辅助漏极，并且所有薄膜晶体管结构均分别与辅助源极和辅助漏极连接，所以即使切除了某个薄膜晶体管结构，其它薄膜晶体管结构仍可以正常工作，从而能够有效修复薄膜晶体管阵列，提高修复成功率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，包括至少一个薄膜晶体管结构、辅助源极和辅助漏极；其中：
所述辅助源极和所述辅助漏极沿第一方向平行相对设置；
各所述薄膜晶体管结构设置于所述辅助源极和所述辅助漏极之间，且各所述薄膜晶体管结构分别与所述辅助源极和所述辅助漏极连接；
相邻的所述薄膜晶体管结构之间设有耦接部，所述耦接部用于使各所述薄膜晶体管结构沿所述第一方向串接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，每一所述薄膜晶体管结构包括：源极和与所述源极相对设置的漏极；其中：
所述源极包括第一连接部和多个第一分支部，各所述第一分支部沿第一方向间隔排列；
所述漏极包括第二连接部和多个第二分支部，各所述第二分支部沿第一方向间隔排列；
各所述第一分支部的一端分别与所述第一连接部连接，各所述第一分支部的另一端分别朝向所述第二连接部延伸；
各所述第二分支部的一端分别与所述第二连接部连接，各所述第二分支部的另一端分别朝向所述第一连接部延伸；
在所述第一方向上，所述第一连接部和所述第二连接部平行相对设置，各所述第一分支部与各所述第二分支部交替设置。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，每一所述薄膜晶体管结构的所述第一连接部与所述辅助源极连接；每一所述薄膜晶体管结构的所述第二连接部与所述辅助漏极连接。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述耦接部包括第一耦接部和第二耦接部，所述第一耦接部连接相邻所述薄膜晶体管结构的所述第一连接部，所述第二耦接部连接相邻所述薄膜晶体管结构的所述第二连接部。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述耦接部包括第一耦接部和第二耦接部，所述第一耦接部连接相邻所述薄膜晶体管结构的相邻所述第一分支部，所述第二耦接部连接相邻所述薄膜晶体管结构的所述第二连接部。
6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，还包括栅极，所述栅极设置在沿所述第一方向延伸的第一层，所述源极和所述漏极设置在沿所述第一方向延伸的第二层，所述第一层和所述第二层不重叠。
7.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，还包括有源层，所述有源层设置在所述第一层和所述第二层之间且沿所述第一方向延伸，所述有源层与所述耦接部在第二方向上的投影无交叠区域，所述第二方向与所述第一方向垂直。
8.一种移位寄存器，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管阵列。
9.一种薄膜晶体管阵列的修复方法，其特征在于，适用于如权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管阵列，包括：
检测所述薄膜晶体管阵列中各所述薄膜晶体管结构是否失效；
确定失效的薄膜晶体管结构；
切断所述失效的薄膜晶体管结构与相邻薄膜晶体管结构之间的耦接部，以及切断失效的薄膜晶体管结构与所述辅助源极和所述辅助漏极的连接。
10.根据权利要求9所述的修复方法，其特征在于，所述薄膜晶体管结构包括：源极、漏极和栅极；所述检测所述薄膜晶体管阵列中各所述薄膜晶体管结构是否失效的步骤，包括：
检测各所述薄膜晶体管结构中的所述源极与所述栅极是否短路，若是，则所述薄膜晶体管结构失效；
检测各所述薄膜晶体管结构中的所述漏极与所述栅极是否短路，若是，则所述薄膜晶体管结构失效。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811352930.8A CN109473450B (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811352930.8A CN109473450B (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109473450A true CN109473450A (zh) | 2019-03-15 |
| CN109473450B CN109473450B (zh) | 2021-07-30 |
Family
ID=65672887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811352930.8A Active CN109473450B (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109473450B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021072737A1 (zh) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板 |
| CN112925136A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-06-08 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板 |
| CN112925137A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-06-08 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070034380A (ko) * | 2005-09-23 | 2007-03-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 스위칭소자 리페어방법 |
| CN101217154A (zh) * | 2008-01-11 | 2008-07-09 | 友达光电股份有限公司 | 栅极驱动电路结构及显示面板 |
| CN101969060A (zh) * | 2010-08-18 | 2011-02-09 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板、显示面板与修补方法 |
| CN103681875A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-03-26 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种具有修复功能的切换薄膜电晶体 |
| CN104091830A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其修复方法、goa电路及显示装置 |
| CN105632439A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft结构及其修复方法、goa电路 |
-
2018
- 2018-11-14 CN CN201811352930.8A patent/CN109473450B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070034380A (ko) * | 2005-09-23 | 2007-03-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 스위칭소자 리페어방법 |
| CN101217154A (zh) * | 2008-01-11 | 2008-07-09 | 友达光电股份有限公司 | 栅极驱动电路结构及显示面板 |
| CN101969060A (zh) * | 2010-08-18 | 2011-02-09 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板、显示面板与修补方法 |
| CN103681875A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-03-26 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种具有修复功能的切换薄膜电晶体 |
| CN104091830A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其修复方法、goa电路及显示装置 |
| CN105632439A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft结构及其修复方法、goa电路 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021072737A1 (zh) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板 |
| CN112997311A (zh) * | 2019-10-18 | 2021-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板 |
| US11545069B2 (en) | 2019-10-18 | 2023-01-03 | Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display device having a shift register having interdigital transistor |
| CN112997311B (zh) * | 2019-10-18 | 2023-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板 |
| CN112925136A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-06-08 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板 |
| CN112925137A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-06-08 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板 |
| CN112925136B (zh) * | 2021-03-29 | 2023-03-10 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板 |
| CN112925137B (zh) * | 2021-03-29 | 2023-03-10 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109473450B (zh) | 2021-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI699063B (zh) | 靜電放電防護電路、具有靜電放電防護功能的顯示面板、以及靜電放電防護結構 | |
| US11574954B2 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
| CN109473450A (zh) | 薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器 | |
| JP2020503636A (ja) | Ｏｌｅｄアレイ基板、表示装置およびその黒点欠陥修復方法 | |
| CN206021875U (zh) | 像素驱动电路、阵列基板以及显示装置 | |
| KR101950943B1 (ko) | 정전 보호 회로를 가지는 표시 장치 및 그것의 제조 방법 | |
| CN105789266A (zh) | 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US11688314B2 (en) | Pixel and display device comprising same | |
| US11605347B2 (en) | Pixel driving circuit and driving method thereof, display panel and display device | |
| WO2014205876A1 (zh) | 具有静电保护功能的显示面板及电子装置 | |
| CN110085584B (zh) | Esd防护薄膜晶体管及esd防护结构 | |
| US20220284861A1 (en) | Light emission control shift register and method thereof, gate driving circuit, and display device | |
| CN104882451A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
| US11980062B2 (en) | Display apparatus and multi display apparatus including the same | |
| CN108269801B (zh) | 静电保护电路 | |
| KR20200107012A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20150080257A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| CN104900206A (zh) | 一种源极驱动线路板和显示装置 | |
| US11882728B2 (en) | Multi-screen display device for reducing a non-display area between display panels, and manufacturing method thereof | |
| CN102760772B (zh) | 晶体管结构以及驱动电路结构 | |
| CN107134460B (zh) | 显示装置及其goa电路 | |
| CN105448224B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| US20220121057A1 (en) | Array substrate, liquid crystal display panel and display device | |
| US20220158130A1 (en) | Light emitting display apparatus and multi-screen display apparatus including the same | |
| CN212782681U (zh) | 一种goa电路、阵列基板和显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |