CN112915718A - 半导体制程废气处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及泛半导体技术领域，提供一种半导体制程废气处理设备，包括：处理容器、第一进气管和第二进气管，处理容器限制出处理腔；第一进气管与处理腔连通并用于向处理腔内通入待处理气体；第二进气管套设于第一进气管的外侧并连接于处理容器，第二进气管设置气体进口，第二进气管与第一进气管之间形成进气夹层，进气夹层与处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于待处理气体。本发明提出的半导体制程废气处理设备，解决第一进气管的出口端粉尘堆积而易造成堵塞的问题，延长清理保养周期，减小清理的劳动强度，降低设备清洁及维护保养成本，有助于提升生产效率和降低生产成本。

Description

半导体制程废气处理设备

技术领域

本发明涉及泛半导体技术领域，尤其涉及半导体制程废气处理设备。

背景技术

泛半导体行业生产过程中，大量使用化学品和特殊气体，生产环节持续产生大量有毒有害气体的工艺废气。工艺废气需要与生产工艺同步进行收集、治理和排放，废气处理系统及设备是客户生产工艺不可分割的组成部分，其安全稳定性直接关系到客户的产能利用率、产品良率、员工职业健康及生态环境。故在生产线上(尤其8英寸、12英寸晶圆)都已经用电子废气处理设备(local scrubber)来处理生产线中各个工艺产生的废气。

在半导体工艺中，如化学气相淀积(CVD)工艺中的硼磷硅玻璃(BPSG)制程、HARP制程、SiN制程，蚀刻(ETCH)中的金属刻蚀(Metal ETCH)制程，扩散(Diffusion)工艺中的原子层淀积(ALD)制程、TSN制程等，尤其是多粉尘、金属制程工艺，有大量的SiO₂粉尘需要进行处理，从而致使废气处理设备进气口和腔体流动不畅、粉尘堆积、甚至堵塞，同时，进气口处或墙体内的反应生成物也会造成堆积堵塞，导致设备需要停机进行维护。其中，一般为不光滑或者拐弯死角等部位发生粉尘堆积和堵塞。一般1天到10天就得进行清理，需要投入大量人力物力，影响生产效率和生产成本。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种半导体制程废气处理设备，解决第一进气管的出口端粉尘堆积而易造成堵塞的问题，促使处理腔处于通畅状态，减缓第一进气管和处理腔堵塞，延长清理保养周期，减小清理的劳动强度，降低设备清洁及维护保养成本，有助于提升生产效率和降低生产成本。

根据本发明实施例的一种半导体制程废气处理设备，包括：

处理容器，限制出处理腔；

第一进气管，与所述处理腔连通并用于向所述处理腔内通入待处理气体；

第二进气管，套设于所述第一进气管的外侧并连接于所述处理容器，所述第二进气管设置气体进口，所述第二进气管与所述第一进气管之间形成进气夹层，所述进气夹层与所述处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，所述第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于所述待处理气体。

根据本发明的一个实施例，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述盖体限制出气壁夹层，所述气壁夹层位于所述处理腔内并与所述处理腔连通，所述盖体构造有与所述气壁夹层连通并用于向所述气壁夹层内通入第二辅助气体的第一连通口，所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述处理腔的第二连通口。

根据本发明的一个实施例，所述气壁夹层环绕于多个所述第一进气管的外周。

根据本发明的一个实施例，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述容器本体包括第一容器和套设于所述第一容器外侧的第二容器，所述第二容器密封连接于所述盖体，所述第一容器限制出第一腔体，所述第一进气管的出口端对应于所述第一腔体，所述第二容器在所述第一容器的外侧限制出第二腔体，所述第一容器与所述盖体之间设有连通所述第一腔体与所述第二腔体的第一间隙。

根据本发明的一个实施例，所述处理容器内设有刮刀，所述刮刀连接于驱动件，所述驱动件适于驱动所述刮刀沿所述第一容器的周向转动。

根据本发明的一个实施例，所述刮刀包括内刀部、外刀部和连接所述内刀部与所述外刀部的连接部，所述连接部与所述第一容器朝向所述盖体的表面相贴合或设有第二间隙，所述内刀部与所述第一容器的内壁面之间相贴合或设有第三间隙，所述外刀部与所述第一容器的外壁面之间相贴合或设有第四间隙。

根据本发明的一个实施例，所述盖体限制出气壁夹层，所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述第一腔体的第二连通口，所述第二连通口对应于所述第一容器的内壁面。

根据本发明的一个实施例，所述第二容器远离所述盖体的一端设有溢流进口。

根据本发明的一个实施例，所述第一进气管为直管。

根据本发明的一个实施例，所述进气夹层与氮气管路连接。

本发明实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果之一：

本发明实施例的半导体制程废气处理设备，包括处理容器、第一进气管和第二进气管，第一进气管用于向处理容器的处理腔内通入待处理气体，第二进气管套设在第一进气管的外侧，第二进气管设置气体进口，气体进口向第一进气管与第二进气管之间的进气夹层通入第一辅助气体，第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于待处理气体，进气夹层与处理腔连通；当第一辅助气体的温度高于待处理气体的温度，则第一辅助气体通过进气夹层内对待处理气体起到加热和保温的作用，解决待处理气体进入设备温度降低而形成结晶的问题，减小待处理气体形成的结晶；当第一辅助气体的流速高于待处理气体的流速，第一辅助气体相对于待处理气体为高速流动，高速流动的流体可沿进气夹层的切向进入进气夹层，第一进气管与第二进气管形成文丘里管结构，第一进气管的出口端附近会产生低压，从而产生吸附作用，促进待处理气体进入处理腔内，解决气体流动不畅、粉尘堆积等情况而造成的堵塞问题；通过通入第一辅助气体的方式，促使处理腔处于通畅状态，减缓第一进气管和处理腔堵塞，延长清理保养周期，减小清理的劳动强度，降低设备清洁及维护保养成本，有助于提升生产效率和降低生产成本。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的半导体制程废气处理设备的立体结构示意图；

图2是本发明实施例提供的半导体制程废气处理设备的正视结构示意图；

图3是本发明实施例提供的半导体制程废气处理设备的侧视结构示意图；

图4是图3中A-A的剖视结构示意图；图中实线实心箭头表示待处理气体流动方向；虚线实心箭头表示第一辅助气体的流动方向；实线空心箭头表示第二辅助气体的流动方向；双线划线实心箭头表示溢流液体流动方向；

图5是图4中B部位的局部放大结构示意图；图中实线实心箭头表示待处理气体流动方向；虚线实心箭头表示第一辅助气体的流动方向；实线空心箭头表示第二辅助气体的流动方向；双线划线实心箭头表示溢流液体流动方向；

图6是本发明实施例提供的半导体制程废气处理设备的俯视结构示意图；

图7是本发明实施例提供的半导体制程废气处理设备的刮刀在第一容器内的立体结构示意图；

图8是本发明实施例提供的半导体制程废气处理设备的刮刀在第一容器内的剖视结构示意图；

附图标记：

1：处理容器；11：第一容器；111：第一腔体；12：第二容器；121：溢流进口；122：第二腔体；13：盖体；131：第一法兰；132：第二法兰；133：气壁夹层；134：第一连通口；135：第二连通口；

2：第一进气管；

3：第二进气管；31：进气夹层；32：气体进口；

4：第三进气管；

5：刮刀；51：内刀部；52：外刀部；53：连接部；

6：燃烧部件。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，术语上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。

在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

本发明的实施例，结合图1至图8所示，提供一种半导体制程废气处理设备，包括：处理容器1、第一进气管2和第二进气管3，处理容器1限制出处理腔；第一进气管2与处理腔连通并用于向处理腔内通入待处理气体；第二进气管3套设于第一进气管2的外侧并连接于处理容器1，第二进气管3设置气体进口32，第二进气管3与第一进气管2之间形成进气夹层31，进气夹层31与处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于待处理气体。

待处理气体为半导体制程的废气，如工艺气体中的硅烷、乙硅烷、DCS等易燃性气体，待处理气体在第一进气管2的出口端与氧气反应生成SiO₂，沿第一进气管2的进气方向相反的方向形成结晶堆积，造成第一进气管2的出口端堵塞。待处理气体一般可以理解为气态与粉尘的混合物，其流动性与气态物料相近，所以称之为待处理气体。

第一进气管2用于向处理腔内通入待处理气体，第二进气管3通入第一辅助气体，当第一辅助气体的温度高于待处理气体的温度，则第一辅助气体通过进气夹层31对待处理气体起到加热和保温的作用，解决待处理气体进入设备温度降低而形成结晶的问题，减少待处理气体形成的结晶，可解决气体在第一进气管2内逐渐堆积而形成堵塞的问题。其中，第一辅助气体的温度可根据需要设置。

当第一辅助气体的流速高于待处理气体的流速，第一辅助气体相对于待处理气体为高速流动，高速流动的流体可沿进气夹层31的切向进入进气夹层31，第一进气管2与第二进气管3形成文丘里管结构，第一进气管2的出口端附近会产生低压，从而产生吸附作用，也就是利用文丘里原理，促进待处理气体进入处理腔内，解决气体流动不畅、粉尘堆积等情况而造成的堵塞问题。其中，第一辅助气体的流速可根据需要设置。

当第一辅助气体的流速高于待处理气体的流速，且第一辅助气体的温度高于待处理气体的温度，同时解决气体流动不畅而造成堵塞以及待处理气体进入设备温度降低而形成结晶的问题，从两方面提升待处理气体的流动性，解决处理容器1进口处粉尘堆积堵塞的问题。

本实施例中，在第一进气管2的外侧设置第二进气管3，利用第二进气管3提供第一辅助气体，第一辅助气体对待处理气体进行保温，和/或，第一辅助气体通过高速流动而使第一进气管2的出口端附近产生低压，从而产生吸附作用，利用文丘里原理促进待处理气体进入处理腔内，解决第一进气管2的出口端粉尘堆积而易造成堵塞的问题，促使处理腔处于通畅状态，减缓第一进气管2和处理腔堵塞，延长清理保养周期，减小清理的劳动强度，降低设备清洁及维护保养成本，有助于提升生产效率和降低生产成本。本实施例，适用于半导体制程废气处理，还适用于其他多粉尘的废气处理，适用范围广。

在一个实施例中，参考图1至图5所示，处理容器1包括容器本体和盖设于容器本体的盖体13，盖体13限制出气壁夹层133，气壁夹层133位于处理腔内并与处理腔连通，盖体13构造有与气壁夹层133连通并用于向气壁夹层133内通入第二辅助气体的第一连通口134，盖体13构造有连通气壁夹层133与处理腔的第二连通口135。通过盖体13向处理腔内通入用于吹扫容器本体的壁面的第二辅助气体，第二辅助气体阻止粉尘堆积在容器本体的壁面上，并且第二辅助气体起到清洁容器本体的壁面的作用。

其中，第二辅助气体可以为高压气体，如压力大于0.4Mpa的气体，第二辅助气体可以为氮气、二氧化碳等非氧化性的气体。气壁夹层133可以环绕设置在盖体13上，气壁夹层133通入处理腔的第二辅助气体可沿环绕容器本体对其进行吹扫清理，有助于全面清理；或者，气壁夹层133可以设置在盖体13的局部位置，以使气壁夹层133通入处理腔内的气体可针对粉尘容易堆积的局部位置进行清理，可有针对性进行清理；或者，气壁夹层133环绕第一进气管2的出口端，以起到分隔待处理气体与氧气的作用；气壁夹层133的位置和结构可根据需要选择。

参考图1所示，盖体13的外壁上连接有第三进气管4，第三进气管4的进口端形成第一连通口134，第三进气管4与气壁夹层133连通并用于向其内通入第二辅助气体。参考图1所示，第三进气管4在盖体13上设置一个，但第三进气管4不限于设置一个，还可根据需要设置多个。参考图3和图4所示，盖体13包括第一法兰131和第二法兰132，第一法兰131与第二法兰132通过螺栓连接并相互密封，第一法兰131用于安装第一进气管2、第二进气管3和第三进气管4，第二法兰132形成有与处理腔连通的气壁夹层133，气壁夹层133环绕容器本体设置，以保证容器本体各个部位的壁面均能通过第二辅助气体进行吹扫，减少容器本体的壁面上粉尘堆积。

在一个实施例中，参考图3和图4所示，气壁夹层133环绕于多个第一进气管2的外周，也就是在多个第一进气管2的出口端的外周环绕设置一个气壁夹层133，一个气壁夹层133可以同时对多个第一进气管2的外周起到阻隔氧气的作用，有助于简化设备的结构，降低设备成本。通过气壁夹层133起到阻隔氧气向第一进气管2的出口端流动的作用，避免待处理气体在第一进气管2的出口端发生氧化反应而产生结晶。

当第二辅助气体为高压氮气，向容器本体内通入高压氮气，高压氮气顺着气壁夹层133对容器本体的壁面进行吹扫，高压氮气形成一个环绕容器本体的气体隔层，阻止氧气扩散到第一进气管2的出口端附近而造成工艺气体的氧气反应，从而形成气壁保护，减少粉尘堆积。

在一个实施例中，参考图1和图6所示，处理容器1连接多个第一进气管2，每个第一进气管2的外侧均套设有第二进气管3，保证每个第一进气管2均能通过第二辅助气体进行防堵塞保护。

参考图1所示，多个第一进气管2之间设有燃烧部件6，用于进行燃烧反应。

在一个实施例中，参考图3至图5所示，处理容器1包括容器本体和盖设于容器本体的盖体13，容器本体包括第一容器11和套设于第一容器11外侧的第二容器12，第二容器12密封连接于盖体13，第一容器11限制出第一腔体111，第一进气管2的出口端对应于第一腔体111以使待处理气体通入第一腔体111内，第二容器12在第一容器11的外侧限制出第二腔体122，第一容器11与盖体13之间设有连通第一腔体111与第二腔体122的第一间隙，使得第二腔体122内的液体可通过第一间隙溢流进入第一腔体111，对第一腔体111进行冲洗。

当容器本体包括相互固定的第一容器11和第二容器12，可以理解为，处理腔包括第一腔体111与第二腔体122，待处理气体在第一腔体111内进行除尘处理，第二腔体122内的液体向第一腔体111溢流以对第一腔体111的壁面进行清洁处理，避免第一容器11的壁面粉尘堆积。

在一个实施例中，参考图1和图2所示，第二容器12远离盖体13的一端设有溢流进口121。第二容器12的顶部连接于盖体13，第二容器12的底部连接于第一容器11，第二容器12的侧壁设置溢流进口121，溢流进口121靠近第二容器12的底部设置，底部进液有助于液体在第二腔体122内稳定向第一腔体111溢流。溢流进口121设置在第二容器12的侧壁的切向，进液更加稳定。

其中，第二腔体122内的液体一般为水，起到清洁作用。第一容器11的底部设置排液口，以将第一腔体111内的液体排出。

在一个实施例中，当容器本体包括第一容器11和套设于第一容器11外侧的第二容器12，盖体13限制出气壁夹层133，盖体13构造有连通气壁夹层133与第一腔体111的第二连通口135，第二连通口135对应于第一容器11的内壁面。第一容器11内通入待处理气体，第一容器11的壁面容易出现粉尘堆积的问题，通过第二连通口135将第二辅助气体向第一容器11的壁面方向导流，有效清洁第一容器11的壁面。

其中，第一容器11包括内壁面和外壁面，外壁面与第二容器12限制出第二腔体122，内壁面限制出第一腔体111，主要是内壁面需要清洁，因此，第二连通口135朝向第一容器11的内壁面，保证内壁面的清洁效果。

在一个实施例中，参考图3、图4、图5、图7和图8所示，处理容器1内设有刮刀5，刮刀5连接于驱动件，驱动件适于驱动刮刀5沿第一容器11的周向转动。刮刀5沿第一容器11的周向转动的过程中，刮刀5将第一容器11表面沉积的粉尘刮落，通过刮刀5的作用力去除粉尘，使得粉尘的去除效果更好。

其中，刮刀5、气壁夹层133的第二辅助气体、第二腔体122的溢流液体三种方式配合，第二辅助气体和溢流液体可以冲刷掉刮刀5刮下的粉尘，可充分去除第一容器11沉积的粉尘，避免二次沉积，除尘效果好。溢流液体从第二腔体122通过第一间隙向第一腔体111溢流，并在第一容器11的内壁面形成水漫壁，冲刷刮刀5刮落的粉尘。

驱动件为防水电机，防水电机驱动刮刀5转动，或者，驱动件为步进式气缸，步进式气缸推动刮刀5步进以实现周向运动。当然，驱动件的形式不限于上述，其他能够驱动刮刀5周向运动的部件均可。

在一个实施例中，参考图4、图7和图8所示，刮刀5包括内刀部51、外刀部52和连接内刀部51与外刀部52的连接部53，连接部53与第一容器11朝向盖体13的表面相贴合或设有第二间隙，内刀部51与第一容器11的内壁面之间相贴合或设有第三间隙，外刀部52与第一容器11的外壁面之间相贴合或设有第四间隙。内刀部51用于刮除第一容器11内壁面的粉尘，外刀部52用于刮除第一容器11外壁面的粉尘，连接部53用于刮除第一容器11朝向盖体13的表面的粉尘，刮刀5可以充分去除多个表面的粉尘，全面除尘。参考图1至8所示，第一容器11朝向盖体13的表面可以理解为顶面。

参考图7和图8所示，刮刀5为倒勾型结构，内刀部51沿第一容器11的顶部向下延伸到底部，以充分刮除第一容器11内壁面的粉尘；外刀部52的长度较短，外刀部52仅在靠近盖体13的一端设置，去除第一容器11外壁面顶部的粉尘，减小外刀部52与溢流液体的接触面积，减小刮刀5的运动阻力；连接部53用于去除第一容器11顶面的粉尘。

其中，当内刀部51、外刀部52和连接部53中的至少一个与第一容器11的壁面之间设有间隙，可减小此部位的运动阻力。当内刀部51、外刀部52和连接部53中的至少一个贴合于第一容器11的壁面，有助于充分去除第一容器11表面的粉尘。第二间隙、第三间隙和第四间隙可根据需要调节。

在一个实施例中，第一进气管2为直管，光滑顺畅，减少流动阻力，有助于减少粉尘在第一进气管2内堆积。

在一个实施例中，第一辅助气体为非氧化性气体，第二辅助气体也为非氧化性气体，第一辅助气体与第二辅助气体的组分可以相同，具体可根据需要选择。

在一个实施例中，进气夹层31与氮气管路连接，可利用半导体生产系统中的氮气管路，无需额外设置其他管线，可简化结构。并且，半导体生产系统中多次引入氮气，不会额外增加气体杂质，氮气的稳定性好。其中，氮气的温度和压力可根据待处理气体的需要设置，需要保证氮气的温度高于待处理气体，氮气的流速足以促进待处理气体流动。针对第一进气管2进入的待处理气体温度降低结晶造成堵塞，采取热氮气加热，同时应用文丘里原理，在厂务负压状态下，第一进气管2内的制程废气快速旋转而下，热氮气带动制程废气加速进入第一腔体111，减少堵塞。

其中，盖体13上的第一连通口134也可以与氮气管路连通，将半导体生产系统中的氮气管路的氮气导入到气壁夹层133内，通过第二连通口135对第一容器11的内壁面进行清洁。针对第一进气管2的出口端的废气预氧反应生成SiO₂粉尘而堵塞，在气壁夹层133中通入高压氮气，高压氮气顺着气壁夹层133进行吹扫，第二连通口135排出的氮气形成一个圆形的气体隔层，防止氧气扩散到第一进气管2的出口端附近而造成工艺气体进行氧气反应，从而形成气壁保护，减少粉尘堆积。

上述实施例中的半导体制程废气处理设备，可有效减缓堵塞的速度，延长设备维护保养周期；提高设备运行效率以及设备利用率；降低人力成本。

以上实施方式仅用于说明本发明，而非对本发明的限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方案进行各种组合、修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围中。

Claims (10)

1.一种半导体制程废气处理设备，其特征在于，包括：

处理容器，限制出处理腔；

第一进气管，与所述处理腔连通并用于向所述处理腔内通入待处理气体；

第二进气管，套设于所述第一进气管的外侧并连接于所述处理容器，所述第二进气管设置气体进口，所述第二进气管与所述第一进气管之间形成进气夹层，所述进气夹层与所述处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，所述第一辅助气体的温度与流速中的至少一个高于所述待处理气体。

2.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述盖体限制出气壁夹层，所述气壁夹层位于所述处理腔内并与所述处理腔连通，所述盖体构造有与所述气壁夹层连通并用于向所述气壁夹层内通入第二辅助气体的第一连通口，所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述处理腔的第二连通口。

3.根据权利要求2所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述气壁夹层环绕于多个所述第一进气管的外周。

4.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述容器本体包括第一容器和套设于所述第一容器外侧的第二容器，所述第二容器密封连接于所述盖体，所述第一容器限制出第一腔体，所述第一进气管的出口端对应于所述第一腔体，所述第二容器在所述第一容器的外侧限制出第二腔体，所述第一容器与所述盖体之间设有连通所述第一腔体与所述第二腔体的第一间隙。

5.根据权利要求4所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述处理容器内设有刮刀，所述刮刀连接于驱动件，所述驱动件适于驱动所述刮刀沿所述第一容器的周向转动。

6.根据权利要求5所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述刮刀包括内刀部、外刀部和连接所述内刀部与所述外刀部的连接部，所述连接部与所述第一容器朝向所述盖体的表面相贴合或设有第二间隙，所述内刀部与所述第一容器的内壁面之间相贴合或设有第三间隙，所述外刀部与所述第一容器的外壁面之间相贴合或设有第四间隙。

7.根据权利要求4所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述盖体限制出气壁夹层，所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述第一腔体的第二连通口，所述第二连通口对应于所述第一容器的内壁面。

8.根据权利要求4所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述第二容器远离所述盖体的一端设有溢流进口。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述第一进气管为直管。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体制程废气处理设备，其特征在于，所述进气夹层与氮气管路连接。

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