CN112912427B - 导电性树脂组合物和半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个方式的导电性树脂组合物包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和自由基引发剂(C)。该自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下。

Description

导电性树脂组合物和半导体装置
技术领域
本发明涉及导电性树脂组合物和半导体装置。
背景技术
以往，作为用于在铜等引线框(lead frame)上芯片焊接(die bonding)IC、LSI等半导体元件的材料，例如含有金属颗粒的导电性树脂组合物的开发正在进行。作为对该导电性树脂组合物所要求的主要特性，有导电性和导热性。例如，在专利文献1中公开了：通过对板形银微颗粒进行烧结，与仅填充有通常的银粉的情况相比，能够提高导热率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-194013号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
近年来，分布在引线框中的导电性树脂组合物中所包含的树脂的渗出现象(称为EBO(环氧渗出：Epoxy bleed out))成为问题。当发生EBO时，会成为导电性树脂组合物的密合性降低，进而半导体封装的可靠性降低的主要原因。因此，作为EBO的对策，有时在引线框上形成被称作EBO抑制剂的表面处理层。
当在表面形成有EBO抑制剂的引线框上芯片焊接半导体元件时，由于隔着由EBO抑制剂构成的表面处理层，因此会产生引线框与半导体元件之间的剥离强度降低的新的技术问题。但是，在现有技术中，这样的技术问题未得到解决，关于导电性树脂组合物留有开发的余地。
本发明是鉴于上述情况而做出的，其提供一种能够提高在由EBO抑制剂实施了表面处理的金属框架上粘接半导体元件时的剥离强度的导电性树脂组合物。
用于解决技术问题的手段
根据本发明，提供一种导电性树脂组合物，其包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和自由基引发剂(C)，所述自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下。
并且，根据本发明，提供一种导电性树脂组合物，其包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和含氮杂环化合物(E)。
并且，根据本发明，提供一种半导体装置，其具有上述的导电性树脂组合物的固化物。
发明效果
采用本发明，能够提高在由EBO抑制剂实施了表面处理的金属框架上粘接半导体元件时的剥离强度。
附图说明
上述的目的和其他的目的、特征和优点，通过下面说明的优选的实施方式和附随于其的下述附图将会进一步明确。
图1是表示实施方式的半导体装置的截面图。
图2是表示芯片剥离强度的测定方法的示意图。
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式进行详细说明。另外，在本说明书中，数值范围的说明中的“a～b”的表述，只要没有特别说明，就表示a以上b以下。
下面说明的导电性树脂组合物，优选用作在由EBO抑制剂实施了表面处理的引线框等配线部件上芯片焊接半导体元件时的材料。
(实施方式1)
实施方式1的导电性树脂组合物包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和自由基引发剂(C)。自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下。下面，对本实施方式的导电性树脂组合物的各成分进行说明。另外，在下面的说明中，相对于导电性树脂组合物整体的含量，是指各成分的质量相对于除后述的溶剂以外的成分的合计质量的比例。
(Ag颗粒(A))
本实施方式的导电性树脂组合物中所包含的Ag颗粒(A)，通过对导电性树脂组合物进行热处理引起烧结从而形成颗粒连结结构。即，在对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物中，Ag颗粒(A)彼此相互熔接地存在。
由此，对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物，能够提高对引线框等配线部件和半导体元件的密合性和导电性。
另外，当在配线部件的表面涂敷有EBO抑制剂时，导电性树脂组合物中所包含的Ag颗粒(A)会穿破由EBO抑制剂构成的表面处理层而到达配线部件。由此，能够抑制EBO，并且使配线部件与半导体元件之间的导电性良好。
Ag颗粒(A)的形状没有特别限定，例如可以举出球状、片(flake)状和鳞片状等。在本实施方式中，更优选Ag颗粒(A)包含球状颗粒。由此，能够提高Ag颗粒(A)的烧结性。并且，还能够有助于提高烧结的均匀性。
另外，从降低成本的观点出发，也能够采用Ag颗粒(A)包含片状颗粒的方式。进而，从提高成本降低与烧结均匀性的平衡的观点出发，也可以是Ag颗粒(A)包含球状颗粒和片状颗粒这两者。
在本实施方式中，Ag颗粒(A)例如共计包含Ag颗粒(A)整体的90质量％以上100质量％以下的球状颗粒和片状颗粒，更优选包含95质量％以上100质量％以下的球状颗粒和片状颗粒。由此，能够更有效地提高烧结的均匀性。另外，从进一步提高烧结的均匀性的观点出发，Ag颗粒(A)例如更优选包含Ag颗粒(A)整体的90质量％以上100质量％以下的球状颗粒，进一步优选包含95质量％以上100质量％以下的球状颗粒。
在本实施方式中，Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D50优选为0.8μm以上，更优选为1.0μm以上，进一步优选为1.2μm以上。通过使Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D50为该数值以上，能够实现提高导热性。
另一方面，Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D50优选为5.0μm以下，更优选为4.5μm以下，进一步优选为4.0μm以下。通过使Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D50为该数值以下，能够提高Ag颗粒(A)之间的烧结性，从而能够实现提高烧结的均匀性。
当Ag颗粒(A)的粒径D50在由上述的上限值和下限值构成的范围内时，能够实现提高导热性，而且还能够实现提高烧结的均匀性。另外，上限值和下限值可以适当地组合。
Ag颗粒(A)的粒径例如可以通过使用希森美康株式会社(Sysmex Corporation)制造的流动式颗粒像分析装置FPIA(注册商标)-3000进行颗粒图像测量来确定。更具体而言，可以通过使用上述装置测量体积基准的中位直径来确定Ag颗粒(A)的粒径。
通过采用该条件，例如当存在粒径大的颗粒时，能够敏感地检测其影响，并且，即使是像本实施方式的Ag颗粒(A)那样窄的粒度分布的颗粒，也能够高精度地进行测定。
并且，在本实施方式的导电性树脂组合物中，Ag颗粒(A)的粒径的标准偏差被设定为2.0μm以下。通过这样将Ag颗粒(A)的粒径的标准偏差设定为上述的值以下，能够进一步提高烧结时的均匀性。
Ag颗粒(A)的粒径的标准偏差优选为1.9μm以下，更优选为1.8μm以下。
Ag颗粒(A)的粒径的标准偏差的下限值没有特别限定，例如为0.1μm以上，另外，考虑Ag颗粒(A)的易获得性等，也可以设定为0.3μm以上。
关于本实施方式的导电性树脂组合物中所包含的Ag颗粒(A)的D50和标准偏差，上述的Ag颗粒(A)的粒径的标准偏差除以Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D50所得的值优选为2.5以下，更优选为2.0以下，进一步优选为1.8以下。
通过这样设定粒径的标准偏差与D50的关系，能够消除作为Ag颗粒(A)整体的粒径的偏差，进一步提高烧结的均匀性。
Ag颗粒(A)的粒径的标准偏差除以Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D50所得的值的下限值没有特别限定，例如为0.1以上。
导电性树脂组合物中的Ag颗粒(A)的含量，例如相对于导电性树脂组合物整体优选为40质量％以上，更优选为50质量％以上。由此，能够提高Ag颗粒(A)的烧结性，有助于提高导热性和导电性。
另一方面，导电性树脂组合物中的Ag颗粒(A)的含量，例如相对于导电性树脂组合物整体优选为90质量％以下，更优选为80质量％以下。由此，能够有助于提高导电性树脂组合物整体的涂敷作业性、对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物的机械强度等。
(基础树脂(B))
基础树脂(B)为选自丙烯酸树脂和环氧树脂中的至少1种。
作为丙烯酸树脂，例如可以举出由(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸正十八酯、(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸酯单体中的1种构成的均聚物和由2种以上构成的共聚物。
作为环氧树脂，例如可以举出联苯型环氧树脂、双酚型环氧树脂、(甲基)丙烯酸酯系环氧树脂、脂环式系环氧树脂和缩水甘油酯系环氧树脂等，可以使用这些之中的1种或将2种以上组合使用。
导电性树脂组合物中所包含的基础树脂(B)的含量，例如相对于导电性树脂组合物整体优选为3质量％以上，更优选为5质量％以上，进一步优选为8质量％以上。由此，能够更有效地提高烧结的均匀性。并且，还能够有助于提高对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物的机械强度等。另一方面，导电性树脂组合物中所包含的基础树脂(B)的含量，例如相对于导电性树脂组合物整体优选为60质量％以下，更优选为55质量％以下，进一步优选为50质量％以下。由此，能够有助于提高Ag颗粒(A)的烧结性。
当导电性树脂组合物中所包含的基础树脂(B)的含量在由上述的上限值和下限值构成的范围内时，能够更有效地提高烧结的均匀性，并且，还能够有助于进一步提高Ag颗粒(A)的烧结性。另外，上限值和下限值可以适当地组合。
(自由基引发剂(C))
自由基引发剂(C)可以使用促进基础树脂(B)的聚合反应的自由基引发剂。由此，能够有助于提高使用导电性树脂组合物得到的固化物的机械特性。
自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下。当自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上时，在对导电性树脂组合物进行加热时，在自由基引发剂(C)分解之前，覆盖引线框等配线部件的表面的EBO抑制剂容易熔化，导电性树脂组合物与EBO抑制剂的粘接性提高，进而，半导体元件与金属框架的剥离强度提高，并且导电性树脂组合物中的Ag颗粒(A)容易穿破由EBO抑制剂构成的表面处理层而到达配线部件。另一方面，当自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为120℃以下时，能够缩短至固化为止的时间，并且，未固化的树脂成分变少，半导体元件与金属框架的剥离强度提高。
作为具有这样的10小时半衰期温度的自由基引发剂(C)，可以举出选自酮过氧化物类、过氧缩酮类、氢过氧化物类、二烷基过氧化物类、二酰基过氧化物类、过氧酯类和过氧二碳酸酯类中的至少1种。
作为酮过氧化物类，可以举出甲基乙基酮过氧化物(10小时半衰期温度：110℃)等。作为过氧缩酮类，可以举出4,4-二-(叔丁基过氧)戊酸正丁酯(n-Butyl 4,4-di-(t-butylperoxy)valerate)(10小时半衰期温度：100℃)等。作为氢过氧化物类，可以举出对烷过氧化氢(p-Menthane hydroperoxide)(10小时半衰期温度：120℃)等。作为二烷基过氧化物类，可以举出二-α-异丙苯基过氧化物(10小时半衰期温度：120℃)等。作为过氧酯类，可以举出过氧化苯甲酸叔丁酯(t-Butyl peroxybenzoate)(10小时半衰期温度：100℃)等。
导电性树脂组合物中所包含的自由基引发剂(C)的含量，例如相对于基础树脂(B)100质量份可以为25质量份以下。另外，导电性树脂组合物中所包含的自由基引发剂(C)的含量，相对于上述基础树脂(B)100质量份可以为超过0质量份。从提高对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物的机械特性的观点出发，例如自由基引发剂(C)相对于上述基础树脂(B)100质量份的含量可以为0.1质量份以上。
(溶剂)
本实施方式的导电性树脂组合物例如可以包含溶剂。由此，能够提高导电性树脂组合物的流动性，有助于提高作业性。
溶剂没有特别限定，例如可以包含选自乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、甲基甲氧基丁醇、α-萜品醇、β-萜品醇、己二醇、苄醇、2-苯基乙醇、异棕榈醇、异硬脂醇、月桂醇、乙二醇、丙二醇或甘油等醇类；丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、二丙酮醇(4-羟基-4-甲基-2-戊酮)、2-辛酮、异氟尔酮(3,5,5-三甲基-2-环己烯-1-酮)或二异丁基酮(2,6-二甲基-4-庚酮)等酮类；乙酸乙酯、乙酸丁酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丁酯、乙酰氧基乙烷、丁酸甲酯、己酸甲酯、辛酸甲酯、癸酸甲酯、甲基溶纤剂乙酸酯、乙二醇单丁醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、1,2-二乙酰氧基乙烷、磷酸三丁酯、磷酸三甲苯酯或磷酸三戊酯等酯类；四氢呋喃、二丙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、丙二醇二甲醚、乙氧基乙醚、1,2-双(2-二乙氧基)乙烷或1,2-双(2-甲氧基乙氧基)乙烷等醚类；乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙烷等酯醚类；2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇等醚醇类、甲苯、二甲苯、正链烷烃、异链烷烃、十二烷基苯、松节油、煤油或轻油等烃类；乙腈或丙腈等腈类；乙酰胺或N,N-二甲基甲酰胺等酰胺类；低分子量的挥发性硅油或挥发性有机改性硅油等硅油类中的1种或2种以上。
通过将上面说明的导电性树脂组合物的固化物用作由EBO抑制剂进行了表面处理的引线框等配线部件与半导体元件的粘接层，能够提高配线部件与半导体元件的密合性，换言之，能够提高芯片剥离强度。
并且，能够实现提高配线部件与半导体元件的导电性，并且能够利用EBO抑制剂抑制导电性树脂组合物中所包含的基础树脂(B)渗出。
本实施方式的导电性树脂组合物除了上述的成分(A)、(B)和(C)以外，还可以包含单体(D)和/或含氮杂环化合物(E)。
(单体(D))
本实施方式的导电性树脂组合物所具有的单体(D)为选自丙烯酸单体、(甲基)丙烯酸单体和共轭烯烃中的至少1种。
作为丙烯酸单体，可以举出1,4-环己烷二甲醇单丙烯酸酯、1,6己二醇二甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸2-苯氧基乙酯等。
作为(甲基)丙烯酸单体，可以举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸正十八酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
作为共轭烯烃，可以举出丁二烯、异戊二烯、戊间二烯(piperylene)、1,4-二甲基丁二烯、反式-2-甲基-1,3-戊二烯、1,2-二亚甲基环己烷、环戊二烯等。
本实施方式的导电性树脂组合物中所包含的单体(D)的含量，相对于导电性树脂组合物整体优选为2质量％以上，更优选为4质量％以上，进一步优选为6质量％以上。并且，导电性树脂组合物中所包含的单体(D)的含量，相对于导电性树脂组合物整体优选为25质量％以下，更优选为20质量％以下，进一步优选为15质量％以下。通过使导电性树脂组合物中所包含的单体(D)的含量在上述范围，能够有助于提高对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物的机械强度等。另外，上限值和下限值可以适当地组合。
(含氮杂环化合物(E))
本实施方式的导电性树脂组合物所具有的含氮杂环化合物(E)为选自三嗪、三唑、三聚异氰酸和它们的衍生物中的至少1种。
作为三聚异氰酸的衍生物，可以举出三(2-羟基乙基)三聚异氰酸酯三丙烯酸酯。
本实施方式的导电性树脂组合物中所包含的含氮杂环化合物(E)的含量，相对于导电性树脂组合物整体优选为0.05质量％以上，更优选为0.10质量％以上，进一步优选为0.15质量％以上。并且，导电性树脂组合物中所包含的含氮杂环化合物(E)的含量，相对于导电性树脂组合物整体优选为5质量％以下，更优选为3质量％以下，进一步优选为1质量％以下。通过使导电性树脂组合物中所包含的含氮杂环化合物(E)的含量在上述范围，能够提高配线部件与半导体元件的密合性。另外，上限值和下限值可以适当地组合。
(实施方式2)
实施方式2的导电性树脂组合物包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和单体(D)。本实施方式的Ag颗粒(A)和基础树脂(B)与实施方式1相同。另外，本实施方式的导电性树脂组合物可以与实施方式1同样地包含溶剂。下面，对实施方式2的导电性树脂组合物的与实施方式1不同的构成进行说明。
本实施方式的导电性树脂组合物中所包含的单体(D)的含量，相对于导电性树脂组合物整体优选为2质量％以上，更优选为4质量％以上，进一步优选为6质量％以上。并且，导电性树脂组合物中所包含的单体(D)的含量，相对于导电性树脂组合物整体优选为25质量％以下，更优选为20质量％以下，进一步优选为15质量％以下。通过使导电性树脂组合物中所包含的单体(D)的含量在上述范围，能够有助于提高对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物的机械强度等。另外，上限值和下限值可以适当地组合。
采用本实施方式的导电性树脂组合物，能够得到与实施方式1相同的效果，并且通过利用加热使单体(D)聚合，能够实现对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物的机械强度等的进一步提高。
(实施方式3)
实施方式3的导电性树脂组合物包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和含氮杂环化合物(E)。本实施方式的Ag颗粒(A)和基础树脂(B)与实施方式1相同。另外，本实施方式的导电性树脂组合物可以与实施方式1同样地包含溶剂。下面，对实施方式3的导电性树脂组合物的与实施方式1不同的构成进行说明。
在本实施方式中，通过组合包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和含氮杂环化合物(E)。
本实施方式的导电性树脂组合物中所包含的含氮杂环化合物(E)的含量，相对于导电性树脂组合物整体优选为0.05质量％以上，更优选为0.10质量％以上，进一步优选为0.15质量％以上。并且，导电性树脂组合物中所包含的含氮杂环化合物(E)的含量，相对于导电性树脂组合物整体优选为5质量％以下，更优选为3质量％以下，进一步优选为1质量％以下。通过使导电性树脂组合物中所包含的含氮杂环化合物(E)的含量在上述范围，能够提高配线部件与半导体元件的密合性。另外，上限值和下限值可以适当地组合。
采用本实施方式的导电性树脂组合物，能够得到与实施方式1相同的效果，并且能够利用含氮杂环化合物(E)的作用来实现配线部件与半导体元件的密合性的进一步提高。
(半导体装置)
下面，对实施方式的半导体装置的例子进行说明。
图1是表示实施方式的半导体装置100的截面图。本实施方式的半导体装置100包括：基材30；和经由粘接剂层(芯片粘结层10)搭载于基材30上的半导体元件20，其中，上述粘接剂层由对上述的导电性树脂组合物进行热处理而得到的固化物构成。半导体元件20与基材30例如经由接合线40等电连接。并且，半导体元件20例如由密封树脂50密封。芯片粘结层10的膜厚没有特别限定，例如为5μm以上100μm以下。
在图1所示的例子中，基材30例如为引线框。在该情况下，半导体元件20经由芯片粘结层10搭载于芯片焊盘32(30)上。另外，芯片焊盘32(30)的表面利用EBO抑制剂实施了表面处理，芯片粘结层10中的烧结了的银颗粒穿破EBO抑制剂而到达芯片焊盘32(30)的表面。EBO抑制剂没有特别限定，可以使用通常流通中的市售品。
半导体元件20例如经由接合线40与外部引线34(30)电连接。作为引线框的基材30例如由42合金、Cu框架构成。另外，基材30可以为有机基板或陶瓷基板。作为有机基板，例如优选为使用环氧树脂、氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂等的本领域技术人员公知的基板。
半导体元件20的平面形状没有特别限定，例如为矩形。在本实施方式中，例如可以采用具有0.5mm见方以上15mm见方以下的芯片尺寸的矩形形状的半导体元件20。
上面说明的半导体装置100，通过使用对上述的导电性树脂组合物进行热处理而得到的固化物作为粘接剂层，能够实现提高导电性和抑制导电性树脂组合物中的基础树脂的渗出，并且能够提高半导体元件20与芯片焊盘32(30)的密合性。
上面，对本发明的实施方式进行了说明，但是这些为本发明的例示，也可以采用上述以外的各种构成。
[实施例]
下面，利用实施例和比较例对本发明进行说明，但是本发明并不受它们限定。
(导电性树脂组合物的制备)
制备实施例1至3和比较例1的导电性树脂组合物。该制备通过按照表1所示的配方将各成分混合并使用3个辊进行搅拌之后，以2mmHg进行30分钟消泡处理来进行。表1所示的成分的详细情况如下。
[表1]
(Ag颗粒(A))
Ag颗粒1：Ag-DSB-114，DOWA HIGHTECH CO.,LTD.制造，D50：0.7μm
(基础树脂(B))
基础树脂1：通过下述步骤制作丙烯酸聚合物溶液。将UG4035(东亚合成株式会社(TOAGOSEI CO.,LTD.)制造)4.4质量份和LIGHT ESTER PO(共荣社化学株式会社(KyoeishaChemical Co.,Ltd.)制造)4.4质量份加热至100℃并搅拌，得到均匀的溶液。
基础树脂2：修饰聚丁二烯(RICOBOND1731，克雷威利公司(Cray Valley S.A.)制造)
基础树脂3：烯丙基聚合物(SBM-8C03，关东化学株式会社(Kanto Chemical Co.,Inc.)制造)
(单体(D))
单体1：甲基丙烯酸苯氧基乙酯(LIGHT ESTER PO，共荣社化学株式会社制造)
单体2：1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯(LIGHT ESTER 1，6Hex，共荣社化学株式会社制造)
单体3：1,4-环己烷二甲醇单丙烯酸酯(CHDMMA，日本化成株式会社(Nippon KaseiChemical Co.,Ltd.)制造)
(含氮杂环化合物(E))
含氮杂环化合物1：三(2-羟基乙基)三聚异氰酸酯三丙烯酸酯(SR-368，阿科玛公司(Arkema S.A.)制造)
(自由基引发剂(C))
自由基引发剂1：Perhexa C(s)，日油株式会社(NOF CORPORATION)制造(10小时半衰期温度：91℃，1,1-二(叔丁基过氧)环己烷)
自由基引发剂2：Perkadox BC，化药AKZO株式会社(KAYAKU AKZO CO.,LTD.)制造(10小时半衰期温度：117℃，二-α-异丙苯基过氧化物)
(剥离强度测定)
利用下述所示的方法对所得到的各导电性树脂组合物的特性(芯片剥离强度)进行调查。
将导电性树脂组合物以20μm厚度涂敷在由Anti-EBO剂(新光电气株式会社(Shinko Electric Co.,Ltd.)制造)进行了表面处理的铜框架上，并在其上安装2mm×2mm的半导体芯片。用30分钟从30℃升温至175℃，在175℃使其加热固化1小时，将上述样品在260℃的板上放置20秒，在该状态下利用接合强度测试仪(bond tester)(DAGE 4000P型)测定芯片剥离强度。图2是表示芯片剥离强度的测定方法的示意图。半导体芯片220经由导电性树脂组合物210粘接在由Anti-EBO剂进行了表面处理的铜框架200上。将治具230抵靠在半导体芯片220的侧面并在图2所示的箭头方向施加力，由此求出芯片剥离强度。将所得到的结果示于表2。
[表2]
比较例1 实施例1 实施例2 实施例3
芯片剥离强度[N] 10 13 18 20
如表2所示，确认了：与比较例1的导电性树脂组合物相比，实施例1至3的导电性树脂组合物提高了芯片剥离强度。
本申请以2018年10月24日申请的日本申请特愿2018-200424号为基础主张优先权，并将其全部公开内容援用于此。

Claims (7)

1.一种导电性树脂组合物，其特征在于，包含：
Ag颗粒(A)；
基础树脂(B)；
自由基引发剂(C)；和
单体(D)，
所述自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下，
所述自由基引发剂(C)为选自甲基乙基酮过氧化物、4,4-二-(叔丁基过氧)戊酸正丁酯、对烷过氧化氢和二-α-异丙苯基过氧化物中的至少1种，
所述Ag颗粒(A)的含量相对于该导电性树脂组合物整体为40质量％以上90质量％以下，
所述基础树脂(B)的含量相对于该导电性树脂组合物整体为3质量％以上55质量％以下，
所述自由基引发剂(C)的含量相对于该基础树脂(B)100质量份为0.1质量份以上25质量份以下，
所述单体(D)的含量相对于该导电性树脂组合物整体为2质量％以上25质量％以下。
2.根据权利要求1所述的导电性树脂组合物，其特征在于：
单体(D)为选自丙烯酸单体、(甲基)丙烯酸单体和共轭烯烃中的至少1种。
3.根据权利要求1或2所述的导电性树脂组合物，其特征在于：
还包含含氮杂环化合物(E)。
4.根据权利要求3所述的导电性树脂组合物，其特征在于：
含氮杂环化合物(E)为选自三嗪、三唑、三聚异氰酸和它们的衍生物中的至少1种。
5.根据权利要求1或2所述的导电性树脂组合物，其特征在于：
所述基础树脂(B)为选自丙烯酸树脂和环氧树脂中的至少1种。
6.一种半导体装置，其特征在于：
具有权利要求1至5中任一项所述的导电性树脂组合物的固化物。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，包括：
引线框，其由环氧渗出抑制剂进行了表面处理；
粘接剂层，其由权利要求1至5中任一项所述的导电性树脂组合物的固化物构成；和
半导体元件，其经由所述粘接剂层搭载于所述引线框上。
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