JPWO2020085372A1 - 導電性樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
EBO防止剤が表面に設けられたリードフレームに半導体素子をダイボンディングする場合に、EBO防止剤で構成される表面処理層が介在することにより、リードフレームと半導体素子との間の剥離強度が低下するという課題が新たに生じる。しかし、従来技術では、このような課題が未解決のままであり、導電性樹脂組成物に関して開発の余地が残されている。
本発明は、このような事情を鑑みなされたものであり、半導体素子をEBO防止剤で表面処理が施された金属フレームに接着したときの剥離強度を向上させることができる導電性樹脂組成物を提供する。
実施形態1に係る導電性樹脂組成物は、Ag粒子(A)と、ベース樹脂(B)と、ラジカル開始剤(C)と、を含む。ラジカル開始剤(C)の10時間半減期温度は100℃以上120℃以下である。以下、本実施形態の導電性樹脂組成物の各成分について説明する。なお、以下の説明において、導電性樹脂組成物全体に対する含有量とは、後述する溶媒を除く成分の合計質量に対する各成分の質量の割合を指す。
本実施形態の導電性樹脂組成物に含まれるAg粒子(A)は、導電性樹脂組成物に対して熱処理することによりシンタリングを起こして粒子連結構造を形成する。すなわち、導電性樹脂組成物を加熱して得られる硬化物において、Ag粒子(A)同士は互いに融着して存在する。
これにより、導電性樹脂組成物を加熱して得られる硬化物について、リードフレームなどの配線部材や半導体素子に対する密着性および導電性を向上させることができる。
なお、配線部材の表面に、EBO防止剤が塗布されている場合には、導電性樹脂組成物に含まれるAg粒子(A)がEBO防止剤で構成される表面処理層を突き破り、配線部材に達する。これにより、EBOを抑制しつつ、配線部材と半導体素子との間の導電性を良好にすることができる。
また、コストを低減させる観点からは、Ag粒子(A)がフレーク状粒子を含む態様を採用することもできる。さらには、コストの低減とシンタリングの均一性のバランスを向上させる観点から、Ag粒子(A)が球状粒子とフレーク状粒子の双方を含んでいてもよい。
かかる条件を採用することで、たとえば粒径の大きい粒子が存在した場合に、その影響を敏感に検知することができ、また、本実施形態のAg粒子(A)のように狭い粒度分布の粒子であっても精度高く測定を行うことができる。
Ag粒子(A)の粒径の標準偏差は1.9μm以下であることが好ましく、1.8μm以下であることがより好ましい。
Ag粒子(A)の粒径の標準偏差の下限値は特に限定されるものではないが、たとえば、0.1μm以上であり、また、Ag粒子(A)の入手容易性等を考慮し、0.3μm以上に設定することもできる。
粒径の標準偏差とD50との関係をこのように設定することにより、Ag粒子(A)全体の粒径としてのばらつきをなくし、一段とシンタリングの均一性を向上させることができる。
Ag粒子(A)の粒径の標準偏差を、Ag粒子(A)の体積基準の累積分布における50%累積時の粒径D50で除した値の下限値は特に限定されるものではないが、たとえば、0.1以上である。
一方で、導電性樹脂組成物中におけるAg粒子(A)の含有量は、たとえば導電性樹脂組成物全体に対して90質量%以下であることが好ましく、80質量%以下であることがより好ましい。これにより、導電性樹脂組成物全体の塗布作業性や、導電性樹脂組成物を加熱して得られる硬化物の機械強度等の向上に寄与することができる。
ベース樹脂(B)はアクリル樹脂、エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種である。
ラジカル開始剤(C)は、ベース樹脂(B)の重合反応を促進させるものを用いることができる。これにより、導電性樹脂組成物を用いて得られる硬化物の機械特性の向上に寄与することができる。
本実施形態に係る導電性樹脂組成物は、たとえば溶剤を含むことができる。これにより、導電性樹脂組成物の流動性を向上させ、作業性の向上に寄与することができる。
また、配線部材と半導体素子との導電性の向上を図るとともに、EBO防止剤により導電性樹脂組成物に含まれるベース樹脂(B)が滲み出すことを抑制することができる。
モノマー(D)および/または窒素含複素環化合物(E)を含むことができる。
本実施形態の導電性樹脂組成物が有するモノマー(D)はアクリルモノマー、(メタ)アクリルモノマー、共役オレフィンからなる群より選ばれる少なくとも1種である。
アクリルモノマーとしては、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート、1.6ヘキサンジオールジメタクリレート、2−フェノキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
(メタ)アクリルモノマーとしては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、n−ステアリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
共役オレフィンとしては、ブタジエン、イソプレン、ピペリレン、1,4−ジメチルブタジエン、トランス−2−メチル−1,3−ペンタジエン、1,2−ジメチレンシクロヘキサン、シクロペンタジエン等が挙げられる。
本実施形態の導電性樹脂組成物が有する窒素含複素環化合物(E)はトリアジン、トリアゾール、イソシアヌル酸、またはこれらの誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種である。
イソシアヌル酸の誘導体として、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリアクリレートが挙げられる。
本実施形態の導電性樹脂組成物中に含まれる窒素含複素環化合物(E)の含有量は、導電性樹脂組成物全体に対して0.05質量%以上であることが好ましく、0.10質量%以上であることがより好ましく、0.15質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中に含まれる窒素含複素環化合物(E)の含有量は、導電性樹脂組成物全体に対して5質量%以下であることが好ましく、3質量%以下であることがより好ましく、1質量%以下であることがさらに好ましい。導電性樹脂組成物中に含まれる窒素含複素環化合物(E)の含有量を上記範囲とすることで、配線部材および半導体素子との密着性を向上させることができる。なお、上限値と下限値は適宜組み合わせることができる。
実施形態2に係る導電性樹脂組成物は、Ag粒子(A)と、ベース樹脂(B)と、モノマー(D)と、を含む。本実施形態のAg粒子(A)およびベース樹脂(B)は、実施形態1と同様である。なお、本実施形態の導電性樹脂組成物は、実施形態1と同様に溶媒を含んでもよい。以下、実施形態2に係る導電性樹脂組成物について、実施形態1と異なる構成を説明する。
本実施形態の導電性樹脂組成物によれば、実施形態1と同様な効果を得つつ、加熱によりモノマー(D)が重合することにより、導電性樹脂組成物を加熱して得られる硬化物の機械強度等のさらなる向上を図ることができる。
実施形態3に係る導電性樹脂組成物は、Ag粒子(A)と、ベース樹脂(B)と、窒素含複素環化合物(E)と、を含む。本実施形態のAg粒子(A)およびベース樹脂(B)は、実施形態1と同様である。なお、本実施形態の導電性樹脂組成物は、実施形態1と同様に溶媒を含んでもよい。以下、実施形態3に係る導電性樹脂組成物について、実施形態1と異なる構成を説明する。
本実施形態においては、Ag粒子(A)と、ベース樹脂(B)と、窒素含複素環化合物(E)とを組み合わせて含むことにより
本実施形態の導電性樹脂組成物によれば、実施形態1と同様な効果を得つつ、窒素含複素環化合物(E)の作用により、配線部材および半導体素子との密着性のさらなる向上を図ることができる。
次に、実施形態に係る半導体装置の例について説明する。
図1は、実施形態に係る半導体装置100を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置100は、基材30と、上述した導電性樹脂組成物を熱処理して得られる硬化物で構成される接着剤層(ダイアタッチ層10)を介して基材30上に搭載された半導体素子20と、を備えている。半導体素子20と基材30は、たとえばボンディングワイヤ40等を介して電気的に接続される。また、半導体素子20は、たとえば封止樹脂50により封止される。ダイアタッチ層10の膜厚は、特に限定されないが、たとえば5μm以上100μm以下である。
実施例1乃至3および比較例1について、導電性樹脂組成物を調製した。この調製は、表1に示す配合に従い各成分を混合し、3本ロールを用いて攪拌した後、2mmHgで30分間脱泡処理を行うことにより行った。なお、表1に示す成分の詳細は以下のとおりである。
Ag粒子1:Ag−DSB−114、DOWAハイテック社製、D50:0.7μm
ベース樹脂1:アクリルポリマー溶液を以下の手順にて作製した。UG4035(東亞合成株式会社製)4.4質量部、ライトエステルPO(共栄社化学株式会社製)4.4質量部を100℃に加熱、攪拌し、均一な溶液を得た。
ベース樹脂2:修飾ポリブタジエン(RICOBOND1731、Cray Valley社製)
ベース樹脂3:アリルポリマー(SBM−8C03、関東化学株式会社製)
モノマー1:フェノキシエチルメタクリレート(ライトエステルPO、共栄社化学株式会社製)
モノマー2:1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(ライトエステル1、6Hex、共栄社化学株式会社製)
モノマー3:1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(CHDMMA、日本化成株式会社製)
窒素含複素環化合物1:トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリアクリレート(SR−368、アルケマ株式会社製)
ラジカル開始剤1:パーヘキサC(s)、日油株式会社製(10時間半減期温度:91℃、1,1−ジ(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン)
ラジカル開始剤2:パーカドックスBC、化薬アクゾ株式会社製(10時間半減期温度:117℃、ジ−α−クミルパ-オキサイド)
得られた各導電性樹脂組成物の特性(チップ剥離強度)を下記に示す方法で調べた。
導電性樹脂組成物をAnti−EBO剤(新光電気社製)で表面処理を行った銅フレーム上に20μm厚に塗布し、その上に2mm×2mmの半導体チップをマウントした。30℃から175℃に30分で昇温し、175℃で1時間加熱硬化させ、260℃のプレート上に上記サンプルを20秒置き、その状態でボンドテスター(DAGE 4000P型)によりチップ剥離強度を測定した。図2は、チップ剥離強度の測定方法を示す模式図である。半導体チップ220は、Anti−EBO剤で表面処理された銅フレーム200の上に導電性樹脂組成物210を介して接着されている。半導体チップ220の側面に治具230を押し当て、図2に示した矢印方向に力を加えることにより、チップ剥離強度を求めた。得られた結果を表2に示す。
Claims (12)
- Ag粒子(A)と、
ベース樹脂(B)と、
ラジカル開始剤(C)と、
を含み、
前記ラジカル開始剤(C)の10時間半減期温度が100℃以上120℃以下である、導電性樹脂組成物。 - 前記ラジカル開始剤(C)がケトンパーオキサイド類、パーオキシケタール類、ハイドロパーオキサイド類、ジアルキルパーオキサイド類、ジアシルパーオキサイド類、およびパーオキシジカーボネート類からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の導電性樹脂組成物。
- さらに、モノマー(D)を含む、請求項1または2に記載の導電性樹脂組成物。
- モノマー(D)は、アクリルモノマー、(メタ)アクリルモノマー、および共役オレフィンからなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項3に記載の導電性樹脂組成物。
- さらに、窒素含複素環化合物(E)を含む、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の導電性樹脂組成物。
- 窒素含複素環化合物(E)がトリアジン、トリアゾール、イソシアヌル酸、およびこれらの誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項5に記載の導電性樹脂組成物。
- Ag粒子(A)と、
ベース樹脂(B)と、
窒素含複素環化合物(E)と、
を含む導電性樹脂組成物。 - 前記窒素含複素環化合物(E)がトリアジン、トリアゾール、イソシアヌル酸、またはこれらの誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項7に記載の導電性樹脂組成物。
- 前記ベース樹脂(B)がアクリル樹脂、エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1乃至8のいずれか1項に記載の導電性樹脂組成物。
- Ag粒子(A)の含有量が当該導電性樹脂組成物全体に対して、40質量%以上90質量%以下である、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の導電性樹脂組成物。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の導電性樹脂組成物の硬化物を有する半導体装置。
- エポキシブリードアウト防止剤で表面処理されたリードフレームと、
請求項1乃至10のいずれか1項に記載の導電性樹脂組成物の硬化物からなる接着剤層と、
前記接着剤層を介して前記リードフレーム上に搭載された半導体素子と、
備える、請求項11に記載の半導体装置。
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