JPH07101696B2 - 半導体素子塔載用セラミック基板 - Google Patents
半導体素子塔載用セラミック基板Info
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- JPH07101696B2 JPH07101696B2 JP63171395A JP17139588A JPH07101696B2 JP H07101696 B2 JPH07101696 B2 JP H07101696B2 JP 63171395 A JP63171395 A JP 63171395A JP 17139588 A JP17139588 A JP 17139588A JP H07101696 B2 JPH07101696 B2 JP H07101696B2
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 イ．発明の目的 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体阻止搭載用セラミック基板に関する。
［従来の技術］ 従来、半導体素子をセラミック基板に接着、搭載する方
式はAu−Si共晶法が主流であつた。しかし、コスト面や
半導体素子の大型化に伴って最近では金属−ガラス、金
属−樹脂等の複合材料を主体としたペースト状の接着剤
を用いて、半導体素子を接着、搭載する方法がとられる
ようになってきた。このような方法を採用する場合は工
程中において、ガラスの場合では温度を上げてガラスを
軟化させて素子を搭載するとか、また樹脂の場合では温
度を上げてキュアリングすることを必要とする。
式はAu−Si共晶法が主流であつた。しかし、コスト面や
半導体素子の大型化に伴って最近では金属−ガラス、金
属−樹脂等の複合材料を主体としたペースト状の接着剤
を用いて、半導体素子を接着、搭載する方法がとられる
ようになってきた。このような方法を採用する場合は工
程中において、ガラスの場合では温度を上げてガラスを
軟化させて素子を搭載するとか、また樹脂の場合では温
度を上げてキュアリングすることを必要とする。
［発明が解決しようとする課題］ 上記の課題として、それぞれの場合において、温度の昇
温時に接着剤中の金属粒子がガラスまたは樹脂と共に拡
がって行き、ブリード現象を引き起こす。まあ、キャビ
ティの場合でも接着剤はワイヤボンド部にまで達して、
ワイヤボンド性を損なったり、配線をショートさせる等
の問題点があった。
温時に接着剤中の金属粒子がガラスまたは樹脂と共に拡
がって行き、ブリード現象を引き起こす。まあ、キャビ
ティの場合でも接着剤はワイヤボンド部にまで達して、
ワイヤボンド性を損なったり、配線をショートさせる等
の問題点があった。
この発明はブリード現象を改良して、上述の問題点を取
り除くことを目的とする。
り除くことを目的とする。
ロ．発明の構成 ［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するため、本発明はセラミック基板の
半導体素子を接着、搭載する部分をカップリング剤もし
くはアルキルアミン脂肪酸により表面処理することを特
徴とする半導体搭載用セラミック基板である。
半導体素子を接着、搭載する部分をカップリング剤もし
くはアルキルアミン脂肪酸により表面処理することを特
徴とする半導体搭載用セラミック基板である。
［作用］ カップリング剤はＲ−Si（OR）３で表されるアルコキシ
ル基を持つ表面処理剤であり、有機官能基であるＲは反
応性希釈剤やエポキシ樹脂と化学結合するため、また無
機官能基ORはアルミナ、シリカ等や金、銀等の金属面と
化学結合するため、反応性希釈剤を含んだ樹脂マトリッ
クスの粘度が低下しても、接着剤の拡がり現象を押さえ
る性能をもっている。また、アルキルアミン脂肪酸は で表され、カップリング剤と同様の作用がある。
ル基を持つ表面処理剤であり、有機官能基であるＲは反
応性希釈剤やエポキシ樹脂と化学結合するため、また無
機官能基ORはアルミナ、シリカ等や金、銀等の金属面と
化学結合するため、反応性希釈剤を含んだ樹脂マトリッ
クスの粘度が低下しても、接着剤の拡がり現象を押さえ
る性能をもっている。また、アルキルアミン脂肪酸は で表され、カップリング剤と同様の作用がある。
そのため、この表面処理剤を半導体素子搭載面の処理に
用いることによって、接着剤の昇温時の拡がりを防止す
る。
用いることによって、接着剤の昇温時の拡がりを防止す
る。
［実施例］ 以下実施例を説明する。
実施例１ 表面処理液［カップリング剤Ｒ−Si（OR）」を調整す
る。すなわち、イソプロピルアルコール中にその濃度が
0.5重量％になるようにシラン系カップリング剤（例え
ば商品名KBM−403）を加えてよく混合して表面処理液と
する。
る。すなわち、イソプロピルアルコール中にその濃度が
0.5重量％になるようにシラン系カップリング剤（例え
ば商品名KBM−403）を加えてよく混合して表面処理液と
する。
次に、サンプルとしてピングリッドアレイ（以下PGAと
いう）を用いて、次の３種類の半導体素子搭載部が表
面粗度0.7μmRaのAuメッキを施した試料、表面粗度1.
2μmRaのAgを焼き付けた試料、表面粗度0.4〜0.5μmR
aのアルミナセラミックそのままの試料に、前記表面処
理液を施して100℃、30分間乾燥させた。これ等の試料
を用いて接着剤の拡がり具合を調べた。
いう）を用いて、次の３種類の半導体素子搭載部が表
面粗度0.7μmRaのAuメッキを施した試料、表面粗度1.
2μmRaのAgを焼き付けた試料、表面粗度0.4〜0.5μmR
aのアルミナセラミックそのままの試料に、前記表面処
理液を施して100℃、30分間乾燥させた。これ等の試料
を用いて接着剤の拡がり具合を調べた。
用いた接着剤は金属−樹脂複合材料のAg−エポキシペー
ストを選び、約10mgrを滴下して滴下面積がそれ以上拡
大しない平衡状態時のペーストの径（Ａとする）を測定
し、150℃、30分間キュアリングを行い、キュアー後の
径（Ｂとする）を測定し、その比率（B/A）をブリード
値（拡がり値）として、その結果を第１表に示した。
ストを選び、約10mgrを滴下して滴下面積がそれ以上拡
大しない平衡状態時のペーストの径（Ａとする）を測定
し、150℃、30分間キュアリングを行い、キュアー後の
径（Ｂとする）を測定し、その比率（B/A）をブリード
値（拡がり値）として、その結果を第１表に示した。
実施例２ 表面処理液［アルキルアミン脂肪酸系］を調整する。す
なわち、フロンまたは石油系用剤にその濃度が0.01、0.
1、0.5重量％になるようにして表面処理液とする。
なわち、フロンまたは石油系用剤にその濃度が0.01、0.
1、0.5重量％になるようにして表面処理液とする。
そのほかは、実施例１と同様の方法で行い、その結果を
第２表に示した。
第２表に示した。
なお、アルキルアミン脂肪酸の添加量は0.01重量％未満
では効果が少なく、また0.5重量％を越えるとシミとな
る。
では効果が少なく、また0.5重量％を越えるとシミとな
る。
ハ，発明の効果 本発明は、以上説明したように、カップリング剤もしく
はアルキルアミン脂肪酸により表面処理したセラミック
基板を用いれば半導体素子搭載面の表面エネルギーを下
げキュアリング時点での接着剤の拡がりを防ぎブリード
現象を押さえることができ、その結果ワイヤボンド性も
維持でき、ワイヤボンド部のショート等も避けることが
できるため、半導体装置の品質に好結果を及ぼす優れた
効果がある。
はアルキルアミン脂肪酸により表面処理したセラミック
基板を用いれば半導体素子搭載面の表面エネルギーを下
げキュアリング時点での接着剤の拡がりを防ぎブリード
現象を押さえることができ、その結果ワイヤボンド性も
維持でき、ワイヤボンド部のショート等も避けることが
できるため、半導体装置の品質に好結果を及ぼす優れた
効果がある。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック基板の半導体素子を接着、搭載
する部分をカップリング剤もしくはアルキルアミン脂肪
酸により表面処理することを特徴とする半導体搭載用セ
ラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171395A JPH07101696B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子塔載用セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171395A JPH07101696B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子塔載用セラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221626A JPH0221626A (ja) | 1990-01-24 |
| JPH07101696B2 true JPH07101696B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=15922363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63171395A Expired - Lifetime JPH07101696B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子塔載用セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101696B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4082625B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2008-04-30 | 日鉱金属株式会社 | エポキシブリードアウト防止剤 |
| CN112912427B (zh) * | 2018-10-24 | 2023-08-22 | 住友电木株式会社 | 导电性树脂组合物和半导体装置 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63171395A patent/JPH07101696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221626A (ja) | 1990-01-24 |
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