CN112859465B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置。显示装置包括显示介质层、主动元件阵列层、支撑层以及第一粘着层。显示介质层具有出光面；主动元件阵列层设置于显示介质层背向出光面的一侧。支撑层设置于主动元件阵列层远离显示介质层的一侧；第一粘着层设置于主动元件阵列层及支撑层之间。主动元件阵列层与第一粘着层直接相连接，且第一粘着层的杨氏模数大于10GPa。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，尤其是涉及一种提高耐冲击强度的显示装置。
背景技术
现有的平面显示技术中，以主动矩阵(active matrix，或称主动元件阵列或有源矩阵)型显示器为目前市面上的主流技术。主动矩阵型显示器主要包括由主动元件构成的阵列基板搭配主动发光或被动发光的显示介质，其驱动原理为每个发光单位中的显示介质是由一个主动元件(如：晶体管)独立驱动。
相较于被动矩阵型显示器，主动矩阵型显示器的优点为耗电量小，以及每个发光单位为独立驱动，亦即可以有较高的分辨率。目前市面上的平面显示器部分发展到了柔性的显示面板技术，其中使用聚酰亚胺薄膜(Polyimide film，PI)作为主动阵列的柔性基板，取代现有主动阵列的玻璃基板，以达到柔性面板的柔性需求。然而，PI基板的柔性特质也降低了主动阵列的耐冲击强度。此外，柔性的主动阵列基板也可能导致驱动电路板以及柔性电路板排线在基板上的接合(bonding)失败。
发明内容
缘此，本发明的主要目的之一在于提供一种显示面板，其具有高杨氏模数的粘着层以提升主动阵列的抗冲击强度。
本发明的其中之一技术方案为提供一种显示装置。显示装置包括显示介质层、主动元件阵列层、支撑层以及第一粘着层。显示介质层具有出光面；主动元件阵列层设置于显示介质层背向出光面的一侧。支撑层设置于主动元件阵列层远离显示介质层的一侧；第一粘着层设置于主动元件阵列层及支撑层之间。主动元件阵列层与第一粘着层直接相连接，且第一粘着层的杨氏模数大于10GPa。
为更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1A显示本发明第一实施例的显示装置的示意图。
图1B显示本发明第一实施例的显示装置具有保护层的示意图。
图1C显示本发明第一实施例的显示装置的主动元件阵列层具有缓冲层的示意图。
图1D显示本发明第一实施例的显示装置的缓冲层具有金属材料层的示意图。
图2A显示本发明第二实施例的显示装置的示意图。
图2B显示本发明第二实施例的显示装置的实施示意图。
图3显示本发明第二实施例的显示装置的变化实施例。
图4显示本发明第二实施例的显示装置的另一变化实施例。
图5显示本发明第三实施例的显示装置的示意图。
图6A显示本发明第四实施例的显示装置的示意图。
图6B显示本发明第四实施例的显示装置的主动元件阵列层的示意图。
图7A显示本发明第四实施例的显示装置的示意图。
图7B显示本发明第四实施例的显示装置的变化实施例。
附图标记说明：
1000A,1000B,1000C,2000A,2000B,2000C,3000,4000A,4000B,4000C：显示装置
1：显示介质层
10：显示面
2：主动元件阵列层
201：缓冲层
2011：金属材料层
202：驱动芯片
203：柔性电路板
3：支撑层
4：第一粘着层
901：保护层
5：第二粘着层
6：第三粘着层
7：辅助粘着层
8：第四粘着层
P：开口
N1：第一方向
N2：第二方向
Z：可挠区
A1：外部电路接合区域
A2：显示区域
L1,L2：走线
202P：接合垫
203P：接合垫
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例并配合图1A至图7B说明本发明所公开的显示装置，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。然而，以下所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围，在不悖离本发明构思精神的原则下，本领域技术人员可基于不同观点与应用以其他不同实施例实现本发明。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”是可为二元件间存在其它元件。
此外，应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域，但是这些元件、部件、区域不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域与另一个元件、部件、区域区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”可以被称为第二元件、部件、区域而不脱离本文的教导。
第一实施例
请参阅图1A，本发明第一实施例提供一种如图1A所示的显示装置1000A。显示装置1000A包括显示介质层1、主动元件阵列层2、支撑层3以及第一粘着层4。显示介质层1可以是自发光显示介质或非自发光型显示介质，以像素为单位排成阵列。自发光显示介质可例如是有机发光二极管(OLED)；非自发光显示介质可例如是液晶(Liquid Crystal)。上述仅作举例说明，本发明不以此为限。本实施例中，主动元件阵列层2为薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)阵列。显示介质层1具有出光面10，主动元件阵列层2设置于显示介质层1背向出光面10的一侧，以控制显示介质层1朝出光面10发光。支撑层3设置于主动元件阵列层2远离显示介质层1的一侧。本实施例中，支撑层3可为可挠的钢用不锈钢(steel usestainless，SUS)板或者透光塑料板，如聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，PET)板，然而，本发明不限于此。第一粘着层4连接于主动元件阵列层2以及支撑层3之间。
本实施例的显示装置1000A的主要特征在于，主动元件阵列层2与第一粘着层4是直接相连接，且第一粘着层4为高杨氏模数粘着材。在本实施例中，第一粘着层4的杨氏模数(Young’s Modulus)大于10GPa。通过上述特征，本发明能够提高显示装置1000A的主动元件阵列层2的耐冲击强度。如此，当显示装置1000A在显示面10受到冲击力时，例如，在显示面10上操作触控笔，导致触控笔对显示面10造成冲击力，则通过本实施例中的第一粘着层4的支撑，主动元件阵列层2不易破裂损坏。
如图1B所示，本发明一变化实施例的显示装置1000B中，显示介质层1在显示面10的一侧可以设有保护层901。依据实际应用需求，在本发明其他实施例中，保护层901可以包括例如彩色滤片层等功能层片。请进一步参阅图1C，在本发明另一变化实施例的显示装置1000C中，主动元件阵列层2与第一粘着层4相接的一侧可具有缓冲层201，其厚度在10nm至10μm之间。缓冲层201为薄膜晶体管阵列工艺中，形成于薄膜晶体管与玻璃基板之间的无机氧化层，用以防止薄膜晶体管的电子通道层与玻璃基板之间产生漏电流，并抑制玻璃基板的杂质扩散到电子通道层。一般而言，在薄膜晶体管阵列进行剥离(lift off)程序以脱离玻璃基板后，缓冲层附着于薄膜晶体管阵列。请参阅如图1D所示的变化实施例，缓冲层201远离显示面10的一侧还可以进一步包括金属材料层2011。金属材料层2011为主动元件阵列工艺中所形成，以利主动元件阵列层2形成后，将主动元件阵列层2从基板取下。
综合上述，本发明第一实施例中，通过主动元件阵列层2与第一粘着层4直接相连接的技术手段，以达到提高显示装置1000A、1000B、1000C的耐冲击强度的技术效果。
第二实施例
以下配合图2A至图4说明本发明第二实施例。本发明第二实施例中，与第一实施例相同的元件具有相同的标号及类似的功能，于此不再赘述。本发明第二实施例与第一实施例的主要差异在于，本发明第二实施例的显示装置2000A具有可挠区Z，亦即，显示装置2000A在可挠区Z具有较佳的可弯折性，如图2B所示。图2A的实施例中，显示装置2000A包括杨氏模数小于10GPa的第二粘着层5，其至少部分位于可挠区Z。第二粘着层5连接于主动元件阵列层2与支撑层3之间，且与主动元件阵列层2直接相接。通过第二粘着层5的设置，本实施例的显示装置2000A达到在可挠区Z可弯折的效果。并且，由于在显示装置2000A的可挠区Z以外的部位，本实施例的主动元件阵列层2与高杨氏模数的第一粘着层4相连接，换句话说，第一粘着层4与第二粘着层5在平行于显示面10的第二方向N2上位于同层，而在垂直于显示面10的第一方向N1上各自对应于非可挠区以及可挠区Z，因此，在可挠区Z以外的部位，显示装置2000A依然可达到加强主动元件阵列层2的耐冲击强度的效果。
请参阅图3，本实施例的一变化实施例提供一种显示装置2000B，其中显示装置2000B的支撑层3具有开口P，开口P在垂直于出光面10的第一方向N1上对应第二粘着层5。第二粘着层5由主动元件层2远离显示介质层1的一侧延伸至开口P中，并填满开口P。通过上述技术手段，本实施例使第二粘着层5的厚度不受到支撑层3的限制，如此，通过第二粘着层5的材质选择，可以更好地控制显示装置2000B在可挠区Z的挠度。
图4显示本实施例的另一变化实施例，其提供显示装置2000C，其中开口P也可以是以另一杨氏模数不同于第二粘着层5的第三粘着层6填满，且第三粘着层6的杨氏模数小于第一粘着层4的杨氏模数。于一实施例中，第三粘着层6的杨氏模数小于10GPa，如此可在相对第一粘着层4较小的宽度下具有较佳的可挠度。本发明不限制第二粘着层5与第三粘着层6之间的杨氏模数关系。在一实施例中，第二粘着层5可具有较第三粘着层6为低的杨氏模数，以有利于显示装置2000C以可挠区Z为中心、第一方向N1为轴的弯曲操作，然而，本发明不以此为限。通过上述技术手段，显示装置2000C同样可达到在可挠区Z可弯曲、在可挠区Z以外的部分具有高耐冲击强度的技术效果。
综合上述，本实施例通过在主动元件阵列层2与支撑层3之间搭配设置第一粘着层4以及第二粘着层5，使显示装置2000A、2000B、2000C的主动元件阵列层2在可挠区Z由杨氏模数较低的第二粘着层5支撑；在可挠区Z以外的区域由杨氏模数较高的第一粘着层4支撑。如此，本实施例的显示装置2000A、2000B、2000C可在提高耐冲击强度之外，同时达到在可挠区Z可弯曲的技术效果。
第三实施例
请参阅图5，本发明的第三实施例提供一种显示装置3000，其与第一实施例相同的元件具有相同的标号及类似的功能，于此不再赘述。本实施例的显示装置3000与第一实施例的显示装置1000A的主要差异在于本实施例进一步具有辅助粘着层7。本实施例中，辅助粘着层7用以连接第一粘着层4与支撑层3，其杨氏模数小于10MPa。明确来说，第一实施例、第二实施例中，是利用第一粘着层4本身的粘着力，以使第一粘着层4连接于主动元件阵列层2与支撑层3之间。例如是在第一粘着层4未固化之前，将第一粘着层4设置于显示介质层1、主动元件阵列层2的层叠结构以及支撑层3之间，以使第一粘着层4固化后粘着于主动元件阵列层2以及支撑层3之间。而本实施例中，是利用辅助粘着层7的粘着力，以使第一粘着层4连接于主动元件阵列层2与支撑层3之间。举例而言，在第一粘着层4设置于主动元件阵列层2远离显示介质层1的一侧并且固化之后，将未固化的辅助粘着层7设置于第一粘着层4与支撑层3之间，再使辅助粘着层7固化。
本实施例中，因辅助粘着层7非直接连接于主动元件阵列层2，对于提升主动元件阵列层2耐冲击力的影响较小，故可使用较低杨氏模数的粘着材。例如，本实施例中，辅助粘着层7为杨氏模数小于1MPa的粘着材。然而，本发明不以此为限。例如，在一变化实施例中，欲进一步提升主动元件阵列层2的耐冲击强度，也可选择与第一粘着层4同样具有高杨氏模数的辅助粘着层7。
第四实施例
以下配合图6A、图6B、图7A及图7B说明本发明第四实施例的显示装置4000A、4000B。请参阅图6A，本实施例提供的显示装置4000A与第一实施例具有的相同元件具有相同的标号及类似的功能，于此不再赘述。本实施例与第一实施例的主要差异在于：本实施例中，主动元件阵列层2具有外部电路接合区域A1与显示区域A2，且第一粘着层4在第一方向N1上对应外部电路接合区域A1。此处的“对应”优选指的是第一粘着层4与外部电路接合区域A1于支撑层3上，平行于第一方向N1的投影至少部分重叠。
实际应用中，图6A中的外部接合区域A1例如可包括驱动芯片的设置区域以及柔性电路板(FPC)的设置区域的至少其中之一。详细而言，请配合参阅图6A及图6B，其中图6B示例薄膜晶体管显示器的其中一种驱动芯片封装形态。为了方便示意，图6B中仅示出显示装置4000A的主动元件阵列层2与第一粘着层4，其他元件予以省略。图6B的本实施例中，本发明的技术手段应用到现有的玻璃覆晶(Chip on Glass,COG)封装技术中，其中主动元件阵列层2的驱动芯片202通过连接于主动元件阵列层2的走线L1及接合垫202P以电性连接于主动元件阵列层2，且柔性电路板203通过另一组走线L2与接合垫203P将外部控制信号传递给驱动芯片202。
需要强调的是，图6B仅用以示例说明，本实施例不限制于本发明的技术手段所应用的显示器封装技术。例如，在其他实施例中，本发明也可应用到薄膜覆晶(Chip on Film,COF)封装或者塑胶基板覆晶(Chip on Plastic,COP)封装，则在这些实施例中，外部电路接合区域A1仅包括柔性电路板的设置区域。
图6A及图6B的实施例中，由于主动元件阵列层2直接连接于高杨氏模数的第一粘着层4，因此位在外部电路接合区域A1的驱动芯片202及柔性电路板203在与接合垫202P、203P接合的一侧受到第一粘着层4的支撑。因此，在进行驱动芯片202及柔性电路板203的接合操作时，可避免驱动芯片202及柔性电路板203沿第一方向N1的反方向塌陷而导致接合失败。通过上述技术手段，本实施例可提升驱动芯片202及柔性电路板203与主动元件阵列层2的接合成功率，并增加接合处电性连接的稳定度。
图6A的实施例中，第一粘着层4在第二方向N2延伸，且第二方向N2垂直于第一方向N1，以使第一粘着层4在第一方向N1上除了对应于外部电路接合区域A1，亦对应于显示区域A2。如此，本实施例可同时达到提升外部电路接合成功率，以及提升主动元件阵列层2的显示区域A2抗冲击强度的技术效果。
图7A显示第四实施例的一变化实施例所提供的显示装置4000B。相较于图6A的实施例，显示装置4000B进一步包括了第四粘着层8，其设置于主动元件阵列层2与支撑层3之间且在第一方向N1上对应外部电路接合区域A1。本变化实施例中，第四粘着层8的杨氏模数大于第一粘着层4的杨氏模数。
请参阅图7B，在一变化实施例中，支撑层3可进一步包括开口P，其在第一方向N1上对应外部电路接合区域A1，且第四粘着层8延伸填满开口P。因此，本实施例可进一步增加主动元件阵列层2在外部电路接合区域A1的耐冲击强度。
综合上述，本发明第四实施例中，通过将第四粘着层8在第一方向N1上对应主动元件阵列层2的外部电路接合区域A1，以提高外部电路接合于主动元件阵列层2时的接合成功率以及接合后的电性稳定度。
上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均落入本发明的权利要求内。

Claims (8)

1.一种显示装置，包含：
一显示介质层，该显示介质层具有一出光面；
一主动元件阵列层，设置于该显示介质层背向该出光面的一侧；
一支撑层，设置于该主动元件阵列层远离该显示介质层的一侧；以及
一第一粘着层，连接于该主动元件阵列层以及该支撑层之间，其中，该主动元件阵列层与该第一粘着层是直接相连接，且该第一粘着层的杨氏模数大于10GPa，
其中，该主动元件阵列层具有一外部电路接合区域以及一显示区域，该第一粘着层在垂直于该出光面的一第一方向上对应该显示区域，
进一步包括：一第四粘着层，设置于该主动元件阵列层与该支撑层之间且在该第一方向上对应该外部电路接合区域，其中，该第四粘着层的杨氏模数大于该第一粘着层的杨氏模数。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，该显示装置具有一可挠区，该显示装置进一步包括：一第二粘着层，设置于该主动元件阵列层以及该支撑层之间且至少部分位于该可挠区，该第二粘着层的杨氏模数小于10GPa。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，该支撑层具有一开口，该开口在该第一方向上对应该第二粘着层，该第二粘着层延伸填满该开口。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，该支撑层具有一开口，该开口在该第一方向上对应该第二粘着层，且该显示装置进一步包括：一第三粘着层，该第三粘着层位于该开口且填满该开口，该第三粘着层的杨氏模数小于第一粘着层的杨氏模数。
5.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括：一辅助粘着层，该辅助粘着层设置于该第一粘着层与该支撑层之间，其中，该辅助粘着层的杨氏模数小于1MPa。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，该支撑层具有一开口，该开口在该第一方向上对应该外部电路接合区域，第四粘着层延伸填满该开口。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，该主动元件阵列层与该第一粘着层相连接的一侧具有一缓冲层，该缓冲层的一厚度在10nm至10μm之间。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，该缓冲层远离显示面的一侧包括一金属材料层。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800277A (zh) * 2009-02-10 2010-08-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件和发光器件封装
CN102054854A (zh) * 2009-10-30 2011-05-11 乐金显示有限公司 有机电致发光显示设备及其制造方法
CN103887315A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN109473046A (zh) * 2018-12-18 2019-03-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 光学胶及显示面板
CN110277020A (zh) * 2018-03-15 2019-09-24 群创光电股份有限公司 显示设备
CN110349979A (zh) * 2019-05-07 2019-10-18 友达光电股份有限公司 柔性显示器
CN110518054A (zh) * 2019-03-05 2019-11-29 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011198779A (ja) * 2008-07-22 2011-10-06 Sharp Corp 電子回路装置、その製造方法及び表示装置
US20160144608A1 (en) * 2014-11-23 2016-05-26 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring device
CN106502319B (zh) 2015-09-08 2022-02-22 Lg电子株式会社 移动终端及其控制方法
US10539978B2 (en) 2015-09-08 2020-01-21 Lg Electronics Inc. Mobile terminal and control method therof
US10429892B1 (en) * 2016-01-12 2019-10-01 Apple Inc. Electronic devices with thin display housings
KR102589214B1 (ko) 2016-06-03 2023-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106652802B (zh) 2017-02-27 2020-03-17 上海天马微电子有限公司 一种可折叠显示装置
KR102654593B1 (ko) * 2018-06-01 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함한 전자 장치
WO2020110772A1 (ja) * 2018-11-28 2020-06-04 日東電工株式会社 粘着フィルム、フォルダブルデバイス、および、ローラブルデバイス
CN109377887A (zh) 2018-12-19 2019-02-22 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板和显示装置
CN109903679B (zh) * 2019-03-07 2023-06-27 京东方科技集团股份有限公司 可折叠支撑结构及其制备方法、显示装置
KR20210011552A (ko) * 2019-07-22 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR20210085033A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800277A (zh) * 2009-02-10 2010-08-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件和发光器件封装
CN102054854A (zh) * 2009-10-30 2011-05-11 乐金显示有限公司 有机电致发光显示设备及其制造方法
CN103887315A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN110277020A (zh) * 2018-03-15 2019-09-24 群创光电股份有限公司 显示设备
CN109473046A (zh) * 2018-12-18 2019-03-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 光学胶及显示面板
CN110518054A (zh) * 2019-03-05 2019-11-29 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN110349979A (zh) * 2019-05-07 2019-10-18 友达光电股份有限公司 柔性显示器

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