KR20110037106A - 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents
이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110037106A KR20110037106A KR1020090094384A KR20090094384A KR20110037106A KR 20110037106 A KR20110037106 A KR 20110037106A KR 1020090094384 A KR1020090094384 A KR 1020090094384A KR 20090094384 A KR20090094384 A KR 20090094384A KR 20110037106 A KR20110037106 A KR 20110037106A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive
- integrated circuit
- circuit chip
- core portion
- hardness
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
- C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
- C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/819—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector with the bump connector not providing any mechanical bonding
- H01L2224/81901—Pressing the bump connector against the bonding areas by means of another connector
- H01L2224/81903—Pressing the bump connector against the bonding areas by means of another connector by means of a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9211—Parallel connecting processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)은 필름, 상기 필름 상에 위치하는 접착층 및 상기 접착층 내에 분산되어 있는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하며, 상기 도전성 볼은 제1 경도를 가지는 제1 코어부, 상기 제1 코어부를 감싸며, 상기 제1 경도 대비 더 단단한 제2 경도를 가지는 제2 코어부 및 상기 제2 코어부를 감싸는 도전부를 포함한다.
집적 회로 칩, 패드부, 이방성 도전 필름, 도전성 볼
Description
본 발명은 이방성 도전 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 집적 회로 칩을 실장하는 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.
유기 발광 표시 장치와 같은 표시 장치는 유리 또는 플라스틱과 같은 기판 상에 소자를 형성함으로써 제조할 수 있는데, 표시 장치를 작동시키기 위한 여러 가지 신호를 생성하는 집적 회로 칩(integrated circuit chip)들이 표시 장치를 형성되는 기판의 소정 영역에 실장될 수 있다. 이때, 집적 회로 칩이 실장되는 위치에 따라 COG(Chip On Glass) 또는 COF(Chip On FPCB(Flexible Printed Circuit Board)) 등으로 나뉜다. 여기서 COG는 기판 상에 집적 회로 칩을 실장하는 것을 말하며, COF는 폴리마이드(Polymide) 등의 필름에 집적 회로 칩을 실장하는 것을 말한다.
이 중, 기판 상에 집적 회로 칩을 실장하는 COG의 경우, 기판에 형성된 패드와 집적 회로 칩의 단자 사이에 인터포져(interposer) 역할을 하는 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 개재하여 기판 상에 집적 회로 칩을 실장하였다. 이 때, 기판의 패드와 집적 회로 칩의 단자 사이의 직접적인 연결은 이방성 도전 필름에 포함된 도전성 볼(conductive ball)에 의해 수행되며, 기판과 집적 회로 칩 사이의 접착은 이방성 도전 필름에 포함되어 도전성 볼을 감싸고 있는 접착층에 의해 수행되었다. 이 도전성 볼은 기판의 패드와 집적 회로 칩의 단자 사이에서 압축되어 있는데, 우수한 탄성 복원력을 가지고 있어서 패드 및 단자와의 접촉 면적이 패드 및 단자에 의한 압력에 따라 증가하여 도전성 볼과 패드 사이 및 도전성 볼과 단자 사이의 접촉 저항이 도전성 볼에 인가되는 압력이 증가함에 따라 저하되었다.
그런데, 일정 압력 이상의 압력이 도전성 볼에 인가될 경우, 압축된 도전성 볼의 탄성 복원력이 기판과 집적 회로 칩 사이의 접착을 수행하는 접착층의 고정 능력 한계를 초과함으로써, 접착층이 도전성 볼의 압축된 형태를 고정시키지 못해 도전성 볼의 형태가 복원되어 도전성 볼과 패드 사이 및 도전성 볼과 단자 사이의 접촉 저항이 증가되는 문제가 있었다.
본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 도전성 볼의 압축된 형태를 고정시켜 기판과 집적 회로 칩 사이의 접촉 저항이 증가되는 것을 억제하는 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 발명자들은 상술한 바와 같은 일정 압력 이상의 압력이 도전성 볼에 인가될 경우, 도전성 볼의 탄성 복원력에 의해 접착층이 도전성 볼의 압축된 형태를 고정시키지 못하는 문제를 발견하였고, 특히 멤스(microelectromechanical systems, MEMS) 기술의 발전에 따라 배선 기판의 패드 폭이 마이크로 미터 단위에서 나노 미터 단위로 변하면서 상술한 문제에 의해 배선 기판과 집적 회로 칩간의 단선이 자주 발생하는 것을 발견하였다. 이를 해결하기 위해, 본 발명의 발명자들은 심도 있는 연구와 실험을 통해 하기와 같은 해결 수단을 발명하였다.
본 발명의 제1 측면은 필름, 상기 필름 상에 위치하는 접착층 및 상기 접착층 내에 분산되어 있는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하며, 상기 도전성 볼은 제1 경도를 가지는 제1 코어부, 상기 제1 코어부를 감싸며, 상기 제1 경도 대비 더 단단한 제2 경도를 가지는 제2 코어부 및 상기 제2 코어부를 감싸는 도전부를 포함하는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 제공한다.
상기 제1 코어부 및 상기 제2 코어부는 고무를 포함하며, 상기 제1 코어부의 상기 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A(shore hardness type A)로 30 내지 70일 수 있 다.
상기 제1 코어부는 상기 도전성 볼 전체 부피에서 25 내지 50%의 부피를 가질 수 있다.
상기 제1 코어부의 상기 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70이며, 상기 제1 코어부는 상기 도전성 볼 전체 부피에서 실질적 30%의 부피를 가질 수 있다.
상기 도전성 볼의 지름은 실질적 4um이며, 상기 제1 코어부의 지름은 실질적 1um일 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 측면은 배선부를 포함하는 배선 기판, 상기 배선부로부터 연장되며 상기 배선 기판 상에 위치하는 패드부, 상기 패드부와 연결되어 상기 배선 기판에 실장된 집적 회로 칩 및 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩 사이에서 상기 집적 회로 칩을 상기 배선 기판에 실장시키며, 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩 사이에 위치하는 접착층 및 상기 접착층 내에 분산되어 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩을 연결하는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하는 이방성 도전 필름을 포함하며, 상기 도전성 볼은 제1 경도를 가지는 제1 코어부, 상기 제1 코어부를 감싸며, 상기 제1 경도 대비 더 단단한 제2 경도를 가지는 제2 코어부 및 상기 제2 코어부를 감싸며, 상기 패드부 및 상기 집적 회로 칩과 접촉하는 도전부를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 패드부는 복수개의 층을 포함하며, 상기 복수개의 층 중 상기 도전성 볼과 이웃한 층은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다.
상기 제1 코어부 및 상기 제2 코어부는 고무이며, 상기 제1 코어부의 상기 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A로 30 내지 70일 수 있다.
상기 제1 코어부는 상기 도전성 볼 전체 부피에서 25 내지 50%의 부피를 가질 수 있다.
상기 제1 코어부의 상기 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70이며, 상기 제1 코어부는 상기 도전성 볼 전체 부피에서 실질적 30%의 부피를 가질 수 있다.
상기 도전성 볼의 지름은 실질적 4um이며, 상기 제1 코어부의 지름은 실질적 1um일 수 있다.
상기 집적 회로 칩은 회로 칩 본체부 및 상기 회로 칩 본체부로부터 연장되어 상기 패드부와 연결되는 연결 단자를 포함하며, 상기 도전성 볼은 상기 연결 단자와 상기 패드부 사이를 직접 연결할 수 있다.
상기 도전성 볼은 상기 패드부와 상기 연결 단자 사이에서 가압되어 압축될 수 있다.
상기 배선부는 박막트랜지스터를 형성하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 패드부는 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다.
상기 배선 기판은 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 배선 기판 대비 작은 넓이를 가지는 봉지 기판을 더 포함하며, 상기 집 적 회로 칩은 상기 봉지 기판과 이웃하여 노출된 배선 기판의 가장자리 영역에 실장될 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 측면은 필름, 상기 필름 상에 위치하는 접착층 및 상기 접착층 내에 분산되어 있는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하며, 상기 도전성 볼은 쇼어 굳기 타입 A로 30 내지 70인 경도를 가지는 고무를 포함하는 제3 코어부 및 상기 제3 코어부를 감싸는 도전부를 포함하는 이방성 도전 필름을 제공한다.
상기 제3 코어부는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70인 경도를 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 제4 측면은 배선부를 포함하는 배선 기판, 상기 배선부로부터 연장되며 상기 배선 기판 상에 위치하는 패드부, 상기 패드부와 연결되어 상기 배선 기판에 실장된 집적 회로 칩 및 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩 사이에서 상기 집적 회로 칩을 상기 배선 기판에 실장시키며, 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩 사이에 위치하는 접착층 및 상기 접착층 내에 분산되어 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩을 연결하는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하는 이방성 도전 필름을 포함하며, 상기 도전성 볼은 쇼어 굳기 타입 A로 30 내지 70인 경도를 가지는 고무를 포함하는 제3 코어부 및 상기 제3 코어부를 감싸며, 상기 패드부 및 상기 집적 회로 칩과 접촉하는 도전부를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 제3 코어부는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70인 경도를 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 도전성 볼의 압축된 형태를 고정시켜 기판과 집적 회로 칩 사이의 접촉 저항이 증가되는 것이 최소화된 이방성 도전 필름 및 이를 포함하 는 표시 장치가 제공된다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “상에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 상에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 이하에는 표시 장치로서, 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 실시예로서 설명하나, 이에 한정되지 않고, 본 발명에 따른 표시 장치는 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 패널, 전계 방출 표시 장치 등의 표시 장치일 수 있다.
또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터의 개수, 축전 소자의 개수 및 배선의 개수가 한정되지 않는다. 한편, 화소는 이미지를 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 패널은 복수의 화소들을 통해 이미지를 표시한다.
이하, 도1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film, ACF)을 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따른 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 이방성 도전 필름(500)은 필름(501), 접착층(510) 및 도전성 볼(520)을 포함한다.
필름(501)은 접착층(510)에 부착되어 있으며, 가요성(flexibility)을 가지는 재료로 이루어져 있다. 필름(501)은 기판에 집적 회로 칩을 실장할 때는 접착층(510)로부터 분리될 수 있다. 보다 상세하게는, 필름(501)이 부착되지 않고 외부로 노출된 접착층(510)의 일면에 집적 회로 칩을 부착하고, 필름(501)을 접착층(510)로부터 분리한 후, 필름(501)이 분리되어 노출된 접착층(510)의 타면을 기판에 부착하여 기판에 집적 회로 칩을 실장할 수 있다.
다른 실시예에서, 접착층(510)를 사이에 두고 필름(501)과 대향하는 다른 필름이 접착층(510)에 부착될 수 있다. 이 경우, 접착층(510)의 양면에 필름이 부착 된다.
접착층(510)는 수지로 이루어져 있으며, 기판에 집적 회로 칩이 실장될 경우, 접착층(510)의 양면에 기판 및 집적 회로 칩이 부착된다. 접착층(510)는 수단에 따라 녹거나 굳어질 수 있으며, 일 예로서, 접착층(510)는 열에 의해 녹거나, 자외선에 의해 굳어질 수 있다. 즉, 접착층(510)는 수단을 달리하여 녹는 성질 및 굳는 성질을 제어할 수 있으며, 이 같은 접착층(510)의 녹거나 굳는 성질을 제어하여 기판에 집적 회로 칩을 실장할 수 있다.
도 3은 도 2의 A부분을 확대한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 도전성 볼(520)은 접착층(510) 내에 복수개가 분산되어 있다. 접착층(510) 내에서 이웃하는 도전성 볼(520)은 접착층(510)에 의해 상호 절연된다. 도전성 볼(520)은 제1 코어부(521), 제2 코어부(522) 및 도전부(523)를 포함한다.
제1 코어부(521)는 고무(rubber)를 포함하며, 쇼어 굳기 타입 A(Shore hardness type A)로 30 내지 70의 제1 경도를 가지고 있다.
쇼어 굳기 타입 A의 경도는 도 4에 나타나 있으며, 재료의 경도 값이 클수록 재료가 더 부드러워지는 것을 나타낸다.
도 4는 쇼어 굳기 타입 A(Shore hardness type A)의 경도를 나타낸 표이다. 여기서, 타입 A는 부드러운 고무 및 플라스틱(soft rubber and plastic)에 적용된다.
제1 코어부(521)는 도전성 볼(520) 전체 부피에서 25 내지 50%의 부피를 가 진다. 보다 바람직하게, 제1 코어부(521)의 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70이며, 이 경우 제1 코어부(521)는 도전성 볼(520) 전체 부피에서 실질적 30%를 가진다. 일 예로서, 도전성 볼(520)의 지름이 4um일 경우, 제1 코어부(521)의 지름은 1um일 수 있다.
이상과 같은 제1 코어부(521)의 수치적 한정을 포함하는 본 발명의 기술적 특징을 포함하는 본 발명은 어떤 원인의 해명에 의한 발명으로서, 이 해명 과정을 중시해야 함을 우선적으로 밝히는 바이며, 이 원인에 대해서는 후술한다.
제2 코어부(522)는 제1 코어부(521)를 감싸고 있으며, 고무를 포함한다. 제2 코어부(522)는 제1 코어부(521)의 제1 경도 대비 더 단단한 제2 경도를 가진다.
도전부(523)는 제2 코어부(522)를 감싸며, 도전성 물질을 포함한다. 도전부(523)는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 및 백금(Pt) 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 도전부(523)는 도전성 볼(520)의 최외곽에 위치하여 접착층(510)와 직접 접촉하고 있다.
이와 같이, 도전성 볼(520)은 내부가 고무로 이루어져 있기 때문에, 압력이 인가될 때, 인가되는 압력에 따라 압축되며, 압력이 인가되는 방향으로 탄성 복원력을 가진다.
이하, 도 5 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 포함한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치는 배선 기판(100), 봉지 기판(200), 패드부(300, 도 10에 도시됨), 집적 회로 칩(400) 및 이방성 도전 필름(500)을 포함한다.
봉지 기판(200)은 배선 기판(100) 대비 작은 넓이를 가지며, 배선 기판(100)을 덮고 있다. 봉지 기판(200)은 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성된다. 봉지 기판(200)은 배선 기판(100)의 가장자리 영역을 노출하며, 노출된 배선 기판(100)의 가장자리 영역에서 집적 회로 칩(400)이 봉지 기판(200)과 이웃하여 이방성 도전 필름(500)에 의해 배선 기판(100)에 실장된다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ 선을 따른 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 배선 기판(100)은 기판 본체부(110), 배선부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 포함한다.
기판 본체부(110)는 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성된다. 그러나 본 발명의 제2 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판 본체부(110)는 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.
기판 본체부(110)와 봉지 기판(200) 사이에는 기판 본체부(110) 상에 형성된 배선부(120) 및 유기 발광 소자(130)가 위치하고 있다.
배선부(120)는 제1 및 제2 박막 트랜지스터(10, 20)(도 7에 도시)를 포함하며, 유기 발광 소자(130)를 구동한다. 유기 발광 소자(130)는 배선부(120)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출한다.
유기 발광 소자(130) 및 배선부(120)의 구체적인 구조는 도 7 및 도 8에 나타나 있으나, 본 발명의 실시예가 도 7 및 도 8에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 유기 발광 소자(130) 및 배선부(120)는 해당 기술 분야의 전문가가 용이하게 변형 실시할 수 있는 범위 내에서 다양한 구조로 형성될 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여, 표시 장치(101)의 내부 구조에 대해 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 화소의 구조를 나타낸 배치도이다. 도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ 선을 따른 단면도이다.
도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 표시 장치(101)는 하나의 화소마다 각각 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(130)를 포함한다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20) 및 축전 소자(80)를 포함하는 구성을 배선부(120)라 한다. 그리고, 배선부(120)는 기판 본체부(110)의 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151), 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다. 여기서, 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(130)는 제1 전극(710)과, 제1 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과, 유기 발광층(720) 상에 형성된 제2 전극(730)을 포함한다. 여기 서, 제1 전극(710)은 정공 주입 전극인 양(+)극이며, 제2 전극(730)은 전자 주입 전극인 음(-)극이 된다. 그러나 본 발명의 제2 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치(101)의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 음극이 되고, 제2 전극(730)이 양극이 될 수도 있다. 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입되며, 유기 발광층(720) 내부로 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 유기 발광층(720)의 발광이 이루어진다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치(101)에서 유기 발광 소자(130)는 봉지 기판(200) 방향으로 빛을 방출한다. 즉, 유기 발광 소자(130)는 전면 발광형이다. 여기서, 유기 발광 소자(130)가 봉지 기판(200) 방향으로 빛을 방출하기 위해, 제1 전극(710)이 광 반사성 도전 물질로 이루어지고, 제2 전극(730)이 광 투과성 도전 물질로 이루어진다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(161)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(158, 178)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(161)은 유전체가 되며, 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 소자(80)의 축전 용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로서 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(130)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 축전판(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(130)의 제1 전극(710)과 연결된다.
스위칭 소스 전극(173), 스위칭 드레인 전극(174), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 동일한 층에 형성되어 있으며, 후술할 패드부(300)와 동일한 물질로 구성되어 있다. 즉, 스위칭 소스 전극(173), 스위칭 드레인 전극(174), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 패드부(300)와 동일한 공정에 의해 함께 형성되어 상호 연결되어 있다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스 터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(130)로 흘러 유기 발광 소자(130)가 발광하게 된다.
도 9는 도 5의 B부분을 확대한 평면도이다. 도 10은 도 9의 C부분을 확대한 평면도이다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 패드부(300)는 배선부(120)로부터 연장된 박막 배선(TW)과 연결되어 있다. 보다 상세하게는 박막 배선(TW)은 스위칭 소스 전극(173), 스위칭 드레인 전극(174), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)과 패드부(300) 사이를 연결한다. 패드부(300)는 집적 회로 칩(400)과 대응하여 위치하고 있으며, 이방성 도전 필름(500)에 의해 집적 회로 칩(400)과 연결되어 있다.
도 11은 도 9의 ⅩⅠ-ⅩⅠ 선을 따른 단면도이다. 도 12는 도 11의 D 부분을 확대한 단면도이다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 패드부(300)는 박막 배선(TW)에 의해 배선부(120)로부터 연장되어 있으며, 배선부(120)의 스위칭 소스 전극(173), 스위칭 드레인 전극(174), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)과 동일한 물질로 구성된다. 패드부(300)는 제1 층(310), 제2 층(320) 및 제3 층(330)을 포함한다. 제1 층(310)은 티타늄(Ti)을 포함하고, 제2 층(320)은 알루미늄(Al)을 포함하며, 제3 층(330)은 티타늄을 포함한다. 즉, 패드부(300)는 복수개의 층을 포함하며, 복수개의 층 중 도전성 볼(520)과 이웃하여 도전성 볼(520)과 접촉하는 제1 층(310)은 티타늄을 포함한다.
다른 실시예에서, 패드부(300)를 구성하는 물질은 한정되지 않으며, 단지 박막트랜지스터를 형성하는 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이면 충분하다.
집적 회로 칩(400)은 회로 칩 본체부(410) 및 회로 칩 본체부(410)로부터 연장되어 패드부(300)와 연결되는 연결 단자(420)를 포함한다. 집적 회로 칩(400)은 패드부(300)와 연결되어 유기 발광 소자(130)의 발광을 제어한다. 보다 상세하게는 집적 회로 칩(400)은 이방성 도전 필름(500)에 의해 패드부(300)와 연결되어 스위칭 소스 전극(173) 및 구동 소스 전극(176)에 신호를 전달하여 유기 발광층(720)을 발광시킨다. 집적 회로 칩(400)의 연결 단자(420)는 이방성 도전 필름(500)의 도전성 볼(520)에 의해 패드부(300)와 연결된다.
이방성 도전 필름(500)은 집적 회로 칩(400)과 패드부(300) 사이를 연결하여 집적 회로 칩(400)을 배선 기판(100)에 실장하는 역할을 한다. 이방성 도전 필름(500)은 접착층(510) 및 도전성 볼(520)을 포함한다.
접착층(510)은 집적 회로 칩(400)과 배선 기판(100) 사이에 위치하며, 집적 회로 칩(400)과 배선 기판(100) 사이를 접착하는 역할을 한다. 접착층(510) 내에는 복수개의 도전성 볼(520)이 위치하고 있으며, 접착층(510)은 이웃하는 도전성 볼(520)간의 단락을 방지한다.
도전성 볼(520)은 접착층(510) 내에 분산되어 있으며, 복수개의 도전성 볼(520) 중 집적 회로 칩(400)의 연결 단자(420)와 패드부(300) 사이에 위치하는 도전성 볼(520)은 연결 단자(420)와 패드부(300) 사이를 직접 연결한다. 도전성 볼(520)은 상술한 바와 같이 제1 코어부(521), 제2 코어부(522) 및 도전부(523)를 포함한다. 집적 회로 칩(400)의 연결 단자(420)와 패드부(300)의 제1 층(310) 사이에 위치하는 도전성 볼(520)은 연결 단자(420)와 제1 층(310)에 의해 가압되어 압축된 상태이며, 탄성 복원력에 의해 연결 단자(420) 및 제1 층(310) 방향으로 접촉 압력(contact pressure)을 가하고 있는 상태이다. 이때, 도전부(523)는 패드부(300) 및 집적 회로 칩(400)의 연결 단자(420)와 직접 접촉한다.
여기서, 도전성 볼(520)에 의한 접촉 압력은 도전성 볼(520)에 인가되는 압력에 따라 도전성 볼(520)로부터 발생되는 탄성 복원력을 말한다.
연결 단자(420)와 제1 층(310)과 접하는 도전성 볼(520)의 도전부(523)는 연결 단자(420) 및 제1 층(310) 각각을 파고들어 연결 단자(420) 및 제1 층(310) 각각에 홈을 형성하고 있으며, 연결 단자(420) 및 제1 층(310) 각각과 면 접촉을 이루고 있다.
이와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치(101)는 도전성 볼(520)이 연결 단자(420) 및 패드부(300) 각각과 면 접촉을 이루고 있으며, 연결 단자(420) 및 패드부(300) 방향으로 접촉 압력을 가하고 있는 상태이므로, 연결 단자(420)와 도전성 볼(520) 사이 및 패드부(300)와 도전성 볼(520) 사이의 접촉 저항이 최소화된 상태이다. 즉, 집적 회로 칩(400)과 패드부(300) 사이에서 접촉 저항이 최소화됨으로써, 집적 회로 칩(400)과 패드부(300) 사이의 전자의 이동도가 증가된 상태이다.
이하, 전술한 바와 같이 도 13 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 제1 실시예 에 따른 이방성 도전 필름(500) 및 제2 실시예에 따른 표시 장치(101)가 발명된 원인을 자세히 설명한다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이방성 도전 필름 및 제2 실시예에 따른 표시 장치가 발명된 원인을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 13은 섭씨 210도의 환경에서 접착 압력을 변화시켜가며, 종래의 도전성 볼을 포함하는 이방성 도전 필름을 이용해 배선 기판(100)에 집적 회로 칩(400)을 접착하여 실장하였을 때의 종래의 도전성 볼, 패드부(300) 및 연결 단자(420)의 변형을 측정한 실험 데이터를 나타내었다.
도 13에 도시된 바와 같이, 접착 압력을 각각 65MPa, 75MPa 및 85Mpa로 실험하였는데, 접착 압력에 따라 종래의 도전성 볼, 패드부(300) 및 연결 단자(420)의 변형량을 측정하여 도 13의 표로 나타내었다. 이 표에서, δ는 패드부(300)와 연결 단자(420) 사이의 거리이고, Bump는 연결 단자(420)가 종래의 도전성 볼에 의해 파인 홈의 두께이며, Pad는 패드부(300)가 종래의 도전성 볼에 의해 파인 홈의 두께이다.
도 13의 표에 나타난 바와 같이, 접착 압력 75MPa 내지 85MPa 사이에서 종래의 도전성 볼의 탄성 복원력인 접촉 압력이 접착층(510)의 고정 능력 한계를 초과하여 접착층(510)이 종래의 도전성 볼의 압축된 상태를 고정시켜주지 못함으로써, 종래의 도전성 볼에 인가되는 압력의 증가에 따라 계속 줄어들어야 하는 패드부(300)와 연결 단자(420) 사이의 거리 δ가 압력이 85MPa일 때 오히려 증가한 것을 확인하였다.
접착 압력이 85MPa일 때, 접착 압력이 75MPa인 경우와 대비하여 종래의 도전성 볼이 더 압축되었다는 것은 종래의 도전성 볼에 의해 연결 단자(420)와 패드부(300)에 파인 홈의 두께(bump, pad)를 보면 알 수 있다. 도 13의 표를 살펴보면, 접착 압력이 85MPa일 때, 접착 압력이 75MPa인 경우와 대비하여 종래의 도전성 볼에 의해 연결 단자(420)와 패드부(300)에 파인 홈의 두께가 더 크다.
이와 같은 현상을 Dassault Systemes 사의 SIMULIA에서 판매하는 구조/전기/열 해석 툴인 ABAQUS를 사용하여 시뮬레이션(simulation)한 것을 도 14에 나타내었다.
도 14에는 65 내지 85MPa의 접착 압력에서 연결 단자(420), 종래의 도전성 볼 및 패드부(300)의 변형이 도시되어 있다. 도 14에 나타난 바와 같이, ABAQUS 툴을 이용한 시뮬레이션의 경우 접착층(510)이 일정 압력 이후로는 종래의 도전성 볼의 압축된 상태를 고정시켜주지 못한다는 설정이 ABAQUS 툴에 들어가 있지 않으므로, 85MPa의 접착 압력에서 종래의 도전성 볼의 압축이 더 수행되어 연결 단자(420)와 패드부(300) 사이의 거리가 줄어든 것을 확인하였다.
도 15에는 ABAQUS 툴을 이용한 시뮬레이션에서 측정된 표(simulation)와 실험에서 측정된 표(test)를 나타내었다. 여기서, δ는 패드부(300)와 연결 단자(420) 사이의 거리이고, Bump는 연결 단자(420)가 종래의 도전성 볼에 의해 파인 홈의 두께이며, Pad는 패드부(300)가 종래의 도전성 볼에 의해 파인 홈의 두께이다.
도 15에 나타난 바와 같이, 접착 압력이 85MPa일 때, 실험의 경우에는 앞에 서 설명한 δ가 2.0um였는데, 시뮬레이션의 경우에는 δ가 1.6um 이었다. 이를 비교해볼 때, 종래의 도전성 볼이 75Mpa 내지 85MPa에서 대략 0.4um 정도 원래의 형상으로 복원된 것을 확인할 수 있었다. 접착 압력이 증가할수록 종래의 도전성 볼의 탄성 복원력에 의한 종래의 도전성 볼과 패드부(300) 사이의 접촉 압력이 증가하는데, 시뮬레이션과 실험 결과로 볼 때 탄성 복원력에 의한 종래의 도전성 볼의 복원을 억제하는 접착층(510)의 고정 능력이 접착 압력이 85MPa일 때 임계 값인 것을 알 수 있었다.
즉, 접착 압력이 클수록 종래의 도전성 볼과 패드부(300)간의 접촉 압력이 커져서 종래의 도전성 볼이 더 압축된다. 종래의 도전성 볼이 압축됨에 따라 종래의 도전성 볼과 패드부(300)의 사이에서 계면의 밀착 압력이 커지게 되며, 종래의 도전성 볼과 패드부(300) 사이의 접촉 저항은 작아진다. 그러나, 종래의 도전성 볼의 중심 부분의 스트레스(stress)도 종래의 도전성 볼에 인가되는 압력의 증가에 따라 증가됨으로써, 종래의 도전성 볼의 탄성 복원력도 증가된다.
이와 같은 종래의 도전성 볼의 탄성 복원력이 문제가 되는 경우라면 접촉 압력은 가능하면 크게 하고 종래의 도전성 볼의 중심 부분의 스트레스는 가능하면 작게 할 경우, 도전성 볼의 탄성 복원력이 도전성 볼에 가해지는 압력에 비선형적으로 대응할 수 있는 것을 착안하였다.
이와 같은 해명 과정에 따라, 본 발명의 도전성 볼(520)은 중심 부분의 스트레스를 가능하면 작게 하기 위해, 도전성 볼(520)의 제1 코어부(521)가 쇼어 굳기 타입 A로 30 내지 70의 경도를 가지면서, 도전성 볼(520) 전체 부피에서 25 내지 50%의 부피를 가지도록 구성했다.
요컨대, 본 발명은 상술한 바와 같은 원인의 해명에 의한 발명으로서, 단순히 도전성 볼(520)의 제1 코어부(521)를 제2 코어부(522) 대비하여 더 부드럽게 구성한 것이 아니라, 해명 과정으로서 실험 및 시뮬레이션을 통해 도전성 볼(520)과 패드부(300) 간의 관계를 고려하여 도전성 볼(520)의 중심 부분을 제1 코어부(521) 및 제2 코어부(522)로 구성한 것이다.
이와 같은, 제1 코어부(521)의 구성에 따른 효과를 확인하기 위해 실험을 아래와 같이 수행하였다.
도 16은 본 발명의 효과를 확인하기 위해 수행한 실험의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 16에 도시된 그래프는 도전성 볼(520)에 인가되는 접착 압력에 대응하여 감소되는 패드부(300)와 연결 단자(420) 사이의 거리(δ)에 따른 도전성 볼(520)에 의한 접촉 압력을 나타내고 있다.
도 16에서, x축은 패드부(300)와 연결 단자(420)의 거리(δ)이고, y축은 도전성 볼(520)에 의한 접촉 압력(contact pressure)이며, (a), (b), (c) 및 (d)는 서로 다른 도전성 볼을 나타낸다.
보다 상세하게, (a)는 비교예로서 종래의 도전성 볼에 대한 그래프를 나타낸다. (a)에서 알 수 있는 바와 같이, 종래의 도전성 볼은 도전성 볼에 인가되는 접착 압력에 따라 도전성 볼에 의한 접촉 압력이 증가함을 확인할 수 있다. (a)를 살펴보면, 도전성 볼에 의한 접촉 압력이 대략 350Mpa인 경우, 도전성 볼에 대한 접착층(510)의 고정이 실패(resin failure)된다.
(b)는 제1 경도가 쇼어 굳기 타입 A로 대략 60 정도이며, 부피가 도전성 볼(520) 전체 부피에 대해 대략 25%의 부피를 가지는 제1 코어부(521)를 포함하는 도전성 볼(520)에 대한 그래프를 나타낸다.
(c)는 제1 경도가 쇼어 굳기 타입 A로 대략 60 정도이며, 부피가 도전성 볼(520) 전체 부피에 대해 대략 38%의 부피를 가지는 제1 코어부(521)를 포함하는 도전성 볼(520)에 대한 그래프를 나타낸다.
(d)는 제1 경도가 쇼어 굳기 타입 A로 대략 60 정도이며, 부피가 도전성 볼(520) 전체 부피에 대해 대략 50%의 부피를 가지는 제1 코어부(521)를 포함하는 도전성 볼(520)에 대한 그래프를 나타낸다.
(b), (c) 및 (d) 각각의 그래프에서 알 수 있는 바와 같이, 접착 압력이 증가하여도, 도전성 볼(520)의 중심 부분인 제1 코어부(521)가 부드럽기 때문에 도전성 볼(520)에 의한 접촉 압력은 비교예인 종래의 도전성 볼에 의한 접촉 압력 대비 서서히 증가하는 것을 알 수 있다. 이 때, 패드부(300)와 연결 단자(420)의 거리는 지속적으로 줄어든다. 즉, 본 발명에 따른 도전성 볼(520)은 중심 부분인 제1 코어부(521)가 종래의 도전성 볼 대비 부드럽기 때문에, 도전성 볼(520)에 인가되는 접착 압력에 의해 발생되는 탄성 복원력인 접촉 압력이 종래의 도전성 볼 대비 서서히 증가된다. 이와 같이, 도전성 볼(520)에 의한 접촉 압력이 서서히 증가됨으로써, 접착층(510)이 도전성 볼(520)의 복원을 고정하는 상태에서 연결 단자(420)와 패드부(300) 사이의 거리가 감소한다.
요컨대, 본 발명은 도전성 볼(520)에 대한 접착 압력이 증가함에 따라 도전성 볼(520)이 더 압축되어 연결 단자(420)와 패드부(300) 사이의 거리가 감소함으로써, 도전성 볼(520)과 연결 단자(420) 사이의 접촉면 및 도전성 볼(520)과 패드부(300) 사이의 접촉면이 증가한다. 이 때, 도전성 볼(520)의 중심 부분인 제1 코어부(521)가 부드럽기 때문에 도전성 볼(520)에 의한 탄성 복원력인 접촉 압력은 서서히 증가함으로써, 도전성 볼(520)의 접촉 압력이 도전성 볼(520)을 고정하는 접착층(510)의 고정 능력 한계를 초과하지 않기 때문에, 도전성 볼(520)에 대한 접착층(510)의 고정이 여전히 수행되어 도전성 볼(520)과 패드부(300) 사이 및 도전성 볼(520)과 연결 단자(420) 사이의 접촉 저항이 최소화된다. 즉, 집적 회로 칩(400)과 패드부(300) 사이의 전자의 이동도가 증가되는 동시에, 집적 회로 칩(400)과 패드부(300)간의 단선도 방지된다.
이상과 같이, 본 발명이 제1 실시예에 따른 이방성 도전 필름(500) 및 이를 포함하는 제2 실시예에 따른 표시 장치(101)는 도전성 볼(520)의 압축된 형태를 고정시켜 배선 기판(100)과 집적 회로 칩(400) 사이의 접촉 저항이 증가되는 것이 최소화된다.
이하, 도 17 및 도 18을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 제4 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다.
도 17은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이방성 도전 필름의 일 부분을 확대한 단면도이다. 도 18은 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치의 일 부분을 확대한 단면도이다.
도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 이방성 도전 필름(503)의 도전성 볼(520)은 제3 코어부(524) 및 도전부(523)를 포함한다.
제3 코어부(524)는 고무를 포함하며, 쇼어 굳기 타입 A로 30 내지 70인 경도를 가지고 있으며, 도전부(523)는 제3 코어부(524)를 감싸고 있다.
집적 회로 칩(400)의 연결 단자(420)와 패드부(300)의 제1 층(310) 사이에 위치하는 도전성 볼(520)은 연결 단자(420)와 제1 층(310)에 의해 가압되어 압축된 상태이며, 탄성 복원력에 의해 연결 단자(420) 및 제1 층(310) 방향으로 접촉 압력을 가하고 있는 상태이다. 이때, 도전부(523)는 패드부(300) 및 집적 회로 칩(400)의 연결 단자(420)와 직접 접촉한다.
이와 같이, 도전성 볼(520)의 중심 부분인 제3 코어부(524)가 부드럽기 때문에, 도전성 볼(520)의 접촉 압력이 도전성 볼(520)을 고정하는 접착층(510)의 고정 능력 한계를 초과하지 않는다. 즉, 도전성 볼(520)에 대한 접착층(510)의 고정이 여전히 수행되는 상태에서 도전성 볼(520)과 패드부(300) 사이 및 도전성 볼(520)과 연결 단자(420) 사이의 접촉 저항이 최소화됨으로써, 집적 회로 칩(400)과 패드부(300) 사이의 전자의 이동도가 증가되는 동시에, 집적 회로 칩(400)과 패드부(300)간의 단선도 방지된다.
이상과 같이, 본 발명이 제3 실시예에 따른 이방성 도전 필름(503) 및 이를 포함하는 제4 실시예에 따른 표시 장치(102)는 도전성 볼(520)의 압축된 형태를 고정시킴으로써, 배선 기판(100)과 집적 회로 칩(400) 사이의 접촉 저항이 증가되는 것이 최소화된다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따른 단면도이다.
도 3은 도 2의 A부분을 확대한 단면도이다.
도 4는 쇼어 굳기 타입 A(Shore hardness type A)의 경도를 나타낸 표이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ 선을 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 화소의 구조를 나타낸 배치도이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ 선을 따른 단면도이다.
도 9는 도 5의 B부분을 확대한 평면도이다.
도 10은 도 9의 C부분을 확대한 평면도이다.
도 11은 도 9의 ⅩⅠ-ⅩⅠ 선을 따른 단면도이다.
도 12는 도 11의 D 부분을 확대한 단면도이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이방성 도전 필름 및 제2 실시예에 따른 표시 장치가 발명된 원인을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 효과를 확인하기 위해 수행한 실험의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 17은 본 발명의 제 3실시예에 따른 이방성 도전 필름의 일 부분을 확대한 단면도이다.
도 18은 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치의 일 부분을 확대한 단면도이다.
Claims (20)
- 필름;상기 필름 상에 위치하는 접착층; 및상기 접착층 내에 분산되어 있는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하며,상기 도전성 볼은,제1 경도를 가지는 제1 코어부;상기 제1 코어부를 감싸며, 상기 제1 경도 대비 더 단단한 제2 경도를 가지는 제2 코어부; 및상기 제2 코어부를 감싸는 도전부를 포함하는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film).
- 제1항에서,상기 제1 코어부 및 상기 제2 코어부는 고무를 포함하며,상기 제1 코어부의 상기 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A(shore hardness type A)로 30 내지 70인 이방성 도전 필름.
- 제2항에서,상기 제1 코어부는 상기 도전성 볼 전체 부피에서 25 내지 50%의 부피를 가 지는 이방성 도전 필름.
- 제3항에서,상기 제1 코어부의 상기 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70이며, 상기 제1 코어부는 상기 도전성 볼 전체 부피에서 실질적 30%의 부피를 가지는 이방성 도전 필름.
- 제4항에서,상기 도전성 볼의 지름은 실질적 4um이며, 상기 제1 코어부의 지름은 실질적 1um인 이방성 도전 필름.
- 배선부를 포함하는 배선 기판;상기 배선부로부터 연장되어 상기 배선 기판 상에 위치하는 패드부;상기 패드부와 연결되어 상기 배선 기판에 실장된 집적 회로 칩; 및상기 패드부와 상기 집적 회로 칩 사이에 위치하여 상기 집적 회로 칩을 상기 배선 기판에 실장시키며, 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩 사이에 위치하는 접착층 및 상기 접착층 내에 분산되어 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩을 연결하는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하는 이방성 도전 필름을 포함하며상기 도전성 볼은,제1 경도를 가지는 제1 코어부;상기 제1 코어부를 감싸며, 상기 제1 경도 대비 더 단단한 제2 경도를 가지는 제2 코어부; 및상기 제2 코어부를 감싸며, 상기 패드부 및 상기 집적 회로 칩과 접촉하는 도전부를 포함하는 표시 장치.
- 제6항에서,상기 패드부는 복수개의 층을 포함하며, 상기 복수개의 층 중 상기 도전성 볼과 이웃한 층은 티타늄(Ti)을 포함하는 표시 장치.
- 제7항에서,상기 제1 코어부 및 상기 제2 코어부는 고무이며,상기 제1 코어부의 상기 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A로 30 내지 70인 표시 장치.
- 제8항에서,상기 제1 코어부는 상기 도전성 볼 전체 부피에서 25 내지 50%의 부피를 가지는 표시 장치.
- 제9항에서,상기 제1 코어부의 상기 제1 경도는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70이며, 상기 제1 코어부는 상기 도전성 볼 전체 부피에서 실질적 30%의 부피를 가지는 표시 장치.
- 제10항에서,상기 도전성 볼의 지름은 실질적 4um이며, 상기 제1 코어부의 지름은 실질적 1um인 표시 장치.
- 제6항에서,상기 집적 회로 칩은,회로 칩 본체부; 및상기 회로 칩 본체부로부터 연장되어 상기 패드부와 연결되는 연결 단자를 포함하며,상기 도전성 볼은 상기 연결 단자와 상기 패드부 사이를 직접 연결하는 표시 장치.
- 제12항에서,상기 도전성 볼은 상기 패드부와 상기 연결 단자 사이에서 가압되어 압축된 표시 장치.
- 제13항에서,상기 배선부는 박막트랜지스터를 형성하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 패드부는 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 표시 장치.
- 제14항에서,상기 배선 기판은,상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 더 포함하는 표시 장치.
- 제15항에서,상기 배선 기판 대비 작은 넓이를 가지는 봉지 기판을 더 포함하며,상기 집적 회로 칩은 상기 봉지 기판과 이웃하여 노출된 배선 기판의 가장자리 영역에 실장되는 표시 장치.
- 필름;상기 필름 상에 위치하는 접착층; 및상기 접착층 내에 분산되어 있는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하며,상기 도전성 볼은,쇼어 굳기 타입 A로 30 내지 70인 경도를 가지는 고무를 포함하는 제3 코어부; 및상기 제3 코어부를 감싸는 도전부를 포함하는 이방성 도전 필름.
- 제17항에서,상기 제3 코어부는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70인 경도를 가지는 이방성 도전 필름.
- 배선부를 포함하는 배선 기판;상기 배선부로부터 연장되어 상기 배선 기판 상에 위치하는 패드부;상기 패드부와 연결되어 상기 배선 기판에 실장된 집적 회로 칩; 및상기 패드부와 상기 집적 회로 칩 사이에 위치하여 상기 집적 회로 칩을 상기 배선 기판에 실장시키며, 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩 사이에 위치하는 접착층 및 상기 접착층 내에 분산되어 상기 패드부와 상기 집적 회로 칩을 연결하는 하나 이상의 도전성 볼을 포함하는 이방성 도전 필름을 포함하며상기 도전성 볼은,쇼어 굳기 타입 A로 30 내지 70인 경도를 가지는 고무를 포함하는 제3 코어부; 및상기 제3 코어부를 감싸며, 상기 패드부 및 상기 집적 회로 칩과 접촉하는 도전부를 포함하는 표시 장치.
- 제19항에서,상기 제3 코어부는 쇼어 굳기 타입 A로 실질적 70인 경도를 가지는 표시 장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090094384A KR101056435B1 (ko) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US12/889,290 US8519549B2 (en) | 2009-10-05 | 2010-09-23 | Anisotropic conductive film and display device having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090094384A KR101056435B1 (ko) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110037106A true KR20110037106A (ko) | 2011-04-13 |
KR101056435B1 KR101056435B1 (ko) | 2011-08-11 |
Family
ID=43822515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090094384A KR101056435B1 (ko) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8519549B2 (ko) |
KR (1) | KR101056435B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150045055A (ko) * | 2013-10-17 | 2015-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 이방성 도전 필름을 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9475963B2 (en) | 2011-09-15 | 2016-10-25 | Trillion Science, Inc. | Fixed array ACFs with multi-tier partially embedded particle morphology and their manufacturing processes |
CN104603922B (zh) * | 2012-08-31 | 2018-01-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 部件安装结构体 |
US9941214B2 (en) * | 2013-08-15 | 2018-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and inter-metal dielectric (IMD) structures |
JP2018515889A (ja) * | 2015-05-14 | 2018-06-14 | トリリオン サイエンス インコーポレイテッド | 多段の部分埋設粒子形態を有する改良された固定配列acfおよびその製造方法 |
JP7039883B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2022-03-23 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム |
US10256179B2 (en) * | 2017-02-06 | 2019-04-09 | Nanya Technology Corporation | Package structure and manufacturing method thereof |
KR20200145985A (ko) * | 2019-06-21 | 2020-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR20210086474A (ko) | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN112965305B (zh) * | 2020-07-08 | 2023-11-17 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
JPWO2022153631A1 (ko) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4740657A (en) * | 1986-02-14 | 1988-04-26 | Hitachi, Chemical Company, Ltd | Anisotropic-electroconductive adhesive composition, method for connecting circuits using the same, and connected circuit structure thus obtained |
US5324565A (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-28 | United Technologies Corporation | Conductive elastomeric compression pad for use in electrolysis cells |
KR100589449B1 (ko) * | 1997-04-17 | 2006-06-14 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 전자회로부품 |
US6352775B1 (en) * | 2000-08-01 | 2002-03-05 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Conductive, multilayer-structured resin particles and anisotropic conductive adhesives using the same |
KR100737896B1 (ko) * | 2001-02-07 | 2007-07-10 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판과, 액정표시장치 및 그 제조방법 |
WO2003081606A1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Sony Chemicals Corporation | Conductive particle and adhesive agent |
JP2004196889A (ja) | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Sony Chem Corp | 樹脂粒子の製造方法及び異方導電性接着剤の製造方法 |
US7515240B2 (en) * | 2004-10-05 | 2009-04-07 | Au Optronics Corporation | Flat display panel and assembly process or driver components in flat display panel |
KR100675442B1 (ko) * | 2005-02-02 | 2007-01-29 | 한화석유화학 주식회사 | 개선된 이방성 도전접속용 절연 도전성 입자, 이의제조방법 및 이를 이용한 제품 |
US20060286721A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Daoqiang Lu | Breakable interconnects and structures formed thereby |
JP2007041389A (ja) | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Nec Lcd Technologies Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
KR100709255B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2007-04-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100742376B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 패드부 및 그 제조 방법 |
US20070116961A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Anisotropic conductive adhesive compositions |
KR100718726B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-05-16 | 성균관대학교산학협력단 | 폴리디비닐벤젠 구형 입자와 금속을 이용한 코어/쉘도전입자 및 이의 제조방법 |
KR100863443B1 (ko) | 2006-03-31 | 2008-10-16 | 엘지전자 주식회사 | 이방성 전도성 페이스트 및 이를 적용한 플라즈마디스플레이 패널 장치 |
KR100787727B1 (ko) | 2006-10-31 | 2007-12-24 | 제일모직주식회사 | 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체를 이용한 고신뢰성 이방전도성 필름용 조성물 |
JP2008135468A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半導体素子及び該半導体素子を備える表示装置 |
-
2009
- 2009-10-05 KR KR1020090094384A patent/KR101056435B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-09-23 US US12/889,290 patent/US8519549B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150045055A (ko) * | 2013-10-17 | 2015-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 이방성 도전 필름을 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8519549B2 (en) | 2013-08-27 |
US20110079799A1 (en) | 2011-04-07 |
KR101056435B1 (ko) | 2011-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101056435B1 (ko) | 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
KR101041146B1 (ko) | 표시 장치 | |
CN111009562B (zh) | 可拉伸显示面板和装置及该可拉伸显示装置的制造方法 | |
US11051405B2 (en) | Flexible display | |
US10488720B2 (en) | Display apparatus and electronic device | |
CN110010621B (zh) | 电致发光显示装置 | |
KR101983374B1 (ko) | 표시 패널, 칩 온 필름, 및 이들을 포함하는 표시 장치 | |
TWI545632B (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
KR102300254B1 (ko) | 표시 장치 | |
US11063108B2 (en) | Organic light emitting diode array substrate and electronic device | |
CN106653794A (zh) | 有机发光显示装置 | |
KR102654664B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102051122B1 (ko) | 표시 장치 | |
WO2019225708A1 (ja) | 表示装置用配線基板および表示装置、ならびに配線基板とその作製方法 | |
KR20160083993A (ko) | 표시 장치 | |
JP2008090147A (ja) | 接続端子基板及びこれを用いた電子装置 | |
US11862107B2 (en) | Display apparatus | |
KR100826007B1 (ko) | 평판표시장치 | |
KR20110046887A (ko) | 표시장치 | |
US20230200127A1 (en) | Display panel | |
JP2024095529A (ja) | フレキシブル表示装置 | |
KR20230167269A (ko) | 표시 장치 및 그 제조방법 | |
KR20230098960A (ko) | 표시 패널 | |
KR20220043560A (ko) | 플렉서블 표시장치 | |
CN116367642A (zh) | 显示面板及包括该显示面板的显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160801 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180802 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190801 Year of fee payment: 9 |