TWI545632B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法

相關申請案的交互參照

本申請案依35 U.S.C §119之規定主張稍早於2010年12月7日向韓國智慧財產局提出之申請案之優先權效益，該申請案號為10-2010-0124283。

本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法，更特別地，係有關於一種包含墊部位的有機發光顯示裝置，該墊部位係連接於驅動積體電路(IC)晶片，及製造有機發光顯示裝置的方法。

資訊及科技(IT)工業的迅速發展係大量地增加顯示裝置的應用。近年來，顯示裝置有著輕且薄，低電力消耗及提供高解析度的需求。為了符合需求，利用有機發光特性的液晶顯示器或有機發光顯示器係逐漸發展。

有機發光顯示器，其為下一代具有自發光特性的顯示裝置，相較於液晶顯示器，其具有較佳的視角、對比度、反應速率及功率消耗，且因為不需要背光，故可被製造得薄且輕。

有機發光顯示裝置包含具有像素區域與非像素區域的基板及容器，或放置以面對基板的另一基板，其用以封裝及透過密封劑，如環氧樹脂，附著於基板。在基板的像素區域，複數個有機發光二極體(OLEDs)係介於掃描線與資料線之間以矩陣式圖樣連接以形成像素。在非像素區域係具有自像素區域的掃描線及資料線所延伸之掃描線及資料線；用以操作有機發光二極體之電源供應線(圖未示)；以及掃描驅動器及資料驅動器，用以處理經由輸入墊自外界來源接收的訊號；以及提供經處理的訊號至掃描線及資料線。掃描驅動器及資料驅動器分別包含驅動電路用以處理自外界來源傳輸的訊號且產生掃描訊號及資料訊號。掃描驅動器及資料驅動器可在製造有機發光二極體的製程中形成或可被製造為額外的積體電路(IC)晶片以安裝於基板上。

當掃描驅動器及資料驅動器被製造為額外的IC晶片以安裝於基板上時，驅動IC晶片可利用捲帶式自動接合(TAB)法安裝，其中驅動IC晶片係安裝於捲帶式載體封裝(TCP)，且連接至基板的墊，或利用玻璃上置晶片(COG)法，其中驅動IC晶片係直接附著於基板的墊。COG法相較於TAB法確保較單純的結構且需要較小的面積。因此，COG法廣泛地運用於手機電信產品的小尺寸及中尺寸平板顯示器。

於COG法中，形成於驅動IC晶片的輸入端及輸出端上的凸塊係連接至內引腳接合(ILB)墊及外引腳接合(OLB)墊，其透過各向異性導電膜(ACF)所包含的導電球形成於基板上。

耦接於ILB墊的輸入墊係連接至可撓性印刷電路(FPC)。相應於透過FPC自外界來源供應的控制及資料訊號，驅動IC晶片產生掃描訊號 及資料訊號且經由連接至OLB墊的掃描線及資料線提供已產生的掃描訊號及資料訊號至OLEDs。

傳統有機發光顯示裝置所包含的墊部位具有平坦表面。因此，墊部位係透過複數個導電球電性連接至驅動IC晶片且經由驅動IC晶片接收來外界來源之訊號。

當透過墊部位的表面所暴露之導電層的厚度係大於300埃時，蝕刻形成導電層的金屬或氧化銦鋅(ITO)並不容易，且必須以強酸蝕刻較厚的導電層。因此，較厚的導電層導致使用強酸不易處理且有害於工人的風險。

為了此理由，導電層可形成於少於300埃的厚度。然而，當導電層變得較薄時，因為膜分散，導電層的接觸電阻與表面電阻的差異係增加，且當操作時，已增加的差異降低了有機發光顯示裝置的可靠性。

本發明之態樣係提供一種包含墊部位的有機發光顯示裝置，該墊部位係薄但具有低接觸電阻。

然而，本發明之態樣並不限於後文所提及的內容。本發明上述及其它態樣參照本發明後文中的內容敘述對於該領域的技術人士將變得更淺顯易知。

根據本發明的態樣，提供一種有機發光顯示裝置，其包含：基板、形成於基板上之緩衝層、形成於緩衝層上之閘極絕緣層、形成於閘極絕緣層上之導電層、以及像素定義層。像素定義層係暴露導電層的一部 位以形成墊部位，墊部位係連接至驅動積體電路(IC)晶片的凸塊，其中突出及凹陷係形成於導電層的表面上。

根據本發明的另一態樣，提供一種有機發光顯示裝置，其包含：基板、形成於基板上之緩衝層、形成於緩衝層上之閘極絕緣層、以均勻厚度形成於閘極絕緣層上之導電層、像素定義層，像素定義層係暴露導電層的一部位以形成墊部位，墊部位係連接至驅動積體電路(IC)晶片的凸塊、以及半導體層，係設置於墊部位下方且形成於閘極絕緣層與緩衝層之間，其中第一突出圖樣及第一凹陷圖樣係形在對應於該墊部位之半導體層的一部位上，且第二突出圖樣及第二凹陷圖樣係形成在對應於墊部位之閘極絕緣層的一部位上。

根據本發明的另一態樣，提供製造有機發光顯示裝置的方法。該方法包含步驟：形成緩衝層於基板上；形成閘極絕緣層於緩衝層上；形成導電層於閘極絕緣層上；以及形成像素定義層，致使導電層的一部位係暴露以形成墊部位，墊部位連接至驅動積體電路(IC)晶片的凸塊，其中形成導電層的步驟包含形成突出及凹陷在對應於墊部位之導電層的已暴露部位的表面上。

根據本發明的另一態樣，提供製造有機發光顯示裝置的方法。該方法包含步驟：形成緩衝層於基板上、形成閘極絕緣層於緩衝層上、以均勻厚度形成導電層於閘極絕緣層上、形成像素定義層，致使導電層的一部位係暴露以形成墊部位，墊部位連接至驅動IC晶片的凸塊、形成半導體層，其於墊部位下方且介於閘極絕緣層與緩衝層之間，其中形成半導體層的步驟包含形成第一突出圖樣及第一凹陷圖樣於半導體層的一部位，該半導體層係透過圖樣化半導體層的部位以對應於墊部位，且形成閘極絕緣 層的步驟包含形成第二突出圖樣及第二凹陷圖樣在對應於墊部位之閘極絕緣層的一部位上。

100‧‧‧有機發光二極體

101‧‧‧緩衝層

102‧‧‧導電層

103‧‧‧閘極絕緣層

104‧‧‧導電層

105‧‧‧閘極電極

105a、107a‧‧‧輸入墊

105b‧‧‧掃描線

107b‧‧‧資料線

106‧‧‧層間絕緣膜

107‧‧‧源極/汲極電極

108‧‧‧像素定義層

140‧‧‧墊部位

200‧‧‧基板

210‧‧‧像素區域

220‧‧‧非像素區域

300‧‧‧封裝基板

320‧‧‧密封劑

400‧‧‧驅動IC晶片

410‧‧‧掃描驅動器

420‧‧‧資料驅動器

430‧‧‧凸塊

500‧‧‧各向異性導電膜

520‧‧‧導電球

本發明的更完整評價及許多其隨之而來的優點將參照以下詳細描述並考慮配合附圖時而顯而易見的且同樣變得更好瞭解，其中相似的參考符號係指相同或類似的組件，其中：第1圖為根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的平面圖；第2圖為根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的剖視面；第3圖至第5圖 係根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的墊部位的鄰近區域的剖視圖；第6圖為根據本發明例示性實施例顯示安裝於有機發光顯示裝置的墊部位上的驅動IC晶片的剖視圖；第7圖及第8圖 係根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置的剖視圖；第9圖為根據本發明的例示性實施例繪示製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖；第10圖至第14圖為根據本發明的例示性實施例依序繪示製造有機發光顯示裝置的方法的剖視圖；以及第15圖為根據本發明的另一例示性實施例繪示製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖。

本發明之優點及特徵以及達到其方法將參照例示性實施例及附圖進行更詳細地描述。然而，本發明可以不同形式來實現且不應該被理解僅限於此處所陳述的實施例。相反地，對所屬技術領域具有通常知識者而言，所提供的此些實施例將使本揭露更加透徹與全面的且完整地傳達本發明的範疇，且本發明將僅為所附加的申請專利範圍所定義。在圖中，層及區域的尺寸及相對尺寸為了清晰易懂而以誇示方法表示。

應理解的是，當像是層、薄膜、區域或基板之元件被稱為是在另一元件之”上”時，其可以是直接在其他元件上或者亦可能存在介於其間之元件。相對地，當一元件被稱為是”直接”在另一元件”上”時，則不會有介於其間之元件存在。如後文所示，術語”及/或”包含任何及所有一或多相關所列元件之組合。

空間上地相對元件，例如：”在...下面”(below)、”在...下面”(beneath)、”下部的”(lower)、”在...上面”(above)、”上面的”(upper)等可用於後文中簡易敘述如圖所繪示的一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。應理解的是，除了描述於圖中之方位，空間上地相對元件意欲含括所使用或操作裝置的不同方位。相同的元件符號在說明書中指的是相同的元件。

發明的實施例將參照後文的平面及剖面圖敘述，其為此發明理想化實施例的圖解繪示。同樣地，舉例來說，可預期繪示形狀的差異係為製程技術及/或公差的結果。因此，發明的實施例不應被理解為限制描述於後文中某些區域的特定形狀，但可包含由於，例如製程，所導致形狀的偏差。因此，自然而然繪示於圖中的某些區域係為圖解概要且其形狀並不意欲以實際區域的形狀來繪示，並且不意欲限制本發明之範圍。

後文中，本發明的例示性實施例將更進一步地參照附圖詳細敘述。

第1圖及第2圖係根據本發明的例示性實施例之有機發光顯示裝置的平面及剖視圖。根據本發明的例示性實施例，此有機發光顯示裝置包含基板200，其由透明材料製成，且其具有像素區域210及非像素區域220，以及封裝基板300，該封裝基板300係放置以面對基板200以便封裝像素區域210，且該封裝基板300透過密封劑320附著於基板200。

基板200為由玻璃或塑膠製成的透明絕緣基板。封裝基板300係不僅由玻璃材料製成，且亦由各式各樣的塑膠材料製成，例如丙烯酸。更進一步地，金屬板可用於封裝基板300。密封劑320可為如一般用於此領域的封合玻料，又或者，密封劑320可由有機密封劑、無機密封劑或有機/無機混合密封劑製成。

有機密封劑可為至少一選自丙烯酸樹脂、甲基丙烯基樹脂、聚異戊二烯、乙烯基樹脂、環氧樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂及纖維樹脂所構成群組的材料。無機密封劑舉例來說可包含金屬，例如矽、鋁、鈦及鋯，以及非金屬，例如氧化金屬。有機/無機混合密封劑為金屬，其中非金屬或金屬，例如矽、鋁、鈦及鋯等係共價鍵結至有機材料。有機/無機混合密封劑可為至少一選自環氧矽烷及其衍生物、乙烯基矽烷及其衍生物、胺矽烷及其衍生物、甲基丙烯酸酯矽烷以及任一這些物質的部分硬化反應所得材料構成群組的材料。

在基板200的像素區域210，複數個有機發光二極體(OLEDs)100係以介於該些掃描線105b及該些資料線107b之間的矩陣圖樣連接以形成該些像素。在基板200的非像素區域220，該些掃描線105b及該些 資料線107b係由像素區域210的該些掃描線105b及該些資料線107b延伸而形成。用以操作有機發光二極體100的電源供應線(圖未示)，以及掃描驅動器410與資料驅動器420係形成。該掃描驅動器410與該資料驅動器420係用以處理接收自經由該些輸入墊105a及107a之從外部來源訊號且提供經處理之訊號至掃描線105b及資料線107b。

在一案例中，其中有機發光顯示裝置為被動式矩陣有機發光顯示裝置，有機發光二極體100係以介於掃描線105b及資料線107b之間的矩陣圖樣連接。在一案例中，其中有機發光顯示裝置為主動式矩陣有機發光顯示裝置，有機發光二極體100係以介於掃描線105b及資料線107b之間的矩陣圖樣連接，且更進一步提供用以控制有機發光二極體100之操作的薄膜電晶體(TFTs)以及用以維持訊號的電容。

第3圖至第5圖係根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的墊部位140的鄰近區域之剖視圖。根據本發明的例示性實施例，有機發光顯示裝置包含基板200、形成於基板200上之緩衝層101、形成於緩衝層101上之閘極絕緣層103、形成於閘極絕緣層103上之導電層104、以及像素定義層108，像素定義層108係暴露導電層104的一部位以形成墊部位140，該墊部位140係連接至驅動整合電路(IC)晶片400(參照第6圖)的凸塊430(參照第6圖)。突出與凹陷係形成於導電層104的表面上。

基板200可由含有二氧化矽為其主成分的透明材料製成。然而，形成基板200的材料並不限於透明玻璃材料。基板200亦可由透明塑膠材料製成，該透明塑膠材料可為一選自聚醚碸(polyethersulphone，PES)、聚芳香酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene napthalate，PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯 (polyallylate)、聚亞胺、聚碳酸酯(PC)、三乙烯纖維素(TAC)、及纖維素醋酸丙酸酯(CAP)所構成群組的絕緣有機材料。

在一案例中，其中有機發光顯示裝置為底部發射有機發光顯示裝置，其中影像係朝向基板200而實現，基板200應由透明材料製成。然而，在一案例中，其中有機發光顯示裝置為頂部發射有機發光顯示裝置，其中影像係遠離基板200而實現，基板200可不必需由透明材料製成。於此案例中，基板200可由金屬製成。當基板200由金屬製成，基板200可包含選自碳、鐵、鉻、鎂、鎳、鈦、鉬、及不鏽鋼(SUS)所構成群組的至少一材料。然而，形成基板200的材料並不限於上述的材料。基板200亦可由金屬箔製成。

緩衝層101可形成於基板200上以平面化基板200且防止雜質滲透入基板200。半導體層102可形成以提供源極區域及汲極區域，以及通道區域於電晶體部位(圖未示)的緩衝層101之上。於墊部位140的緩衝層101之上的半導體層102的部位可圖樣化成突出與凹陷。於是，形成上述半導體層102的導電層104亦可具有對應於半導體層102之突出與凹陷的突出與凹陷，如第5圖所示。

閘極電極105形成於導電層104之上，且層間絕緣膜106係形成於閘極電極105上。暴露閘極電極105之接觸孔係形成於層間絕緣膜106。閘極電極105係透過接觸孔與源極/汲極電極107連接。源極/汲極電極107係形成於層間絕緣膜106上且填補層間絕緣膜106的接觸孔。像素定義層108係形成於源極/汲極電極107上。

如上所述，導電層104的一部位係暴露於墊部位140，且因此電性連接至驅動IC晶片400的凸塊430。於是，導電層104自驅動IC晶片400 接收訊號且經由閘極電極105傳輸已接收的訊號至源極/汲極電極107，因而驅動源極/汲極電極107。導電層104可由不透明的導電金屬材料或一或多個選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、碳奈米管、奈米線及導電性高分子所構成群組的透明導電材料之混合物所製成。

導電層104可藉由複數個導電球520(參見第6圖)電性連接至驅動IC晶片400的凸塊430。導電球520可具有小於形成於導電層104表面上的突出與凹陷的直徑。當該些導電球520的直徑大於形成於導電層104表面上的突出與凹陷的直徑時，更特別地，大於突出之間的縫隙時，該些導電球520無法進入突出之間的空間。驅動IC晶片400的凸塊430及導電球520的構型將參照第6圖於後文中敘述。

當導電層104係以小於300埃的厚度形成時，例如蝕刻，導電層104的接觸電阻及表面電阻之間的差異可由於膜分散而增加，且所增加的差異可降低操作有機發光顯示裝置時的可靠性。為了防止此問題，根據本發明的例示性實施例，在有機發光顯示裝置中，突出及凹陷係形成於導電層104的部位表面，其暴露於像素定義層108的部位之間。形成於導電層104的暴露部位表面的突出及凹陷在墊部位140的區域增加介於導電層104與導電球520之間的接觸面積，因而降低接觸電阻。

如第3圖所示，突出及凹陷可直接形成於導電層104的表面。又或者，如第4圖及第5圖所示，該些突出及該些凹陷可形成於緩衝層101或閘極絕緣層103上，該緩衝層101或該閘極絕緣層103係設置於導電層104下方，且導電層104可形成於突出及凹陷上。於是，導電層104可具有該些突出及該些凹陷，其對應於緩衝層101或閘極絕緣層103的突出凹陷。

也就是說，請參照第4圖，可形成閘極絕緣層103，接著蝕刻，致使突出及凹陷係形成於閘極絕緣層103的部位表面上，閘極絕緣層103對應於墊部位140。然後，導電層104可形成於具有突出及凹陷的閘極絕緣層103上。於是，突出及凹陷亦可形成於導電層104的表面上。雖然未示於圖示，形成於基板200上的緩衝層101可被蝕刻，而非閘極絕緣層103，致使突出及凹陷形成於緩衝層101表面上，且閘極絕緣層103及導電層104可形成於具有突出及凹陷的緩衝層101上。於此方式中，突出及凹陷可形成於導電層104的表面上。

同時，如上所述，在建構電晶體部位(圖未示)製程中所形成的導電層102的一部位可圖樣化為突出及凹陷以維持墊部位140。接著，閘極絕緣層103及導電層104可形成於具有突出及凹陷的半導體層102。於是，突出及凹陷可形成於導電層104的表面上，如第5圖所示。

第6圖係根據本發明例示性實施例顯示安裝於有機發光顯示裝置的墊部位140上的驅動IC晶片400的剖視圖。請參閱第6圖，包含導電球520的各向異性導電膜500係形成於墊部位140上，且驅動IC晶片400係置於各向異性導電膜500上。驅動IC晶片400的凸塊430可，但非必需，對應於導電層104的突出及凹陷。當驅動IC晶片400的凸塊430係利用，例如熱壓縮，而壓縮時，它們係電性連接至導電層104，同時導電球520破裂。

第7圖及第8圖係根據本發明另一例示性實施例的有機發光顯示裝置的剖視圖。

根據目前的例示性實施例，有機發光顯示裝置包含基板200、形成於基板200上之緩衝層101、形成於緩衝層101上之閘極絕緣層103、以均勻厚度形成於閘極絕緣層103上之導電層104、像素定義層108， 像素定義層108係暴露導電層104一部位以形成連接至驅動IC晶片之凸塊430之墊部位140，且半導體層102設置於墊部位140下方以及介於閘極絕緣層103與緩衝層101之間而形成。第一突出圖樣及第一凹陷圖樣係形成於半導體層102的一部位上，其對應於墊部位140，且第二突出圖樣及第二凹陷圖樣形成於閘極絕緣層103的一部位上，其對應於墊部位140。

根據目前例示性實施例的有機發光顯示裝置具有與根據之前例示性實施例的有機發光顯示裝置相等的構型，除了半導體層102係形成於閘極絕緣層103與緩衝層101之間、第一突出圖樣及第一凹陷圖樣係形成於半導體層102的一部位上，其對應於墊部位140上、第二突出圖樣及第二凹陷圖樣係形成於閘極絕緣層103的一部位上，其對應於墊部位140、以及導電層104係以均勻厚度形成。

半導體層102的第一突出圖樣及第一凹陷圖樣可以如同於閘極絕緣層103的第二突出圖樣及第二凹陷圖樣的形狀形成。相反地，第一突出圖樣及第一凹陷圖樣與第二突出圖樣及第二凹陷圖樣可交替地形成以在不同的位置突出。

也就是說，如第7圖所示，半導體層102的突出區域可對應於閘極絕緣層103的突出區域。同時，半導體層102的凹陷區域可對應於閘極絕緣層103的凹陷區域。

相反地，如第8圖所示，半導體層102的突出區域可對應於閘極絕緣層103的凹陷區域，且半導體層102的凹陷區域可對應於閘極絕緣層103的突出區域。

後文中，根據本發明的例示性實施例之製造有機發光顯示裝置的方法將參照第9圖至第14圖描述。第9圖係根據本發明的例示性實施例 繪示製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖。第10圖至第14圖係根據本發明的例示性實施例依序繪示製造有機發光顯示裝置的方法的剖視圖。

根據目前的實施例，製造有機發光顯示裝置的方法包含步驟：形成緩衝層於基板上，形成閘極絕緣層於緩衝層上，形成導電層於閘極絕緣層上，以及形成像素定義層，致使導電層的一部位係暴露以形成墊部位，該墊部位連接至驅動IC晶片的凸塊。形成導電層的步驟包含形成突出及凹陷於導電層部位的表面上，其對應於墊部位。

請參閱第10圖，緩衝層101係形成於基板200上(步驟S110)。如上所述，舉例來說，基板200可由含二氧化矽為主成分的透明玻璃材料製成，但並不以此為限，且亦可由透明塑膠材料製成。緩衝層101平面化基板200且防止雜質滲透入基板200。緩衝層101可由氧化矽或氮化矽製成。

請參閱第11圖，用以在電晶體區域形成通道區域的半導體層102的一部位係製造以維持於緩衝層101上且圖樣化成突出圖樣及凹陷圖樣(步驟S120)。如上所述，該些突出圖樣及該些凹陷圖樣亦可直接形成於緩衝層101及/或閘極絕緣層103上，而非於半導體層102上。於第11圖中，半導體層102的已圖樣化部位以規則區間相間隔之突出的型式存在於緩衝層101上。然而，本發明並不限於此。舉例來說，半導體層102可形成於緩衝層101的整體表面上，然後圖樣化成突出圖樣及凹陷圖樣。

請參閱第12圖及第13圖，閘極絕緣層103及導電層104係形成於半導體層102及/或緩衝層101(步驟S130及S140)上。當半導體層102及/或緩衝層101具有突出及凹陷時，若閘極絕緣層103及導電層104係形成於具有突出及凹陷的半導體層102上及/或緩衝層101上，閘極絕緣層103及導電層104在其表面上亦可具有突出圖樣及凹陷圖樣。如上所述，突出圖樣及凹陷圖 樣可直接形成於閘極絕緣層103上，該閘極絕緣層103係設置於無半導體層102插置於其間的平坦的緩衝層101上。於此案例中，形成於閘極絕緣層103上的半導體層104可具有與閘極絕緣層103的突出圖樣及凹陷圖樣相等的突出及凹陷圖樣。又或者，突出圖樣及凹陷圖樣可直接形成於導電層104上。

直接或間接形成於導電層104上的突出圖樣及凹陷圖樣增加介於導電層104與導電球520之間的接觸面積，因而降低接觸電阻。降低的接觸電阻可改善有機發光顯示裝置的可靠性和表現。

請參閱第14圖，像素定義層108係形成以形成凹陷的墊部位140(步驟S150)。

目前的例示性實施例的其它元件係與之前例示性實施例的那些元件相同，因此係省略其重複的詳細敘述。

後文中，根據本發明的另一實施例，製造有機發光顯示裝置的方法將參照第15圖而詳細敘述。第15圖係根據本發明的另一例示性實施例繪示製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖。

根據目前的例示性實施例，製造有機發光顯示裝置之方法包含下列步驟：形成緩衝層於基板上、形成閘極絕緣層於緩衝層上、以均勻的厚度形成導電層於閘極絕緣層上、形成像素定義層，致使導電層的一部位係暴露以形成墊部位，該墊部位連接至驅動IC晶片的凸塊，以及在墊部位下方且介於閘極絕緣層與緩衝層之間形成半導體層。形成半導體層的步驟包含形成第一突出圖樣及第一凹陷圖樣於半導體層的一部位上，其透過圖樣化半導體層的該部位對應於墊部位。形成閘極絕緣層的步驟包含形成第二突出圖樣及第二凹陷圖樣於閘極絕緣層的一部位上，其對應於墊部位。

根據目前例示性實施例的製造方法與根據前一例示性實施例的製造方法相同，除了半導體層係形成於閘極絕緣層與緩衝層之間、第一突出圖樣及第一凹陷圖樣係形成於半導體層的一部位上，其對應於墊部位、第二突出圖樣及第二凹陷圖樣係形成於閘極絕緣層的一部位上，其對應於墊部位、以及導電層係以均勻厚度形成。

半導體層的第一突出圖樣及第一凹陷圖樣可與閘極絕緣層的第二突出圖樣及第二凹陷圖樣以相同形狀形成。相反地，第一突出圖樣及第一凹陷圖樣與第二突出圖樣及第二凹陷圖樣可交互地形成以在不同的位置突出。

目前的例示性實施例的其它元件係與前一例示性實施例的那些元件相等，因此任何重複的其詳細敘述係省略。

雖然本發明已參照其例示性實施例來特別地顯示與描述，然而將理解的是該技術領域具有通常知識者可在未脫離由下述申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇下做形式與細節上的各種變化。此例示性實施例應被認為僅具描述性意義，而非對本發明加以限制。

100‧‧‧有機發光二極體

105a、107a‧‧‧輸入墊

105b‧‧‧掃描線

107b‧‧‧資料線

140‧‧‧墊部位

200‧‧‧基板

210‧‧‧像素區域

220‧‧‧非像素區域

300‧‧‧封裝基板

320‧‧‧密封劑

410‧‧‧掃描驅動器

420‧‧‧資料驅動器

Claims (26)

1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一基板；一緩衝層，係形成於該基板上；一閘極絕緣層，係形成於該緩衝層上；一導電層，係形成於該閘極絕緣層上；一閘極電極，係形成於該導電層上；以及一像素定義層，係暴露該導電層的一部位以形成一墊部位，該墊部位係連接至一驅動積體電路(IC)晶片的凸塊；其中突出及凹陷係形成於該導電層的一表面上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該導電層係由一導電金屬材料製成。
3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該導電層係由一或多個選自氧化銦錫、氧化銦鋅、碳奈米管、奈米線及一導電高分子所構成群組的材料所製成。
4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該導電層係透過複數個導電球電性連接至該凸塊。
5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中該複數個導電球係小於該突出及該凹陷。
6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含一各向異性導電膜，其設置於該凸塊與該導電層之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含一半導體層，其係形成在介於該閘極絕緣層與對應於該墊部位之該緩衝層之間的一區域。
8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該半導體層係圖樣化成突出及凹陷，其係對應於該導電層的該突出及該凹陷。
9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該閘極絕緣層對應於該墊部位的一部位係圖樣化成突出及凹陷。
10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該緩衝層對應於該墊部位的一部位係圖樣化成突出及凹陷。
11. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一基板；一緩衝層，係形成於該基板上；一閘極絕緣層，係形成於該緩衝層上；一導電層，係以一均勻厚度形成於該閘極絕緣層上；一像素定義層，係暴露該導電層的一部位以形成一墊部位，該墊部位係連接至一驅動積體電路(IC)晶片的凸塊；以及一半導體層，係設置於該墊部位下方且形成於該閘極絕緣層與該緩衝層之間； 其中第一突出圖樣及第一凹陷圖樣係形成在對應於該墊部位之該半導體層的一部位上，且第二突出圖樣及第二凹陷圖樣係形成在對應於該墊部位之該閘極絕緣層的一部位上。
12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該第一突出圖樣及該第一凹陷圖樣與該第二突出圖樣及該第二凹陷圖樣於相同的位置突起。
13. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該第一突出圖樣及該第一凹陷圖樣與該第二突出圖樣及該第二凹陷圖樣於不同的位置突起。
14. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包含步驟：形成一緩衝層於一基板上；形成一閘極絕緣層於該緩衝層上；形成一導電層於該閘極絕緣層上；形成一閘極電極於該導電層上；以及形成一像素定義層，致使該導電層的一部位係暴露以形成一墊部位，該墊部位連接至一驅動積體電路(IC)晶片的凸塊；其中形成該導電層的步驟包含形成突出及凹陷在對應於該墊部位之該導電層的已暴露部位的一表面上。
15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該導電層係由一導電金屬材料製成。
16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該導電層係由一或多個選自氧化銦錫、氧化銦鋅、碳奈米管、奈米線及一導電高分子所構成群組的材料所製成。
17. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該導電層係透過複數個導電球電性連接至該凸塊。
18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該複數個導電球係小於該突出及該凹陷。
19. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包含一各向異性導電膜，其介於該凸塊與該導電層之間。
20. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包含形成一半導體層於該閘極絕緣層與對應於該墊部位之該緩衝層之間的一區域。
21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該半導體層係圖樣化成突出及凹陷，其係對應於該導電層的該突出及該凹陷。
22. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該閘極絕緣層對應於該墊部位的一部位係圖樣化成突出及凹陷。
23. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該緩衝層對應於該墊部位的一部位係圖樣化成突出及凹陷。
24. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包含步驟：形成一緩衝層於一基板上； 形成一閘極絕緣層於該緩衝層上；以一均勻厚度形成一導電層於該閘極絕緣層上；形成一像素定義層，致使該導電層的一部位係暴露以形成一墊部位，該墊部位連接至一驅動IC晶片的凸塊；形成一半導體層，其於該墊部位下方且介於該閘極絕緣層與該緩衝層之間；其中形成該半導體層的步驟包含形成第一突出圖樣及第一凹陷圖樣於該半導體層的一部位上，該半導體層係透過圖樣化該半導體層的該部位對應於該墊部位，且形成該閘極絕緣層的步驟包含形成第二突出圖樣及第二凹陷圖樣在對應於該墊部位之該閘極絕緣層的一部位上。
25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第一突出圖樣及該第一凹陷圖樣與該第二突出圖樣及該第二凹陷圖樣於相同的位置突起。
26. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第一突出圖樣及該第一凹陷圖樣與該第二突出圖樣及該第二凹陷圖樣於不同的位置突起。