KR20240049123A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20240049123A
KR20240049123A KR1020230016804A KR20230016804A KR20240049123A KR 20240049123 A KR20240049123 A KR 20240049123A KR 1020230016804 A KR1020230016804 A KR 1020230016804A KR 20230016804 A KR20230016804 A KR 20230016804A KR 20240049123 A KR20240049123 A KR 20240049123A
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하재흥
김종우
오소영
정우석
박희연
송창영
윤종광
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 상기 표시 영역 상에 배치된 표시 소자층, 상기 기판과 대향하는 대향 기판, 상기 비표시 영역 상에 배치되며, 상기 기판과 상기 대향 기판을 결합하는 실링 부재, 및 상기 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 충진재를 포함하며, 상기 충진재의 두께는 상기 실링 부재의 두께 대비 60% 내지 400% 범위에서 가변한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비전과 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다.
표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 발광 표시 장치(Light Emitting Display Device) 등과 같은 평판 표시 장치일 수 있다. 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 무기 반도체와 같은 무기 발광 소자를 포함하는 무기 발광 표시 장치, 및 초고형 발광 소자를 포함하는 초소형 발광 표시 장치를 포함한다.
유기 발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은 두 개의 전극으로부터 전자와 정공을 제공받아 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 백라이트 유닛 등과 같은 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 불량 및 신뢰성을 개선할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 상기 표시 영역 상에 배치된 표시 소자층, 상기 기판과 대향하는 대향 기판, 상기 비표시 영역 상에 배치되며, 상기 기판과 상기 대향 기판을 결합하는 실링 부재, 및 상기 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 충진재를 포함하며, 상기 충진재의 두께는 상기 실링 부재의 두께 대비 60% 내지 400% 범위에서 가변할 수 있다.
상기 충진재의 두께는 상기 비표시 영역으로부터 상기 표시 영역으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다.
상기 충진재의 두께는 상기 비표시 영역으로부터 상기 표시 영역의 중심으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다.
상기 충진재의 두께는 상기 실링 부재로부터 상기 표시 영역의 중심으로 가면서 점진적으로 두께가 감소하다가 증가할 수 있다.
상기 기판과 상기 대향 기판은 유리를 포함할 수 있다.
상기 충진재는 상기 기판, 상기 표시 소자층 및 상기 대향 기판과 직접 접촉할 수 있다.
상기 충진재는 규소를 포함하는 아크릴레이트 수지, 규소를 포함하는 에폭시 수지, 규소를 포함하는 비닐계 수지, 또는 규소를 포함하는 페닐계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 충진재는 실릴리딘을 더 포함할 수 있다.
상기 충진재는 상기 실링 부재와 이격 배치되며, 상기 표시 소자층을 덮을 수 있다.
상기 충진재는 상기 실링 부재와 접촉하며, 상기 기판과 상기 대향 기판 사이의 공간을 채울 수 있다.
상기 충진재의 점도는 1,000 내지 100,000cP일 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치된 표시 소자층, 상기 기판과 대향하며, 상기 표시 소자층과 중첩하는 제1 영역, 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역 및 상기 제2 영역을 둘러싸는 제3 영역을 포함하는 대향 기판, 상기 기판과 상기 대향 기판을 결합하는 실링 부재, 및 상기 표시 소자층을 덮으며, 상기 기판과 상기 대향 기판에 접촉하는 충진재를 포함하며, 상기 충진재의 두께는 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에서 서로 다를 수 있다.
상기 기판의 상면으로부터 측정되는 상기 대향 기판의 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역 각각의 높이는 서로 다를 수 있다.
상기 제1 영역의 높이는 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역 각각의 높이보다 높을 수 있다.
상기 제2 영역의 높이는 상기 제3 영역으로부터 상기 제1 영역으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다.
상기 제2 영역의 높이는 상기 제3 영역으로부터 상기 제1 영역으로 갈수록 점진적으로 감소하다가 증가할 수 있다.
상기 제1 영역 및 상기 제3 영역은 평평할 수 있다.
상기 제3 영역은 상기 실링 부재와 중첩할 수 있다.
상기 충진재의 두께는 상기 실링 부재의 두께 대비 60% 내지 400% 범위로 이루어질 수 있다.
상기 충진재의 점도는 1,000 내지 100,000cP일 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 실링 부재의 두께 대비 충진재의 두께를 60 내지 400% 범위로 형성함으로써, 표시 불량 및 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
또한, 기판과 대향 기판 사이에 충진재를 형성함으로써, 표시 소자층에 수분과 산소가 침투되는 것을 방지하고 표시 장치의 내구성을 더욱 향상시킬 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 배선들을 나타내는 개략적인 배치도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 일 서브 화소의 등가 회로도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 서브 화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 6의 Q1-Q1'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 11은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 12는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 15 내지 도 28은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 공정별로 나타낸 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(Elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(On)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 이와 마찬가지로, "하(Below)", "좌(Left)" 및 "우(Right)"로 지칭되는 것들은 다른 소자와 바로 인접하게 개재된 경우 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소재를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.
도 1는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
본 명세서에서, “상부”, “탑”, “상면”은 표시 장치(10)를 기준으로 상부 방향, 즉 제3 방향(DR3)의 일 방향을 가리키고, “하부”, “바텀”, “하면”은 제3 방향(DR3)의 타 방향을 가리킨다. 또한, “좌”, “우”, “상”, “하”는 표시 장치(10)를 평면에서 바라보았을 때의 방향을 가리킨다. 예를 들어, “우”는 제1 방향(DR1)의 일 방향, “좌”는 제1 방향(DR1)의 타 방향, “상”은 제2 방향(DR2)의 일 방향, “하”는 제2 방향(DR2)의 타 방향을 가리킨다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시할 수 있다. 표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 표시 장치(10)에 포함될 수 있다.
표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 표시 패널을 포함할 수 있다. 표시 패널의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 장치(10)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 가로가 긴 직사각형, 세로가 긴 직사각형, 정사각형, 코너부(꼭지점)가 둥근 사각형, 기타 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)의 형상 또한 표시 장치(10)의 전반적인 형상과 유사할 수 있다. 도 1에서는 가로가 긴 직사각형 형상의 표시 장치(10) 및 표시 영역(DPA)이 예시되어 있다.
표시 장치(10)는 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DPA)은 화면이 표시될 수 있는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 화면이 표시되지 않는 영역이다. 표시 영역(DPA)은 활성 영역으로, 비표시 영역(NDA)은 비활성 영역으로도 지칭될 수 있다. 표시 영역(DPA)은 대체로 표시 장치(10)의 중앙을 차지할 수 있다.
표시 영역(DPA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소(PX)의 형상은 평면상 직사각형 또는 정사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 각 변이 일 방향에 대해 기울어진 마름모 형상일 수도 있다. 각 화소(PX)는 스트라이프 타입 또는 펜타일 타입으로 교대 배열될 수 있다. 또한, 화소(PX)들 각각은 특정 파장대의 광을 방출하는 발광 소자(ED)를 하나 이상 포함하여 특정 색을 표시할 수 있다.
표시 영역(DPA)의 주변에는 비표시 영역(NDA)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)을 전부 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 표시 영역(DPA)은 직사각형 형상이고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)의 4변에 인접하도록 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 장치(10)의 베젤을 구성할 수 있다. 각 비표시 영역(NDA)들에는 표시 장치(10)에 포함되는 배선들 또는 회로 구동부들이 배치되거나, 외부 장치들이 실장될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기판(100), 기판(100)과 대향하는 대향 기판(200)을 포함하며, 기판(100)과 대향 기판(200)을 결합하는 실링 부재(250), 및 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 채워진 충진재(300)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 배치된 표시 소자층(EVL)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 표시 장치(10)의 기저를 이루는 역할을 할 수 있다. 기판(100)은 강성을 가지는 리지드한 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 기판(100)은 유리를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어 기판(100)은 쿼츠(quratz)를 포함할 수도 있다.
기판(100)의 제3 방향(DR3) 상에는 표시 소자층(EVL)이 배치될 수 있다. 표시 소자층(EVL)은 화면을 표시하는 역할을 함으로써, 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)을 정의할 수 있다. 즉, 기판(100) 상에 표시 소자층(EVL)이 배치되는 영역은 표시 영역(DPA)이고, 표시 소자층(EVL)이 배치되지 않는 영역은 비표시 영역(NDA)일 수 있다. 표시 소자층(EVL)은 표시 영역(DPA)과 제3 방향(DR3)으로 중첩하고, 비표시 영역(NDA)과 제3 방향(DR3)으로 비중첩할 수 있다.
표시 소자층(EVL)은 영상을 표시하기 위한 소자 및 회로들, 예컨대 스위칭 소자 등과 같은 화소 회로, 표시 영역(DPA)에 후술할 도전 패턴 및 자발광 소자(self-light emitting element)를 포함할 수 있다. 자발광 소자는 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode), 양자점 발광 소자(Quantum dot Light Emitting Diode), 무기물 기반의 마이크로 발광 다이오드(예를 들어, Micro LED), 무기물 기반의 나노 발광 다이오드(예를 들어, nano LED) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하 설명의 편의를 위하여 상기 자발광 소자가 유기 발광 소자인 경우를 예로서 설명한다.
대향 기판(200)은 기판(100) 상에 위치하고 기판(100)과 대향할 수 있다. 일 실시예에서 대향 기판(200)은 입사 광의 색을 변환하는 색변환 기판일 수 있다. 대향 기판(200)은 투명한 유리, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으며, 리지드(rigid) 또는 플렉서블(flexible)할 수도 있다.
비표시 영역(NDA)에서 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에는 실링 부재(250)가 배치될 수 있다. 실링 부재(250)는 비표시 영역(NDA)에서 기판(100)과 대향 기판(200)의 가장자리를 따라 배치되어 평면 상에서 표시 영역(DPA)을 둘러쌀 수 있다. 기판(100)과 대향 기판(200)은 실링 부재(250)를 매개로 상호 결합될 수 있다. 일 실시예에서 실링 부재(250)는 무기 또는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 실링 부재(250)는 프릿(frit)과 같은 무기 물질 또는 에폭시계 레진과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
실링 부재(250)에 의해 둘러싸인 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 공간에는 충진재(300)가 배치될 수 있다. 충진재(300)는 기판(100)과 대향 기판(200) 사이를 채울 수 있다. 일 실시예에서 충진재(300)는 광을 투과할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 충진재(300)는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 충진재(300)에 대한 설명은 후술하기로 한다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 배선들을 나타내는 개략적인 배치도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(10)는 복수의 배선들을 포함할 수 있다. 복수의 배선은 스캔 라인(SCL), 센싱 라인(SSL), 데이터 배선(DTL), 초기화 전압 배선(VIL), 제1 전압 배선(VDL) 및 제2 전압 배선(VSL) 등을 포함할 수 있다. 또한, 도면에 도시되지 않았으나, 표시 장치(10)는 다른 배선들이 더 배치될 수 있다.
스캔 라인(SCL)과 센싱 라인(SSL)은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 스캔 라인(SCL)과 센싱 라인(SSL)은 스캔 구동부(SDR)에 연결될 수 있다. 스캔 구동부(SDR)는 구동 회로를 포함할 수 있다. 스캔 구동부(SDR)는 표시 영역(DPA)의 제1 방향(DR1) 일 측에 배치될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 스캔 구동부(SDR)는 신호 배선 패턴(CWL)과 연결되고, 신호 배선 패턴(CWL)의 적어도 일 단부는 비표시 영역(NDA) 상에서 패드(WPD_CW)를 형성하여 외부 장치와 연결될 수 있다.
한편, 본 명세서에서 '연결'의 의미를 어느 한 부재가 다른 부재와 상호 물리적인 접촉을 통하여 연결되는 것뿐만 아니라, 다른 부재를 통하여 연결된 것을 의미할 수도 있다. 또한, 이는 일체화된 하나의 부재로써 어느 일 부분과 다른 부분은 일체화된 부재로 인하여 상호 연결된 것으로 이해될 수 있다. 나아가, 어느 한 부재와 다른 부재의 연결은 직접 접촉된 연결에 더하여 다른 부재를 통한 전기적 연결까지 포함하는 의미로 해석될 수 있다.
데이터 배선(DTL)과 초기화 전압 배선(VIL)은 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치된다. 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분과 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분이 서로 다른 층에 배치된 도전층으로 이루어지고, 표시 영역(DPA) 전면에서 메쉬(Mesh) 구조를 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 표시 장치(10)의 각 화소(PX)들은 적어도 하나의 데이터 배선(DTL), 초기화 전압 배선(VIL), 제1 전압 배선(VDL) 및 제2 전압 배선(VSL)에 접속될 수 있다.
데이터 배선(DTL), 초기화 전압 배선(VIL), 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 적어도 하나의 배선 패드(WPD)와 전기적으로 연결될 수 있다. 각 배선 패드(WPD)는 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 배선(DTL)의 배선 패드(WPD_DT, 이하, '데이터 패드'라 칭함), 초기화 전압 배선(VIL)의 배선 패드(WPD_Vint, 이하, '초기화 전압 패드'), 제1 전압 배선(VDL)의 배선 패드(WPD_VDD, 이하 제1 전원 패드') 및 제2 전압 배선(VSL)의 배선 패드(WPD_VSS, 이하, '제2 전원 패드')는 표시 영역(DPA)의 제2 방향(DR2) 일 측에 패드 영역(PDA)에 배치될 수 있다. 배선 패드(WPD) 상에는 외부 장치가 실장될 수 있다. 외부 장치는 이방성 도전 필름, 초음파 접합 등을 통해 배선 패드(WPD) 상에 실장될 수 있다.
표시 장치(10)의 각 화소(PX) 또는 서브 화소(SPXn, n은 1 내지 3의 정수)는 화소 구동 회로를 포함한다. 상술한 배선들은 각 화소(PX) 또는 그 주위를 지나면서 각 화소 구동 회로에 구동 신호를 인가할 수 있다. 화소 구동 회로는 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수 있다. 각 화소 구동 회로의 트랜지스터와 커패시터의 개수는 다양하게 변형될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 표시 장치(10)의 각 서브 화소(SPXn)는 화소 구동 회로가 3개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하는 3T1C 구조일 수 있다. 이하에서는 3T1C 구조를 예로 하여, 화소 구동 회로에 대해 설명하지만, 이에 제한되지 않고 2T1C 구조, 7T1C 구조, 6T1C 구조 등 다른 다양한 변형 화소(PX) 구조가 적용될 수도 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 일 서브 화소의 등가 회로도이다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 각 서브 화소(SPXn)는 발광 소자(EL) 이외에, 3개의 트랜지스터(TR1, TR2, TR3)와 1개의 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.
발광 소자(EL)는 제1 트랜지스터(TR1)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 발광 소자(EL)는 제1 전극, 제2 전극 및 이들 사이에 배치된 적어도 하나의 발광층을 포함한다. 상기 발광층은 제1 전극과 제2 전극으로부터 전달되는 전기 신호에 의해 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다.
발광 소자(EL)의 일 단은 제1 트랜지스터(TR1)의 소스 전극에 연결되고, 타 단은 제1 전압 배선(VDL)의 고전위 전압(이하, 제1 전원 전압)보다 낮은 저전위 전압(이하, 제2 전원 전압)이 공급되는 제2 전압 배선(VSL)에 연결될 수 있다. 또한, 발광 소자(EL)의 타 단은 제2 트랜지스터(TR2)의 소스 전극에 연결될 수 있다.
제1 트랜지스터(TR1)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제1 전원 전압이 공급되는 제1 전압 배선(VDL)으로부터 발광 소자(EL)로 흐르는 전류를 조정한다. 일 예로, 제1 트랜지스터(TR1)는 발광 소자(EL)의 구동을 위한 구동 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극은 제2 트랜지스터(TR2)의 소스 전극에 연결되고, 소스 전극은 발광 소자(EL)의 제1 전극에 연결되며, 드레인 전극은 제1 전원 전압이 인가되는 제1 전압 배선(VDL)에 연결될 수 있다.
제2 트랜지스터(TR2)는 스캔 라인(SCL)의 스캔 신호에 의해 턴-온되어 데이터 배선(DTL)을 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극에 연결시킨다. 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 전극은 스캔 라인(SCL)에 연결되고, 소스 전극은 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극에 연결되며, 드레인 전극은 데이터 배선(DTL)에 연결될 수 있다.
제3 트랜지스터(TR3)는 센싱 라인(SSL)의 센싱 신호에 의해 턴-온되어 초기화 전압 배선(VIL)을 발광 소자(EL)의 일 단에 연결시킨다. 제3 트랜지스터(TR3)의 게이트 전극은 센싱 라인(SSL)에 연결되고, 드레인 전극은 초기화 전압 배선(VIL)에 연결되며, 소스 전극은 발광 소자(EL)의 일 단 또는 제1 트랜지스터(TR1)의 소스 전극에 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 각 트랜지스터(TR1, TR2, TR3)들의 소스 전극과 드레인 전극은 상술한 바에 제한되지 않고, 그 반대의 경우일 수도 있다. 또한, 트랜지스터(TR1, TR2, TR3)들 각각은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 3에서는 각 트랜지스터(TR1, TR2, TR3)들이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 각 트랜지스터(TR1, TR2, TR3)들은 P 타입 MOSFET으로 형성되거나, 일부는 N 타입 MOSFET으로, 다른 일부는 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.
이하에서는 다른 도면을 더 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 일 서브 화소(SPX)의 구조에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 서브 화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 5에서는 상술한 표시 기판(100)의 구조를 구체적으로 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 배치된 표시 소자층(EVL)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 기판(100) 상에 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 버퍼층(115)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막으로 이루어질 수 있다. 버퍼층(115)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 버퍼층(115)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.
버퍼층(115) 상에 제1 트랜지스터(TR1)가 배치될 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)는 반도체층(120), 게이트 전극(130), 소스 전극(140), 및 드레인 전극(145)을 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)는 복수의 화소 각각의 화소 회로를 구성할 수 있다. 예를 들어, 제1 트랜지스터(TR1)는 화소 회로의 구동 트랜지스터 또는 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 도면에서는 표시 장치(10)의 서브 화소(SPX)에 하나의 트랜지스터가 배치된 것을 예시하고 있으나, 이 트랜지스터는 상술한 도 4의 제1 트랜지스터(TR1)에 대응될 수 있다.
반도체층(120)은 버퍼층(115) 상에 배치될 수 있다. 반도체층(120)은 후술하는 제1 도전층의 게이트 전극(130)등과 부분적으로 중첩하도록 배치될 수 있다.
반도체층(120)은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 반도체층(120)은 다결정 실리콘을 포함할 수도 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(In)을 함유하는 산화물 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 산화물 반도체는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 인듐 갈륨 산화물(Indium Gallium Oxide, IGO), 인듐 아연 주석 산화물(Indium Zinc Tin Oxide, IZTO), 인듐 갈륨 주석 산화물(Indium Gallium Tin Oxide, IGTO), 인듐 갈륨 아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO), 인듐 갈륨 아연 주석 산화물(Indium Gallium Zinc Tin Oxide, IGZTO) 중 적어도 하나일 수 있다.
반도체층(120) 상에 게이트 절연층(125)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(125)은 반도체층(120)을 포함하는 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연층(125)은 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 절연막의 역할을 할 수 있다. 게이트 절연층(125)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(125)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 게이트 절연층(125)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.
게이트 전극(130)은 게이트 절연층(125) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(130)은 반도체층(120)의 채널 영역과 두께 방향인 제3 방향(DR3)으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 게이트 전극(130)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어 게이트 전극(130)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 및 구리(Cu) 중 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
게이트 전극(130) 상에 층간 절연층(135)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(135)은 게이트 전극(130) 및 게이트 절연층(125) 상에 배치될 수 있다. 층간 절연층(135)은 게이트 전극(130) 및 그 위에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행할 수 있다. 또한, 층간 절연층(135)은 게이트 전극(130)을 덮도록 배치되어 이를 보호하는 기능을 수행할 수 있다.
층간 절연층(135)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(135)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 층간 절연층(135)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.
소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 층간 절연층(135) 상에 배치될 수 있다. 소스 전극(140)은 층간 절연층(135) 및 게이트 절연층(125)을 관통하는 제1 컨택홀(CH1)을 통해 반도체층(120)에 연결될 수 있다. 드레인 전극(145)은 층간 절연층(135) 및 게이트 절연층(125)을 관통하는 제2 컨택홀(CH2)을 통해 반도체층(120)에 연결될 수 있다.
소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 단일막 또는 다층막일 수 있다.
소스 전극(140) 및 드레인 전극(145) 상에 비아층(150)이 배치될 수 있다. 비아층(150)은 하부의 단차를 평탄화시켜 상부에 형성되는 제1 전극(160)의 성막성을 향상시킬 수 있다.
비아층(150)은 무기 절연 물질이나 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 비아층(150)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.
비아층(150) 상에 발광 소자(EL)가 배치될 수 있다. 발광 소자(EL)는 제1 전극(160), 발광층(165) 및 제2 전극(170)을 포함할 수 있다.
제1 전극(160)은 비아층(150) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(160)은 각 서브 화소(SPX)에 패턴 형상으로 배치될 수 있다. 제1 전극(160)은 발광 소자(EL)의 애노드 전극일 수 있다. 제1 전극(160)은 비아층(150)을 관통하는 제3 컨택홀(CH3)을 통해 제1 트랜지스터(TR1)의 드레인 전극(145)에 연결될 수 있다.
제1 전극(160)은 투명성 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(160)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin-Zinc Oxide) 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 전극(160)은 투명성 전도성 물질과 반사율이 높은 금속층이 각각 한층 이상 적층된 구조를 이루거나, 이들을 포함하여 하나의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(160)은 ITO/은(Ag)/ITO/, ITO/Ag/IZO, 또는 ITO/Ag/ITZO/IZO 등의 적층 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(160) 상에 뱅크층(155)이 배치될 수 있다. 뱅크층(155)은 제1 전극(160)을 부분적으로 노출하는 개구부(OP)를 포함할 수 있다. 뱅크층(155)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(155)은 포토 레지스트, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물, 폴리아크릴계 수지 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
발광층(165)은 제1 전극(160) 상에 배치될 수 있다. 발광층(165)은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층 중 적어도 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 발광층(165)은 각 서브 화소(SPX) 별로 적색, 청색 및 녹색을 발광하거나, 백색을 발광할 수 있다. 발광층(165)이 백색을 발광하는 경우 파장 변환 부재를 통해 적색, 청색 및 녹색을 각각 구현할 수 있다.
발광층(165) 및 뱅크층(155) 상에 제2 전극(170)이 배치될 수 있다. 제2 전극(170)은 기판(100)의 표시 영역(DPA) 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 제2 전극(170)은 복수의 서브 화소에 걸쳐 배치된 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(170)은 발광 소자(EL)의 캐소드 전극일 수 있다.
발광 소자(EL)의 제2 전극(170) 상에 캡핑층(180)이 배치될 수 있다. 캡핑층(180)은 하부의 발광 소자(EL)를 보호하는 역할을 할 수 있다. 캡핑층(180)은 제2 전극(170) 상에 배치되어 제2 전극(170)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 캡핑층(180)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다. 도 7은 도 6의 Q1-Q1'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 표시 장치(10)는 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DPA)은 표시 소자층(EVL)이 배치된 영역으로, 표시 소자층(EVL)과 제3 방향(DR3)으로 중첩된 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)을 제외한 나머지 영역으로, 표시 소자층(EVL)과 제3 방향(DR3)으로 비중첩된 영역일 수 있다.
표시 장치(10)의 비표시 영역(NDA)에는 실링 부재(250)가 배치되어 기판(100)과 대향 기판(200)을 결합할 수 있다. 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에는 충진재(300)가 배치될 수 있다. 충진재(300)는 기판(100) 상에 배치되며 표시 소자층(EVL)을 덮도록 배치될 수 있다. 충진재(300)는 기판(100)의 상면에 접촉하며 표시 소자층(EVL)의 상면 및 측면에 접촉할 수 있다. 또한, 충진재(300)는 대향 기판(200)의 일면에 접촉할 수 있다. 예를 들어, 충진재(300)는 기판(100)과 마주보는 대향 기판(200)의 하면에 접촉할 수 있다. 실링 부재(250)와 충진재(300)는 서로 이격하여 배치될 수 있다. 실링 부재(250)와 충진재(300)는 평면상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에서 서로 이격하여 배치될 수 있다.
충진재(300)는 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 빈 공간 또는 공기층을 줄이면서 보이드(void)의 발생을 방지하여 깨끗한 화면이 표시되도록 할 수 있다. 충진재(300)는 도포 공정의 용이성과 투명성을 확보할 수 있는 재료로 이루어질 수 있다. 충진재(300)는 규소를 포함하는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 규소를 포함하는 고분자 수지는 규소를 포함하는 아크릴레이트 수지, 규소를 포함하는 에폭시 수지, 규소를 포함하는 비닐계 수지, 또는 규소를 포함하는 페닐계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 충진재(300)는 고분자 수지가 경화될 수 있도록 실릴리딘(Silylidyne)(SiH)과 같은 첨가제를 포함하여, 실리콘계 고분자 수지의 규소들을 화학적으로 연결할 수 있다.
충진재(300)는 도포 공정의 용이성을 위해 1,000 내지 100,000cP 범위의 점도를 가질 수 있다. 여기서, 충진재(300)의 점도가 1,000cP 이상이면 충진재(300)의 도포가 용이할 수 있고, 100,000cP 이하이면 충진재(300)의 도포시 충진재(300)가 토출되지 않는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 대향 기판(200)은 굴곡진 형상으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 대향 기판(200)은 제1 영역(200A), 제1 영역(200A)을 둘러싸는 제2 영역(200B) 및 제2 영역(200B)을 둘러싸는 제3 영역(200C)을 포함할 수 있다. 제1 영역(200A), 제2 영역(200B) 및 제3 영역(200C)은 대향 기판(200)의 구조에 따라 나뉠 수 있다.
대향 기판(200)의 제1 영역(200A)은 표시 장치(10)의 중앙부에 해당되며, 기판(100), 표시 소자층(EVL) 및 충진재(300)와 중첩되어 배치될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 영역(200A)에서 표시 장치(10)의 구성은 기판(100)으로부터 제3 방향(DR3)을 따라 표시 소자층(EVL), 충진재(300) 및 대향 기판(200) 순서로 배치되고 빈 공간은 존재하지 않을 수 있다. 대향 기판(200)의 제1 영역(200A)은 굴곡이 없이 평평하게 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(200A)은 기판(100)의 상면과 평행하게 이루어질 수 있다.
대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 제1 영역(200A)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제2 영역(200B)에서 일부는 기판(100), 충진재(300) 및 대향 기판(200) 순서로 중첩되어 배치될 수 있다. 제2 영역(200B)의 다른 일부는 기판(100), 표시 소자층(EVL), 충진재(300) 및 대향 기판(200) 순서로 중첩되어 배치될 수 있다. 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 굴곡진 영역일 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(200B)은 기판(100)으로부터 제3 방향(DR3)을 향해 볼록한 곡면으로 이루어질 수 있다.
대향 기판(200)의 제3 영역(200C)은 제2 영역(200B)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제3 영역(200C)은 기판(100)과 대향 기판(200)이 실링 부재(250)에 의해 결합되는 영역일 수 있다. 제3 영역(200C)에서 기판(100), 실링 부재(250) 및 대향 기판(200) 순서로 중첩되어 배치될 수 있다. 제3 영역(200C)은 충진재(300)와 비중첩하며, 빈 공간이 배치될 수 있다. 대향 기판(200)의 제3 영역(200C)은 평평한 영역일 수 있다. 예를 들어, 제3 영역(200C)은 기판(100)의 상면과 평행하게 이루어질 수 있다.
일 실시예에서, 대향 기판(200)의 제1 영역(200A), 제2 영역(200B) 및 제3 영역(200C)은 기판(100)의 상면으로부터 측정되는 높이가 서로 다를 수 있다.
구체적으로, 대향 기판(200)의 제1 영역(200A)은 기판(100)의 상면으로부터 측정되는 높이가 제2 영역(200B) 및 제3 영역(C)의 높이보다 높을 수 있다. 대향 기판(200)의 제1 영역(200A)은 충진재(300)의 도포시 밀도가 가장 큰 영역으로, 충진재(300)의 두께에 의해 대향 기판(200)이 가장 높이 돌출된 영역일 수 있다.
대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 기판(100)의 상면으로부터 측정되는 높이가 제1 영역(200A)의 높이보다 낮고 제3 영역(C)의 높이보다 높을 수 있다. 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 충진재(300) 도포 후 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 외곽으로 퍼지는 영역으로, 충진재(300)가 외곽으로 퍼짐에 따라 높이가 점차 감소될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(200B)의 높이는 표시 영역(DPA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 갈수록 점진적으로 감소될 수 있다.
대향 기판(200)의 제3 영역(200C)은 기판(100)의 상면으로부터 측정되는 높이가 제1 영역(200A) 및 제2 영역(200B)의 높이보다 낮을 수 있다. 대향 기판(200)의 제3 영역(200C)은 충진재(300)가 퍼지지 않아 존재하지 않는 영역일 수 있다. 제3 영역(200C)의 높이는 제3 영역(200C) 내에서 균일할 수 있다.
한편, 실링 부재(250)는 기판(100)과 대향 기판(200)을 결합할 수 있다. 실링 부재(250)는 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 갭을 유지하기 위해 소정의 두께로 이루어질 수 있다. 또한, 충진재(300)는 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에서 갭을 유지하기 위해 소정의 두께로 이루어질 수 있다. 충진재(300)의 두께(T2)는 대향 기판(200)이 눌림에 따라 표시 소자층(EVL)의 표시 불량을 방지하고 실링 부재(250)가 터지는 것을 방지하는 것을 고려하여 설계될 수 있다.
일 실시예에서, 충진재(300)의 두께(T2)는 실링 부재(250)의 두께(T1) 대비 60% 내지 400% 범위로 이루어지며, 실링 부재(250)의 두께(T1) 대비 60% 내지 400% 범위에서 가변할 수 있다. 충진재(300)의 두께(T2)가 실링 부재(250)의 두께(T1) 대비 60% 이상으로 이루어지면, 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 표시 소자층(EVL)에 눌림에 발생하여 표시 불량이 나타나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 충진재(300)의 두께(T2)가 실링 부재(250)의 두께(T1) 대비 400% 이하로 이루어지면, 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 실링 부재(250)가 터져 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 대향 기판(200)은 제3 방향(DR3)으로 볼록한 형상으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 충진재(300)의 두께(T2)도 달라질 수 있다. 구체적으로, 대향 기판(200)의 제1 영역(200A)과 중첩하는 영역에서 충진재(300)의 두께(T2)는 실질적으로 균일할 수 있다. 여기서, 표시 소자층(EVL) 상면에 존재하는 미세 굴곡으로 인해 충진재(300)의 두께(T2)는 미세한 차이가 있을 수 있을 수도 있다. 따라서, 충진재(300)의 두께(T2)는 '실질적'으로 균일할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)과 중첩하는 영역에서 충진재(300)의 두께(T21, T22, T23)는 서로 다를 수 있다. 제2 영역(200B)에서 충진재(300)의 두께(T21, T22, T23)는 실링 부재(250)로부터 표시 영역(DPA)으로 갈수록 점진적으로 두꺼워질 수 있다. 예를 들어, 실링 부재(250)와 인접한 충진재(300)의 제1 두께(T21)는 가장 작을 수 있고, 표시 영역(DPA)으로 보다 인접한 제2 두께(T22)는 제1 두께(T21)보다 클 수 있고, 표시 영역(DPA)으로 더 인접한 제3 두께(T23)는 제2 두께(T22)보다 클 수 있다. 이때, 충진재(300)의 측변에 해당하는 제1 두께(T21)는 실링 부재(250)의 두께(T1)와 동일할 수 있다.
상기와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 실링 부재(250)의 두께 대비 충진재(300)의 두께를 60 내지 400% 범위로 형성함으로써, 표시 불량 및 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
이하, 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)에 대해 설명하기로 한다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 도 11은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 실시예에서는 대향 기판(200)의 제1 영역(200A)이 존재하지 않는다는 점에서 상술한 도 6 내지 도 10의 실시예와 차이가 있다. 이하, 상술한 실시예와 중복되는 설명은 생략하고 차이점에 대해 설명하기로 한다.
대향 기판(200)은 굴곡진 형상으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 대향 기판(200)은 제2 영역(200B) 및 제2 영역(200B)을 둘러싸는 제3 영역(200C)을 포함할 수 있다.
대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 표시 장치(10)의 중앙부를 포함한 대부분의 영역에 해당될 수 있다. 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 표시 영역(DPA) 전체와 비표시 영역(NDA)의 일부에 해당될 수 있다. 제2 영역(200B)은 기판(100), 표시 소자층(EVL) 및 충진재(300)와 중첩되어 배치될 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 영역(200B)에서 표시 장치(10)의 구성은 기판(100)으로부터 제3 방향(DR3)을 따라 표시 소자층(EVL), 충진재(300) 및 대향 기판(200) 순서로 배치되고 빈 공간은 존재하지 않을 수 있다. 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 굴곡진 형상으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(200B)은 기판(100)으로부터 제3 방향(DR3)을 향해 볼록한 곡면으로 이루어질 수 있다. 즉, 제2 영역(200B)은 표시 영역(DPA)의 중앙을 향해 볼록한 곡면으로 이루어질 수 있다.
대향 기판(200)의 제3 영역(200C)은 제2 영역(200B)을 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 도 6 내지 도 9의 실시예에서 상술한 제3 영역(200C)과 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 대향 기판(200)의 제2 영역(200B) 및 제3 영역(200C)은 기판(100)의 상면으로부터 측정되는 높이가 서로 다를 수 있다.
구체적으로, 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 기판(100)의 상면으로부터 측정되는 높이가 제3 영역(200C)의 높이보다 높을 수 있다. 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 충진재(300)가 실질적으로 도포되어 퍼지는 영역으로, 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 충진재(300)가 외곽으로 퍼짐에 따라 외곽으로 갈수록 높이가 점차 감소될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(200B)의 높이는 표시 영역(DPA)의 중심으로부터 비표시 영역(NDA)으로 갈수록 점진적으로 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 충진재(300)의 두께(T2)는 실리 부재(250)의 두께(T1) 대비 60% 내지 400% 범위로 이루어질 수 있다. 충진재(300)의 두께(T2)가 실링 부재(250)의 두께(T1) 대비 60% 이상으로 이루어지면, 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 표시 소자층(EVL)에 눌림에 발생하여 표시 불량이 나타나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 충진재(300)의 두께(T2)가 실링 부재(250)의 두께(T1) 대비 400% 이하로 이루어지면, 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 실링 부재(250)가 터져 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 대향 기판(200)은 제3 방향(DR3)으로 볼록한 형상으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 충진재(300)의 두께(T2)도 달라질 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)과 중첩하는 영역에서 충진재(300)의 두께(T21, T22, T23)는 서로 다를 수 있다. 제2 영역(200B)에서 충진재(300)의 두께(T21, T22, T23)는 실링 부재(250)로부터 표시 영역(DPA)의 중심으로 갈수록 점진적으로 두꺼워질 수 있다. 다시 말하면, 제2 영역(200B)에서 충진재(300)의 두께(T21, T22, T23)는 표시 영역(DPA)의 중심으로부터 실링 부재(250)를 향해 갈수록 점진적으로 얇아질 수 있다. 예를 들어, 실링 부재(250)와 인접한 충진재(300)의 제1 두께(T21)는 가장 작을 수 있고, 표시 영역(DPA)의 중심으로 보다 인접한 제2 두께(T22)는 제1 두께(T21)보다 클 수 있고, 표시 영역(DPA)의 중심에서 제3 두께(T23)는 제2 두께(T22)보다 클 수 있다. 이때, 충진재(300)의 측변에 해당하는 제1 두께(T21)는 실링 부재(250)의 두께(T1)와 동일할 수 있다.
도 10에서는 표시 소자층(EVL)으로 인해 제1 두께(T21)가 가장 크게 나타나지만 이는 표시 소자층(EVL)을 표시하기 위해 표시 소자층(EVL)을 크게 도시한 것에 불과하다. 실질적으로 표시 소자층(EVL)의 두께는 매우 작으므로, 충진재(300)의 두께(T2)는 도 10에 제한되지 않는다.
도 12는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 실시예에서 표시 장치(10)의 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)의 형상이 다르다는 점에서 상술한 도 6 내지 9의 실시예와 차이가 있다. 이하, 상술한 실시예와 중복되는 설명은 생략하고 차이점에 대해 설명하기로 한다.
대향 기판(200)은 굴곡진 형상으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 대향 기판(200)은 평평한 제1 영역(200A), 제1 영역(200B)을 둘러싸며 굴곡진 제2 영역(200B), 및 제2 영역(200B)을 둘러싸는 제3 영역(200C)을 포함할 수 있다.
대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 제1 영역(200A)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 굴곡진 영역일 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(200B)은 기판(100)을 향해 제3 방향(DR3)의 반대 방향으로 오목하다가 제3 방향(DR3)을 향해 볼록해지는 곡면으로 이루어질 수 있다. 제2 영역(200B) 중 기판(100)을 향해 오목해지는 영역은 비표시 영역(NDA)에 인접하여 배치되고, 제3 방향(DR3)을 향해 볼록해지는 영역은 표시 영역(DPA)의 중심에 인접하여 배치될 수 있다. 제2 영역(200B) 중 기판(100)을 향해 오목해지는 영역은 충진재(300)가 상대적으로 얇은 두께로 존재하여 응력에 의해 눌려지는 영역일 수 있다. 제2 영역(200B) 중 제3 방향(DR3)을 향해 볼록해지는 영역은 충진재(300)가 상대적으로 두꺼운 두께로 존재하여 표시 영역(DPA)의 중심에 가까워질수록 볼록하게 돌출되는 영역일 수 있다.
일 실시예에서, 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 기판(100)의 상면으로부터 측정되는 높이가 서로 다를 수 있다.
구체적으로, 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 기판(100)의 상면으로부터 측정되는 높이가 제1 영역(200A)의 높이보다 낮을 수 있다. 대향 기판(200)의 제2 영역(200B)은 충진재(300)가 실질적으로 도포되어 퍼지는 영역으로, 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 충진재(300)가 외곽으로 퍼짐에 따라 외곽으로 갈수록 높이가 점차 감소되다가 다시 증가될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(200B)의 높이는 표시 영역(DPA)의 중심으로부터 비표시 영역(NDA)으로 갈수록 점진적으로 감소되다가, 비표시 영역(NDA)의 가장자리에서 점진적으로 증가될 수 있다.
일 실시예에서, 충진재(300)의 두께(T2)는 실리 부재(250)의 두께(T1) 대비 60% 내지 400% 범위로 이루어질 수 있다. 충진재(300)의 두께(T2)가 실링 부재(250)의 두께(T1) 대비 60% 이상으로 이루어지면, 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 표시 소자층(EVL)에 눌림에 발생하여 표시 불량이 나타나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 충진재(300)의 두께(T2)가 실링 부재(250)의 두께(T1) 대비 400% 이하로 이루어지면, 기판(100)과 대향 기판(200)의 합착시 실링 부재(250)가 터져 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 대향 기판(200)은 비표시 영역(NDA)에서 표시 영역(DPA)의 중심으로 갈수록 제3 방향(DR3)의 반대 방향으로 오목해지다가 제3 방향(DR3)으로 볼록한 형상으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 충진재(300)의 두께(T2)도 달라질 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 대향 기판(200)의 제1 영역(200A) 및 제2 영역(200B)과 중첩하는 영역에서 충진재(300)의 두께(T21, T22, T23, T24)는 서로 다를 수 있다. 제1 영역(200A)에서 충진재(300)의 두께(T24)는 가장 두꺼울 수 있다. 제2 영역(200B)에서 충진재(300)의 두께(T21, T22, T23)는 실링 부재(250)로부터 표시 영역(DPA)의 중심으로 갈수록 점진적으로 얇아지다가 다시 두꺼워질 수 있다. 다시 말하면, 제2 영역(200B)에서 충진재(300)의 두께(T21, T22, T23)는 표시 영역(DPA)의 중심으로부터 실링 부재(250)를 향해 갈수록 점진적으로 얇아지다가 다시 두꺼워질 수 있다. 예를 들어, 실링 부재(250)와 인접한 충진재(300)의 제1 두께(T21) 대비하여, 표시 영역(DPA)의 중심으로 보다 인접한 제2 두께(T22)는 더 작을 수 있다. 또한, 표시 영역(DPA)의 중심으로 제2 두께(T22)보다 더 인접한 제3 두께(T23)는 제2 두께(T22)보다 클 수 있다. 이때, 충진재(300)의 측변에 해당하는 제1 두께(T21)는 실링 부재(250)의 두께(T1)와 동일할 수 있다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에서는 충진재(300)가 실링 부재(250)와 접촉한다는 점에서 상술한 도 6 내지 도 9의 실시예와 차이가 있다.
충진재(300)는 실링 부재(250)로 결합된 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 완전히 채워질 수 있다. 즉, 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 충진재(300)가 존재하지 않는 빈 공간이 없을 수 있다. 충진재(300)는 기판(100)과 대향 기판(200)에 접촉할 뿐만 아니라 실링 부재(250)에 직접 접촉할 수 있다.
충진재(300)가 기판(100))과 대향 기판(200) 사이에 완전히 채워짐으로써, 표시 소자층(EVL)에 수분과 산소가 침투되는 것을 방지하고 표시 장치(10)의 내구성을 더욱 향상시킬 수 있다.
이하에서는 일 실시예에 따른 표시 장치(10)를 제조하는 방법에 대해 설명하도록 한다.
도 14 내지 도 28은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 15 내지 도 28은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 공정별로 나타낸 도면들이다.
도 14를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법은 원장 기판(MG)의 상면에 표시 소자층(EVL)을 배치하고 셀 영역을 형성하는 단계(S100), 원장 봉지 기판(MEG)의 상면에 외곽 실런트(SEL) 및 실링 부재(250)를 형성하는 단계(S110), 원장 봉지 기판(MEG)에 충진 재료(300`)를 도포하는 단계(S120), 충진 재료(300`)가 도포된 원장 봉지 기판(MEG)과 셀 영역이 형성된 원장 기판(MG)을 합착하는 단계(S130), 실링 부재(250) 및 충진 재료(300`)를 경화시키는 단계(S140) 및 합착된 원장 기판(MG) 및 원장 봉지 기판(MEG)을 컷팅하여 셀을 수득하는 단계(S150)를 포함할 수 있다. 이하 공정 단계를 순차적으로 설명하도록 한다.
도 15 및 도 16을을 참조하면, 먼저, 원장 기판(MG)을 준비하고, 원장 기판(MG)의 상면에 표시 소자층(EVL)을 배치하여 셀 영역을 형성한다. 예를 들어 표시 소자층(EVL)을 배치하는 공정은 증착 공정으로 수행할 수 있다.
원장 기판(MG)은 기판(100)과 동일한 물질을 포함하는 기판으로서, 여러 개의 표시 장치(10)를 한꺼번에 복수 개 수득하기 위해 복수의 셀 영역이 형성된 기판일 수 있다. 셀 영역은 표시 장치(10) 하나에 대응되는 영역일 수 있다. 원장 기판(MG) 상에 정의되는 셀 영역을 편의상 제1 셀 영역(CA1)이라 지칭하기로 한다. 원장 기판(MG)의 제1 셀 영역(CA1)에 대응되는 일 영역은 후술하는 컷팅 공정을 거쳐 기판(100)이 될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 셀 영역(CA1)은 원장 기판(MG) 상에서 격자 패턴으로 배열될 수 있다.
원장 기판(MG) 상에는 복수의 표시 소자들이 격자 패턴으로 배열되어 배치될 수 있다. 표시 소자층(EVL)은 복수의 제1 셀 영역(CA1) 내에 배치될 수 있다. 표시 소자층(EVL)을 배치하는 공정은 당업자에게 널리 알려져 있으므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략하도록 한다.
이어, 도 17 내지 도 19를 참조하면, 원장 봉지 기판(MEG)의 일면 상에 외곽 실런트(SEL) 및 실링 부재(250)를 형성한다.
원장 봉지 기판(MEG)은 대향 기판(200)과 동일한 물질을 포함하는 기판으로서, 여러 개의 표시 장치(10)를 한꺼번에 복수 개 수득하기 위해 복수의 셀 영역이 형성된 기판일 수 있다. 상술한 바와 같이 셀 영역은 표시 장치(10) 하나에 대응되는 영역일 수 있다. 원장 봉지 기판(MEG) 상에 정의되는 셀 영역을 편의상 제2 셀 영역(CA2)이라 지칭하도록 한다. 원장 봉지 기판(MEG)의 제2 셀 영역(CA2)에 대응되는 일 영역은 후술하는 컷팅 공정을 거쳐 대향 기판(200)이 될 수 있다. 원장 봉지 기판(MEG)의 제2 셀 영역(CA2)은 원장 봉지 기판(MEG)과 원장 기판(MG)을 합착하는 공정에서 원장 기판(MG)의 제1 셀 영역(CA1)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 셀 영역(CA2)은 원장 봉지 기판(MEG) 상에서 격자 패턴으로 배열될 수 있다.
외곽 실런트(SEL)는 원장 봉지 기판(MEG)과 원장 기판(MG)의 가장자리를 결합하는 역할을 할 수 있다. 외곽 실런트(SEL)는 원장 봉지 기판(MEG)의 가장 자리를 따라 배치되므로, 제2 셀 영역(CA2)은 외곽 실런트(SEL) 내측에 배치될 수 있다.
실링 부재(250)는 원장 기판(MG)의 제1 셀 영역(CA1)의 가장자리와 원장 봉지 기판(MEG)의 제2 셀 영역(CA2)의 가장자리를 결합하는 역할을 할 수 있다. 외곽 실런트(SEL)와 실링 부재(250)는 디스펜싱(dispensing) 방식으로 도포될 수 있다.
이어, 도 20을 참조하면 실링 부재(250)가 형성된 원장 봉지 기판(MEG) 상에 충진 재료(300`)를 도포한다. 예를 들어 충진 재료(300`)는 제트 디스펜서(jet dispenser)를 통해 복수의 닷(dot)형태로 도포될 수 있다.
충진 재료(300`)가 복수의 닷(dot) 형태로서 격자 패턴으로 도포되는 경우, 이어지는 원장 기판(MG)과 원장 봉지 기판(MEG)의 합착 공정에서 충진 재료(300`)가 고르게 퍼질 수 있다. 도면에서는 충진 재료(300`)가 닷 형태로서 제1 방향(DR1)으로 따라 표면 개질 영역(HPA) 당 5개의 닷 형태로 도포되는 것을 도시하였지만, 충진 재료(300`)가 도포되는 닷 형태의 개수는 이에 제한되지 않는다. 또한, 충진 재료(300')는 실링 부재(250)와 이격하여 도포될 수 있다.
충진 재료(300`)는 충진재(300)와 동일한 물질 및 조성을 포함할 수 있다. 다시 말해, 충진 재료(300`)는 표시 소자층(EVL)과 반응성이 적은 물질로서, 실리콘을 포함하는 아크릴레이트(acrylate)계 수지, 실리콘을 포함하는 에폭시(epoxy)계 수지, 실리콘을 포함하는 비닐(vinyl)계 수지, 또는 실리콘을 포함하는 페닐(phenyl)계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 충진 재료(300')는 굴절률은 1.4 이상 1.5 이하일 수 있다. 충진 재료(300`)는 후술하는 경화 공정을 통해 충진재(300)를 형성할 수 있다. 다시 말해, 충진재(300)는 충진 재료(300`)가 경화된 결과물일 수 있다.
그 다음, 도 21 내지 도 26을 참조하면, 충진 재료(300`)가 도포된 원장 봉지 기판(MEG)과 원장 기판(MG)을 합착한다. 예를 들어, 원장 기판(MG)과 원장 봉지 기판(MEG)을 합착하는 공정은 실링 부재(250)에 레이저를 가하는 열 압착 공정을 통해 수행될 수 있다. 한편, 도 22는 도 16에 도시된 Q2-Q2`선을 따라 자른 단면을 개략적으로 도시한 것이고, 도 25는 도 24에 도시된 Q3-Q3`선을 따라 자른 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
원장 봉지 기판(MEG)과 원장 기판(MG)을 합착하는 공정은 원장 기판(MG) 상의 표시 소자층(EVL)과 원장 봉지 기판(MEG)이 대향되어 진행될 수 있다. 원장 봉지 기판(MEG)과 원장 기판(MG)이 합착되는 경우, 도 23에 도시된 바와 같이 원장 기판(MG) 상에 형성된 표시 소자층(EVL) 자체의 두께로 인해 원장 봉지 기판(MEG) 상에 도포된 충진 재료(300`)가 퍼질 수 있다.
이 경우, 충진 재료(300`)는 도 23 및 도 24에 도시된 바와 같이 원장 봉지 기판(MEG), 원장 기판(MG) 및 실링 부재(250)로 둘러싸인 공간에서 실링 부재(250)를 향해 퍼져나갈 수 있다. 충진 재료(300')는 실링 부재(250)와 접촉하지 않고, 일정 시간 동안 실링 부재(250)와 이격되어 있는 상태를 유지할 수 있다.
또한, 원장 봉지 기판(MEG)은 원장 기판(MG)과 합착 시, 도포된 충진 재료(300')에 의해 제3 방향(DR3)으로 볼록한 형상으로 형성될 수 있다. 원장 봉지 기판(MEG)은 상대적으로 충진 재료(300')의 양이 많은 표시 소자층(EVL)과 대향하는 영역에서 제3 방향(DR3)으로 볼록해지고 볼록한 영역은 전체적으로 평평하게 형성될 수 있다. 원장 봉지 기판(MEG)은 표시 소자층(EVL) 주변의 실링 부재(250)와 인접한 영역에서는 완만한 곡면이 형성될 수 있다. 또한, 원장 봉지 기판(MEG)은 실링 부재(250)와 중첩하는 영역에서는 형상의 변화가 없이 평평한 형상으로 형성될 수 있다.
이어, 실링 부재(250)에 레이저 빔(L)이 조사되어 실링 부재(250)를 일부 용융 시켜 원장 기판(MG)과 원장 봉지 기판(MEG)을 합착시킬 수 있다. 실링 부재(250)에 레이저 빔(L)이 조사되는 시점에서 충진 재료(300`)는 실링 부재(250)에 도달하지 않아 실링 부재(250)와 접하지 않으므로, 실링 부재(250)에 조사되는 레이저 빔(L)에 의한 열 에너지 또는 실링 부재(250) 자체에 의한 열 에너지에 영향을 받지 않을 수 있다.
만약, 실링 부재(250)에 레이저 빔(L)이 조사되는 시점에서 충진 재료(300`)가 실링 부재(250)에 도달하여 접하게 되는 경우에는 실링 부재(250)에 조사되는 레이저 빔(L)에 의한 열 에너지 또는 실링 부재(250) 자체에 의한 열 에너지를 받아 충진 재료(300`)에 가스가 방출될 수 있고, 충진 재료(300`)로부터 방출된 가스는 표시 소자층(EVL)을 손상시킬 우려가 있다. 따라서, 원장 봉지 기판(MEG) 상에 도포된 충진 재료(300`)의 퍼짐 특성을 제어함으로써, 상기 문제를 해결할 수 있다.
이어 도 27 및 도 28을 참조하면, 충진 재료(300`)가 원장 봉지 기판(MEG), 원장 기판(MG) 및 실링 부재(250)로 둘러싸인 공간에 퍼진 후 충진 재료(300`)를 경화시켜 충진재(300)를 형성한다. 예를 들어, 충진 재료(300`)를 경화시키는 공정은 열 경화, UV 경화 또는 열 경화와 UV 경화를 동시에 진행하여 수행할 수 있다. 이 경우, 충진 재료(300`)는 원장 봉지 기판(MEG), 원장 기판(MG) 및 실링 부재(250)로 둘러싸인 공간에 퍼지나 실링 부재(250)와 이격될 수 있다. 다만 이에 제한되지 않으며 충진 재료(300')는 실링 부재(250)와 접할 수도 있다. 충진 재료(300')는 표시 소자층(EVL)을 완전히 덮을 수 있다.
충진재(300)는 원장 봉지 기판(MEG)의 볼록하게 형성된 형상에 따라, 영역 별로 두께가 다르게 형성될 수 있다. 상술한 도 7 내지 9에 설명된 바와 같이, 충진재(300)는 실링 부재(250)의 두께 대비 60% 내지 400% 범위 내에서 두께가 가변할 수 있다. 예를 들어, 충진재(300)는 비표시 영역(NDA)에서 표시 영역(DPA)으로 갈수록 두께가 점진적으로 증가될 수 있다. 충진재(300)는 대향 기판(200)의 제1 영역(200A)에서 두께가 균일할 수 있고, 제2 영역(200B)에서 두께가 제1 영역(200A)으로 갈수록 점진적으로 증가될 수 있다.
다음, 셀 영역을 컷팅하여 도 7의 표시 장치(10)를 수득한다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기구 안정성 및 화면 시인성이 향상될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 100: 기판
200: 대향 기판 250: 실링 부재
300: 충진재 EVL: 표시 소자층

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 상기 표시 영역 상에 배치된 표시 소자층;
    상기 기판과 대향하는 대향 기판;
    상기 비표시 영역 상에 배치되며, 상기 기판과 상기 대향 기판을 결합하는 실링 부재; 및
    상기 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 충진재를 포함하며,
    상기 충진재의 두께는 상기 실링 부재의 두께 대비 60% 내지 400% 범위에서 가변하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 충진재의 두께는 상기 비표시 영역으로부터 상기 표시 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 충진재의 두께는 상기 비표시 영역으로부터 상기 표시 영역의 중심으로 갈수록 점진적으로 증가하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 충진재의 두께는 상기 실링 부재로부터 상기 표시 영역의 중심으로 가면서 점진적으로 두께가 감소하다가 증가하는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 대향 기판은 유리를 포함하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 충진재는 상기 기판, 상기 표시 소자층 및 상기 대향 기판과 직접 접촉하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 충진재는 규소를 포함하는 아크릴레이트 수지, 규소를 포함하는 에폭시 수지, 규소를 포함하는 비닐계 수지, 또는 규소를 포함하는 페닐계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 충진재는 실릴리딘을 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 충진재는 상기 실링 부재와 이격 배치되며, 상기 표시 소자층을 덮는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 충진재는 상기 실링 부재와 접촉하며, 상기 기판과 상기 대향 기판 사이의 공간을 채우는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 충진재의 점도는 1,000 내지 100,000cP인 표시 장치.
  12. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 표시 소자층;
    상기 기판과 대향하며, 상기 표시 소자층과 중첩하는 제1 영역, 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역 및 상기 제2 영역을 둘러싸는 제3 영역을 포함하는 대향 기판;
    상기 기판과 상기 대향 기판을 결합하는 실링 부재; 및
    상기 표시 소자층을 덮으며, 상기 기판과 상기 대향 기판에 접촉하는 충진재를 포함하며,
    상기 충진재의 두께는 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에서 서로 다른 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 기판의 상면으로부터 측정되는 상기 대향 기판의 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역 각각의 높이는 서로 다른 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 영역의 높이는 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역 각각의 높이보다 높은 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 영역의 높이는 상기 제3 영역으로부터 상기 제1 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하는 표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 영역의 높이는 상기 제3 영역으로부터 상기 제1 영역으로 갈수록 점진적으로 감소하다가 증가하는 표시 장치.
  17. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제3 영역은 평평한 표시 장치.
  18. 제12 항에 있어서,
    상기 제3 영역은 상기 실링 부재와 중첩하는 표시 장치.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 충진재의 두께는 상기 실링 부재의 두께 대비 60% 내지 400% 범위로 이루어진 표시 장치.
  20. 제12 항에 있어서,
    상기 충진재의 점도는 1,000 내지 100,000cP인 표시 장치.
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