CN220935485U - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN220935485U
CN220935485U CN202321929983.8U CN202321929983U CN220935485U CN 220935485 U CN220935485 U CN 220935485U CN 202321929983 U CN202321929983 U CN 202321929983U CN 220935485 U CN220935485 U CN 220935485U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
display device
disposed
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321929983.8U
Other languages
English (en)
Inventor
申铉亿
朴俊龙
裵俊佑
宋都根
郑镕彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN220935485U publication Critical patent/CN220935485U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本实用新型涉及显示装置。该显示装置包括：基板，包括平坦区域和从平坦区域凹进的沟槽区域；电极图案，布置在基板上，其中，电极图案包括沿着基板的沟槽区域的轮廓被弯折的凹进部分；平坦化层，插入凹进部分中；第一绝缘层，覆盖基板、电极图案和平坦化层；以及发光元件，布置在第一绝缘层上，其中，平坦化层包括有机‑无机复合材料。

Description

显示装置
本申请要求于2022年8月10日提交的韩国专利申请第10-2022-0099953号的优先权以及由此产生的所有权益，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。相应地，诸如有机发光二极管(OLED)显示装置和液晶显示(LCD)装置等的各种显示装置在各个领域中被广泛使用。
通常，显示装置包括诸如有机发光显示面板或LCD面板的显示面板。发光显示面板可以包括诸如例如发光二极管(LED)的发光元件。LED的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机LED(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机LED。
实用新型内容
本公开的实施例提供了一种能够防止可靠性因布线或电极的厚度而被降低的显示装置。
本公开的实施例还提供了一种制造能够防止可靠性因布线或电极的厚度而被降低的显示装置的方法。
然而，本公开的各方面不限于本文中阐述的各方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据本公开的实施例，一种显示装置，包括：基板，包括平坦区域和从平坦区域凹进的沟槽区域；电极图案，布置在基板上，其中，电极图案包括沿着基板的沟槽区域的轮廓被弯折的凹进部分；平坦化层，插入凹进部分中；第一绝缘层，覆盖基板、电极图案和平坦化层；以及发光元件，布置在第一绝缘层上，其中，平坦化层包括有机-无机复合材料。
在实施例中，有机-无机复合材料可以包括有机材料和无机材料，并且无机材料的含量可以大于有机材料的含量。
在实施例中，有机材料可以包括硅氧烷，并且无机材料可以包括氧化硅(SiO2)。
在实施例中，电极图案可以包括被基板的平坦区域和平坦化层暴露的暴露表面，并且平坦区域的顶表面、暴露表面和平坦化层的顶表面可以布置在同一平面上。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：薄膜晶体管(TFT)，布置在第一绝缘层与发光元件之间，其中，TFT的半导体层可以与电极图案重叠。
在实施例中，发光元件可以包括第一电极、布置在第一电极上的发光层和布置在发光层上的第二电极，显示装置可以进一步包括布置在第一绝缘层与发光元件之间的TFT，并且发光元件的第一电极和TFT可以彼此电连接。
在实施例中，第一电极可以通过穿过第一绝缘层限定的接触孔与电极图案的暴露表面直接接触。
在实施例中，第一电极可以通过穿过第一绝缘层和平坦化层限定的接触孔与电极图案直接接触。
在实施例中，电极图案可以包括被基板的平坦区域和平坦化层暴露的暴露表面，并且暴露表面可以是弯曲的。
在实施例中，电极图案可以包括铜(Cu)。
根据本公开的实施例，一种显示装置，包括：第一绝缘层，布置在基板上，其中，第一绝缘层包括平坦区域和从平坦区域凹进的沟槽区域；电极图案，布置在基板上，其中，电极图案包括沿着沟槽区域的轮廓被弯折的凹进部分；平坦化层，插入凹进部分中；第二绝缘层，覆盖基板、电极图案和平坦化层；以及发光元件，布置在第二绝缘层上，其中，平坦化层包括有机-无机复合材料。
在实施例中，有机-无机复合材料可以包括有机材料和无机材料，并且无机材料的含量可以大于有机材料的含量。
在实施例中，有机材料可以包括硅氧烷，并且无机材料可以包括氧化硅(SiO2)。
在实施例中，电极图案可以包括被第一绝缘层的平坦区域和平坦化层暴露的暴露表面，并且平坦区域的顶表面、暴露表面和平坦化层的顶表面可以布置在同一平面上。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：薄膜晶体管(TFT)，布置在第一绝缘层与发光元件之间，其中，TFT的半导体层可以与电极图案重叠。
在实施例中，发光元件可以包括第一电极、布置在第一电极上的发光层和布置在发光层上的第二电极，显示装置可以进一步包括布置在第一绝缘层与发光元件之间的TFT，并且发光元件的第一电极和TFT可以彼此电连接。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：TFT，布置在基板与发光元件之间，其中，电极图案可以是TFT的栅电极。
根据本公开的实施例，一种制造显示装置的方法，包括：制备基板；在基板上形成平坦区域和从平坦区域凹进的沟槽区域；在基板上形成沿着沟槽区域的轮廓被部分地弯折的电极材料层；在电极材料层上形成有机-无机复合材料层；通过蚀刻有机-无机复合材料层来形成布置在电极材料层的一部分上的有机-无机复合层；通过选择性地蚀刻电极材料层的未被有机-无机复合层覆盖的部分来形成电极层；以及在基板的平坦区域、有机-无机复合层和电极层上形成第一绝缘层。
在实施例中，有机-无机复合材料层和有机-无机复合层中的每一个可以包括有机材料和无机材料，并且无机材料的含量可以大于有机材料的含量。
在实施例中，有机材料可以包括硅氧烷，并且无机材料可以包括氧化硅(SiO2)。
根据本公开的实施例，可以改善显示装置的可靠性。
在这样的实施例中，可以提供具有改善的可靠性的显示装置。
应当注意的是，本公开的效果不限于上面描述的效果，并且本公开的其他效果将从以下描述中显而易见。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开的实施例，本公开的以上和其他特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的电子装置的透视图；
图2是包括在图1的电子装置中的显示装置的透视图；
图3是图2的显示装置的显示面板的平面图；
图4是图2的显示装置的像素的截面图；
图5是图4的区域A1的放大截面图；
图6至图13图示根据本公开的实施例的制造显示装置的方法；
图14是根据本公开的可替代实施例的显示装置的像素的截面图；
图15是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图；
图16是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图；
图17是图16的区域A2的放大截面图；
图18至图20是图示制造图16的显示装置的方法的截面图；
图21是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图；
图22是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图；
图23是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图；并且
图24是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更全面地描述本实用新型，在附图中示出了各种实施例。然而，本实用新型可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本实用新型的范围。
还将理解的是，当层被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在居间层。相比之下，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在居间元件。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的部件。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本实用新型的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
本文中使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并且不旨在进行限制。如本文中所使用的，“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外清楚地指示。例如，“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义，除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”是指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”及其变体指定所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语可以在本文中用于描述如各图中所图示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了各图中描绘的定向之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同定向。例如，如果在各图中的一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下”侧的元件将随之被定向在其他元件的“上”侧。因此，取决于图的特定定向，术语“下”可以涵盖“下”和“上”的定向两者。类似地，如果在各图中的一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下面”或“下方”的元件将随之被定向在其他元件“上面”。因此，术语“下面”或“下方”可以涵盖上面和下面的定向两者。
本公开的各个实施例中的每一个的特征可以部分地或完全地彼此结合并且可以在技术上彼此不同地相互作用，并且相应的实施例可以彼此独立地实现，或者可以彼此关联地一起实现。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如那些在常用词典中限定的术语应被解释为具有与其在相关技术和本公开的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
在本文中参照是理想化实施例的示意性图示的截面图示来描述实施例。因此，预期了例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被解释为限于如本文中所图示的区的特定形状，而应包括由于例如制造导致的形状的偏差。例如，图示或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，图示的尖角可以被倒圆。因此，各图中图示的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示区的精确形状并且不旨在限制本权利要求书的范围。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
图1是根据本公开的实施例的电子装置的透视图。
参照图1，电子装置1的实施例显示移动图像或静止图像。电子装置1可以指代包括显示屏的几乎所有类型的电子装置。电子装置1的示例包括电视(TV)、笔记本计算机、监视器、电子广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器(HMD)、移动通信终端、电子记事本、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机以及可携式摄像机。
如图1中所图示，限定了第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。参照图1，第一方向DR1和第二方向DR2可以彼此正交，第一方向DR1和第三方向DR3可以彼此正交，并且第二方向DR2和第三方向DR3可以彼此正交。第一方向DR1可以被理解为是水平方向，第二方向DR2可以被理解为是垂直方向，并且第三方向DR3可以被理解为是厚度方向。如本文中所使用的术语“方向”可以指代在每个特定方向上的两侧。可选择地，在特定方向上的一侧可以被称为在该特定方向上的第一侧，并且在该特定方向上的另一侧可以被称为在该特定方向上的第二侧。参照图1，在每个方向上的由每个箭头所指的一侧可以被称为但不限于第一侧，并且相反侧可以被称为但不限于第二侧。
为了便于描述，电子装置1(或电子装置1的每个元件)的面向显示方向(即，在第三方向DR3上的第一侧)的表面可以被称为顶表面，并且电子装置1的相反表面可以被称为底表面。然而，本公开不限于此。可替代地，电子装置1的表面也可以被称为前侧和后侧或者被称为第一表面和第二表面。当描述电子装置1的每个元件的相对位置时，在第三方向DR3上在另一元件的第一侧的元件也可以被称为在该另一元件上面，并且在第三方向DR3上在另一元件的第二侧的元件也可以被称为在该另一元件下面。
电子装置1可以包括(图2的)显示装置10。显示装置10的示例包括无机发光二极管显示装置、有机发光二极管(OLED)显示装置、量子点发光显示装置、等离子体显示装置和场发射显示(FED)装置。在下文中，为了便于描述，将详细地描述显示装置10是OLED显示装置的实施例，但本公开不限于此。可替代地，显示装置10也可以适用于各种其他显示装置。
电子装置1的形状可以选自各种形状。在实施例中，例如，电子装置1可以具有水平延伸比竖直延伸更长的矩形形状、竖直延伸比水平延伸更长的矩形形状、正方形形状、带有圆角的矩形形状、另一多边形形状或圆形形状。电子装置1的显示区域DA通常可以具有与电子装置1相似的形状。图1图示电子装置1具有在第二方向DR2上比在第一方向DR1上延伸得更长的矩形形状的实施例。
电子装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是可以显示图像的区域，并且非显示区域NDA可以是不显示图像的区域。显示区域DA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为无效区域。显示区域DA通常可以占据电子装置1的中间。
图2是包括在图1的电子装置中的显示装置的透视图。
参照图1和图2，在实施例中，电子装置1可以包括显示装置10。显示装置10可以为电子装置1提供显示屏。显示装置10可以具有与电子装置1相似的形状。在实施例中，例如，显示装置10可以具有带有在第一方向DR1上延伸的短边和在第二方向DR2上延伸的长边的矩形形状。显示装置10的短边和长边相交的拐角可以被倒圆以具有预定曲率或者可以是直角。显示装置10的形状没有特别限制，并且显示装置10可以以诸如另一多边形形状、圆形形状或椭圆形形状的各种其他形状形成。
显示装置10可以包括显示面板100、显示驱动单元200、电路板300和触摸驱动单元。
显示面板100可以包括主区域MA和子区域SBA。
主区域MA可以包括包含用于显示图像的像素的显示区域DA和布置在显示区域DA周围的非显示区域NDA。显示区域DA可以通过多个发射区域或开口发光。在实施例中，例如，显示面板100可以包括包含开关元件的像素电路、限定发射区域或开口的像素限定膜和自发光元件。
在实施例中，例如，自发光元件可以包括有机发光二极管(OLED)、包含量子点发光层的量子点发光二极管(LED)、包含无机半导体的无机LED和/或微型LED，但本公开不限于此。在下文中，为了便于描述，将详细地描述自发光元件是OLED的实施例。
非显示区域NDA可以在显示区域DA的外部。非显示区域NDA可以被限定为主区域MA的边缘部分。非显示区域NDA可以包括用于向将显示驱动单元200与显示区域DA彼此连接的栅线和扇出线(未图示)提供栅信号的栅驱动单元(未图示)。
术语“连接”(及其变体)在本文中用于表示通过物理接触或通过又一构件将一个构件连接到另一构件。此外，整体构件可以被理解为具有彼此整体连接的部分。此外，当两个不同的构件彼此连接时，可以理解为两个构件直接彼此连接或者经由另一构件电连接。
子区域SBA可以是从主区域MA的一侧延伸的区域。子区域SBA可以包括可弯折、可折叠或可卷曲的柔性材料。例如，在子区域SBA是可弯折的情况下，子区域SBA可以被弯折以在厚度方向(或第三方向DR3)上与主区域MA重叠。子区域SBA可以包括显示驱动单元200和连接到电路板300的焊盘单元。可以不提供子区域SBA，并且显示驱动单元200和焊盘单元可以布置在非显示区域NDA中。
显示驱动单元200可以输出用于驱动显示面板100的信号和电压。显示驱动单元200可以将数据电压提供到数据线。显示驱动单元200可以将电源电压提供到电源线并且可以将栅控制信号提供到栅驱动单元。显示驱动单元200可以形成为集成电路(IC)(或被集成电路(IC)限定)，并且可以以玻璃上芯片(COG)或塑料上芯片(COP)方式或经由超声接合安装在显示面板100上。在实施例中，例如，显示驱动单元200可以布置在子区域SBA中并且当子区域SBA被弯折时可以在厚度方向上与主区域MA重叠。在可替代实施例中，例如，显示驱动单元200可以安装在电路板300上。
电路板300可以经由各向异性导电膜(ACF)附接到显示面板100的焊盘单元。电路板300的引线可以电连接到显示面板100的焊盘单元。电路板300可以是印刷电路板(PCB)、柔性PCB(FPCB)或诸如膜上芯片(COF)的柔性膜。
图3是图2的显示装置的显示面板的平面图。
参照图3，显示面板100的实施例可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA可以布置在显示面板100的中间中。多个像素PX、多条栅线GL、多条数据线DL和多条电源线VL可以布置在显示区域DA中。像素PX可以被限定为用于发光的最小或基本单元。
栅线GL可以将从栅驱动单元210接收的栅信号提供到像素PX。栅线GL可以在第一方向DR1上延伸并且可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上彼此间隔开。
数据线DL可以将从显示驱动单元200接收的数据电压提供到像素PX。数据线DL可以在第二方向DR2上延伸并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
电源线VL可以将从显示驱动单元200接收的电源电压提供到像素PX。这里，电源电压包括驱动电压、初始化电压、参考电压和/或低电位电压。电源线VL可以在第二方向DR2上延伸并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。栅驱动单元210、扇出线FOL和栅控制线GCL可以布置在非显示区域NDA中。栅驱动单元210可以基于栅控制信号生成多个栅信号并且可以以预定义的顺序将栅信号顺序地提供到栅线GL。
扇出线FOL可以从显示驱动单元200延伸到显示区域DA。扇出线FOL可以将从显示驱动单元200接收的数据电压提供到数据线DL。
栅控制线GCL可以从显示驱动单元200延伸到栅驱动单元210。栅控制线GCL可以将从显示驱动单元200接收的栅控制信号提供到栅驱动单元210。
子区域SBA可以包括显示驱动单元200和焊盘区域PA。
显示驱动单元200可以将用于驱动显示面板100的信号和电压输出到扇出线FOL。显示驱动单元200可以通过扇出线FOL将数据电压提供到数据线DL。数据电压可以被提供到像素PX并且可以控制像素PX的亮度。显示驱动单元200可以通过栅控制线GCL将栅控制信号提供到栅驱动单元210。
焊盘区域PA可以布置在子区域SBA的边缘上。焊盘区域PA可以经由各向异性导电膜(ACF)或自组装各向异性导电胶(SAP)电连接到电路板300。
焊盘区域PA可以包括多个显示焊盘DP。显示焊盘DP可以经由电路板300连接到外部系统。显示焊盘DP可以连接到电路板300，并且因此，可以接收数字视频数据并且将数字视频数据提供到显示驱动单元200。
在实施例中，如上所述，多条线或布线可以布置在显示面板100上。由于施加到线或布线的电阻越大，显示装置10的效率就越低，因此可以增加线或布线的厚度(即，线或布线在第三方向DR3上的长度)以减少施加到线的电阻。
然而，如果布线的厚度增加，则显示装置10的可靠性可能因为当在其他线或布线之上形成线或布线时生成的台阶差而被降低。相应地，在实施例中，沟槽可以形成在基板或绝缘层中，并且布线可以设置在沟槽中以减少可能由布线的厚度生成的台阶差。
图4是图2的显示装置的像素的截面图。图5是图4的区域A1的放大截面图。
在下文中将参照图4和图5描述显示装置10的截面结构。
参照图4和图5，基板SUB可以是基底基板或基底构件。基板SUB可以是可弯折、可折叠或可卷曲的柔性基板。在实施例中，例如，基板SUB可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的聚合物树脂，但本公开不限于此。在可替代实施例中，例如，基板SUB可以包括玻璃或金属材料。
基板SUB可以包括平坦区域SUBa和沟槽区域SUBb。基板SUB的沟槽区域SUBb可以从基板SUB的平坦区域SUBa凹陷或凹进到基板SUB中(即，在第三方向DR3的相反方向上)。电极图案可以布置在基板SUB的沟槽区域SUBb上以不突出超过基板SUB的平坦区域SUBa，并且这将稍后更详细地描述。
下金属层BML可以布置在基板SUB的沟槽区域SUBb上以作为电极图案。下金属层BML可以保护薄膜晶体管TFT的半导体层ACT或者可以阻挡来自外部的光。
下金属层BML可以布置在基板SUB的沟槽区域SUBb上，并且可以沿着沟槽区域SUBb的轮廓被弯折以具有带有基本均匀厚度的U形形状。在实施例中，例如，下金属层BML可以沿着基板SUB的沟槽区域SUBb被弯折以形成(图9的)将容纳有机-无机复合层CPXL的凹进部分DN，因为下金属层BML通过溅射形成。
在一些实施例中，下金属层BML可以形成为单层或多层(其中的每层包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其合金)，但本公开不限于此。为了方便起见，下金属层BML在下文中将被描述为包括Mo的层。
在实施例中，如图5中所示，下金属层BML可以包括被暴露在基板SUB的平坦区域SUBa与有机-无机复合层CPXL的顶表面CPXLa之间的暴露表面BMLa。暴露表面BMLa可以布置在与基板SUB的平坦区域SUBa的在第三方向DR3上的一个表面基本相同的平面上。在实施例中，例如，下金属层BML可以仅布置在基板SUB的沟槽区域SUBb上，而不布置在基板SUB的平坦区域SUBa上。在这样的实施例中，下金属层BML可以不在第三方向DR3上从基板SUB突出。
有机-无机复合层CPXL可以插入由下金属层BML的弯折(或弯折部分)形成的凹进部分DN中。有机-无机复合层CPXL可以用作用于填充由下金属层BML形成的凹进部分DN的平坦化层以平坦化下金属层BML。在实施例中，例如，有机-无机复合层CPXL的顶表面CPXLa可以布置在与基板SUB的平坦区域SUBa和下金属层BML的暴露表面BMLa基本相同的平面上。
有机-无机复合层CPXL可以包括有机材料和无机材料两者。在实施例中，有机-无机复合层CPXL可以包括有机材料和无机材料的混合物。在一些实施例中，包括在有机-无机复合层CPXL中的有机材料可以是硅氧烷类有机材料，并且包括在有机-无机复合层CPXL中的无机材料可以是氧化硅(SiO2)。然而，本公开不限于此。
包括在有机-无机复合层CPXL中的有机材料可以通过填充由下金属层BML形成的凹进部分DN来平坦化下金属层BML。包括在有机-无机复合层CPXL中的无机材料可以改善有机-无机复合层CPXL在350℃至400℃的高温下的耐热性，这通常是用于制造显示装置10的要求。
如果有机-无机复合层CPXL仅包括有机材料，则有机-无机复合层CPXL可以容易地填充由下金属层BML形成的凹进部分DN以平坦化下金属层BML，但可能降低有机-无机复合层CPXL的耐热性。结果，在后续工艺中，在350℃至400℃的高温下可能释放相对大量的气体，使得可能在有机-无机复合层CPXL中生成裂缝。相反，如果有机-无机复合层CPXL仅包括无机材料，则可以改善有机-无机复合层CPXL的耐热性，并且在后续工艺中，在350℃至400℃的高温下可以释放相对少量的气体。然而，有机-无机复合层CPXL可能不能适当地填充由下金属层BML形成的凹进部分DN。因此，在实施例中，期望有机-无机复合层CPXL在一定程度上包括有机材料和无机材料两者。
在一些实施例中，有机-无机复合层CPXL中的无机材料的含量可以大于有机-无机复合层CPXL中的有机材料的含量。在实施例中，例如，有机-无机复合层CPXL中的无机材料的含量可以是但不限于60％，并且有机-无机复合层CPXL中的有机材料的含量可以是但不限于40％。即使有机-无机复合层CPXL中的有机材料的含量是相对小的，有机-无机复合层CPXL也可以容易地填充由下金属层BML形成的凹进部分DN。因此，可以通过增加有机-无机复合层CPXL中的无机材料的含量来改善有机-无机复合层CPXL的耐热性。
在这样的实施例中，即使下金属层BML存在于基板SUB上，基板SUB上的其他元件也可以形成在相对平坦的表面上，可以不形成台阶差，并且可以改善显示装置10的耐热性，使得可以改善显示装置10的可靠性。在这样的实施例中，由于下金属层BML可以通过有机-无机复合层CPXL在第三方向DR3上与各种其他元件进一步间隔开，因此可以有效地防止在下金属层BML与有机-无机复合层CPXL之间生成寄生电容，而不增加显示面板100的厚度。
缓冲层BF可以布置在基板SUB的平坦区域SUBa、下金属层BML的暴露表面BMLa和有机-无机复合层CPXL的顶表面CPXLa上。在这样的实施例中，如上所述，由于基板SUB的平坦区域SUBa、下金属层BML的暴露表面BMLa和有机-无机复合层CPXL的顶表面CPXLa布置在基本相同的平面上，因此缓冲层BF可以是基本平坦的而没有台阶差。
缓冲层BF可以包括能够防止空气或湿气渗入的无机膜。在实施例中，例如，缓冲层BF可以包括交替堆叠的多个无机膜。
薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层BF上并且可以形成像素的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是驱动晶体管或开关晶体管。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层ACT、源电极SE、漏电极DE和栅电极GE。
半导体层ACT可以布置在缓冲层BF上。半导体层ACT可以在厚度方向(或第三方向DR3)上与下金属层BML和栅电极GE重叠，并且可以通过栅绝缘层GI与栅电极GE绝缘。
栅电极GE可以布置在栅绝缘层GI上。栅电极GE可以与半导体层ACT重叠而栅绝缘层GI介于栅电极GE与半导体层ACT之间。
栅绝缘层GI可以布置在半导体层ACT上。栅绝缘层GI可以覆盖半导体层ACT和缓冲层BF，并且可以使半导体层ACT与栅电极GE绝缘。在这样的实施例中，其中布置源电极SE和漏电极DE的接触孔可以被限定为穿过栅绝缘层GI。
层间绝缘层ILD可以覆盖栅电极GE和栅绝缘层GI。在实施例中，其中布置源电极SE和漏电极DE的接触孔可以被限定为穿过层间绝缘层ILD。层间绝缘层ILD的接触孔可以连接到栅绝缘层GI的接触孔和第一通孔绝缘层VIA1的接触孔。
电容器电极(未图示)可以布置在层间绝缘层ILD上。电容器电极可以在第三方向DR3上与栅电极GE重叠。电容器电极和栅电极GE可以形成或共同限定电容器。
第一通孔绝缘层VIA1可以覆盖层间绝缘层ILD。在实施例中，其中布置源电极SE和漏电极DE的接触孔可以被限定为穿过第一通孔绝缘层VIA1。第一通孔绝缘层VIA1的接触孔可以连接到层间绝缘层ILD的接触孔和栅绝缘层GI的接触孔。
源电极SE和漏电极DE可以布置在第一通孔绝缘层VIA1上。源电极SE和漏电极DE可以电连接到薄膜晶体管TFT的半导体层ACT。在实施例中，例如，源电极SE和漏电极DE可以插入第一通孔绝缘层VIA1、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI中的每一个的接触孔中，并且因此，可以与薄膜晶体管TFT的半导体层ACT接触。
第二通孔绝缘层VIA2可以覆盖源电极SE、漏电极DE和第一通孔绝缘层VIA1。第二通孔绝缘层VIA2可以保护薄膜晶体管TFT。在实施例中，其中布置连接电极CNE的接触孔可以被限定为穿过第二通孔绝缘层VIA2。
连接电极CNE可以布置在第二通孔绝缘层VIA2上。连接电极CNE可以将发光元件ED的像素电极AE和薄膜晶体管TFT的漏电极DE电连接。连接电极CNE可以插入第二通孔绝缘层VIA2的接触孔中并且可以与漏电极DE接触。
第三通孔绝缘层VIA3可以覆盖连接电极CNE和第二通孔绝缘层VIA2。在实施例中，其中布置发光元件ED的像素电极AE的接触孔可以被限定为穿过第三通孔绝缘层VIA3。
发光元件ED可以包括像素电极AE、发光层EL和公共电极CE。
像素电极AE可以布置在第三通孔绝缘层VIA3上。像素电极AE可以布置成与像素限定膜PDL的开口重叠。像素电极AE可以经由连接电极CNE电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。
像素限定膜PDL可以布置在像素电极AE的部分和第三通孔绝缘层VIA3上，并且开口可以被限定为穿过像素限定膜PDL。像素限定膜PDL的开口可以暴露像素电极AE的部分。
像素限定膜PDL可以使发光元件ED的像素电极AE与其他发光元件ED的像素电极AE分开并且绝缘。像素限定膜PDL可以包括光吸收材料，并且因此，可以防止光的反射。在实施例中，例如，像素限定膜PDL可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂以及红色、绿色和蓝色颜料的混合物。可替代地，像素限定膜PDL可以包括卡多类粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。可替代地，像素限定膜PDL可以包括炭黑。
发光层EL可以布置在像素电极AE和像素限定膜PDL的部分上。在实施例中，例如，发光层EL可以布置在像素电极AE的被像素限定膜PDL的开口暴露的表面上以及像素限定膜PDL的部分上。
发光层EL可以是由有机材料形成的有机发光层。在这种情况下，当薄膜晶体管TFT将预定电压施加到发光元件ED的像素电极AE并且发光元件ED的公共电极CE接收公共电压或阴极电压时，空穴和电子可以分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层EL，并且可以在发光层EL中结合在一起以发光。
公共电极CE可以布置在发光层EL和像素限定膜PDL上。在实施例中，例如，公共电极CE可以布置在发光层EL上以及像素限定膜PDL的未布置发光层EL的部分上。在实施例中，公共电极CE可以形成在整个显示区域DA中，不是作为对于每个单独的像素PX分开的电极，而是作为由所有像素PX共同共享的电极。
公共电极CE可以接收公共电压或低电位电压。由于像素电极AE接收与数据电压相对应的电压并且公共电极CE接收低电位电压，因此在像素电极AE与公共电极CE之间可以生成电位差，并且结果，发光层EL可以发光。
封装层TFEL可以布置在公共电极CE上并且可以覆盖发光元件ED。在一些实施例中，封装层TFEL可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜，并且可以防止诸如氧气、湿气或灰尘的异物渗入发光元件ED中。
封装层TFEL可以包括在第三方向DR3上顺序地堆叠的第一封装层TFE1、第二封装层TFE2和第三封装层TFE3。第一封装层TFE1和第三封装层TFE3可以是无机封装层，并且布置在第一封装层TFE1与第三封装层TFE3之间的第二封装层TFE2可以是有机封装层。
第一封装层TFE1和第三封装层TFE3可以包括无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
第二封装层TFE2可以包括聚合物材料。聚合物材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或聚乙烯。第二封装层TFE2可以包括丙烯酸树脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸。第二封装层TFE2可以通过固化单体或涂覆聚合物来形成。
在下文中将描述在基板SUB上形成下金属层BML和有机-无机复合层CPXL的工艺的实施例。
图6至图13图示根据本公开的实施例的制造显示装置的方法。
参照图6，制造显示装置的方法的实施例包括：在基板SUB上形成平坦区域SUBa和沟槽区域SUBb(步骤S100)、在基板SUB上形成下金属材料层BML’(步骤S200)、在下金属材料层BML’上形成有机-无机复合材料层CPXL’(步骤S300)、通过蚀刻有机-无机复合材料层CPXL’在沟槽区域SUBb上形成有机-无机复合层CPXL(步骤S400)、通过蚀刻下金属材料层BML’来形成下金属层BML(步骤S500)以及在下金属层BML、有机-无机复合层CPXL和基板SUB上形成缓冲层BF(步骤S600)。
首先参照图7和图8，平坦区域SUBa和沟槽区域SUBb形成在基板SUB上(步骤S100)。平坦区域SUBa和沟槽区域SUBb可以使用例如掩模来形成。
在实施例中，如上所述，沟槽区域SUBb可以是从平坦区域SUBa凹陷或凹进的区域。沟槽区域SUBb可以不在第三方向DR3上穿透基板SUB。
此后，参照图9，下金属材料层BML’形成在基板SUB上(步骤S200)。下金属材料层BML’可以通过例如溅射形成，但本公开不限于此。
下金属材料层BML’可以具有基本恒定的厚度并且沿着基板SUB的沟槽区域SUBb的轮廓被弯折以形成凹进部分DN。
通过蚀刻形成为下金属层BML的下金属材料层BML’可以包括与下金属层BML相同的材料。在一些实施例中，下金属材料层BML’可以包括Mo，但本公开不限于此。
此后，参照图10和图11，有机-无机复合材料层CPXL’形成在下金属材料层BML’上(步骤S300)，并且有机-无机复合层CPXL通过蚀刻有机-无机复合材料层CPXL’形成在沟槽区域SUBb上(步骤S400)。有机-无机复合材料层CPXL’可以通过干法蚀刻来蚀刻，但本公开不限于此。
通过蚀刻形成为有机-无机复合层CPXL的有机-无机复合材料层CPXL’可以包括与有机-无机复合层CPXL相同的材料。也就是说，有机-无机复合材料层CPXL’可以包括有机材料和无机材料的混合物。在一些实施例中，有机材料可以是但不限于硅氧烷类有机材料，并且无机材料可以是但不限于SiO2。
在实施例中，如上所述，由于有机-无机复合材料层CPXL’包括有机材料和无机材料两者，因此有机-无机复合材料层CPXL’可以填充凹进部分DN以平坦化由下金属材料层BML’形成的台阶差。
有机-无机复合材料层CPXL’可以通过使用第一蚀刻气体的干法蚀刻来蚀刻。第一蚀刻气体可以是氯(Cl)气并且可以不与下金属材料层BML’反应。相应地，仅有机-无机复合材料层CPXL’可以被选择性地蚀刻，并且结果，如图11中所图示，可以形成插入由下金属材料层BML’形成的凹进部分DN中的有机-无机复合层CPXL。
也就是说，由于有机-无机复合材料层CPXL’没有被完全蚀刻掉，因此可以进一步简化显示装置10的制造。
此后，参照图11和图12，下金属层BML通过蚀刻下金属材料层BML’来形成(步骤S500)。下金属材料层BML’可以通过干法蚀刻来蚀刻，但本公开不限于此。
下金属材料层BML’可以通过使用第二蚀刻气体的干法蚀刻来蚀刻。第二蚀刻气体可以是氩(Ar)气并且可以不与有机-无机复合层CPXL反应。相应地，下金属材料层BML’的不被有机-无机复合层CPXL覆盖的部分可以被第二蚀刻气体蚀刻，并且下金属材料层BML’的被有机-无机复合层CPXL覆盖的部分可以不被蚀刻，因为有机-无机复合层CPXL用作蚀刻阻止物。
图10至图12图示有机-无机复合材料层CPXL’和下金属材料层BML’被彼此不同的蚀刻气体蚀刻的实施例，但本公开不限于此。可替代地，有机-无机复合材料层CPXL’和下金属材料层BML’两者可以被相同的蚀刻气体(即，第三蚀刻气体)同时蚀刻。在这样的实施例中，有机-无机复合材料层CPXL’和下金属材料层BML’可以相对于第三蚀刻气体具有相同的蚀刻率。
此后，参照图13，缓冲层BF形成在下金属层BML、有机-无机复合层CPXL和基板SUB上(步骤S600)。在实施例中，如上所述，基板SUB的平坦区域SUBa、下金属层BML的暴露表面BMLa和有机-无机复合层CPXL的顶表面CPXLa可以布置在彼此基本相同的平面上，并且因此，缓冲层BF可以形成为基本并且几乎平坦的，而其上没有台阶差。
此后，执行用于形成半导体层ACT和栅绝缘层GI等的后续工艺，从而获得显示装置10。
在下文中将描述根据本公开的可替代实施例的显示装置，主要关注于与上述显示装置10的实施例的差异。在整个公开中，相同的附图标记指示相同的元件，并且因此，将省略其任何重复的详细描述。
图14是根据本公开的可替代实施例的显示装置的像素的截面图。
参照图14，在显示装置10_1的实施例中，下金属层BML可以布置在第一缓冲层BF1_1中限定或形成的沟槽区域上，第一缓冲层BF1_1布置在基板SUB_1上以作为绝缘层。
基板SUB_1通常可以具有平坦的表面。在这样的实施例中，可以在基板SUB_1中不形成凹进。
第一缓冲层BF1_1和第二缓冲层BF2_1可以顺序地布置在基板SUB_1上。
第一缓冲层BF1_1可以布置在基板SUB_1上以形成平坦区域和沟槽区域。沟槽区域可以是从平坦区域凹陷或凹进的区域。在一些实施例中，第一缓冲层BF1_1的沟槽区域可以被穿过第一缓冲层BF1_1形成的开口限定，但本公开不限于此。可替代地，第一缓冲层BF1_1的沟槽区域可以不穿透第一缓冲层BF1_1。图14图示第一缓冲层BF1_1的沟槽区域被第一缓冲层BF1_1的去除部分限定的实施例。由于沟槽区域形成在第一缓冲层BF1_1上，因此可以进一步促进显示装置10_1的制造。
下金属层BML可以沿着第一缓冲层BF1_1的沟槽区域的轮廓被弯折以形成容纳有机-无机复合层CPXL的凹进部分。下金属层BML、第一缓冲层BF1_1和有机-无机复合层CPXL可以一起提供平坦的表面。
第二缓冲层BF2_1可以布置在第一缓冲层BF1_1上并且可以具有平坦的轮廓。第二缓冲层BF2_1可以使下金属层BML和薄膜晶体管TFT电绝缘。
第一缓冲层BF1_1和第二缓冲层BF2_1中的每一个可以包括能够防止空气或湿气渗入的无机膜。在实施例中，例如，第一缓冲层BF1_1和第二缓冲层BF2_1中的每一个可以包括交替地堆叠的多个无机膜。
图15是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图。
参照图15，在显示装置10_2的实施例中，薄膜晶体管TFT_2的栅电极GE_2可以被弯折以形成凹进部分，并且有机-无机复合层CPXL_2可以布置在凹进部分中以填充凹进部分。
在实施例中，例如，层间绝缘层ILD_2可以在与半导体层ACT重叠的区域中形成沟槽区域，并且薄膜晶体管TFT_2的栅电极GE_2可以沿着层间绝缘层ILD_2的沟槽区域的轮廓被弯折以形成其中形成有机-无机复合层CPXL_2的凹进部分。在这样的实施例中，电容器电极可以布置在有机-无机复合层CPXL_2上。
有机-无机复合层CPXL_2与显示装置10的有机-无机复合层CPXL基本相同，并且因此，将省略其任何重复的详细描述。
在一些实施例中，基板SUB_1通常可以具有平坦的轮廓，但本公开不限于此。可替代地，与在显示装置10的基板SUB中相同，沟槽区域可以形成在基板SUB_1上，并且下金属层可以附加地布置在基板SUB_1的沟槽区域上。
图16是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图。图17是图16的区域A2的放大截面图。
参照图16和图17，在显示装置10_3的实施例中，是布置在基板SUB的沟槽区域上的电极图案的下金属层BML_3可以电连接到像素电极AE_3。
薄膜晶体管TFT_3可以布置在缓冲层BF上并且可以形成像素PX的像素电路。在实施例中，例如，薄膜晶体管TFT_3可以是驱动晶体管或开关晶体管。薄膜晶体管TFT_3可以包括半导体层ACT、源电极SE_3、漏电极DE_3和栅电极GE。
半导体层ACT可以布置在缓冲层BF上。半导体层ACT可以在厚度方向上与栅电极GE重叠，并且可以通过栅绝缘层GI与栅电极GE绝缘。半导体层ACT的部分可以变换成导体，并且因此，可以形成源电极SE_3和漏电极DE_3。在这样的实施例中，半导体层ACT可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟镓锌(IGZO)的氧化物半导体。
发光元件ED_3可以布置在第二通孔绝缘层VIA2上。可以不提供显示装置10的第三通孔绝缘层VIA3，但本公开不限于此。图16图示在显示装置10_3中不提供显示装置10的第三通孔绝缘层VIA3的实施例。
发光元件ED_3的像素电极AE_3可以通过穿过栅绝缘层GI、层间绝缘层ILD、第一通孔绝缘层VIA1和第二通孔绝缘层VIA2限定的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT_3的漏电极DE_3。
在这样的实施例中，像素电极AE_3可以通过穿过第二通孔绝缘层VIA2、第一通孔绝缘层VIA1、层间绝缘层ILD、栅绝缘层GI和缓冲层BF限定的接触孔电连接到布置在基板SUB的沟槽区域上的下金属层BML_3。在实施例中，例如，像素电极AE_3可以通过穿过第二通孔绝缘层VIA2、第一通孔绝缘层VIA1、层间绝缘层ILD、栅绝缘层GI和缓冲层BF限定的接触孔电连接到下金属层BML_3的被基板和有机-无机复合层CPXL暴露的暴露表面RA。
在一些实施例中，下金属层BML_3可以形成为单层或多层(其中的每层包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu或其合金)，但本公开不限于此。为了方便起见，下金属层BML_3在下文中将被描述为包括Cu。
下金属层BML_3的暴露表面RA可以是弯曲的。在实施例中，例如，由于下金属层BML_3的形成方式，暴露表面RA可以在第三方向DR3的相反方向上凹入。
在下文中将描述形成图16的显示装置10_3的下金属层BML_3的工艺。
图18至图20是图示制造图16的显示装置的方法的截面图。
参照图18至图20，下金属材料层BML_3’和有机-无机复合材料层CPXL’形成在形成沟槽区域的基板SUB上，有机-无机复合层CPXL通过蚀刻有机-无机复合材料层CPXL’来形成，并且下金属层BML_3通过蚀刻下金属材料层BML_3’来形成。
在下金属层BML_3包括Cu的实施例中，下金属层BML_3可以不通过干法蚀刻来形成。因此，下金属层BML_3可以通过使用蚀刻剂的湿法蚀刻来形成。在这样的实施例中，当下金属层BML_3通过湿法蚀刻被蚀刻时，下金属层BML_3的暴露表面RA可以是弯曲的。在实施例中，例如，暴露表面RA可以在第三方向DR3的相反方向上凹入。有机-无机复合层CPXL可以用作蚀刻阻止物，并且因此，可以防止下金属层BML_3的被有机-无机复合层CPXL覆盖的部分被蚀刻。
图21是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图。
除了像素电极AE_3通过有机-无机复合层CPXL_4电连接到下金属层BML_3之外，图21中所示的显示装置10_4与图16和图17的显示装置10_3基本相同。
在实施例中，例如，像素电极AE_3可以通过穿过第二通孔绝缘层VIA2、第一通孔绝缘层VIA1、层间绝缘层ILD、栅绝缘层GI、缓冲层BF和有机-无机复合层CPXL_4限定的接触孔电连接到下金属层BML_3。
在这样的实施例中，像素电极AE_3可以电连接到下金属层BML_3的通过与有机-无机复合层CPXL_4重叠而保持未蚀刻的部分，而不是电连接到下金属层BML_3的暴露表面。因此，下金属层BML_3和像素电极AE_3可以通过相对大的面积电连接。
图22是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图。
除了下金属层BML_3布置在由第一缓冲层BF1_1形成的沟槽区域上之外，图22中所示的显示装置10_5与图16和图17的显示装置10_3基本相同。
基板SUB_1通常可以具有平坦的表面。在这样的实施例中，可以在基板SUB_1中不形成凹进。
第一缓冲层BF1_1和第二缓冲层BF2_1可以顺序地布置在基板SUB_1上。第一缓冲层BF1_1和第二缓冲层BF2_1与图14的第一缓冲层BF1_1和第二缓冲层BF2_1相同，并且因此，将省略其任何重复的详细描述。
图23是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图。
除了薄膜晶体管TFT_6的漏电极DE_6将半导体层ACT与下金属层BML电连接之外，图23中所示的显示装置10_6与图4的显示装置10基本相同。
图23图示漏电极DE_6将半导体层ACT与下金属层BML彼此电连接的实施例，但本公开不限于此。可替代地，源电极SE可以将半导体层ACT与下金属层BML电连接。
图23图示栅绝缘层GI覆盖半导体层ACT和缓冲层BF的实施例，但本公开不限于此。可替代地，栅绝缘层GI可以形成为具有与布置在其上的栅电极GE基本相同的轮廓。在这样的实施例中，栅绝缘层GI和栅电极GE可以在栅电极GE的形成期间一起被蚀刻，并且因此，可以具有基本相同的、暴露半导体层ACT的部分的轮廓。
图24是根据本公开的另一可替代实施例的显示装置的像素的截面图。
除了下金属层BML布置在由第一缓冲层BF1_1形成的沟槽区域上之外，图24中所示的显示装置10_7与图23的显示装置10_6基本相同。
本实用新型不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本实用新型的构思。
虽然已经参照本实用新型的实施例具体地示出和描述了本实用新型，但本领域普通技术人员将理解的是，可以在形式和细节上对其进行各种改变，而不脱离如权利要求书所限定的本实用新型的精神或范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征是，所述显示装置包括：
基板，包括平坦区域和从所述平坦区域凹进的沟槽区域；
电极图案，布置在所述基板上，其中，所述电极图案包括沿着所述基板的所述沟槽区域的轮廓被弯折的凹进部分；
平坦化层，插入所述凹进部分中；
第一绝缘层，覆盖所述基板、所述电极图案和所述平坦化层；以及
发光元件，布置在所述第一绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述电极图案包括被所述基板的所述平坦区域和所述平坦化层暴露的暴露表面，并且
所述平坦区域的顶表面、所述暴露表面和所述平坦化层的顶表面布置在同一平面上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：
薄膜晶体管，布置在所述第一绝缘层与所述发光元件之间，
其中，所述薄膜晶体管的半导体层与所述电极图案重叠。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述发光元件包括第一电极、布置在所述第一电极上的发光层和布置在所述发光层上的第二电极，
所述显示装置进一步包括布置在所述第一绝缘层与所述发光元件之间的薄膜晶体管，
所述发光元件的所述第一电极和所述薄膜晶体管彼此电连接，并且
所述第一电极通过穿过所述第一绝缘层限定的接触孔与所述电极图案的所述暴露表面直接接触。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述发光元件包括第一电极、布置在所述第一电极上的发光层和布置在所述发光层上的第二电极，
所述显示装置进一步包括布置在所述第一绝缘层与所述发光元件之间的薄膜晶体管，
所述发光元件的所述第一电极和所述薄膜晶体管彼此电连接，并且
所述第一电极通过穿过所述第一绝缘层和所述平坦化层限定的接触孔与所述电极图案直接接触。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述电极图案包括被所述基板的所述平坦区域和所述平坦化层暴露的暴露表面，并且
所述暴露表面是弯曲的。
7.一种显示装置，其特征是，所述显示装置包括：
第一绝缘层，布置在基板上，其中，所述第一绝缘层包括平坦区域和从所述平坦区域凹进的沟槽区域；
电极图案，布置在所述基板上，其中，所述电极图案包括沿着所述沟槽区域的轮廓被弯折的凹进部分；
平坦化层，插入所述凹进部分中；
第二绝缘层，覆盖所述基板、所述电极图案和所述平坦化层；以及
发光元件，布置在所述第二绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述电极图案包括被所述第一绝缘层的所述平坦区域和所述平坦化层暴露的暴露表面，并且
所述平坦区域的顶表面、所述暴露表面和所述平坦化层的顶表面布置在同一平面上，
所述显示装置进一步包括：
薄膜晶体管，布置在所述第一绝缘层与所述发光元件之间，
其中，所述薄膜晶体管的半导体层与所述电极图案重叠。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述电极图案包括被所述第一绝缘层的所述平坦区域和所述平坦化层暴露的暴露表面，
所述平坦区域的顶表面、所述暴露表面和所述平坦化层的顶表面布置在同一平面上，
所述发光元件包括第一电极、布置在所述第一电极上的发光层和布置在所述发光层上的第二电极，
所述显示装置进一步包括布置在所述第一绝缘层与所述发光元件之间的薄膜晶体管，并且
所述发光元件的所述第一电极和所述薄膜晶体管彼此电连接。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述电极图案包括被所述第一绝缘层的所述平坦区域和所述平坦化层暴露的暴露表面，并且
所述平坦区域的顶表面、所述暴露表面和所述平坦化层的顶表面布置在同一平面上，
所述显示装置进一步包括：
薄膜晶体管，布置在所述基板与所述发光元件之间，
其中，所述电极图案是所述薄膜晶体管的栅电极。
CN202321929983.8U 2022-08-10 2023-07-21 显示装置 Active CN220935485U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220099953A KR20240022027A (ko) 2022-08-10 2022-08-10 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR10-2022-0099953 2022-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220935485U true CN220935485U (zh) 2024-05-10

Family

ID=89846005

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202321929983.8U Active CN220935485U (zh) 2022-08-10 2023-07-21 显示装置
CN202310900450.5A Pending CN117596957A (zh) 2022-08-10 2023-07-21 显示装置和制造该显示装置的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310900450.5A Pending CN117596957A (zh) 2022-08-10 2023-07-21 显示装置和制造该显示装置的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240057410A1 (zh)
KR (1) KR20240022027A (zh)
CN (2) CN220935485U (zh)
WO (1) WO2024034883A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100686239B1 (ko) * 2001-01-09 2007-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판 및 그 제조 방법
KR20050054315A (ko) * 2003-12-04 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법
KR20140077624A (ko) * 2012-12-14 2014-06-24 삼성디스플레이 주식회사 롤투롤 공정용 플렉서블 기판 및 이의 제조 방법
CN105408949B (zh) * 2013-12-04 2019-08-02 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板的制造方法
KR102476117B1 (ko) * 2017-12-22 2022-12-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024034883A1 (ko) 2024-02-15
US20240057410A1 (en) 2024-02-15
KR20240022027A (ko) 2024-02-20
CN117596957A (zh) 2024-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11641772B2 (en) Display device
TWI545632B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
JP2006139275A (ja) 平板表示素子および平板表示素子の製造方法
KR102654664B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11171194B2 (en) Display apparatus
CN1913729A (zh) 电光学装置、电子仪器
CN220935485U (zh) 显示装置
US20240315083A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20240122031A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20240121989A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20240215323A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20240215305A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN221429483U (zh) 显示设备
US20240357871A1 (en) Display device and method of fabricating the same
CN221429484U (zh) 显示设备
US20240284729A1 (en) Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate
US20230200113A1 (en) Display device and method of providing thereof
US20240023413A1 (en) Display device having a cover layer and method ofmanufacturing the same
US20240302928A1 (en) Display device
EP4355061A1 (en) Display device
US20240284716A1 (en) Display device
US20240357872A1 (en) Display device and method of providing the same
CN117939917A (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
CN117881231A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
CN118843351A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant