CN106653794A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

呈现了一种有机发光显示装置，其防止水穿过显示面板的最外侧渗入，从而增强第一薄膜晶体管(TFT)的可靠性。有机发光显示装置包括基础基板、设置在基础基板上的第一缓冲层、设置在显示区域中的第一缓冲层上的TFT、设置在非显示区域中的第一缓冲层上的第二TFT、设置在第一TFT上的有机发光二极管(OLED)以及设置在OLED、第二TFT和第一缓冲层上的封装层。第一缓冲层和封装层各自包括相同的材料，例如氮氧化硅(SiON)。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置，更具体地讲，涉及一种用于增强薄膜晶体管的可靠性的有机发光显示装置。
背景技术
随着时间进入信息社会，具有诸如薄外形、轻重量和低功耗的良好特性的平板显示器(FPD)装置越来越重要。FPD装置的示例包括液晶显示器(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示装置等。近来，电泳显示器(EPD)装置也正作为一种FPD装置而被广泛使用。
在平板显示装置中，包括薄膜晶体管(TFT)的LCD装置和有机发光显示装置在分辨率、颜色显示和图像质量方面具有优势特性，因此作为用于笔记本计算机、平板计算机和台式计算机的显示装置而被商业化。
具体地讲，有机发光显示装置是自发光装置，并且具有低功耗、快速响应时间、高发射效率、高亮度和宽视角。因此，有机发光显示装置作为下一代平板显示装置越来越受到关注。
现有技术的有机发光显示装置包括有机发光显示面板、定时控制器、选通驱动器和数据驱动器。多条选通线和多条数据线被设置在有机发光显示面板中，多个发射部分别被设置在选通线和数据线的交叉区域中。定时控制器输出用于控制选通驱动器的选通控制信号以及用于控制数据驱动器的数据控制信号。选通驱动器响应于从定时控制器输入的选通控制信号来将扫描脉冲依次供应给选通线。数据驱动器将从定时控制器输入的图像数据转换为模拟数据电压，并且将所述模拟数据电压供应给数据线。选通驱动器和数据驱动器独立于有机发光显示面板来制造，并且按照载带自动键合(TAB)类型连接至选通线和数据线。
然而，当像现有技术那样选通驱动器和数据驱动器被独立地制造并且连接至显示面板时，有机发光显示装置的体积增大，此外，显示装置的重量增加。因此，近来，有机发光显示装置按照选通驱动器被嵌入显示面板的一侧中的面板内栅极(GIP)结构来制造。然而，在具有GIP结构的有机发光显示装置中，嵌入选通驱动器中的TFT的特性由于穿过显示面板的外侧渗入的氢而劣化。另外，装置的可靠性由于显示面板内的氢而劣化。
上述背景技术由本申请的发明人用来得出本发明，或者是在得出本发明时获取的技术信息。上述背景技术未必是在本发明申请之前向公众公开的已知技术。
发明内容
因此，本发明致力于提供一种基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的有机发光显示装置。
本发明的一方面致力于提供一种防止水穿过显示面板的最外侧渗入，从而增强TFT的可靠性的有机发光显示装置。
本发明的附加优点和特征将部分地在以下描述中阐述，并且部分地对于研究了以下部分的本领域普通技术人员而言将变得显而易见，或者可从本发明的实践中学习。本发明的目的和其它优点可通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和达到。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如本文具体实现和广义描述的，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括基础基板、设置在基础基板上的第一缓冲层、在显示区域中设置在第一缓冲层上的第一薄膜晶体管(TFT)、在非显示区域中设置在第一缓冲层上的第二TFT、设置在第一TFT上的有机发光二极管(OLED)以及设置在OLED、第二TFT和第一缓冲层上的封装层，其中，第一缓冲层和封装层各自包括相同的材料。
实施方式还涉及一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括基板以及设置在基板上的第一缓冲层。该第一缓冲层包括第一材料。第一薄膜晶体管(TFT)和第二TFT被设置在第一缓冲层上。有机发光二极管(OLED)被设置在第一TFT上并且电连接至第一TFT。封装层被设置在OLED、第一TFT和第一缓冲层上。封装层还包括第一材料。在该有机发光显示装置中，第一缓冲层的至少一部分与封装层的边缘部分彼此接触或者利用在第一缓冲层的所述至少一部分与封装层的边缘部分之间的包括第一材料的一个或更多个层接合在一起，以将至少第一TFT和OLED封装。
在一个实施方式中，第一材料是氮氧化硅(SiON)。
在一个实施方式中，基板是塑料膜。
在一个实施方式中，第二缓冲层被设置在第一缓冲层与第一TFT之间以及第一缓冲层与第二TFT之间。
在一个实施方式中，第一缓冲层包括多个无机层，第一缓冲层的所述无机层中的最顶层包括第一材料。
在一个实施方式中，粘合层被设置在封装层上。
在一个实施方式中，粘合层包括金属层或阻挡膜。
在一个实施方式中，所述一个或更多个层包括设置在第一缓冲层与封装层之间的钝化层。该钝化层覆盖第一TFT和第一缓冲层，该钝化层包括第一材料。
在一个实施方式中，所述一个或更多个层还包括设置在第一缓冲层与钝化层之间的层间介质，该层间介质包括第一材料。
在一个实施方式中，封装层包括多个无机层以及交替地层叠在所述多个无机层之间的多个有机层。所述多个无机层中的每一个包括第一材料。
在一个实施方式中，封装层的最顶层的边缘部分与第一缓冲层的所述至少一部分接触。
在一个实施方式中，所述多个无机层包括封装层的最顶层和封装层的最底层。
实施方式还涉及一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括基板、设置在基板上的第一缓冲层。该第一缓冲层包括氮氧化硅(SiON)。一个或更多个薄膜晶体管被设置在第一缓冲层上方。有机发光二极管(OLED)被设置在所述一个或更多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管上方并且与该至少一个薄膜晶体管电联接。封装层被设置在所述一个或更多个薄膜晶体管和OLED上方。该封装层还包括SiON。在该有机发光显示装置中，第一缓冲层的至少一部分与封装层的边缘部分彼此接触或者利用在第一缓冲层的所述至少一部分与封装层的边缘部分之间的包括SiON的一个或更多个层接合在一起，以将所述一个或更多个薄膜晶体管和OLED封装。
在一个实施方式中，第二缓冲层被设置在第一缓冲层与所述一个或更多个薄膜晶体管之间。
在一个实施方式中，第一缓冲层包括多个无机层。第一缓冲层的所述无机层中的最顶层包括SiON。
在一个实施方式中，所述一个或更多个层包括设置在第一缓冲层与封装层之间的钝化层。该钝化层覆盖所述一个或更多个薄膜晶体管并且包括SiON。
在一个实施方式中，所述一个或更多个层还包括设置在第一缓冲层与钝化层之间的层间介质，该层间介质包括SiON。
在一个实施方式中，所述封装层包括多个无机层以及交替地层叠在所述多个无机层之间的多个有机层。所述多个无机层中的每一个包括SiON。
在一个实施方式中，所述多个无机层包括封装层的最顶层和封装层的最底层。
在一个实施方式中，封装层的最顶层的边缘部分与第一缓冲层的所述至少一部分接触。
实施方式还涉及一种制造有机发光显示装置的方法。在基板上形成第一缓冲层。该第一缓冲层包括氮氧化硅(SiON)。在第一缓冲层上方形成并设置一个或更多个薄膜晶体管。有机发光二极管(OLED)被形成并设置在所述一个或更多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管上方并且与该至少一个薄膜晶体管电联接。在所述一个或更多个薄膜晶体管和OLED上方形成封装层。该封装层还包括SiON。第一缓冲层的至少一部分与封装层的边缘部分彼此接触或者利用在第一缓冲层的所述至少一部分与封装层的边缘部分之间的包括SiON的一个或更多个层接合在一起，以将所述一个或更多个薄膜晶体管和OLED封装。
在一个实施方式中，基板是塑料膜。
在一个实施方式中，在第一缓冲层与所述一个或更多个薄膜晶体管之间形成第二缓冲层。
在一个实施方式中，形成第一缓冲层的多个无机层，第一缓冲层的所述无机层中的最顶层包括SiON。
在一个实施方式中，在封装层上形成粘合层。
在一个实施方式中，粘合层包括金属层或阻挡膜。
在一个实施方式中，在第一缓冲层与封装层之间形成所述一个或更多个层的钝化层。该钝化层覆盖所述一个或更多个薄膜晶体管并且包括SiON。
在一个实施方式中，在第一缓冲层与钝化层之间形成所述一个或更多个层的层间介质。该层间介质包括SiON。
在一个实施方式中，形成所述封装层的多个无机层以及交替地层叠在所述多个无机层之间的多个有机层。所述多个无机层中的每一个包括SiON。
在一个实施方式中，所述多个无机层包括封装层的最顶层和封装层的最底层。
在一个实施方式中，封装层的最顶层的边缘部分与第一缓冲层的所述至少一部分接触。
实施方式还涉及一种制造有机发光显示装置的方法。在基板上形成第一缓冲层。第一缓冲层包括第一材料。在第一缓冲层上方形成第一薄膜晶体管(TFT)和第二TFT。有机发光二极管(OLED)被形成并设置在第一TFT上方并且电连接至第一TFT。在OLED、第一TFT和第一缓冲层上方形成封装层。封装层包括第一材料。第一缓冲层的至少一部分与封装层的边缘部分彼此接触或者利用在第一缓冲层的所述至少一部分与封装层的边缘部分之间的包括第一材料的一个或更多个层接合在一起，以将至少第一TFT和OLED封装。
在一个实施方式中，第一材料是氮氧化硅(SiON)。
在一个实施方式中，基板是塑料膜。
在一个实施方式中，在第一缓冲层与第一TFT之间以及第一缓冲层与第二TFT之间形成并设置第二缓冲层。
在一个实施方式中，形成第一缓冲层的多个无机层。第一缓冲层的所述无机层中的最顶层包括第一材料。
在一个实施方式中，在封装层上形成粘合层。
在一个实施方式中，粘合层包括金属层或阻挡膜。
在一个实施方式中，在第一缓冲层与封装层之间形成所述一个或更多个层的钝化层。该钝化层覆盖第一TFT和第一缓冲层，并且包括第一材料。
在一个实施方式中，在第一缓冲层与钝化层之间形成所述一个或更多个层的层间介质。该层间介质包括第一材料。
在一个实施方式中，形成封装层的多个无机层以及交替地层叠在所述多个无机层之间的多个有机层。所述多个无机层中的每一个包括第一材料。
在一个实施方式中，所述多个无机层包括封装层的最顶层和封装层的最底层。
在一个实施方式中，封装层的最顶层的边缘部分与第一缓冲层的所述至少一部分接触。
应当理解的是，本发明的以上一般描述和以下详细描述二者是示例性和说明性的，旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用来说明本发明的原理。附图中：
图1是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中所包括的有机发光显示面板、选通驱动器、源极驱动集成电路(IC)、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图。
图2是根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的横截面图。
图3是根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置的横截面图。
图4是根据本发明的第三实施方式的有机发光显示装置的横截面图。
图5是根据本发明的第四实施方式的有机发光显示装置的横截面图。
图6是根据本发明的第五实施方式的有机发光显示装置的横截面图。
图7是示出根据一个实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图。
图8是示出根据另一实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的示例性实施方式，其示例示出于附图中。只要可能，贯穿附图将使用相同的标号来指代相同或相似的部分。
本说明书中所描述的术语应该被如下理解。
本说明书中所描述的术语应该被如下理解。如本文所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地另外指示。术语“第一”和“第二”用于将一个元件与另一元件相区分，这些元件不应受这些术语限制。还将理解，术语“包括”、“包含”和/或“具有”当用在本文中时指明存在所提到的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。术语“至少一个”应该被理解为包括一个或更多个关联列出项的任何和全部组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。术语“在…上”应该被解释为包括一个元件形成在另一元件顶部的情况，此外包括二者间设置有第三元件的情况。
以下，将参照附图详细描述根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的示例性实施方式。在本说明书中，在各个图中增加用于元件的标号时，应该注意的是，只要可能，已经在其它图中用于表示相似元件的相似标号被用于元件。在以下描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为使本发明的重点不必要地模糊时，所述详细描述将被省略。
图1是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中所包括的有机发光显示面板100、选通驱动器200、源极驱动IC 310、柔性膜330、电路板350和定时控制器400的平面图。
在图1中，X轴指示平行于选通线的方向，Y轴指示平行于数据线的方向，Z轴指示有机发光显示装置的高度方向。
参照图1，根据本发明的实施方式的有机发光显示装置可包括有机发光显示面板100、选通驱动器200、源极驱动IC 310、柔性膜330、电路板350和定时控制器400。
有机发光显示面板100可包括基础基板110和封装层180。
多条选通线和多条数据线可形成在基础基板110的显示区域DA中，多个发射部可被分别设置在选通线和数据线的交叉区域中。设置在显示区域DA中的发射部可显示图像。
基础基板110的非显示区域NA可被设置在显示区域DA的一个边缘上。包括多个TFT的选通驱动器200可被设置在非显示区域NA中。
封装层180可覆盖基础基板110的顶部。封装层180保护设置在基础基板110上的元件并且防止水渗入有机发光显示面板100中。封装层180可按照比基础基板110小的尺寸形成，因此，基础基板110的一部分可暴露而未被封装层180覆盖。
将参照图2至图6的实施方式来详细描述有机发光显示面板100。
选通驱动器200可根据从定时控制器400输入的选通控制信号将选通信号依次供应给选通线。在本发明的实施方式中，选通驱动器200被公开为按照面板内选通驱动器(GIP)型设置在有机发光显示面板100的显示区域DA的一侧之外，但是不限于此。即，选通驱动器200可按照GIP型设置在有机发光显示面板100的显示区域DA的两侧中的每一侧之外，或者可被制造为驱动芯片，被安装在柔性膜上，并且按照载带自动键合(TAB)型附接到有机发光显示面板100。
源极驱动IC 310可从定时控制器400接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 310可根据源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可分别将模拟数据电压供应给数据线。当源极驱动IC 310作为驱动芯片被制造时，源极驱动IC 310可按照膜上芯片(COF)型或塑料上芯片(COP)型安装在柔性膜330上。
基础基板110的一部分可被暴露而未被封装层180覆盖。诸如数据焊盘等的多个焊盘可被设置在基础基板110的被暴露而未被封装层180覆盖的部分中。将焊盘连接至源极驱动IC 310的多条线以及将焊盘连接至电路板350的线的多条线可被设置在柔性膜330中。柔性膜330可利用各向异性导电膜(ACF)附接至焊盘，因此，焊盘可连接至柔性膜330的线。
电路板350可附接至多个柔性膜330。分别被实现为多个驱动芯片的多个电路可被安装在电路板350上。例如，定时控制器400可被安装在电路板350上。电路板350可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。
定时控制器400可从外部系统板(未示出)接收数字视频数据和定时信号。定时控制器400可基于该定时信号生成用于控制选通驱动器200的操作定时的选通控制信号以及用于控制多个源极驱动IC 310的源极控制信号。定时控制器400可将选通控制信号供应给选通驱动器200，可将源极控制信号供应给源极驱动IC 310。
图2是根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的横截面图。即，图2是示意性地示出沿着图1的线I-I'截取的横截面的示图。
参照图2，根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置可包括基础基板110、第一缓冲层130、第二缓冲层140、第一TFT T1、第二TFT T2、钝化层PAS、平坦化层PAC、有机发光二极管(OLED)和封装层180。
基础基板110可以是透明玻璃基板或塑料膜。例如，基础基板110可以是包括诸如醋酸三纤维素(TAC)、二乙酰纤维素(DAC)等的纤维素树脂、诸如降冰片烯衍生物等的环烯烃聚合物(COP)、诸如环烯烃共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的丙烯酸树脂、诸如聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等的聚烯烃、诸如聚乙烯醇(PVA)、聚醚砜(PES)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的聚酯、聚酰亚胺(PI)、聚砜(PSF)、氟化树脂等的片或膜，但不限于此。
第一缓冲层130可被设置在基础基板110上。第一缓冲层130防止水从易于渗入水的基础基板110渗入有机发光显示面板100中。为此，第一缓冲层130可由交替地层叠的多个无机层形成。所述多个无机层中的每一个可由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)等形成，但不限于此。
根据本发明的实施方式的第一缓冲层130可具有层叠结构，其包括与氮化物(SiNx)相比氢含量较低的SiO2和SiON。这里，通常，SiNx的氢含量可介于15％至20％之间，SiON的氢含量可介于5％至10％之间，SiOx的氢含量可为3％或更低。在这种情况下，SiON的层可被设置为第一缓冲层130的最上层。由于SiON的水蒸汽透过率较低，所以防止水穿过基础基板110渗入有机发光显示面板100中。因此，可防止第一TFT T1和第二TFT T2由于水蒸汽渗入而劣化。
第二缓冲层140可被设置在第一缓冲层130上。第二缓冲层140防止诸如金属离子等的杂质从第一基板110扩散并渗入活性层ACT1中。另外，第二缓冲层140防止水渗入有机发光显示面板100中并且使第一TFT T1和第二TFT T2的特性劣化。第二缓冲层140可按照比第一缓冲层130小的尺寸形成，因此，设置在非显示区域NA中的第一缓冲层130的最顶层可被暴露而未被第二缓冲层140覆盖。第二缓冲层140可由二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)或者其多层形成，但不限于此。在这种情况下，根据本发明的实施方式的第二缓冲层140可直接接触第一TFT T1和第二TFTT2，因此，用于使氢的出现最小化的无机层可被设置为第二缓冲层140。因此，第二缓冲层140可使用氢的含量较低的SiO2。
第一TFT T1可被设置在基础基板110的显示区域DA中。第一TFT T1可包括活性层ACT1、栅绝缘体GI1、栅电极GE1、层间介质ILD1、源电极SE1和漏电极DE1。
活性层ACT1可被设置在设置在显示区域DA中的第二缓冲层140上。活性层ACT1可被设置在基础基板110上以与栅电极GE1交叠。活性层ACT1可包括被设置为接触源电极SE1的一个端部区域A1、被设置为接触漏电极DE1的另一端部区域A2以及被设置在所述一个端部区域A1与所述另一端部区域A2之间的中心区域A3。中心区域A3可包括未掺杂掺杂剂的半导体材料，所述一个端部区域A1和所述另一端部区域A2可包括掺杂有掺杂剂的半导体材料。
栅绝缘体GI1可被设置在活性层ACT1上。栅绝缘体GI1可将活性层ACT1与栅电极GE1绝缘。栅绝缘体GI1可覆盖活性层ACT1并且可形成在整个显示区域DA上。栅绝缘体GI1可由无机层(例如，二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)或其多层)形成，但不限于此。
栅电极GE1可被设置在栅绝缘体GI1上。栅电极GE1可隔着栅绝缘体GI1与活性层ACT1的中心区域A3交叠。例如，栅电极GE1可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或者包括其合金的单层或多层形成，但不限于此。
层间介质ILD1可被设置在栅电极GE1上。层间介质ILD1可被设置在包括栅电极GE1的整个显示区域DA上。例如，层间介质ILD1可由与栅绝缘体GI1相同的无机层(例如，二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)或其多层)形成，但不限于此。
源电极SE1和漏电极DE1可被设置在层间介质ILD1上以彼此间隔开。栅绝缘体GI1和层间介质ILD1可包括：第一接触孔CNT1，其暴露活性层ACT1的所述一个端部区域A1的一部分；以及第二接触孔CNT2，其暴露活性层ACT1的所述另一端部区域A2的一部分。源电极SE1可通过第一接触孔CNT1连接至活性层ACT1的所述一个端部区域A1，漏电极DE1可通过第二接触孔CNT2连接至活性层ACT1的所述另一端部区域A2。
第二TFT T2可被设置在基础基板110的非显示区域NA中。第二TFT T2可通过与第一TFT T1相同的工艺来同时形成，并且可具有与第一TFT T1相同的配置。类似于第一TFT T1，第二TFT T2可包括活性层ACT2、栅绝缘体GI2、栅电极GE2、层间介质ILD2、源电极SE2和漏电极DE2。
活性层ACT2可被设置在设置在非显示区域NA中的第二缓冲层140上。栅绝缘体GI2可从显示区域DA中的栅绝缘体GI1延伸并且可被设置在设置在非显示区域NA中的活性层ACT2上。栅电极GE2可被设置在栅绝缘体GI2上。层间介质ILD2可被设置在栅电极GE2上。层间介质ILD2可从显示区域DA中的层间介质ILD1延伸。这里，根据本发明的第一实施方式的层间介质ILD2可在不接触第一缓冲层130的情况下被设置在第二缓冲层130上。源电极SE2和漏电极DE2可被设置在层间介质ILD2上以彼此间隔开，但是本实施方式不限于此。在其它实施方式中，如图2中一样，源电极SE2和漏电极DE2可彼此连接而没有彼此间隔开。
第一TFT T1和第二TFT T2中的每一个的配置不限于上述示例，可被不同地修改为本领域技术人员容易实现的已知配置。
钝化层PAS可被设置在第一TFT T1和第二TFT T2上。钝化层PAS保护第一TFTT1和第二TFT T2。在这种情况下，设置在非显示区域NA中的钝化层PAS可被设置在第二缓冲层140上以不接触第一缓冲层130。因此，第一缓冲层130的外侧部分可被维持在暴露状态。钝化层PAS可由无机层(例如，二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)或其多层)形成，但不限于此。
平坦化层PAC可被设置在设置在显示区域DA中的钝化层PAS上。平坦化层PAC可不被设置在设置在非显示区域NA中的钝化层PAS上。平坦化层PAC可将设置有第一TFT T1的基础基板110的顶部平坦化。例如，平坦化层PAC可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚亚胺树脂等形成，但不限于此。
设置在显示区域DA中的钝化层PAS和平坦化层PAC可包括第三接触孔CNT3，第三接触孔CNT3暴露第一TFT T1的漏电极DE1。漏电极DE可通过第三接触孔CNT3连接至阳极电极AND。
有机发光二极管OLED可被设置在第一TFT T1上。有机发光二极管OLED可包括阳极电极AND、有机层EL和阴极电极CAT。
阳极电极AND可通过设置在钝化层PAS和平坦化层PAC中的第三接触孔CNT3连接至第一TFT T1的漏电极DE1。隔离壁W可被设置在相邻阳极电极AND之间，因此相邻阳极电极AND可通过隔离壁W彼此电绝缘。例如，隔离壁W可由诸如有机层(例如，聚亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)等)的有机材料形成，但不限于此。
有机层EL可被设置在阳极电极AND上。有机层EL可包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。另外，有机层EL还可包括用于增强有机发光层的发射效率和/或寿命的一个或更多个功能层。
阴极电极CAT可被设置在有机层EL和隔离壁W上。当电压被施加到阴极电极CAT和阳极电极AND时，空穴和电子可通过空穴传输层和电子传输层向有机发光层移动，并且可在有机发光层中彼此复合以发射光。
封装层180可被设置在有机发光二极管OLED、第二TFT T2和第一缓冲层130上。封装层180保护第一TFT T1和第二TFT T2以及有机发光二极管OLED免受外部冲击，并且防止水渗入有机发光显示面板100中。
根据本发明的第一实施方式的封装层180可由与第一缓冲层130相同的材料形成。封装层180可由与包括在第一缓冲层130中的无机层当中的作为第一缓冲层130的最顶层设置的无机层相同的材料形成。即，当作为第一缓冲层130的最顶层设置的无机层由SiON形成时，封装层180可由SiON形成。设置在非显示区域NA中的封装层180的端部或边缘部分可接触第一缓冲层130的暴露的外侧部分。因此，在一个实施方式中，封装层180的端部或边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可彼此接触以将第一TFT T1、第二TFT T2和OLED封装。在其它实施方式中，尽管图2未示出，封装层180的边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可在介于第一TFT T1和第二TFT T2之间的部分处彼此接触以将第一TFT T1和OLED封装。
在现有技术中，由于第一缓冲层130和封装层180由不同的材料形成，所以第一缓冲层130与封装层180之间的界面粘合力较低，因此，水在第一缓冲层130与封装层180之间渗入，导致第一TFT T1和第二TFT T2的可靠性劣化。另一方面，根据本发明的第一实施方式，封装层180和第一缓冲层130可由相同的材料形成，从而增加在有机发光显示面板100的外侧部分中彼此接触的封装层180与第一缓冲层130之间的界面粘合力。因此，与封装层和第一缓冲层由不同材料形成的现有技术相比，更有效地防止水渗入有机发光显示面板100中。因此，防止第一TFT T1和第二TFT T2的特性劣化，并且增强了第一TFT T1和第二TFT T2的可靠性。
另外，前粘合层190可被设置在封装层180上。前粘合层190保护第一TFT T1和第二TFT T2以及有机发光二极管OLED免受外部冲击，并且防止水渗入。根据本发明的第一实施方式的前粘合层190可以是金属层，但不限于此。
图3是根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置的横截面图。在图3中，在上面参照图2描述的本发明的第一实施方式中设置在非显示区域NA的外侧部分中的第一缓冲层130与封装层180之间另外设置从显示区域DA延伸的钝化层PAS。因此，以下将描述另外设置的钝化层PAS及其相关配置。
参照图3，根据本发明的第二实施方式的钝化层PAS可被设置在第一TFT T1和第二TFT T2上。钝化层PAS可围绕设置在非显示区域NA中的第二缓冲层140，并且可覆盖第一缓冲层130的暴露的外侧部分。在这种情况下，钝化层PAS可由与第一缓冲层130相同的材料形成。钝化层PAS可由与包括在第一缓冲层130中的无机层当中的第一缓冲层130的最顶部无机层相同的材料形成。例如，当作为第一缓冲层130的最顶层设置的无机层由SiON形成时，钝化层PAS可由SiON形成。
根据本发明的第二实施方式的设置在有机发光显示面板100的非显示区域NA中的封装层180可覆盖钝化层PAS。在这种情况下，封装层180可由与包括在第一缓冲层130和钝化层PAS中的材料相同的材料形成。因此，在一个实施方式中，封装层180的端部或边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可利用封装层180与第一缓冲层130之间的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT、第二TFT和OLED封装。在其它实施方式中，尽管图3中未示出，封装层180的边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可在介于第一TFT与第二TFT之间的部分处利用封装层180与第一缓冲层130之间的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT和OLED封装。所述一个或更多个层可包括设置在第一TFT T1和第二TFT T2上的钝化层PAS。
根据本发明的第二实施方式，钝化层PAS、封装层180和第一缓冲层130可由相同的材料形成，从而增加在有机发光显示面板100的外侧部分中彼此接触的第一缓冲层130、钝化层PAS和封装层180之间的界面粘合力。另外，钝化层PAS可覆盖设置在非显示区域NA中的第二TFT T2、第二缓冲层140和第一缓冲层130中的全部，从而另外防止水从有机发光显示面板100的外侧部分渗入有机发光显示面板100中。因此，增强了第一TFT T1和第二TFT T2的可靠性。
图4是根据本发明的第三实施方式的有机发光显示装置的横截面图。在图4中，在上面参照图3描述的本发明的第二实施方式中设置在非显示区域NA中的第一缓冲层130和钝化层PAS之间另外设置层间介质ILD。因此，以下将描述另外设置的层间介质ILD及其相关配置。
参照图4，在根据本发明的第三实施方式的有机发光显示面板100的非显示区域NA中可设置层间介质ILD2。根据本发明的第三实施方式，层间介质ILD2可围绕设置在非显示区域NA中的第二缓冲层140并且可覆盖第一缓冲层130的暴露的外侧部分。在这种情况下，层间介质ILD2可由与第一缓冲层130相同的材料形成。层间介质ILD2可由与包括在第一缓冲层130中的无机层当中的作为第一缓冲层130的最顶层设置的无机层相同的材料形成。例如，当作为第一缓冲层130的最顶层设置的无机层由SiON形成时，层间介质ILD2可由SiON形成。
钝化层PAS可被设置在层间介质ILD2上。钝化层PAS可覆盖层间介质ILD2的顶表面。钝化层PAS可由与层间介质ILD2相同的无机层形成。因此，在一个实施方式中，封装层180的端部或边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可利用在封装层180和第一缓冲层130之间的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT T1、第二TFT T2和OLED封装。在其它实施方式中，尽管图4中未示出，封装层180的边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可在介于第一TFT T1和第二TFT T2之间的部分处利用在封装层180和第一缓冲层130之间的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT T1和OLED封装。所述一个或更多个层可包括钝化层PAS以及在第一缓冲层130和钝化层PAS之间的层间介质ILD2。
根据本发明的第三实施方式，层间介质ILD2、钝化层PAS、封装层180和第一缓冲层130可由相同的材料形成，从而增加在有机发光显示面板100的外侧部分中彼此接触的第一缓冲层130、层间介质ILD2、钝化层PAS和封装层180之间的界面粘合力。另外，层间介质ILD2可覆盖设置在非显示区域NA中的第二TFT T2、第二缓冲层140和第一缓冲层130中的全部，从而另外防止水从有机发光显示面板100的外侧部分渗入有机发光显示面板100中。因此，增强了第一TFT T1和第二TFT T2的可靠性。
图5是根据本发明的第四实施方式的有机发光显示装置的横截面图。即，图5示出通过修改根据上面参照图2描述的本发明的第一实施方式的封装层180的元件来新提供的封装层180。以下将描述新提供的封装层180及其相关配置。
参照图5，根据本发明的第四实施方式的封装层180可具有多个无机层181和187和有机层182交替地层叠的结构。即，封装层180可包括多个无机层181和187以及设置在无机层181和187之间的有机层182。
多个无机层181和187可包括下无机层181和上无机层187。下无机层181可覆盖有机发光二极管OLED、第二TFT T2、第二缓冲层140和第一缓冲层130。上无机层187可被设置在下无机层181上，上无机层187的外侧部分可接触下无机层181的外侧部分。在这种情况下，下无机层181和上无机层187可各自由与第一缓冲层130相同的材料形成。下无机层181和上无机层187可各自由与包括在第一缓冲层130中的无机层当中的设置在第一缓冲层130的最顶层中的无机层相同的材料形成。即，当作为第一缓冲层130的最顶层设置的无机层由SiON形成时，下无机层181和上无机层187可各自由SiON形成。
有机层182可被设置在下无机层181和上无机层187之间。有机层182可使下无机层181的顶表面平坦化。例如，有机层182可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚亚胺树脂等形成，但不限于此。
在本发明的第四实施方式中，描述了包括多个无机层181和187以及设置在无机层181和187之间的有机层182的封装层180，但是封装层180的结构不限于此。即，封装层180的结构可被不同地修改为多个无机层和多个有机层在多个无机层之间交替地层叠的结构。然而，具有较低水蒸汽透过率的无机层可被设置在封装层180的最顶层和最底层中的每一个中，以便有效地防止水蒸汽透过。另外，包括在封装层180中的多个无机层181和187中的至少一个可接触第一缓冲层130的暴露的外侧部分。因此，封装层180中的多个无机层中的至少一个的端部或边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可彼此接触或者可利用在封装层180和第一缓冲层130之间的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT T1、第二TFT T2和OLED封装。在其它实施方式中，尽管图5中未示出，封装层180的边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可在介于第一TFT T1和第二TFT T2之间的部分处利用在封装层180和第一缓冲层130之间的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT T1和OLED封装。所述一个或更多个层可包括设置在第一TFT T1和第二TFT T2上的钝化层PAS。所述一个或更多个层可包括封装层180的多个无机层中的任何其它无机层。
另外，前粘合层190可被设置在根据本发明的第四实施方式的封装层180上。前粘合层190保护第一TFT T1和第二TFT T2以及有机发光二极管OLED免受外部冲击，并且防止水渗入。根据本发明的第四实施方式的前粘合层190可以是阻挡膜层，但不限于此。
根据本发明的第四实施方式，可提供包括多个无机层181和187以及设置在无机层181和187之间的有机层182的封装层180，无机层181和187可各自由与第一缓冲层130相同的材料形成，从而增加在有机发光显示面板100的最外侧部分中彼此接触的封装层180和第一缓冲层130之间的界面粘合力。因此，防止了水从外部渗入有机发光显示面板100中。因此，防止了第一TFT T1和第二TFT T2的特性劣化，并且增强了第一TFT T1和第二TFT T2的可靠性。
图6是根据本发明的第五实施方式的有机发光显示装置的横截面图。即，图6示出通过修改根据上面参照图2描述的本发明的第一实施方式的封装层180的元件来新提供的封装层180。以下将描述新提供的封装层180及其相关配置。
参照图6，根据本发明的第五实施方式的封装层180可包括交替地层叠的多个无机层181、183、185和187以及多个有机层182、184和186。多个有机层182、184和186可被设置在多个无机层181、183、185和187之间。
多个无机层181、183、185和187当中的作为封装层180的最底层设置的下无机层181可覆盖有机发光二极管OLED、第二TFT T2、第二缓冲层140和第一缓冲层130。
多个无机层181、183、185和187当中的作为封装层180的最顶层设置的上无机层187可围绕其它无机层181、183和185以及多个有机层182、184和186，并且可覆盖第一缓冲层130。
因此，有机发光显示面板100的外侧部分可通过封装层180和第一缓冲层130密封。在这种情况下，多个无机层181、183、185和187可各自由与第一缓冲层130相同的材料形成。多个无机层181、183、185和187可各自由与包括在第一缓冲层130中的无机层当中的作为第一缓冲层130的最顶层设置的无机层相同的材料形成。即，当作为第一缓冲层130的最顶层设置的无机层由SiON形成时，多个无机层181、183、185和187可各自由SiON形成。因此，在一个实施方式中，封装层180中的多个无机层中的至少一个的端部或边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可彼此接触或者可利用在封装层180和第一缓冲层130之间的一个或更多个层接合在一起以将第一TFT T1、第二TFT T2和OLED封装。在其它实施方式中，尽管图6中未示出，封装层180的边缘部分与第一缓冲层130的至少一部分可在介于第一TFT T1和第二TFT T2之间的部分处利用在封装层180和第一缓冲层130之间的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT T1和OLED封装。所述一个或更多个层可包括封装层180中的多个无机层中的任何其它无机层。
根据本发明的第五实施方式，由于提供具有多个无机层181、183、185和187以及多个有机层182、184和186交替地层叠的结构的封装层180并且多个无机层181、183、185和187中的每一个由与第一缓冲层130相同的材料形成，所以与上面参照图2描述的第一实施方式相比，另外防止了水从外部渗入有机发光显示面板100中。因此，防止了第一TFT T1和第二TFT T2的特性劣化，并且增强了第一TFT T1和第二TFT T2的可靠性。
图7是示出根据一个实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图。
在基础基板上方形成(S702)包括氮氧化硅(SiON)的第一缓冲层。在一个实施方式中，形成第一缓冲层的步骤可包括形成第一缓冲层的多个无机层。第一缓冲层的无机层中的最顶层可包括SiON。随后，在第一缓冲层上方形成(S704)一个或更多个薄膜晶体管(TFT)。在一个或更多个TFT中的至少一个上方形成(S706)有机发光二极管(OLED)。
在一个或更多个TFT和OLED上方形成(S708)包括SiON的封装层以将所述一个或更多个TFT和OLED封装。在一个实施方式中，形成封装层的步骤可包括形成封装层的多个无机层和多个有机层，其中所述多个有机层交替地层叠在所述多个无机层之间。封装层的多个无机层中的每一个可包括SiON。
封装层被形成为使得第一缓冲层的至少一部分与封装层的边缘部分彼此接触或者利用在第一缓冲层的所述至少一部分与封装层的边缘部分之间的包括SiON的一个或更多个层接合在一起，以将一个或更多个薄膜晶体管和OLED封装。
在一个实施方式中，可在形成一个或更多个TFT之后并且在形成OLED之前形成覆盖所述一个或更多个TFT并且包括SiON的一个或更多个层的钝化层。在另一实施方式中，可在形成第一缓冲层之后并且在形成钝化层之前形成包括SiON的一个或更多个层的层间介质。
图8是示出根据另一实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图。
在基础基板上方形成(S802)包括第一材料的第一缓冲层。在一个实施方式中，形成第一缓冲层的步骤可包括形成第一缓冲层的多个无机层。第一缓冲层的无机层中的最顶层可包括第一材料。在第一缓冲层上方形成(S804)第一薄膜晶体管(TFT)，并且在第一缓冲层上方形成(S806)第二TFT。形成(S808)有机发光二极管(OLED)以设置在第一TFT上方。
在OLED、第二TFT和第一缓冲层上方形成(S810)包括第一材料的封装层以将第一TFT、第二TFT和OLED封装。在一个实施方式中，形成封装层的步骤可包括形成封装层的多个无机层和多个有机层，其中所述多个有机层交替地层叠在所述多个无机层之间。封装层的多个无机层中的每一个可包括第一材料。
封装层被形成为使得第一缓冲层的至少一部分与封装层的边缘部分彼此接触或者利用在第一缓冲层的所述至少一部分与封装层的边缘部分之间的包括第一材料的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT、第二TFT和OLED封装。在其它实施方式中，封装层的边缘部分与第一缓冲层的至少一部分可在介于第一TFT和第二TFT之间的部分处利用在封装层和第一缓冲层之间的一个或更多个层接合在一起，以将第一TFT和OLED封装。
在一个实施方式中，可在形成第二TFT之后并且在形成OLED之前形成覆盖第二TFT并且包括第一材料的一个或更多个层的钝化层。在另一实施方式中，可在形成第一缓冲层之后并且在形成钝化层之前形成也包括第一材料的一个或更多个层的层间介质。
如上所述，根据本发明的实施方式，封装层和第一缓冲层可由相同的材料形成，从而增加在有机发光显示面板的最外侧部分中彼此接触的封装层与第一缓冲层之间的界面粘合力。因此，与封装层和第一缓冲层由不同的材料形成的现有技术相比，更有效地防止水渗入有机发光显示面板中。因此，防止了第一TFT和第二TFT的特性劣化，并且增强了第一TFT和第二TFT的可靠性。
此外，根据本发明的实施方式，第一缓冲层可具有层叠结构，其包括氢含量低于SiNx的SiO2和SiON，并且SiON可被设置在第一缓冲层的最上侧部分上。在这种情况下，由于SiON的水蒸汽透过率较低，所以防止了水穿过基础基板渗入有机发光显示面板中。因此，防止了第一TFT和第二TFT的特性劣化。
对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖对本发明的这些修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年10月29日提交的韩国专利申请No.10-2015-0150873的优先权，在此通过引用将其并入，如同在本文中充分阐述一样。

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：
基板；
第一缓冲层，该第一缓冲层被设置在所述基板上，该第一缓冲层包括第一材料；
第一薄膜晶体管TFT，该第一TFT被设置在所述第一缓冲层上；
第二TFT，该第二TFT被设置在所述第一缓冲层上；
有机发光二极管OLED，该OLED被设置在所述第一TFT上并且电连接至所述第一TFT；以及
封装层，该封装层被设置在所述OLED、所述第一TFT和所述第一缓冲层上，该封装层包括所述第一材料；
其中，所述第一缓冲层的至少一部分与所述封装层的边缘部分彼此接触或者利用在所述第一缓冲层的所述至少一部分与所述封装层的所述边缘部分之间的包括所述第一材料的一个或更多个层来接合在一起，以将至少所述第一TFT和所述OLED封装。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一材料是氮氧化硅SiON。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述基板是塑料膜。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，该有机发光显示装置还包括第二缓冲层，该第二缓冲层被设置在所述第一缓冲层与所述第一TFT之间以及所述第一缓冲层与所述第二TFT之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一缓冲层包括多个无机层，所述第一缓冲层的所述无机层中的最顶层包括所述第一材料。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，该有机发光显示装置还包括设置在所述封装层上的粘合层。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述粘合层包括金属层或阻挡膜。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述一个或更多个层包括设置在所述第一缓冲层与所述封装层之间的钝化层，该钝化层覆盖所述第一TFT和所述第一缓冲层，该钝化层包括所述第一材料。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述一个或更多个层还包括设置在所述第一缓冲层与所述钝化层之间的层间介质，该层间介质包括所述第一材料。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述封装层包括多个无机层以及交替地层叠在所述多个无机层之间的多个有机层，所述多个无机层中的每一个包括所述第一材料。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述封装层的最顶层的边缘部分与所述第一缓冲层的所述至少一部分接触。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述多个无机层包括所述封装层的最顶层和所述封装层的最底层。
13.一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：
基板；
第一缓冲层，该第一缓冲层被设置在所述基板上，该第一缓冲层包括氮氧化硅SiON；
设置在所述第一缓冲层上方的一个或更多个薄膜晶体管；
有机发光二极管OLED，该OLED被设置在所述一个或更多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管上方并且与该至少一个薄膜晶体管电联接；以及
封装层，该封装层被设置在所述一个或更多个薄膜晶体管和所述OLED上方，该封装层还包括SiON，
其中，所述第一缓冲层的至少一部分与所述封装层的边缘部分彼此接触或者利用在所述第一缓冲层的所述至少一部分与所述封装层的所述边缘部分之间的包括SiON的一个或更多个层来接合在一起，以将所述一个或更多个薄膜晶体管和所述OLED封装。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，该有机发光显示装置还包括第二缓冲层，该第二缓冲层被设置在所述第一缓冲层与所述一个或更多个薄膜晶体管之间。
15.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一缓冲层包括多个无机层，所述第一缓冲层的所述无机层中的最顶层包括SiON。
16.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述一个或更多个层包括设置在所述第一缓冲层与所述封装层之间的钝化层，该钝化层覆盖所述一个或更多个薄膜晶体管并且包括SiON。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，所述一个或更多个层还包括设置在所述第一缓冲层与所述钝化层之间的层间介质，该层间介质包括SiON。
18.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，
所述封装层包括多个无机层以及交替地层叠在所述多个无机层之间的多个有机层，所述多个无机层中的每一个包括SiON。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中，所述多个无机层包括所述封装层的最顶层和所述封装层的最底层。
20.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中，所述封装层的最顶层的边缘部分与所述第一缓冲层的所述至少一部分接触。
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