KR20180056449A - 터치 센서 및 이를 구비하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

터치 센서는 복수의 제1 터치 센싱 전극들을 포함하고, 일방향으로 연장된 터치 센싱 열; 복수의 제2 센싱 전극들을 포함하고, 상기 터치 센싱 열과 교차하는 방향으로 연장된 터치 센싱 행; 및 서로 인접하는 제1 터치 센싱 전극들 또는 서로 인접하는 제2 터치 센싱 전극들을 연결하는 브릿지 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 센싱 전극들 또는 상기 제2 터치 센싱 전극들은 상기 브릿지 패턴들에 연결되는 제1 영역, 및 상기 제1 영역 이외의 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역의 배선 저항은 상기 제2 영역의 배선 저항과 다를 수 있다.

Description

터치 센서 및 이를 구비하는 표시 장치{TOUCH SENSOR AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 터치 센서 및 이를 구비하는 표시 장치에 관한 것이다.
최근의 표시 장치는 영상 표시 기능과 더불어 정보 입력 기능을 구비하는 방향으로 개발되고 있다. 상기 표시 장치의 정보 입력 기능은 일반적으로 사용자의 터치를 입력받기 위한 터치 센서로 구현될 수 있다.
상기 터치 센서는 복수의 센싱 전극들, 복수의 패드들을 구비하는 패드부, 및 상기 센싱 전극들과 상기 패드들을 전기적으로 연결하는 센싱 라인을 포함할 수 있다.
한편, 상기 터치 센서에서, 상기 패드부에서 가까운 영역 및 상기 패드부에서 먼 영역은 배선 저항에 의해 센싱 감도가 상이할 수 있다. 예를 들면, 상기 패드부에 먼 영역의 센싱 감도가 상기 패드부에 가까운 영역의 센싱 감도보다 낮을 수 있다.
본 발명의 일 목적은 위치에 따라 센싱 감도가 변하거나 저하되는 것을 방지할 수 있는 터치 센서를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 터치 센서를 구비하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서는 복수의 제1 터치 센싱 전극들을 포함하고, 일방향으로 연장된 터치 센싱 열; 복수의 제2 센싱 전극들을 포함하고, 상기 터치 센싱 열과 교차하는 방향으로 연장된 터치 센싱 행; 및 서로 인접하는 제1 터치 센싱 전극들 또는 서로 인접하는 제2 터치 센싱 전극들을 연결하는 브릿지 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 센싱 전극들 또는 상기 제2 터치 센싱 전극들은 상기 브릿지 패턴들에 연결되는 제1 영역, 및 상기 제1 영역 이외의 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역의 배선 저항은 상기 제2 영역의 배선 저항과 다를 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 영역의 배선 저항은 상기 제2 영역의 배선 저항보다 낮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 터치 센싱 전극들, 상기 제2 터치 센싱 전극들 및 상기 브릿지 패턴들은 서로 교차하는 방향으로 연장된 복수의 도전성 세선들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전성 세선들은 일방향으로 연장된 제1 도전성 세선들; 및 상기 제1 도전성 세선들과 교차하는 방향으로 연장된 제2 도전성 세선들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 영역 및 상기 브릿지 패턴들에서의 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들의 폭은 상기 제2 영역에서의 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들의 폭보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들 사이에 배치되는 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들은 상기 절연막에 제공된 콘택 홀을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 영역 및 상기 브릿지 패턴들에서의 상기 콘택 홀의 면적은 상기 제2 영역에서의 상기 콘택 홀의 면적보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들이 교차하는 영역에서, 상기 제1 도전성 세선들 및 상기 제2 도전성 세선들 중 적어도 하나는 폭 방향에서 연장된 확장부를 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서는 상기 제2 도전성 세센들 상에 배치되는 커버막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 제1 터치 센싱 전극들 또는 상기 제2 터치 센싱 전극들을 횡단하는 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 박막 트랜지스터 및 표시 소자를 구비하는 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 배치되는 상기 터치 센서를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 기판 상에 제공되고, 상기 박막 트랜지스터를 구비하는 구동층; 상기 구동층 상에 제공되고 상기 표시 소자를 구비하는 표시층; 및 상기 표시층 상에 제공되고, 상기 표시 소자를 보호하는 봉지층을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 터치 센서는 상기 봉지층 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 터치 센싱 전극들이 제1 영역을 구비하고, 서로 인접하는 터치 센싱 전극들을 연결하는 브릿지 패턴들의 저항이 낮다. 따라서, 상기 터치 센싱 전극들 및 상기 브릿지 패턴들을 구비하는 터치 센서는 배선 저항이 낮아 위치에 따른 센싱 감도가 변하거나 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2의 EA1 영역의 확대도이다.
도 4는 도 1의 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 터치 센서를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 도 5 및 도 6에 도시된 터치 센싱 전극들의 연결 관계를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 도 7의 EA2 영역의 확대도이다.
도 9는 도 8의 I-I' 라인에 따른 단면도이다.
도 10은 도 7의 EA3 영역의 확대도이다.
도 11은 도 10의 II-II' 라인에 따른 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 상기 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 도 2의 EA1 영역의 확대도이며, 도 4는 도 1의 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(DP) 및 상기 표시 패널(DP) 상에 제공되는 터치 센서(TS)를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(DP)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 복수의 화소들(PX)이 제공될 수 있다. 또한, 상기 표시 영역(DA)에는 복수의 게이트 라인들(미도시), 상기 게이트 라인들과 교차하는 복수의 데이터 라인들(미도시)이 제공될 수 있다. 상기 화소들(PX) 각각은 상기 게이트 라인들 중 하나와 상기 데이터 라인들 중 하나에 접속하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT), 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 접속되는 표시 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
상기 표시 소자(OLED)는 액정 표시 소자(liquid crystal display element, LCD element), 전기 영동 표시 소자(electrophoretic display element, EPD element), 전기 습윤 표시 소자(electrowetting display element, EWD element), 및 유기 발광 표시 소자(organic light emitting display element, OLED element) 중 어느 하나일 수 있다. 한편, 하기에서는 설명의 편의를 위하여 상기 표시 소자(OLED)로 상기 유기 발광 표시 소자를 예로서 설명한다.
상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)의 외부에서, 상기 표시 영역(DA)을 감싸는 형상을 가질 수 있다.
상기 터치 센서(TS)는 상기 표시 패널(DP) 상에 제공될 수 있다. 상기 터치 센서(TS)는 상기 표시 패널(DP)과 일체로 형성될 수 있다. 또는 상기 터치 센서(TS)는 상기 표시 패널(DP) 상에 별도로 부착되는 형태로 구현될 수도 있다.
하기에서는, 상기 표시 장치의 구조를 적층 순서에 따라 설명한다.
상기 표시 패널(DP)은 기판(SUB), 상기 기판(SUB) 상에 배치되는 구동층(DVL), 상기 구동층(DVL) 상에 배치되는 표시층(DPL), 및 상기 표시층(DPL) 상에 배치되는 봉지층(ECL)을 포함할 수 있다.
상기 기판(SUB)은 투명 절연 물질을 포함하여 광의 투과가 가능하다. 상기 기판(SUB)은 경성(rigid) 기판일 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(SUB)은 유리 기판, 석영 기판, 유리 세라믹 기판 및 결정질 유리 기판 중 하나일 수 있다.
또한, 상기 기판(SUB)은 가요성(flexible) 기판일 수도 있다. 여기서, 상기 기판(SUB)은 고분자 유기물을 포함하는 필름 기판 및 플라스틱 기판 중 하나일 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(SUB)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 기판(SUB)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber reinforced plastic) 등을 포함할 수도 있다.
상기 화소(PX)에서, 상기 구동층(DVL)은 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(SCL), 상기 반도체층(SCL)과 절연되는 게이트 전극(GE), 및 상기 반도체층(SCL)에 접속하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 구비할 수 있다.
상기 반도체층(SCL)은 상기 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 상기 반도체층(SCL)은 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 및 산화물 반도체, 유기 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 산화물 반도체는 Zn, In, Ga, Sn 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 산화물 반도체는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
상기 반도체층(SCL)에서, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 영역은 불순물이 도핑 또는 주입된 소스 영역 및 드레인 영역일 수 있다. 또한, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다.
한편, 도면 상에는 도시하지 않았으나, 상기 반도체층(SCL)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 상기 반도체층(SCL)의 상부 및 하부에 상기 반도체층(SCL)으로 유입되는 광을 차단하기 위한 광 차단막이 배치될 수도 있다.
상기 기판(SUB) 및 상기 반도체층(SCL) 사이에는 버퍼층(BUL)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(BUL)은 상기 기판(SUB)에서 상기 반도체층(SCL)으로 불순물이 확산되어 침투하는 것을 방지하여, 상기 박막 트랜지스터의 전기적 특성 저하를 방지할 수 있다.
상기 버퍼층(BUL)은 유기 절연막 및 무기 절연막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 유기 절연막은 광을 투과시킬 수 있는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 절연막은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시계 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌 에테르계 수지(poly-phenylene ethers resin), 폴리페닐렌 설파이드계 수지(poly-phenylene sulfides resin), 및 벤조사이클로부텐 수지(Benzocyclobutenes resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 무기 절연막은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 절연막은 실리콘 산화물을 포함하는 제1 막, 및 상기 제1 막 상에 배치되고 실리콘 질화물을 포함하는 제2 막을 구비할 수 있다.
또한, 상기 버퍼층(BUL)은 외부에서 상기 표시 소자(OLED)로 수분 및 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 상기 버퍼층(BUL)은 상기 베이스 기판(SUB)의 표면을 평탄화할 수도 있다.
상기 기판(SUB) 및 상기 반도체층(SCL) 상에는 상기 반도체층(SCL)을 커버하는 게이트 절연막(GI)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 상기 반도체층(SCL) 및 상기 게이트 전극(GE)을 절연시킬 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 상기 버퍼층(BUL)과 같이, 유기 절연막 및 무기 절연막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(GI) 상에는 상기 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 적어도 일부가 상기 반도체층(SCL)에 중첩될 수 있다. 또한, 상기 게이트 전극(GE)은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(GI) 및 상기 게이트 전극(GE) 상에는 층간 절연막(ILD)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 층간 절연막(ILD)은 상기 게이트 전극(GE)을 커버할 수 있다. 상기 층간 절연막(ILD)은 상기 게이트 절연막(GI)과 같이, 유기 절연막 및 무기 절연막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 층간 절연막(ILD)의 일부는 제거되어, 상기 반도체층(SCL)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 노출시킬 수 있다.
상기 층간 절연막(ILD) 상에는 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 층간 절연막(ILD)에 의해 상기 게이트 전극(GE)과 절연될 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접속될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터일 수 있다.
상기 구동층(DVL)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 보호막(PSV)을 더 포함할 수 있다. 상기 보호막(PSV)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 보호막(PSV)은 적어도 하나의 막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(PSV)은 무기 보호막 및 유기 보호막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(PSV)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 상기 무기 보호막 및 상기 무기 보호막 상에 배치되는 유기 보호막을 포함할 수 있다.
상기 보호막(PSV) 상에는 상기 표시층(DPL)이 배치될 수 있다. 상기 화소(PX)에서, 상기 표시층(DPL)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)에 접속되는 표시 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
상기 표시 소자(OLED)는 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 제1 전극(AE), 상기 제1 전극(AE) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 중 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드 전극(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(AE)은 애노드 전극일 수 있으며, 상기 제2 전극(CE)은 캐소드 전극일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 중 적어도 하나는 투과형 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 소자(OLED)가 배면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE)은 투과형 전극이며, 상기 제2 전극(CE)은 반사형 전극일 수 있다. 상기 표시 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE)은 반사형 전극이며, 상기 제2 전극(CE)은 투과형 전극일 수 있다. 상기 표시 소자(OLED)가 양면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 모두 투과형 전극일 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제1 전극(AE)이 애노드 전극이며, 상기 표시 소자(OLED)가 전면 발광형 경우를 예로서 설명한다.
상기 제1 전극(AE)은 상기 보호막(PSV) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(AE)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(미도시), 및 상기 반사막의 상부 또는 하부에 배치되는 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 반사막 및 상기 투명 도전막 중 적어도 하나는 상기 드레인 전극(DE)과 접속할 수 있다.
상기 반사막은 광을 반사시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사막은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 투명 도전막은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 도전막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 적어도 하나의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE) 및 상기 보호막(PSV) 상에는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(AE)의 일부를 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(AE)의 에지 및 상기 보호막(PSV)을 커버하는 형상을 가질 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, Polymethylmethacrylate), 폴리아크릴로니트릴(PAN, Polyacrylonitrile), 폴리아미드(PA, Polyamide), 폴리이미드(PI, Polyimide), 폴리아릴에테르(PAE, Polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(Heterocyclic Polymer), 파릴렌(Parylene), 에폭시 수지(Epoxy resin), 벤조시클로부텐(BCB, Benzocyclobutene), 실록산계 수지(Siloxane based resin) 및 실란계 수지(Silane based resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기막(OL)은 적어도 발광층(emitting layer, EML)을 포함하는 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막(OL)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 상기 발광층, 전자를 상기 발광층으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 구비할 수 있다. 여기서, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층은 인접하는 화소들(PX)로 연장되어, 상기 화소들(PX)이 모두 공유하는 공통층일 수 있다. 한편, 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(grean), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 유기막(OL)의 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 유기막(OL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 반투과 반사막일 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(CE)은 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가지는 박형 금속층일 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 상기 유기막(OL)에서 생성된 광의 일부는 투과시키고, 상기 유기막(OL)에서 생성된 광의 나머지는 반사시킬 수 있다. 상기 제2 전극(CE)에서 반사된 광은 상기 제1 전극(AE)의 상기 반사막에서 반사되어 보강 간섭에 의해 상기 제2 전극(CE)을 투과할 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 제1 전극(AE)의 상기 투명 도전막에 비하여 일함수가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(CE)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 봉지층(ECL)은 상기 제2 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 상기 봉지층(ECL)은 상기 표시 소자(OLED)를 외부 환경과 격리시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지층(ECL)은 외부의 수분 및 산소가 상기 표시 소자(OLED)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 상기 봉지층(ECL)은 상기 제2 전극(CE) 상에 배치되는 복수의 무기막(미도시) 및 복수의 유기막(미도시)을 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지층(ECL)은 상기 무기막 및 상기 유기막이 교번 적층된 구조를 가질 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 표시 소자(OLED)를 외부 환경과 격리하기 위하여 상기 봉지층(ECL)을 적용함을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 표시 소자(OLED)를 외부 환경과 격리하기 위하여, 상기 봉지층(ECL) 대신 봉지 기판이 적용될 수도 있다. 상기 봉지 기판은 실런트를 통하여 상기 기판(SUB)과 합착될 수 있다. 상기 봉지 기판을 이용하여 상기 표시 소자(OLED)를 외부 환경과 격리하는 경우, 상기 봉지층(ECL)은 생략될 수도 있다.
상기 터치 센서(TS)는 상기 봉지층(ECL) 상에 제공될 수 있다. 또한, 상기 터치 센서(TS)는 복수의 터치 센싱 전극들(미도시)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 터치 센서(TS)는 사용자의 터치 입력을 감지할 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 터치 센서를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 터치 센서(TS)는 표시 패널(DP) 상에 제공될 수 있다. 또한, 상기 터치 센서(TS)는 터치 활성 영역(TAA) 및 터치 비활성 영역(TNAA)을 포함할 수 있다. 상기 터치 활성 영역(TAA)은 상기 표시 패널(DP)의 표시 영역(DA)에 대응할 수 있다. 상기 터치 비활성 영역(TNAA)은 상기 터치 활성 영역(TAA)에 인접하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 터치 비활성 영역(TNAA)은 상기 표시 패널(DP)의 비표시 영역(NDA)에 대응할 수 있다.
상기 터치 센서(TS)는 복수의 터치 센싱 전극들(TSE), 복수의 터치 패드들(TPD)을 포함하는 터치 패드부(TPDA), 및 상기 터치 센싱 전극들(TSE)과 상기 터치 패드들(TPD)을 연결하는 센싱 라인들(SL)을 포함할 수 있다.
상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 상기 터치 활성 영역(TAA)에 제공될 수 있다. 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 제1 터치 센싱 전극들(TSE1) 및 제2 터치 센싱 전극들(TSE2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 센싱 전극들(TSE1)은 일 방향으로 연결되고, 서로 평행한 복수의 터치 센싱 행들을 구성할 수 있다. 또한, 상기 제2 터치 센싱 전극들(TSE2)은 상기 터치 센싱 행들에 교차하는 방향으로 연결되고, 서로 평행한 복수의 터치 센싱 열들을 구성할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 제1 터치 센싱 전극들(TSE1)이 상기 터치 센싱 행들을 구성하고, 상기 제2 터치 센싱 전극들(TSE2)이 상기 터치 센싱 열들을 구성함을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제1 터치 센싱 전극들(TSE1)이 상기 터치 센싱 열들을 구성하고, 상기 제2 터치 센싱 전극들(TSE2)이 상기 터치 센싱 행들을 구성할 수도 있다.
상기 터치 패드부(TPDA) 및 상기 센싱 라인들(SL)은 상기 터치 비활성 영역(TNAA)에 제공될 수 있다.
상기 센싱 라인들(SL)은 상기 터치 센싱 행들 및 상기 터치 센싱 열들을 상기 터치 패드들(TPD)에 연결할 수 있다. 상기 센싱 라인들(SL)은 제1 센싱 라인들(SL1) 및 제2 센싱 라인들(SL2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 센싱 라인들(SL1)은 상기 터치 센싱 행들 및 상기 터치 센싱 열들 중 하나, 예를 들면, 상기 터치 센싱 전극 행들을 상기 터치 패드들(TPD)에 연결할 수 있다. 상기 제2 센싱 라인들(SL2)은 상기 터치 센싱 행들 및 상기 터치 센싱 열들 중 다른 하나, 예를 들면, 상기 터치 센싱 전극 열들을 상기 터치 패드들(TPD)에 연결할 수 있다.
상기 센싱 라인들(SL)이 상기 터치 센싱 전극들(TSE) 및 상기 터치 패드들(TPD)의 연결하는 방법은 상기 터치 센서(TS)의 구동 방법에 따라 결정될 수 있다. 상기 터치 센서(TS)의 구동 방법은 싱글 라우팅(Single Routing) 또는 더블 라우팅(Double Routing)일 수 있다.
예를 들면, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 터치 센서(TS)의 구동 방식은 싱글 라우팅(Single Routing) 방식일 수 있다. 여기서, 상기 제1 센싱 라인들(SL1)은 상기 터치 센싱 전극 행들을 상기 터치 패드들(TPD) 중 일부에 각각 연결할 수 있다. 또한, 상기 제2 센싱 라인들(SL2)은 상기 터치 센싱 전극 열들을 상기 터치 패드들(TPD) 중 나머지에 각각 연결할 수 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 터치 센서(TS)의 구동 방식은 더블 라우팅(Double Routing) 방식일 수 있다. 여기서, 상기 제1 센싱 라인들(SL1)은 상기 터치 센싱 전극 행들을 상기 터치 패드들(TPD) 중 일부에 각각 연결할 수 있다. 또한, 상기 제2 센싱 라인들(SL2)은 상기 터치 센싱 전극 열들의 양단을 상기 터치 패드들(TPD) 중 나머지에 각각 연결할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 제2 센싱 라인들(SL2)이 상기 터치 센싱 전극 열들의 양단 및 상기 터치 패드들(TPD)을 연결함을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제1 센싱 라인들(SL1)이 상기 터치 센싱 전극 행들의 양단 및 상기 터치 패드들(TPD)을 연결할 수도 있다. 또한, 상기 제1 센싱 라인들(SL1)이 상기 터치 센싱 전극 행들의 양단 및 상기 터치 패드들(TPD)을 연결하고, 상기 제2 센싱 라인들(SL2)이 상기 터치 센싱 전극 열들의 양단 및 상기 터치 패드들(TPD)을 연결할 수도 있다.
도 7은 도 5 및 도 6에 도시된 터치 센싱 전극들의 연결 관계를 설명하기 위한 평면도이며, 도 8은 도 7의 EA2 영역의 확대도이며, 도 9는 도 8의 I-I' 라인에 따른 단면도이며, 도 10은 도 7의 EA3 영역의 확대도이며, 도 11은 도 10의 II-II' 라인에 따른 단면도이다.
도 7 내지 도 11을 참조하면, 동일한 센싱 전극 열 또는 동일한 센싱 전극 행에서, 서로 인접하는 터치 센싱 전극들(TSE)은 브릿지 패턴들(BRP)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 각 터치 센싱 전극(TSE)의 양단은 상기 브릿지 패턴들(BRP)에 연결될 수 있다.
상기 터치 센싱 전극들(TSE) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)은 복수의 도전성 세선들(CFL)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 터치 센싱 전극들(TSE) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)은 일 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제1 도전성 세선들(CFL1), 및 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 교차하는 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제2 도전성 세선들(CFL2)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 메쉬(mesh) 구조를 가질 수 있다. 상기 메쉬 구조는 벤더블(bendable), 폴더블(foldable) 또는 롤러블(rollable)한 플렉서블 터치 센서를 구현하는데 유리할 수 있다.
상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)이 교차하여 형성하는 영역에는 적어도 하나의 표시 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)이 교차하여 형성하는 영역에는 하나의 표시 소자(OLED)가 배치될 수 있다.
상기 제1 도전성 세선들(CFL1), 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 저저항 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1), 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄, 팔라듐, 네오듐, 및 은-팔라듐-구리합금(APC) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 서로 다른 층 상에 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)은 봉지층(도 2 및 도 3의 "ECL" 참조) 상에 제공될 수 있으며, 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 절연막(ISL) 상에 제공될 수 있다. 상기 절연막(ISL)은 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 상기 절연막(ISL)에 제공된 콘택 홀(CH1, CH2)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 절연막(ISL)은 유기 절연막 및 무기 절연막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 도전성 세선들(CFL2) 상에는 커버막(CVL)이 제공될 수 있다. 상기 커버막(CVL)은 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)을 보호할 수 있다. 상기 커버막(CVL)은 유기 절연막 및 무기 절연막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연막(ISL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 제1 영역(LRA) 및 제2 영역(HRA)을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(LRA)은 상기 브릿지 패턴들(BRP)에 연결될 수 있으며, 상기 제2 영역(HRA)은 상기 제1 영역(LRA) 이외의 영역일 수 있다. 상기 제1 영역(LRA)의 배선 저항은 상기 제2 영역(HRA)의 배선 저항보다 낮을 수 있다.
상기 제1 영역(LRA) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)의 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)의 저항은 상기 제2 영역(HRA)의 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)의 저항보다 작을 수 있다.
상기 제1 영역(LRA) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)의 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)의 제1 폭(W1)은 상기 제2 영역(HRA)의 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)의 제2 폭(W2)보다 클 수 있다.
상기 제1 영역(LRA) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)의 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)을 연결하기 위한 제1 콘택 홀(CH1)의 면적은 상기 제1 영역(HRA)의 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)을 연결하기 위한 제2 콘택 홀(CH2)의 면적보다 클 수 있다.
또한, 상기 제1 영역(LRA)에서, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2) 중 하나, 예를 들면, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)은 상기 제1 콘택 홀(CH1)에 대응하는 영역에 제공되는 확장부(ETA)를 포함할 수 있다. 상기 확장부(ETA)는 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)의 폭 방향에서 연장된 형상을 가질 수 있다. 상기 확장부(ETA)의 면적은 상기 제1 콘택 홀(CH1)의 면적보다 클 수 있다. 따라서, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)에서, 상기 확장부(ETA)가 배치되는 영역의 폭은 타 영역의 폭보다 클 수 있다.
일반적으로, 배선 저항은 배선들의 단면적에 반비례하므로, 상기 제1 영역(LRA) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)에서의 배선 저항은 상기 제2 영역(HRA)에서의 배선 저항보다 낮을 수 있다. 이는 상기 제1 영역(LRA) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)에서의 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)의 제1 폭(W1)이 상기 제2 영역(HRA)에서의 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)의 제2 폭(W2)보다 크며, 상기 제1 콘택 홀(CH1)의 면적이 상기 제2 콘택 홀(CH2)의 면적보다 크기 때문이다. 따라서, 상기 터치 센싱 전극들(TSE) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)을 구비하는 터치 센서는 배선 저항에 의해 위치에 따른 센싱 감도가 상이함을 방지할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 도면으로, 도 5 및 도 6에 도시된 터치 센싱 전극들의 연결 관계를 설명하기 위한 평면도이다.
도 12를 참조하면, 동일한 센싱 전극 열 또는 동일한 센싱 전극 행에서, 서로 인접하는 터치 센싱 전극들(TSE)은 브릿지 패턴들(BRP)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 각 터치 센싱 전극(TSE)의 양단은 상기 브릿지 패턴들(BRP)에 연결될 수 있다.
상기 터치 센싱 전극들(TSE) 및 상기 브릿지 패턴들(BRP)은 복수의 도전성 세선들(CFL)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 일 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제1 도전성 세선들(CFL1), 및 상기 제1 도전성 세선들(CFL1)과 교차하는 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제2 도전성 세선들(CFL2)을 포함할 수 있다.
상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 제1 영역(LRA) 및 제2 영역(HRA)을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(LRA)은 상기 브릿지 패턴들(BRP)에 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 영역(LRA)은 터치 센싱 전극(TSE)의 일단에서 타단으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 영역(LRA)은 상기 브릿지 패턴들(BRP)과 평행하고 상기 터치 센싱 전극(TSE)을 가로지르는 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 영역(HRA)은 상기 제1 영역(LRA) 이외의 영역일 수 있다. 상기 제1 영역(LRA)이 상기 터치 센싱 전극(TSE)을 가로지르므로, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)에서, 상기 제2 영역(HRA)은 상기 제1 영역(LRA)의 양측에 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
DP: 표시 패널 SUB: 기판
DVL: 구동층 DPL: 표시층
ECL: 봉지층 TS: 터치 센서
TSE: 터치 센싱 전극 SL: 센싱 라인
TPD: 터치 패드 LRA: 제1 영역
HRA: 제2 영역

Claims (20)

  1. 복수의 제1 터치 센싱 전극들을 포함하고, 일방향으로 연장된 터치 센싱 열;
    복수의 제2 센싱 전극들을 포함하고, 상기 터치 센싱 열과 교차하는 방향으로 연장된 터치 센싱 행; 및
    서로 인접하는 제1 터치 센싱 전극들 또는 서로 인접하는 제2 터치 센싱 전극들을 연결하는 브릿지 패턴들을 포함하며,
    상기 제1 터치 센싱 전극들 또는 상기 제2 터치 센싱 전극들은 상기 브릿지 패턴들에 연결되는 제1 영역, 및 상기 제1 영역 이외의 제2 영역을 포함하고,
    상기 제1 영역의 배선 저항은 상기 제2 영역의 배선 저항과 다른 터치 센서.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 영역의 배선 저항은 상기 제2 영역의 배선 저항보다 낮은 터치 센서.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극들, 상기 제2 터치 센싱 전극들 및 상기 브릿지 패턴들은 서로 교차하는 방향으로 연장된 복수의 도전성 세선들을 포함하는 터치 센서.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 도전성 세선들은
    일방향으로 연장된 제1 도전성 세선들; 및
    상기 제1 도전성 세선들과 교차하는 방향으로 연장된 제2 도전성 세선들을 포함하는 터치 센서.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 브릿지 패턴들에서의 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들의 폭은 상기 제2 영역에서의 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들의 폭보다 큰 터치 센서.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들 사이에 배치되는 절연막을 더 포함하고,
    상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들은 상기 절연막에 제공된 콘택 홀을 통하여 전기적으로 연결되는 터치 센서.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 브릿지 패턴들에서의 상기 콘택 홀의 면적은 상기 제2 영역에서의 상기 콘택 홀의 면적보다 큰 터치 센서.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들이 교차하는 영역에서, 상기 제1 도전성 세선들 및 상기 제2 도전성 세선들 중 적어도 하나는 폭 방향에서 연장된 확장부를 구비하는 터치 센서.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 도전성 세센들 상에 배치되는 커버막을 더 포함하는 터치 센서.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 제1 터치 센싱 전극들 또는 상기 제2 터치 센싱 전극들을 횡단하는 형상을 가지는 터치 센서.
  11. 박막 트랜지스터 및 표시 소자를 구비하는 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 상에 배치되는 터치 센서를 포함하고,
    상기 터치 센서는
    복수의 제1 터치 센싱 전극들을 포함하고, 일방향으로 연장된 터치 센싱 열;
    복수의 제2 센싱 전극들을 포함하고, 상기 터치 센싱 열과 교차하는 방향으로 연장된 터치 센싱 행; 및
    서로 인접하는 제1 터치 센싱 전극들 또는 서로 인접하는 제2 터치 센싱 전극들을 연결하는 브릿지 패턴들을 포함하며,
    상기 제1 터치 센싱 전극들 또는 상기 제2 터치 센싱 전극들은 상기 브릿지 패턴들에 연결되는 제1 영역, 및 상기 제1 영역 이외의 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역의 배선 저항은 상기 제2 영역의 배선 저항보다 낮은 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극들, 상기 제2 터치 센싱 전극들 및 상기 브릿지 패턴들은 서로 교차하는 방향으로 연장된 복수의 도전성 세선들을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 도전성 세선들은
    일방향으로 연장된 제1 도전성 세선들; 및
    상기 제1 도전성 세선들과 교차하는 방향으로 연장된 제2 도전성 세선들을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 브릿지 패턴들에서의 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들의 폭은 상기 제2 영역에서의 상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들의 폭보다 큰 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들 사이에 배치되는 절연막을 더 포함하고,
    상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들은 상기 절연막에 제공된 콘택 홀을 통하여 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 브릿지 패턴들에서의 상기 콘택 홀의 면적은 상기 제2 영역에서의 상기 콘택 홀의 면적보다 큰 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들이 교차하는 영역에서, 상기 제1 도전성 세선들 및 상기 제2 도전성 세선들 중 적어도 하나는 폭 방향에서 연장된 확장부를 구비하는 표시 장치.
  18. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 세선들과 상기 제2 도전성 세선들이 교차하여 형성하는 영역에는 적어도 하나의 표시 소자가 제공되는 표시 장치.
  19. 제11 항에 있어서,
    상기 표시 패널은
    기판 상에 제공되고, 상기 박막 트랜지스터를 구비하는 구동층;
    상기 구동층 상에 제공되고 상기 표시 소자를 구비하는 표시층; 및
    상기 표시층 상에 제공되고, 상기 표시 소자를 보호하는 봉지층을 포함하며,
    상기 터치 센서는 상기 봉지층 상에 배치되는 표시 장치.
  20. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 제1 터치 센싱 전극들 또는 상기 제2 터치 센싱 전극들을 횡단하는 형상을 가지는 표시 장치.
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