CN109728176A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置，其可以防止产生由于水渗透引起的暗点缺陷并且可以减少累积的应力。该显示装置包括具有阻挡图案的基板和设置在基板上的薄膜晶体管。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息时代的发展，对用于显示图像的显示装置的需求已经以多种形式增加。最近，已经推出了更纤薄尺寸的显示装置。具体地，柔性有机发光显示装置具有许多优点，其在于它易于携带并且可以应用于多种形状的装置。
由于柔性显示装置可以像纸张一样折叠或卷绕基板，因此柔性显示装置由于便携性和存储的优点而作为下一代显示装置被持续研究。例如，柔性显示装置可以包括液晶显示装置、发光显示装置、电泳显示装置、微型发光显示装置(micro light emittingdisplay device)、电润湿显示装置或量子点发光显示装置。
为了实现柔性显示装置，综合地需要柔性基板、用于低温处理的有机材料/无机材料、发光二极管、钝化膜和遮蔽膜等。其中，柔性基板被视为用于决定柔性显示装置的性能、可靠性、成本等的最重要部件。
然而，问题出现在由于在柔性基板的制造工艺期间产生的颗粒引起缓冲层开裂，从而可能使防水效果和/或性质劣化或产生暗点缺陷。
如上所述的背景技术是本公开的发明人用于设计本公开拥有的或在设计本公开的步骤期间获得的技术信息，因而不应被当然视为在提交本公开之前向公众公开的已知技术。
发明内容
鉴于上述问题提出了本公开，并且本公开的实施方案提供一种可以防止由于水渗透而引起的暗点缺陷以及可以减少累积的应力的显示装置。
根据本公开的一个方面，通过提供一种包括具有阻挡图案的基板以及设置在基板上的薄膜晶体管的显示装置，可以实现诸如防止暗点，防止由积累的应力导致的显示装置的内部结构中的开裂而导致的损坏，减少不期望的物质(特别是水)的渗透，等等的一种或更多种有利效果。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的目的、特征和其他优点，在附图中：
图1是示出根据本公开的实施方案的显示装置的平面图；
图2是示出根据本公开的实施方案的显示装置的截面图；
图3是示出薄膜晶体管的一些部分的结构的叠加平面图；
图4是根据第一实施方案的沿图3的线I-I’截取的截面图；
图5是根据第二实施方案的沿图3的线I-I’截取的截面图；
图6是示出薄膜晶体管中一些部分的结构的叠加平面图；
图7是根据第三实施方案的沿图6的线II-II’截取的截面图；以及
图8是根据第四实施方案的沿图6的线II-II’截取的截面图。
具体实施方式
将通过参照附图描述的以下实施方案来阐明本公开的优点和特征以及其实现方法。然而，可以以不同的形式实施本公开并且本公开不应当被理解为限于本文所阐述的实施方案。而是，提供这些实施方案使得本公开将更加透彻和完整，并且将使得本领域技术人员能够实施本公开的实施例。此外，本公开的范围由参照说明书和附图的要求保护的方案限定。
用于描述本公开的实施方案的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度和数目仅是示例，并且因此本公开不限于所示出的细节。在整个说明书中，相似的附图标记指代相似的元件。在以下描述中，当关于本公开的相关已知功能或配置的详细描述被确定为对本领域技术人员是显而易见时，将省略详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则可以添加另一部件。单数形式的术语可以包括复数形式，除非被相反地指出。
在对元件进行解释时，尽管没有明确描述，但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”时，除非使用“紧接”或“直接”，否则可以在两个其他部分之间布置一个或更多个部分。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“然后”以及“在……之前”时，除非使用“刚好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
应当理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述不同元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分。例如，在没有脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
术语“至少一个”应理解为包括一个或更多个相关联的列举项的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开的多种实施方案的特征可以部分地或全部地彼此耦合或组合，并且可以以多种方式彼此协作并在技术上被驱动。本公开的实施方案可以彼此独立地实施或者可以以相互依赖的关系一起实施。
在下文中，将参照附图来详细描述本公开的优选实施方案。在可能的情况下，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
图1是示出根据本公开的显示装置的平面图。在图1中，X轴指示平行于栅极线的方向，Y轴指示平行于数据线的方向，以及Z轴指示显示装置的高度方向。
参照图1，根据本公开的显示装置包括基板100、栅极驱动器200、源极驱动集成电路(在下文中，称为“IC”)310、柔性膜330、电路板350和定时控制器400。
基板100是薄膜晶体管阵列基板，并可以由塑料材料制成。根据一个实例的基板100包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA可以定义为用于显示图像的区域。在显示区域DA上，可以设置有栅极线、数据线和像素。
非显示区域NDA是围绕显示区域DA的至少一个边缘的区域，并且可以定义为用于不显示图像的区域。在非显示区域NDA上，可以设置有栅极驱动器200和焊盘。
栅极驱动器200根据从定时控制器400接收的栅极控制信号将栅极信号提供至栅极线。栅极驱动器200可以以板内栅极驱动器(GIP)模式形成在基板100的显示区域DA的一侧或两侧外部的非显示区域NDA上。可替选地，栅极驱动器200可以由驱动芯片制成，封装在柔性膜330中并且以带载自动封装(TAB)模式附接至基板200的显示区域DA的一侧或两侧外部的非显示区域NDA。
源极驱动IC 310接收来自定时控制器400的数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 310根据源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压并将模拟数据电压提供至数据线。如果源极驱动IC 310由驱动芯片制成，源极驱动IC 310可以以膜上芯片(COF)或塑料上芯片(COP)模式封装在柔性膜330中。
柔性膜330通过各向异性导电膜附接至焊盘。柔性膜330中可以形成有将焊盘连接至源极驱动IC 310的线和将焊盘连接至电路板350的线。
电路板350可以附接至柔性膜330。用于驱动芯片的多个电路可以封装在电路板350中。例如，定时控制器400可以封装在电路板350中。电路板350可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器400通过电路板350的线缆接收来自外部系统板的数字视频数据和定时信号。定时控制器400基于定时信号生成用于控制栅极驱动器200的操作定时的栅极控制信号和用于控制源极驱动IC 310的源极控制信号。定时控制器400将栅极控制信号提供至栅极驱动器200，并且将源极控制信号提供至源极驱动IC 310。
图2是示出根据本公开的实施方案的显示装置的截面图。图2简要示出了图1所示的显示区域DA的一侧的截面图。
参照图2，根据本公开的显示装置包括基板100、阻挡层150、遮光层LS、缓冲层160、薄膜晶体管T、平坦化层PAC、有机发光二极管OLED和封装层170。
基板100可以是柔性塑料片材或膜。例如，基板100可以是但不限于包括如下的片材或膜：纤维素树脂，诸如TAC(三乙酰纤维素)或DAC(二乙酰纤维素)；COP(环烯烃聚合物)，诸如降冰片烯衍生物；COC(环状烯烃共聚物)；丙烯酸类树脂，诸如PMMA(聚(甲基丙烯酸甲酯))；聚烯烃，诸如PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)或PP(聚丙烯)；聚酯，诸如PVA(聚乙烯醇)、PES(聚醚砜)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、和PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)；PI(聚酰亚胺)；PSF(聚砜)或氟树脂。
在基板100上设置有阻挡层150。阻挡层150用于防止水渗透到基板100中或保护薄膜晶体管T和有机发光二极管OLED免受外压或外力。阻挡层150可以由但不限于无机绝缘材料例如SiO2(二氧化硅)、SiNx(硅氮化物)、或者SiO2和SiNx的多层膜制成。
在阻挡层150上设置有遮光层LS。遮光层LS用于防止外部光进入薄膜晶体管T的有源层ACT。遮光层LS不需要形成为如图中所示的图案，而是可以修改为多种图案。遮光层LS可以由金属材料形成。
在阻挡层150上设置有缓冲层160以覆盖遮光层LS。缓冲层160用于防止水渗透到像素中。缓冲层160可以由但不限于无机绝缘材料例如SiO2(二氧化硅)、SiNx(硅氮化物)、或者SiO2和SiNx的多层膜制成。
在基板100上布置有薄膜晶体管T。薄膜晶体管T包括有源层ACT、栅极绝缘膜GI、栅电极GE、层间电介质膜ILD、源电极SE和漏电极DE。
有源层ACT被布置成与栅电极GE交叠。有源层ACT可以包括对应于源电极SE的一个端部区域、对应于漏电极DE的另一个端部区域、以及设置在该一个端部区域和该另一个端部区域之间的中心区域。在这种情况下，中心区域可以由不掺杂有掺杂剂材料的半导体材料制成，并且该一个端部区域和该另一个端部区域可以由掺杂有掺杂剂材料的半导体材料制成。
栅极绝缘膜GI设置在有源层ACT上。栅极绝缘膜GI用于使有源层ACT与栅电极GE绝缘。栅极绝缘膜GI被设置成覆盖有源层ACT。栅极绝缘膜GI可以由但不限于无机绝缘材料例如SiO2(二氧化硅)、SiNx(硅氮化物)、或者SiO2和SiNx的多层膜制成。
栅电极GE设置在栅极绝缘膜GI上。通过在栅电极GE与有源层ACT之间插入栅极绝缘膜GI，栅电极GE与有源层ACT的中心区域交叠。栅电极GE可以是但不限于包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中至少任意一种或它们的合金的单层或多层。
在栅电极GE上设置有层间电介质膜ILD。层间电介质膜ILD用于使栅电极GE与源电极SE和漏电极DE绝缘。层间电介质膜ILD可以由但不限于无机绝缘材料例如SiO2(二氧化硅)、SiNx(硅氮化物)、或者SiO2和SiNx的多层膜制成。
源电极SE和漏电极DE被布置成在层间电介质膜ILD上彼此间隔开。源电极SE连接至有源层ACT的一个端部区域，漏电极DE连接至有源层ACT的另一个端部区域。
上述薄膜晶体管不限于上述示例，并且可以通过本领域普通技术人员可以容易地执行的已知元件在薄膜晶体管中进行多种修改。
在源电极SE和漏电极DE上设置有平坦化层PAC。平坦化层PAC用于保护薄膜晶体管T并使设置有薄膜晶体管T的基板100的顶表面平坦化。平坦化层PAC可以由但不限于诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料制成。
在平坦化层PAC和薄膜晶体管T之间可以附加地设置有无机绝缘膜。无机绝缘膜用于保护薄膜晶体管T。在这种情况下，无机绝缘膜可以由与栅极绝缘膜GI的材料相同的无机绝缘材料例如但不限于SiO2、SiNx、或者SiO2和SiNx的多层膜制成。
在薄膜晶体管T上设置有有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED包括阳极电极AND、有机层EL和阴极电极CAT。
阳极电极AND设置在平坦化层PAC上并连接至薄膜晶体管T的漏电极DE。在两个彼此相邻的阳极电极AND之间设置有堤部B，从而堤部B可以由但不限于有机绝缘材料诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂和苯并环丁烯(BCB)制成。
有机层EL设置在阳极电极AND上。有机层EL可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。此外，有机层EL还可以包括用于提高发光层的发光效率和/或寿命的至少一个功能层。
阴极电极CAT设置在有机层EL和堤部B上。当在阳极电极AND和阴极电极CAT之间施加电压差时，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层并且彼此结合以发光。
在有机发光二极管OLED上设置有封装层170。封装层170设置在阴极电极CAT上。封装层170可以设置在显示区域DA的整个表面上。封装层170保护薄膜晶体管T和有机发光二极管OLED免受外部冲击。此外，封装层170用于防止水、湿气和/或颗粒渗透到基板100中。
图3是示出薄膜晶体管中的一些结构的叠加平面图。图4是根据第一实施方案的沿图3的线I-I’截取的截面图。图3和图4对应于用于示出栅电极和基板的布置结构的附图。未单独示出的部分的元件与图2所示出的部分的元件相同。在下文中，对与图2的元件相同的元件给出相同的附图标记，并且将不再重复相同的描述。
参照图3和图4，根据本公开的第一实施方案的显示装置包括基板100。
基板100可以是用于薄膜晶体管阵列基板的基底基板，并且可以由塑料材料制成。基板100包括阻挡图案。此外，基板100可以包括顺序堆叠的下层110和上层140。
阻挡图案用于防止水渗透到像素中。在一个实例中，阻挡图案可以被视为第一阻挡图案145。阻挡图案可以由无机绝缘材料例如但不限于SiO2、SiNx或者SiO2和SiNx的多层膜制成。
阻挡图案以图案类型设置在基板100的一些区域上。由于阻挡图案以图案类型设置，因此可以抑制基板100经受的累积的应力，并且可以防止基板100的柔性劣化。
阻挡图案可以形成为不与薄膜晶体管T的栅电极GE交叠。由于阻挡图案形成在不与栅电极GE交叠的区域中，因此可以减小在与栅电极GE交叠的区域处施加到阻挡层150的应力。
由于栅电极GE被布置成与基板100相邻并且由金属材料形成，因此栅电极GE具有较强的压力。当阻挡图案形成在与栅电极GE交叠的区域中时，通过包括在基板100中的工艺颗粒进一步增加所述较强的压力，使得强得多的压力从上侧和下侧两者施加到阻挡层150，从而可以容易地在阻挡层150中产生开裂。与这种情况不同，在根据本公开的显示装置中，阻挡图案形成在与栅电极GE不交叠的区域中。由于从上侧和下侧施加到阻挡层150的压力不大，因此可以减小施加到阻挡层150的压力，可以防止在阻挡层150中产生开裂。
下层110是设置在基板100的最下端的层，并且对应于与薄膜晶体管T间隔最远的层。下层110对应于通过LLO(激光剥离)工艺与玻璃基板分离的层，并且在下层110和玻璃基板之间可以存在单独的牺牲层。下层110可以被视为不包括任何阻挡图案145的层，以便于与玻璃基板分离。
上层140设置在下层110上。上层140布置在下层110和薄膜晶体管T之间。上层140可以被视为包括阻挡图案的层。
由于根据本公开的基板100具有下层110和上层140的堆叠结构，因此外部水、湿气或氧的渗透路径会变得更长，从而可以延迟产生暗点缺陷所需的时间。而且，由于下层110和上层140可以由高弹性材料形成，因此可以在下层110和上层140的堆叠结构中增强缓冲效果。
由于根据本公开的基板100包括阻挡图案，因此可以防止水渗透到像素中，同时基板100的柔性不会劣化。由于阻挡图案形成在与栅电极GE不交叠的区域中，因此可以防止在阻挡层150中产生开裂。
图5是根据第二实施方案的沿图3的线I-I’截取的截面图。图5对应于用于示出栅电极和基板之间的布置结构的附图。未单独示出的部分的元件与图2所示出的部分的元件相同。在下文中，对与图2的元件相同的元件给出相同的附图标记，并且将不再重复相同的描述。
参照图3和图5，根据本公开的第二实施方案的显示装置包括基板100。
基板100可以是用于薄膜晶体管阵列基板的基底基板，并且可以由塑料材料制成。基板100包括阻挡图案，并可以由下层110、第一中间层至第N中间层和上层140的堆叠结构制成。
阻挡图案用于防止水渗透到像素中。在这种情况下，阻挡图案可以被视为第一阻挡图案125和145以及第二阻挡图案135。阻挡图案可以由无机绝缘材料，例如但不限于SiO2、SiNx或者SiO2和SiNx的多层膜制成。
阻挡图案以图案类型设置在基板100的一些区域上。由于阻挡图案以图案类型设置，因此可以抑制基板100经受的累积的应力，并且可以防止基板100的柔性劣化。
下层110是设置在基板100的最下端的层，并且对应于与薄膜晶体管T间隔最远的层。下层110对应于通过LLO工艺与玻璃基板分离的层，并且在下层110和玻璃基板之间可以存在单独的牺牲层。下层110可以被视为不包括任何阻挡图案的层，以便于与玻璃基板分离。
第一中间层至第N中间层设置在下层110和上层140之间。第一中间层与上层直接接触，第N中间层与下层直接接触，并且第二中间层至第N-1中间层顺序地布置在第一中间层和第N中间层之间。
在这种情况下，第一中间层至第N中间层可以包括第一中间层至第(2j-1)中间层130(j是小于或等于(N+1)/2的自然数)，以及第二中间层至第(2i)中间层120(i是小于或等于N/2的自然数)。
第一中间层至第(2j-1)中间层130是奇数中间层，并且可以包括与上层140直接接触的第一中间层、设置在第二中间层下方的第三中间层、设置在第四中间层下方的第五中间层等。
第二中间层至第(2i)中间层120是偶数中间层，并且可以包括设置在第一中间层下方的第二中间层、设置在第三中间层下方的第四中间层等。
例如，图5示出了N＝2的情况。根据本公开的显示装置的结构不限于图5所示的实例。尽管图5示出了偶数中间层120与下层110直接接触，但是奇数中间层130可以与下层110直接接触，而不限于图5所示的实例。
上层140设置在第一中间层130上。
由于根据本公开的基板100具有下层110、第一中间层至第N中间层和上层140的堆叠结构，因此外部水、湿气或氧的渗透路径会增加，从而可以延迟产生暗点缺陷所需的时间。而且，由于下层110、第一中间层至第N中间层和上层140可以由高弹性材料形成，因此可以在下层110、第一中间层至第N中间层和上层140的堆叠结构中增强缓冲效果。在这种情况下，N是自然数，并且如果N变大，则中间层的数目增加。如果中间层的数目增加，则可以更加增强缓冲效果。
阻挡图案形成在上层140和第一中间层至第N中间层中。在这种情况下，第一阻挡图案125和145形成在上层140和第二中间层至第(2i)中间层120中，并且第二阻挡图案135形成在第一中间层至第(2j-1)中间层中。
第一阻挡图案125和145以及第二阻挡图案135形成为彼此不交叠。由于第一阻挡图案125和145形成为与第二阻挡图案135交错而与第二阻挡图案135不交叠，因此可以抑制施加到基板100的累积的应力。
第一阻挡图案125和145形成为与栅电极GE不交叠，并且第二阻挡图案135形成为与栅电极GE交叠。如上所述，形成在上层140中的第一阻挡图案145与栅电极GE不交叠，以防止在阻挡层150中产生开裂。由于第一阻挡图案125和145形成为与栅电极GE不交叠，因此形成为相对于第一阻挡图案125和145交错的第二阻挡图案135与栅电极GE交叠。在这种情况下，第一阻挡图案125和145可以被视为包括形成在上层140中的第一阻挡图案145和形成在第二中间层至第(2i)中间层中的第一阻挡图案125。第一阻挡图案125和145是相同的图案，并且为了方便起见，对这些第一阻挡图案给出各自的附图标记。
图6是示出薄膜晶体管中的一些部分的结构的叠加平面图。图7是根据第三实施方案的沿图6的线II-II’截取的截面图。图6是示出附加沉积有图3中的源电极和漏电极的叠加平面图。在下文中，对与图2和图5的元件相同的元件给出相同的附图标记，并且将省略重复的描述。
参照图6和图7，根据本公开的显示装置包括第一阻挡图案125和145以及第二阻挡图案135。
第一阻挡图案125和145形成为与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE不交叠。尽管源电极SE和漏电极DE被布置成与栅电极GE相比与基板100间隔更多，但是由于源电极SE和漏电极DE以与栅电极GE相同的方式由金属材料形成，因此源电极SE和漏电极DE会向阻挡层150施加压力。因此，形成在上层140中的第一阻挡图案145与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE不交叠。在这种情况下，第一阻挡图案125和145可以被视为包括形成在上层140中的第一阻挡图案145和形成在第二中间层至第(2i)中间层中的第一阻挡图案125。第一阻挡图案125和145是相同的图案，并且为了方便起见，对这些第一阻挡图案给出各自的附图标记。
第二阻挡图案135形成为与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE交叠。由于第一阻挡图案125和145形成为与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE不交叠，形成为相对于第一阻挡图案125和145交错的第二阻挡图案135与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE交叠。
在根据本公开的显示装置中，由于上层140的第一阻挡图案145形成为与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE不交叠，第一阻挡图案125形成在第二中间层至第(2i)中间层120中，以便与形成在彼此相邻的层中的阻挡图案不交叠，第二阻挡图案135形成在第一中间层至第(2j-1)中间层中，因此可以防止在阻挡层150中产生开裂，可以抑制施加到基板100的累积的应力，并且可以防止水渗透到像素中。
图8是根据第四实施方案的沿图6的线I-I’截取的截面图。在图8中，在图4所示的基板中附加地形成有多个孔，并且将省略图4的重复描述。
参照图8，根据本公开的第四实施方案的显示装置包括具有多个孔180的基板100。
多个孔180可以以这样的方式形成：将软链段添加剂(a soft segment additive)添加到基板100，与基板100的分子结合，并且然后通过涂覆布置。由于基板100包括多个孔180，因此可以增强缓冲能力，并且可以增强缓冲效果。由于增强了缓冲能力，即使多个层没有被沉积，包括多个孔180的基板100也具有高缓冲效果。因此，通过减少沉积或堆叠的层的数目可以使基板100的厚度最小化，从而可以抑制累积的应力。
尽管图8示出了多个孔180形成在下层110中，但是孔180可以形成在上层140和第一中间层至第N中间层，而不限于图8的实施例。多个孔180可以形成在一个层或多个层中，并且这可以根据处理的方便性进行选择。
虽然结合上述实施方案对本公开进行了描述，但本公开不限于此，而是可以采用多种方式实施。例如，在一个实施方案中，显示装置包括基板(尤其是柔性基板)，所述基板可以具有对应于所述显示装置中易于产生应力累积的部分(例如，TFT)的第一区域和对应于所述显示装置中不同于第一区域的第二区域。所述基板可以被配置为在所述第一区域中的弹性模量小于在所述第二区域中的弹性模量。所述基板可以包括与所述TFT的栅电极GE、源电极SE和漏电极DE中至少一者对应的第一区域中的部分。所述基板形成为在第一区域中具有较小的弹性模量可以通过下列方式中的一者或更多者实现：当沿所述显示装置的厚度方向观看时，在第一区域中相比在第二区域中具有更少的阻挡图案；在所述基板的一个或更多个层中相比在第二区域中(在第一区域中)以更大的总体积具有孔、凹陷、线性空隙以及沟槽。所述孔、凹陷、线性空隙以及沟槽可以至少部分地填充有不同于所述层的材料的材料，以及可以利用例如包括软嵌段和硬嵌段的嵌段共聚物而形成。
如上所述，根据本公开，可以获得以下效果和优点。
根据本公开的显示装置可以防止产生由于水渗透而导致的的暗点缺陷和开裂，减少累积的应力并具有高柔性。
除了如上所述的本公开的效果之外，本领域技术人员将从本公开的以上描述中清楚地理解本公开的另外的优点和特征。
对于本领域技术人员来说明显的是，上述本公开不受上述实施方案和附图的限制，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行多种替换、修改和变型。因此，本公开的范围由所附权利要求限定，并且旨在从权利要求的含义、范围和等同概念获得的所有变型或修改落入本公开的范围内。
可以对上面描述的多种实施方案进行组合以提供另外的实施方案。可以根据以上详细描述对本实施方案进行多种改变。通常，在所附的权利要求中，所使用的术语不应该被理解为将权利要求限制于说明书和权利要求中公开的特定实施方案，而是应该被理解为包括所有可能的实施方案连同这样的权利要求所属于的等同内容的全部范围。因此，权利要求不受公开内容的限制。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
具有阻挡图案的基板；以及
设置在所述基板上的薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述基板包括：
下层；以及
上层，所述上层设置在所述下层和所述薄膜晶体管之间，
其中所述阻挡图案设置在所述上层处。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述阻挡图案包括第一阻挡图案，所述第一阻挡图案与所述薄膜晶体管的栅电极不交叠。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述基板还包括设置在所述下层和所述上层之间的第一中间层至第N中间层，
其中所述第一中间层与所述上层直接接触，
其中第二中间层至第N-1中间层顺序地布置在所述第一中间层和所述第N中间层之间，
其中所述第N中间层与所述下层直接接触；以及
其中所述阻挡图案形成在所述第一中间层至所述第N中间层中的每个中间层和所述上层中。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一中间层至所述第N中间层包括：
第一中间层至第(2j-1)中间层，j是小于或等于(N+1)/2的自然数；以及
第二中间层至第(2i)中间层，i是小于或等于N/2的自然数，
其中所述阻挡图案包括第一阻挡图案和第二阻挡图案，
其中所述第一阻挡图案形成在所述上层和所述第二中间层至所述第(2i)中间层中，以及
其中所述第二阻挡图案形成在所述第一中间层至所述第(2j-1)中间层中。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案彼此不交叠。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一阻挡图案与所述薄膜晶体管的栅电极不交叠，所述第二阻挡图案与所述薄膜晶体管的所述栅电极交叠。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第一阻挡图案与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极不交叠，所述第二阻挡图案与所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极交叠。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置，其中所述基板包括多个孔。
10.一种显示装置，包括：
基板；以及
设置在所述基板上的薄膜晶体管；
其中所述基板具有对应于所述薄膜晶体管的第一区域以及不同于所述第一区域的第二区域，所述基板被配置为在所述第一区域中具有比所述第二区域的弹性模量更小的弹性模量。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中
所述第一区域对应于所述薄膜晶体管的栅电极GE、源电极SE和漏电极DE中的至少之一。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中
所述第一区域对应于所述薄膜晶体管的栅电极GE。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的显示装置，其中
所述基板具有阻挡图案。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中
当沿着所述显示装置的厚度方向观看时，所述基板形成为在所述第一区域中具有比所述第二区域中更少的阻挡图案。
15.根据权利要求10至12中任一项所述的显示装置，其中
当沿着所述显示装置的厚度方向观看时，相比在所述第二区域中，所述基板形成为在所述基板的一个层或更多个层中具有更大的总体积的任意的孔、凹陷、线性空隙以及沟槽。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述阻挡图案不设置在所述第一区域处。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述阻挡图案包括设置在所述第二区域中的第一阻挡图案，以及设置在所述第一区域中的第二阻挡图案。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中所述基板包括两个或更多个层，所述第一阻挡图案设置在相比所述第二阻挡图案不同的层处。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中所述基板包括两个或更多个层，所述第二阻挡图案不设置在所述两个或更多个层中的最顶层处。
20.根据权利要求13所述的显示装置，其中
所述基板包括一个或更多个层，并在一个或更多个所述层中具有孔、凹陷、线性空隙以及沟槽中的至少一种。
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