CN115623819A

CN115623819A - 显示装置和制造显示装置的方法

Info

Publication number: CN115623819A
Application number: CN202210820741.9A
Authority: CN
Inventors: 韩智慧; 郭银珍; 裵哲敏
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-07-12
Filing date: 2022-07-12
Publication date: 2023-01-17
Also published as: EP4120378A1

Abstract

一种显示装置和一种制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；加强层，在所述基底上；以及显示层，包括阻挡层且在所述加强层上，其中，每单位体积的所述加强层的氢原子的数量小于每单位体积的所述阻挡层的氢原子的数量。

Description

显示装置和制造显示装置的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2021年7月12日提交的第10-2021-0090896号韩国专利申请和于2022年7月7日提交的第10-2022-0083984号韩国专利申请的优先权和权益，韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

一个或多个实施例的各方面涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。

背景技术

移动电子装置已经以各种形式被广泛使用。例如，移动电子装置包括诸如移动电话和平板个人计算机(PC)的紧凑型电子装置。

通常，移动电子装置包括支持各种功能并且能够向用户显示诸如图像或图片的视觉信息的显示装置。近来，随着用于驱动显示装置的组件尺寸已经减小，显示装置在电子装置中的比例已经逐渐增加，并且可以期望具有相对于平坦状态可折叠一定角度的结构的显示装置。

本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

发明内容

一个或多个实施例的各方面涉及一种显示装置和制造所述显示装置的方法。

通常，当制造显示装置时，可以在单独的承载基底上提供基底，并且然后在所述基底上堆叠其他层。在这种情况下，当所述基底与所述承载基底分离时，所述基底可能被损坏。另外，当在这样的基底上布置驱动器等时，由于热和压力可能在所述基底中发生弯曲。一个或多个实施例包括一种显示装置和制造所述显示装置的方法，其中，当基底与承载基底分离时所述基底不损坏或不变形，并且即使当将热和压力施加到所述基底时，所述基底的损坏或变形也被最小化或减少。

附加方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得明显，或者可以通过本公开的呈现的实施例的实践而获知。

根据一些实施例，一种显示装置包括：基底；加强层，布置在所述基底上；以及显示层，包括阻挡层且在所述加强层上，其中，每单位体积的所述加强层的氢原子的数量小于每单位体积的所述阻挡层的氢原子的数量。

根据一些实施例，所述加强层可以具有大约650MPa或更小的抗应力性(stressresistance)。

根据一些实施例，每单位体积的所述加强层中包含的所述氢原子的所述数量可以为大约6.42×10²⁰或更小。

根据一些实施例，所述加强层可以包括氢化非晶氧化硅。

根据一些实施例，一种显示装置包括：基底；加强层，布置在所述基底上；以及显示层，包括阻挡层且在所述加强层上，其中，所述加强层包括氢化非晶氮化硅，并且每单位体积的所述氢化非晶氮化硅的氮和氢之间的键与所述氢化非晶氮化硅的硅和氢之间的键之间的比为大约22或更小。

根据一些实施例，每单位体积的所述氮和所述硅的比可以为大约1.1或更小。

根据一些实施例，所述加强层可以包括：第一加强层，布置在所述基底上；和第二加强层，布置在所述第一加强层和所述阻挡层之间。

根据一些实施例，所述加强层的厚度可以为大约

或更小。

根据一些实施例，所述加强层的厚度可以小于所述阻挡层的厚度。

根据一些实施例，一种制造显示装置的方法包括：在承载基底上形成基底；在所述承载基底和所述基底之间和/或在所述基底上形成加强层；并且在所述基底上形成包括阻挡层的显示层，其中，每单位体积的所述加强层的氢原子的数量小于每单位体积的所述阻挡层的氢原子的数量。

根据一些实施例，所述加强层可以具有大约650MPa或更小的抗应力性。

根据一些实施例，所述加强层可以包括氢化非晶氧化硅。

根据一些实施例，一种制造显示装置的方法包括：在承载基底上形成基底；在所述承载基底和所述基底之间和/或在所述基底上形成加强层；并且在所述基底上形成包括阻挡层的显示层，其中，所述加强层包括氢化非晶氮化硅，并且每单位体积的所述氢化非晶氮化硅的氮和氢之间的键与所述氢化非晶氮化硅的硅和氢之间的键之间的比为大约22或更小。

根据一些实施例，所述在所述承载基底和所述基底之间形成所述加强层可以包括在所述承载基底和所述基底之间形成下加强层。

根据一些实施例，所述在所述基底上形成所述加强层可以包括在所述基底和所述阻挡层之间形成上加强层。

根据一些实施例，所述在所述承载基底和所述基底之间或在所述基底上形成所述加强层可以包括多次形成所述加强层。

根据一些实施例，所述加强层的厚度可以为

或更小。

根据一些实施例，所述显示层可以在所述基底上提供为彼此分开的多个显示层，并且所述方法包括通过在所述多个显示层中的彼此相邻的显示层之间切割所述基底将所述基底分离成多个基底。

根据一些实施例，所述方法还可以包括弯曲所述基底。

从以下对实施例、附图和权利要求的详细描述，这些和/或其他方面将变得明显和更容易理解。

可以使用系统、方法、计算机程序、或者系统、方法和计算机程序的任何组合来实践这些一般和特定方面。

附图说明

从结合附图的以下描述中，某些实施例的上述和其他方面、特征和特性将更加明显，在附图中：

图1A是示出根据一些实施例的显示装置的平面图；

图1B是沿着图1A中的线I-I'截取的图1A中的显示装置的截面图；

图2A是示出根据一些实施例的显示装置的平面图；

图2B是沿着图2A中的线II-II'截取的图2A中的显示装置的截面图；

图3是示出图1A或图2A中示出的显示装置的一部分的截面图；

图4A至图4D是示出用于图1A或图2A中示出的显示装置的制造工序的截面图；

图4E是示出用于图1A或图2A中示出的显示装置的制造工序的平面图；

图4F至图4K是示出用于图1A或图2A中示出的显示装置的制造工序的截面图；

图5是示出根据一些实施例的显示装置的一部分的截面图；

图6是示出图1A或图2A中示出的显示装置的一部分的弯曲状态的截面图；

图7是示出图1A或图2A中示出的显示装置的一部分的弯曲状态的截面图；以及

图8是示出图1A或图2A中示出的显示装置的一部分的弯曲状态的截面图。

具体实施方式

现在将更详细参照在附图中示出的一些实施例的各方面，其中，在整个本公开中，相同的附图标记表示相同的元件。在这方面，本公开的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在本文中阐述的描述。因此，下面仅仅通过参照附图描述实施例以解释本公开的各方面。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，a、b和c的全部或者其变型。

然而，根据本公开的实施例可以以许多不同的形式体现并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。通过参照以下实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解根据本公开的实施例的特性和特征以及实现它们的方法。然而，本实施例可以以各种形式实施，并且本公开不限于以下呈现的实施例。

在下文中，将参照附图更详细地描述一些实施例的各方面，其中在整个本公开中，相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略它们的重复描述。

根据本公开，在本文中仅使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开的目的。

根据本公开，除非表述在上下文中具有明确不同的含义，否则以单数使用的表述也包括复数的表述。

将理解的是，在本文中所使用的术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”指定所陈述的特征或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或组件的添加。

根据本公开，将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上或者居间组件可能存在于所述组件与所述另一组件之间。

在附图中，为了便于说明，可能夸大或缩小附图中的组件的尺寸。例如，因为为了便于说明，附图中的元件的尺寸和厚度被任意示出，所以本公开不限于此。

根据本公开，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

当可以不同地实施实施例时，可以以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时执行两个连续地描述的工艺，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续地描述的工艺。另外，在不背离根据本公开的实施例的精神和范围的条件下，一些实施例可以包括额外的操作或工艺或更少的操作或工艺。

图1A是示出根据一些实施例的显示装置100的平面图。图1B是沿着图1A中的线I-I'截取的图1A中的显示装置100的截面图。

参照图1A和图1B，显示装置100可以包括显示面板110、显示电路板51、显示驱动单元(或显示驱动器)52和触摸传感器驱动单元(或触摸传感器驱动器)53。显示面板110可以包括包含发光元件的发光显示面板。例如，显示面板110可以包括使用包括有机发射层的有机发光二极管的有机发光显示面板、使用微型LED的微型发光二极管(micro LED)显示面板、使用包括量子点发射层的量子点发光二极管的发光显示面板或使用包括无机半导体的无机发光元件的无机发光显示面板。

显示面板110可以包括容易地可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性显示面板。例如，显示面板110可以包括可折叠和可展开的可折叠显示面板、具有弯曲显示表面的弯曲显示面板、除了显示表面之外的区域弯曲的弯曲显示面板、可以卷曲或展开的可卷曲显示面板以及可拉伸的显示面板。

显示面板110可以包括实现为透明的透明显示面板，使得布置在显示面板110的下表面上(或布置在显示面板110后面)的对象或背景可以从显示面板110的上表面(例如，从显示面板110前面)可见。在一些实施例中，显示面板110可以包括能够反射显示面板110的上表面的对象或背景的反射显示面板。

显示面板110可以包括包含多个元件的基底301、加强层301-1、显示层120和布置在显示层120上的薄膜封装(TFE)层130。可以在基底301上布置多个薄膜晶体管(TFT)和连接到多个TFT的多个发光元件。显示面板110可以还包括功能膜140。诸如偏光板、触摸屏和覆盖窗口的功能膜140可以布置在TFE层130上。TFE层130可以覆盖显示区域DA。

上述显示面板110可以包括用于显示图像的显示区域DA和布置为围绕显示区域DA的周边区域NDA。可以在周边区域NDA中布置单独的驱动电路或焊盘等。在这种情况下，周边区域NDA可以不具有显示在其中的图像。

另外，显示面板110可以包括显示区域DA位于其中的第一区域1A、相对于弯曲轴BAX弯曲的弯曲区域BA以及连接到弯曲区域BA和显示电路板51的第二区域2A。在这种情况下，第二区域2A和弯曲区域BA可以包括在周边区域NDA中，并且在第二区域2A和弯曲区域BA中不可以实现图像。

弯曲区域BA和延伸超出弯曲区域BA的焊盘区域可以布置在周边区域NDA中。例如，焊盘区域可以布置在第二区域2A中。然而，本公开的实施例不限于此，并且弯曲区域BA可以提供在显示区域DA中。根据一些实施例，周边区域NDA可以在其中不具有弯曲区域BA并且可以延伸到焊盘区域。然而，在下文中，为了便于说明，主要描述周边区域NDA包括弯曲区域BA和焊盘区域的情况。

上述弯曲区域BA可以具有各种形状。根据一些实施例，如图1A中所示，弯曲区域BA可以具有与显示区域DA和周边区域NDA的宽度相同的宽度(例如，在图1A中在X轴方向上测量的宽度)。根据一些实施例，如图2A中所示，弯曲区域BA的宽度可以随着与显示区域DA的距离增加而减小。另外，弯曲区域BA的宽度可以从弯曲区域BA的边界的特定部分到周边区域NDA的一端是恒定的。在这种情况下，弯曲区域BA的侧边缘可以具有弧形(rounded)的形状。

对准标记AR可以布置在周边区域NDA中。在这种情况下，对准标记AR可以布置在周边区域NDA的设置在第一区域1A中的部分中和/或可以布置在周边区域NDA的设置在弯曲区域BA和/或第二区域2A中的部分中。在下文中，为了便于说明，主要描述对准标记AR布置在周边区域NDA的设置在第二区域2A中的部分中的情况。

显示面板110可以相对于弯曲轴BAX在一个方向上折叠，弯曲轴BAX是布置在弯曲区域BA中的参考线。在这种情况下，在图1A中，弯曲轴BAX可以布置在弯曲区域BA中并且可以布置在X轴方向上。然而，本公开的实施例不限于此，并且即使没有弯曲区域BA，显示区域DA和焊盘区域也可以彼此连接。换言之，显示面板110也可以配置为使得基底301布置在一个平面上而没有弯曲轴BAX。然而，为了便于说明，以下主要描述相对于弯曲轴BAX在一个方向上可折叠的显示面板110。

焊盘区域可以布置在基底301的一个边缘处。多个焊盘端子400可以布置在焊盘区域中。多个焊盘端子400可以在X轴和Y轴方向上彼此分开地布置在基底301上。焊盘端子400可以连接到从显示区域DA延伸的线113。

显示面板110可以连接到驱动单元50。在这种情况下，多个焊盘端子400可以电连接到驱动单元50。

驱动单元50可以包括驱动电路和塑料覆晶(COP)。然而，驱动单元50不限于此，并且可以包括例如薄膜覆晶(COP)或玻璃覆晶(COG)。在下文中，为了便于说明，主要描述驱动单元50包括COP的情况。

驱动单元50可以包括布置在基底301上的显示驱动单元52、布置在显示驱动单元52下方的多个驱动端子52-1以及电连接到显示驱动单元52的显示电路板51。显示电路板51可以包括柔性印刷电路板(FPCB)。

显示电路板51可以附接到显示面板110的侧边缘。显示电路板51的一侧可以通过使用各向异性导电膜附接到显示面板110的侧边缘。

显示驱动单元52可以布置在显示面板110的第二区域2A中。显示驱动单元52可以接收控制信号和电源电压并且产生和输出信号和电压以驱动显示面板110。显示驱动单元52可以包括集成电路(IC)。在这种情况下，多个焊盘端子400和多个驱动端子52-1可以彼此电连接。换言之，布置为彼此对应的焊盘端子400和驱动端子52-1可以以直接或间接方式彼此电连接。

显示电路板51可以附接到显示面板110。在这种情况下，显示电路板51和显示面板110可以通过使用各向异性导电膜彼此附接。显示电路板51可以包括可弯曲的FPCB、刚性且不易弯曲的刚性印刷电路板(PCB)、或者包含刚性PCB和FPCB两者的复合PCB。

驱动单元50可以还包括触摸传感器驱动单元53。触摸传感器驱动单元53可以布置在显示电路板51上。触摸传感器驱动单元53可以包括IC。触摸传感器驱动单元53可以附接到显示电路板51上。触摸传感器驱动单元53可以通过显示电路板51电连接到显示面板110的触摸屏层的触摸电极。

显示面板110的触摸屏层可以通过使用包括电阻方法和电容方法等的各种触摸方法中的至少一种来检测用户的触摸输入。例如，当显示面板110的触摸屏层使用电容方法检测用户的触摸输入时，触摸传感器驱动单元53向触摸电极之中的驱动电极发送驱动信号，并且通过触摸电极之中的感应电极确定充电到驱动电极之间的互电容的电压，从而确定是否输入用户的触摸。用户的触摸可以包括接触触摸和接近触摸。接触触摸是指诸如用户的手指或笔的物体与布置在触摸屏层141(见图3)上的覆盖构件的直接接触。接近触摸是指诸如用户的手指或笔的物体被定位为靠近但不接触覆盖构件，诸如悬停。触摸传感器驱动单元53基于检测到的电压将传感器数据发送到主处理器，并且主处理器分析传感器数据以计算发生触摸输入的触摸坐标。

用于施加用于驱动显示面板110的像素的驱动电压的显示驱动单元(或显示驱动器)52、扫描驱动单元(或扫描驱动器)和电源单元(或电源)可以进一步布置在显示电路板51上。在一些实施例中，电源单元可以与显示驱动单元52结合，在这种情况下，显示驱动单元52和电源单元可以提供为单个集成电路(IC)或芯片。

图2A是示出根据一些实施例的显示装置100的平面图。图2B是沿着图2A中的线II-II'截取的图2A中的显示装置100的截面图。

参照图2A和图2B，显示装置100可以包括显示面板110、显示电路板51、显示驱动单元52、触摸传感器驱动单元53和柔性膜54。在这种情况下，显示面板110、显示驱动单元52和触摸传感器驱动单元53可以类似于参照图1A描述的那些。

显示面板110可以包括显示区域DA和周边区域NDA，并且可以包括显示区域DA位于其中的第一区域1A、可弯曲的弯曲区域BA以及连接到弯曲区域BA的第二区域2A。在这种情况下，连接到第一区域1A的弯曲区域BA的长度可以小于第一区域1A的边的长度。换言之，弯曲区域BA的在图2A中的X轴方向上测量的宽度可以随着从第一区域1A向第二区域2A前进而减小，但是在一定区域中可以是恒定的。在这种情况下，焊盘区域可以布置在第二区域2A中。另外，对准标记AR可以布置在周边区域NDA中。

上述显示面板110可以包括基底301、加强层301-1、显示层120、TFE层130和功能膜140。基底301、加强层301-1、显示层120、TFE层130和功能膜140与参照图1A和图1B描述的那些相同或相似，并且可以省略其冗余描述。

柔性膜54可以附接到显示面板110的侧边缘。柔性膜54的一侧可以通过使用各向异性导电膜附接到显示面板110的侧边缘。柔性膜54可以包括可弯曲的柔性膜。显示驱动单元52可以布置在基底301上。

显示电路板51可以附接到柔性膜54的另一侧。柔性膜54的该另一侧可以通过使用各向异性导电膜附接到显示电路板51的上表面。显示电路板51可以包括可弯曲的FPCB、刚性且不易弯曲的刚性PCB、或者包含刚性PCB和FPCB两者的复合PCB。

在这种情况下，多个焊盘端子400可以电连接到驱动单元50。驱动单元50可以包括驱动电路和COP。然而，驱动单元50不限于此，并且可以包括例如COF或COG。在下文中，为了便于说明，主要描述驱动单元50包括COP的情况。

驱动单元50可以包括柔性膜54(在其上图案化电路线)、布置在基底301上的显示驱动单元52、布置在显示驱动单元52下方的多个驱动端子52-1以及显示电路板51。驱动单元50可以还包括触摸传感器驱动单元53。柔性膜54和显示驱动单元52可以彼此电连接。

柔性膜54可以电连接到显示电路板51。显示电路板51可以包括FPCB。

多个焊盘端子400和多个驱动端子52-1可以以直接或间接方式彼此电连接。换言之，布置成彼此对应的焊盘端子400和驱动端子52-1可以彼此直接电连接。

在图1A和图2A中，弯曲区域BA位于基底301中，但是实施例不限于此。例如，在图1A的变型实施例(未示出)中，第一区域1A可以指整个显示面板110，并且弯曲区域BA和第二区域2A可以位于显示电路板51中。在这种情况下，显示电路板51的一部分可以与显示面板110形成平坦表面，并且显示电路板51的另一部分可以固定到显示面板110的其上未布置显示电路板51的一侧。另外，在图2A的变型实施例(未示出)中，第一区域1A可以指整个显示面板110和柔性膜54的一部分，并且第二区域2A可以指柔性膜54的其他部分和显示电路板51。在这种情况下，弯曲区域BA可以布置在柔性膜54中，弯曲轴BAX可以布置在柔性膜54中，并且弯曲区域BA可以相对于弯曲轴BAX弯曲。在这种情况下，整个显示电路板51可以固定到柔性膜54的其上未布置显示区域DA的一侧上。

图3是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的一部分的截面图。

参照图3，基底301可以包括柔性聚合物基底或刚性聚合物基底。基底301可以是透明的、半透明的或不透明的。在这种情况下，基底301可以包括聚酰亚胺(PI)并且可以包括单层。

加强层301-1可以布置在基底301上。加强层301-1可以包括氧化硅(SiO_x)和/或氮化硅(SiN_x)。在这种情况下，加强层301-1可以通过化学气相沉积法来提供。例如，加强层301-1可以包括氢化非晶氧化硅a-SiO:H和/或氢化非晶氮化硅a-SiN:H。

当如上所述的加强层301-1包括氢化非晶氧化硅时，与稍后描述的阻挡层302相比，加强层301-1可以每单位体积(例如，1cm³)具有更少的氢原子的数量。例如，单位体积的加强层301-1中包括的氢原子的数量可以小于6.42×10²⁰。另一方面，单位体积的阻挡层302中包括的氢原子的数量可以超过6.42×10²⁰。当每单位体积的加强层301-1的氢原子的数量超过6.42×10²⁰时，加强层301-1的一层的层密度降低，并且因此，加强层301-1可能相对容易损坏。换言之，如上所述，随着加强层301-1中包含的氢原子的数量减少，加强层301-1可以提供压缩力。在这种情况下，由于基底301所固有的应力一般为拉力，该拉力可以被抵消，并且因此显示面板110的整体应力可能接近于零。

当加强层301-1包括氢化非晶氧化硅时，加强层301-1的应力可以具有-650MPa或更小的值。在这种情况下，当应力具有负值时，意味着加强层301-1具有压缩力，并且当应力具有正值时，意味着加强层301-1具有拉伸力。在上述情况下，当加强层301-1的应力超过-650MPa并且阻挡层302提供在加强层301-1上时，阻挡层302可能与加强层301-1分离，或者阻挡层302可能从加强层301-1上剥离，并且因此在制造工艺中可能出现缺陷。此外，如上所述的加强层301-1可以提供压缩力，从而将显示面板110的整体应力减小到0。

加强层301-1包括氢化非晶氮化硅，每单位体积(1cm³)的氢化非晶氮化硅的氮-氢键和硅-氢键之间的比可以为大约22或更小。换言之，[N-H]/[Si-H]比可以≤22。在这种情况下，可以通过增加加强层301-1的密度来最小化或减少向基底301传递的外部热量。

当加强层301-1包括氢化非晶氮化硅时，每单位体积(1cm³)的氢化非晶氮化硅的氮与硅的比可以为大约1.1或更小。换言之，N/Si组成比可以≤1.1。同样在这种情况下，加强层301-1的密度可以增加，从而可以提高热阻挡效率，并且加强层301-1可以被提供为具有压缩力。

显示层120可以布置在上述加强层301-1上。在这种情况下，显示层120可以指从阻挡层302到第二电极315。

阻挡层302可以布置在加强层301-1上。阻挡层302可以覆盖基底301的上表面。阻挡层302可以包括有机层或无机层。例如，阻挡层302可以包括氢化非晶氧化硅a-SiO:H、氢化非晶氮化硅a-SiN:H、氢化非晶硅a-Si:H。另外，阻挡层302可以包括单层或多层。在下文中，为了便于说明，主要详细描述阻挡层302包括单个无机层的情况。具体地，详细描述阻挡层302包括氢化非晶氧化硅的情况。

加强层301-1可以具有大约

或更小的第一厚度D1。在这种情况下，当加强层301-1的第一厚度D1大于大约

时，过大的压缩力被施加到显示面板110，使得显示面板110的整体应力具有压缩力，从而在制造显示面板110之后，使显示面板110的平坦度变劣。阻挡层302的第二厚度D2可以大于或等于加强层301-1的第一厚度D1。

至少一个薄膜晶体管TFT可以布置在显示区域DA中。根据一些实施例，薄膜晶体管TFT的数量可以不限于任何数量。

半导体有源层303可以布置在阻挡层302上。半导体有源层303可以包括通过掺杂n型杂质离子或p型杂质离子布置的源极区域304和漏极区域305。在源极区域304和漏极区域305之间可以包括未掺杂杂质的沟道区域306。半导体有源层303可以包括有机半导体、无机半导体或非晶硅。根据一些实施例，半导体有源层303可以包括氧化物半导体。

栅极绝缘层307可以沉积在半导体有源层303上。栅极绝缘层307可以包括有机层和/或无机层。另外，栅极绝缘层307可以包括包含有机层或无机层中的至少一种的单层或多层。在这种情况下，栅极绝缘层307不限于此并且可以修改为各种形状。

栅极电极308可以布置在栅极绝缘层307上。栅极电极308可以包括具有导电性的金属材料。例如，栅极电极308可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种。栅极电极308可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种的单层或多层。在这种情况下，栅极电极308不限于此并且可以修改为各种材料和各种形状。

层间绝缘层309可以布置在栅极电极308上。层间绝缘层309可以包括有机层或无机层。

源极电极310和漏极电极311可以布置在层间绝缘层309上。可以通过去除栅极绝缘层307的一部分和层间绝缘层309的一部分来提供接触孔，并且源极电极310可以通过接触孔电连接到源极区域304并且漏极电极311可以通过另一接触孔电连接到漏极区域305。

源极电极310和漏极电极311可以各自包括具有优异导电性的金属材料。例如，源极电极310和漏极电极311可以各自包括Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种。源极电极310和漏极电极311中的每一个可以包括包括Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种的单层或多层。例如，源极电极310和漏极电极311可以各自包括具有Ti层、Al层和另一个Ti层的堆叠结构。在这种情况下，源极电极310和漏极电极311中的至少一个不限于此，并且可以包括各种材料和各种结构。

保护层312可以布置在源极电极310和漏极电极311上。保护层312可以包括有机层或无机层。保护层312可以包括钝化层或平坦化层。可以省略钝化层和平坦化层中的任何一个。

薄膜晶体管TFT可以电连接到有机发光显示装置OLED。

有机发光显示装置OLED可以布置在保护层312上。有机发光显示装置OLED可以包括第一电极313、中间层314和第二电极315。

第一电极313可以用作阳极电极并且可以包括各种导电材料。第一电极313可以包括透明电极或反射电极。例如，当第一电极313用作透明电极时，第一电极313可以包括透明导电层。当第一电极313用作反射层时，第一电极313可以包括反射层和布置在反射层上的透明导电层。根据一些实施例，第一电极313可以具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/ITO的堆叠结构。

如上所述的第一电极313可以连接到漏极电极311或源极电极310。在下文中，为了便于说明，主要描述第一电极313连接到漏极电极311的结构。

像素限定层316可以布置在保护层312上。像素限定层316可以覆盖第一电极313的一部分。像素限定层316可以围绕第一电极313的边缘以限定每个子像素的发射区域。可以为每个子像素图案化第一电极313。像素限定层316可以包括有机层和/或无机层。像素限定层316可以包括包含有机层和无机层中的至少一者的单层或多层。在这种情况下，像素限定层316不限于此并且可以包括各种材料和各种形状。

中间层314可以布置在第一电极313上通过蚀刻像素限定层316的一部分而暴露的区域中。中间层314可以通过沉积工艺来提供。

中间层314可以包括有机发射层。

根据一些实施例，中间层314可以包括有机发射层并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)。

根据一些实施例，中间层314可以包括有机发射层并且还可以包括其他各种功能层。

第二电极315可以布置在中间层314上。

第二电极315可以用作阴极电极。第二电极315可以包括透明电极或反射电极。例如，当第二电极315用作透明电极时，第二电极315可以包括金属层和布置在金属层上的透明导电层。当第二电极315用作反射层时，第二电极315可以包括金属层。

根据一些实施例，可以在基底301上提供多个子像素。例如，子像素中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光或白光。然而，根据本公开的实施例不限于此。

TFE层130可以覆盖有机发光显示装置OLED。

在TFE层130中，可以交替堆叠第一无机层318、第二无机层319和有机层320。例如，第一无机层318、有机层320和第二无机层319可以顺序地堆叠在有机发光显示装置OLED上。可以对提供在TFE层130中的无机层和有机层的堆叠结构进行各种修改。

功能膜140可以布置在TFE层130上。例如，触摸屏层141可以布置在TFE层130上。根据一些实施例，触摸屏层141可以包括静电电容式触摸屏。例如，基体层可以布置在TFE层130上。用于触摸电极的多条线可以布置在基体层上。根据一些实施例，用于触摸电极的线可以具有Ti层、Al层和另一个Ti层堆叠的结构。在另一示例中，可以在触摸屏层141中省略基体层。用于触摸电极的线可以由用于触摸电极的绝缘层覆盖。用于触摸电极的绝缘层可以包括有机层或无机层。

偏振层142和覆盖构件143可以布置在上述触摸屏层141上。

偏振层142可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是薄膜型或液晶涂层型并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以包括薄膜型偏振器或液晶型偏振器。薄膜型偏振器可以包括可拉伸的合成树脂薄膜，并且液晶型偏振器可以包括以某种布置方式布置的液晶。延迟器和偏振器中的每一个还可以包括保护膜。

覆盖构件143可以包括诸如玻璃或塑料等的透明材料。在这种情况下，覆盖构件143可以透射光并吸收外部冲击。

第一绝缘层331可以在焊盘区域中布置在基底301上。第一绝缘层331可以与阻挡层302布置在相同的层上。换言之，第一绝缘层331可以与阻挡层302在相同的工艺中由相同的材料形成。

第二绝缘层332可以布置在第一绝缘层331上。第二绝缘层332可以与栅极绝缘层307布置在相同的层上。换言之，第二绝缘层332可以与栅极绝缘层307在相同的工艺中由相同的材料形成。

提供在每个焊盘端子400中的第一导电层410可以布置在第二绝缘层332上。第一导电层410可以电连接到从显示区域DA引出的线113。第一导电层410可以与栅极电极308布置在相同的层上。换言之，第一导电层410可以与栅极电极308在相同的工艺中由相同的材料形成。多个第一导电层410可以在基底301的一个方向上彼此分开布置。

第三绝缘层333可以布置在第一导电层410上。第三绝缘层333可以与层间绝缘层309布置在相同的层上。第三绝缘层333可以与层间绝缘层309在相同的工艺中由相同的材料形成。根据一些实施例，第三绝缘层333可以包括有机层或无机层。

第三绝缘层333可以覆盖第一导电层410的至少一部分。通过去除第三绝缘层333的一部分，可以在第一导电层410上提供接触孔431。第一导电层410的上表面可以在由接触孔431限定的区域中暴露于外部。

第二导电层420可以布置在第一导电层410上。第二导电层420可以以岛状布置在第一导电层410上。根据一些实施例，第二导电层420可以电连接到从显示区域DA引出的线113。

第二导电层420可以与源极电极310和漏极电极311布置在相同的层上。换言之，第二导电层420可以与源极电极310和漏极电极311在相同的工艺中由相同的材料形成。根据一些实施例，第二导电层420可以具有包括Al和Ti中的至少一种的多个层堆叠的结构。第二导电层420的堆叠结构可以具有各种实施例，诸如Al层/Ti层/Al层或Ti层/Al层/Ti层。在这种情况下，第二导电层420不限于此并且可以包括各种材料和各种结构。

参照图3，第二导电层420可以通过接触孔431电连接到第一导电层410。换言之，第二导电层420可以电连接到不存在第三绝缘层333的区域中的第一导电层410。第一导电层410和第二导电层420可以包括在布置接触孔431的区域中的接触部分。

第二导电层420可以在第一导电层410的通过接触孔431暴露的部分区域和覆盖第一导电层410的第三绝缘层333的部分区域的上方延伸。

第一导电层410和第二导电层420可以不是遍及整个区域电连接，而是可以经由通过去除第三绝缘层333的一部分而提供的接触孔431连接。第二导电层420的一部分可以布置在第一导电层410的通过接触孔431暴露的区域中，并且第二导电层420的其他部分可以布置在第三绝缘层333上。

参照图3并结合图1B和图2B，驱动端子52-1可以电连接到焊盘端子400。电路图案可以布置在显示驱动单元52下方。端子绝缘层可以覆盖电路图案的一部分。驱动端子52-1可以电连接到电路图案。驱动端子52-1可以包括金(Au)、镍(Ni)和锡(Sn)中的至少一种。然而，根据本公开的实施例不限于此，并且驱动端子52-1可以包括任何合适的导电材料。

驱动端子52-1可以在第一导电层410和第二导电层420电连接的区域以及第一导电层410和第二绝缘层332通过介于其间的第三绝缘层333彼此分开的区域的上方延伸。

根据一些实施例，除了栅极电极308、源极电极310和漏极电极311之外，第一导电层410和第二导电层420还可以各自与布置在图3中的基底301上的其他电极(例如，从第一电极313、第二电极315和触摸电极之中选择的电极)布置在相同的层上。

根据一些实施例，除了层间绝缘层309之外，第三绝缘层333可以与从在图3中的基底301上被图案化的栅极绝缘层307、像素限定层316、TFE层130以及用于触摸电极的绝缘层之中选择的绝缘层布置在相同的层上。

电连接到驱动端子52-1的多个焊盘端子400可以布置在焊盘区域中。多个焊盘端子400可以在基底301的一个方向上彼此分开布置。

因为如上所述的显示面板110的整体应力接近0，所以显示面板110即使当长时间使用时也不扭曲或变形。

另外，因为显示面板110包括单层的基底301，所以与使用具有多个层的基底相比，长期余像可以改善大约34％。因此，即使当图像被改变或长时间使用时，显示面板110也可以实现清晰的图像质量。

图4A是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4A，在制备承载基底CS之后，可以在承载基底CS上提供下加强层LA。在这种情况下，下加强层LA可以通过化学气相沉积方法提供在承载基底CS的一侧。另外，下加强层LA可以与参照图3描述的加强层301-1相同或相似。

图4B是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4B，基底构件MA可以提供在下加强层LA上。在这种情况下，承载基底CS可以包括玻璃。另外，基底构件MA可以包括PI。在这种情况下，根据一些实施例，可以通过旋涂机或线涂机等将树脂供应到承载基底CS上来提供基底构件MA。之后，可以将诸如热和/或光的能量照射到基底构件MA以固化基底构件MA。

根据一些实施例，基底构件MA可以提供在承载基底CS上而不设置下加强层LA。在这种情况下，当基底构件MA直接提供在承载基底CS上时，稍后将描述的上加强层301-1可以提供在基底构件MA上。

图4C是示出用于图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4C，可以通过化学气相沉积方法在基底构件MA上提供上加强层301-1。上加强层301-1与以上参照图3描述的加强层301-1相同，并且省略其冗余描述。在本文中，上加强层301-1和加强层301-1可以被赋以相同的附图标记301-1。

下加强层LA的第三厚度D3可以小于上加强层301-1的第一厚度D1。例如，下加强层LA的第三厚度D3可以为大约

或更小。当下加强层LA的第三厚度D3超过大约

时，当基底构件MA与承载基底CS分离时，基底构件MA和下加强层LA可能不分离，并且基底构件MA和上加强层301-1可能分离。另一方面，当下加强层LA的第三厚度D3为大约

或更小时，基底构件MA和下加强层LA可以分离，从而最小化或降低制造显示面板110的缺陷率。此外，当基底构件MA和承载基底CS分离时，上加强层301-1可以共价键合到阻挡层302(见图3)，使得上加强层301-1和阻挡层302可以彼此不分离。

图4D是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4D，显示层120和TFE层130可以提供在上加强层301-1上。在这种情况下，当提供显示层120时可以同步地或同时地提供或形成焊盘端子400。另外，触摸屏层141可以提供在TFE层130上。

图4E是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的平面图。

参照图4E，基底构件MA可以与承载基底CS(见图4D)分离。根据一些实施例，多个显示层120可以提供在基底构件MA上以彼此分开。在这种情况下，可以在多个显示层120之中彼此相邻的显示层120之间切割基底构件MA。在这种情况下，可以通过沿着切割线CL照射激光束或通过诸如单独刀片的机构或装置将力施加到切割线CL将基底构件MA分成多个。在这种情况下，一个显示层120可以布置在彼此分离的基底构件MA上。此后，彼此分离的基底构件MA可以与承载基底CS分离。

例如，参照图4E，切割线CL可以分别布置在彼此相邻的显示层120的侧边之间以及在布置在显示层120下方的焊盘端子400和显示层120的上侧之间。基底构件MA可以沿着切割线CL彼此分离。

根据一些实施例，当一个显示层120提供在基底构件MA上时，显示层120可以布置在基底构件MA的整个表面上。在这种情况下，可以通过在距显示层120的边缘一定距离处去除基底构件MA的一部分或不去除基底构件MA的一部分来将基底构件MA与承载基底CS(见图4D)分离。

在下文中，参照图4E和图4D并结合图3，为了便于解释，将更详细地描述多个显示层120彼此分开地提供在基底构件MA上并且基底构件MA被分成多个的情况。

当如上所述基底构件MA与承载基底CS分离时，根据一些实施例，下加强层LA可以和承载基底CS一起与基底构件MA分离。另一方面，上加强层301-1可以和基底301一起与承载基底CS分离。

当如上所述提供下加强层LA和上加强层301-1时，与当加强层301-1包括多个层时相比，加强层301-1可以用较小的力分离。例如，当基底构件MA具有多层并且未布置下加强层LA和上加强层301-1时，或者当基底构件MA具有单层并且未布置下加强层LA和上加强层301-1时，用于将基底构件MA与承载基底CS分离的力可以为大约1100克力(gf)。另一方面，根据本公开的一些实施例，当基底构件MA具有单层并且未布置下加强层LA并且仅提供上加强层301-1时，用于将基底构件MA与承载基底CS分离的力可以为大约200gf。另外，当基底构件MA具有单层并且布置下加强层LA和上加强层301-1时，用于将承载基底CS与基底构件MA彼此分离的力可以为大约150gf或更少，例如，大约30gf。因此，当基底构件MA具有单层并且布置下加强层LA时，用于将基底构件MA与承载基底CS分离的力可以小于当前面的基底构件MA具有多层并且未布置下加强层LA时的力或者当基底构件MA具有单层并且未布置下加强层LA时的力。另外，当基底构件MA具有单层并且不仅布置下加强层LA而且布置上加强层301-1时，用于将基底构件MA与承载基底CS分离的力可以小于当基底构件MA具有单层并且仅布置下加强层LA时的力。在这种情况下，当上加强层301-1中的氢量少时，用于将基底构件MA与承载基底CS分离的力可以更小。

在加强层301-1包括多个层而未布置下加强层LA和上加强层301-1中的至少一个的情况下，当加强层301-1与承载基底CS通过如上所述的力分离时，缺陷率可以为大约0.47％，缺陷率是诸如加强层301-1和承载基底CS没有分离或者加强层301-1被损坏的缺陷的概率。在基底构件MA是单层并且未布置下加强层LA和上加强层301-1中的至少一个的情况下，当基底构件MA通过上述力与承载基底CS分离时，缺陷率可以为大约3.53％。另一方面，如上所述，在基底构件MA是单层并且布置下加强层LA和上加强层301-1的情况下，当基底构件MA通过大约150gf的力与承载基底CS分离时，缺陷率可以为大约1.06％。另外，在基底构件MA是单层并且布置下加强层LA和上加强层301-1的情况下，当基底构件MA通过大约38gf的力与承载基底CS分离时，缺陷率可以为大约0％。在这种情况下，当在承载基底CS和基底构件MA分离时力为大约38gf时上加强层301-1中的氢量可以大于当力为大约150gf时上加强层301-1中的氢量。

因此，在制造显示装置的方法中，与当基底构件MA具有多层时的力或当基底构件MA具有单层并且未布置下加强层LA时的力相比，当基底构件MA具有单层并且布置下加强层LA时，将承载基底CS与基底构件MA分离的力可以更小。因此，在制造显示装置时可以使用更少的能量。

另外，在制造显示装置的方法中，当提供下加强层LA和上加强层301-1时，即使当基底构件MA具有单层时，也可以确保缺陷率与当基底构件MA具有多个层时的缺陷率相似，并且可以将缺陷率保持在较低水平，这取决于上加强层301-1中包含的氢原子的量。

在制造显示装置的方法中，与基底构件MA具有单层并且不提供下加强层LA和上加强层301-1的情况相比，当基底构件MA具有单层并且提供下加强层LA和上加强层301-1时，承载基底CS和基底构件MA可以用较小的力分离，并且可以降低缺陷率。

图4F是示出用于图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4F，当基底构件MA(见图4D)与承载基底CS(见图4D)分离时，分离的基底构件MA可以是单个显示面板110的基底301。

保护膜75可以布置在基底301上。在这种情况下，保护膜75可以包括保护膜基体70和粘合层80。在这种情况下，可以在保护膜75中(例如，在保护膜基体70中)提供开口75OP以与弯曲区域BA(见图1A和图1B)相对应。

另外，偏振层142可以布置在触摸屏层141上。在这种情况下，偏振层142可以涂覆在触摸屏层141上或者以薄膜的形式附接。

图4G是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4G，可以在基底301上提供弯曲保护层BPL。在这种情况下，可以将弯曲保护层BPL布置为与开口75OP相对应。

图4H是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4H，在显示驱动单元52布置为与焊盘端子400相对应之后，并且然后，粘合构件ACF可以布置在焊盘端子400和驱动端子52-1之间。在这种情况下，图1A和图2A中示出的对准标记AR可以用于测量显示驱动单元52和焊盘端子400之间的相对位置。例如，可以通过视觉单元VN拍摄对准标记AR，并且可以基于捕获的图像确定焊盘端子400的位置。通过基于焊盘端子400的位置调整显示驱动单元52的位置，可以将显示驱动单元52布置在准确的位置。

在这种情况下，将对准标记AR准确地布置在设计位置处可能是重要的。在这种情况下，在如上所述不存在下加强层LA(见图4D)的情况下，当基底301与承载基底CS(见图4D)分离时，基底301可能被损坏或基底301上的一些显示层120可能被损坏。此外，当基底301与承载基底CS分离时，基底301可能变形。在这种情况下，因为对准标记AR的位置偏离设计位置，可能难以将显示驱动单元52布置在准确的位置处。例如，当基底301具有单层时，基底301中的损坏或变形可能相对更严重。然而，当提供下加强层LA时，即使当基底301具有单层时，上述问题也可能不发生。

通过附接装置TL将热和压力施加到显示驱动单元52，焊盘端子400和驱动端子52-1可以彼此附接。在这种情况下，粘合构件ACF可以包括导电球和树脂。因此，焊盘端子400和驱动端子52-1可以由于附接装置TL施加的热和压力而通过粘合构件ACF的熔化来彼此电连接。

根据一些实施例，附接装置TL可以通过将振动或超声波施加到显示驱动单元52来将焊盘端子400和驱动端子52-1彼此附接。在这种情况下，焊盘端子400和驱动端子52-1可以通过熔化彼此电连接。在这种情况下，粘合构件ACF可以提供在焊盘端子400和驱动端子52-1附接之后的附接部位处。

根据一些实施例，在焊盘端子400和驱动端子52-1之间布置粘合构件ACF之后，附接装置TL可以将振动或超声波施加到显示驱动单元52以通过粘合构件ACF将焊盘端子400和驱动端子52-1彼此连接。在这种情况下，粘合构件ACF可以包括树脂和导电球。

在进行如上所述的操作的同时，可以将热施加到基底301。由于该热，基底301可能变形。例如，配置焊盘端子400的一部分、焊盘端子400之间、焊盘端子400的周围等容易因热而变形。

在这种情况下，因为焊盘端子400的位置是可变的，所以焊盘端子400和驱动端子52-1可能彼此不对应或者可能大面积地彼此不接合。然而，通过由于上加强层301-1而在一定程度上阻挡热传递至基底301，可以最小化或减少基底301的变形。

因此，因为焊盘端子400基本上处于设计的位置，即，不会由于基底301的变形而导致较大的位置的变化，所以焊盘端子400和驱动端子52-1可以顺畅地彼此连接。例如，在这方面上，确认了当基底301具有单层并且未布置上加强层301-1时，当显示驱动单元52连接到焊盘端子400时缺陷率为大约8％，然而，当基底301具有单层并且布置上加强层301-1时，不发生显示驱动单元52未连接到焊盘端子400的缺陷。

图4I是示出用于图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4I，在显示驱动单元52布置在焊盘端子400上并且彼此连接之后，显示电路板51或柔性膜54可以连接到布置在显示面板110(见图1B或图2B)的一端上的焊盘端子400。在这种情况下，可以根据图1A或图2A中示出的对准标记AR的位置对显示电路板51或柔性薄膜54进行对准。在这种情况下，如上所述，因为基底301的变形由于上加强层301-1而被最小化或减少，所以显示电路板51或柔性膜54可以精确地对准以与在和事先设计的位置类似的位置处的焊盘端子400相对应。

当如上所述的工艺完成时，附接装置TL可以与参照图4H描述的工艺类似地操作。在这种情况下，粘合构件ACF可以布置在焊盘端子400和显示电路板51之间或焊盘端子400和柔性膜54之间。根据一些实施例，可以不使用粘合构件ACF。

图4J是示出用于图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4J，覆盖构件143可以布置在偏振层142上。根据一些实施例，附加的粘合构件可以布置在偏振层142和覆盖构件143之间。在这种情况下，粘合构件可以是透明粘合膜的形式。

图4K是示出用于图1A或图2A中示出的显示装置100的制造工序的截面图。

参照图4K，基底301可以在一个方向上弯曲。在这种情况下，基底301的未布置显示层120的一侧可以弯曲。在这种情况下，基底301的未布置显示层120的表面通过弯曲彼此面对。

因此，如上所述制造的显示装置100可以最小化或减少制造期间发生的缺陷。另外，显示装置100可以通过最小化或减小整体应力来最小化或减小内部应力。

图5是示出根据一些实施例的显示装置的一部分的截面图。

参照图5，显示装置可以包括基底301、第一加强层301-1a、第二加强层301-1b、阻挡层302、半导体有源层303、栅极绝缘层307、栅极电极308、层间绝缘层309、源极电极310、漏极电极311、保护层312、第一电极313、中间层314、第二电极315、像素限定层316、TFE层130、功能膜140和焊盘端子400。阻挡层302、半导体有源层303、栅极绝缘层307、栅极电极308、层间绝缘层309、源极电极310、漏极电极311、保护层312、第一电极313、中间层314、第二电极315、像素限定层316、TFE层130、功能膜140和焊盘端子400与参照图3描述的那些相同或相似，并且省略其冗余描述。

第一加强层301-1a和第二加强层301-1b可以堆叠在一起。换言之，第一加强层301-1a可以布置在基底301上，第二加强层301-1b可以布置在第一加强层301-1a上，并且阻挡层302可以布置在第二加强层301-1b上。在这种情况下，第一加强层301-1a和第二加强层301-1b可以与图3中示出的加强层301-1相同或相似。

上述第一加强层301-1a和第二加强层301-1b可以包括相同的材料或不同的材料。例如，第一加强层301-1a和第二加强层301-1b可以各自包括氢化非晶氧化硅或氢化非晶氮化硅。根据一些实施例，第一加强层301-1a可以包括氢化非晶氧化硅和氢化非晶氮化硅中的一种，并且第二加强层301-1b可以包括氢化非晶氧化硅和氢化非晶氮化硅中的另一种。根据一些实施例，第一加强层301-1a可以包括氢化非晶氧化硅和氢化非晶氮化硅，并且第二加强层301-1b可以包括氢化非晶氧化硅或氢化非晶氮化硅。根据一些实施例，第一加强层301-1a可以包括氢化非晶氧化硅或氢化非晶氮化硅，并且第二加强层301-1b可以包括氢化非晶氧化硅和氢化非晶氮化硅。

在上述情况下，第一加强层301-1a和第二加强层301-1b中的每一个可以与图3中示出的加强层301-1包括相同的应力范围、相同的厚度范围、相同的每单位体积的氢原子数、相同的每单位体积的氢化非晶氮化硅的氮-氢键与氢化非晶氮化硅的硅-氢键之间的比、以及相同的每单位体积的氢化非晶氮化硅的氮与硅的比中的至少一个。

因此，在上述情况下，在显示装置中，内部应力可以被最小化或减少，使得当长时间使用时变形可以被最小化或减少。另外，在显示装置100中，可以最小化或减少由于热引起的基底301的变形。

图6是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的一部分的弯曲状态的截面图。

参照图6并结合图1B或图2B，当显示面板110弯曲时，粘合构件90可以布置在显示面板110的基底301上。换言之，在基底301弯曲之后，粘合构件90可以布置在基底301(或保护膜基体70)彼此面对的两部分之间，使得显示面板110的第一区域1A的一侧和显示面板110的第二区域2A的一侧彼此附接并固定。

根据一些实施例，保护膜75可以布置在基底301上，并且第一区域1A中的保护膜75和第二区域2A中的保护膜75可以通过粘合构件90彼此附接以固定。在下文中，为了便于说明，主要详细描述保护膜75布置在基底301上以及第一区域1A中的保护膜75和第二区域2A中的保护膜75附接到粘合构件90的情况。

保护膜75可以包括保护膜基体70和粘合层80。在这种情况下，保护膜基体70可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或PI。另外，粘合层80可以包括各种粘合材料。在这种情况下，可以将粘合层80布置在基底301的整个表面上，并且在布置在粘合层80上之后，可以将保护膜基体70部分地去除以提供暴露粘合层80的部分81的开口75OP。根据一些实施例，可以去除保护膜基体70的一部分和粘合层80的一部分以提供开口75OP。在这种情况下，保护膜基体70和粘合层80两者可以不在开口75OP中。

基底301可以在弯曲区域BA中弯曲。因为保护膜75的保护膜基体70可以保护基底301的下表面，所以保护膜基体70可以具有其自身的刚性。因此，当保护膜基体70具有低柔韧性时，当基底301弯曲时，保护膜基体70与基底301之间可能发生剥离。然而，在根据一些实施例的显示装置的情况下，因为保护膜75具有与弯曲区域BA相对应的开口75OP，所以可以有效地防止这种剥离。

在上文中，描述了保护膜75具有与弯曲区域BA相对应的开口75OP，并且保护膜75附接到基底301的在第一区域1A和第二区域2A中的下表面，但是实施例不限于此。例如，保护膜75可以仅与基底301的在第一区域1A中的至少一部分相对应。换言之，保护膜75可以不在第二区域2A中。

另外，尽管本公开的实施例示出了基底301相对于弯曲轴BAX弯曲，使得第一区域1A中的下表面的一部分和第二区域2A中的下表面的至少一部分彼此面对，但是实施例不限于此。例如，可以进行各种修改，诸如，第二区域2A中的下表面不面对第一区域1A中的下表面，因为弯曲区域BA中的曲率小于附图中所示出的，或者即使当弯曲区域BA中的曲率没有显著变化时弯曲区域BA的面积也窄。

在这种情况下，如上所述，可以通过在将张力施加到显示电路板51的同时通过旋转显示电路板51来弯曲基底301。

显示装置100可以包括如上所述的布置在基底301上的加强层301-1和图3或图5中所示的结构(例如，其他层)。

图7是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的一部分的弯曲状态的截面图。

参照图7，在基底301等被弯曲之后，缓冲层91可以进一步布置在第一区域1A和第二区域2A彼此面对的区域中。换言之，还可以布置与第一区域1A中的保护膜基体70的一部分和第二区域2A中的保护膜基体70接触的缓冲层91。在弯曲基底301等之后，缓冲层91可以布置在第一区域1A和第二区域2A彼此分开的空间中，并且可以支撑显示面板并吸收冲击。缓冲层91可以包括具有弹性的材料。在这种情况下，显示装置不限于此，并且缓冲层91可以在弯曲之前附接到保护膜基体70。

在上述情况下，粘合构件90可以在第二区域2A中布置在缓冲层91和保护膜基体70之间，以固定缓冲层91和保护膜基体70。

在这种情况下，如上所述，可以通过在张力产生于显示电路板51中的同时通过旋转显示电路板51来弯曲基底301。

图8是示出图1A或图2A中示出的显示装置100的一部分的弯曲状态的截面图。

参照图8，显示装置还可以包括在开口75OP中的填充物93。填充物93可以与缓冲层91一起使用。在这种情况下，可以在弯曲基底301之后布置填充物93和缓冲层91。根据一些实施例，在弯曲基底301之前布置填充物93和缓冲层91，然后可以弯曲基底301。实施例不限于此，并且填充物93和缓冲层91可以以各种方式布置。

粘合构件90可以如上所述布置在缓冲层91上并且缓冲层91通过粘合构件90在第二区域2A中固定到保护膜基体70。

在这种情况下，如上所述，可以通过在将张力施加到显示电路板51的同时旋转显示电路板51来弯曲基底301。

根据本公开的实施例的显示装置可以精确地操作。

在根据本公开的实施例的制造显示装置的方法中，可以最小化或减少基底的损坏或变形。

在根据本公开的实施例的制造显示装置的方法中，可以最小化或降低显示装置制造期间的缺陷率。

应当理解，本文中描述的实施例应当仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。实施例中的每一个的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离包括在所附权利要求和它们的等同物中的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节的各种改变。

Claims

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基底；

加强层，在所述基底上；以及

显示层，包括阻挡层且在所述加强层上，

其中，每单位体积的所述加强层的氢原子的数量小于每单位体积的所述阻挡层的氢原子的数量。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述加强层具有650MPa或更小的抗应力性。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，每单位体积的所述加强层中包含的所述氢原子的所述数量为6.42×10²⁰或更小。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述加强层包括氢化非晶氧化硅。

5.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基底；

加强层，在所述基底上；以及

显示层，包括阻挡层且在所述加强层上，

其中，所述加强层包括氢化非晶氮化硅，并且

每单位体积的所述氢化非晶氮化硅的氮和氢之间的键与所述氢化非晶氮化硅的硅和氢之间的键之间的比为22或更小。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，每单位体积的所述氮和所述硅的比为1.1或更小。

7.根据权利要求1或5所述的显示装置，其中，所述加强层包括：

第一加强层，在所述基底上；和

第二加强层，在所述第一加强层和所述阻挡层之间。

8.根据权利要求1或6所述的显示装置，其中，所述加强层的厚度为

或更小。

9.根据权利要求1或6所述的显示装置，其中，所述加强层的厚度小于所述阻挡层的厚度。

10.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：

在承载基底上形成基底；

在所述承载基底和所述基底之间和/或在所述基底上形成加强层；并且

在所述基底上形成包括阻挡层的显示层，

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述加强层具有650MPa或更小的抗应力性。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，每单位体积的所述加强层中包含的所述氢原子的所述数量为6.42×10²⁰或更小。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述加强层包括氢化非晶氧化硅。

14.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：

在承载基底上形成基底；

在所述基底上形成包括阻挡层的显示层，

其中，所述加强层包括氢化非晶氮化硅，并且

15.根据权利要求14所述的方法，其中，每单位体积的所述氮和所述硅的比为1.1或更小。

16.根据权利要求10或14所述的方法，其中，所述在所述承载基底和所述基底之间形成所述加强层包括在所述承载基底和所述基底之间形成下加强层。

17.根据权利要求10或14所述的方法，其中，所述在所述基底上形成所述加强层包括在所述基底和所述阻挡层之间形成上加强层。

18.根据权利要求10或14所述的方法，其中，所述在所述承载基底和所述基底之间或在所述基底上形成所述加强层包括多次形成所述加强层。

19.根据权利要求10或14所述的方法，其中，所述加强层的厚度为

或更小。

20.根据权利要求10或14所述的方法，其中，所述加强层的厚度小于所述阻挡层的厚度。

21.根据权利要求10或14所述的方法，其中，所述显示层在所述基底上提供为彼此分开的多个显示层，并且

所述方法包括通过在所述多个显示层中的彼此相邻的显示层之间切割所述基底将所述基底分离成多个基底。

22.根据权利要求10或14所述的方法，其中，所述方法还包括弯曲所述基底。