CN112789169A - 层叠体 - Google Patents

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Abstract

提供在用于层叠制品的制造时，能够抑制该层叠制品的翘曲的层叠体。该层叠体具备：具有顶面和底面的浮法玻璃基板、以及设置于该浮法玻璃基板的前述顶面侧的金属层。

Description

层叠体
技术领域
本发明涉及具备玻璃基板和金属层的层叠体(例如带有玻璃载体的金属箔)。
背景技术
近些年，为了提高印刷电路板的安装密度并进行小型化，广泛进行了印刷电路板的多层化。这样的多层印刷电路板在众多的便携式电子设备中出于轻量化、小型化的目的而被利用。于是，对该多层印刷电路板要求进一步降低层间绝缘层的厚度以及作为电路板的进一步的轻量化。
作为满足这种要求的技术，采用使用了无芯积层法的多层印刷电路板的制造方法。无芯积层法是在不使用所谓的芯基板的情况下将绝缘层和布线层交替层叠(积层)而进行多层化的方法。无芯积层法中，为了使支撑体与多层印刷电路板的剥离容易地进行，提出了使用在通过剥离层等而赋予剥离功能的载体上具备金属层的层叠体。例如，专利文献1(日本特开2005-101137号公报)中公开了一种半导体元件搭载用封装基板的制造方法，其包括如下步骤：使用带载体的铜箔作为层叠体，在该带载体的铜箔的载体面粘贴绝缘树脂层而作为支撑体，通过光致抗蚀剂加工、图案电解镀铜、抗蚀剂去除等工序而在带载体的铜箔的极薄铜层侧形成第一布线导体，然后，将绝缘材料层叠并进行热压制加工等而形成积层布线层，将带载体的支持基板剥离，去除极薄铜层。
另外，为了实现层叠体中的金属层厚度的进一步降低，最近还提出了使用玻璃基板来代替以往典型使用的金属制载体、树脂制载体等作为超平滑载体，在该超平滑面上形成金属层的方案。例如，专利文献2(国际公开第2017/149811号)中公开了在玻璃片等载体上通过溅射形成有密合金属层、剥离辅助层、剥离层、防反射层和极薄铜层的带载体的铜箔。
作为层叠体中的玻璃基板，有时使用由利用浮法得到的玻璃构成的浮法玻璃基板。浮法玻璃例如如专利文献3(日本特开2017-1899号公报)所公开的那样可以通过如下方式得到：将熔融玻璃供给至浮法槽的熔融金属上成型玻璃带，将该玻璃带缓冷至玻璃的应变点温度以下，从而得到。因此，浮法玻璃基板由于其制法而具有在成型时不与熔融金属接触的面(以下称为顶面)以及与熔融金属接触的面(以下称为底面)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-101137号公报
专利文献2：国际公开第2017/149811号
专利文献3：日本特开2017-1899号公报
发明内容
另一方面，发现在使用具有浮法玻璃基板的层叠体(例如带有玻璃载体的金属箔)来制造层叠制品(包括中间制品)时，该层叠制品会产生翘曲。如此若层叠制品(包括中间制品)产生翘曲，则例如有可能导致层叠制品的破损，或者有可能在制造工序中向存在高度限制的装置输送时产生不良情况。
本发明人等本次获得了如下见解：在具备具有顶面和底面的浮法玻璃基板以及金属层的层叠体中，通过将金属层选择性地设置于浮法玻璃基板的顶面侧，从而在使用该层叠体来制造层叠制品时，能够抑制该层叠制品的翘曲。
因此，本发明的目的在于，提供在用于层叠制品的制造时，能够抑制该层叠制品的翘曲的层叠体。
根据本发明的一个方式，提供一种层叠体，其具备：具有顶面和底面的浮法玻璃基板、以及设置于该浮法玻璃基板的前述顶面侧的金属层。
附图说明
图1是示出本发明的层叠体的一例的截面示意图。
图2是用于说明使用层叠体的层叠制品产生的翘曲的截面示意图。
具体实施方式
层叠体
图1示意性示出本发明的层叠体的一例。如图1所示，层叠体10具备：浮法玻璃基板12以及金属层14。浮法玻璃基板12具有顶面12a和底面12b。金属层14设置于浮法玻璃基板12的顶面12a侧。层叠体10可以用于任何的用途，但特别优选用作印刷电路板制造用的带载体的金属箔。具体而言，本发明的层叠体10优选金属层14的全部或一部分能够从浮法玻璃基板12剥离。
如此，在具备具有顶面12a和底面12b的浮法玻璃基板12、以及金属层14的层叠体中，通过将金属层14选择性地设置于浮法玻璃基板12的顶面12a侧，使用该层叠体来制造层叠制品(例如印刷电路板)，从而能够抑制该层叠制品的翘曲。关于此点，如前所述，发现使用具有浮法玻璃基板的层叠体(例如带玻璃载体的金属箔)来制造层叠制品(包括中间制品)时，该层叠制品会产生翘曲。例如，如图2所示，在使用层叠体来制造层叠制品110时，有时会在具备浮法玻璃基板112和金属层114的层叠体的金属层114上层叠绝缘树脂116等热膨胀系数(CTE)比玻璃大的材料。因此，随着工序的进行，有可能由于绝缘树脂116的收缩等而在层叠制品110的厚度方向(将浮法玻璃基板112作为下方、将绝缘树脂116作为上方时，向下凸方向)上发生翘曲。如此，若层叠制品发生翘曲，则例如有可能导致层叠制品的破损，或者有可能在制造工序中向存在高度限制的装置输送时产生不良情况。针对这样的问题，虽然能够想到通过变更层叠制品的设计或使用夹具来控制翘曲，但均存在制造上的效率降低等问题。
因此，本发明人等对由于在浮法玻璃基板上层叠各种层而使层叠制品发生翘曲的原因进行了反复研究。于是得到了如下见解：在浮法玻璃基板的底面侧层叠各种层的情况下，得到的层叠制品容易在厚度方向上发生翘曲，而在浮法玻璃基板的顶面侧层叠各种层的情况下，可有效地抑制得到的层叠制品的翘曲。实现该效果的机理尚未确定，但可认为是如下的机理。首先，在浮法玻璃基板上层叠构成层叠制品的各种层并进行热处理等时，会由于玻璃与各种层(例如树脂层)的热膨胀系数的不同等而产生各种层收缩并向内侧卷入的力(换言之，浮法玻璃基板的与层叠有各种层一侧相反侧的表面向凸方向翘曲的力)。此处，浮法玻璃基板由于其制造方法而使性质在顶面侧和底面侧互不相同，因此具有应变。并且，认为该浮法玻璃基板的应变具有如下性质：促进顶面侧向凸的方向翘曲的力，另一方面抵抗底面侧向凸的方向翘曲的力。因此，在将各种层层叠于浮法玻璃基板的底面侧的情况下，浮法玻璃基板的顶面侧产生向凸方向翘曲的力，由于浮法玻璃基板的应变会促进该力，因此能够在层叠制品的厚度方向上产生翘曲。另一方面，在将各种层层叠于浮法玻璃的顶面侧的情况下，虽然会产生浮法玻璃的底面侧向凸的方向翘曲的力，但由于浮法玻璃基板的应变会抵抗该力，因此认为可有效地抑制层叠制品的翘曲。
浮法玻璃基板12由利用浮法得到的玻璃构成。浮法玻璃基板12可以利用例如专利文献3所示那样的公知的方法形成。浮法玻璃基板12的形态可以是片、薄膜以及板中的任意者。例如，浮法玻璃基板12优选为玻璃板等能够作为具有刚性的支撑体发挥功能的基板。从进一步抑制伴随加热的过程中的层叠制品的翘曲的观点出发，更优选为热膨胀系数(CTE)小于25ppm/K(典型的是1.0ppm/K以上且23ppm/K以下)的玻璃。另外，从确保操作性、芯片安装时的平坦性的观点出发，浮法玻璃基板12的维氏硬度优选为100HV以上，更优选为150HV以上且2500HV以下。在使用玻璃作为载体的情况下，由于轻质、热膨胀系数低、绝缘性高、刚直且表面平坦，因此具有能使金属层14的表面极度平滑等优点。另外，在载体为玻璃的情况下，通过将层叠体10用作印刷电路板制造用的带载体的金属箔而具有各种优点。例如为如下方面：形成无芯支撑体表面的布线层后，进行图像检测时与镀铜的辨识性优异；在电子元件搭载时具有有益的表面平坦性(共面性)；在印刷电路板制造工序中的除钻污、各种镀覆工序中具有耐化学药品性；在从层叠体10剥离浮法玻璃基板12时可以采用化学分离法；等。
浮法玻璃基板12优选为包含SiO2玻璃，更优选为包含50重量％以上的SiO2的玻璃，进一步优选为包含60重量％以上的SiO2的玻璃。作为构成浮法玻璃基板12的玻璃的优选例子，可列举出钠钙玻璃或硼硅酸玻璃，特别优选为钠钙玻璃。即，浮法玻璃基板12优选为由钠钙玻璃构成的钠钙玻璃基板。另外，为钠钙玻璃基板时，该钠钙玻璃基板优选为经化学强化处理的化学强化玻璃基板。这是因为能够充分发挥发明的效果。化学强化处理典型的是通过将玻璃浸渍于熔融盐中来进行。如此，玻璃中的碱性离子(例如钠离子)会被具有不同离子半径的熔融盐中的碱性离子(例如钾离子)交换，在玻璃表面产生压缩应力层，从而玻璃得到强化。因此，化学强化玻璃基板也可以称为至少表面进行了离子交换的玻璃基板。化学强化玻璃基板的基于化学强化处理的元素交换的深度优选为1μm以上且50μm以下，更优选为2μm以上且40μm以下，进一步优选为3μm以上且30μm以下，特别优选为5μm以上且20μm以下。通过使用这样的化学强化玻璃基板作为浮法玻璃基板12，从而能够有效地抑制可能在制造工序中产生的基板的划痕、裂纹，还能够改善操作性。另一方面，化学强化玻璃由于上述的化学强化处理而通常具有较大的应变，因此将其用于基板而制作的层叠制品容易产生大的翘曲。相对于此，本发明中，由于金属层14选择性地设置于浮法玻璃基板12的顶面12a侧，因此能够进一步显著地抑制使用层叠体10而制作的层叠制品的翘曲。从印刷电路板等层叠制品的薄型化的观点出发，浮法玻璃基板12的厚度优选为3mm以下，更优选为2.5mm以下，进一步优选为2mm以下，特别优选为1.5mm以下，最优选为1.2mm以下。为这样的范围内的厚度时，浮法玻璃基板12通常容易具有大的应变，但由于本发明能够有效地抑制层叠制品的翘曲，因此可以优选地采用上述厚度的浮法玻璃基板12。另一方面，从改善操作性的观点出发，浮法玻璃基板12的厚度优选为0.3mm以上，更优选为0.4mm以上，进一步优选为0.5mm以上，特别优选为0.6mm以上，最优选为0.7mm以上。
浮法玻璃基板12的表面优选依据JIS B 0601-2001测得的最大高度Rz小于1.0μm，更优选为0.001μm以上且0.5μm以下，进一步优选为0.001μm以上且0.1μm以下，进一步更优选为0.001μm以上且0.08μm以下，特别优选为0.001μm以上且0.05μm以下，最优选为0.001μm以上且0.02μm以下。如此浮法玻璃基板12表面的最大高度Rz越小，则层叠于浮法玻璃基板12上的金属层14的最外表面(即与浮法玻璃基板12相反侧的表面)越能够得到期望的低的最大高度Rz，由此，例如在使用层叠体10来制造的印刷电路板的过程中，适于形成高度微细化至线/间隔(L/S)为13μm以下/13μm以下(例如12μm/12μm至2μm/2μm)这种程度的布线图案。
金属层14是包含金属的层，可以是一层构成或两层以上的多层构成。金属层14优选包含金属M(M为除碱金属和碱土金属以外的金属)。金属层14中的M的含有率优选为50原子％以上且100原子％以下，更优选为60原子％以上且100原子％以下，进一步优选为70原子％以上且100原子％以下，特别优选为80原子％以上且100原子％以下，最优选为90原子％以上且100原子％以下。金属层14整体的厚度根据构成金属层14的功能层的种类进行适宜选择即可，没有特别限定，优选为0.1mm以下，更优选为0.01mm以下，进一步优选为0.005mm以下，特别优选为0.002mm以下，最优选为0.001mm以下。金属层14原本容易受到浮法玻璃基板12的应变所致的影响，但由于在本发明中能够有效地解决该问题，因此可以采用上述厚度的金属层。另一方面，金属层14整体的厚度的下限没有特别限定，典型的是0.0001mm以上，更典型的是0.0002mm以上。金属层14可以是具有任何功能的层，例如可以是选自由密合层、剥离辅助层、防反射层和晶种层组成的组中的至少1种功能层。以下对能构成金属层14的各种功能层进行说明。
金属层14可以包含用于确保与浮法玻璃基板12的密合性的密合层。从该观点出发，密合层优选包含具有负标准电极电位的金属M1。作为优选的M1的例子，可列举出钛、铬、镍、钴、铝、钼以及它们的组合(例如合金、金属间化合物)，更优选为钛、镍、钴、铝、钼以及它们的组合，进一步优选为钛、镍、铝、钼以及它们的组合，特别优选为钛、镍、钼以及它们的组合，最优选为钛。在不损害与浮法玻璃基板12的密合性的范围内，密合层还可以包含除M1以外的元素。从上述的观点出发，密合层中的M1的含有率优选为50原子％以上且100原子％以下，更优选为60原子％以上且100原子％以下，进一步优选为70原子％以上且100原子％以下，特别优选为80原子％以上且100原子％以下，最优选为90原子％以上且100原子％以下。构成密合层的金属可以包含源自原料成分、成膜工序等的不可避免的杂质。另外，虽然没有特别限制，但在密合层成膜后会暴露于大气中的情况下，容许存在因此而混入的氧。密合层优选为利用物理气相沉积(PVD)法形成的层，更优选为通过溅射形成的层。从改善膜厚分布的均匀性的方面考虑，密合层特别优选为通过使用金属靶材的磁控溅射法形成的层。密合层的厚度优选为5nm以上且500nm以下，更优选为10nm以上且300nm以下，进一步优选为18nm以上且200nm以下，特别优选为20nm以上且100nm以下。该厚度是通过利用透射型电子显微镜的能量色散型X射线光谱分析仪(TEM-EDX)对层截面进行分析而测得的值。
金属层14可以包含用于将剥离强度控制为期望的值的剥离辅助层。从该观点出发，剥离辅助层优选包含除碱金属和碱土金属以外的金属M2。作为优选的M2的例子，可列举出铜、银、锡、锌、钛、铝、铌、锆、钨、钽、钼以及它们的组合(例如合金、金属间化合物)，更优选为铜、银、锡、锌、钛、铝、钼以及它们的组合，进一步优选为铜、银、钛、铝、钼以及它们的组合，特别优选为铜、银、铝以及它们的组合，最优选为铜。在不损害浮法玻璃基板12的剥离性的范围内，剥离辅助层可以包含除M2以外的元素。从上述的观点出发，剥离辅助层中的M2的含有率优选为50原子％以上且100原子％以下，更优选为60原子％以上且100原子％以下，进一步优选为70原子％以上且100原子％以下，特别优选为80原子％以上且100原子％以下，最优选为90原子％以上且100原子％以下。构成剥离辅助层的金属可以包含源自原料成分、成膜工序等的不可避免的杂质。另外，虽然没有特别限制，但在剥离辅助层成膜后会暴露于大气中的情况下，容许存在因此而混入的氧。剥离辅助层优选为利用物理气相沉积(PVD)法形成的层，更优选为通过溅射形成的层。从改善膜厚分布的均匀性的方面考虑，剥离辅助层特别优选为通过使用金属靶材的磁控溅射法形成的层。剥离辅助层的厚度优选为5nm以上且500nm以下，更优选为10nm以上且400nm以下，进一步优选为15nm以上且300nm以下，特别优选为20nm以上且200nm以下。该厚度是通过利用透射型电子显微镜的能量色散型X射线光谱分析仪(TEM-EDX)对层截面进行分析而测得的值。
金属层14可以包含用于改善图像检测(例如自动图像检测(AOI))中的辨识性的防反射层。作为构成防反射层的金属的优选例子，可列举出钛、铝、铌、锆、铬、钨、钽、钴、银、镍、钼以及它们的组合，更优选为钛、锆、铝、铬、钨、镍、钼以及它们的组合，进一步优选为钛、铝、铬、镍、钼以及它们的组合，特别优选为钛、钼以及它们的组合。这些金属由于具有防止光的反射的功能，因此能够改善图像检测中的辨识性。防反射层可以是纯金属，也可以是合金。构成防反射层的金属可以包含源自原料成分、成膜工序等的不可避免的杂质。另外，上述金属的含有率的上限没有特别限定，可以是100原子％。功能层优选为利用物理气相沉积(PVD)法形成的层，更优选为通过溅射形成的层。防反射层的厚度优选为1nm以上且500nm以下，更优选为10nm以上且400nm以下，进一步优选为30nm以上且300nm以下，特别优选为50nm以上且200nm以下。该厚度是通过利用透射型电子显微镜的能量色散型X射线光谱分析仪(TEM-EDX)对层截面进行分析而测得的值。
金属层14可以包含在印刷电路板的布线图案形成用途等中使用的晶种层。作为构成晶种层的金属的优选例子，可列举出第4族、第5族、第6族、第9族、第10族和第11族的过渡元素、铝、以及它们的组合(例如合金、金属间化合物)，更优选为第4族和第11族的过渡元素、铝、铌、钴、镍、钼以及它们的组合，进一步优选为第11族的过渡元素、钛、铝、钼以及它们的组合，特别优选为铜、钛、钼以及它们的组合，最优选为铜。晶种层可以利用任何方法来制造，例如，可以是利用化学金属镀覆法和电解金属镀覆法等湿式成膜法、溅射和真空蒸镀等物理气相沉积(PVD)法、化学气相成膜、或它们的组合而形成的晶种层。从容易应对由极薄化导致的细距化的观点出发，晶种层特别优选为利用溅射法以及真空蒸镀等气相法形成的晶种层，最优选为利用溅射法制造的晶种层。另外，晶种层优选为无粗糙化的晶种层。另一方面，将层叠体10用于制造印刷电路板的情况下，晶种层只要不对印刷电路板制造时的布线图案形成带来障碍，就可以是通过预粗糙化、软蚀刻处理、清洗处理、氧化还原处理而实现了二次粗糙化的晶种层。晶种层的厚度没有特别限定，为了应对上述那样的细距化，优选为10nm以上且1000nm以下，更优选为20nm以上且900nm以下，进一步优选为30nm以上且700nm以下，特别优选为50nm以上且600nm以下、特别更优选为70nm以上且500nm以下，最优选为100nm以上且400nm以下。该厚度是通过利用透射型电子显微镜的能量色散型X射线光谱分析仪(TEM-EDX)对层截面进行分析而测得的值。从成膜厚度的面内均匀性、片状、辊状时的生产率的观点出发，上述范围内的厚度的晶种层优选利用溅射法来制造。
晶种层的与浮法玻璃基板12相反侧的表面(晶种层的外侧表面)优选具有依据JISB 0601-2001测得的1.0nm以上且100nm以下的算术平均粗糙度Ra，更优选为2.0nm以上且40nm以下，进一步优选为3.0nm以上且35nm以下，特别优选为4.0nm以上且30nm以下，最优选为5.0nm以上且15nm以下。如此算术平均粗糙度越小，则在例如使用层叠体10来制造的印刷电路板的过程中，越适于形成高度微细化至线/间隔(L/S)为13μm以下/13μm以下(例如12μm/12μm至2μm/2μm)这样的程度的布线图案。
层叠体10在浮法玻璃基板12的顶面12a侧与金属层14之间或2个以上的金属层14之间还可以进一步具备剥离层。剥离层是容易使浮法玻璃基板12与金属层14剥离的层。剥离层可以是有机剥离层和无机剥离层中的任一者，也可以是有机剥离层和无机剥离层的复合剥离层。作为可以在有机剥离层中使用的有机成分的例子，可列举出含氮有机化合物、含硫有机化合物、羧酸等。作为含氮有机化合物的例子，可列举出三唑化合物、咪唑化合物等。另一方面，作为可以在无机剥离层中使用的无机成分的例子，可列举出镍、钼、钴、铬、铁、钛、钨、磷、锌中的至少一种以上的金属氧化物、碳等。剥离层可以是包含金属氧化物和碳这两者的层。这些当中，尤其从剥离容易性、膜形成性的方面等考虑，优选剥离层为包含碳的层，更优选为主要包含碳而成的层，进一步优选主要由碳或烃形成的层，特别优选由属于硬质碳膜的无定形碳形成。在该情况下，剥离层(即碳层)的利用XPS测得的碳浓度优选为60原子％以上，更优选为70原子％以上，进一步优选为80原子％以上，特别优选为85原子％以上。碳浓度的上限值没有特别限定，可以是100原子％，但现实的是98原子％以下。剥离层(特别是碳层)可以包含不可避免的杂质(例如源自气氛等周围环境的氧、碳、氢等)。另外，剥离层(特别是碳层)中有可能由于金属层14的成膜方法而混入金属原子。碳与载体的相互扩散性以及反应性小，即使施加超过300℃的温度下的压制加工等，也能够防止在与金属层和接合界面之间形成由高温加热所致的金属键，能够维持容易剥离去除载体的状态。从抑制无定形碳中的过度的杂质的方面、与后述的金属层14的成膜的连续生产率的方面等考虑，剥离层优选为利用溅射等气相法而形成的层。剥离层的厚度优选为1nm以上且20nm以下，更优选为1nm以上且10nm以下。该厚度是通过利用透射型电子显微镜的能量色散型X射线光谱分析仪(TEM-EDX)对层截面进行分析而测得的值。
在金属层14由密合层、剥离辅助层、防反射层和晶种层的各功能层构成的情况下，层叠体10优选在浮法玻璃基板12上依次具备密合层、剥离辅助层、防反射层和晶种层。另外，在层叠体10进一步具备剥离层的情况下，剥离层最优选存在于剥离辅助层与防反射层之间。层叠体10整体的厚度没有特别限定，优选为0.3mm以上且3mm以下，更优选为0.4mm以上且2mm以下，进一步优选为0.5mm以上且1.5mm以下，特别优选为0.7mm以上且1.2mm以下。
层叠体的制造方法
基于本发明的层叠体10可以通过准备浮法玻璃基板12并在浮法玻璃基板12的顶面12a侧形成金属层来制造。为了使浮法玻璃基板12的剥离变得容易，优选在浮法玻璃基板12的顶面12a侧或2个以上的金属层之间形成剥离层。例如，基于优选的方式的层叠体10可以通过在浮法玻璃基板12上的顶面12a侧适宜形成密合层、剥离辅助层、剥离层、防反射层、晶种层等各种层来制造。从容易应对由极薄化导致的细距化的观点出发，密合层、剥离辅助层、剥离层、防反射层以及晶种层的各层的形成优选利用物理气相沉积(PVD)法来进行。作为物理气相沉积(PVD)法的例子，可列举出溅射法、真空蒸镀法以及离子镀法，从能够在0.05nm以上且5000nm以下这样宽的范围内控制膜厚的方面、能够在宽范围或面积中确保膜厚均匀性的方面等出发，最优选为溅射法。特别是通过使密合层、剥离辅助层、剥离层、防反射层以及晶种层等各种层全部通过溅射法形成，制造效率会显著提高。需要说明的是，金属层14的形成只要形成选自由密合层、剥离辅助层、防反射层以及晶种层组成的组中的至少1种即可，无需形成全部这些层。基于物理气相沉积(PVD)法的成膜使用公知的气相成膜装置并依据公知的条件进行即可，没有特别限定。例如，在采用溅射法的情况下，溅射方式可以是磁控溅射、双极溅射法、对靶溅射法等公知的各种方法，但从成膜速度快、生产率高的方面考虑，优选磁控溅射。溅射可以利用DC(直流)和RF(高频)中的任一电源来进行。另外，可以使用靶材形状也广为人知的板型靶材，但从靶材使用效率的观点出发，期望的是使用圆筒形靶材。以下对密合层、剥离辅助层、剥离层、防反射层以及晶种层的各层的基于物理气相沉积(PVD)法(优选为溅射法)的成膜进行说明。
对于密合层的基于物理气相沉积(PVD)法(优选为溅射法)的成膜，从能够改善膜厚分布均匀性的方面考虑，优选使用由上述的金属M1构成的靶材，在非氧化性气氛下通过磁控溅射来进行。靶材的纯度优选为99.9％以上。作为溅射中使用的气体，优选使用氩气等非活性气体。氩气的流量根据溅射室尺寸和成膜条件适宜确定即可，没有特别限定。另外，从不会发生异常放电、等离子体照射不良等运行不良地、连续地进行成膜的观点出发，优选以成膜时的压力为0.1Pa以上且20Pa以下的范围进行。该压力范围可以根据装置结构、容量、真空泵的排气容量、成膜电源的额定容量等，通过调节成膜电功率、氩气的流量来进行设定。另外，考虑到成膜的膜厚均匀性、生产率等，溅射功率可以在每单位面积靶材为0.05W/cm2以上且10.0W/cm2以下的范围内适宜设定。
对于剥离辅助层的基于物理气相沉积(PVD)法(优选为溅射法)的成膜，从能够改善膜厚分布均匀性的方面考虑，优选使用由上述的金属M2构成的靶材，在非氧化性气氛下通过磁控溅射来进行。靶材的纯度优选为99.9％以上。作为溅射中使用的气体，优选使用氩气等非活性气体。氩气的流量可以根据溅射室尺寸和成膜条件进行适宜确定，没有特别限定。另外，从不会发生异常放电、等离子体照射不良等运行不良地、连续地进行成膜的观点出发，优选以成膜时的压力为0.1Pa以上且20Pa以下的范围进行。该压力范围可以根据装置结构、容量、真空泵的排气容量、成膜电源的额定容量等，通过调节成膜电成膜功率、氩气的流量来进行设定。另外，考虑到成膜的膜厚均匀性、生产率等，溅射功率可以在每单位面积靶材为0.05W/cm2以上且10.0W/cm2以下的范围内适宜设定。
对于剥离层的基于物理气相沉积(PVD)法(优选为溅射法)的成膜，优选使用碳靶材在氩气等非活性气氛下进行。碳靶材优选由石墨构成，但可以包含不可避免的杂质(例如源自于气氛等周围环境的氧、碳)。碳靶材的纯度优选为99.99％以上，更优选为99.999％以上。另外，从不会发生异常放电、等离子体照射不良等运行不良地、连续地进行成膜的观点出发，优选以成膜时的压力为0.1Pa以上且20Pa以下的范围进行。该压力范围可以根据装置结构、容量、真空泵的排气容量、成膜电源的额定容量等，通过调节成膜电功率、氩气的流量来进行设定。另外，考虑到成膜的膜厚均匀性、生产率等，溅射功率可以在每单位面积靶材为0.05W/cm2以上且10.0W/cm2以下的范围内适宜设定。
对于防反射层的基于物理气相沉积(PVD)法(优选为溅射法)的成膜，优选的是，使用由选自由钛、铝、铌、锆、铬、钨、钽、钴、银、镍以及钼组成的组中的至少1种金属构成的靶材，利用磁控溅射法来进行。靶材的纯度优选为99.9％以上。特别是功能层的基于磁控溅射法的成膜优选在氩气等非活性气体气氛下、以压力0.1Pa以上且20Pa以下进行。溅射压力更优选为0.2Pa以上且15Pa以下，进一步优选为0.3Pa以上且10Pa以下。需要说明的是，上述压力范围的控制可以根据装置结构、容量、真空泵的排气容量、成膜电源的额定容量等，通过调节成膜电功率、氩气的流量来进行。氩气的流量根据溅射室尺寸和成膜条件进行适宜确定即可，没有特别限定。另外，考虑到成膜的膜厚均匀性、生产率等，溅射功率可以在每单位面积靶材为1.0W/cm2以上且15.0W/cm2以下的范围内适宜设定。另外，从容易得到稳定的膜特性(例如膜电阻、结晶尺寸)的方面考虑，优选在制膜时将载体温度保持为恒定。成膜时的载体温度优选在25℃以上且300℃以下的范围内调节，更优选为40℃以上且200℃以下、进一步优选为50℃以上且150℃以下的范围内。
对于晶种层的利用物理气相沉积(PVD)法(优选为溅射法)的成膜，优选的是，使用由选自由例如第4族、第5族、第6族、第9族、第10族和第11族的过渡元素、以及铝组成的组中的至少1种金属构成的靶材，在氩气等非活性气氛下进行。铜靶材等金属靶材优选由金属铜等金属构成，但可以包含不可避免的杂质。金属靶材的纯度优选为99.9％以上，更优选为99.99％以上，进一步优选为99.999％以上。为了避免晶种层的气相成膜时的温度上升，溅射时还可以设置载物台的冷却机构。另外，从不会发生异常放电、等离子体照射不良等运行不良地、连续地进行成膜的观点出发，优选以成膜时的压力为0.1Pa以上且20Pa以下的范围进行。该压力范围可以根据装置结构、容量、真空泵的排气容量、成膜电源的额定容量等，通过调节成膜电功率、氩气的流量来进行设定。另外，考虑到成膜的膜厚均匀性、生产率等，溅射功率可以在每单位面积靶材为0.05W/cm2以上且10.0W/cm2以下的范围内适宜设定。

Claims (8)

1.一种层叠体，其具备：具有顶面和底面的浮法玻璃基板、以及设置于该浮法玻璃基板的所述顶面侧的金属层。
2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述浮法玻璃基板为钠钙玻璃基板。
3.根据权利要求2所述的层叠体，其中，所述钠钙玻璃基板为化学强化玻璃基板。
4.根据权利要求3所述的层叠体，其中，所述化学强化玻璃基板的基于化学强化处理的元素交换的深度为1μm以上且50μm以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠体，其中，所述浮法玻璃基板的厚度为3mm以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠体，其中，所述金属层的厚度为0.1mm以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的层叠体，其中，所述金属层包含金属M，M为除碱金属和碱土金属以外的金属。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的层叠体，其中，在所述浮法玻璃基板的所述顶面侧具备剥离层。
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