CN112768479A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请适用于显示技术领域，提供了一种显示面板及其制作方法。本申请的显示面板的制作方法包括：在衬底的一侧形成反射层；在衬底的远离反射层的一侧依次形成缓冲层和非晶硅层，对非晶硅层进行图案化处理和激光退火，形成有源层。当激光穿透非晶硅层、缓冲层和衬底后照射在反射层，反射层能将激光反射回非晶硅层，大大提高了激光的利用率，因此即使降低ELA机台的输出能量，也能保证非晶硅层转化为多晶硅并形成有源层，同时还能缩短生产时间，提高生产效率，进而降低显示面板的制作成本。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着近年来消费性电子产品的各种功能需求带动了平面显示器的技术发展，如4K/8K、大尺寸、高对比度、低耗电和高色彩饱和度的特色。AMOLED(Active-matrix organiclight-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)因无需背光源、轻薄、高对比度及高色彩饱和度的特征，也是未来全世界平面显示器的发展趋势。
AMOLED通常是由低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)驱动背板和电激发光层组成自发光组件。低温多晶硅具有较高的电子迁移率，对AMOLED而言，采用低温多晶硅材料具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低能耗等优点。
目前制作低温多晶硅的方法包括：固相结晶(SPC)，金属诱导结晶(MIC)和准分子镭射退火(ELA)，其中准分子镭射退火是目前使用最为广泛的方法。然而，采用准分子镭射退火制作低温多晶硅的生产效率低和生产耗能高，这无疑会导致AMOLED的成本的增加。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，旨在解决低温多晶硅的生产效率低和生产耗能高的技术问题。
本申请是这样实现的，一种显示面板的制作方法，包括：
提供衬底，于所述衬底的一侧形成反射层；
于所述衬底的远离所述反射层的一侧形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括设于所述衬底上的缓冲层以及设于所述缓冲层上的有源层；
其中，形成所述薄膜晶体管层的步骤包括：于所述衬底的远离所述反射层的一侧依次形成缓冲层和非晶硅层，对所述非晶硅层进行图案化处理和激光退火，形成有源层。
在一个实施例中，还包括：于所述反射层的远离所述衬底的一侧形成保护层。
在一个实施例中，所述衬底包括开关TFT区域和驱动TFT区域；
所述有源层包括间隔设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层对应所述开关TFT区域设置，所述第二有源层对应所述驱动TFT区域设置。
在一个实施例中，形成所述薄膜晶体管层的步骤还包括：
于所述缓冲层、所述第一有源层和所述第二有源层上形成栅极绝缘层；
于所述栅极绝缘层上形成第一导电薄膜，对应所述第一导电薄膜进行图案化处理后形成位于所述开关TFT区域的第一栅极和位于所述驱动TFT区域的第二栅极；
于所述栅极绝缘层、所述第一栅极和所述第二栅极上形成层间绝缘层；
于所述层间绝缘层上形成第二导电薄膜，对所述第二导电薄膜进行图案化处理后形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极位于所述开关TFT区域且分别接触所述第一有源层的两端，所述第一漏极还与所述第二栅极接触；所述第二源极和所述第二漏极位于所述驱动TFT区域且分别接触所述第二有源层的两端。
在一个实施例中，形成所述层间绝缘层的步骤包括：
于所述栅极绝缘层、所述第一栅极和所述第二栅极上形成第一层间绝缘层；
于所述第一层间绝缘层上形成第三导电薄膜，对所述第三导电薄膜进行图案化处理形成位于所述驱动TFT区域的导电电极，所述导电电极和所述第二栅极组成存储电容；
于所述第一层间绝缘层和所述导电电极上形成第二层间绝缘层。
在一个实施例中，形成所述薄膜晶体管层的步骤还包括：对所述第二导电薄膜进行图案化处理后还形成第一连接线，所述第一连接线接触所述第一漏极和所述第二栅极。
在一个实施例中，形成所述薄膜晶体管层的步骤还包括：对所述第二导电薄膜进行图案化处理后还形成第二连接线，所述第二连接线接触所述导电电极。
在一个实施例中，所述显示面板的制作方法还包括：
于所述薄膜晶体管层上依次形成间隔层和像素定义层，所述像素定义层开设有开口；
于所述像素定义层的开口中依次形成阴极、发光层和阳极，所述阴极与所述薄膜晶体管层电性连接。
本申请的另一目的在于提供一种显示面板，包括衬底、设于所述衬底的一侧的反射层、设于所述衬底的远离所述反射层的一侧的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括设于所述衬底上的缓冲层以及设于所述缓冲层上的有源层。
在一个实施例中，所述显示面板还包括设于所述反射层的远离所述衬底的一侧的保护层、设于所述薄膜晶体管层上的间隔层、设于所述间隔层上且具有开口的像素定义层以及依次设于所述开口的阴极、发光层和阳极，所述阴极与所述薄膜晶体管层电性连接。
本申请实施例提供的显示面板的制作方法，包括：在衬底的一侧形成反射层；在衬底的远离反射层的一侧依次形成缓冲层和非晶硅层，对非晶硅层进行图案化处理和激光退火，形成有源层。当激光穿透非晶硅层、缓冲层和衬底后照射在反射层，反射层能将激光反射回非晶硅层，大大提高了激光的利用率，因此即使降低ELA机台的输出能量，也能保证非晶硅层转化为多晶硅并形成有源层，同时还能缩短生产时间，提高生产效率，进而降低显示面板的制作成本。
本申请实施例提供的显示面板，显示面板具有生产效率高和生产耗能低的优点。
附图说明
图1是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的步骤S2的流程示意图；
图3是本申请实施例提供的步骤S24的流程示意图；
图4是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图5是图4中A区域的放大结构示意图。
其中，图中各附图标记：
100-衬底；200-反射层；300-薄膜晶体管层；310-缓冲层；321-第一有源层；322-第二有源层；330-栅极绝缘层；341-第一栅极；342-第二栅极；350-层间绝缘层；351-第一层间绝缘层；352-第二层间绝缘层；360-导电电极；371-第一源极；372-第一漏极；373-第二源极；374-第二漏极；375-第一连接线；376-第二连接线；381-第一过孔；382-第二过孔；383-第三过孔；384-第四过孔；385-第五过孔；386-第六过孔；387-第七过孔；400-间隔层；410-钝化层；420-平坦层；500-像素定义层；510-开口；600-阴极；700-发光层；800-阳极；900-保护层。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接位于该另一个部件上。当一个部件被称为“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是为了便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明的说明书和权利要求书及术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
为了说明本申请所述的技术方案，以下结合具体附图及实施例进行详细说明。
请参阅图1，本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，包括：
步骤S1、如图4所示，提供衬底100，于衬底100的一侧形成反射层200；
步骤S2、如图4所示，于衬底100的远离反射层200的一侧形成薄膜晶体管层300，其中，如图5所示，薄膜晶体管层300包括设于衬底100上的缓冲层310以及设于缓冲层310上的有源层；
具体而言，如图2所示，步骤S2包括：
步骤S21、如图4和图5所示，于衬底100的远离反射层200的一侧依次形成缓冲层310和非晶硅层，对非晶硅层进行图案化处理和激光退火，形成有源层。
本申请实施例提供的显示面板的制作方法的有益效果在于：在对非晶硅层进行激光退火的过程中，当激光穿透非晶硅层、缓冲层310和衬底100后照射在反射层200，反射层200能将激光反射回非晶硅层，大大提高了激光的利用率，因此即使降低ELA机台的输出能量，也能保证非晶硅层转化为多晶硅并形成有源层，同时还能缩短生产时间，提高生产效率，进而降低显示面板的制作成本。
在本申请的一个实施例中，衬底100可以为刚性衬底100和柔性衬底100中的一种，例如，当衬底100为刚性衬底100时，衬底100可以但不限于为玻璃；当衬底100为柔性衬底100时，衬底100可以但不限于为聚酰亚胺薄膜，根据实际情况的选择和具体需求，衬底100的材料可以作适当修改，只要保证衬底100呈透明即可，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，反射层200可以为金属层，具体材料可以为铝(Al)，当然，根据实际情况的选择和具体需求，反射层200的材料可以作适当修改，只要保证反射层200能反射光线即可，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，缓冲层310可以为无机材料层，具体材料可以为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅与氮化硅层构成的多层复合结构。当然，根据实际情况的选择和具体需求，缓冲层310的材料可以作适当修改，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S21中，对非晶硅层进行图案化处理由涂光刻胶(PR)、曝光、显影、湿蚀刻、与剥离光刻胶的工艺过程实现，后续图案化处理也采用同样的方式实现，当然，根据实际情况的选择和具体需求，图案化处理的具体操作方式可以作适当修改，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S1还可以包括：于反射层200的远离衬底100的一侧形成保护层900。此结构下，通过在反射层200的表面覆盖一层或多层保护层900，可以对反射层200进行保护，防止反射层200受到磨损或者其它损害，从而保证反射层200能在对非晶硅层进行激光退火的过程中起到反射激光的作用。
在本申请的一个实施例中，结合图4和图5来看，上述步骤S1中，衬底100包括开关TFT区域和驱动TFT区域；步骤S21中，有源层包括间隔设置的第一有源层321和第二有源层322，第一有源层321对应开关TFT区域设置，第二有源层322对应驱动TFT区域设置。此结构下，可以在衬底100上形成开关TFT以及与开关TFT电性连接的驱动TFT，对非晶硅层进行图案化处理和激光退火，同时形成第一有源层321和第二有源层322，相比于第一有源层321和第二有源层322分开形成的方式，本申请实施例的显示面板的制作方法的生产效率更高。
在本申请的一个实施例中，在上述步骤S21后，还包括对第一有源层321和第二有源层322进行离子掺杂处理，通过离子掺杂处理在第一有源层321和第二有源层322的两端分别形成离子掺杂区域，以便于后续用于与对应的源极或漏极电连接。在该实施例中，对第一有源层321和第二有源层322进行N+离子掺杂处理，从而在第一有源层321和第二有源层322的两端分别形成N+离子掺杂区域。
在本申请的一个实施例中，请参阅图2，同时结合图4和图5，步骤S2还包括：
步骤S22、于缓冲层310、第一有源层321和第二有源层322上形成栅极绝缘层330；
步骤S23、于栅极绝缘层330上形成第一导电薄膜，对应第一导电薄膜进行图案化处理后形成位于开关TFT区域的第一栅极341和位于驱动TFT区域的第二栅极342；
步骤S24、于栅极绝缘层330、第一栅极341和第二栅极342上形成层间绝缘层350；
步骤S25、于层间绝缘层350上形成第二导电薄膜，对第二导电薄膜进行图案化处理后形成第一源极371、第一漏极372、第二源极373和第二漏极374，第一源极371和第一漏极372位于开关TFT区域且分别接触第一有源层321的两端，第一漏极372还与第二栅极342接触；第二源极373和第二漏极374位于驱动TFT区域且分别接触第二有源层322的两端。此结构下，第一有源层321、第一栅极341、第一源极371和第一漏极372组成开关TFT，第二有源层322、第二栅极342、第二源极373和第二漏极374组成驱动TFT，开关TFT和驱动TFT采用相同的制程制作，可以提高生产效率，提高了产能。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S22中，栅极绝缘层330可以为无机材料层，具体材料可以为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅与氮化硅层构成的多层复合结构。当然，根据实际情况的选择和具体需求，栅极绝缘层330的材料可以作适当修改，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S23中，第一导电薄膜由导电材料制得，导电材料可以为金属材料，例如，导电材料可以为铝(Al)，当然，根据实际情况的选择和具体需求，第一导电薄膜的材料可以作适当修改，只要保证第一导电薄膜能导电即可，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S25中，第二导电薄膜由导电材料制得，导电材料可以包括氮化钛(TiN)、铝(Al)以及钛(Ti)中的至少一种，当然，根据实际情况的选择和具体需求，第二导电薄膜的材料可以作适当修改，只要保证第二导电薄膜能导电即可，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，请参阅图3，同时结合图4和图5，步骤S24包括：
步骤S241、于栅极绝缘层330、第一栅极341和第二栅极342上形成第一层间绝缘层351；
步骤S242、于第一层间绝缘层351上形成第三导电薄膜，对第三导电薄膜进行图案化处理形成位于驱动TFT区域的导电电极360，导电电极360和第二栅极342组成存储电容；
步骤S243、于第一层间绝缘层351和导电电极360上形成第二层间绝缘层352。此结构下，当开关TFT的第一栅极341接通时，电流从第一源极371流向第一漏极372，再由第一漏极372流向第二栅极342，从而为存储电容充电，然后导通驱动TFT，使得电流从第二源极373流向第二漏极374；当开关TFT的第一栅极341断电时，存储电容中的电压仍能保持驱动TFT在导通状态，故能在一个画面内维持OLED的固定电流。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S241中，第一层间绝缘层351可以为无机材料层，具体材料可以为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅与氮化硅层构成的多层复合结构。当然，根据实际情况的选择和具体需求，第一层间绝缘层351的材料可以作适当修改，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S242中，第三导电薄膜由导电材料制得，导电材料可以包括氮化钛(TiN)、铝(Al)以及钛(Ti)中的至少一种，当然，根据实际情况的选择和具体需求，第三导电薄膜的材料可以作适当修改，只要保证第三导电薄膜能导电即可，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S243中，第二层间绝缘层352可以为无机材料层，具体材料可以为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅与氮化硅层构成的多层复合结构。当然，根据实际情况的选择和具体需求，第二层间绝缘层352的材料可以作适当修改，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，上述步骤S25中，对第二导电薄膜进行图案化处理后还形成第一连接线375，第一连接线375接触第一漏极372和第二栅极342，从而使得开关TFT能够控制驱动TFT的导通与否和为存储电容充电。
在本申请的一个实施例中，步骤S25中，结合图4和图5来看，对第二导电薄膜进行图案化处理后还形成第二连接线376，第二连接线376接触导电电极360，第二连接线376的一端与导电电极360接触，另一端用于接地或者接入参考电压，使得导电电极360与第二栅极342之间存在电势差。
在本申请的一个实施例中，在上述步骤S243之后，对栅极绝缘层330、第一层间绝缘层351和第二层间绝缘层352进行图案化处理，形成第一过孔381、第二过孔382、第三过孔383、第四过孔384、第五过孔385和第六过孔386；
其中，第一过孔381、第二过孔382、第三过孔383和第四过孔384均贯穿栅极绝缘层330、第一层间绝缘层351和第二层间绝缘层352设置，第一过孔381和第二过孔382分别裸露第一有源层321两端的离子掺杂区域，第一源极371局部沉积于第一过孔381中并与第一有源层321一端的离子掺杂区域接触，第一漏极372局部沉积于第二过孔382中并与第一有源层321另一端的离子掺杂区域接触；第二源极373局部沉积于第三过孔383中并与第二有源层322一端的离子掺杂区域接触，第二漏极374局部沉积于第四过孔384中并与第二有源层322另一端的离子掺杂区域接触；
第五过孔385贯穿第一层间绝缘层351和第二层间绝缘层352设置，第五过孔385裸露第二栅极342的表面，第一连接线375局部沉积于第五过孔385中并与第二栅极342接触；
第六过孔386贯穿第二层间绝缘层352设置，第六过孔386裸露导电电极360的表面，第二连接线376局部沉积于第六过孔386中并与导电电极360接触
在本申请的一个实施例中，请参阅图1，同时结合图4和图5，显示面板的制作方法还包括：
步骤S3、于薄膜晶体管层300上依次形成间隔层400和像素定义层500，像素定义层500开设有开口510；
步骤S4、于像素定义层500的开口510中依次形成阴极600、发光层700和阳极800，阴极600与薄膜晶体管层300电性连接。
在本申请的一个实施例中，结合图4和图5，间隔层400包括依次设于薄膜晶体管层300上的钝化层410和平坦层420，上述步骤S3还包括对钝化层410和平坦层420进行图案化处理，形成贯穿钝化层410和平坦层420的第七过孔387，第七过孔387的顶部与像素定义层500的开口510连通，第七过孔387的底部裸露第二漏极374的表面，阴极600的局部设于第七过孔387中且与第二漏极374接触，从而使得阴极600与薄膜晶体管层300电性连接。
在本申请的一个实施例中，钝化层410可以为无机材料层，具体材料可以为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅与氮化硅层构成的多层复合结构。当然，根据实际情况的选择和具体需求，钝化层410的材料可以作适当修改，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，平坦层420可以为聚碳酸酯(PC)层，当然，根据实际情况的选择和具体需求，平坦层420的材料可以作适当修改，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，阴极600由导电材料制得，导电材料可以为氧化铟锡(ITO)或铝(Al)，当然，根据实际情况的选择和具体需求，阴极600的材料可以作适当修改，只要保证阴极600能导电即可，在此不作唯一限定。
在本申请的一个实施例中，阳极800由导电材料制得，导电材料可以包括镁(Mg)和银(Ag)中的至少一种，当然，根据实际情况的选择和具体需求，阳极800的材料可以作适当修改，只要保证阳极800能导电即可，在此不作唯一限定。
请参阅图4与图5，本申请实施例还提供一种显示面板，显示面板由上述实施例的制作方法制得，显示面板包括衬底100、设于衬底100的一侧的反射层200、设于衬底100的远离反射层200的一侧的薄膜晶体管层300，薄膜晶体管层300包括设于衬底100上的缓冲层310以及设于缓冲层310上的有源层，显示面板具有生产效率高和生产耗能低的优点。
在本申请的一个实施例中，显示面板还包括设于反射层200的远离衬底100的一侧的保护层900、设于薄膜晶体管层300上的间隔层400、设于间隔层400上且具有开口510的像素定义层500以及依次设于开口510的阴极600、发光层700和阳极800，阴极600与薄膜晶体管层300电性连接。
以上所述仅为本申请的可选实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，于所述衬底的一侧形成反射层；
于所述衬底的远离所述反射层的一侧形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括设于所述衬底上的缓冲层以及设于所述缓冲层上的有源层；
其中，形成所述薄膜晶体管层的步骤包括：于所述衬底的远离所述反射层的一侧依次形成缓冲层和非晶硅层，对所述非晶硅层进行图案化处理和激光退火，形成有源层。
2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：于所述反射层的远离所述衬底的一侧形成保护层。
3.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述衬底包括开关TFT区域和驱动TFT区域；
所述有源层包括间隔设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层对应所述开关TFT区域设置，所述第二有源层对应所述驱动TFT区域设置。
4.如权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述薄膜晶体管层的步骤还包括：
于所述缓冲层、所述第一有源层和所述第二有源层上形成栅极绝缘层；
于所述栅极绝缘层上形成第一导电薄膜，对应所述第一导电薄膜进行图案化处理后形成位于所述开关TFT区域的第一栅极和位于所述驱动TFT区域的第二栅极；
于所述栅极绝缘层、所述第一栅极和所述第二栅极上形成层间绝缘层；
于所述层间绝缘层上形成第二导电薄膜，对所述第二导电薄膜进行图案化处理后形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极位于所述开关TFT区域且分别接触所述第一有源层的两端，所述第一漏极还与所述第二栅极接触；所述第二源极和所述第二漏极位于所述驱动TFT区域且分别接触所述第二有源层的两端。
5.如权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述层间绝缘层的步骤包括：
于所述栅极绝缘层、所述第一栅极和所述第二栅极上形成第一层间绝缘层；
于所述第一层间绝缘层上形成第三导电薄膜，对所述第三导电薄膜进行图案化处理形成位于所述驱动TFT区域的导电电极，所述导电电极和所述第二栅极组成存储电容；
于所述第一层间绝缘层和所述导电电极上形成第二层间绝缘层。
6.如权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述薄膜晶体管层的步骤还包括：对所述第二导电薄膜进行图案化处理后还形成第一连接线，所述第一连接线接触所述第一漏极和所述第二栅极。
7.如权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述薄膜晶体管层的步骤还包括：对所述第二导电薄膜进行图案化处理后还形成第二连接线，所述第二连接线接触所述导电电极。
8.如权利要求1至7任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板的制作方法还包括：
于所述薄膜晶体管层上依次形成间隔层和像素定义层，所述像素定义层开设有开口；
于所述像素定义层的开口中依次形成阴极、发光层和阳极，所述阴极与所述薄膜晶体管层电性连接。
9.一种显示面板，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底的一侧的反射层、设于所述衬底的远离所述反射层的一侧的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括设于所述衬底上的缓冲层以及设于所述缓冲层上的有源层。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述反射层的远离所述衬底的一侧的保护层、设于所述薄膜晶体管层上的间隔层、设于所述间隔层上且具有开口的像素定义层以及依次设于所述开口的阴极、发光层和阳极，所述阴极与所述薄膜晶体管层电性连接。
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