CN112723904B - SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体 - Google Patents

SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体 Download PDF

Info

Publication number
CN112723904B
CN112723904B CN202110125530.9A CN202110125530A CN112723904B CN 112723904 B CN112723904 B CN 112723904B CN 202110125530 A CN202110125530 A CN 202110125530A CN 112723904 B CN112723904 B CN 112723904B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sic
sintered body
porous sintered
powder
binder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110125530.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112723904A (zh
Inventor
邓树军
张洁
黄首义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd filed Critical Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd
Priority to CN202110125530.9A priority Critical patent/CN112723904B/zh
Publication of CN112723904A publication Critical patent/CN112723904A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112723904B publication Critical patent/CN112723904B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/06—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof by burning-out added substances by burning natural expanding materials or by sublimating or melting out added substances
    • C04B38/063—Preparing or treating the raw materials individually or as batches
    • C04B38/0635—Compounding ingredients
    • C04B38/0645—Burnable, meltable, sublimable materials
    • C04B38/068—Carbonaceous materials, e.g. coal, carbon, graphite, hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/06—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof by burning-out added substances by burning natural expanding materials or by sublimating or melting out added substances
    • C04B38/063—Preparing or treating the raw materials individually or as batches
    • C04B38/0635—Compounding ingredients
    • C04B38/0645—Burnable, meltable, sublimable materials
    • C04B38/067—Macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6581—Total pressure below 1 atmosphere, e.g. vacuum

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明涉及碳化硅烧结体技术领域，具体而言，涉及SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体。SiC多孔烧结体的制备方法包括：将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒并压制成型后进行加热固化，而后再进行煅烧。该制备方法在原料合成形成SiC的过程中直接形成具有晶体生长的多孔结构，使得形成的SiC多孔烧结体可以直接用于物理气相沉积生长晶体，可以避免进行粉料填装以及二次烧结等工序，提高了生产产率。

Description

SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体
技术领域
本发明涉及碳化硅烧结体技术领域，具体而言，涉及SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体。
背景技术
碳化硅单晶材料属于第三代宽带隙半导体材料的代表，具有宽禁带、高热导率、高击穿电场以及高抗辐射能力等特点。目前，碳化硅单晶生长以物理气相沉积法(PVT)为主要生长方式，该生长方式已经被证明是SiC晶体最成熟的生长方法。其操作一般是：将SiC粉料加热到2300℃左右，在氩气等惰性气体的气氛下，使得SiC升华结晶形成块状晶体，而在此晶体生长需要合适堆积密度的高纯SiC粉体作为源。目前，规模化生产的SiC粉体的通用方法是用Si粉和C粉混合，而后通过自蔓延合成方法生成SiC粉体。该方法生产出的粉体粒度均匀，但若直接用于晶体生长的话，容易在晶体中产生包裹物。所以在进行物理气相沉积法生长晶体之前，需要对SiC粉体进行预烧结，预烧后的粉体结成块状，而后该块状的物料则可以用于物理气相沉积法生长晶体。该方法处理后的粉体可以较好的避免碳包裹物在晶体中的产生。
综上所述，可以看出现有技术利用物理气相沉积法生长晶体时，需要先制备好SiC粉体后，再对SiC粉体进行预烧结，而后才能进行物理气相沉积生长晶体，该过程操作繁琐，需要进行粉料填装以及二次烧结等过程。
鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体。本发明实施例提供的制备方法，在原料合成形成SiC的过程中直接形成具有晶体生长的多孔结构，使得形成的SiC多孔烧结体可以直接用于物理气相沉积生长晶体，可以避免进行粉料填装以及二次烧结等工序，提高了生产产率。
本发明是这样实现的：
第一方面，本发明提供一种SiC多孔烧结体的制备方法，包括：将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒并压制成型后进行加热固化，而后再进行煅烧。
在可选的实施方式中，加热固化的条件为：温度为200-400℃，时间为0.5-5小时。
在可选的实施方式中，煅烧的条件为：温度为2000-2500℃，时间为0.5-5小时。
在可选的实施方式中，所述碳粉和所述硅粉的粒径均为10微米-2毫米。
在可选的实施方式中，所述粘结剂为水溶性树脂，优选为聚乙烯醇树脂。
在可选的实施方式中，混合造粒前，将所述粘结剂与溶剂混合形成粘结剂溶液；
优选地，所述粘结剂溶液的固含量为8-10％。
在可选的实施方式中，所述硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:1-3。
在可选的实施方式中，混合造粒的过程包括：将所述硅粉和所述碳粉混合均匀磨后，均匀喷洒所述粘结剂溶液，得到粒径均一的球粒；
优选地，所述球粒的粒径为1-3毫米；
优选地，压制成型后得到的形状为圆柱形、圆饼形、环形以及块状。
第二方面，本发明提供一种SiC多孔烧结体，其通过前述实施方式任一项所述的SiC多孔烧结体的制备方法制备得到。
第三方面，本发明提供一种SiC晶体，其采用物理气相沉积法直接利用前述实施方式所述SiC多孔烧结体做为生长原料生长SiC晶体。
本发明具有以下有益效果：本发明实施例通过将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒、成型后再进行加热固化和煅烧，使得碳粉和硅粉在形成SiC的同时使得该SiC内形成适宜晶体生长的间隙，保证SiC内多孔结构的形成，继而使得形成的SiC可以直接用于物理气相沉积生长晶体，且生长形成的晶体性能良好，而无须再进行粉料的填装和预烧结，简化了SiC晶体生长的工序，提高了生产效率。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本实施例提供一种SiC多孔烧结体的制备方法，包括：
将粘结剂与溶剂混合形成粘结剂溶液；选择的溶剂为水，且粘结剂溶液的固含量为8-10％，例如为8％、8.5％、9％、9.2％、9.5％、9.6％、9.8％以及10％等8-10％之间的任意数值。且粘结剂为水溶性树脂，优选为聚乙烯醇树脂。其中，固含量指的是粘结剂在粘结剂溶液中的质量含量。
采用聚乙烯醇作为粘结剂能够有效保证其粘结效果，同时，能够避免粘结剂对多孔结构的形成造成影响，也减少粘结剂对SiC多孔烧结体的性能的影响。
而后将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒，具体地，将所述硅粉和所述碳粉加入球磨机内进行球磨混合均匀，而后将上述粘结剂溶液均匀喷洒如球磨机内，喷洒的同时，球磨机正常运转，继而保证粘结剂均匀作用于硅粉和碳粉的混合物料上，继而得到粒径均一的球粒，形成的球粒的平均粒径为1-3毫米，例如为1毫米、1.5毫米、2毫米、2.5毫米以及3毫米等1-3毫米之间的任意数值。
控制碳粉、硅粉和粘结剂造粒后形成的球粒的粒径，有利于后续的造型，也有利于后续烧结过程中多孔结构的形成。
其中，碳粉和所述硅粉的粒径均为10微米-2毫米(例如为10微米、20微米、30微米、40微米、50微米、80微米、100微米、110微米、130微米、150微米、180微米、190微米以及200微米等10微米-2毫米的任意数值)，控制碳粉和硅粉的粒径有利于碳粉和硅粉的混合均匀，也有利于造粒，控制得到的球粒的粒径。
进一步地，硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:1-3(例如，为7:3:1、7:3:1.5、7:3:2、7:3:2.5以及7:3:3之间的任意数值)。控制硅粉、碳粉以及粘结剂溶液的质量比能够有利于后续烧结形成SiC的时候形成多孔结构，继而有利于保证形成的SiC多孔烧结体的性能。
接着，将上述球粒倒入模具中压制成型，该模具可以是圆柱，圆饼，环状或块形，继而使得成型后的物料为圆柱形、圆饼形、环形以及块状。可以理解的是，上述压制成型的形状仅仅是本发明实施例的举例，其他形状也可以，也在本发明实施例的保护范围内。
而后，将压制成型的物料进行加热固化定型，具体地，加热固化的条件为：温度为200-400℃，时间为0.5-5小时。例如温度为200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃、260℃、270℃、280℃、290℃、300℃、310℃、320℃、330℃、340℃、350℃、360℃、370℃、380℃、390℃以及400℃等200-400℃之间的任意数值，时间为0.5小时、1小时、1.5小时、2小时、2.5小时、3小时、3.5小时、4小时、4.5小时以及5小时等0.5-5小时之间的任意数值。加热固化定型有利于后续的烧结，继而有利于形成SiC多孔烧结体。
进一步地，将定型后的物料进行烧结，具体地，在真空状态下，在温度为2000-2500℃的条件烧结0.5-5小时。例如，温度为2000℃、2100℃、2150℃、2200℃、2250℃、2300℃、2350℃、2400℃、2450℃以及2500℃等2000-2500℃之间的任意数值，时间为0.5小时、1小时、1.5小时、2小时、2.5小时、3小时、3.5小时、4小时、4.5小时以及5小时等0.5-5小时之间的任意数值。
采用上述烧结条件，有利于碳粉和硅粉进行反应形成碳化硅，也有利于在进行反应形成碳化硅的同时，形成适宜晶体生长的多孔结构，继而使得形成的SiC多孔烧结体可以直接用于物理气相沉积生长晶体，可以避免进行粉料填装以及二次烧结等工序。
本发明实施例还提供一种SiC多孔烧结体，其通过前述实施方式任一项所述的SiC多孔烧结体的制备方法制备得到。
本发明提供一种SiC晶体，其采用物理气相沉积法直接利用前述实施方式所述的所述SiC多孔烧结体形成SiC晶体。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体的制备方法，包括：
S1、造粒：
将硅粉(纯度为9N)和碳粉以质量比7/3在球磨罐中混合1小时。硅粉和碳粉充分混合均匀后，将固含量为10％的聚乙烯醇水溶液作为粘接剂均匀喷入旋转的球磨罐中，控制溶液的喷入速率，得到粒径一致的粉料混合球体料。完成造粒工序，完成的粒径为1-3mm球粒。其中，硅粉：碳粉：聚乙烯醇水溶液的质量比为7:3:2。
S2、压制成型：
将上述制成的球粒倒入磨具中。模具为方形即形成块状物料。将模具放置在震动台上，经过20min震动，使球粒充分接触并分布均匀。
S3、固化定型：
将经过充分震动密实的模具放入烘箱中，升温至250℃烘烤1小时，形成定型后的块状物。
S4、煅烧：
将上述定型好的块状物装入真空烧结炉中，将在真空状态下将温度升至2000℃，保持1小时完成烧结。降温后取出得到带有稳定空隙的高纯SiC块即SiC多孔烧结体。
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体，其通过上述方法制备得到。
实施例2
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体的制备方法，包括：
S1、造粒：
将硅粉(纯度为9N)和碳粉以质量比7/3在球磨罐中混合1小时。硅粉和碳粉充分混合均匀后，将固含量为8％的聚乙烯醇水溶液作为粘接剂均匀喷入旋转的球磨罐中，控制溶液的喷入速率，得到粒径一致的粉料混合球体料。完成造粒工序，完成的粒径为1-3mm球粒。其中，硅粉：碳粉：聚乙烯醇水溶液的质量比为7:3:3。
S2、压制成型：
将上述制成的球粒倒入磨具中。模具为圆柱形。将模具放置在震动台上，经过15min震动，使球粒充分接触并分布均匀。
S3、固化定型：
将经过充分震动密实的模具放入烘箱中，升温至400℃烘烤0.5小时，形成定型后的圆形物料。
S4、煅烧：
将上述定型好的块状物装入真空烧结炉中，将在真空状态下将温度升至2500℃，保持0.5小时完成烧结。降温后取出得到带有稳定空隙的高纯SiC块即SiC多孔烧结体。
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体，其通过上述方法制备得到。
实施例3
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体的制备方法，包括：
S1、造粒：
将硅粉(纯度为9N)和碳粉以质量比7/3在球磨罐中混合1小时。硅粉和碳粉充分混合均匀后，将固含量为9％的聚乙烯醇水溶液作为粘接剂均匀喷入旋转的球磨罐中，控制溶液的喷入速率，得到粒径一致的粉料混合球体料。完成造粒工序，完成的粒径为1-3mm球粒。其中，硅粉：碳粉：聚乙烯醇水溶液的质量比为7:3:1。
S2、压制成型：
将上述制成的球粒倒入磨具中。模具为圆柱形。将模具放置在震动台上，经过20min震动，使球粒充分接触并分布均匀。
S3、固化定型：
将经过充分震动密实的模具放入烘箱中，升温至200℃烘烤5小时，形成定型后的圆形物料。
S4、煅烧：
将上述定型好的块状物装入真空烧结炉中，将在真空状态下将温度升至2300℃，保持5小时完成烧结。降温后取出得到带有稳定空隙的高纯SiC块即SiC多孔烧结体。
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体，其通过上述方法制备得到。
对比例1：
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体，区别在于加热固化定型的温度为100℃，得到的SiC多孔烧结体有裂纹，该SiC多孔烧结体不能直接用于物理气相沉积形成SiC晶体。
对比例2：
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体，区别在于：硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:5。形成的SiC烧结体碳化。
对比例3：
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体，区别在于：粘结剂为环氧树脂，制备得到的烧结体容易开裂。
对比例4：
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体，区别在于：加热固化定型的温度为500℃，制备得到的烧结体容易开裂。
对比例5：
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体，区别在于：煅烧的温度为2000℃，制备得到的烧结体容易开裂。
对比例6：
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体，区别在于：硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3：1，制备得到的烧结体容易开裂。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种SiC晶体的制备方法，其特征在于，包括：采用物理气相沉积法直接利用SiC多孔烧结体做为生长原料生长SiC晶体；
其中，所述SiC多孔烧结体的制备方法包括：将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒并压制成型后进行加热固化，而后再进行煅烧；
所述粘结剂为聚乙烯醇树脂；
混合造粒前，将所述粘结剂与溶剂混合形成粘结剂溶液；
所述粘结剂溶液的固含量为8-10％；
加热固化的条件为：温度为200-400℃，时间为0.5-5小时；
煅烧的条件为：温度为2500℃，时间为0.5-5小时；
所述硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:3。
2.根据权利要求1所述的SiC晶体的制备方法，其特征在于，所述碳粉和所述硅粉的粒径均为10微米-2毫米。
3.根据权利要求1所述的SiC晶体的制备方法，其特征在于，混合造粒的过程包括：将所述硅粉和所述碳粉混合均匀后，均匀喷洒所述粘结剂溶液，得到粒径均一的球粒。
4.根据权利要求3所述的SiC晶体的制备方法，其特征在于，所述球粒的粒径为1-3毫米。
5.根据权利要求1所述的SiC晶体的制备方法，其特征在于，压制成型后得到的形状为圆柱形、圆饼形、环形以及块状。
CN202110125530.9A 2021-01-29 2021-01-29 SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体 Active CN112723904B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110125530.9A CN112723904B (zh) 2021-01-29 2021-01-29 SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110125530.9A CN112723904B (zh) 2021-01-29 2021-01-29 SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112723904A CN112723904A (zh) 2021-04-30
CN112723904B true CN112723904B (zh) 2023-05-23

Family

ID=75594684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110125530.9A Active CN112723904B (zh) 2021-01-29 2021-01-29 SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112723904B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113481603B (zh) * 2021-08-02 2022-08-26 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种pvt法碳化硅晶体生长原料的制备方法
CN113372121A (zh) * 2021-08-03 2021-09-10 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种利用废弃石墨坩埚制备多孔SiC的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001181066A (ja) * 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化ケイ素系多孔体及び同多孔体とアルミニウムの複合材料
JP2001247381A (ja) * 2000-03-02 2001-09-11 Sumitomo Electric Ind Ltd ＳｉＣ系多孔体及びその製造方法
CN105016773B (zh) * 2015-07-31 2017-06-27 西安交通大学 反应烧结及微氧化处理制备多孔碳化硅陶瓷的方法
JP2018135224A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 一般財団法人ファインセラミックスセンター 炭化珪素焼結体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112723904A (zh) 2021-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112723904B (zh) SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体
CN112759414A (zh) 一种多孔陶瓷雾化芯及其制备方法和电子烟
CN101544851B (zh) 一种金属结合剂空心球形超硬复合材料及其制造方法
CN101913878B (zh) 一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件的方法
CN101434488B (zh) 一种以磷酸盐为烧结助剂的氮化硅基复合陶瓷及制备方法
CN102225764B (zh) 碳化钽粉体的制备方法
CN111675541A (zh) 一种含碳max相材料的制备方法
CN109320251B (zh) 一种高性能无压烧结碳化硅复合陶瓷的制备方法
CN103979507A (zh) 一种利用高气压和氟化物添加剂辅助制备球形氮化铝粉体的方法
CN109467436A (zh) 一种碳化硼陶瓷球及其制备方法
EP2456733A2 (en) Methods of forming sintered boron carbide
JP3285620B2 (ja) 透光性イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法
CN103058192A (zh) 一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法
CN106032323B (zh) 一种以TiAl粉体为原料的Ti2AlC陶瓷粉体制备方法
KR20100008125A (ko) 균일한 육방정계 질화붕소를 대량으로 합성하는 제조방법
CN106747468A (zh) 用于气雾化钛及钛合金粉末的导液管材料及其制备方法
CN108996483B (zh) 一种燃烧合成氮化硅粉体的方法
JPH11269302A (ja) 樹脂製品の熱伝導性向上用充填剤及びその製造方法
CN105906346A (zh) 一种凝胶注模制备MgAlON透明陶瓷小球的方法
CN103298983A (zh) 坩埚
JP2578022B2 (ja) 結晶質窒化ケイ素粉末の製造法
CN112707731A (zh) 一种提纯多晶硅使用的石墨坩埚
JPH01131066A (ja) 常圧焼結窒化硼素系成形体
JPS6337067B2 (zh)
KR102281102B1 (ko) 탄화규소 소결체 제조방법 및 이로부터 제조된 탄화규소 소결체

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant