CN112723904B - SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及碳化硅烧结体技术领域,具体而言,涉及SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体。SiC多孔烧结体的制备方法包括:将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒并压制成型后进行加热固化,而后再进行煅烧。该制备方法在原料合成形成SiC的过程中直接形成具有晶体生长的多孔结构,使得形成的SiC多孔烧结体可以直接用于物理气相沉积生长晶体,可以避免进行粉料填装以及二次烧结等工序,提高了生产产率。
Description
技术领域
本发明涉及碳化硅烧结体技术领域,具体而言,涉及SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体。
背景技术
碳化硅单晶材料属于第三代宽带隙半导体材料的代表,具有宽禁带、高热导率、高击穿电场以及高抗辐射能力等特点。目前,碳化硅单晶生长以物理气相沉积法(PVT)为主要生长方式,该生长方式已经被证明是SiC晶体最成熟的生长方法。其操作一般是:将SiC粉料加热到2300℃左右,在氩气等惰性气体的气氛下,使得SiC升华结晶形成块状晶体,而在此晶体生长需要合适堆积密度的高纯SiC粉体作为源。目前,规模化生产的SiC粉体的通用方法是用Si粉和C粉混合,而后通过自蔓延合成方法生成SiC粉体。该方法生产出的粉体粒度均匀,但若直接用于晶体生长的话,容易在晶体中产生包裹物。所以在进行物理气相沉积法生长晶体之前,需要对SiC粉体进行预烧结,预烧后的粉体结成块状,而后该块状的物料则可以用于物理气相沉积法生长晶体。该方法处理后的粉体可以较好的避免碳包裹物在晶体中的产生。
综上所述,可以看出现有技术利用物理气相沉积法生长晶体时,需要先制备好SiC粉体后,再对SiC粉体进行预烧结,而后才能进行物理气相沉积生长晶体,该过程操作繁琐,需要进行粉料填装以及二次烧结等过程。
鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体。本发明实施例提供的制备方法,在原料合成形成SiC的过程中直接形成具有晶体生长的多孔结构,使得形成的SiC多孔烧结体可以直接用于物理气相沉积生长晶体,可以避免进行粉料填装以及二次烧结等工序,提高了生产产率。
本发明是这样实现的:
第一方面,本发明提供一种SiC多孔烧结体的制备方法,包括:将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒并压制成型后进行加热固化,而后再进行煅烧。
在可选的实施方式中,加热固化的条件为:温度为200-400℃,时间为0.5-5小时。
在可选的实施方式中,煅烧的条件为:温度为2000-2500℃,时间为0.5-5小时。
在可选的实施方式中,所述碳粉和所述硅粉的粒径均为10微米-2毫米。
在可选的实施方式中,所述粘结剂为水溶性树脂,优选为聚乙烯醇树脂。
在可选的实施方式中,混合造粒前,将所述粘结剂与溶剂混合形成粘结剂溶液;
优选地,所述粘结剂溶液的固含量为8-10%。
在可选的实施方式中,所述硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:1-3。
在可选的实施方式中,混合造粒的过程包括:将所述硅粉和所述碳粉混合均匀磨后,均匀喷洒所述粘结剂溶液,得到粒径均一的球粒;
优选地,所述球粒的粒径为1-3毫米;
优选地,压制成型后得到的形状为圆柱形、圆饼形、环形以及块状。
第二方面,本发明提供一种SiC多孔烧结体,其通过前述实施方式任一项所述的SiC多孔烧结体的制备方法制备得到。
第三方面,本发明提供一种SiC晶体,其采用物理气相沉积法直接利用前述实施方式所述SiC多孔烧结体做为生长原料生长SiC晶体。
本发明具有以下有益效果:本发明实施例通过将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒、成型后再进行加热固化和煅烧,使得碳粉和硅粉在形成SiC的同时使得该SiC内形成适宜晶体生长的间隙,保证SiC内多孔结构的形成,继而使得形成的SiC可以直接用于物理气相沉积生长晶体,且生长形成的晶体性能良好,而无须再进行粉料的填装和预烧结,简化了SiC晶体生长的工序,提高了生产效率。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本实施例提供一种SiC多孔烧结体的制备方法,包括:
将粘结剂与溶剂混合形成粘结剂溶液;选择的溶剂为水,且粘结剂溶液的固含量为8-10%,例如为8%、8.5%、9%、9.2%、9.5%、9.6%、9.8%以及10%等8-10%之间的任意数值。且粘结剂为水溶性树脂,优选为聚乙烯醇树脂。其中,固含量指的是粘结剂在粘结剂溶液中的质量含量。
采用聚乙烯醇作为粘结剂能够有效保证其粘结效果,同时,能够避免粘结剂对多孔结构的形成造成影响,也减少粘结剂对SiC多孔烧结体的性能的影响。
而后将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒,具体地,将所述硅粉和所述碳粉加入球磨机内进行球磨混合均匀,而后将上述粘结剂溶液均匀喷洒如球磨机内,喷洒的同时,球磨机正常运转,继而保证粘结剂均匀作用于硅粉和碳粉的混合物料上,继而得到粒径均一的球粒,形成的球粒的平均粒径为1-3毫米,例如为1毫米、1.5毫米、2毫米、2.5毫米以及3毫米等1-3毫米之间的任意数值。
控制碳粉、硅粉和粘结剂造粒后形成的球粒的粒径,有利于后续的造型,也有利于后续烧结过程中多孔结构的形成。
其中,碳粉和所述硅粉的粒径均为10微米-2毫米(例如为10微米、20微米、30微米、40微米、50微米、80微米、100微米、110微米、130微米、150微米、180微米、190微米以及200微米等10微米-2毫米的任意数值),控制碳粉和硅粉的粒径有利于碳粉和硅粉的混合均匀,也有利于造粒,控制得到的球粒的粒径。
进一步地,硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:1-3(例如,为7:3:1、7:3:1.5、7:3:2、7:3:2.5以及7:3:3之间的任意数值)。控制硅粉、碳粉以及粘结剂溶液的质量比能够有利于后续烧结形成SiC的时候形成多孔结构,继而有利于保证形成的SiC多孔烧结体的性能。
接着,将上述球粒倒入模具中压制成型,该模具可以是圆柱,圆饼,环状或块形,继而使得成型后的物料为圆柱形、圆饼形、环形以及块状。可以理解的是,上述压制成型的形状仅仅是本发明实施例的举例,其他形状也可以,也在本发明实施例的保护范围内。
而后,将压制成型的物料进行加热固化定型,具体地,加热固化的条件为:温度为200-400℃,时间为0.5-5小时。例如温度为200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃、260℃、270℃、280℃、290℃、300℃、310℃、320℃、330℃、340℃、350℃、360℃、370℃、380℃、390℃以及400℃等200-400℃之间的任意数值,时间为0.5小时、1小时、1.5小时、2小时、2.5小时、3小时、3.5小时、4小时、4.5小时以及5小时等0.5-5小时之间的任意数值。加热固化定型有利于后续的烧结,继而有利于形成SiC多孔烧结体。
进一步地,将定型后的物料进行烧结,具体地,在真空状态下,在温度为2000-2500℃的条件烧结0.5-5小时。例如,温度为2000℃、2100℃、2150℃、2200℃、2250℃、2300℃、2350℃、2400℃、2450℃以及2500℃等2000-2500℃之间的任意数值,时间为0.5小时、1小时、1.5小时、2小时、2.5小时、3小时、3.5小时、4小时、4.5小时以及5小时等0.5-5小时之间的任意数值。
采用上述烧结条件,有利于碳粉和硅粉进行反应形成碳化硅,也有利于在进行反应形成碳化硅的同时,形成适宜晶体生长的多孔结构,继而使得形成的SiC多孔烧结体可以直接用于物理气相沉积生长晶体,可以避免进行粉料填装以及二次烧结等工序。
本发明实施例还提供一种SiC多孔烧结体,其通过前述实施方式任一项所述的SiC多孔烧结体的制备方法制备得到。
本发明提供一种SiC晶体,其采用物理气相沉积法直接利用前述实施方式所述的所述SiC多孔烧结体形成SiC晶体。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体的制备方法,包括:
S1、造粒:
将硅粉(纯度为9N)和碳粉以质量比7/3在球磨罐中混合1小时。硅粉和碳粉充分混合均匀后,将固含量为10%的聚乙烯醇水溶液作为粘接剂均匀喷入旋转的球磨罐中,控制溶液的喷入速率,得到粒径一致的粉料混合球体料。完成造粒工序,完成的粒径为1-3mm球粒。其中,硅粉:碳粉:聚乙烯醇水溶液的质量比为7:3:2。
S2、压制成型:
将上述制成的球粒倒入磨具中。模具为方形即形成块状物料。将模具放置在震动台上,经过20min震动,使球粒充分接触并分布均匀。
S3、固化定型:
将经过充分震动密实的模具放入烘箱中,升温至250℃烘烤1小时,形成定型后的块状物。
S4、煅烧:
将上述定型好的块状物装入真空烧结炉中,将在真空状态下将温度升至2000℃,保持1小时完成烧结。降温后取出得到带有稳定空隙的高纯SiC块即SiC多孔烧结体。
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体,其通过上述方法制备得到。
实施例2
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体的制备方法,包括:
S1、造粒:
将硅粉(纯度为9N)和碳粉以质量比7/3在球磨罐中混合1小时。硅粉和碳粉充分混合均匀后,将固含量为8%的聚乙烯醇水溶液作为粘接剂均匀喷入旋转的球磨罐中,控制溶液的喷入速率,得到粒径一致的粉料混合球体料。完成造粒工序,完成的粒径为1-3mm球粒。其中,硅粉:碳粉:聚乙烯醇水溶液的质量比为7:3:3。
S2、压制成型:
将上述制成的球粒倒入磨具中。模具为圆柱形。将模具放置在震动台上,经过15min震动,使球粒充分接触并分布均匀。
S3、固化定型:
将经过充分震动密实的模具放入烘箱中,升温至400℃烘烤0.5小时,形成定型后的圆形物料。
S4、煅烧:
将上述定型好的块状物装入真空烧结炉中,将在真空状态下将温度升至2500℃,保持0.5小时完成烧结。降温后取出得到带有稳定空隙的高纯SiC块即SiC多孔烧结体。
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体,其通过上述方法制备得到。
实施例3
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体的制备方法,包括:
S1、造粒:
将硅粉(纯度为9N)和碳粉以质量比7/3在球磨罐中混合1小时。硅粉和碳粉充分混合均匀后,将固含量为9%的聚乙烯醇水溶液作为粘接剂均匀喷入旋转的球磨罐中,控制溶液的喷入速率,得到粒径一致的粉料混合球体料。完成造粒工序,完成的粒径为1-3mm球粒。其中,硅粉:碳粉:聚乙烯醇水溶液的质量比为7:3:1。
S2、压制成型:
将上述制成的球粒倒入磨具中。模具为圆柱形。将模具放置在震动台上,经过20min震动,使球粒充分接触并分布均匀。
S3、固化定型:
将经过充分震动密实的模具放入烘箱中,升温至200℃烘烤5小时,形成定型后的圆形物料。
S4、煅烧:
将上述定型好的块状物装入真空烧结炉中,将在真空状态下将温度升至2300℃,保持5小时完成烧结。降温后取出得到带有稳定空隙的高纯SiC块即SiC多孔烧结体。
本发明实施例提供一种SiC多孔烧结体,其通过上述方法制备得到。
对比例1:
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体,区别在于加热固化定型的温度为100℃,得到的SiC多孔烧结体有裂纹,该SiC多孔烧结体不能直接用于物理气相沉积形成SiC晶体。
对比例2:
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体,区别在于:硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:5。形成的SiC烧结体碳化。
对比例3:
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体,区别在于:粘结剂为环氧树脂,制备得到的烧结体容易开裂。
对比例4:
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体,区别在于:加热固化定型的温度为500℃,制备得到的烧结体容易开裂。
对比例5:
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体,区别在于:煅烧的温度为2000℃,制备得到的烧结体容易开裂。
对比例6:
参照实施例1提供的SiC多孔烧结体的制备方法制备SiC多孔烧结体,区别在于:硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:1,制备得到的烧结体容易开裂。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种SiC晶体的制备方法,其特征在于,包括:采用物理气相沉积法直接利用SiC多孔烧结体做为生长原料生长SiC晶体;
其中,所述SiC多孔烧结体的制备方法包括:将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒并压制成型后进行加热固化,而后再进行煅烧;
所述粘结剂为聚乙烯醇树脂;
混合造粒前,将所述粘结剂与溶剂混合形成粘结剂溶液;
所述粘结剂溶液的固含量为8-10%;
加热固化的条件为:温度为200-400℃,时间为0.5-5小时;
煅烧的条件为:温度为2500℃,时间为0.5-5小时;
所述硅粉、所述碳粉和所述粘结剂溶液的质量比为7:3:3。
2.根据权利要求1所述的SiC晶体的制备方法,其特征在于,所述碳粉和所述硅粉的粒径均为10微米-2毫米。
3.根据权利要求1所述的SiC晶体的制备方法,其特征在于,混合造粒的过程包括:将所述硅粉和所述碳粉混合均匀后,均匀喷洒所述粘结剂溶液,得到粒径均一的球粒。
4.根据权利要求3所述的SiC晶体的制备方法,其特征在于,所述球粒的粒径为1-3毫米。
5.根据权利要求1所述的SiC晶体的制备方法,其特征在于,压制成型后得到的形状为圆柱形、圆饼形、环形以及块状。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110125530.9A CN112723904B (zh) | 2021-01-29 | 2021-01-29 | SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110125530.9A CN112723904B (zh) | 2021-01-29 | 2021-01-29 | SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112723904A CN112723904A (zh) | 2021-04-30 |
CN112723904B true CN112723904B (zh) | 2023-05-23 |
Family
ID=75594684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110125530.9A Active CN112723904B (zh) | 2021-01-29 | 2021-01-29 | SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112723904B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113481603B (zh) * | 2021-08-02 | 2022-08-26 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 | 一种pvt法碳化硅晶体生长原料的制备方法 |
CN113372121A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-09-10 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 | 一种利用废弃石墨坩埚制备多孔SiC的方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001181066A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化ケイ素系多孔体及び同多孔体とアルミニウムの複合材料 |
JP2001247381A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | SiC系多孔体及びその製造方法 |
CN105016773B (zh) * | 2015-07-31 | 2017-06-27 | 西安交通大学 | 反应烧结及微氧化处理制备多孔碳化硅陶瓷的方法 |
JP2018135224A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター | 炭化珪素焼結体の製造方法 |
-
2021
- 2021-01-29 CN CN202110125530.9A patent/CN112723904B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112723904A (zh) | 2021-04-30 |
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