CN1127095C - 电阻器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种电阻器及其制造方法，其特征在于，在基片11上设置电极12，在电极12之间设置主电阻体13。在主电阻体13的部分区段设置粗调用第1梯子形电阻支路，它由与该主电阻体13平行的第1梯条14和连接该第1梯条14并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路15构成。在主电阻体13的部分区段设置微调用第2梯子形电阻支路，它由从主电阻体13垂直方向延伸出去的第2梯条16和连接该第二梯条16的第2连接电阻支路17构成。

Description

电阻器及其制造方法
本发明涉及电子设备中使用的电阻器及其制造方法。
一般，矩形片式电阻器等利用厚膜浆料印刷及烧结的厚膜工艺或蒸发、溅射工艺形成电极及电阻体，然后利用激光等将该电阻切割成所希望的电阻值。在用激光切割电阻体时，刻槽周围的电阻体将因激光热量而受损伤，导致负荷特性或脉冲特性的恶化。为此也考虑采用这样的方法，即在电阻体的部分区段设置梯子形电阻支路，通过切断该梯子横条(以下简称梯条)，调整所希望的电阻值。
下面就采用现有的梯子形电阻支路的电阻器加以说明。
采用现有的梯子形电阻支路的电阻器在特开昭60-163402号中已经知道。图19为现有电阻器的平面图。在图19中，1为由氧化铝构成的基片。2为由镍铬-金构成的电极，从基片1上面两侧一直分布到侧面和反面。3、4、5为在基片1表面的电极2之间形成的由钽薄膜构成的电阻体。3为主电阻体，4及5为梯子形电阻支路，其梯条与主电阻体3平行，梯子形电阻支路5的电阻宽度比梯子形电阻支路4的电阻宽度设计得要宽。6为用激光切断梯子形电阻支路的梯条时形成的刻槽。
下面说明现有上述构成电阻器的制造方法。
首先，用通常的磁控管溅射装置，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片1的两端生成钽薄膜电阻体和镍铬-金电极图形薄膜。
接着，在利用光刻技术形成电阻体及电极图形后，进行1小时350℃的热处理。
然后，用激光切断梯子形电阻支路4的梯条进行电阻值粗调，直至达到用梯子形电阻支路5能进行电阻值微调的电阻值为止。
最后，激光切断比梯子形电阻支路4的电阻宽度要宽、切断梯条时的电阻值增加较小的梯子形电阻支路5的梯条，进行电阻值微调，得到具有所希望的电阻值的电阻器。
具有这种梯子形电阻支路的电阻体图形，通过用激光不断地切断梯子形电阻支路的梯条，就可以不连续地调整电阻值，而且由于电流不流过因激光热量而受损伤的刻槽的周围部分，因此提高了负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性。
但是，按照上述现有的构成，为了进行高精度调阻，必须使梯子形电阻支路的电阻宽度比主电阻体的电阻宽度要宽，使切断电阻体的梯条时的电阻值变化较小。然而，例如对于±5％以下的高精度，就必须使梯子形电阻支路的电阻宽度比主电阻体的电阻宽度要大得多，特别是在小型片式电阻器中，将使梯子形电阻支路的梯条间隔小到难以制造的程度；或者必须减少梯条的数量，这样仅仅利用梯子形电阻支路的激光切割调阻，事实上很难进行高精度调阻。人们要求电阻器的电阻宽度与现有的梯子形电阻支路的电阻宽度基本相同，且能高精度调阻，并具有优越的负荷特性，耐浪涌性和耐脉冲性。
本发明的目的在于提供能高精度调阻、并具且优越的负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。
  为了解决这一问题，本发明构成的电阻器具有这样的电阻体图形，即具有电阻值粗调用、且梯条与主电阻体平行设置的第1梯子形电路支路或与主电阻体垂直切割进行调阻的第1调阻用电阻支路；和具有能高精度调阻、且梯条沿主电阻体垂直方向延伸出去的第二梯子形电阻支路或与主电阻体平行切割进行调阻的第2调阻用电路支路。
本发明第1方面的电阻器，它包含基片、在该基片上面两端部分设置的一对电极、在该电极间进行电连接的主电阻体、和设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路，其特征在于，还包含设置在该主电阻体另一部分区段且梯条从上述主电阻体沿垂直方向延伸出去的第2梯子形电阻支路。在调阻时，第1梯子形电阻支路作为电阻值粗调用，第2梯子形电阻支路作为电阻值微调用，能高精度调阻，而且由于电流不流过为调整电阻值而采用激光调阻造成的损伤部位，所以能提高负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性。
本发明第2方面的电阻器，在第1方面的电阻器的基础上，其特征在于，连接第2梯子形电阻支路梯条的电阻体的电阻宽度比主电阻体的电阻宽度要窄。在进行电阻值微调而切断第2梯子形电阻支路时的电阻值变化比权利要求1所述的电阻体要小，所以在具有权利要求1所述的作用同时，能更高精度调阻。
本发明第3方面的电阻器，在第1方面的电阻器基础上，其特征在于，连接第2梯子形电阻支路梯条的电阻体的电阻率比主电阻体的电阻率要高。在进行电阻值微调而切断第2梯子形电阻支路时的电阻值变化比权利要求1所述的电阻器要小，所以在具有权利要求1所述的作用同时，能更高精度调阻。
本发明第4方面的电阻器，在第1方面的电阻器基础上，其特征在于，主电阻体呈蛇行形状，使第1梯子形电阻支路所在的主电阻体部分垂直于第2梯子形电阻支路所在的主电阻部分。在具有第1方面的电阻器所述的作用同时，电阻体图形能小型化，由于电阻体在基片的大范围内产生热量，所以该图形能有效地使用基片来散热，因此能更进一步提高负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性。
本发明第5方面的电阻器，在第1方面的电阻器基础上，其特征在于，第2梯子形电阻支路的梯条由导体构成。在进行调阻而切断第2梯子形电阻支路时，导体切断数与电阻值变化成比例，所以在具有第1方面的电阻器所述的作用同时，能方便地调阻。
本发明第6方面的电阻器，它包含基片、在该基片上面两端部分设置的一对电极、在该电极间进行电连接的主电阻体、设置在该主电阻体部分区段、从该主电阻体部分区段垂直向上延伸且刻槽与主电阻体垂直的第1调阻用电阻支路，其特征在于，还包含设置在该主电阻体另一部分区段、与该主电阻体成一体地沿该主电阻体延伸且刻槽与上述主电阻体平行的第2调阻用电阻支路。在调阻时，第1调阻用电阻支路作为电阻值粗调用，第2调阻用电阻支路作为电阻值微调用，由于调阻精度与激光切割距离的调节精度有关，因此能极高精度调阻。而且由于该电阻体图形的电阻体长度较长，因此电能损耗不集中在因调阻的激光热量而导致电阻体的损伤部位，所以具有优越的负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性。
本发明第7方面的电阻器，在第6方面的电阻器基础上，其特征在于，主电阻体呈蛇行形状，使第1及第2调阻用电阻支路的刻槽处于同一方向。在具有第6方面的电阻器所述的作用同时，电阻体图形能小型化。
本发明第8方面的电阻器，在第6或第7方面的电阻器的基础上，其特征在于。第1及第2调阻用电阻支路的电阻宽度比主电阻体的电阻宽度要宽。在具有第6及第7方面的电阻器所述的作用同时，更能够减轻集中在因激光热量而造成的电阻体损伤部位的电能消耗，因此能进一步提高负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性。
本发明第9方面的电阻器，它包含基片、在该基片上面两端部分设置的一对电极、在该电极间进行电连接的主电阻体、设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路，其特征在于，还包含设置在该主电阻体另一部分区段、与该主电阻体成一体地沿该主电阻体延伸且刻槽与上述主电阻体平行的第2调阻用电阻支路。在调阻时，第1梯子形电阻支路作为电阻值粗调用，第2调阻用电阻支路作为电阻值微调用，由于利用调阻用电阻支路的调阻精度与激光切割距离的调节精度有关，因此能极高精度调阻，而且电流不流过第1梯子形电阻支路中由于激光调阻热量而造成的电阻体损伤部位，第2调阻用电阻支路中不集中消耗电能，所以具有优越的负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性。
本发明第10方面的电阻器，在第9方面的电阻器基础上，其特征在于，主电阻体呈蛇行形状，使第1梯子形电阻支路的梯条与第2调阻用电阻支路的刻槽相互垂直。在具有第7方面的电阻器所述的作用同时，电阻体图形能小型化。
本发明第11方面的电阻器，其特征在于，它由基片、在该基片上面两端部分设置的一对电极、在该电极间进行电连接的呈蛇行形状的主电阻体和设置在该主电阻体部分区段且2条刻槽与该主电阻体部分区段垂直的第1调阻用电阻支路构成。在具有第6方面的电阻器所述的作用同时，电阻体图形能小型化。
本发明第12方面是一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两端部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体，设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路和设置在该主电阻体另一部分区段且梯条从所述主电阻体沿垂直方向延伸出去的第2梯子形电阻支路；从第1梯子形电阻支路靠近电阻体的一边开始依次切断梯条进行电阻值粗调；从第2梯子形电阻支路任一边开始依次切断梯条进行电阻值微调。通过该方法将第1、2及4方面所述的电阻器调整为所希望的电阻值，完成实际制造。
本发明第13方面是一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两端部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体，设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路和沿上述主电阻体垂直方向延伸出去的梯条；用比上述电阻体的电阻率要高的电阻体连接从上述主电阻体垂直延伸出去的梯条；生成构成第2梯子形电阻支路的电阻体；从第1梯子形电阻支路靠近主电阻体的一边开始依次切断梯条进行电阻值粗调；从第2梯子形电阻支路任一边开始依次切断梯条进行电阻值微调。通过该方法将第3方面所述的电阻器调整为所希望的电阻值，完成实际制造。
本发明第14方面是一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两端部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体和设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路；生成与上述主电阻体平行且独立的第2电阻体；用导体生成连接第2电阻体与主电阻体并构成第2梯子形电阻支路的梯条；从第1梯子形电阻支路靠近主电阻体的一边开始依次切断梯条进行电阻值粗调；从第2梯子形电阻支路任一边开始依次切断梯条进行电阻值微调。通过该方法将第5方面所述的电阻器调整为所希望的电阻值，完成实际制造。
本发明第15方面是一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两端部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体，设置在该主电阻体部分区段、从该主电阻体部分区段垂直向上延伸且与主电阻体垂直切割调阻的第1调阻用电阻支路和设置在该主电阻体另一部分区段、与该主电阻体成一体地沿该主电阻体延伸且与上述主电阻体平行切割调阻的第2调阻用电阻支路；从靠近主电阻体一边开始沿垂直于主电阻体的方向切割第1调阻用电阻支路进行电阻值粗调；从任一边开始与主电阻体平行切割第2调阻用电阻支路进行电阻值微调。通过该方法将第6、7或8方面所述的电阻器调整为所希望的电阻值，完成实际制造。
本发明第16方面是一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两侧部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体，设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路和设置在该主电阻体另一部分区段、与该主电阻体成一体地沿该主电阻体延伸且与上述主电阻体平行切割调阻的第2调阻用电阻支路；从第1梯子形电阻支路靠近主电阻体的一边开始依次切断梯条进行电阻值粗调；从任一边开始与主电阻体平行切割第2调阻用电阻支路进行电阻值微调。通过该方法将第9或10方面所述的电阻器调整为所希望的电阻值，完成实际制造。
本发明第17方面是一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两侧部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的呈蛇行形状的主电阻体和设置在该主电阻体部分区段且与该主电阻体部分区段垂直切割调阻的第1调阻用电阻支路；从靠近该主电阻体部分区段一边开始沿垂直于该主电阻体部分区段的方向切割第1调阻用电阻支路进行电阻值粗调；从靠近该主电阻体部分区段一边开始沿垂直于该主电阻体部分区段的方向切割第1调阻用电阻支路进行电阻值微调。通过该方法将第11方面所述的电阻器调整为所希望的电阻值，完成实际制造。
附图说明
图1为本发明实施形态1的电阻器平面图。
图2为图1所示电阻器的工艺图。
图3为本发明实施形态2的电阻器平面图。
图4为图3所述电阻器的工艺图。
图5为本发明实施形态3的电阻器平面图。
图6为图5所示电阻器的工艺图。
图7为本发明实施形态4的电阻器平面图。
图8为图7所示电阻器的工艺图。
图9为本发明实施形态5的电阻器平面图。
图10为图9所示电阻器的工艺图。
图11为本发明实施形态6的电阻器平面图。
图12为图11所示电阻器的工艺图。
图13为本发明实施形态7的电阻器平面图。
图14为图13所示电阻器的工艺图。
图15为本发明实施形态8的电阻器平面图。
图16为图15所示电阻器的工艺图。
图17为本发明实施形态9的电阻器平面图。
图18为图17所示电阻器的工艺图。
图19为现有的电阻器平面图。
下面参照附图说明本发明的实施形态。
实施形态1
图1为本发明实施形态1的在电阻体中含有梯子形电阻支路的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为由银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为在电极12之间形成的主电阻体。14为与主电阻体13平行设置的第1梯条。15为连接第1梯条14、并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路。利用第1梯条14和第1连接电阻支路15构成梯条与主电阻体13平行的第1梯子形电阻支路。16为从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯条。17为连接第2梯条16的第2连接电阻支路。利用第2梯条16和第2连接电阻支路17构成梯条从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯子形电阻支路。13、14、15、16、17由氧化钌等电阻体构成。18为电阻值粗调时用激光切断第1梯条而形成的第1刻槽。19为电阻值微调时用激光切断第2梯条而形成的第2刻槽。
上述构成的本发明实施形态1的电阻器，其电阻体中含有梯子形电阻支路，下面说明该电阻器的制造方法。
图2为本发明实施形态1的电阻体中含有梯子形电阻支路的电阻器工艺图。
首先，如图2(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12。
接着，如图2(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，该电阻体包括：在电极12之间相连的主电阻体13，与主电阻体13平行设置的第1梯条14，连接第1梯条14并与与主电阻体13相连的第1连接电阻支路15，从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯条16和连接第2梯条16的第2连接电阻支路17。再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图2(c)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光依次切断第1梯条14进行电阻值粗调，直至达到通过切断微调用第2梯条16能调整为所希望电阻值的范围为止。
最后，如图2(d)所示，从任一边开始用激光依次切断第2梯条16进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻器。
梯子形电阻支路梯条的切断条数将因电阻器而异。
上述构成并制造的本发明实施形态的电阻器，其电阻体中含有梯子形电阻支路，下面说明该电阻器的作用。
在从靠近主电阻体13一边开始切断作为第1梯子形电阻支路梯条的第1梯条14时，电阻体长度大大增加，电阻值上升较大，所以适合于电阻值粗调。在切断作为第2梯子形电阻支路梯条的第2梯条16时，电阻体长度不增加，而电阻宽度仅少量减少，因此电阻值上升较小，而且梯条切断数与电阻值的上升基本成比例，因此能很容易预测出梯条切断后的电阻值，所以适合于电阻值微调。例如，通过切断第1梯条14进行电阻值粗调，达到所希望电阻的-10％～-5％附近，接着可以通过切断第2梯条16调整电阻值，达到所希望电阻值的±1％～±2％，这种梯子形电阻图形的宽度和间隔容易制造，利用这种梯子形电阻图形能更高精度调阻。
另外，由于用激光将梯子形电阻支路的梯条完全切断，因此电流不流过激光热量而受损伤的部位，所以可以得到具有优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。
再有，如果使第2连接电阻支路17的电阻宽度比主电阻体的电阻宽度要窄，则切断时的电阻值上升能更小，能更高精度调阻。
实施形态2
图3为本发明实施形态2的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为在电极12之间形成的主电阻体。14为主电阻体13平行设置的第1梯条。15为连接第1梯条14、并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路。利用第1梯条14和第1连接电阻支路15构成梯条与主电阻体13平行的第1梯子形电阻支路。16为从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯条。17为连接第2梯条16的第2连接电阻支路。利用第2梯条16和第2连接电阻支路17构成梯条从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯子形电阻支路。13、14、15、16由氧化钌等电阻体构成。17由高电阻率的氧化钌等电阻体构成，其电阻率比主电阻体13的电阻率还要高。18为电阻值粗调时用激光切断第1梯条而形成的第1刻槽。19为电阻值微调时用激光切断第2梯条而形成的第2刻槽。
下面说明上述构成的电阻器的制造方法。
图4为本发明实施形态2的电阻器工艺图。
首先，如图4(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12。
接着，如图4(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，该电阻体包括在电极12之间相连的主电阻体13、与主电阻体13平行设置的第1梯条14、连接第1梯条14并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路15和从电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯条16。
接着，如图4(c)所示，用比主电阻体13的电阻率更高的氧化钌系釉电阻浆料印刷连接第2梯条16的第2连接电阻支路17，再用传送带烧结经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图4(d)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光依次切断第1梯条14进行电阻值粗调，直至达到通过切断微调用第2梯条16能进行调阻的范围为止。
最后，如图4(e)所示，从任一边开始用激光依次切断第2梯条16进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻器。
梯子形电阻支路梯条的切断条数将因电阻器而异。
下面说明上述构成并制造的电阻器的作用。
与实施形态1所示的电阻器相同，通过组合使用粗调和微调梯子形电阻支路，能高精度调阻，并能得到具有优越负荷特性。耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。同时在用激光切断作为第2梯子形电阻支路梯条的第2梯条16时，电阻值的上升比实施形态1所示的电阻器还要小，因此能更高精度进行电阻值微调。
实施形态3
图5为本发明实施形态3的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为由银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为在电极12之间形成的呈蛇行形状的主电阻体，使第1梯子形电阻支路与第2梯子形电阻支路的梯条处于同一方向。14为与主电阻体13平行设置的第1梯条。15为连接第一梯条14、并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路。利用第1梯条14和第1连接电阻支路15构成梯条与主电阻体13平行的第1梯子形电阻支路。16为从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯条。17为连接第2梯条16的第2连接电阻支路。利用第2梯条16和第2连接电阻支路17构成梯条从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯子形电阻支路。呈蛇形状的主电阻体13使得第1梯子形电阻支路所在的主电阻体与第2梯子形电阻支路所在的主电阻体垂直。13、14、15、16、17由氧化钌等电阻体构成。18为电阻值粗调时用激光切断第1梯条而形成的第1刻槽。19为电阻值微调时用激光切断第2梯条而形成的第2刻槽。
下面说明上述构成的电阻器的制造方法。
图6为本发明实施形态3的电阻器工艺图。
首先，如图6(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12。
接着，如图6(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，该电阻体是将电极12之间实施形态1所示电阻体的主电阻体13加以变形、使第1梯子形电阻支路和第2梯子形电阻支路的梯条处于同一方向而构成。再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图6(c)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光依次切断第1梯条14进行电阻值粗调，直至达到通过切断微调用第2梯条16能调整为所希望电阻值的范围为止。
最后，如图6(d)所示，从任一边开始用激光依次切断第2梯条16进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻器。
梯子形电阻电路梯条的切断条数将因电阻器而异。
下面说明上述构成并制造的电阻器的作用。
与实施形态1所示的电阻器相同，通过组合使用粗调和微调梯子形电阻支路，能高精度调阻，并能得到具有优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。另外，它虽然与实施形态1所示的电阻器在电路上是等效的，但其占用面积的梯子形电阻支路在基片上布置时能充分高效率地利用面积，所以比实施形态1所示的电阻器能设计成更小的面积，能制造出更小型的电阻器。
实施形态4
图7为本发明实施形态4的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为由银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为电极12之间形态的主电阻体。14为与主电阻体13平行设置的第1梯条。15为连接第1梯条14、并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路。利用第1梯条14和第1连接电阻支路15构成梯条与主电阻体13平行的第1梯子形电阻支路。16为从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯条。17为连接第2梯条16的第2连接电阻支路。利用第2梯条16和第2连接电阻支路17构成梯条从主电阻体13沿垂直方向延伸出去的第2梯子形电阻支路。13、14、15、17由氧化钌等电阻体构成。16由银、银-钯、铜、金等导体构成。18为电阻值粗调时用激光切断第1梯条而形成的第1刻槽。19为电阻值微调时用激光切断第2梯条而形成的第2刻槽。
下面说明上述构成的电阻器的制造方法。
图8为本发明实施形态4的电阻器工艺图。
首先，如图8(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12及导体构成的第2梯条16，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12及导体构成的第2梯条16。
接着，如图8(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，所述电阻体包括在电极12之间相连的主电阻体13、与主电阻体13平行设置的第1梯条14、连接第1梯条14并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路15和连接由导体构成的第2梯条16的第2连接电阻支路17，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图8(c)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光依次切断第1梯条14进行电阻值粗调，直至达到通过切断微调用第2梯条16能进行调阻的范围为止。
最后，如图8(d)所示，从任一边开始用激光依次切断第2梯条16进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻器。
梯子形电阻支路梯条的切断条数将因电阻器而异。
下面说明上述构成并制造的电阻器的作用。
与实施形态1所示的电阻器相同，通过组合使用粗调和微调梯子形电阻支路，能高精度调阻，并能得到具有优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。同时在用激光切断第2梯条16时，第二梯子形电阻支路的电阻宽度的减少是固定的，因此第2梯条16的切断数与电阻值变化成比例，所以能高精度地预测切断后的电阻值变化，使得调阻变得很容易。
实施形态5
图9为本发明实施形态5的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为由银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为在电极12之间形成的主电阻体。20为与主电阻体13垂直形成第1刻槽18的第1调阻用电阻支路。该第1调阻用电阻支路20从主电阻体13垂直向上延伸形成。21为与主电阻体13平行形成第2刻槽19的第2调调用电阻支路。该第2调阻用电阻支路21与主电阻体13成一体地沿主电阻体13延伸形成。18为电阻值粗调时用激光与主电阻体13垂直切割第1调阻用电阻支路而形成的第1刻槽。19为电阻值微调时用激光与主电阻体13平行切割第2调阻用电阻支路而形成的第2刻槽。13、20、21由氧化钌等电阻体构成。
下面说明上述构成的电阻器的制造方法。
图10为本发明实施形态5的电阻器工艺图。
首先，如图10(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12。再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12。
接着，如图10(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，该电阻体包括在电极12之间相连的主电阻体13、15主电阻体13垂直形成第1刻槽18的电阻值粗调用第1调阻用电阻支路20和与主电阻体13平行形成第2刻槽19的电阻值微调用第2调阻用电阻支路21，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图10(c)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光切割第1调阻用电阻支路20进行电阻值粗调，直至达到通过切割微调用第2调阻用电阻支路21能调整为所希望电阻值的范围为止。
最后，如图10(d)所示，从任一边开始用激光切割第2调阻用电阻支路21进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻器。
调阻用电阻支路的切割长度将因电阻器而异。
下面说明上述构成并制造的电阻器的作用。
在从靠近主电阻体13一边开始切割第1调阻用电阻支路时，电阻体长度大大增加，电阻值上升较大，所以适合于电阻值粗调。在从任一边开始切割第2调阻用电阻支路时，电阻体长度不增加，仅仅电阻宽度减少，因此电阻值上升较小，而且切割距离与电阻值的上升基本成比例，所以适合于电阻值微调。
例如，通过切割第1调阻用电阻支路20进行电阻值粗调，达到所希望电阻值的-10％～-2％附近，接着可以通过切割第2调阻用电阻支路21调整电阻值，达到所希望电阻值的±0.1％～±1％。利用这种便于制造的电阻体图形，能更高精度调阻。
另外，由于该电阻体图形的电阻体长度较长，因此电能损耗不集中在因激光热量而导致损伤的部位，比较分散，所以能得到具有优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。
再有，如果第二调阻用电阻支路21的刻槽位置远离主电阻体，则切割时的电阻值上升可以更小，可便于更高精度调阻。如果第1及第2调阻用电阻支路的电阻宽度比主电阻体的电阻宽度还要宽，则可以更减轻集中在因激光热量而导致损伤部位的电能损耗，所以能得到具有优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。
实施形态6
图11为本发明实施形态6的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为由银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为电极12之间形成的主电阻体。14为与主电阻体13平行设置的第1梯条。15为连接第1梯条14、并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路。利用第1梯条14和第1连接电阻支路15构成梯条与主电阻体13平行的第1梯子形电阻支路。18为电阻值粗调时用激光切断第1梯条而形成的第1刻槽。21为主电阻体13平行形成第2刻槽19的第2调阻用电阻支路。该第2调阻用电阻支路21与主电阻体13成一体地，沿主电阻体13延伸形成。19为电阻值微调时用激光与主电阻体13平行切割第2调阻用电阻支路而形成的第2刻槽。13、14、15、21由氧化钌等电阻体构成。
下面说明上述构成的电阻器的制造方法。
图12为本发明实施形态6的电阻器工艺图。
首先，如图12(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12。
接着，如图12(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，该电阻体包括在电极12之间相连的主电阻体13、与主电阻体13平行设置的第1梯条14、连接第1梯条14并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路15和与主电阻体13平行形成第2刻槽19的电阻值微调用第2调阻用电阻支路21，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图12(c)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光依次切断第1梯条14进行电阻值粗调，直至达到通过切割微调用第2调阻用电阻支路21能调整为所希望电阻值的范围为止。
最后，如图12(d)所示，从任一边开始用激光切割第2调阻用电阻支路21进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻器。
梯子形电阻支路梯条的切断条数及调阻用电阻支路的切割长度将因电阻器而异。
下面说明上述构成并制造的电阻器的作用。
在切断作为第1梯子形电阻支路梯条的第1梯条14时，电阻体长度大大增加，电阻值上升较大，所从适合于电阻值粗调。在与主电阻体平行切割第2调阻用电阻支路时，电阻体长度不增加，仅仅电阻宽度减少，因此电阻值上升较小，而且切割距离与电阻值的上升基本成比例，所以适合于电阻值微调。
例如，通过切断第1梯条14进行电阻值粗调，达到所希望电阻值的-10％～-2％附近，接着可以通过切割第2调阻用电阻支路21调整电阻值，达到所希望电阻值的±0.1％～±1％。利用这种便于制造的电阻体图形，能更高精度调阻。
另外，对于梯子形电阻支路，由于用激光将梯条完全切断，因此电流不流过因激光热量而受损伤的部位，而对于调阻用电阻支路，能电损耗不集中在因激光热量而导致损伤的部位，比较分散，所以能得到具有更优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。
再有，如果第2调阻用电阻支路21的刻槽位置远离主电阻体，则切割时的电阻值上升可以更小，可便于更高精度调阻。
实施形态7
图13为本发明实施形态7的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为由银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为电极12之间形成的主电阻体，使第1及第2调阻用电阻电路的刻槽处于同一方向。20为与主电阻体13垂直形成第1刻槽18的第1调阻用电阻电路。21为与主电阻体13平行形成第2刻槽19的第2调阻用电阻支路。18为电阻值粗调时用激光与主电阻体13垂直切割第1调阻用电阻支路而形成的第1刻槽。19为电阻值微调时用激光与主电阻体13平行切割第2调阻用电阻支路而形成的第2刻槽。13、20、21由氧化钌等电阻体构成。
下面说明上述构成的电阻器的制造方法。
图14为发明实施形态7的电阻器工艺图。
首先，如图14(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12。
接着，如图14(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，该电阻体包括在电极12之间相连的主电阻体13、与主电阻体13垂直形成第1刻槽18的电阻值粗调用第1调阻用电阻支路20和与主电阻体13平行形成第2刻槽19的电阻值微调用第2调阻用电阻支路21，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图14(c)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光切割第1调阻用电阻支路20进行电阻值粗调，直至达到通过切割微调用第2调阻用电阻支路21能调整为所希望电阻值的范围为止。
最后，如图14(d)所示，从任一边开始用激光切割第2调阻用电阻支路21进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻器。
调阻用电阻支路的切割长度将因电阻器而异。
下面说明上述构成并制造的电阻器的作用。
与实施形态5所示的电阻器相同，通过组合使用粗调和微调调阻用电阻支路，能高精度调阻，并能得到具有优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。另外，它虽然与实施形态5所示的电阻器在电路上是等效的，但其占用面积的电阻体图形在基片上布置时能充分高效率地利用面积，所以比实施形5所示的电阻器能设计成更小的面积，能制造出更小型的电阻器。
实施形态8
图15为本发明实施形态8的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为由银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为电极12之间形成的呈蛇行形状的主电阻体，使第1梯子形电阻支路的梯条与第2调阻用电阻支路的刻槽垂直。14为与主电阻体13平行设置的第1梯条。15为连接第1梯条14、并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路。利用第1梯条14和第1连接电阻支路15构成梯条与主电阻体13平行的第1梯子形电阻支路。18为电阻值粗调时用激光切断第一梯条而形成的第1刻槽。21为与主电阻体1 3平行形成第2刻槽19的第2调阻用电阻支路。19为电阻值微调时用激光与主电阻体13平行切割第2调阻用电阻支路而形成的第2刻槽。13、14、15、21由氧化钌等电阻体构成。
下面说明上述构成的电阻器的制造方法。
图16为本发明实施形态8的电阻器工艺图。
首先，如图16(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12。
接着，如图16(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，该电阻体包括在电极12之间相连的主电阻体13、与主电阻体13平行设置的第1梯条14、连接第1梯条14并与主电阻体13相连的第1连接电阻支路15和与主电阻体13平行形成第2刻槽19的电阻值微调用第2调阻用电阻支路21，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图16(c)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光依次切断第1梯条14进行电阻值粗调，直至达到通过切割微调用第2调阻用电阻支路21能调整为所希望电阻值的范围为止。
最后，如图16(d)所示，从任一边开始用激光切割第2调阻用电阻支路21进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻器。
梯子形电阻支路梯条的切断条数及调阻用电阻支路的切割长度将随电阻器而异。
下面说明上述构成并制造的电阻器的作用。
与实施形态6所示的电阻器相同，通过组合使用粗调梯子形电阻支路及微调调阻用电阻支路，能高精度调阻，并能得到具有优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性的电阻器。另外，它虽然与实施形态6所示的电阻器在电路上是等效的，但其占用面积的电阻体图形在基片上布置时能充分高效率地利用面积，所以比实施形态6所示的电阻器能设计成更小的面积，能制造出更小型的电阻器。
实施形态9
图17为本发明实施形态9的电阻器平面图。11为氧化铝、冻石、镁橄榄石、氧化铍、二氧化钛、玻璃、玻璃陶瓷等基片。12为由银、银-钯、铜、金等构成的电极，它从基片11两对边的侧面一直分布到反面。13为电极12之间形成的呈蛇行形态的主电阻体。20为与主电阻体13垂直形成第1刻槽18的第1调阻用电阻支路。18为调阻时用激光与主电阻体13垂直切割第1调阻用电阻支路而形成的第1刻槽。13、20由氧化钌等电阻体构成。
下面说明上述构成的电阻器的制造方法。
图18为本发明实施形态9的电阻器工艺图。
首先，如图18(a)所示，在以纯度为96％的氧化铝为主要成分的基片11上用银系釉电极浆料印刷电极12，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电极12。
接着，如图18(b)所示，用氧化钌系釉电阻浆料印刷电阻体，该电阻体包括在电极12之间相连的呈蛇行形态的主电阻体13和与主电阻体13垂直形成第1刻槽18的电阻值调整用第1调阻用电阻支路20，再用传送带烧结炉经850℃5～10分钟、共计30～60分钟烧结，形成电阻体。
然后，如图18(c)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光切割第1调阻用电阻支路20进行电阻值粗调，直至达到通过第2次切割能调整为所希望电阻值的范围为止。上述两刻槽与第1调阻用电阻支路所在的主电阻体13垂直。
最后，如图18(d)所示，从靠近主电阻体13一边开始用激光切割第1调阻用电阻支路20进行电阻值微调，制造出具有所希望电阻值的电阻。
调阻用电阻支路的切割长度将因电阻器而异。
下面说明上述构成并制造的电阻器的作用。
在从靠近主电阻体13一边开始切割第1调阻用电阻支路时，电阻体长度大大增加，电阻值上升较大，所以适合于电阻值粗调。在从靠近主电阻体13一边开始，就在该刻槽旁边进行切割时，电阻体长度不增加，仅仅电阻宽度减少，因此电阻值上升较小，而且切割距离与电阻值的上升基本成比例，所以适合于电阻值微调。
例如，通过切割第1调阻用电阻支路20进行电阻值粗调，达到所希望电阻值的-10％～-2％附近，接着可以通过第2次切割第1调阻用电阻支路20调整电阻值，达到所希望电阻值的±0.1％～±1％。利用这种便于制造的电阻体图形，能更高精度调阻。
另外，由于该电阻体图形的电阻体长度较长，因此电能损耗不集中在因激光热量而导致损伤部位，比较分散，所以能得到具有优越负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲的电阻器。
在上述说明的例子中，电极和电阻体分别通过银系釉电极浆料和氧化钌系釉电阻浆料的印刷和绕结而制成。如果采用其他的电极浆料或电阻浆料也是同样的。另外，电极和电阻体如果采用电镀、蒸发或溅射工艺形成也是同样的。
按照上述本发明，由于电阻体图体包含有粗调用第1梯子形电阻支路或第1调阻用电阻支路及微调用第2梯子形电阻支路或第2调阻用电阻支路，所以能高精度调阻，调阻后，电能损耗不集中在因激光调阻而产生的电阻体损伤部位，比较分散，所以能提高负荷特性、耐浪涌性和耐脉冲性优越的电阻器，效果是明显的。

Claims (17)

1.一种电阻器，它包含基片、在该基片上面两端部分设置的一对电极、在该电极间进行电连接的主电阻体、和设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路，其特征在于，还包含
设置在该主电阻体另一部分区段且梯条从上述主电阻体沿垂直方向延伸出去的第2梯子形电阻支路。
2.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，连接第2梯子形电阻支路梯条的电阻体的电阻宽度比主电阻体的电阻宽度要窄。
3.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，连接第2梯子形电阻支路梯条的电阻体的电阻率比主电阻体的电阻率要高。
4.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，主电阻体呈蛇行形状，使第1梯子形电阻支路所在的主电阻体部分垂直于第2梯子形电阻支路所在的主电阻部分。
5.权利要求1所述的电阻器，其特征在于，第2梯子形电阻支路的梯条由导体构成。
6.一种电阻器，它包含基片、在该基片上面两端部分设置的一对电极、在该电极间进行电连接的主电阻体、设置在该主电阻体部分区段、从该主电阻体部分区段垂直向上延伸且刻槽与主电阻体垂直的第1调阻用电阻支路，其特征在于，还包含
设置在该主电阻体另一部分区段、与该主电阻体成一体地沿该主电阻体延伸且刻槽与上述主电阻体平行的第2调阻用电阻支路。
7.如权利要求6所述的电阻器，其特征在于，主电阻体呈蛇行形状，使第1及第2调阻用电阻支路的刻槽处于同一方向。
8.如权利要求6或7所述的电阻器，其特征在于，第1及第2调阻用电阻支路的电阻宽度比主电阻体的电阻宽度要宽。
9.一种电阻器，它包含基片、在该基片上面两端部分设置的一对电极、在该电极间进行电连接的主电阻体、设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路，其特征在于，还包含
设置在该主电阻体另一部分区段、与该主电阻体成一体地沿该主电阻体延伸且刻槽与上述主电阻体平行的第2调阻用电阻支路。
10.如权利要求9所述的电阻器，其特征在于，主电阻体呈蛇行形状，使第1梯子形电阻支路的梯条与第2调阻用电阻支路的刻槽相互垂直。
11.一种电阻器，其特征在于，它由基片、在该基片上面两端部分设置的一对电极、在该电极间进行电连接的呈蛇行形状的主电阻体和设置在该主电阻体部分区段且2条刻槽与该主电阻体部分区段垂直的第1调阻用电阻支路构成。
12.一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两端部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体，设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路和设置在该主电阻体另一部分区段且梯条从所述主电阻体沿垂直方向延伸出去的第2梯子形电阻支路；从第1梯子形电阻支路靠近电阻体的一边开始依次切断梯条进行电阻值粗调；从第2梯子形电阻支路任一边开始依次切断梯条进行电阻值微调。
13.一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两端部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体，设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路和沿上述主电阻体垂直方向延伸出去的梯条；用比上述电阻体的电阻率要高的电阻体连接从上述主电阻体垂直延伸出去的梯条；生成构成第2梯子形电阻支路的电阻体；从第1梯子形电阻支路靠近主电阻体的一边开始依次切断梯条进行电阻值粗调；从第2梯子形电阻支路任一边开始依次切断梯条进行电阻值微调。
14.一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两端部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体和设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路；生成与上述主电阻体平行且独立的第2电阻体；用导体生成连接第2电阻体与主电阻体并构成第2梯子形电阻支路的梯条；从第1梯子形电阻支路靠近主电阻体的一边开始依次切断梯条进行电阻值粗调；从第2梯子形电阻支路任一边开始依次切断梯条进行电阻值微调。
15.一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两端部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体，设置在该主电阻体部分区段、从该主电阻体部分区段垂直向上延伸且与主电阻体垂直切割调阻的第1调阻用电阻支路和设置在该主电阻体另一部分区段、与该主电阻体成一体地沿该主电阻体延伸且与上述主电阻体平行切割调阻的第2调阻用电阻支路；从靠近主电阻体一边开始沿垂直于主电阻体的方向切割第1调阻用电阻支路进行电阻值粗调；从任一边开始与主电阻体平行切割第2调阻用电阻支路进行电阻值微调。
16.一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两侧部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的主电阻体，设置在该主电阻体部分区段且梯条与主电阻体平行的第1梯子形电阻支路和设置在该主电阻体另一部分区段、与该主电阻体成一体地沿该主电阻体延伸且与上述主电阻体平行切割调阻的第2调阻用电阻支路；从第1梯子形电阻支路靠近主电阻体的一边开始依次切断梯条进行电阻值粗调；从任一边开始与主电阻体平行切割第2调阻用电阻支路进行电阻值微调。
17.一种电阻器的制造方法，其特征在于，在基片上面两侧部分生成一对电极；生成电阻体，该电阻体包括在该电极间进行电连接的呈蛇行形状的主电阻体和设置在该主电阻体部分区段且与该主电阻体部分区段垂直切割调阻的第1调阻用电阻支路；从靠近该主电阻体部分区段一边开始沿垂直于该主电阻体部分区段的方向切割第1调阻用电阻支路进行电阻值粗调；从靠近该主电阻体部分区段一边开始沿垂直于该主电阻体部分区段的方向切割第1调阻用电阻支路进行电阻值微调。
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