CN112640584B - 气体供给判定方法和等离子体发生装置 - Google Patents

气体供给判定方法和等离子体发生装置 Download PDF

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Abstract

一种气体供给判定方法,是设有第一供给口和第二供给口的等离子体发生装置的气体供给判定方法,等离子体发生装置具备:第一供给装置,用于从第一供给口供给第一气体;及第二供给装置,与第一供给装置连接,用于从第二供给口供给第二气体,气体供给判定方法具备:第一供给工序,在停止由第二供给装置供给第二气体的状态下,开始由第一供给装置供给第一气体;第一计测工序,在第一供给工序之后,对供给到第一供给口的气体进行流量计测;及第一通知工序,根据第一计测工序的流量计测结果,通知第一供给口中的第一气体的供给状态。

Description

气体供给判定方法和等离子体发生装置
技术领域
本公开涉及检查两种气体的供给状态的气体供给判定方法和等离子体发生装置。
背景技术
以往,在等离子体发生装置中,进行有检查两种气体的供给状态的工序。关于这样的供给气体的检查工序,例如,提出有下述专利文献1所记载的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利申请公开第2005/0173381号说明书
发明内容
发明所要解决的课题
然而,在上述专利文献1所记载的技术中,除了由第一供给装置供给的第一气体的供给状态以外,难以对由与第一供给装置连接的第二供给装置供给的第二气体的供给状态进行检查。
为此,本公开就是鉴于上述的点而完成的,其课题在于,在等离子体发生装置中,除了进行由第一供给装置供给的第一气体的供给状态的检查以外,还能够进行由与第一供给装置连接的第二供给装置供给的第二气体的供给状态的检查。
用于解决课题的技术方案
本说明书公开了一种设有第一供给口和第二供给口的等离子体发生装置的气体供给判定方法,等离子体发生装置具备:第一供给装置,用于从第一供给口供给第一气体;及第二供给装置,与第一供给装置连接,用于从第二供给口供给第二气体,气体供给判定方法具备:第一供给工序,在停止由第二供给装置供给第二气体的状态下,开始由第一供给装置供给第一气体;第一计测工序,在第一供给工序之后,对供给到第一供给口的气体进行流量计测;及第一通知工序,根据第一计测工序的流量计测结果,通知第一供给口的第一气体的供给状态。
发明效果
根据本公开,在等离子体发生装置中,气体供给判定方法除了进行由第一供给装置供给的第一气体的供给状态的检查以外,还能够进行由与第一供给装置连接的第二供给装置供给的第二气体的供给状态的检查。
附图说明
图1是表示实施方式的等离子体处理机的整体结构的立体图。
图2是在卸下了罩的状态下表示图1的等离子体处理机所具有的等离子体头的立体图。
图3是图2的等离子体头的剖视图。
图4是用于说明与图1的等离子体处理机中的气体向等离子体头的供给相关的结构的示意图。
图5是表示气体供给判定方法的控制程序的流程图。
图6是表示触摸面板的显示内容的图。
图7是表示触摸面板的显示内容的图。
图8是表示触摸面板的显示内容的图。
图9是表示触摸面板的显示内容的图。
具体实施方式
以下,参照附图详细地说明本公开所涉及的等离子体发生装置的代表性的实施方式的等离子体处理机。此外,本公开除了下述实施方式以外,还能够通过基于本领域技术人员的知识而实施了各种变更、改良的各种方式来实施。
等离子体处理机的整体结构
如图1所示,本实施方式的等离子体处理机1构成为包括:工作台10,载置工件W;串联连杆型机器人(也可以称为多间接型机器人,以下简称为机器人)12,配置于工作台10的旁边;及等离子体头14(以下,有时简称为头14),被机器人12保持,用于照射等离子体化气体。进而,本实施方式的等离子体处理机1构成为包括:电源气体供给单元16,是朝向头14的电源,负责向头14供给气体;及作为控制装置的控制器18(以计算机为主要构成要素),负责该等离子体处理机1的控制。顺便说一下,机器人12作为为了向工件W照射等离子体化气体而使头14移动的头移动装置发挥功能。
电源气体供给单元16除了具备未图示的CPU、ROM及RAM等以外,还具备触摸面板17。在触摸面板17中,关于电源气体供给单元16,显示有各种设定画面、动作状态(例如后述的气体供给状态的检查结果)等,通过用户对画面的触摸来输入操作信息。
参照表示卸下了罩的状态的图2及作为剖视图的图3来进行说明,头14大致具有陶瓷制的壳体20,在该壳体20的内部形成有用于产生等离子体化气体的反应室22。然后,以向反应室22突出的方式保持有一对电极24。另外,在壳体20内形成有用于使反应气体从上方流入反应室22的反应气体流路26和用于使载气流入的一对载气流路28。反应气体(种气体)为氧气(O2),但是使氧气与氮气(N2)的混合气体(例如,干燥空气(Air))从反应气体流路26流入电极24之间(以下,为了方便,有时也将该混合气体称为反应气体,将氧气称为种气体)。载气为氮气,从各个载气流路28以围绕各个电极24的方式流入。头14的下部被设为喷嘴30,在喷嘴30以排成一列的方式形成有多个放出口32。并且,以从反应室22向下方且与各放出口32相连的方式形成有多条放出路34。
在一对电极24之间,由电源气体供给单元16的电源部施加有交流电压。通过该施加,例如如图3所示,在反应室22内,在一对电极24各自的下端之间产生有模拟电弧A。在反应气体通过该模拟电弧A时,该反应气体被等离子体化,作为被等离子体化的气体的等离子体化气体与载气一起被从喷嘴30放出(喷出)。
此外,在喷嘴30的周围以包围喷嘴30的方式设有套筒36。在套筒36与喷嘴30之间的环状空间38中,经由供给管40供给有作为保护气体的加热气体(在本实施方式的等离子体处理机1中采用空气),该加热气体以围绕从喷嘴30放出的等离子体化气体的周围的方式沿等离子体化气体的流动而被放出。加热气体、即如名称那样为了确保等离子体化气体的效能而被加热的气体被放出。因此,在供给管40的中途设有用于加热的加热器42。
电源气体供给单元16构成为包括电源部和气体供给部。电源部具有用于对头14的一对电极24间施加电压的电源,作为气体供给装置发挥功能的气体供给部进行上述反应气体、载气、保护气体的供给。以下详细地说明基于气体供给部的气体的供给。
气体的供给
如图4所示,在电源气体供给单元16中,详细地说,从作为氮气(N2)的供给源的氮气发生装置52和作为空气(Air)(例如,干燥空气)的供给源的压缩机54分别向电源气体供给单元16的气体供给部50供给氮气、空气。顺便说一下,氮气发生装置52构成为通过与压缩机54连接而从由压缩机54供给的空气中分离氮气,另外,为了去除从压缩机54供给的空气的湿气而设有干燥器55。
在压缩机54与干燥器55之间配设有主阀57。另外,若氮气发生装置52处于未工作的状态,则氮气发生装置52切断气体的流动而使气体流量为0。
在气体供给部50,以与包括作为构成上述反应气体的种气体的氧气在内的空气、构成反应气体的氮气、作为与头14的一对载气流路28相对应的双系统的载气的氮气及作为加热气体的空气相对应的方式分别具有作为流量调节器的质量流量控制器56。为了方便起见,关于质量流量控制器56,在需要区分五个质量流量控制器56的情况下,有时称为质量流量控制器56a1、56a2、56b、56c、56d。被质量流量控制器56a1流量调节后的空气和被质量流量控制器56a2流量调节后的氮气由混合器58混合而生成反应气体。
若质量流量控制器56处于未工作的状态,则质量流量控制器56切断气体的流动而使气体流量为0。
反应气体、双系统的载气及加热气体经由四根气体管60分别向头14供给(也参照图1)。顺便说一下,以下,在将气体管60简称为管60而需要分别区别四根气体管60的情况下,有时称为管60a、60b、60c、60d。经由管60a、60b、60c供给的反应气体及双系统的载气在头14内的反应室22中混合,包括被等离子体化的氧气在内的混合气体被从喷嘴30放出。此外,在电源气体供给单元16内,在四根管60的质量流量控制器56侧,为了检测通过四根管60的气体的压力而分别设有作为压力检测器的压力传感器62。换言之,压力传感器62设在各管60与气体供给部50之间。顺便说一下,关于压力传感器62,在需要分别区别四个压力传感器62的情况下,称为压力传感器62a、62b、62c、62d。
压缩机54经由设于电源气体供给单元16的第一空气供给口70和第二空气供给口72向气体供给部50内的质量流量控制器56a1、56d供给空气。由此,质量流量控制器56a1、56d能够一边计测从第一空气供给口70和第二空气供给口72供给的空气的流量一边进行调节。氮气发生装置52经由设于电源气体供给单元16的第一氮气供给口74、第二氮气供给口76及第三氮气供给口78向气体供给部50内的质量流量控制器56a2、56b、56c供给氮气。由此,质量流量控制器56a2、56b、56c能够一边计测从第一氮气供给口74、第二氮气供给口76及第三氮气供给口78供给的氮气的流量一边进行调节。
此外,以下,在不区分第一空气供给口70和第二空气供给口72的情况下,标记为空气供给口70、72。在不区分第一氮气供给口74、第二氮气供给口76及第三氮气供给口78的情况下,标记为氮气供给口74、76、78。
根据以上,质量流量控制器56a1、56d也可以对供给到空气供给口70、72的气体进行流量计测。另外,质量流量控制器56a2、56b、56c也可以对供给到氮气供给口74、76、78的气体进行流量计测。
作为反应气体,将从第一空气供给口70供给的空气和从第一氮气供给口74供给的氮气经由混合器58及压力传感器62a向设于电源气体供给单元16的反应气体供给口80供给。由此,压力传感器62a能够计测向反应气体供给口80供给的反应气体的压力。
进而,反应气体供给口80经由管60a与设于头14的第一流路口90连接。由此,向反应气体供给口80供给的反应气体经由管60a及第一流路口90流入头14的反应气体流路26。因而,压力传感器62a还计测经由第一空气供给口70及第一氮气供给口74向头14的第一流路口90供给的反应气体的压力。
作为载气,将从第二氮气供给口76和第三氮气供给口78供给的氮气经由压力传感器62b、62c向设于电源气体供给单元16的第一载气供给口82和第二载气供给口84供给。由此,压力传感器62b、62c能够计测向第一载气供给口82和第二载气供给口84供给的载气的压力。
进而,第一载气供给口82和第二载气供给口84经由管60b、60c与设于头14的第二流路口92和第三流路口94连接。由此,向第一载气供给口82和第二载气供给口84供给的载气经由管60b、60c、第二流路口92及第三流路口94流入头14的一对载气流路28。因而,压力传感器62b、62c也可以计测经由第二氮气供给口76和第三氮气供给口78向头14的第二流路口92和第三流路口94供给的载气的压力。
作为保护气体,将从第二空气供给口72供给的空气经由压力传感器62d向设于电源气体供给单元16的保护气体供给口86供给。由此,压力传感器62d能够计测向保护气体供给口86供给的保护气体的压力。
进而,保护气体供给口86经由管60d与设于头14的第四流路口96连接。由此,向保护气体供给口86供给的保护气体经由管60d和第四流路口96流入头14的环状空间38。因而,压力传感器62d也可以计测经由第二空气供给口72向头14的第四流路口96供给的保护气体的压力。
此外,以下,在不区分第一流路口90、第二流路口92、第三流路口94及第四流路口96的情况下,标记为流路口90、92、94、96。
气体的供给检查
如上所述,本实施方式的等离子体处理机1将空气和氮气向电源气体供给单元16的气体供给部50供给。然而,若因在压缩机54、氮气发生装置52及气体供给部50之间存在有配管错误而导致空气被供给至氮气供给口74、76、78、或者氮气被供给至空气供给口70、72,则头部14内的模拟电弧A的产生变得不稳定,存在有头14的消耗品劣化的隐患。为此,本实施方式的等离子体处理机1例如在该设置中进行的安装模式下,检查空气和氮气的供给状态。接着进行详细叙述。
图5是表示用于检查空气和氮气的供给状态的气体供给判定方法100的流程图。图5的流程图所示的控制程序存储于电源气体供给单元16的ROM中,在等离子体处理机1的设置中进行的安装模式下,当用户在电源气体供给单元16的触摸面板17上进行预定的操作时,由电源气体供给单元16的CPU来执行。因而,在执行气体供给判定方法100时,由于是等离子体处理机1的设置中,因此压缩机54、氮气发生装置52、混合器58及质量流量控制器56不工作。以下,除了上述图4以外,使用图6~图9所示的触摸面板17的画面19来说明图5的流程图所示的各处理。
当执行气体供给判定方法100时,首先进行第一供给处理S10。在该处理中,进行压缩机54及混合器58的起动和主阀57的开放。由此,开始基于压缩机54的空气的供给。
接着,进行第一计测处理S12。在该处理中,质量流量控制器56a1、56d工作。由此,由质量流量控制器56a1、56d进行流量计测。
接着,进行第一通知处理S14。在该处理中,在触摸面板17上显示与上述第一计测处理S12的流量计测结果相应的空气的供给状态。具体地说,例如如图6所示,在触摸面板17的画面19中显示供给气体检查表21。在供给气体检查表21中设有项目、设定值、当前值及判定的各栏。
在项目一栏中,以在列方向上排列的状态显示MAIN(GAS2)、HEATER(GAS)、MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各文字。MAIN(GAS2)的文字表示构成反应气体的一部分的空气、且是计划有通过向第一空气供给口70供给而由质量流量控制器56a1进行流量计测的气体。HEATER(GAS)的文字表示构成全部保护气体(即,加热气体)的空气、且是计划有通过向第二空气供给口72供给而由质量流量控制器56d进行流量计测的气体。MAIN(GAS1)的文字表示构成反应气体的一部分的氮气、且是计划有通过向第一氮气供给口74供给而由质量流量控制器56a2进行流量计测的气体。SUB1的文字表示构成全部载气的氮气、且是计划有通过向第二氮气供给口76供给而由质量流量控制器56b进行流量计测的气体。SUB2的文字表示构成全部载气的氮气、且是计划有通过向第三氮气供给口78供给而由质量流量控制器56c进行流量计测的气体。
在设定值一栏中,以在列方向上排列的状态显示针对质量流量控制器56设定的数值、且是质量流量控制器56中的流量调节的目标值(L/min)。具体地说,以与MAIN(GAS2)、HEATER(GAS)、MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各项目建立了关联的状态显示0.60、30.0、20.0、20.0、20.0的各数值。
在当前值一栏中,以在列方向上排列的状态显示质量流量控制器56的流量计测值(L/min)。具体地说,以与MAIN(GAS2)、HEATER(GAS)、MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各项目建立了关联的状态显示质量流量控制器56a1、56d、56a2、56b、56c的各流量计测值。
在该时间点,以与MAIN(GAS2)的项目建立了关联的状态显示质量流量控制器56a1的流量计测值、即0.60的数字。以与HEATER(GAS)的项目建立了关联的状态显示质量流量控制器56d的流量计测值、即30.0的数字。然而,关于MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各项目,由于质量流量控制器56a2、56b、56c尚未工作,因此以建立了关联的状态显示00.0的数字。
在判定一栏中,以“良好”的文字或者“不良”的文字显示气体供给状态的检查结果等。在该时间点,进行基于压缩机54的空气的供给,进而,在对供给到空气供给口70、72的气体进行流量计测的质量流量控制器56a1、56d中,它们的目标值(设定值的数字)与流量计测值(当前值的数字)一致。因而,在第一空气供给口70及第二空气供给口72中正常地进行空气的供给。为此,在判定一栏中,以与MAIN(GAS2)及HEATER(GAS)的各项目建立了关联的状态显示表示对第一空气供给口70及第二空气供给口72正常地进行空气的供给的“良好”的文字。
与此相对地,例如,在对供给到空气供给口70、72的气体进行流量计测的质量流量控制器56a1、56d中,在它们的流量计测值(当前值的数字)中的任一个为0(零)的情况下,在第一空气供给口70或者第二空气供给口72中未供给有空气,空气的供给未正常地进行。由此,在判定一栏中,以与MAIN(GAS2)及HEATER(GAS)中的相应的项目建立了关联的状态显示表示该主旨的“不良”的文字。之后,气体供给判定方法100结束。
此外,在该时间点,未开始基于氮气发生装置52的氮气的供给。因此,在判定一栏中,对于MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各项目并没有任何显示。
在上述第一通知处理S14之后,进行第二计测处理S16。在该处理中,质量流量控制器56a1、56d停止,质量流量控制器56a2、56b、56c工作。由此,由质量流量控制器56a2、56b、56c进行流量计测。
接着,进行第二通知处理S18。在该处理中,在触摸面板17上显示与上述第二计测处理S16的流量计测结果相应的空气的供给状态。具体地说,例如,在触摸面板17的画面19中显示图7所示的供给气体检查表21。除了以下叙述的点以外,图7的供给气体检查表21与图6的供给气体检查表21相同。
在图7的供给气体检查表21中,在当前值一栏中,以与MAIN(GAS2)的项目建立了关联的状态显示0.00的数字,以与HEATER(GAS)的项目建立了关联的状态显示0.0的数字。其理由在于,质量流量控制器56a1、56d的工作停止。为此,在判定一栏中,以与MAIN(GAS2)及HEATER(GAS)的各项目建立了关联的状态显示表示质量流量控制器56a1、56d为正常的“良好”的文字。
进而,在图7的供给气体检查表21中,在当前值一栏中,以与MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各项目建立了关联的状态显示00.0的数字。这表示在对供给到氮气供给口74、76、78的气体进行流量计测的质量流量控制器56a2、56b、56c中,它们的流量计测值为00.0(零)。在该时间点,氮气发生装置52还未工作,因此未进行氮气的供给,但是基于压缩机54的空气的供给持续进行。因而,能够判定为并未向第一氮气供给口74、第二氮气供给口76及第三氮气供给口78供给空气。
为此,在判定一栏中,以与MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各项目建立了关联的状态显示表示对于第一氮气供给口74、第二氮气供给口76及第三氮气供给口78未进行空气的供给的“良好”的文字。
与此相对地,例如,在对供给到氮气供给口74、76、78的气体进行流量计测的质量流量控制器56a2、56b、56c中,在它们的流量计测值中的任一个大于00.0(零)的情况下,在第一氮气供给口74、第二氮气供给口76或者第三氮气供给口78中供给有空气,空气的供给未正常地进行。由此,在判定一栏中,以与MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2中的相应的项目建立了关联的状态显示表示该主旨的“不良”的文字。另外,在应处于未工作的状态的质量流量控制器56a1、56d中,在它们的流量计测值中的任一个大于00.0(零)的情况下,质量流量控制器56a1、56d中的任一个进行错误动作。由此,在判定一栏中,以与MAIN(GAS2)及HEATER(GAS)中的相应的项目建立了关联的状态显示表示该主旨的“不良”的文字。之后,气体供给判定方法100结束。
在上述第二通知处理S18之后,进行第二供给处理S20。在该处理中,进行氮气发生装置52的起动。由此,开始基于氮气发生装置52的氮气的供给。
接着,进行第三计测处理S22。在该处理中,由质量流量控制器56a2、56b、56c进行流量计测。
接着,进行第三通知处理S24。在该处理中,在触摸面板17上显示与上述第三计测处理S22的流量计测结果相应的氮气的供给状态。具体地说,例如,在触摸面板17的画面19中显示图8所示的供给气体检查表21。除了以下叙述的点以外,图8的供给气体检查表21与图6的供给气体检查表21相同。
在图8的供给气体检查表21中,在项目等各栏中,以按照MAIN(GAS1)、SUB1、SUB2、MAIN(GAS2)、HEATER(GAS)的标记顺序重新排列的状态显示文字或者数字。在该时间点,已经判明在第一空气供给口70及第二空气供给口72中正常地进行有空气的供给,且并未供给氮气。因此,在设定值和当前值的各栏中,以与MAIN(GAS2)的项目建立了关联的状态显示0.00的数字。进而,在设定值与当前值的各栏中,以与HEATER(GAS)的项目建立了关联的状态显示00.0的数字。此外,在判定一栏中,对于MAIN(GAS2)及HEATER(GAS)的各项目没有任何显示。
进而,在图8的供给气体检查表21中,在当前值一栏中,以与MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各项目建立了关联的状态显示20.0的数字。这表示在质量流量控制器56a2、56b、56c中,它们的流量计测值为20.0。即,在该时间点,在对供给到氮气供给口74、76、78的气体进行流量计测的质量流量控制器56a2、56b、56c中,它们的目标值(设定值的数字)与流量计测值(当前值的数字)一致。另外,虽然压缩机54及氮气发生装置52处于工作中,但是已经判明正常地进行有基于压缩机54的空气的供给。因而,能够判定为在第一氮气供给口74、第二氮气供给口76及第三氮气供给口78中正常地进行有氮气的供给。
为此,在判定一栏中,以与MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2的各项目建立了关联的状态显示表示对于第一氮气供给口74、第二氮气供给口76及第三氮气供给口78正常地进行有氮气的供给的“良好”的文字。
与此相对地,例如,在对供给至氮气供给口74、76、78的气体进行流量计测的质量流量控制器56a2、56b、56c中,在它们的流量计测值中的任一个为0(零)的情况下,在第一氮气供给口74、第二氮气供给口76或者第三氮气供给口78中未供给氮气而未正常地进行氮气的供给。由此,在判定一栏中,以与MAIN(GAS1)、SUB1及SUB2中的相应的项目建立了关联的状态显示表示该主旨的“不良”的文字。之后,气体供给判定方法100结束。
在上述第三通知处理S24之后,进行第四计测处理S26。在该处理中,在使质量流量控制器56a1、56d的工作再次开始之后,进行基于压力传感器62的压力计测。
接着,进行第四通知处理S28。在该处理中,在触摸面板17上显示与上述第四计测处理S26的压力计测结果相应的气体的压力状态。具体地说,例如如图9所示,在触摸面板17的画面19中显示压力检查表23。在压力检查表23中设有项目、当前值、阈值及判定的各栏。
在项目一栏中,以沿列方向排列的状态显示有MAIN、SUB1、SUB2及HEATER的各文字。MAIN的文字表示反应气体(N2+O2)、且是计划有在由压力传感器62a进行了压力计测之后向头14的第一流路口90供给的气体。SUB1的文字表示载气(N2)、且是计划有在由压力传感器62b进行了压力计测之后向头14的第二流路口92供给的气体。SUB2的文字表示载气(N2)、且是计划有在由压力传感器62c进行了压力计测之后向头14的第三流路口94供给的气体。HEATER表示保护气体(即,加热气体)(Air)、且是计划有在由压力传感器62d进行了压力计测之后向头14的第四流路口96供给的气体。
在当前值一栏中,以在列方向上排列的状态显示有压力传感器62的压力计测值(kPa)。具体地说,以与MAIN、SUB1、SUB2及HEATER的各项目建立了关联的状态显示压力传感器62a、62b、62c、62d的各压力计测值。
在该时间点,以与MAIN的项目建立了关联的状态显示作为压力传感器62a的压力计测值的50.0的数字。以与SUB1及SUB2的项目建立了关联的状态显示作为压力传感器62b、62c的压力计测值的49.0的数字。以与HEATER的项目建立了关联的状态显示作为压力传感器62d的压力计测值的65.0的数字。
在阈值一栏中,以在列方向上排列的状态显示表示气体压力为正常的压力值(kPa)的范围。具体地说,以与MAIN、SUB1、及SUB2的各项目建立了关联的状态显示40.0~80.0的(表示范围)数字等。另外,以与HEATER的项目建立了关联的状态显示50.0~80.0的(表示范围的)数字等。
在判定一栏中,以“良好”或者“不良”的文字显示气体压力状态的检查结果等。在该时间点,在对供给到头14的流路口90、92、94、96的气体进行压力计测的压力传感器62a、62b、62c、62d中,它们的压力计测值(当前值的数字)收入在阈值一栏中由数字等显示的范围内。因而,能够判定为在第一流路口90、第二流路口92、第三流路口94及第四流路口96中供给气体的压力为正常。为此,在判定一栏中,以与MAIN、SUB1、SUB2及HEATER的各项目建立了关联的状态显示表示第一流路口90、第二流路口92、第三流路口94及第四流路口96中的供给气体的压力为正常的“良好”的文字。
与此相对地,例如,在对供给到头14的流路口90、92、94、96的气体进行压力计测的压力传感器62a、62b、62c、62d中,在这些压力计测值(当前值的数字)中的任一个处于在阈值一栏中由数字等表示的范围外的情况下,在第一流路口90、第二流路口92、第三流路口94或者第四流路口96中,供给气体的压力为异常。由此,在判定一栏中,以与MAIN、SUB1、SUB2及HEATER中的相应的项目建立了关联的状态显示表示该主旨的“不良”的文字。之后,气体供给判定方法100结束。
如以上详细说明的那样,在本实施方式的等离子体处理机1中执行的气体供给判定方法100除了由压缩机54供给的空气的供给状态的检查以外,还进行由与压缩机54连接的氮气发生装置52供给的氮气的供给状态的检查。
此外,本公开并不局限于上述实施方式,在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。
例如,气体供给判定方法100在等离子体处理机1的设置中进行的安装模式下被执行,但是也可以在设置以外时间点进行。
另外,在气体供给判定方法100中,由质量流量控制器56进行的流量计测、流路开闭也可以通过与质量流量控制器56不同的质量流量计、开闭阀来进行。
顺便说一下,在本实施方式中,等离子体处理机1是等离子体发生装置的一个例子。电源气体供给单元16是控制装置的一个例子。触摸面板17是通知装置的一个例子。氮气发生装置52是第二供给装置的一个例子。压缩机54是第一供给装置的一个例子。质量流量控制器56a1、56d是第一流量计测装置的一个例子。质量流量控制器56a2、56b、56c是第二流量计测装置的一个例子。空气供给口70、72是第一供给口的一个例子。氮气供给口74、76、78是第二供给口的一个例子。流路口90、96是第三供给口的一个例子。流路口90、92、94是第四供给口的一个例子。第一供给处理S10是第一供给工序的一个例子。第一计测处理S12是第一计测工序的一个例子。第一通知处理S14是第一通知工序的一个例子。第二计测处理S16是第二计测工序的一个例子。第二通知处理S18是第二通知工序的一个例子。第二供给处理S20是第二供给工序的一个例子。第三计测处理S22是第三计测工序的一个例子。第三通知处理S24是第三通知工序的一个例子。第四计测处理S26是第四计测工序的一个例子。第四通知处理S28是第四通知工序的一个例子。
附图标记说明
1 等离子体处理机
14 等离子体头
16 电源气体供给单元
17 触摸面板
52 氮气发生装置
54 压缩机
56a1、56d 质量流量控制器
56a2、56b、56c 质量流量控制器
70 第一空气供给口
72 第二空气供给口
74 第一氮气供给口
76 第二氮气供给口
78 第三氮气供给口
90 第一流路口
92 第二流路口
94 第三流路口
96 第四流路口
100 气体供给判定方法
S10 第一供给处理
S12 第一计测处理
S14 第一通知处理
S16 第二计测处理
S18 第二通知处理
S20 第二供给处理
S22 第三计测处理
S24 第三通知处理
S26 第四计测处理
S28 第四通知处理

Claims (3)

1.一种气体供给判定方法,是设有第一供给口和第二供给口的等离子体发生装置的气体供给判定方法,其中,
所述等离子体发生装置具备:
第一供给装置,用于从所述第一供给口供给第一气体;及
第二供给装置,与所述第一供给装置连接,用于从所述第二供给口供给第二气体,所述第二供给装置从由所述第一供给装置供给的所述第一气体中分离所述第二气体,
所述气体供给判定方法具备:
第一供给工序,在未开始由所述第二供给装置供给所述第二气体的状态下,开始仅由所述第一供给装置供给所述第一气体;
第一计测工序,在所述第一供给工序之后,对供给到所述第一供给口的气体进行流量计测;
第一通知工序,根据所述第一计测工序的流量计测结果,判定并通知所述第一供给口中的所述第一气体的供给状态;
第二计测工序,在所述第一供给工序之后,在所述第一通知工序中判定为所述第一供给口中的所述第一气体的供给状态正常的情况下,对供给到所述第二供给口的气体进行流量计测;
第二通知工序,根据所述第二计测工序的流量计测结果,判定并通知所述第二供给口中的所述第一气体的供给状态;
第二供给工序,在所述第二通知工序中判定为所述第二供给口中的所述第一气体的供给状态正常的情况下,开始进一步由所述第二供给装置供给所述第二气体;
第三计测工序,在所述第二供给工序之后,对供给到所述第二供给口的气体进行流量计测;及
第三通知工序,根据所述第三计测工序的流量计测结果,判定并通知所述第二供给口中的所述第二气体的供给状态。
2.根据权利要求1所述的气体供给判定方法,其中,
所述等离子体发生装置具备等离子体头,所述等离子体头设有被供给经由所述第一供给口的气体的第三供给口和被供给经由所述第二供给口的气体的第四供给口,
所述气体供给判定方法具备:
第四计测工序,在所述第二供给工序之后,对向所述第三供给口供给的气体进行压力计测,并且对向所述第四供给口供给的气体进行压力计测;及
第四通知工序,根据所述第四计测工序的压力计测结果,通知向所述等离子体头供给的气体的供给状态。
3.一种等离子体发生装置,设有第一供给口和第二供给口,其中,
所述等离子体发生装置具备:
第一供给装置,用于从所述第一供给口供给第一气体;
第二供给装置,与所述第一供给装置连接,用于从所述第二供给口供给第二气体,所述第二供给装置从由所述第一供给装置供给的所述第一气体中分离所述第二气体;
第一流量计测装置,对供给到所述第一供给口的气体进行流量计测;
第二流量计测装置,对供给到所述第二供给口的气体进行流量计测;
通知装置,通知所述第一气体或者所述第二气体的供给状态;及
控制装置,
所述控制装置执行如下处理:
第一供给处理,在未开始由所述第二供给装置供给所述第二气体的状态下,开始仅由所述第一供给装置供给所述第一气体;
第一计测处理,在所述第一供给处理之后,利用所述第一流量计测装置进行流量计测;
第一通知处理,根据所述第一计测处理的流量计测结果,判定并利用所述通知装置通知所述第一供给口中的所述第一气体的供给状态;
第二计测处理,在所述第一供给处理之后,在所述第一通知处理中判定为所述第一供给口中的所述第一气体的供给状态正常的情况下,利用所述第二流量计测装置对供给到第二供给口中的气体进行流量计测;
第二通知处理,根据所述第二计测处理的流量计测结果,判定并利用所述通知装置通知所述第二供给口中的所述第一气体的供给状态;
第二供给处理,在所述第二通知处理中判定为所述第二供给口中的所述第一气体的供给状态正常的情况下,开始进一步由所述第二供给装置供给所述第二气体;
第三计测处理,在所述第二供给处理之后,利用所述第二流量计测装置对供给到所述第二供给口的气体进行流量计测;及
第三通知处理,根据所述第三计测处理的流量计测结果,判定并利用所述通知装置通知所述第二供给口中的所述第二气体的供给状态。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220208533A1 (en) * 2020-12-26 2022-06-30 Industrial Technology Research Institute Surface processing equipment and surface processing method
EP4207952A1 (en) * 2022-10-13 2023-07-05 Tantec A/S Surface treatment system for treating a surface and a method therefore

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1034343A (ja) * 1996-07-24 1998-02-10 Komatsu Ltd プラズマ加工機用プラズマガス及びアシストガス供給装置及び供給方法
CN107709953A (zh) * 2015-07-29 2018-02-16 东京毅力科创株式会社 检查气体供给系统的阀泄漏的方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2107648C (en) * 1992-10-05 1996-09-10 Shinji Miyauchi Apparatus for detecting abnormality of gas supply equipment and method for detecting same
JP2001115266A (ja) * 1999-10-19 2001-04-24 Sharp Corp プラズマプロセス装置
JP4502590B2 (ja) * 2002-11-15 2010-07-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体製造装置
JP4782585B2 (ja) * 2006-02-28 2011-09-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング装置及び方法
CN101522561A (zh) * 2006-05-05 2009-09-02 普拉斯科能源Ip控股公司毕尔巴鄂-沙夫豪森分公司 使用等离子体炬热的气体重整系统
JP2008235611A (ja) * 2007-03-21 2008-10-02 Tohoku Univ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6037707B2 (ja) * 2012-08-07 2016-12-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の診断方法
JP6107327B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法
JP5874691B2 (ja) * 2013-06-26 2016-03-02 株式会社ダイフク 不活性気体供給設備
JP2015185837A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6346849B2 (ja) * 2014-08-20 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
JP6344203B2 (ja) * 2014-11-05 2018-06-20 株式会社デンソー アーク溶接装置
US10137522B2 (en) * 2015-07-02 2018-11-27 Lincoln Global, Inc. Adaptive plasma cutting system and method
JP6748586B2 (ja) * 2016-07-11 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、基板処理システム及びガス供給方法
KR20190050611A (ko) * 2017-11-03 2019-05-13 삼성전자주식회사 모니터링 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1034343A (ja) * 1996-07-24 1998-02-10 Komatsu Ltd プラズマ加工機用プラズマガス及びアシストガス供給装置及び供給方法
CN107709953A (zh) * 2015-07-29 2018-02-16 东京毅力科创株式会社 检查气体供给系统的阀泄漏的方法

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